CN112599702A - 显示面板制造方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板制造方法、显示面板和显示装置。显示面板制造方法包括以下步骤：提供显示面板半成品，显示面板半成品包括基板，基板的一侧表面包括显示器件形成区、开孔区、以及位于显示器件形成区和开孔区之间的过渡区；在基板的过渡区形成围绕开孔区的初始隔挡部，初始隔挡部包括银基金属层和层叠于银基金属层背离基板的表面的第一阻挡层；对初始隔挡部的银基金属层进行侧向刻蚀，使银基金属层相对于第一阻挡层发生侧向凹陷，构成嵌合凹部，形成隔挡部。根据本发明的实施例，能够改善显示面板及显示装置的显示效果。

Description

显示面板制造方法、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板制造方法、显示面板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示可具有视角宽、驱动电压低、响应速度快、发光色彩丰富、可实现大面积柔性显示等优点，是目前被广泛关注的显示技术之一。有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示技术是起源于OLED的一种显示技术，其具有自发光、功耗低、可实现更大尺寸化等特点，在显示技术领域得到了高度重视。

随着显示技术的发展，为了满足高屏占比的要求，通常在显示面板的显示区设置开孔，以集成诸如摄像头、听筒及红外感应元件等。但是，开孔的设置会使得显示面板的封装效果变差，空气中的水氧容易通过开孔进入到显示面板内部，影响显示效果。

发明内容

本发明提供一种显示面板制造方法、显示面板和显示装置，旨在改善显示面板和显示装置的显示效果。

本发明第一方面提供一种显示面板制造方法，其包括以下步骤：

提供显示面板半成品，显示面板半成品包括基板，基板的一侧表面包括显示器件形成区、开孔区、以及位于显示器件形成区和开孔区之间的过渡区；

在基板的过渡区形成初始隔挡部，初始隔挡部围绕开孔区设置，初始隔挡部包括银基金属层和层叠于银基金属层背离基板的表面的第一阻挡层；

对初始隔挡部的银基金属层进行侧向刻蚀，使银基金属层相对于第一阻挡层发生侧向凹陷，构成嵌合凹部，形成隔挡部。

根据本发明的显示面板制造方法，围绕开孔区设置的初始隔挡部包括层叠设置的银基金属层和第一阻挡层，由此能在第一阻挡层的阻挡作用下，方便地实现对银基金属层的侧向刻蚀，获得具有嵌合凹部的隔挡部。本发明的隔挡部采用银基金属，避免了采用Ti-Al-Ti隔挡部的相关技术在侧向刻蚀过程中，发生阳极的银与隔挡部的铝之间的电化学反应而形成银络合物的问题。因此，隔挡部能更有效地减少水氧入侵，提高可靠性测试(Reliability Test，RA测试)性能，并且可以避免银络合物导致的暗点等显示异常，从而能改善显示面板及显示装置的显示效果。另外，隔挡部采用银基金属，因此可以与显示区的第一电极(例如阳极)在同一制程中形成，从而简化工序。

在本发明任一实施方式中，在基板的过渡区形成初始隔挡部的步骤中，第一阻挡层可为透明层。由于第一阻挡层采用透明层，具有透光性，因此便于在线监控初始隔挡部的侧向刻蚀量。

在本发明任一实施方式中，提供显示面板半成品的步骤中，显示面板半成品还包括像素电路器件层和平坦化层，像素电路器件层位于基板的显示器件形成区，平坦化层位于像素电路器件层背离基板的一侧，平坦化层覆盖像素电路器件层；

在基板的过渡区形成初始隔挡部，包括：在平坦化层上形成第一电极层，第一电极层覆盖显示器件形成区和过渡区，且第一电极层包括银基金属层和层叠于银基金属层背离基板的表面的氧化铟锡层；对第一电极层图案化处理，形成电极部和隔离部，电极部位于显示器件形成区且穿过平坦化层与像素电路器件层电连接，隔离部位于过渡区且围绕开孔区设置；对隔离部的氧化铟锡层进行晶化处理，形成第一阻挡层，获得初始隔挡部。

在本发明任一实施方式中，在对隔离部的氧化铟锡层进行晶化处理之前，还包括：在平坦化层背离基板的表面形成初始像素限定层，初始像素限定层至少位于显示器件形成区；

对隔离部的氧化铟锡层进行晶化处理，包括：在200℃～400℃的温度下对初始像素限定层和氧化铟锡层同步热处理，使初始像素限定层转变为像素限定层，同时使氧化铟锡晶化。

本发明第二方面提供一种显示面板，其包括：

基板，基板的一侧表面包括显示器件形成区、开孔区、以及位于显示器件形成区和开孔区之间的过渡区；

隔挡部，设置于基板的过渡区且围绕开孔区设置，隔挡部包括银基金属层和层叠于银基金属层背离基板的表面的第一阻挡层，银基金属层相对于第一阻挡层侧向凹陷构成嵌合凹部；

显示器件层，设置于基板的显示器件形成区，显示器件层包括共用有机材料层，共用有机材料层还位于过渡区且在隔挡部处断开；

封装层，封装层覆盖显示器件层和隔挡部，且封装层与隔挡部在嵌合凹部处嵌合连接。

根据本发明的显示面板，围绕开孔区设置的隔挡部包括层叠设置的银基金属层和第一阻挡层，由此避免了采用Ti/Al/Ti隔挡部的相关技术在显示面板中残留的银络合物。因此，隔挡部能更有效地减少水氧入侵，提高RA测试的可靠性，并且可以避免银络合物导致的暗点等显示异常，从而能改善显示面板及显示装置的显示效果。

在本发明任一实施方式中，第一阻挡层为透明层。在一些实施例中，第一阻挡层为氧化铟锡层。

在本发明任一实施方式中，隔挡部还包括层叠于银基金属层朝向基板的表面侧的第二阻挡层，隔挡部在层叠的方向上的截面呈工字型。在一些实施例中，第二阻挡层为氧化铟锡层。

在本发明任一实施方式中，隔挡部呈闭合环状。

在本发明任一实施方式中，过渡区在由开孔区至显示器件形成区的方向上包括多个彼此间隔设置的隔挡部。

本发明第三方面提供一种显示装置，其包括上述的显示面板。本发明的显示装置采用根据本发明的显示面板，因而能具有较好的显示效果。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征，附图并未按照实际的比例绘制。

图1是根据本发明实施例的显示面板制造方法的流程图。

图2是根据本发明实施例的显示面板制造方法中显示面板半成品的平面示意图。

图3是图2的显示面板半成品的剖视结构示意图。

图4是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成初始隔挡部的步骤图。

图5是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成隔挡部的步骤图。

图6是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成第一电极层的步骤图。

图7是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成电极部和隔离部的步骤图。

图8是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成初始隔挡部的步骤图。

图9是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成隔挡部的步骤图。

图10是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成像素限定层的步骤图。

图11是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成初始像素限定层的步骤图。

图12是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成有机功能层、第二电极层和封装层的步骤图。

图13是图12的局部放大图。

图14是根据本发明实施例的显示面板制造方法中形成开孔的步骤图。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本发明进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本发明，并不被配置为限定本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明更好的理解。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

显示面板是显示装置实现显示功能的关键结构。为了便于集成摄像头、听筒及红外传感器等功能器件，在显示面板上通常会设置开孔以集成这些功能器件。开孔区封装效果的好坏直接影响显示面板的显示效果。在相关技术中，开孔周侧通常采用钛-铝-钛(Ti-Al-Ti)复合层结构的隔挡部，来提高封装效果，减少水氧入侵。通常是先形成围绕开孔区的Ti-Al-Ti突起结构，再在形成OLED的阳极之后，采用刻蚀液对Ti-Al-Ti突起结构进行侧向刻蚀，形成Ti-Al-Ti隔挡部。由于阳极通常采用银(Ag)，在侧向刻蚀过程中，Al与Ag容易在刻蚀液的作用下发生电化学反应，形成银络合物。银络合物导致显示面板在显示过程中形成显示暗点，影响显示效果。此外，显示面板进行可靠性(RA)测试过程中，银络合物还会吸收水汽、氧等进一步生长，造成水氧容易进入显示面板内部，从而导致显示面板的可靠性较低或显示异常等问题。

为了改善显示面板的显示效果，发明人进行了进一步地研究，提供了一种采用基于银基金属层的隔挡部的显示面板制造方法。通过该制造方法，能改善显示面板的RA测试可靠性，尤其是使得显示面板具有改善的显示效果。

图1示出根据本发明的一种显示面板制造方法的流程图。参照图1，本发明实施例的显示面板制造方法包括提供显示面板半成品的步骤S10，形成初始隔挡部的步骤S20，以及刻蚀步骤S30。

图2示出作为一个示例的显示面板半成品的平面示意图。图3是图2所示显示面板半成品的剖视结构示意图。参照图2和图3，在提供显示面板半成品的步骤S10中，显示面板半成品包括基板100，基板100的一侧表面包括显示器件形成区110、开孔区120、以及位于显示器件形成区110和开孔区120之间的过渡区130。

基板100可采用本领域已知的材料形成。在一些实施例中，基板100可由玻璃、硬质塑料或具有柔性的塑料形成。作为示例，基板100为玻璃基板。作为另一示例，基板100可为聚酰亚胺(PI)柔性基板。

显示器件形成区110对应显示面板的有效显示区(Active area)。显示器件形成区110用于形成阵列排布的有机发光单元。有机发光单元用于发光，以显示图像信息。每个有机发光单元可包括OLED和用于驱动OLED发光的像素电路模块，以及本领域已知的其它可选模块。

开孔区120可以限定在显示器件形成区110内。显示器件形成区110可以完全包围开孔区120。也可以是开孔区120位于显示器件形成区110的边缘，即，显示器件形成区110部分地包围开孔区120。开孔区120对应显示面板的开孔。在后续会将该区域的基板100以及形成于该区域的膜层一并除去，形成贯穿显示面板的开孔。在开孔内或对应该开孔的显示面板底部以下的位置可以集成诸如摄像头、听筒及红外传感器等功能器件。对开孔的形状没有特别的限制，可以根据实际需求进行选择。在一些实施例中，开孔可以为方形、圆形、类圆形、或者其组合。

过渡区130位于显示器件形成区110和开孔区120之间，用于设置提升开孔区120封装效果的结构，例如隔挡部。另外，过渡区130还可以布置走线。例如，原设置于开孔区120的像素电路走线可以绕过开孔区120，而设置于开孔区120周侧的过渡区130。

在一些实施例中，基板100还可包括围绕显示器件形成区110的边框区140。在边框区140可以设置本领域已知的各种驱动元件，例如用于向显示面板器件层提供数据信号的数据驱动器、用于向显示面板器件层提供栅极信号的栅极驱动器等。

基板100至少包括一个显示器件形成区110。在一些实施例中，基板100包括多个彼此间隔设置的显示器件形成区110。这样可以在一次制备工艺中得到多个显示面板。

在显示面板半成品中，显示器件形成区110可以包括有机发光单元的部分膜层，例如包括像素电路器件层200和平坦化层300。像素电路器件层200包括像素电路模块。像素电路模块可包括一个以上的薄膜晶体管TFT和一个以上的存储电容Cst。上述TFT可以为顶栅极型TFT或底栅极型TFT。平坦化层300位于像素电路器件层200背离基板100的一侧。平坦化层300覆盖像素电路器件层200。并且，平坦化层300具有贯通孔以露出像素电路器件层200的连接电极(例如漏极D)。

在提供显示面板半成品的步骤S10中，显示面板半成品可采用本领域已知的方法制备得到。作为具体的示例，S10可包括：在基板100的显示面板形成区110形成像素电路器件层200；在像素电路器件层200背离基板100的一侧形成平坦化层300。

像素电路器件层200包括依次层叠设置的半导体层210、栅极层220和源漏极层230，且半导体层210、栅极层220和源漏极层230之间分别通过绝缘层相间隔。

半导体层210包括源极区、漏极区和位于源极区和漏极区之间的沟道区。可选地，半导体层210可采用非晶硅、单晶硅、多晶硅(例如低温多晶硅LTPS等)、铟镓锌氧化物中的一种以上。

栅极层220包括栅极G，栅极G与半导体层210的沟道区对应设置。可选地，栅极层220可采用钛、钼、金、铂、铝、镍、铜中的一种以上。

在一些实施例中，栅极层220还可选地包括存储电容Cst的第一电极。存储电容Cst的第二电极位于第一电极的背离基板100的一侧，且与第一电极之间通过电容介质层相间隔。第二电极可采用钛、钼、金、铂、铝、镍、铜中的一种以上。

源漏极层230包括源极S和漏极D。源极S经过贯穿源漏极层230和半导体层210之间的绝缘层的过孔而与源极区电连接。漏极D经过贯穿源漏极层230和半导体层210之间的绝缘层的过孔而与漏极区电连接。源漏极层230可采用本领域已知的材料。作为示例，源漏极层230为Ti-Al-Ti的复合层。

在一些实施例中，半导体层210、栅极层220和源漏极层230之间的绝缘层可延伸至过渡区130。当然，也可以延伸至开孔区120。这样能方便膜层的制备。在后续经打孔步骤即可方便地除去开孔区120的膜层。

平坦化层300可采用本领域已知的材料。作为示例，平坦化层300可采用有机材料，例如选自聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂等中的一种以上。平坦化层300还可以采用无机材料，例如选自硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一种以上。

在一些实施例中，在基板100和半导体层210之间还可以形成缓冲层400。缓冲层400可以是硅氧化物层、硅氮化物层、或者硅氧化物层和硅氮化物层的复合层。缓冲层400可延伸至过渡区130。当然，缓冲层400也可以延伸至开孔区120。这样能方便膜层的制备。在后续经打孔步骤即可方便地除去开孔区120的膜层。

参照图4，在形成初始隔挡部的步骤S20，在基板100的过渡区130形成初始隔挡部500’，初始隔挡部500’围绕开孔区120设置。初始隔挡部500’包括银基金属层510和层叠于银基金属层510背离基板100的表面的第一阻挡层520。

初始隔挡部500’可以部分地围绕开孔区120，或形成完全围绕开孔区120的环状。在一些实施例中，初始隔挡部500’为闭合环状。后续可以形成围绕开孔区120的闭合环状结构的隔挡部，能更好地阻隔水氧的入侵。闭合环状可以是任意的形状。本领域技术人员可以根据开孔的形状或实际需求来任意选择。例如，初始隔挡部500’可以呈方环状、圆环状、类圆环状、或者其两种以上的组合。

在一些实施例中，在由开孔区120至显示面板形成区110的方向上，过渡区130可以设置多个初始隔挡部500’。多个可以是两个以上，例如2～500个，10～400个，50～300个，100～350个等。这样，后续可以形成多个隔挡部，以加强阻隔水氧的效果。

银基金属层510的材料可以为银或银合金。

第一阻挡层520采用耐刻蚀材料。在一些实施例中，第一阻挡层520可包括任意一种或几种不与银基金属层510的刻蚀液反应的材料。这样便于对初始隔挡部500’进行侧向刻蚀。

在一些实施例中，第一阻挡层520为透明层。因此便于在线监控初始隔挡部500’的侧向刻蚀量，从而可以避免侧向刻蚀量不合适导致的封装效果变差的问题。可以采用本领域已知的方法或仪器进行在线监控，例如可用于线宽检测的CD设备。作为示例，第一阻挡层520为晶化的氧化铟锡层。

在一些实施例中，初始隔挡部500’还可以包括层叠于银基金属层510朝向基板100的表面侧的第二阻挡层530。第二阻挡层530采用耐刻蚀材料。在一些实施例中，第二阻挡层530可包括任意一种或几种不与银基金属层510的刻蚀液反应的材料。可选地，第二阻挡层530可以与第一阻挡层510采用相同材料制备。

参照图5，在刻蚀步骤S30，对初始隔挡部500’的银基金属层510进行侧向刻蚀，使得银基金属层510相对于第一阻挡层520发生侧向凹陷，构成嵌合凹部540，形成隔挡部500。

在S30可采用本领域已知的方法进行侧向刻蚀，例如湿法刻蚀。湿法刻蚀可采用本领域已知的刻蚀液。刻蚀液的示例包括酸刻蚀液。例如，包含3％～5％的硝酸、6％～10％的醋酸、40％～50％的磷酸、水以及可选的添加剂的酸刻蚀液。前述百分含量是基于酸刻蚀液总质量的质量百分比。

根据本发明的显示面板制造方法，围绕开孔区120设置的初始隔挡部500’包括层叠设置的银基金属层510和第一阻挡层520。第一阻挡层520为耐刻蚀层。在利用刻蚀液对初始隔挡部500’进行侧向刻蚀时，在第一阻挡层510的阻挡作用下，能方便地实现对银基金属层510的侧向刻蚀。对银基金属层510侧向刻蚀，避免了采用Ti-Al-Ti隔挡部的相关技术在侧向刻蚀过程中，发生阳极的银与隔挡部的铝之间的电化学反应而形成银络合物的问题。因此，所得隔挡部500能更有效地减少水氧入侵，提高RA测试的可靠性，并且可以避免银络合物导致的暗点等显示异常，从而能改善显示面板及显示装置的显示效果。

对初始隔挡部500’侧向刻蚀，获得具有嵌合凹部540的隔挡部500。因此，在后续形成有机发光器件层的过程中，隔挡部500能有效打断共用有机材料层，从而能提高阻挡水氧入侵效果。此外，在封装工序中，封装层与隔挡部500在嵌合凹部540处嵌合连接，能增强封装效果，从而能进一步提高阻挡水氧入侵效果。因此，显示面板能缓解水氧入侵导致的显示异常，有利于提高显示效果或使用寿命。

若初始隔挡部500’还包括第二阻挡层530，由于第二阻挡层530为耐刻蚀层，因此在后续对初始隔挡部500’进行侧向刻蚀时，第二阻挡层530能保持自身结构尺寸不变。则，初始隔挡部500’经侧向刻蚀得到的隔挡部500，在层叠方向上的截面形成“工”字型结构。在后续形成共用有机材料层的制程中，在工型结构的隔挡部500的阻挡作用下，可以更有效地将共用有机材料层打断，从而更好地隔断水氧的入侵路径，阻挡水氧侵入。

在一些实施例中，初始隔挡部500’可以与有机发光器件层的电极在同一制程中形成，从而能简化工序。因此，参照图6至图8，形成初始隔挡部的步骤S20可包括：

S21，在平坦化层300上形成第一电极层610，第一电极层610覆盖显示器件形成区110和过渡区130，第一电极层610包括银基金属层611和层叠位于银基金属层611背离基板100的表面的氧化铟锡层612。

可选地，银基金属层611的厚度可以为

位于银基金属层611背离基板100的表面的氧化铟锡层612的厚度可以为

在一些实施例中，第一电极层610还可包括层叠于银基金属层611朝向基板100的表面侧的氧化铟锡层612。可选地，位于银基金属层611朝向基板100的表面侧的氧化铟锡层612的厚度可以为

S22，对第一电极层610图案化处理，形成电极部A1和隔离部A2，电极部A1位于显示器件形成区110且穿过平坦化层300的贯通孔与像素电路器件层200电连接，隔离部A2位于过渡区130且环绕开孔区120设置。第一电极层610可以为阳极层，则对第一电极层610图案化处理得到的电极部A1为有机发光器件层的阳极。隔离部A2可以部分地围绕开孔区120，或形成完全围绕开孔区120的环状。在一些实施例中，隔离部A2的形状与初始隔挡部500’相同。

S23，对隔离部A2的氧化铟锡层612进行晶化处理，形成第一阻挡层520，获得初始隔挡部500’。晶化处理例如可以采用高温退火方式。在一些实施例中，晶化处理的温度为200℃～400℃，可选地为200℃～300℃，250℃～300℃，250℃～350℃，300℃～350℃，或300℃～400℃。晶化后的氧化铟锡不易被刻蚀液刻蚀，因此便于后续对银基金属层510进行侧向刻蚀。

在一些实施例中，第一电极层610还包括层叠于银基金属层611朝向基板100的表面侧的氧化铟锡层612。在S23的晶化处理后，还形成第二阻挡层530。

在一些实施例中，在S23，还可以同步地对电极部A1的氧化铟锡层612进行晶化处理。晶化后的氧化铟锡层612能使电极部A1具有较高的电导率，同时还可以对电极部A1的银基金属层510起到保护作用，防止化学腐蚀等损害。

参照图9，在S23之后，实施刻蚀步骤S30，对初始隔挡部500’的银基金属层510进行侧向刻蚀，形成具有嵌合凹部540的隔挡部500。

在一些实施例中，在刻蚀步骤S30之后，还包括像素限定层制备步骤S40。参照图10，在电极部A1的背离基板100的一侧形成像素限定层700；对像素限定层700图案化处理，形成像素开口B。

像素限定层700可采用本领域已知的材料。例如，聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂等中的一种以上。通常可以将有机材料涂布到电极部A1的背离基板100的一侧，形成初始像素限定层；之后将初始像素限定层固化处理，得到像素限定层700。固化处理可以采用加热固化法。固化温度可以为200℃～400℃，可选地为200℃～300℃，250℃～300℃，250℃～350℃，300℃～350℃，或300℃～400℃。

为了进一步简化工序，参照图11，在一些实施例中，在S23之前还可以包括：S24，在电极部A1背离基板100的表面形成初始像素限定层700’，初始像素限定层700’至少位于显示器件形成区110。

在这些实施例中，在S23，可以在200℃～400℃的温度下对初始像素限定层700’和氧化铟锡层612同步热处理，使初始像素限定层700’固化转变为像素限定层700，同时使氧化铟锡晶化得到初始隔挡部500’。可选地，热处理的温度为200℃～300℃，250℃～300℃，250℃～350℃，300℃～350℃，或300℃～400℃。

接下来，可以对像素限定层700进行图案化处理，形成像素开口B。然后实施刻蚀步骤S30，得到隔挡部500。在另一些实施例中，也可以实施刻蚀步骤S30，得到隔挡部500；然后对像素限定层700进行图案化处理，形成像素开口B。

接下来，制造方法还包括有机功能层制备步骤S50、第二电极层制备步骤S60、以及封装层制备步骤S70。

参照图12，在S50，有机功能层620层叠于电极部A1背向基板100的一侧，并且包括层叠设置的有机发光层621和共用有机材料层622。有机发光层621可以位于共用有机材料层622的在层叠方向上的任意一侧，也可以夹于共用有机材料层622之间。

有机发光层621通常位于像素限定层700的像素开口B内。有机发光层621可包含本领域已知的有机发光材料。可选地，有机发光材料可包括主体材料和客体材料。

共用有机材料层622通常是连续成膜，以便被多个发光单元共用。因此，共用有机材料层622可以采用通用掩模板蒸镀成膜。参照图13，在共用有机材料层622成膜制程中，过渡区130的隔挡部500能够有效地打断该区域内的有机材料层，从而打断水氧侵入路径，提高开孔区120的封装效果。

共用有机材料层622可包括电子注入层(EIL)、电子传输层(ETL)、空穴阻挡层(HBL)、电子阻挡层(EBL)、空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)中的一种以上。这些膜层均可采用本领域已知的相关材料。

在S60，第二电极层630层叠于有机功能层620背向基板100的一侧。第二电极层630例如可以为阴极层。第二电极层630可选自Al、Mg、Ca、它们的合金等。

在S70，封装层800层叠于第二电极层630背向基板100的一侧。封装层800可包括有机层、无机层、或其组合。有机层可包括聚烯烃、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、酚醛树脂等中的一种以上。无机层可包括硅氧化物、硅氮化物和硅基氮氧化物中的一种以上。可选地，封装层800为无机层、或无机层与有机层的复合层。这样能提高封装效果。

封装层800还延伸至过渡区130，并且封装层800填充隔挡部500的嵌合凹部540，与隔挡部500形成嵌合连接。这样既能提高封装稳定性，还能进一步提高阻隔水氧的效果。

参照图14，在一些实施例中，还可以在开孔区120形成开孔H。可以采用本领域已知的方法在开孔区120打孔，以形成开孔H。例如，激光法等。

本发明第二方面提供一种显示面板，其可以根据本发明的制造方法得到。参照图14，本发明实施例的显示面板包括基板100、设置于基板100上的显示器件层和隔挡部500、以及封装层800。

基板100的一侧表面包括显示器件形成区110、开孔区120、以及位于显示器件形成区110和开孔区120之间的过渡区130。

隔挡部500设置于基板100的过渡区130、且围绕开孔区120设置。隔挡部500包括银基金属层510和层叠于银基金属层510背离基板100的表面的第一阻挡层520，银基金属层510相对于第一阻挡层520侧向凹陷构成嵌合凹部540。

显示器件层设置于基板的显示器件形成区110。显示器件层包括阵列排布的有机发光单元，其中包括共用有机材料层622。共用有机材料层622还位于过渡区130、且在隔挡部500处断开。

封装层800覆盖显示器件层和隔挡部500，且封装层800与隔挡部500在嵌合凹部540处嵌合连接。

根据本发明的显示面板，围绕开孔区120设置的隔挡部500包括层叠设置的银基金属层510和第一阻挡层520，由此避免了采用Ti/Al/Ti隔挡部的相关技术在显示面板中残留的银络合物。因此，隔挡部500能更有效地减少水氧入侵，提高RA测试的可靠性，并且可以避免银络合物在显示面板中导致的暗点等显示异常，从而能改善显示面板及显示装置的显示效果。

具有嵌合凹部540的隔挡部500有效打断共用有机材料层622，从而能提高阻挡水氧入侵效果。此外，封装层与隔挡部500在嵌合凹部540处嵌合连接，能增强封装效果，从而能进一步提高阻挡水氧入侵效果。因此，显示面板能缓解水氧入侵导致的显示异常，有利于提高显示效果或使用寿命。

在一些实施例中，第一阻挡层520为透明层。例如，晶化的氧化铟锡层。

在一些实施例中，隔挡部500还可包括层叠于银基金属层510朝向基板100的表面的第二阻挡层530。在这些实施例中，隔挡部500在层叠方向上的截面呈工字型。可选地，第二阻挡层530为晶化的氧化铟锡层。

在一些实施例中，隔挡部500可以部分地围绕开孔区120，或形成完全围绕开孔区120的环状。在一些实施例中，隔挡部500为闭合环状。这样能更好地阻隔水氧的入侵。闭合环状可以是任意的形状。本领域技术人员可以根据开孔的形状或实际需求来任意选择。例如，隔挡部500可以呈方环状、圆环状、类圆环状、或者其两种以上的组合。

在一些实施例中，在由开孔区120至显示面板形成区110的方向上，过渡区130可以设置多个隔挡部500。多个可以是两个以上，例如2～500个，10～400个，50～300个，100～350个等。多个隔挡部500可以加强阻隔水氧的效果。

在本申请中，显示面板制造方法中的可选技术特征也适用于显示面板中，并使显示面板获得相应的有益效果，在此不再赘述。

本发明第三方面提供一种显示装置，其包括根据本发明的显示面板。本发明的显示装置由于采用根据本发明的显示面板，因而能具有较好的显示效果。

显示装置的实施例可以是诸如手机、平板电脑、智能学习机等。

在本申请中，显示面板制造方法中的可选技术特征也适用于显示装置中，并使显示装置获得相应的有益效果，在此不再赘述。

依照本发明如上文所述的实施例，这些实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为所述的具体实施例。显然，根据以上描述，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地利用本发明以及在本发明基础上的修改使用。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (10)

1.一种显示面板制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供显示面板半成品，所述显示面板半成品包括基板，所述基板的一侧表面包括显示器件形成区、开孔区、以及位于所述显示器件形成区和所述开孔区之间的过渡区；

在所述基板的所述过渡区形成初始隔挡部，所述初始隔挡部围绕所述开孔区设置，所述初始隔挡部包括银基金属层和层叠于所述银基金属层背离所述基板的表面的第一阻挡层；

对所述初始隔挡部的所述银基金属层进行侧向刻蚀，使所述银基金属层相对于所述第一阻挡层发生侧向凹陷，构成嵌合凹部，形成隔挡部。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述在所述基板的所述过渡区形成初始隔挡部的步骤中，所述第一阻挡层为透明层。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述提供显示面板半成品的步骤中，所述显示面板半成品还包括像素电路器件层和平坦化层，所述像素电路器件层位于所述基板的所述显示器件形成区，所述平坦化层位于所述像素电路器件层背离所述基板的一侧，所述平坦化层覆盖所述像素电路器件层；

所述在所述基板的所述过渡区形成初始隔挡部，包括：

在所述平坦化层上形成第一电极层，所述第一电极层覆盖所述显示器件形成区和所述过渡区，所述第一电极层包括银基金属层和层叠于所述银基金属层背离所述基板的表面的氧化铟锡层；

对所述第一电极层图案化处理，形成电极部和隔离部，所述电极部位于所述显示器件形成区且穿过所述平坦化层与所述像素电路器件层电连接，所述隔离部位于所述过渡区且围绕所述开孔区设置；

对所述隔离部的所述氧化铟锡层进行晶化处理，形成所述第一阻挡层，获得所述初始隔挡部。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在对所述隔离部的所述氧化铟锡层进行晶化处理之前，还包括：在所述平坦化层背离所述基板的表面形成初始像素限定层，所述初始像素限定层至少位于所述显示器件形成区；

所述对所述隔离部的所述氧化铟锡层进行晶化处理，包括：在200℃～400℃的温度下对所述初始像素限定层和所述氧化铟锡层同步热处理，使所述初始像素限定层转变为像素限定层，同时使氧化铟锡晶化。

5.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板，所述基板的一侧表面包括显示器件形成区、开孔区、以及位于所述显示器件形成区和所述开孔区之间的过渡区；

隔挡部，设置于所述基板的所述过渡区且围绕所述开孔区设置，所述隔挡部包括银基金属层和层叠于所述银基金属层背离所述基板的表面的第一阻挡层，所述银基金属层相对于所述第一阻挡层侧向凹陷构成嵌合凹部；

显示器件层，设置于所述基板的所述显示器件形成区，所述显示器件层包括共用有机材料层，所述共用有机材料层还位于所述过渡区且在所述隔挡部处断开；

封装层，所述封装层覆盖所述显示器件层和所述隔挡部，且所述封装层与所述隔挡部在所述嵌合凹部处嵌合连接。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一阻挡层为透明层；进一步的，所述第一阻挡层为氧化铟锡层。

7.根据权利要求5或6所述的显示面板，其特征在于，所述隔挡部还包括层叠于所述银基金属层朝向所述基板的表面侧的第二阻挡层，所述隔挡部在所述层叠的方向上的截面呈工字型；

进一步地，所述第二阻挡层为氧化铟锡层。

8.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述隔挡部呈闭合环状。

9.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述过渡区在由所述开孔区至所述显示器件形成区的方向上包括多个彼此间隔设置的所述隔挡部。

10.一种显示装置，包括如权利要求5-9任一项所述的显示面板。

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