CN112567544A

CN112567544A - 有机发光器件

Info

Publication number: CN112567544A
Application number: CN201980051175.6A
Authority: CN
Inventors: 徐尚德; 河宰承; 李东勋; 千民承; 崔地宁; 李禹哲; 金周湖; 金埙埈
Original assignee: LG Chem Ltd
Current assignee: LG Chem Ltd
Priority date: 2018-09-20
Filing date: 2019-09-20
Publication date: 2021-03-26
Also published as: US11864460B2; WO2020060280A1; US20210399223A1; KR20200033765A; KR102214596B1

Abstract

本说明书涉及有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；设置成与第一电极相对的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的有机材料层，其中有机材料层包括空穴传输层和电子阻挡层，并且空穴传输层和电子阻挡层包含化学式1的化合物，空穴传输层和电子阻挡层的材料彼此不同，以及有机材料层中的不为空穴传输层和电子阻挡层的一个或更多个层包含化学式2的化合物。

Description

有机发光器件

技术领域

本公开内容要求于2018年09月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0112912号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

本说明书涉及有机发光器件。

背景技术

有机发光现象通常是指使用有机材料将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括阳极、阴极和介于其间的有机材料层的结构。在本文中，为了提高有机发光器件的效率和稳定性，有机材料层通常以由不同材料形成的多层结构形成，例如，有机材料层可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。当在这样的有机发光器件结构中的两个电极之间施加电压时，空穴和电子分别从阳极和阴极注入至有机材料层，当注入的空穴和电子相遇时，形成激子，并且当这些激子落回至基态时发光。

持续需要开发用于这样的有机发光器件的新材料。

发明内容

技术问题

本说明书旨在提供有机发光器件。

技术方案

本说明书的一个实施方案提供了有机发光器件，所述有机发光器件包括：第一电极；设置成与第一电极相对的第二电极；和设置在第一电极与第二电极之间的有机材料层，

其中有机材料层包括空穴传输层和电子阻挡层，并且空穴传输层和电子阻挡层包含以下化学式1的化合物；

空穴传输层和电子阻挡层的材料彼此不同；以及

有机材料层中的既不为空穴传输层也不为电子阻挡层的一个或更多个层包含以下化学式2的化合物：

[化学式1]

在化学式1中，

Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的包含一个或两个6元环的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基，

a和b彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的芳族环，

X₁和X₂彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键或CRR’；以及

当X₁和X₂中的一者为直接键时，另一者为CRR’，

[化学式2]

在化学式2中，

Ar3为经取代或未经取代的芳基、或者经取代或未经取代的杂芳基，

L为经取代或未经取代的亚芳基，

R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的芳基，或者与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的烃环，

a为0至8的整数，

b为0至7的整数，

当a为复数时，R₁彼此相同或不同，以及

当b为复数时，R₂彼此相同或不同。

有益效果

根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件具有低电压、高效率和长寿命的优点。

附图说明

图1示出了根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件。

图2示出了根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件。

图3示出了根据本说明书的一个实施方案的有机发光器件。

[附图标记]

1：基底

2：第一电极

3：有机材料层

4：第二电极

5：空穴注入层

6：空穴传输层

7：电子阻挡层

8：发光层

9：电子传输层

10：电子注入层

具体实施方式

在下文中，将更详细地描述本说明书。

当在空穴传输层和电子阻挡层中使用本公开内容的由化学式1表示的化合物时，由于空穴传输层与电子阻挡层之间的界面特性因相似的结构而变得优异，因此可以获得有利于空穴注入和迁移的特性。通常，与空穴注入层接触的空穴传输层与电子阻挡层相比，需要更高的HOMO能级，而电子阻挡层需要高的三线态能量。当改变化学式1的结构中的胺基的取代位置时，可以将HOMO能级、三线态能量等控制成不同的，并且可以满足各层所需的适当的特性。因此，当两个层包含相同的材料时，可能无法满足各层所需的特性，并且当仅任一层使用化学式1的化合物时，电压可能由于界面特性降低而增大，然而当在空穴传输层和电子阻挡层中各自使用彼此不同的化学式1的化合物时，这样的问题可以完全克服，并且当用于有机电致发光器件时，可以获得低电压和高效率的特性。与当在空穴传输层、电子阻挡层和发光层各自中使用本公开内容的由化学式1表示的化合物时相比，当在空穴传输层和电子阻挡层中使用本公开内容的由化学式1表示的化合物时，由于在这两个层中使用的化合物的结构相似，可以获得有利于空穴注入和迁移的特性。

特别地，当在各层中使用所述化合物同时改变胺基的取代位置时，可以将特性控制成适合于各层的作用的特性。

此外，当使用化学式2的结构作为主体材料时，化学式2的蒽与L之间以及L与萘基之间的角度是垂直的，可以将共轭长度控制为短的，并且可以使通过延长分子累积的蒽之间的距离保持靠近，这有利于电荷转移。

在稠合芳基中，随着稠合环的数量增加，三线态能量降低。由于用作发光层主体的化学式2的结构包含蒽结构，因此当化学式1的结构包含含有三个或更多个6元环的官能团如蒽时，三线态能量可能小于发光层主体。

即使当保持本公开内容的化学式1的结构时，用作电子阻挡层的材料也需要具有比发光层的主体材料更低的三线态能量以起阻挡层的作用。

在本申请中，除非特别相反地说明，否则某部分“包括”某些构成要素的描述意指还能够包括另外的构成要素，并且不排除其他构成要素。

在本申请中，某构件设置在另一构件“上”的描述不仅包括一个构件与另一构件接触的情况，而且还包括在这两个构件之间存在又一构件的情况。

以下描述本说明书中的取代基的实例，然而，取代基不限于此。

术语“取代”意指与化合物的碳原子键合的氢原子变为另一取代基。取代的位置没有限制，只要其是氢原子被取代的位置(即，取代基可以取代的位置)即可，并且当两个或更多个取代基进行取代时，两个或更多个取代基可以彼此相同或不同。

在本说明书中，术语“经取代或未经取代的”意指经选自以下的一个、两个或更多个取代基取代：氘；腈基；经取代或未经取代的烷基；经取代或未经取代的环烷基；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的芳基；和经取代或未经取代的杂环基，或者经以上所示的取代基中的两个或更多个取代基相连接的取代基取代，或者不具有取代基。例如，“两个或更多个取代基相连接的取代基”可以包括经芳基取代的芳基、经杂芳基取代的芳基、经芳基取代的杂环基、经烷基取代的芳基等。

在本说明书中，烷基可以为线性的或支化的，并且虽然不特别限制于此，但是碳原子数优选为1至30。其具体实例可以包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但不限于此。

在本说明书中，环烷基没有特别限制，但优选具有3至30个碳原子，并且更优选具有3至20个碳原子。其具体实例可以包括环丙基；环丁基；环戊基；3-甲基环戊基；2,3-二甲基环戊基；环己基；3-甲基环己基；4-甲基环己基；2,3-二甲基环己基；3,4,5-三甲基环己基；4-叔丁基环己基；环庚基；环辛基等，但不限于此。

在本说明书中，芳基没有特别限制，但优选具有6至30个碳原子，并且芳基可以为单环或多环的。

当芳基为单环芳基时，碳原子数没有特别限制，但优选为6至30。单环芳基的具体实例可以包括苯基、联苯基、三联苯基等，但不限于此。

当芳基为多环芳基时，碳原子数没有特别限制，但优选为10至30。多环芳基的具体实例可以包括萘基；蒽基；菲基；三亚苯基；芘基；非那烯基；苝基；

基；芴基；等等，但不限于此。

在本说明书中，芴基可以为经取代的，并且相邻基团可以彼此键合以形成环。

当芴基为经取代的时，可以包括

等。然而，结构不限于此。

在本说明书中，杂芳基是包含一个或更多个为非碳的原子(即，杂原子)的基团，并且具体地，杂原子可以包括选自O、N、Se、S等中的一种或更多种原子。杂芳基的碳原子数没有特别限制，但优选为2至30，并且杂芳基可以为单环或多环的。杂环基的实例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、

唑基、

二唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并

唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、异

唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并呋喃基等，但不限于此。

在本说明书中，亚芳基具有与芳基相同的限定，不同之处在于亚芳基为二价的。

在本说明书中，亚杂芳基具有与杂芳基相同的限定，不同之处在于亚杂芳基为二价的。

在本说明书中，烃环具有与芳基或环烷基相同的限定，不同之处在于烃环不为一价的。

在本说明书中，化学式1由以下化学式1-1表示。

[化学式1-1]

在化学式1-1中，Ar₁、Ar₂、X₁和X₂具有与化学式1中相同的限定。

在本说明书中，电子阻挡层包含以下化学式1-2或化学式1-3的化合物。

[化学式1-2]

[化学式1-3]

在化学式1-2和化学式1-3中，Ar1、Ar2、X₁和X₂具有与化学式1中相同的限定。

在本说明书中，空穴传输层包含以下化学式1-4或化学式1-5的化合物。

[化学式1-4]

[化学式1-5]

在化学式1-4和化学式1-5中，Ar₁、Ar₂、X₁和X₂具有与化学式1中相同的限定。

在本说明书中，包含化学式2的化合物的有机材料层为发光层。

在本说明书中，化学式2由以下化学式2-1或2-2表示。

[化学式2-1]

[化学式2-2]

在化学式2-1和2-2中，

Ar₃、R₁和R₂具有与化学式2中相同的限定。

在本说明书中，化学式2由以下化学式2-3或2-4表示。

[化学式2-3]

[化学式2-4]

在化学式2-3和2-4中，

Ar₃、R₁和R₂具有与化学式2中相同的限定。

在本说明书中，有机材料层还包括发光层，并且电子阻挡层的三线态能量大于发光层的主体的三线态能量。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂芳基。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂各自地为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂各自为经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂芳基。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经烷基取代的具有6至30个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂芳基。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经具有1至10个碳原子的烷基取代的具有6至30个碳原子的芳基；或者经取代或未经取代的具有2至30个碳原子的杂芳基。

在本说明书中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基或己基取代的具有6至30个碳原子的芳基。

在本说明书中，Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基或三亚苯基，并且

苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基或三亚苯基为未经取代或经甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基或己基取代的。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自独立地为苯基、联苯基或芴基，并且

苯基、联苯基或芴基为未经取代或经甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基或己基取代的。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂各自独立地为未经取代或经选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基和己基中的一个或更多个取代基取代的苯基。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂各自独立地为未经取代或经选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基和己基中的一个或更多个取代基取代的联苯基。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂各自独立地为未经取代或经选自甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、叔丁基、戊基和己基中的一个或更多个取代基取代的芴基。

在本说明书中，Ar₁和Ar₂彼此相同或不同，并且各自独立地为联苯基或经甲基取代的芴基。

在本说明书中，a和b彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的具有6至10个碳原子的芳族环。

在本说明书中，a和b为经取代或未经取代的具有6至10个碳原子的芳族环。

在本说明书中，a和b为具有6至10个碳原子的芳族环。

在本说明书中，a和b为苯环。

在本说明书中，X₁和X₂彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键或CRR’，并且当X₁和X₂中的一者为直接键时，另一者为CRR’。

在本说明书中，X₁为CRR’，X₂为直接键。

在本说明书中，X₁为CRR’，X₂为CRR’。

在本说明书中，X₂为CRR’，X₁为直接键。

在本说明书中，Ar₃为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的芳基、或者经取代或未经取代的具有3至30个碳原子的杂芳基。

在本说明书中，Ar₃为具有6至30个碳原子的芳基。

在本说明书中，Ar₃为苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、二苯并噻吩基或二苯并呋喃基。

在本说明书中，Ar₃为苯基、萘基或二苯并呋喃基。

在本说明书中，Ar₃为苯基。

在本说明书中，Ar₃为萘基。

在本说明书中，Ar₃为二苯并呋喃基。

在本说明书中，L为经取代或未经取代的具有6至30个碳原子的亚芳基。

在本说明书中，L为具有6至30个碳原子的亚芳基。

在本说明书中，L为亚苯基、亚联苯基、亚三联苯基、亚萘基、二价蒽基、二价菲基、二价芴基或二价三亚苯基。

在本说明书中，L为亚苯基、亚萘基或二价蒽基。

在本说明书中，L为亚苯基。

在本说明书中，L为亚萘基。

在本说明书中，L为二价蒽基。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的芳基，或者与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的烃环。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、或者经取代或未经取代的芳基，或者与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的烃环。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、或者经取代或未经取代的芳基。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂与相邻取代基键合以形成氢、氘、或者经取代或未经取代的烃环。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、或者未经取代或经烷基取代的芳基，或者与相邻取代基键合以形成经取代或未经取代的烃环。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、或者未经取代或经具有1至10个碳原子的烷基取代的具有6至30个碳原子的芳基，或者与相邻取代基键合以形成未经取代或经具有1至10个碳原子的烷基取代的烃环。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为未经取代或经氢、氘、甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基或叔丁基取代的具有6至30个碳原子的芳基，或者与相邻取代基键合以形成未经取代或经甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基或叔丁基取代的烃环。

在本说明书中，R、R’、R₁和R₂彼此相同或不同，并且各自独立地为氢、氘、苯基或联苯基，并且

苯基或联苯基可以为未经取代或经甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基或叔丁基取代的。

在本说明书中，化学式1的化合物可以选自以下具体实例。

在本公开内容的一个实施方案中，化学式2的化合物为以下结构式中的任一者。

在本公开内容的有机发光器件中，有机材料层包括电子阻挡层和发光层，并且电子阻挡层的三线态能量大于发光层的主体的三线态能量。

为了提高荧光发光效率，需要在发光层中积极地发生三线态-三线态湮灭。为此，发光层的三线态能量需要是低的，以分离发光层中的三线态激子，并且另一方面，电子阻挡层的三线态能量需要是高的，以起防止发光层的三线态能量转向其他层的作用。

在本公开内容的说明书中，有机材料层包括一个或更多个发光层。

在本公开内容的说明书中，有机材料层包括发光层，并且包含蒽和末端萘作为发光层的主体，并且当蒽中的与萘连接的碳被称为CA以及萘中的与蒽连接的碳被称为CB时，CA与CB之间的距离大于或等于

且小于或等于

在本公开内容的说明书中，CA与CB之间的距离大于或等于

且小于或等于

在本公开内容的说明书中，CA与CB之间的距离大于或等于

且小于或等于

当将碳-碳(CA与CB)之间的距离保持在大于或等于

且小于或等于

时，可以使通过延长分子累积的蒽之间的距离保持靠近，这有利于电荷转移。

在本公开内容的说明书中，有机材料层包括发光层，并且发光层包含化学式2的化合物作为发光层的主体。

例如，本公开内容的有机发光器件可以具有如图1中所示的结构，然而，结构不限于此。

图1示出了其中第一电极2、有机材料层3和第二电极4顺序层合在基底1上的有机发光器件的结构。有机材料层3包括空穴传输层、电子阻挡层和发光层，并且可以在空穴传输层与电子阻挡层之间以及在电子阻挡层与发光层之间包括另外的有机材料层。

图1示出了有机发光器件，然而，结构不限于此。

图2示出了其中第一电极2、空穴传输层6、电子阻挡层7、发光层8和第二电极4顺序层合在基底1上的有机发光器件的结构。可以在图2的各个层之间包括另外的有机材料层。

图3示出了其中第一电极2、空穴注入层5、空穴传输层6、电子阻挡层7、发光层8、电子传输层9、电子注入层10和第二电极4顺序层合在基底1上的有机发光器件的结构。

图3示出了有机发光器件，然而，结构不限于此。

在本公开内容的说明书中，有机材料层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、或者空穴注入和传输层。

在本公开内容的说明书中，有机材料层还可以包括电子注入层、电子传输层、或者电子注入和传输层。

根据所使用的材料，根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双发光型。

发明实施方式

本公开内容的有机发光器件可以使用常见的有机发光器件制造方法和材料来制造，不同之处在于一个或更多个有机材料层使用上述化合物形成。

[化学式1的制备例]

在制备例中，Ar₁、Ar₂、X₁、X₂、a和b具有与化学式1中相同的限定，X为卤素原子。

[化学式2的制备例]

在化学式2的制备例中，L和Ar3具有与化学式2中相同的限定。

制备例和以下合成例旨在向本领域技术人员说明本公开内容，然而本公开内容不限于此。通过改变制备例和以下合成例中的起始材料、中间体以及取代基的类型和位置，可以制备本公开内容中描述的全部化合物。

[合成例]

合成例1：HT-1的合成

在将中间体A-1(12.0g，30.4mmol)和中间体B-1(12.1g，33.4mmol)溶解在甲苯(300ml)中之后，向其中引入叔丁醇纳(8.8g，91.1mmol)和Pd(P(t-Bu)₃)₂(0.3g，0.6mmol)，并在氩气氛和回流条件下将所得物搅拌6小时。当反应完成时，将所得物冷却至室温，并且在向其中引入水之后，将反应溶液转移至分液漏斗并进行萃取。将经萃取的溶液用MgSO₄干燥、过滤并浓缩，并在使用硅胶柱色谱法纯化样品之后，通过升华纯化获得HT-1(7.2g)。(产率35％，MS[M+H]⁺＝675)

合成例2：HT-2的合成

以与用于制备HT-1的方法相同的方式制备HT-2，不同之处在于将合成例1中的中间体A-1改变为中间体A-2，并且将中间体B-1改变为中间体B-2。(MS[M+H]⁺＝717)

合成例3：HT-3的合成

以与用于制备HT-1的方法相同的方式制备HT-3，不同之处在于将合成例1中的中间体A-1改变为中间体A-3，并且将中间体B-1改变为中间体B-3。(MS[M+H]⁺＝748)

合成例4：HT-4的合成

以与用于制备HT-1的方法相同的方式制备HT-4，不同之处在于将合成例1中的中间体A-1改变为中间体A-3。(MS[M+H]⁺＝788)

合成例5：EB-1的合成

以与用于制备HT-1的方法相同的方式制备EB-1，不同之处在于将合成例1中的中间体A-1改变为中间体A-4，并且将中间体B-1改变为中间体B-4。(MS[M+H]⁺＝637)

合成例6：EB-2的合成

以与用于制备HT-1的方法相同的方式制备EB-2，不同之处在于将合成例1中的中间体A-1改变为中间体A-5，并且将中间体B-1改变为中间体B-5。(MS[M+H]⁺＝675)

合成例7：EB-3的合成

以与用于制备HT-1的方法相同的方式制备EB-3，不同之处在于将合成例1中的中间体A-1改变为中间体A-6，并且将中间体B-1改变为中间体B-2。(MS[M+H]⁺＝717)

合成例8：EB-4的合成

以与用于制备HT-1的方法相同的方式制备EB-4，不同之处在于将合成例1中的中间体A-1改变为中间体A-7，并且将中间体B-1改变为中间体B-4。(MS[M+H]⁺＝635)

合成例9：BH-1的合成

步骤1)中间体C-1的合成

在将9-溴蒽(20.0g，77.8mmol)和(4-(萘-1-基)苯基)硼酸(21.2g，85.6mmol)溶解在THF(300ml)中之后，向其中引入溶解在H₂O(150ml)中的K₂CO₃(43.0g，311.1mmol)。向其中引入Pd(PPh₃)₄(3.6g，3.1mmol)，并在氩气氛中在回流条件下将所得物搅拌8小时。当反应完成时，将所得物冷却至室温，并且将反应溶液转移至分液漏斗并用水和乙酸乙酯萃取。将经萃取的溶液用MgSO₄干燥、过滤并浓缩，并在使用硅胶柱色谱法纯化样品之后，获得中间体C-1(21.6g)。(产率73％，MS[M+H]⁺＝380)

步骤2)中间体C-2的合成

在引入中间体C-1(20.0g，52.6mmol)、NBS(9.8g，55.2mmol)和DMF(400ml)之后，在氩气氛下在室温下将所得物搅拌8小时。在反应完成之后，将反应溶液转移至分液漏斗，并用水和乙酸乙酯萃取有机层。将经萃取的溶液用MgSO₄干燥、过滤并浓缩，并在使用硅胶柱色谱法纯化样品之后，获得中间体C-2(21.0g)。(产率87％，MS[M+H]⁺＝459)

步骤3)BH-1的合成

在将中间体C-2(15.0g，32.7mmol)和苯基硼酸(4.4g，35.9mmol)溶解在THF(225ml)中之后，向其中引入溶解在H₂O(113ml)中的K₂CO₃(18.1g，130.6mmol)。向其中引入Pd(PPh₃)₄(1.5g，1.3mmol)，并在氩气氛中在回流条件下将所得物搅拌8小时。当反应完成时，将所得物冷却至室温，并且将反应溶液转移至分液漏斗并用水和乙酸乙酯萃取。将经萃取的溶液用MgSO₄干燥、过滤并浓缩，并在使用硅胶柱色谱法纯化样品之后，通过升华纯化获得BH-1(4.8g)。(产率32％，MS[M+H]⁺＝456)

合成例10：BH-2的合成

以与用于制备BH-1的方法相同的方式制备BH-2，不同之处在于将合成例9中的(4-(萘-1-基)苯基)硼酸改变为[1,2'-联二萘]-4-基硼酸。(MS[M+H]⁺＝506)

合成例11：BH-3的合成

以与用于制备BH-1的方法相同的方式制备BH-3，不同之处在于将合成例9的步骤3中的苯基硼酸改变为二苯并[b,d]呋喃-2-基硼酸。(MS[M+H]⁺＝546)

[实施例]

实施例1

将其上涂覆有厚度为

的氧化铟锡(ITO)作为薄膜的玻璃基底放入溶解有清洁剂的蒸馏水中并进行超声清洗。在此，使用Fischer Co.的产品作为清洁剂，以及使用由Millipore Co.制造的过滤器过滤两次的蒸馏水作为蒸馏水。在将ITO清洗30分钟之后，使用蒸馏水重复进行两次超声清洗持续10分钟。在用蒸馏水清洗完成之后，将基底用异丙醇、丙酮和甲醇的溶剂进行超声清洗，然后干燥，然后转移至等离子体清洗器。此外，将基底使用氧等离子体清洗5分钟，然后转移至真空沉积器。

在如上准备的透明ITO电极上，通过将以下HT-1和PD以95:5的重量比热真空沉积至

的厚度来形成空穴注入层，然后在空穴注入层上通过仅沉积HT-1材料至

的厚度来形成空穴传输层。将由以下EB-1表示的化合物热真空沉积在空穴传输层上至

的厚度作为电子阻挡层。随后，将由以下BH-1和BD表示的化合物以96:4的重量比真空沉积至

的厚度作为发光层。随后，将由以下ET和Liq表示的化合物以1:1的重量比热真空沉积至

的厚度作为电子传输层，然后将由以下Liq表示的化合物真空沉积在电子传输层上至

的厚度以形成电子注入层。在电子注入层上，通过顺序地将镁和银以10:1的重量比沉积至

的厚度并将铝沉积至

的厚度来形成阴极，结果，制造出有机发光器件。

实施例2至16和比较例1至11

以与实施例1中相同的方式制造有机发光器件，不同之处在于使用下表1中描述的化合物来代替作为实施例1中的空穴传输层材料、电子阻挡层材料和主体材料。

对于实施例和比较例中制造的各有机发光器件，测量当施加10mA/cm²的电流密度时的器件性能，以及测量在20mA/cm²的电流密度下初始亮度降低至90％所花费的时间，并且获得的结果示于表1中。

[表1]

对于实施例和比较例中使用的空穴传输层材料、电子阻挡层材料和发光层主体材料，通过量子计算来计算三线态能量，并且结果示于表2中。作为量子计算，通过Schrodinger Material Science Suite程序的密度泛函理论(density functionaltheory，DFT)进行结构优化，然后通过含时密度泛函理论(time dependent-densityfunctional theory，TD-DFT)计算获得三线态能量。在此，使用B3LYP作为函数，并且使用6-31G*作为基函数。

[表2]

材料	T1(eV)
		HT-1	2.62
HT-2	2.58
		HT-3	2.66
HT-4	2.83
		HT-A	2.80
EB-1	2.82
		EB-2	2.70
EB-3	2.69
		EB-4	2.86
EB-A	1.69
		BH-1	1.73
BH-2	1.73
		BH-3	1.73
BH-A	1.73

当将比较例1至7、实施例7和8等进行比较时，可以看出仅通过在空穴传输层、电子阻挡层和发光层中的每一者中使用本公开内容的化合物不能获得足够的长寿命效果。

当在空穴传输层和电子阻挡层中使用本公开内容的由化学式1表示的化合物时，由于相似的结构，可以获得有利于空穴注入和迁移的特性。特别地，当在所述层中的每一者中使用所述化合物同时改变胺基的取代位置时，可以将特性控制成适合于各个层的作用的特性。当将比较例10和11与实施例4和7比较时，可以看出与当在空穴传输层和电子阻挡层中使用相同的化合物时相比，当使用不同化合物时获得显著的长寿命。

此外，当使用化学式2的结构作为主体材料时，化学式2的蒽与L之间的角度是垂直的，可以将共轭长度控制为短的并且可以使通过延长分子累积的蒽之间的距离保持靠近，这有利于电荷转移。

因此，在使用EB-A的比较例2至5中，与发光层接触的层中使用的材料的三线态能量变得小于发光层主体材料的三线态能量，并且由于不能起阻挡层的作用，电荷在发光层之外，因此，寿命降低。

即使当保持化学式1的结构时，用作电子阻挡层的材料也需要具有比发光层主体材料更小的三线态能量以起阻挡层的作用。与其他材料相比，表2的EB-A具有更小的三线态能量，并且特别地，具有甚至比主体材料更小的三线态能量，并且可以看出，由于在这种情况下无法起阻挡层的作用，器件效率降低。当考虑这样的结果时，满足本公开内容的条件的有机电致发光器件能够获得低电压、高效率和长寿命的特性。

比较例12和比较例13中使用的具有两个胺基的材料如HT-B由于添加有起电子供体的作用的胺基而与化学式1的结构相比具有提高的HOMO能级。当如在比较例12中在空穴传输层中使用该材料时，由于在空穴注入方面不存在问题而获得低的驱动电压，然而，由于发光区域在电子传输层方向上移动而在发光层中存在过多空穴注入从而导致效率降低。同时，当如在比较例13中在电子阻挡层中使用HT-B时，可以看出电子阻挡层与发光层之间的HOMO能级的差增加从而阻止向发光层的空穴注入，因此，全部器件特性降低。