CN112593199A - 半导体工艺设备及承载装置 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其承载装置。该承载装置设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于在承载并冷却晶圆，其包括：基座及套设于基座的外周的绝缘环；基座的上表面设置有气流道结构,气流道结构沿基座的径向和环向延伸设置，并且与延伸至基座的周缘，气流道结构用于通入冷却气体，以对承载于基座上表面的晶圆进行冷却；绝缘环用于限定晶圆的位置，并且绝缘环和/或基座上设置有导流结构，导流结构与气流道结构连通，用于导流冷却气体，以调整基座上表面的排气速率。本申请实施例实现了对晶圆的实时冷却，以使得晶圆可连续执行工艺，从而大幅提升了半导体工艺设备的产能。

Description

半导体工艺设备及承载装置
技术领域
本申请涉及半导体加工技术领域，具体而言，本申请涉及一种半导体工艺设备及承载装置。
背景技术
目前，等离子体设备广泛用于当今的半导体芯片制造、封装、发光二极管(LightEmitting Diode，LED)及平板显示等制作工艺中。在目前制造工艺中，已经使用等离子体设备类型包括：直流放电类型、电容耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasma，CCP)类型、电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma，ICP)类型以及电子回旋共振等离子体((Electron Cyclotron Resonance，ECR)等类型。目前这些类型的放电被广泛应用于物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)，等离子体刻蚀以及等离子体化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)等半导体工艺设备。
在PVD工艺设备中，特别是对于集成电路(IC)、硅穿孔(TSV)、封装(Packaging)制造工艺，需要一种预清洗(Preclean)腔室，该预清洗腔室的作用是将待处理晶圆或工件表面的杂质去除，以利于后续的物理气相沉积(PVD)的有效进行，明显提升所沉积膜的附着力，否则晶圆表面以及沟槽底部的这些残留物会明显提高电路的电阻，从而提高电路的热损耗，降低芯片性能。预清洗工艺完成后的下一步工艺就是通过磁控溅射来沉积铝、铜等金属薄膜，以构成金属接触及金属互连线等。
一般的预清洗腔室设置有用于承载晶圆的基座，现有技术中由于基座与晶圆之间无传热介质，导致做完工艺后晶圆的温度很高，然而为了降低工艺温度，通常采用分步刻蚀进行分步冷却，或者做完预处理工艺后传入PVD工艺设备的工艺腔室进行冷却后再进行沉积工艺，这样势必延长工艺时间，从而造成机台的产能过低。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种半导体工艺设备及其承载装置，用以解决现有技术存在晶圆冷却时间较长导致产能过低的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种承载装置，设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于在承载并冷却晶圆，包括：基座及套设于所述基座的外周的绝缘环；所述基座的上表面设置有气流道结构,所述气流道结构沿所述基座的径向和环向延伸设置，并且与延伸至所述基座的周缘，所述气流道结构用于通入冷却气体，以对承载于所述基座上表面的所述晶圆进行冷却；所述绝缘环用于限定所述晶圆的位置，并且所述绝缘环和/或所述基座上设置有导流结构，所述导流结构与所述气流道结构连通，用于导流所述冷却气体，以调整所述基座上表面的排气速率。
于本申请的一实施例中，所述导流结构包括导流通道，所述绝缘环的内侧壁上设有凸环，所述凸环设置于所述基座上，在所述绝缘环的内侧壁与所述基座的外侧壁之间具有间隙，所述间隙构成所述导流通道。
于本申请的一实施例中，所述基座的上表面周缘具有一凹槽，所述凸环盖合于所述凹槽上，并且所述凸环的上表面与所述基座上表面平齐。
于本申请的一实施例中，所述导流结构包括开设于所述基座上表面周缘的多个导气槽，多个所述导气槽沿所述基座周向均匀且间隔分布，多个所述导气槽均与所述气流道结构连通及所述导流通道连通。
于本申请的一实施例中，所述导流结构还包括开设于所述凸环底面的多个导流腔，多个所述导流腔分别与多个所述导气槽对应设置。
于本申请的一实施例中，所述绝缘环具有多个导流孔，每个所述导流孔均沿径向贯穿所述绝缘环的侧壁，多个所述导流孔均与所述气流道结构连通。
于本申请的一实施例中，所述基座内设置有第一进气道，所述第一进气道的开口位于所述基座上表面的中心位置，所述第一进气道用于与一冷却气源连接，以将冷却气体导入至所述气流道结构。
于本申请的一实施例中，所述基座内还设置有多个第二进气道，多个所述第二进气道位于所述基座上表面的开口环绕所述第一进气道的开口均匀分布。
于本申请的一实施例中，所述气流道结构包括环向凹槽及径向凹槽，所述环向凹槽及所述径向凹槽用于与承载的所述晶圆下表面形成所述气流道结构。
于本申请的一实施例中，多个所述环向凹槽同心嵌套且均匀分布于所述基座的上表面，多个径向凹槽沿所述基座的圆周方向均匀分布，并且多个所述径向凹槽的端部延伸至所述基座的周缘。
于本申请的一实施例中，多个所述环向凹槽同心嵌套且均匀分布于所述基座的上表面上，多个径向凹槽在基座的上表面上呈辐射状，并且在所述基座的径向上相邻的两个径向凹槽相互错开设置，靠近所述基座周缘的所述径向凹槽延伸至所述基座的周缘。
于本申请的一实施例中，所述基座内设置有多个安装孔，多个所述安装孔的开口均位于所述基座的上表面，所述安装孔用于使所述承载装置的升降杆穿过；所述气流道结构避让所述安装孔的开口设置，并且所述安装孔与所述基座上表面周缘之间具有所述气流道结构。
第二个方面，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室及如第一个方面提供的承载装置。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：
本申请实施例通过在基座的上表面设置有气流道结构，可以保证对晶圆的实时冷却，在降低晶圆温度的同时避免现有技术中采用压环的方式，所带来的刻蚀坏区和边缘刻蚀速率降低的问题。由于本申请实施例实现了对晶圆的实时冷却，以使得晶圆可连续执行工艺，从而大幅提升了半导体工艺设备的产能。由于导流结构能提高基座上表面的排气速率，所以可大幅提高基座的冷却速率，提高了产能；而且还可提高晶圆的边缘区域冷却速率，从而保证晶圆中心区域与边缘区域冷却效果的一致性，进而提高了晶圆的工艺良率。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种承载装置的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种承载板的局部放大示意图；
图3为本申请实施例提供的另一种承载装置的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种承载板与绝缘环配合的局部放大示意图；
图5为本申请实施例提供的一种承载板的俯视示意图；
图6为本申请实施例提供的另一种承载板的俯视示意图；
图7为本申请实施例提供的一种承载装置与现有技术的承载装置冷却效果对比示意图。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种承载装置，设置于半导体工艺设备的工艺腔室(图中未示出)内，用于承载并冷却晶圆100，该承载装置的结构示意图如图1及图2所示，包括：基座1及套设于基座1外周的绝缘环2；基座1的上表面设置有气流道结构3,气流道结构3沿基座1的径向和环向延伸设置，并且延伸至基座1的周缘，气流道结构3用于通入冷却气体，以对承载于基座1上表面的晶圆100进行冷却；绝缘环2用于限定晶圆100的位置，并且绝缘环2和/或基座1上设置有导流结构4，导流结构4与气流道结构3连通，用于导流冷却气体，以调整基座1上表面的排气速率。
如图1及图2所示，承载装置可以设置于半导工艺设备的工艺腔室内，半导体工艺设备例如可以是物理气相沉积的工艺设备，该工艺腔室具体可以用于执行预清洗工艺的腔室。基座1具体可以包括有承载座10及承载板11，承载座10设置工艺腔室内，承载板11层叠设置于承载座10的顶部。承载板11的上表面具体用于承载晶圆100，并且承载板11的上表面可以设置有气流道结构3，气流道结构3可以沿承载板11的上表面沿承载板11的径向及环向延伸设置，并且与承载板11周缘连通设置，即气流道结构3与承载板11的周缘连通设置。气流道结构3内通入冷却气体，以用于对晶圆100进行热交换，经过热交换的冷却气体由承载板11边缘排出。绝缘环2具体可以类似套筒的结构，绝缘环2套设于承载板11及承载座10的外周，用于防止晶圆100相对于承载板11移动。绝缘环2和/或基座1上设置有导流结构4，导流结构4可以与气流道结构3连通，以将冷却气体导流至承载装置的外侧，以调整基座1的上表面的排气速率，从而完成对晶圆100的冷却。
本申请实施例通过在基座的上表面设置有气流道结构，可以保证对晶圆的实时冷却，在降低晶圆温度的同时避免现有技术中采用压环的方式，所带来的刻蚀坏区和边缘刻蚀速率降低的问题。由于本申请实施例实现了对晶圆的实时冷却，以使得晶圆可连续执行工艺，从而大幅提升了半导体工艺设备的产能。由于导流结构能提高基座上表面的排气速率，所以可大幅提高基座的冷却速率，提高了产能；而且还提高晶圆的边缘区域冷却速率，从而保证晶圆中心区域与边缘区域冷却效果的一致性，进而提高了晶圆的工艺良率。
需要说明的是，本申请实施例并不限定基座1必须采用分体式结构，例如基座1也可以采用一体式结构，即承载座10与承载板11为一体式结构。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1所示，导流结构4包括导流通道41，绝缘环2的内侧壁上设有凸环21，凸环21设置于基座1上，在绝缘环2的内侧壁与基座1的外侧壁之间具有一间隙，该间隙构成导流通道41。
如图1所示，绝缘环2的内侧壁上一体形成有凸环21，凸环21例如可以设置于承载板11的上表面，并且绝缘环2的内侧壁与承载板11及承载座10的外侧壁之间具有间隙，该间隙可以构成导流结构4的导流通道41，导流通道41与气流道结构3连通，以便于将冷却气体导出。采用上述设计，使得本申请实施例结构简单，并且便于冷却气体导出，使得晶圆100的边缘区域与中心区域的冷却速率相同或者减少差距，从而提高晶圆100整体的冷却均匀性。但是本申请实施例并不限定导流通道41的具体内径，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，基座1的上表面周缘具有一凹槽12，凸环21盖合于凹槽12上，并且凸环21的上表面与基座1上表面平齐。具体来说，基座1的承载板11上表面的周缘可以设置有直角形凹槽12，换言之，承载板11上一体形成有凸台，凸环21可以盖合于该凸台的上表面。绝缘环2的凸环21可以盖合于该凹槽12内，凸环21端部与凹槽12的侧壁间隔设置，并且凸环21的顶面与承载板11的上表面平齐设置，以用于承载板11的上表面共同承载晶圆100，并且绝缘环2的顶部侧壁用于限定晶圆100的位置。采用上述设计，由于绝缘环2直接放置于基座1上，使得本申请实施结构简单，从而便于拆装维护。
于本申请的一实施例中，如图1及图2所示，导流结构4包括开设于基座1上表面周缘的多个导气槽42，多个导气槽42沿基座1周向均匀且间隔分布，多个导气槽42均与气流道结构连通及导流通道41连通。
如图1及图2所示，承载板11的上表面开设有多个导气槽42，多个导气槽42沿承载板11周向均匀分布，并且多个导气槽42均与气流道结构3的径向凹槽32连通。具体来说，在承载板11的侧视图中，导气槽42是由承载板11上表面向下凹设的弧形结构，并且该弧形结构的直径为气流道结构3的径向凹槽32内径的三倍以下，以及该弧形结构的深度尺寸为承载板11厚度尺寸的五分之四，但是本申请实施例并不限定导气槽42的具体规格，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。采用上述设计，设置导气槽42可以有效扩大气流道结构3靠近承载板11周缘的排气面积，有利于降低冷却气体在周缘的流阻，提升冷却气体流量，从而进一步提高晶圆100的边缘区域的降温效果。但是本申请实施例并不限定导气槽42的具体形状，例如导气槽42也可以采用矩形结构。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1所示，导流结构4还包括开设于凸环21底面的多个导流腔43，多个导流腔43分别与多个导气槽42对应设置。具体来说，凸环21底面上开设多个与导气槽42对应设置的导流腔43，该导流腔43具体可以采用弧形结构，或者导流腔43也可以是设置于凸环21上的球面凹槽，但是本申请实施例并不以上为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。采用上述设计，导流腔43与导气槽42配合可以进一步提高气流道结构3靠近承载板11周缘的排气面积，进一步提升冷却气体流量，从而进一步提高晶圆100的边缘区域的降温效果。
于本申请的一实施例中，如图3及图4所示，绝缘环2的周向上设置有多个导流孔44，导流孔44沿径向贯穿绝缘环2的侧壁，多个导流孔44均与气流道结构3连通。具体来说，导流孔44沿绝缘环2的径向贯穿于绝缘环2上，由于凸环21的顶面与承载板11的上表面平齐，因此导流孔44还可以贯穿凸环21上，以便于导流孔44与气流道结构3的径向凹槽32对齐，从而使得本申请实施例的排气更加顺畅，并且由于结构简单，还可以有效降低加工制造成本。需要说明的是，本申请实施例并不限定导流孔44的内径，导流孔44的内径可以等于或者大于气流道结构3的径向凹槽32的内径。因此本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1及图3所示，基座1内设置有第一进气道13，第一进气道13的开口位于基座1上表面的中心位置，第一进气道13用于与一冷却气源连接，以将冷却气体导入至气流道结构3。可选地，基座1内还设置有多个第二进气道14，多个第二进气道14位于基座1上表面的开口环绕第一进气道13的开口均匀分布。具体来说，第一进气道13的开口可以位于承载板11上表面中心位置，多个第二进气道14的开口同样位于承载板11上表面，并且多个第二进气道14的开口可以围绕第一进气道13的开口设置，该第二进气道14的开口可以位于承载板11半径的二分之一处，从而使得气流道结构3流向各区域的冷却气体均匀分布，从而进一步提高晶圆100冷却的均匀性。进一步的，第一进气道13及第二进气道14的开口均位于气流道结构3内，以便于将冷却气体导入气流道结构3内。第一进气道13及第二进气道14的内径可以为2至6毫米，第一进气道13及第二进气道14的数量具体为4至12个，但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。在一些其它实施例中，基座1内可以仅设置有一个第一进气道13，以适用于较小规格的晶圆100，采用上述设计使得本申请实施例结构简单，从而降低加工及制造成本。可选地，基座1内可以设置有冷却流道，并且该冷却流道与冷却源5连接以使得冷却介质在基座1内循环，从而实现通过基座1的低温对晶圆100进行冷却。
于本申请的一实施例中，如图1至图6所示，气流道结构3包括环向凹槽31及径向凹槽32，环向凹槽31及径向凹槽32用于与承载的晶圆100下表面形成气流道结构3。具体来说，基座1的承载板11上表面设置有环向凹槽31及径向凹槽32，环向凹槽31具体为圆环形，而径向凹槽32具体为直线形，环向凹槽31及径向凹槽32交叉且连通设置，以便于冷却气体在承载板11上流动。在实际应用时，环向凹槽31与径向凹槽32与晶圆100下表面之间形成气流道结构3，使得冷却气体直接与晶圆100接触，从而大幅提高冷却效率。另外，气流道结构3包括有环向凹槽31及径向凹槽32，可以提高冷却气体与晶圆100的接触面积，从而进一步提高晶圆100的冷却效率。进一步的，环向凹槽31及径向凹槽32的截面形状可是矩形、三角形及倒梯形等结构，以及环向凹槽31及径向凹槽32的宽度具体可以为2至4毫米，而深度具体可以为1至2毫米，但是本申请实施例并不以此为限，本领域技术人员可以根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1及图5所示，多个环向凹槽31同心嵌套且均匀分布于基座1的上表面，多个径向凹槽32沿基座1的圆周方向均匀分布，并且多个径向凹槽32的端部延伸至基座1的周缘。具体来说，多个环向凹槽31均与基座1的承载板11同心设置，并且多个环向凹槽31依次嵌套设置。多个径向凹槽32沿基座1的承载板11圆周方向均匀排布，并且可以与多个环向凹槽31连通。采用上述设计，使得本申请实施例结构设计合理，从而大幅降低加工制造成本。
于本申请的一实施例中，如图1及图6所示，多个环向凹槽31同心嵌套且均匀分布于承载板11的上表面，多个径向凹槽32在基座1的上表面上呈辐射状,在基座1的径向上相邻的两个径向凹槽32相互错开设置，并且靠近承载板11周缘的径向凹槽32延伸至基座1的周缘。具体来说，多个环向凹槽31均与基座1的承载板11同心设置，并且多个环向凹槽31依次嵌套设置。最内侧环向凹槽31内排布有多个均匀设置的径向凹槽32，以及最外侧的环向凹槽31与承载板11的边缘之间排布有多个均匀设置的径向凹槽32，并且任意两相邻的环向凹槽31之间均排布有多个均匀设置的径向凹槽32，沿承载板11径向上的多个径向凹槽32相互错开设置，以使得环向凹槽31及径向凹槽32构成二叉树结构，可以显著扩大冷却气体的流动范围，从而提升承载板11边缘的气体压力，进而使得晶圆100的中心区域及边缘区域冷却效率相同或者减小差距，以提高晶圆100的整体冷却效果。
需要说明的是，本申请实施例并不限定径向凹槽32及环向凹槽31的具体排布方式，本领域技术人员可根据实际情况自行调整设置。
于本申请的一实施例中，如图1、图5至图6所示，基座1内设置有多个安装孔15，多个安装孔15的开口均位于基座1的上表面，安装孔15用于使承载装置的升降杆穿过；气流道结构3避让安装孔15的开口设置，并且安装孔15与基座1上表面周缘之间具有气流道结构3。具体来说，基座1内可以设置有三个用于安装升降杆(图中未示出)的安装孔15，升降杆用于带动晶圆100的相对于基座1上表面升降。安装孔15的开口具体位于承载板11的上表面，气流道结构3可以避让安装孔15的开口设置，安装孔15的开口与承载板11的边缘之间具有径向凹槽32，具体可以参照如图5及图6所示，即气流道结构3由承载板11的中心向外侧延伸的过程中，先绕过安装孔15的开口后再与安装孔15连通。采用上述设计，可以防止冷却气体由安装孔15直接流走而无法达到承载板11的边缘，从而进一步扩大冷却气体的流动范围，进而提高晶圆100边缘的冷却效果。
为了进一步说明本申请实施例的技术效果，以下将结合图7对本申请实施例的一具体实施方式说明如下。图7为两个现有技术的承载装置与本申请实施例的承载装置冷却效果对比示意图，由对比结果可知，本申请实施例对晶圆温度冷却效果明显，降温幅度在18％左右，并且本申请实施例的晶圆的中心区域与边缘区域的冷却效果基本一致，两个区域之间的温度差仅为6摄氏度。由此可知，本申请实施例相对现有技术来说，不仅大幅提高了晶圆100的冷却效果，并且使得晶圆100的冷却均匀性较佳。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种半导体工艺设备，包括工艺腔室及如上述各实施例提供的承载装置。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例通过在基座的上表面设置有气流道结构，可以保证对晶圆的实时冷却，在降低晶圆温度的同时避免现有技术中采用压环的方式，所带来的刻蚀坏区和边缘刻蚀速率降低的问题。由于本申请实施例实现了对晶圆的实时冷却，以使得晶圆可连续执行工艺，从而大幅提升了半导体工艺设备的产能。由于导流结构能提高基座上表面的排气速率，所以可提高基座的冷却速率，提高了产能；而且还提高晶圆的边缘区域冷却速率，从而保证晶圆中心区域与边缘区域冷却效果的一致性，进而提高了晶圆的工艺良率。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (13)

1.一种承载装置，设置于半导体工艺设备的工艺腔室内，用于承载并冷却晶圆，其特征在于，包括：基座及套设于所述基座的外周的绝缘环；
所述基座的上表面设置有气流道结构,所述气流道结构沿所述基座的径向和环向延伸设置，并且与延伸至所述基座的周缘，所述气流道结构用于通入冷却气体，以对承载于所述基座上表面的所述晶圆进行冷却；
所述绝缘环用于限定所述晶圆的位置，并且所述绝缘环和/或所述基座上设置有导流结构，所述导流结构与所述气流道结构连通，用于导流所述冷却气体，以调整所述基座上表面的排气速率。
2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述导流结构包括导流通道，所述绝缘环的内侧壁上设有凸环，所述凸环设置于所述基座上，在所述绝缘环的内侧壁与所述基座的外侧壁之间具有间隙，所述间隙构成所述导流通道。
3.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述基座的上表面周缘具有一凹槽，所述凸环盖合于所述凹槽上，并且所述凸环的上表面与所述基座上表面平齐。
4.如权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述导流结构包括开设于所述基座上表面周缘的多个导气槽，多个所述导气槽沿所述基座周向均匀且间隔分布，多个所述导气槽均与所述气流道结构连通及所述导流通道连通。
5.如权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述导流结构还包括开设于所述凸环底面的多个导流腔，多个所述导流腔分别与多个所述导气槽对应设置。
6.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述绝缘环具有多个导流孔，每个所述导流孔均沿径向贯穿所述绝缘环的侧壁，多个所述导流孔均与所述气流道结构连通。
7.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述基座内设置有第一进气道，所述第一进气道的开口位于所述基座上表面的中心位置，所述第一进气道用于与一冷却气源连接，以将冷却气体导入至所述气流道结构。
8.如权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述基座内还设置有多个第二进气道，多个所述第二进气道位于所述基座上表面的开口环绕所述第一进气道的开口均匀分布。
9.如权利要求1至8的任一所述的承载装置，其特征在于，所述气流道结构包括环向凹槽及径向凹槽，所述环向凹槽及所述径向凹槽用于与承载的所述晶圆下表面形成所述气流道结构。
10.如权利要求9所述的承载装置，其特征在于，多个所述环向凹槽同心嵌套且均匀分布于所述基座的上表面，多个径向凹槽沿所述基座的圆周方向均匀分布，并且多个所述径向凹槽的端部延伸至所述基座的周缘。
11.如权利要求9所述的承载装置，其特征在于，多个所述环向凹槽同心嵌套且均匀分布于所述基座的上表面上，多个径向凹槽在基座的上表面上呈辐射状，并且在所述基座的径向上相邻的两个径向凹槽相互错开设置，靠近所述基座周缘的所述径向凹槽延伸至所述基座的周缘。
12.如权利要求9所述的承载装置，其特征在于，所述基座内设置有多个安装孔，多个所述安装孔的开口均位于所述基座的上表面，所述安装孔用于使所述承载装置的升降杆穿过；所述气流道结构避让所述安装孔的开口设置，并且所述安装孔与所述基座上表面周缘之间具有所述气流道结构。
13.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室及如权利要求1至12的任一所述的承载装置。
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