CN112578012A - 碳基场效应晶体管传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及场效应管领域，公开一种碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的第一介质层；位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。本发明通过铁电层与碳纳米管的界面处累积的电荷所产生的电场对碳纳米管的沟道形成影响，提高传感器的响应灵敏度。

Description

碳基场效应晶体管传感器
技术领域
本发明涉及晶体管技术领域，尤其是场效应管(FET，Field Effect Transistor)，具体而言涉及一种基于铁电极化效应的碳基场效应晶体管传感器(CNT-FET)。
背景技术
碳纳米管场效应晶体管(CNT-FET)，是一种基于碳基场效应、并以碳纳米管构成沟道材料的新型晶体管，利用碳纳米管的小尺寸、高载流子迁移率、栅-沟道耦合效率高的特性，其对外界的电扰动非常敏感，基于这一特性，在栅极修饰敏感材料作为探针形成不同功能的半导体传感器，即碳基场效应晶体管传感器，如图1所示，具有极佳的栅调控能力，通过探针可以将待测对象的理化信息转换成电扰动信号，而CNT-FET的沟道材料——碳纳米管对外界电扰动十分敏感，表现为沟道载流子浓度变化(可近似为P掺杂或者N掺杂)，最终反映为传感器的工作电流的变化，从而得到待测物的理化指标，如图2所示为现有碳基FET生物传感器响应信号示意图，随着待测物浓度的提升，器件在饱和区的工作电流逐渐增大，通过电信号可得到生物分子的浓度信息。
结合图2所示，我们看到碳基FET生物传感器在饱和区工作，响应灵敏度远低于亚阈值区，而基于传统的FET器件结构，引起碳基FET生物传感器亚阈值区的电流变化的因素十分复杂，几乎无法通过电流变化获得响应信号。
现有技术文献：
专利文献1：CN109326714A碳纳米管场效应管的制备方法、制备装置及电子器件
专利文献2：CN108023016A薄膜晶体管的制备方法
专利文献3：CN111370578A放生晶体管结构及其特征时间的控制方法
发明内容
本发明目的在于提供一种基于铁电极化效应的碳基场效应晶体管传感器，通过铁电层与碳纳米管的界面处累积的电荷所产生的电场对碳纳米管的沟道形成影响，提高传感器的响应灵敏度。
为实现上述目的，本发明的第一方面提出一种碳基场效应晶体管传感器，包括：
位于底层的栅极；
位于栅极的一侧的第一介质层；
位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；
位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；
位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及
位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；
其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。
优选地，所述第一介质层和第二介质层作为栅极介质层，均采用高k介质层。其中，所述第一介质层和第二介质层均为薄膜介质层。
优选地，所述铁电材料层的厚度为6nm-12nm。尤其优选地，所述铁电材料层的厚度为8nm-10nm。其中，所述铁电材料层被设置成工作在晶体极化饱和区间。
优选地，所述源极与漏极对称地分布在铁电材料层两侧，并且分别位于第二介质层一侧表面的相对的位置。
优选地，所述碳纳米管层包括网格状碳纳米管薄膜。
根据本发明的第二方面还提出一种基于碳基场效应晶体管传感器的探测方法，其中在探测过程中，对铁电材料层施加外部电场使得铁电材料层工作在极化饱和区间，通过铁电材料层与碳纳米管的界面位置累积电荷产生的电场作用，使碳基场效应晶体管传感器的工作区被调整至从亚阈值区开始。
应当理解，前述构思以及在下面更加详细地描述的额外构思的所有组合只要在这样的构思不相互矛盾的情况下都可以被视为本公开的发明主题的一部分。另外，所要求保护的主题的所有组合都被视为本公开的发明主题的一部分。
结合附图从下面的描述中可以更加全面地理解本发明教导的前述和其他方面、实施例和特征。本发明的其他附加方面例如示例性实施方式的特征和/或有益效果将在下面的描述中显见，或通过根据本发明教导的具体实施方式的实践中得知。
附图说明
附图不意在按比例绘制。在附图中，在各个图中示出的每个相同或近似相同的组成部分可以用相同的标号表示。为了清晰起见，在每个图中，并非每个组成部分均被标记。现在，将通过例子并参考附图来描述本发明的各个方面的实施例，其中：
图1是现有技术中碳纳米管场效应管的示意图。
图2是碳纳米管场效应管传感器的响应信号示意图。
图3是本发明示例性实施例的碳基场效应晶体管传感器的示意图。
图4(a)-(b)是本发明示例性实施例的碳基场效应晶体管传感器中铁电材料层的PE-Loop曲线示意图，(a)表示PE-Loop(即电滞曲线)，(b)表示PE-Loop与IV(电流电压)的示意。
图5是本发明示例性实施例的碳基场效应晶体管传感器中铁电材料层的界面电荷累积示意图。
图6是本发明示例性实施例的碳基场效应晶体管传感器的转移特性示意图。
具体实施方式
为了更了解本发明的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。
在本公开中参照附图来描述本发明的各方面，附图中示出了许多说明的实施例。本公开的实施例不必定意在包括本发明的所有方面。应当理解，上面介绍的多种构思和实施例，以及下面更加详细地描述的那些构思和实施方式可以以很多方式中任意一种来实施，这是因为本发明所公开的构思和实施例并不限于任何实施方式。另外，本发明公开的一些方面可以单独使用，或者与本发明公开的其他方面的任何适当组合来使用。
根据本发明公开的实施例的碳基场效应晶体管传感器，针对现有技术中碳纳米管场效应管生物传感器在器件在饱和区工作，响应灵敏度远低于亚阈值区，而在亚阈值区的电流变化的影响因素复杂，难以通过电流的变化来获得响应信号，因此有鉴于此，申请人经过潜心研究，提出一种基于铁电效应的碳基场效应晶体管传感器，在碳纳米管层(CNT)上增加铁电材料层，利用其铁电极化效应，通过施加外加电场使传感器的工作区间由截止区直接调整转移到从亚阈值区开始，提高传感器的响应灵敏度。
基于此，本发明示例性的实施例提出一种碳基场效应晶体管传感器，包括：
位于底层的栅极；
位于栅极的一侧的第一介质层；
位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；
位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；
位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及
位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；
其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。
如此，通过敏感材料接触到被探测对象，将待测对象的属性信息转换成电扰动信号，作为沟道的半导体材料碳纳米管对这样电扰动的敏感响应，使得沟道载流子浓度变化，体现出传感器的工作电流的变化，从而得到待测物的属性，实现检测过程。
结合图4(a)、(4b)，铁电材料中存在多个区域单元(domain)，每个区域单元具备一定的自发极化方向，这种自发极化方向在受到外加电场的影响，表现为极化强度沿着平行于电场的方向增强，沿着反向平行电场的方向减弱。极化强度P与外部施加电场E之间形成PE-loop曲线，极化强度P之后于电场强度。典型的电滞曲线(PE-Loop曲线)中随着外加电场的增加，极化强度P随着E的增加沿着OAB曲线上升，升到B点后P随着E的变化呈现出线性特性(BC段)，E下降后，P不沿着原曲线下降，而是沿着CBD下降。当E为零时，极化强度不等于零，而等于Pr，即剩余极化强度。
结合图4(a)、(b)所示，当外加电场增强到一定的阈值后，整个晶体只有一个区域单元，晶体的极化强度达到饱和，即PE-loop的BC段。此时，在铁电材料的界面处会聚集大量的界面电荷，如图5所示。
在探测时，通过外加电场(例如通过栅极施加电场)使铁电材料层其调控至极化饱和状态，此时铁电材料-碳纳米管的界面处积累大量电荷，结合图5所示，积累的电荷所产生的额外电场将对碳纳米管沟道产生影响。结合图6所示，FET器件的转移特性曲线主要分为截止区、亚阈值区和饱和区(电压由低到高)，而对于现有技术中传统的FET型传感器，在不外加栅压的条件下，传感器工作于截止区，此时传感器的工作电流较小，并且栅控能力十分微弱，导致传感器的响应灵敏度较低。
在本发明实施例的传感器设计中，累积电荷产生的额外电场能够将传感器的工作区间由截止区直接调整至亚阈值区，直接实现CNT-FET传感器在亚阈值区工作，结合图6的转移特性曲线可以发现，亚阈值区的栅控能力明显高于截止区，传感器对栅极探针的电压变化最为敏感，此时的传感器响应灵敏度将远高于其在饱和区工作时的灵敏度，从而实现大幅提升传感器响应灵敏度的功能。
作为一个优选的实施例，结合图3所示示例的碳基场效应晶体管传感器，包括：
位于底层的栅极10；
位于栅极10的一侧的第一介质层11；
位于第一介质层11背离栅极10一侧表面的碳纳米管层20；
位于碳纳米管层20背离第一介质层11一侧表面的第二介质层12；
位于第二介质层12背离碳纳米管层20一侧表面的铁电材料层30、源极41与漏极42，铁电材料层30设置在源极41与漏极42之间、并与源极41与漏极42分别电连接；以及
位于铁电材料层30背离第二介质层12一侧表面的敏感层50；
其中，敏感层50作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。
优选地，第一介质层11和第二介质层12作为栅极介质层，均采用高k介质层(即高介电常数材料形成的介质层)，以维持驱动电流、减小漏电流密度。可选地，高k介质层选用金属氧化物(例如La2O3、HfO2、Al2O3、Y2O3等)或者氮化物。优选地，第一介质层11和第二介质层12均为薄膜介质层，其厚度小于10nm。
第一介质层11用来隔绝栅极10与沟道(即碳纳米管层)，第二介质层12用来隔开碳纳米管层20与铁电材料层30，并且利于在碳纳米管层20上通过介质层作用后再制备铁电材料层30，而避免在碳纳米管层20上直接制备FE层。
选地，铁电材料层的厚度为6nm-12nm。尤其优选地，铁电材料层的厚度为8nm-10nm。其中，铁电材料层被设置成工作在晶体极化饱和区间。
其中，铁电材料层采用Y：HfO2(即Y掺杂的HfO2)、Si：HfO2或者Zr：HfO2材料。在可选的实施例中，采用Y：HfO2材料层，通过磁控溅射方式制备。
如图3，源极41与漏极42对称地分布在铁电材料层30两侧，并且分别位于第二介质层一侧表面的相对的位置，形成对称结构。
应当理解，在本发明中，对应描述的源极41、漏极42以及栅极10，均指可以导电的电极。源极41和漏极42对应地可以采用高功率函数的金属或者低功率因数的金属制作，从而制备P型或者N型场效应管传感器。
优选地，碳纳米管层包括网格状碳纳米管薄膜，网格状碳纳米管薄膜可以通过现有的方式制备或者通过市场途径购买，尤其是获得99.99％纯度的碳纳米管，以提高载流子迁移。
作为可选的示例，在实际制备过程中，可以采用半导体器件制备工艺来制备本发明提出的碳基场效应管传感器，例如基于ALD、PLD或者MBE方式制备，在另外的实施例中，其中部分层结构还可以通过蒸镀的方式制备。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (10)

1.一种碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，包括：
位于底层的栅极；
位于栅极的一侧的第一介质层；
位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；
位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；
位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及
位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；
其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。
2.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层均采用高k介质层。
3.根据权利要求2所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层均为薄膜介质层。
4.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所述铁电材料层的厚度为6nm-12nm。
5.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所述铁电材料层的厚度为8nm-10nm。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所述铁电材料层被设置成工作在晶体极化饱和区间。
7.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所述源极与漏极对称地分布在铁电材料层两侧，并且分别位于第二介质层一侧表面的相对的位置。
8.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所述碳纳米管层包括网格状碳纳米管薄膜。
9.根据权利要求1所述的碳基场效应晶体管传感器，其特征在于，所示铁电材料层与第二介质层叠加地夹在源极与漏极之间。
10.一种基于权利要求1-9中任意一项所述的碳基场效应晶体管传感器的探测方法，其特征在于，在探测过程中，对铁电材料层施加外部电场使得铁电材料层工作在极化饱和区间，通过铁电材料层与碳纳米管的界面位置累积电荷产生的电场作用，使碳基场效应晶体管传感器的工作区被调整至从亚阈值区开始。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113206091A (zh) * 2021-03-31 2021-08-03 中国科学院微电子研究所 一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件
CN115096975A (zh) * 2022-06-22 2022-09-23 湘潭大学 具有延栅结构的碳基fet型气体传感器及其制备方法

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096129A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Kyoto Univ 分子トランジスタおよびその製造方法、並びにそれを用いた不揮発性メモリおよび圧電センサ
CN101075636A (zh) * 2007-05-16 2007-11-21 中国科学院物理研究所 一种基于半导体纳米材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
US20090224230A1 (en) * 2006-06-09 2009-09-10 Aaron Anthony Pesetski Carbon nanotube field effect transistor
US20140197459A1 (en) * 2011-01-04 2014-07-17 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Semiconductor device
CN105633169A (zh) * 2016-03-04 2016-06-01 西安电子科技大学 基于InAs材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
CN105810587A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 清华大学 N型薄膜晶体管的制备方法
US20170162702A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-08 The Regents Of The University Of California 3d transistor having a gate stack including a ferroelectric film
CN108231901A (zh) * 2018-01-04 2018-06-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及其制备方法
CN109817722A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于碳纳米管薄膜晶体管的驱动器件及其制备方法
CN110596222A (zh) * 2019-09-16 2019-12-20 北京大学 一种碳纳米管场效应晶体管型传感器及其制备方法
CN110707152A (zh) * 2019-10-15 2020-01-17 华东师范大学 一种铁电材料可重构场效应晶体管
CN112038406A (zh) * 2020-08-28 2020-12-04 中国科学院微电子研究所 具有铁电介质的二维材料双栅存算一体器件及制备方法
CN214097255U (zh) * 2020-12-08 2021-08-31 湘潭大学 碳基场效应晶体管传感器

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096129A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Kyoto Univ 分子トランジスタおよびその製造方法、並びにそれを用いた不揮発性メモリおよび圧電センサ
US20090224230A1 (en) * 2006-06-09 2009-09-10 Aaron Anthony Pesetski Carbon nanotube field effect transistor
CN101075636A (zh) * 2007-05-16 2007-11-21 中国科学院物理研究所 一种基于半导体纳米材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
US20140197459A1 (en) * 2011-01-04 2014-07-17 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Semiconductor device
CN105810587A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 清华大学 N型薄膜晶体管的制备方法
US20170162702A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-08 The Regents Of The University Of California 3d transistor having a gate stack including a ferroelectric film
CN105633169A (zh) * 2016-03-04 2016-06-01 西安电子科技大学 基于InAs材料的铁电场效应晶体管及其制备方法
CN109817722A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 基于碳纳米管薄膜晶体管的驱动器件及其制备方法
CN108231901A (zh) * 2018-01-04 2018-06-29 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及其制备方法
CN110596222A (zh) * 2019-09-16 2019-12-20 北京大学 一种碳纳米管场效应晶体管型传感器及其制备方法
CN110707152A (zh) * 2019-10-15 2020-01-17 华东师范大学 一种铁电材料可重构场效应晶体管
CN112038406A (zh) * 2020-08-28 2020-12-04 中国科学院微电子研究所 具有铁电介质的二维材料双栅存算一体器件及制备方法
CN214097255U (zh) * 2020-12-08 2021-08-31 湘潭大学 碳基场效应晶体管传感器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
SAYEEF SALAHUDDIN等: "Use of Negative Capacitance to Provide Voltage Amplification for Low Power Nanoscale Devices", 《NANO LETTERS》 *
陈俊东等: "铁电负电容场效应晶体管研究进展", 《物理学报》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113206091A (zh) * 2021-03-31 2021-08-03 中国科学院微电子研究所 一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件
CN115096975A (zh) * 2022-06-22 2022-09-23 湘潭大学 具有延栅结构的碳基fet型气体传感器及其制备方法
CN115096975B (zh) * 2022-06-22 2024-03-05 湘潭大学 具有延栅结构的碳基fet型气体传感器及其制备方法

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Publication number Publication date
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