CN112543887A - 透镜驱动装置及包括透镜驱动装置的摄像头模块和光学设备 - Google Patents
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Abstract
一种实施方式包括:基板;壳体,壳体包括彼此面对的第一侧部部分和第二侧部部分以及彼此面对的第三侧部部分和第四侧部部分;布置在壳体内部的绕线架;布置在绕线架上的第一线圈;以及布置在壳体中的磁体,其中,基板包括面对磁体的第二线圈,磁体包括布置在壳体的第一侧部部分上的第一磁体、布置在壳体的第二侧部部分上的第二磁体和布置在壳体的第三侧部部分上的第三磁体,第二线圈包括面对第一磁体的第一线圈单元、面对第二磁体的第二线圈单元和面对第三磁体的第三线圈单元,第一线圈单元至第三线圈单元各自包括具有多匝的线,并且第三线圈单元的线的宽度比第一线圈单元的线的宽度窄。
Description
技术领域
实施方式涉及透镜移动装置以及包括透镜移动装置的摄像头模块和光学仪器。
背景技术
难以将在现有的通用摄像头模块中使用的音圈马达(VCM)的技术应用于超小型、低功耗摄像头模块,因此已经积极地进行了与超小型、低功耗摄像头模块相关的研究。
对于安装在小型电子产品比如智能电话中的摄像头模块,摄像头模块在其使用期间可能频繁地受到冲击,并且摄像头模块可能会因在拍摄期间用户的手的抖动而轻微颤动。考虑到上述问题,近年来已经开发了用于在摄像头模块中另外安装防手抖装置的技术。
发明内容
技术问题
实施方式提供了一种能够减少安装在双摄像头模块中的相邻的两个透镜移动装置中所包括的磁体之间的磁场干扰、保持对于执行OIS功能所需的X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的平衡、并且减小OIS移动单元的重量以减少电流消耗的透镜移动装置以及一种包括该透镜移动装置的摄像头模块和光学仪器。
技术方案
在一种实施方式中,一种透镜移动装置包括:基板;壳体,该壳体包括彼此相对的第一侧部部分和第二侧部部分以及彼此相对的第三侧部部分和第四侧部部分;绕线架,该绕线架布置在壳体中;第一线圈,该第一线圈布置在绕线架处;以及磁体,该磁体布置在壳体处,其中,基板包括与磁体相对的第二线圈,磁体包括布置在壳体的第一侧部部分处的第一磁体、布置在壳体的第二侧部部分处的第二磁体以及布置在壳体的第三侧部部分处的第三磁体,第二线圈包括与第一磁体相对的第一线圈单元、与第二磁体相对的第二线圈单元以及与第三磁体相对的第三线圈单元,第一线圈单元至第三线圈单元中的每一者包括具有多匝的线,并且第三线圈单元的线的宽度小于第一线圈单元的线的宽度。
第三线圈单元的线的匝数可以大于第一线圈单元的线的匝数。
第三线圈单元的宽度可以等于第一线圈单元的宽度。
第三线圈单元的宽度可以大于第一线圈单元的宽度。
第一线圈单元至第三线圈单元中的每一者可以包括螺旋图案或椭圆形图案。
第一线圈单元至第三线圈单元中的每一者可以包括第一层和布置在第一层上的第二层,并且第三线圈单元的第一层和第二层中的每一者的线的宽度可以小于第一线圈单元的第一层和第二层中的每一者的线的宽度。
第一线圈单元的线的宽度和第二线圈单元的线的宽度可以彼此相等。
第一线圈单元的厚度和第二线圈单元的厚度可以彼此相等。
第一线圈单元至第三线圈单元中的每一者可以包括构造成将第一层和第二层互连的至少一个通路。
第二线圈可以包括彼此相对的第一侧部和第二侧部以及彼此相对的第三侧部和第四侧部,基板可以包括开口,并且基板可以包括:位于第一侧部与开口之间的第一区域,第一线圈单元布置在该第一区域中;位于第二侧部与开口之间的第二区域,第二线圈单元布置在该第二区域中;以及位于第三侧部与开口之间的第三区域,第三线圈单元布置在该第三区域中。
第一线圈单元可以包括在从第一侧部至第二侧部的方向上布置在第一区域中的多条第一线,第二线圈单元可以包括在从第一侧部至第二侧部的方向上布置在第二区域中的多条第二线,第三线圈单元可以包括在从第三侧部至第四侧部的方向上布置在第三区域中的多条第三线,第一线中的每条第一线的宽度可以大于第一线之间的距离,第二线中的每条第二线的宽度可以大于第二线之间的距离,并且第三线中的每条第三线的宽度可以大于第三线之间的距离。
第一线圈单元至第三线圈单元的厚度可以彼此相等。
第一线圈单元至第三线圈单元中的每一者的线的宽度可以小于第一线圈单元至第三线圈单元中的每一者的厚度。
第一线圈单元和第二线圈单元中的每一者的第一长度可以等于第三线圈单元的第二长度,第一长度可以是第一线圈单元和第二线圈单元中的每一者的相反的最靠外端部之间的距离,并且第二长度可以是第三线圈单元的最靠外端部之间的距离。
第三线圈单元的线的宽度与第一线圈单元的线的宽度的比率和第三线圈单元的线的宽度与第二线圈单元的线的宽度的比率中的每个比率可以是1:1.25至1:1.5。
在另一实施方式中,一种透镜移动装置包括:基板;壳体,该壳体包括第一侧部部分和与第一侧部部分相邻的第二侧部部分;绕线架,该绕线架布置在壳体中;第一线圈,该第一线圈布置在绕线架处;磁体,该磁体布置在壳体处;以及第二线圈,该第二线圈在基板上布置成与磁体相对,其中,磁体包括布置在壳体的第一侧部部分处的第一磁体和布置在壳体的第二侧部部分处的第三磁体,第二线圈包括与第一磁体相对的第一线圈单元和与第三磁体相对的第三线圈单元,并且第三线圈单元的绕组数目可以大于第一线圈单元的绕组数目。
磁体还可以包括第二磁体,第二磁体布置在壳体的与第一侧部部分相对的第三侧部部分处,并且第二线圈还可以包括与第二磁体相对的第二线圈单元。
有益效果
根据实施方式,可以减少安装在双摄像头模块中的相邻的两个透镜移动装置中所包括的磁体之间的磁场干扰、保持对于执行OIS功能所需的X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的平衡、并且减小OIS移动单元的重量以减少电流消耗。
附图说明
图1是根据实施方式的透镜移动装置的立体图。
图2是图1的透镜移动装置的分解图。
图3是透镜移动装置的平面图,其中,盖构件被移除。
图4a是绕线架、第一线圈单元、第二线圈单元和感测磁体的分离立体图。
图4b是绕线架、第一线圈单元、第二线圈单元和感测磁体的联接立体图。
图5a是壳体、第一磁体至第三磁体和虚设构件的立体图。
图5b是壳体、第一位置传感器和电路板的立体图。
图6是上弹性构件的平面图。
图7是示出了上弹性构件、第一位置传感器与支承构件之间的电连接关系的视图。
图8是下弹性构件和壳体的底部视图。
图9a是第二线圈、电路板和基部的分离立体图。
图9b示出了包括第二位置传感器的另一实施方式。
图10a是透镜移动装置的沿图3的AB方向的截面图。
图10b是透镜移动装置的沿图3的CD方向的截面图。
图10c是透镜移动装置的沿图3的EF方向的截面图。
图10d是透镜移动装置的沿图3的GH方向的截面图。
图11是图9的第二线圈的平面图。
图12是第一磁体至第三磁体、虚设构件以及第三线圈单元至第五线圈单元的立体图。
图13是图12中所示出的部件的侧视图。
图14是图12中所示出的部件的平面图。
图15示出了根据另一实施方式的第一磁体至第三磁体。
图16a示出了根据又一实施方式的第一磁体至第三磁体。
图16b是图16a中所示的部件的侧视图。
图16c是图16a的第一磁体至第三磁体以及第三线圈单元至第五线圈单元的平面图。
图16d是包括图16a的第三磁体的透镜移动装置的沿CD方向的截面图。
图16e示出了图16a的第三磁体相对于第五线圈单元的磁力线、以及第一磁体相对于第三线圈单元的磁力线。
图16f示出了由于图16a中所示的第一磁体和第二磁体与第三线圈单元和第四线圈单元之间的相互作用引起的在Y轴方向上的电磁力以及由于第三磁体和第五线圈单元之间的相互作用引起的在X轴方向上的电磁力的模拟结果。
图17a是图11的第三线圈单元的第一虚线部分的截面图。
图17b示出了第三线圈单元的第一通路和第二通路。
图18a是图11的第五线圈单元的第二虚线部分的截面图。
图18b示出了第五线圈单元的第一通路和第二通路。
图19是根据实施方式的摄像头模块的分解立体图。
图20是根据另一实施方式的摄像头模块的立体图。
图21a是图20中所示的摄像头模块的实施方式的示意图。
图21b是图21a的第一透镜移动装置和第二透镜移动装置的沿图3的AB方向的截面图。
图22是根据另一实施方式的摄像头模块的示意图。
图23a示出了向图22的摄像头模块的第三磁体和感测磁体施加的力的模拟结果。
图23b示出了图22的摄像头模块的第三磁体和感测磁体的行程变化的模拟结果。
图24是根据又一实施方式的摄像头模块的示意图。
图25示出了图24的第二透镜移动装置的实施方式。
图26a示出了双摄像头的相邻的两个透镜移动装置的磁体、感测磁体和平衡磁体的布置的示例。
图26b示出了双摄像头的相邻的两个透镜移动装置的磁体、感测磁体和平衡磁体的布置的另一示例。
图27是根据另一实施方式的透镜移动装置的立体图。
图28是图27的透镜移动装置的分解立体图。
图29是图28的第一AF移动件和第二AF移动件的分解立体图。
图30是OIS移动件的分解立体图。
图31a是图28的定子的分解立体图。
图31b是图31a的基部的底部视图。
图32是图28的第一弹性构件和第二弹性构件的立体图。
图33是图27的透镜移动装置的平面图,其中,盖构件被移除。
图34是图33的局部放大图。
图35是图27的当从X-Y观察时的截面图。
图36是根据实施方式的电路构件的平面图。
图37是第一线圈单元至第六线圈单元和第一磁体至第六磁体的立体图。
图38是图37的侧视图。
图39a是第一线圈单元至第六线圈单元和第一磁体至第六磁体的平面图。
图39b是根据另一实施方式的第一六线圈单元至第六线圈单元和第一磁体至第六磁体的平面图。
图39c是根据又一实施方式的第一线圈单元至第六线圈单元和第一磁体至第六磁体的平面图。
图40a示出根据另一实施方式的第一传感器的布置位置和第二传感器的布置位置。
图40b示出了根据又一实施方式的第一传感器和第二传感器的布置。
图40c示出了布置在图40b的第七位置处的第二传感器和第六线圈单元。
图41是根据另一实施方式的定子的立体图。
图42是根据实施方式的摄像头模块的立体图。
图43是根据实施方式的便携式终端的立体图。
图44是示出图43中所示的便携式终端的结构的视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式,实施方式的示例在附图中图示。
在实施方式的以下描述中,将理解的是,当每个元件被提及为位于另一个元件“上”或者“下”时,该元件可以“直接地”位于另一个元件上或下,或者可以是“间接地”形成为还存在中间元件。另外,当元件称为“在……上”或“在……下”时,“在该元件下”和“在该元件上”可以基于该元件而被包括。
此外,关系术语比如“第一”、“第二”、“上方/上部分/以上”和“下方/下部分/以下”仅用于在一个对象或元件与另一对象或元件之间进行区分,而不一定要求或涉及这些对象或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序。另外,将在所有附图中尽可能使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
另外,术语“包括”、“包含”和“具有”是指元件可以是固有的,除非另有说明。因此,术语应被解释为不排除其他元件,而是还包括这些其他元件。另外,术语“对应”可以表示“相对”或“重叠”中的至少一者。
为了便于描述,将使用笛卡尔坐标系(x,y,z)描述根据实施方式的透镜移动装置。然而,可以使用其他不同的坐标系,并且本公开不限于此。在附图中,x轴方向和y轴方向是与作为光轴方向的z轴方向垂直的方向。作为光轴方向的z轴方向可以称为“第一方向”,x轴方向可以称为“第二方向”,并且y轴方向可以称为“第三方向”。另外,光轴方向可以被限定为与透镜移动装置联接的透镜的光轴方向。
适用于移动设备、比如智能电话或平板电脑的小型摄像头模块的“手抖补偿功能”可以是下述功能:使透镜沿与光轴方向垂直的方向移动或使透镜相对于光轴方向倾斜,以抵消用户手抖造成的振动(或运动)。同时,术语“手抖补偿”能够与“光学图像稳定(OIS)”互换使用。
另外,“自动聚焦功能”可以是下述功能:使透镜根据与对象的距离沿光轴方向移动以自动地聚焦对象,以便在图像传感器上获取对象的清晰图像。
根据实施方式的透镜移动装置可以执行自动聚焦操作以使包括至少一个透镜的光学模块沿第一方向移动。
此外,在以下描述中,术语“端子”可以称为衬垫、电极、导电层或结合部分。另外,在下面的描述中,术语“通孔”可以称为“孔”。
在下文中,透镜移动装置可以表示可以代替其使用的“语音线圈马达”、“透镜移动马达”或“致动器”。
图1是根据实施方式的透镜移动装置100的立体图,图2是图1的透镜移动装置100的分解图,图3是透镜移动装置100的平面图,其中,盖构件300被移除。
参照图1至图3,透镜移动装置100可以包括绕线架110、第一线圈120、壳体140、第一磁体130-1、第二磁体130-2、第三磁体130-3、上弹性构件150、下弹性构件160和第二线圈230。
透镜移动装置100还可以包括虚设构件135。
透镜移动装置100还可以包括基部210、支承构件220和电路板250中的至少一者。
另外,透镜移动装置100还可以包括电路板190和被配置成执行AF反馈驱动的第一位置传感器170。
此外,透镜移动装置100还可以包括感测磁体180,该感测磁体180配置成感测第一位置传感器170的磁力。此外,透镜移动装置100还可以包括平衡磁体185,该平衡磁体185配置成减弱感测磁体180的磁场的效应。
此外,透镜移动装置100还可以包括第二位置传感器240(参见图9b),该第二位置传感器240配置成执行光学图像稳定(OIS)反馈驱动。另外,透镜移动装置100还可以包括盖构件300。
实施方式能够提供包括OIS功能的透镜移动装置,该OIS功能能够降低或防止在安装于双摄像头模块中的相邻的两个透镜移动单元中所包括的磁体之间的磁场干扰。
另外,实施方式能够保持在与光轴(OA)方向垂直的X轴方向上产生的电磁力与在Y轴方向上产生的电磁力之间的平衡,以便执行OIS功能,由此阻止透镜移动单元沿X轴方向或沿Y轴方向的倾斜。
另外,实施方式能够减少OIS磁体的数目并且减小OIS磁体的尺寸,由此减小OIS移动单元的重量并且由此减小电流消耗。
首先,将描述绕线架110。
绕线架110设置在壳体140的内部,并且绕线架110可以由于第一线圈120与第一磁体130-1和第二磁体130-2之间的电磁相互作用而沿光轴(OA)方向或第一方向(例如Z轴方向)移动。
图4a是绕线架110、第一线圈单元120-1、第二线圈单元120-2和感测磁体180的分离立体图,并且图4b是绕线架110、第一线圈单元120-1、第二线圈单元120-2和感测磁体180的联接立体图。
参照图4a和图4b,绕线架110可以具有开口,透镜或透镜镜筒安装在该开口中。例如,绕线架110的开口可以是穿过绕线架110而形成的通孔,并且绕线架110的开口的形状可以是圆形、椭圆形或多边形。然而,本公开不限于此。
透镜可以直接安装在绕线架110的开口中。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,其中安装或联接有至少一个透镜的透镜镜筒可以联接至绕线架110的开口或安装在绕线架110的开口中。透镜或透镜镜筒可以以各种方式联接至绕线架110的内周向表面110a。
绕线架110可以包括彼此间隔开的第一侧部部分(或第一侧部)和彼此间隔开的第二侧部部分(或第二侧部)。第二侧部部分中的每个第二侧部部分可以将相邻的两个第一侧部部分相互连接。例如,绕线架110的第一侧部部分可以称为“侧部部分”,并且绕线架110的第二侧部部分可以称为“拐角部分或拐角”。
其中安装、坐置或布置有第一线圈单元120-1的第一坐置凹部41可以设置在绕线架110的侧部部分中的一个侧部部分(例如,第一侧部部分)中。其中安装、坐置或布置有第二线圈单元120-2的第二坐置凹部42可以设置在绕线架110的侧部部分中的另一侧部部分(例如,第二侧部部分)中。
例如,第一坐置凹部41和第二坐置凹部42可以设置在绕线架110的侧部部分中的两个相反的侧部部分中,第一坐置凹部41和第二坐置凹部42可以从绕线架110的两个侧部部分的外表面凹陷,并且可以具有与第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2的形状相符合的形状。
在另一实施方式中,其上安装或缠绕有第一线圈单元120-1的第一突出部可以设置在绕线架110的一个侧部部分上,并且其上安装或缠绕有第二线圈单元120-2的第二突出部可以设置在绕线架110的侧部部分中的另一侧部部分上。
绕线架110可以包括在绕线架110的侧部部分中的另一侧部部分(例如,第四侧部部分)中设置的第一凹部18a,使得感测磁体180安装或布置在第一凹部中。例如,绕线架110的第四侧部部分可以是没有布置第一线圈单元120-1或第二线圈单元120-2的侧部部分。
此外,绕线架110可以包括在绕线架110的侧部部分中的另一侧部部分(例如第三侧部部分)中设置的第二凹部,使得平衡磁体185安装或布置在第二凹部中。例如,绕线架110的第三侧部可以是未布置第一线圈单元120-1或第二线圈单元120-2并且与绕线架110的第三侧部部分相对的侧部部分。
绕线架110可以包括设置在绕线架110的拐角部分上的突起部分111。突起部分111可以在与下述直线平行的方向上突起:该直线延伸穿过绕线架110的开口的中心并且垂直于光轴方向。然而,本公开不限于此。
绕线架110的突起部分111可以对应于壳体140的凹入部分145,该突起部分111可以被插入或布置在壳体140的凹入部分145中,并且可以阻止或防止绕线架110绕光轴移动或旋转同时偏离预定范围。
可以在绕线架110的拐角部分的上表面中设置避开凹部122a,该避开凹部122a构造成避免与上弹性构件150的第一框架连接部分153的空间干涉。
尽管在图4a中未示出,绕线架110可以包括从绕线架110的上表面突起的第一止挡部和从绕线架110的下表面突起的第二止挡部。绕线架110的第一止挡部和第二止挡部可以防止绕线架110的上表面与盖构件30的上板的内部直接碰撞,并且可以防止绕线架110的下表面与基部210、第二线圈230和/或电路板250直接碰撞,即使当绕线架110沿第一方向移动以便执行自动聚焦功能时绕线架110由于外部冲击而在移动的同时偏离预定范围的情况下也是如此。
绕线架110可以在其上表面处设置有第一联接部分,该第一联接部分构造成被联接并且固定至上弹性构件150,并且绕线架110可以在其下表面处设置有第二联接部分,该第二联接部分构造成被联接至并且固定至下弹性构件160。
例如,在图4a和图4b中,绕线架110的第一联接部分和第二联接部分可以是平坦的。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,绕线架110的第一联接部分和第二联接部分中的每一者可以具有凹部或突出部的形状。
接下来,将描述第一线圈120。
第一线圈120包括在绕线架110的侧部部分中的两个相反的侧部部分处布置的第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2。此处,线圈单元可以称为线圈、线圈部分、线圈块或线圈环。
例如,第一线圈单元120-1可以布置在绕线架110的第一坐置凹部41中,并且第二线圈单元120-2可以布置在绕线架110的第二坐置凹部42中。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2中的每一者可以缠绕在绕线架110的侧部部分处设置的至少一个突出部上,或者可以安装在绕线架110的侧部部分处设置的至少一个突出部上。
第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2中的每一者可以包括椭圆形状、轨道形状和闭合曲线形状中的至少一者。例如,第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2中的每一者可以具有绕下述轴线缠绕的线圈环的形状:该轴线延伸穿过绕线架110的开口的中心并且垂直于光轴。
例如,第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2中的每一者可以具有第一部分3a、布置在第一部分3a下方的第二部分3b以及构造成将第一部分3a和第二部分3b相互连接的连接部分3c,并且第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2中的每一者可以通过第一部分3a至第三部分3c形成闭合曲线。
第三部分3c可以包括第一连接部分3c1和第二连接部分3c2,第一连接部分3c1构造成将第一部分3b1的一个端部与第二部分3b的一个端部相互连接,第二连接部分3c2构造成将第一部分3b1的另一个端部与第二部分3b的另一个端部相互连接。
例如,第一部分3a可以称为“第一直的部分”,第二部分3b可以称为“第二直的部分”,第三部分3c可以称为“弯曲部分”,第一连接部分3c1可以称为第一弯曲部分,并且第二连接部分3c2可以称为第二弯曲部分。
第一线圈120可以包括布置在第一线圈单元120-1与第二线圈单元120-2之间的连接部分(未示出)、连接线圈或连接丝线,以便将第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2相互连接。
第一线圈120的连接部分的一个端部可以连接至第一线圈单元120-1的一个端部,并且第一线圈120的连接部分的另一个端部可以连接至第二线圈单元120-2的一个端部。即,第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2可以通过第一线圈120的连接部分彼此串联连接。
第一线圈120的连接部分可以与第三磁体130-1相对,并且可以布置在第三磁体130-1与绕线架110之间。
替代性地,在另一实施方式中,第一线圈120的连接部分可以布置在绕线架110的第四侧部部分与壳体140的第四侧部部分之间。例如,第一线圈120的连接部分可以与虚设构件135相对,并且可以设置在虚设构件135与绕线架110之间。
在另一实施方式中,第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2可以彼此分开或间隔开。
当向第一线圈120施加驱动信号(例如,驱动电流)时,可以通过第一线圈120与第一磁体130-1和第二磁体130-3之间的电磁相互作用而形成电磁力,并且绕线架110可以通过形成的电磁力沿光轴(OA)方向移动。
在AF移动单元的初始位置处,绕线架110可以沿上下方向(例如,Z轴方向)移动,这称为AF移动单元的双向驱动。替代性地,在AF移动单元的初始位置处,绕线架110可以仅沿向上方向和向下方向中的一个方向移动,这称为AF移动单元的单向驱动。
参照图10b,在AF移动单元的初始位置处,第一线圈单元120-1可以在与光轴垂直的方向上并且在从光轴至第一线圈单元120-1(或第一线圈单元120-1的中心)的方向上与第一磁体130-1相对或可以与第一磁体130-1重叠,但不与第三磁体130-3相对或不与第三磁体130-3重叠。
在AF移动单元的初始位置处,第二线圈单元120-2可以在与光轴垂直的方向上并且在从光轴至第二线圈单元120-2(或第二线圈单元120-2的中心)的方向上与第二磁体130-2相对或可以与第二磁体130-2重叠,但不与第三磁体130-3相对或不与第三磁体130-3重叠。
AF移动单元可以包括绕线架110和联接至绕线架110的部件。例如,AF移动单元可以包括绕线架110、第一线圈120、感测磁体180和/或平衡磁体。另外,AF移动单元还可以包括安装在绕线架110中的透镜。
AF移动单元的初始位置可以是AF移动单元在没有向第一线圈120施加电力的状态下的原始位置,或者是由于上弹性构件150和下弹性构件160仅因AF移动单元的重量而弹性变形而使AF移动单元所处的位置。另外,AF移动单元(例如,绕线架110)的初始位置可以是AF移动单元在重力沿从绕线架110至基部210的方向作用时或在重力沿从基部210至绕线架110的方向作用时所处的位置。
接下来,将描述感测磁体180。
感测磁体180可以布置在绕线架110的侧部部分中的未布置有第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2的侧部部分中的一个侧部部分处。例如,感测磁体180可以布置在绕线架110的第一凹部180a中。
在透镜移动装置100包括平衡磁体185的情况下,平衡磁体185可以布置在绕线架110的侧部部分中的未布置第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2的侧部部分中的另一侧部部分上。例如,平衡磁体185可以布置在绕线架110的第二凹部(未示出)中。
平衡磁体185可以抵消感测磁体180的磁场效应并且可以在重量上与感测磁体180平衡,由此可以执行精确的AF操作。
感测磁体180(和/或平衡磁体185)的N极与S极之间的交界面可以平行于与光轴方向垂直的方向。然而,本公开不限于此。例如,在另一实施方式中,N极与S极之间的交界面可以平行于光轴方向。
例如,感测磁体180可以是具有单个N极和单个S极的单极磁化磁体。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,感测磁体可以是双极磁化磁体。
感测磁体180由于第一线圈单元120-1与第一磁体130-1之间的相互作用以及第二线圈单元与第二磁体130-2之间的相互作用可以与绕线架110一起沿光轴方向OA移动。第一位置传感器170可以感测沿光轴方向移动的感测磁体180的磁场的强度,并且可以基于感测的结果而输出输出信号。
例如,摄像头模块200的控制器830或端子200A的控制器780可以基于从第一位置传感器170输出的输出信号来检测绕线架110沿光轴方向的移位。
在另一实施方式中,感测磁体180和/或平衡磁体185可以省去,第一位置传感器可以安装至绕线架而不是壳体,并且绕线架2110和第一位置传感器由于第一线圈2120与第一磁体130之间的相互作用而沿光轴方向移动,由此第一位置传感器可以感测第一磁体的磁场的强度并且可以基于感测结果输出输出信号。
接下来,将描述壳体140。
壳体140在其中接纳绕线架110的至少一部分,并且支承第一磁体130-1、第二磁体130-2、第三磁体130-3和虚设构件135。
例如,OIS移动单元(或透镜移动单元)可以包括AF移动单元和壳体140。例如,OIS移动单元(或透镜移动单元)可以包括安装至壳体140的部件(例如130-1至130-3、135、190和170)。
例如,OIS移动单元(或透镜移动单元)可以基于由第一磁体130-1至第三磁体至130-3与第二线圈230之间的相互作用而引起的电磁力通过OIS驱动而移动。
图5a是壳体140、第一磁体130-1、第二磁体130-2和第三磁体130-3以及虚设构件135的立体图,并且图5b是壳体140、第一位置传感器170和电路板190的立体图。
参照图5a和图5b,壳体140可以布置在盖构件300的内部,并且可以布置在盖构件300与绕线架110之间。壳体140可以在其中接纳绕线架110。
壳体140的外表面可以与盖构件300的侧板的内表面间隔开,并且壳体140可以通过OIS驱动在壳体140与盖构件300之间的空间中移动。
壳体140通常可以具有包括开口或中空部分的中空柱形状。
例如,壳体140可以具有多边形(例如四边形或八边形)或圆形开口。例如,壳体140的开口可以是通孔,绕线架110接纳在该通孔中。
壳体140可以包括多个侧部部分141-1至141-4和多个拐角部分142-1至142-4。
例如,壳体140可以包括第一侧部部分141-1至第四侧部部分141-4以及第一拐角部分142-1至第四拐角部分142-4。
壳体140的第一侧部部分141-1至第四侧部部分141-4可以彼此间隔开。壳体140的拐角部分142-1至142-4中的每一者可以布置或定位在相邻的两个侧部部分141-1与141-2之间、相邻的两个侧部部分141-2与141-3之间、相邻的两个侧部部分141-3与141-4之间、或相邻的两个侧部部分141-4与141-1之间,并且壳体140的拐角部分142-1至142-4中的每一者可以将侧部部分141-1至141-4相互连接。
例如,壳体140的拐角部分142-1至142-4可以定位在壳体140的拐角处。例如,壳体140的侧部部分的数目可以是四个,并且壳体140的拐角部分的数目可以是四个。然而,本公开不限于此。
壳体140的侧部部分141-1至141-4中的每个侧部部分可以布置成与盖构件300的侧板中的相应侧板平行。
壳体140的侧部部分141-1至141-4中的每个侧部部分的水平长度可以大于壳体140的拐角部分142-1至142-4中的每个侧部部分的水平长度。然而,本公开不限于此。
壳体140的第一侧部部分141-1和第二侧部部分141-2可以定位成彼此相对或彼此面对,并且第三侧部部分141-3和第四侧部部分141-4可以定位成彼此相对或彼此面对。壳体140的第三侧部部分141-3和第四侧部部分141-4中的每一者可以定位在第一侧部部分141-2与第二侧部部分141-2之间。
壳体140可以在其上部分、上端部或上表面上设置有止挡部144,以便防止与盖构件300的上板的内表面的直接碰撞。
例如,止挡部144可以设置在壳体140的拐角部分142-1至142-4中的每一者的上表面(例如,第一表面51a)处。然而,本公开不限于此。
另外,壳体140可以在其拐角部分142-1至142-4中的每个拐角部分的上部分、上端部或上表面上设置有导引突起部分146,该导引突起部分146构造成导引涂覆在支承构件220上的阻尼器。
壳体140可以在其上部分、上端部或上表面上设置有至少一个第一联接部分,该至少一个第一联接部分联接至上弹性构件150的第一外框架152。另外,壳体140可以在其下部分、下端部或下表面上设置有至少一个第二联接部分,该至少一个第二联接部分联接并且固定至下弹性构件160的第二外框架162。
壳体140的第一联接部分和第二联接部分中的每一者可以是平面、凹部或突出部。
通过热熔或使用粘合剂,壳体140的第一联接部分可以联接至上弹性构件150的第一外框架152的孔152a,并且壳体140的第二联接部分可以联接至下弹性构件160的第二外框架162的孔162a。
壳体140可以包括第一坐置部分141a和第二坐置部分141b,第一坐置部分141a设置在彼此相对定位的两个侧部部分中的一个侧部部分(例如,第一侧部部分141-1)中,使得第一磁体130-1布置在该第一坐置部分141a中,第二坐置部分141b设置在两个侧部部分中的另一个侧部部分141-2中,使得第二磁体130-2布置在该第二坐置部分141b中。
另外,壳体140可以包括第三坐置部分141c和第四坐置部分141d,第三坐置部分141c设置在彼此相对定位的另外两个侧部部分中的一个侧部部分(例如,第三侧部部分141-3)中,使得第三磁体130-3布置在该第三坐置部分141c中,第四坐置部分141d设置在所述另外两个侧部部分中的另一个侧部部分141-4中,使得虚设构件135布置在该第四坐置部分141d中。
壳体140的第一坐置部分141a至第三坐置部分141c中的每一者可以设置在壳体140的侧部部分中的相应一个侧部部分的内表面中。然而,本公开不限于此。壳体140的第一坐置部分141a至第三坐置部分141c中的每一者可以设置在壳体140的侧部部分中的相应侧部部分的外表面中。
壳体140的第一坐置部分141a至第三坐置部分141c中的每一者可以是具有与第一磁体130-1至第三磁体130-3中的相应一者对应或一致的形状的凹部、例如凹形的凹部。然而,本公开不限于此。
例如,在壳体140的第一坐置部分141a(或第二坐置部分141b)中形成有与第一线圈单元120-1(或第二线圈单元)相对的第一开口和与第三线圈单元230-1(或第四线圈单元230-2)相对的第二开口。设置开口以容易地安装磁体130。在另一实施方式中,可以省去第一开口和第二开口中的至少一者。
可以在壳体140的第三坐置部分141c中形成与绕线架110的外表面相反的第一开口和与第五线圈单元230-3相对的第二开口。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,可以省去第一开口和第二开口中的至少一者。
壳体140的第四坐置部分141d可以包括构造成朝向壳体140的第四侧部部分141-4的外表面敞开的第一开口和构造成朝向壳体140的第四侧部部分的下表面敞开的第二开口。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,可以省去第一开口和第二开口中的至少一者。
例如,固定至壳体140的坐置部分141a、141b或141c或设置在壳体140的坐置部分141a、141b或141c中的磁体130-1、130-2或130-3的一个侧表面可以通过坐置部分141a、141b或141c的第一开口而暴露。另外,固定至壳体140的坐置部分141a、141b或141c或设置在壳体140的坐置部分141a、141b或141c中的磁体130-1、130-2或130-3的下表面可以通过坐置部分141a、141b或141c的第二开口而暴露。
固定至壳体140的坐置部分141d或设置在壳体140的坐置部分141d中的虚设构件135的一个侧表面可以通过第一开口而暴露于壳体140的第四侧部部分141-4的外表面,并且虚设构件135的下表面可以通过第二开口而暴露。
例如,第一磁体130-1、第二磁体130-2和第三磁体130-3以及虚设构件135可以使用粘合剂分别固定至坐置部分141a至141d。
支承构件220-1至220-4可以布置在壳体140的拐角部分142-1至142-4处。壳体140的拐角部分142-1至142-4中设置有孔147a,该孔147a限定支承构件220-1至220-4延伸的路径。
例如,壳体140可以包括穿过拐角部分142-1至142-4的上部分而形成的孔147a。
在另一实施方式中,在壳体140的拐角部分142-1至142-4中设置的孔可以从壳体140的拐角部分的外表面凹陷,并且孔中的每个孔的至少一部分可以朝向拐角部分中的相应拐角部分的外表面敞开。壳体140的孔147a的数目可以等于支承构件的数目。
壳体140可以设置有从壳体140的侧部部分141-1至141-4的外表面突起的至少一个止挡部(未示出)。至少一个止挡部可以防止壳体140在盖构件300沿与光轴垂直的方向移动时与盖构件300碰撞。
为了防止壳体140的下表面与基部210和/或电路板250碰撞,壳体140还可以设置有从壳体140的下表面突起的止挡部(未示出)。
为了确保支承构件220-1至220-4延伸的路径并且确保待被填充能够用作阻尼器的硅树脂的空间,壳体可以在其拐角部分142-1至142-4的下部分或下端部中设置有凹部148。例如,壳体140的凹部148和壳体140的孔147a可以连接至彼此。例如,壳体140的孔147a的下端部可以朝向壳体140的凹部148敞开。
壳体140可以在其第四侧部部分141-1中设置有构造成接纳电路板190的第一凹部14a和构造成接纳第一位置传感器170的第二凹部14b。
为了容易地安装电路板190,壳体140的第一凹部14a可以在壳体140的上部分处敞开,并且可以具有与电路板190的形状对应或一致的形状。
第二凹部14b可以具有构造成向壳体130的内部敞开的开口,并且可以抵接或可以连接至第一凹部14a。然而,本公开不限于此。第二凹部14b可以具有与第一位置传感器170的形状对应或一致的形状。
接下来,将描述第一磁体130-1、第二磁体130-2和第三磁体130-3。
第一磁体130-1、第二磁体130-2和第三磁体130-3可以在壳体140处布置成彼此间隔开。例如,第一磁体130-1至第三磁体至130-3中的每一者可以布置在绕线架110与壳体140之间。
第一磁体130-1、第二磁体130-2和第三磁体130-3可以布置在壳体140的侧部部分处。
第一磁体130-1和第二磁体130-2可以分别布置在壳体140的侧部部分141-1至141-4中的两个相对的侧部部分141-1和141-2处。
例如,第一磁体130-1可以布置在壳体140的第一侧部部分141-1处,并且第二磁体130-2可以布置在壳体140的与第一侧部部分141-1相对的第二侧部部分141-2处。例如,第三磁体130-3可以布置在壳体140的第三侧部部分141-3处。
例如,第一磁体130-1至第三磁体130-3中的每一者可以布置在壳体140的第一坐置部分141a至第三坐置部分141c中的相应一者中。
用于AF驱动的第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2布置在绕线架110的两个相对的侧部部分处,并且在绕线架110与第三磁体130-3之间未布置用于AF驱动的线圈单元。另外,在绕线架110与虚设构件135之间未布置用于AF驱动的线圈单元。
另外,对于OIS驱动,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3和第一磁体130-1至第三磁体130-3在光轴方向上彼此对应,并且在虚设构件135与电路板250之间没有布置用于OIS驱动的第二线圈230。
例如,第一磁体130-1可以包括与第一线圈单元120-1相对的第一表面,并且第一磁体130-1的第一表面可以包括两个极、即N极和S极,以及定位在两个极之间的第一分隔部11c。例如,第一分隔部11c可以是非磁性分隔部。
例如,第一磁体130-1可以包括在光轴方向上与第三线圈单元230-1相对的第二表面,并且第一磁体130-1的第二表面可以包括两个极、即N极和S极。
例如,第二磁体130-2可以包括与第二线圈单元120-2相对的第一表面,并且第二磁体130-2的第一表面可以包括两个极、即N极和S极,以及定位在两个极之间的第二分隔部12c。例如,第二分隔部12c可以是非磁性分隔部。
例如,第二磁体130-2可以包括在光轴方向上与第四线圈单元230-2相对的第二表面,并且第二磁体130-2的第二表面可以包括两个极、即N极和S极。
例如,第三磁体130-3可以包括与绕线架110的侧部部分相对的第一表面,绕线架110的该侧部部分与壳体140的布置有第三磁体130-3的侧部部分141-3相对,并且第三磁体130-3的第一表面可以包括两个极、即N极和S极。
另外,例如,第三磁体130-3可以包括在光轴方向上与第五线圈单元230-3相对的第二表面,并且第三磁体130-3的第二表面可以包括两个极、即N极和S极,以及定位在两个极之间的第三分隔部13c。例如,第三分隔部13c可以是非磁性分隔部13c。
在AF移动单元的初始位置处,第一磁体130-1可以在与光轴垂直的方向上并且在从光轴至第一线圈单元120-1(或第一线圈单元120-1的中心)的方向上与第一线圈单元120-1重叠。
在AF移动单元的初始位置处,第二磁体130-2可以在与光轴垂直的方向上并且在从光轴至第二线圈单元120-2(或第二线圈单元120-2的中心)的方向上与第二线圈单元120-2重叠。
在AF移动单元的初始位置处,第三磁体130-3可以在与光轴垂直的方向上并且在从壳体140的第三侧部部分141-3至第四侧部部分141-4的方向不与第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2相对或重叠。
例如,第一磁体130-1至第三磁体130-3中的每一者可以布置在壳体140的第一坐置部分141a至第三坐置部分141c中的相应一者中。
第一磁体130-1可以在与光轴垂直的方向和从壳体140的第一侧部部分141-1至第二侧部部分141-2的方向上与第二磁体130-2重叠,并且可以与第三磁体130-3不重叠。
第一磁体130-1至第三磁体130-3中的每一者均可以具有多面体形状,该多面体形状可以容易地坐置或布置在壳体140的第一坐置部分141a至第三坐置部分141c中的相应一者中。例如,第一磁体130-1至第三磁体130-3中的每一者可以具有平坦的形状。然而,本公开不限于此。
第一磁体130-1至第三磁体130-3中的每一者可以是包括两个N极和两个S极的4极磁体。此处,4极磁体可以称为双极磁化磁体。稍后将描述第一磁体130-1至第三磁体130-3。
虚设构件135可以布置在壳体140的第四侧部部分141-4处。虚设构件135可以是非磁性材料。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件可以包括磁性材料。例如,虚设构件135可以是金属或绝缘体。
虚设构件135可以具有与第三磁体130-3相同的质量。然而,本公开不限于此。为了重量平衡,虚设构件135可以布置侧部部分141-1处,该侧部部分141-1定位成与布置有第三磁体130-3的侧部部分141-3相对。
在AF移动单元的初始位置处,虚设构件135可以在与光轴垂直的方向上并且从壳体140的第三侧部部分141-3至第四侧部部分141-4的方向上不与第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2相对或重叠。
虚设构件135可以在与光轴垂直的方向上并且从壳体140的第三侧部部分141-3至第四侧部部分141-4的方向上与第三磁体130-3重叠。
例如,虚设构件135可以在从壳体140的第三侧部部分141-3至第四侧部部分141-4的方向上不与第一磁体130-1和第二磁体130-2重叠。
另外,虚设构件135的至少一部分可以在与光轴垂直的方向和从壳体140的第三侧部部分141-3至第四侧部部分141-4的方向上与位置传感器170重叠。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以不彼此重叠。
在虚设构件135包括磁性材料的情况下,虚设构件135的磁性的大小可以小于第三磁体130-3的磁性的大小。由于透镜移动单元布置成使得包括在透镜移动单元中的虚设构件彼此相邻,因此,根据实施方式的摄像头模块能够降低包括在相邻的两个透镜移动单元中的磁体之间的磁场干扰。
例如,虚设构件135可以包括钨,并且钨可以占虚设构件135的总重量的95%以上。例如,虚设构件135可以是钨合金。
虚设构件135可以具有多面体形状、比如长方体形状。然而,本公开不限于此。虚设构件135可以具有各种形状中的任何形状。例如,虚设构件135可以在其侧边缘处是圆形的或弯曲的。
接下来,将描述电路板190和第一位置传感器170。
第一位置传感器170和电路板190布置在壳体140的侧部部分中的一个侧部处。例如,第一位置传感器170和电路板190可以布置在壳体140的布置有虚设构件135的第四侧部部分141-4处。提供该布置以避免第一磁体130-1至第三磁体130-3与安装有第一位置传感器170的电路板190之间的空间干扰。
例如,电路板190可以布置在壳体140的第一凹部14a处,并且第一位置传感器170可以布置或安装在电路板190处。
在AF移动单元的初始位置处,第一位置传感器170的至少一部分可以在与光轴垂直的方向并且从光轴至第一位置传感器170的方向上与感测磁体180重叠。然而,本公开不限于此。
第一位置传感器170可以布置在电路板190的第一表面处。此处,安装至壳体140的电路板190的第一表面可以是与壳体140的内部相反的表面(或绕线架110的外表面)。
第一位置传感器170可以以包括霍尔传感器的驱动器集成电路(IC)的形式配置,或者可以仅实现为位置传感器比如霍尔传感器。
在第一位置传感器170仅实现为霍尔传感器的情况下,第一位置传感器170可以包括两个输入端子和两个输出端子。第一位置传感器170的输入端子和输出端子中的每一者可以连接至电路板190的第一衬垫至第四衬垫中的相应一者。
例如,电路板190可以是印刷电路板或FPCB。
例如,电路板190的第一端部子至第四端子可以分别连接至上弹簧150-1至150-4,并且可以经由支承构件220-1至220-4连接至电路板250。第一位置传感器170可以连接至电路板250。例如,第一位置传感器170的两个输入端子和两个输出端子可以经由电路板190、上弹簧150-1至150-4和支承构件220-1至220-4而连接至电路板250的端子。
在第一位置传感器170是包括霍尔传感器的驱动器IC的情况下,第一位置传感器可以包括被配置成发送和接收时钟信号SCL、数据信号SDA以及电功率信号VCC和GND的四个端子以及被配置成向第一线圈120提供驱动信号的两个端子。
接下来,将描述上弹性构件150、下弹性构件160、支承构件220,第二线圈230、电路板250和基部210。
图6是上弹性构件150的平面图,图7是示出了上弹性构件150、第一位置传感器170与支承构件220之间的电连接关系的视图,图8是下弹性构件160和壳体140的底部视图,图9a是基部210、第二线圈230和电路板250的分离立体图,并且图9b示出了包括第二位置传感器240的另一实施方式。
参照图6至图9a,上弹性构件150可以联接至绕线架110的上部分、上表面或上端部,并且可以联接至壳体140的上部分、上表面或上端部。弹性构件160可以联接至绕线架110的下部分、下表面或下端部,并且可以联接至壳体140的下部分、下表面或下端部。
上弹性构件150和下弹性构件160可以构成弹性构件。弹性构件可以联接至绕线架和壳体。弹性构件可以相对于壳体140弹性地支承绕线架110。
上弹性构件150可以包括彼此分离的多个上弹簧150-1至150-4。在图6中,示出了彼此分离的四个上弹簧。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,上弹簧的数目可以是两个或更多个。
例如,第一上弹簧150-1可以布置在壳体140的第一拐角部分142-1和第四侧部部分141-4上。
例如,第二上弹簧150-2可以布置在壳体140的第四侧部部分141-4和第二拐角部分142-2上。
例如,第三上弹簧150-3可以布置在壳体140的第二拐角部分142-2、第二侧部部分141-2和第三拐角部分142-3上。
例如,第四上弹簧150-4可以布置在壳体140的第四拐角部分142-4、第一侧部部分141-1和第一拐角部分142-1上。
第一上弹簧150-1至第四上弹簧150-4中的至少一者还可以包括:联接至绕线架110的第一内框架151、联接至壳体140的第一外框架152、以及构造成将第一内框架151和第一外框架152相互连接的第一框架连接部分153。在另一实施方式中,内框架可以称为“内部分”,外框架152可以称为“外部分”,并且框架连接部分可以称为“连接部分”。
例如,第一上弹簧150-1和第二上弹簧150-2中的每一者可以包括第一外框架152,并且可以不包括第一内框架和第一框架连接部分。第三上弹簧150-3和第四上弹簧150-4中的每一者可以包括第一内框架151、第一外框架152和第一框架连接部分153。然而,本公开不限于此。
例如,第一内框架151可以设置有孔151a,绕线架110的第一联接部分联接至孔151a中。另外,例如,第一外框架152可以设置有孔152a,壳体140的第一联接部分联接至孔152a中。
第一上弹簧150-1至第四上弹簧150-4的第一外框架152可以具有分别连接至电路板190的端子的接触部分P1至P4。
第一上弹簧150-1至第四上弹簧150-4中的每一者的第一外框架152可以包括:与支承构件220-1至220-4中的相应一者联接的第一联接部分510、与壳体140的拐角部分中的相应一个拐角部分联接的第二联接部分520、以及构造成将第一联接部分510和第二联接部分520相互连接的连接部分530。
例如,连接部分530可以包括:第一连接部分530-1,该第一连接部分530-1构造成将第一联接部分510与第二联接部分520的第一区域相互连接;以及第二连接部分530-2,该第二连接部分530-2构造成将第一联接部分510与第二联接部分520的第二区域相互连接。连接部分530可以包括至少弯折或至少弯曲一次的部分。
下弹性构件160可以包括两个下弹簧。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,下弹性构件可以包括单个下弹簧或三个下弹簧或更多个下弹簧。
例如,第一下弹簧160-1和第二下弹簧160-2中的每一者可以包括:第二内框架161,该第二内框架161联接或固定至绕线架110的下部分、下表面或下端部;第二外框架162,该第二外框架162联接或固定至壳体140的下部分、下表面或下端部;以及第二框架连接部分163,该第二框架连接部分163构造成将第二内框架161和第二外框架162相互连接。
上弹性构件150的第一框架连接部分153和下弹性构件160的第二框架连接部分163中的每一者可以形成为至少弯折或弯曲(或歪曲)一次以形成预定的图案。绕线架110沿第一方向的向上和/或向下运动可以通过第一框架连接部分153和第二框架连接部分163的位置变化和微小变形而被灵活地(或弹性地)支承。
第二内框架161可以设置有孔161a,绕线架110的第二联接部分联接至孔161a中,并且第二外框架162可以设置有孔162a,壳体140的第二联接部分联接至孔162a中。
上弹簧150-1至150-4以及下弹簧160-1和160-2中的每一者都可以实现为板簧;然而,本公开不限于此。上弹簧和下弹簧中的每一者可以实现为螺旋弹簧等。另外,对于上弹簧和下弹簧,“弹簧”可以称为“弹性单元”。
为了吸收或减轻绕线架110的振动,透镜移动装置100还可以包括在上弹簧150-1至150-4中的每一者与绕线架110(或壳体140)之间布置的第一阻尼器(未示出)。
例如,第一阻尼器(未示出)可以布置在上弹簧150-1至150-4中的每一者的第一框架连接部分153与绕线架110之间的空间中。
另外,例如,透镜移动装置100还可以包括在下弹性构件160的第二框架连接部分163与绕线架110(或壳体140)之间布置的第二阻尼器(未示出)。
另外,例如,透镜移动装置100还可以包括在支承构件220与壳体140的孔147a之间布置的第三阻尼器(未示出)。
另外,例如,透镜移动装置100还可以包括在第一联接部分510和支承构件220的一个端部处布置的第四阻尼器(未示出),并且还可以包括在支承构件220的另一个端部和电路板250处布置的第五阻尼器(未示出)。
另外,例如,阻尼器(未示出)还可以布置在壳体140的内表面与绕线架110的外表面之间。
接下来,将描述支承构件220。
支承构件220可以支承壳体140,以便能够相对于基部210沿与光轴垂直的方向移动。支承构件220可以将上弹性构件150与下弹性构件160中的至少一者连接至电路板250。
支承构件220可以包括多个支承构件220-1至220-4。
例如,支承构件可以包括与壳体140的拐角部分142-1至142-4对应的第一支承构件220-1至第四支承构件220-4。
第一支承构件220-1至第四支承构件220-4中的每一者可以布置在壳体140的第一拐角部分142-1至第四拐角部分142-4中的相应一者处,并且可以将第一上弹簧150-1至第四上弹簧150-4中的相应一者连接至电路板250。
例如,第一支承构件220-1至第四支承构件220-4中的每一者可以将第一上弹簧150-1至第四上弹簧150-4中的相应一者连接至电路板250的端子中的相应一个端子。
第一支承构件220-1至第四支承构件220-4可以与壳体140间隔开,而不是固定至壳体140,并且第一支承构件220-1至第四支承构件220-4中的每一者的一个端部可以通过焊接直接连接或联接至第一上弹簧150-1至第四上弹簧150-4中的相应一者的第一联接部分510。
另外,第一支承构件220-1至第四支承构件220-4中的每一者的另一个端部可以通过焊接直接连接或联接至电路板250。例如,第一支承构件220-1至第四支承构件220-4中的每一者的另一个端部可以直接连接或联接至电路板250的下表面。在另一实施方式中,支承构件220-1至220-4中的每一者的另一个端部可以联接至第二线圈230的电路构件231或基部210。
例如,第一支承构件220-1至第四支承构件220-4中的每一者可以延伸穿过在壳体140的拐角部分142-1至142-4中的相应一者中形成的孔147a。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,支承构件可以布置成与壳体140侧部部分141-1至141-4与拐角部分142之间的界线相邻,并且可以不延伸穿过壳体140的拐角部分142-1至142-4。
第一线圈120可以连接至下弹性构件150。
在第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2连接至彼此的情况下(情况1),第一线圈单元120-1的一个端部可以连接或联接至第一下弹簧160-1至第四下弹簧160-4中的一者(例如160-2)中的第二内框架161,并且第二线圈单元120-2的一个端部可以连接或联接至第一下弹簧160-1至第四下弹簧160-4中的另一者(例如160-4)的第二内框架161。
当第一位置传感器170在CASE1中单独地实现为位置传感器比如霍尔传感器时,连接至第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2的两个下弹簧(例如160-2和160-4)可以连接至电路板250的端子,并且可以通过电路板250向第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2提供单独的驱动信号。
当第一位置传感器170在CASE1中以包括霍尔传感器的驱动器集成电路(IC)的形式配置时,连接至第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2的两个下弹簧(例如160-2和160-4)可以连接至第一位置传感器170,并且可以通过第一位置传感器170向第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2提供单个驱动信号。
在第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2彼此分离的另一实施方式的情况下(情况2),第一线圈单元120-1可以连接或联接至第一下弹簧160-1至第四下弹簧160-4中的两者(例如160-1和160-2)的第二内框架,并且第二线圈单元120-2可以连接或联接至第一下弹簧160-1至第四下弹簧160-4中的另外两者(例如160-3和160-4)的第二内框架。
当第一位置传感器170在CASE2中仅实现为位置传感器比如霍尔传感器时,第一下弹簧160-1至第四下弹簧160-4可以连接至电路板250。例如,第一下弹簧160-1至第四下弹簧160-4可以连接至电路板250的端子,并且可以通过电路板250向第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2提供单个驱动信号(例如,驱动电流)。
当第一位置传感器170在CASE2中以包括霍尔传感器的驱动器集成电路(IC)的形式配置时,第一下弹簧160-1至第四下弹簧160-4可以连接至第一位置传感器170,并且可以通过第一位置传感器170向第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2提供单个驱动信号(例如,驱动电流)。
支承构件220可以实现为弹性支承构件比如吊线、板簧或螺旋弹簧。另外,在另一实施方式中,支承构件220可以与上弹性构件150一体地形成。
接下来,将描述基部210、电路板250和第二线圈230。
参照图9a,基部210可以布置在绕线架110(或壳体140)的下方。
基部210可以具有与绕线架110的开口和/或壳体140的开口对应的开口,并且可以形成为与盖构件300的形状一致或对应的形状、比如四边形。
支柱部分255或支承部分可以设置在基部210的与电路板250的端子251相对的区域中。基部210的支柱部分255可以支承电路板250的端子表面253的形成有端子251的端子部分。
基部210可以在其每个拐角部分中设置有凹形的凹部212,以便避免与支承构件220-1至220-4中的相应一者的联接至电路板250的另一个端部的空间干涉。
另外,基部210可以在其开口周围的上表面上设置有突起部分19,该突起部分19联接至电路板250的开口和电路构件231的开口231a。
另外,基部210可以在其下表面中设置有坐置部分(未示出),在坐置部分中安装有摄像头模块200的滤光器610。
电路板250布置在基部210的上表面上,并且可以具有与绕线架110的开口、壳体140的开口和/或基部210的开口对应的开口。电路板250可以形成为与基部210的上表面的形状一致或对应的形状、比如四边形。
电路板250可以具有至少一个端子表面253,该端子表面253从电路板250的上表面弯折,并且在该端子表面253处设置有配置成接收来自外部的电信号的多个端子251或引脚。例如,电路板250可以包括在电路板250的上表面的侧部中的两个相反侧部处布置的两个端子表面。然而,本公开不限于此。
可以通过设置在电路板250的端子表面253处的多个端子251向第一线圈120和第二线圈230提供驱动信号。另外,通过电路板250的端子251,可以向第一位置传感器170提供驱动信号,可以接收和输出第一位置传感器170的输出信号,可以向第二位置传感器240提供驱动信号,并且可以接收和输出第二位置传感器240的输出信号。
向第一线圈120和/或第二线圈230提供的驱动信号可以是直流信号或交流信号,并且可以具有电流或电压的形式。
电路板250可以是FPCB。然而,本公开不限于此。电路板250的端子可以利用表面电极方案等而直接形成在基部210的表面上。
为了避免与支承构件的空间干扰,电路板250可以包括由支承构件220-1至220-4延伸穿过的孔250a。孔250a的位置和数目可以与支承构件220-1至220-4的位置和数目对应或一致。
在另一实施方式中,电路板250可以在其拐角部分中设置有避开凹部来替代孔250a。
例如,支承构件220-1至220-4可以延伸穿过电路板250的孔250a,并且可以经由焊料连接至布置在电路板250的下表面处的电路图案。然而,本公开不限于此。
在另一实施方式中,电路板250可以不具有孔,并且支承构件220-1至220-4可以经由焊料连接至布置在电路板250的上表面处的电路图案或衬垫。
在另一实施方式中,支承构件220-1至220-4可以连接至电路构件231,并且电路构件231可以将支承构件220-1至220-4连接至电路板250。
第二线圈230可以布置在绕线架110(或壳体)的下方,并且可以布置在电路板250的上表面上。
第二线圈230可以包括与布置在壳体140处的第一磁体130-1对应的第三线圈单元230-1、与第二磁体130-2对应的第四线圈单元230-2以及与第三磁体130-3对应的第五线圈单元230-3。
例如,第三线圈单元230-1在光轴方向上可以与第一磁体130-1相对或可以与第一磁体130-1重叠,第四线圈单元230-2在光轴方向上可以与第二磁体130-2相对或与第二磁体130-2重叠,并且第五线圈单元230-3在光轴方向上可以与第三磁体130-3相对或可以与第三磁体130-3重叠。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-5中的每一者可以具有包含中心孔的闭合曲线形状、比如环形状,并且该中心孔可以形成为面对光轴方向。
例如,第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2可以布置成在从第一磁体130-1至第二磁体130-2的方向上彼此面对。
另外,例如,第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者在从第一磁体130-1至第二磁体130-2的方向上可以不与第五线圈单元230-3重叠。
例如,第二线圈230还可以包括四边形电路构件231,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3形成在该四边形电路构件231处。
此处,电路构件231可以称为“基板”,并且基板231可以包括第二线圈230。另外,例如,第一线圈单元120-1可以称为第一线圈,第一线圈单元120-1可以称为第一线圈。第二线圈单元120-2可以称为第二线圈,并且第二线圈230可以称为第三线圈。此时,基板231可以包括第三线圈。
例如,电路构件231可以包括四个侧部23a至23d(参见图11),并且可以包括与壳体140的开口、电路板250的开口和/或基部210的开口对应的开口231a。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以布置在电路构件231的三个侧部中的相应一个侧部处,并且在电路构件231的剩余一个侧部处可以不布置线圈单元。
例如,第三线圈单元230-1和第五线圈单元230-2中的每一者可以布置成平行于电路构件231的相对的第一侧部和第二侧部中的相应一者,并且第五线圈单元230-3可以布置成平行于电路构件231的第三侧部或第四侧部。
为了避免与支承构件220-1至220-4的空间干扰,可以在电路构件231的拐角中设置孔230a,并且支承构件220-1至220-4可以延伸穿过电路构件231的孔230a。在另一实施方式中,电路构件可以具有在其角部处设置的凹部而不是孔,以便避免与支承构件的空间干涉。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3可以连接至电路板250。例如,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以连接至电路板250的端子中的对应一个端子。
电路板250可以包括连接至第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的结合部分或衬垫,并且电路板250的结合部分或衬垫可以连接至电路板250的端子。
在图9中,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3可以形成在电路构件231处,而不是在电路板250处。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以构造为呈环形线圈块或FP线圈的形式。在又一实施方式中,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以构造为形成在电路板250上的电路图案的形式。
电路板250和电路构件231是单独被提及的分离的部件。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,电路板250和电路构件231可以共同称为“电路构件”。在这种情况下,支承构件中的每个支承构件的另一个端部可以联接至“电路构件”(例如,电路构件的下表面)。
参照图9b,透镜移动装置100还可以包括用于OIS反馈驱动的第二位置传感器240。第二位置传感器240可以包括第一传感器240a和第二传感器240b。
第一传感器240a和第二传感器240b中的每一者可以是霍尔传感器,并且可以使用任何传感器,只要该传感器能够感测磁场的大小即可。例如,第一传感器240a和第二传感器240b中的每一者可以以包括霍尔传感器的驱动器的形式来配置,或者可以仅实现为位置传感器比如霍尔传感器。
例如,第一传感器240a和第二传感器240b可以布置或安装在电路板250的下表面处,可以在基部210的上表面中设置坐置凹部215-1和215-2,并且第一传感器240a和第二传感器240b可以布置在基部210的坐置凹部215-1和215-2中。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第一传感器和第二传感器可以布置在电路板250的上表面处。
第一传感器240a可以布置成在光轴方向上与第一磁体130-1和第二磁体130-2中的一者相对或重叠。
第二传感器240b可以布置成在光轴方向上与第三磁体130-3相对或重叠。
第一传感器240a和第二传感器240b可以连接至电路板250的端子。例如,驱动信号可以通过电路板250的端子提供至第一传感器240a和第二传感器240b,并且第一传感器240a的第一输出和第二传感器240b的第二输出可以通过电路板250的端子输出。
摄像头模块200的控制器830或端子200A的控制器780可以利用第一传感器240a的第一输出和第二传感器240b的第二输出来感测或检测OIS移动单元的移位。
例如,第一传感器240a和第二传感器240b可以布置或安装在电路板250的下表面处,并且可以布置在基部210的坐置凹部215-1和215-2中。然而,本公开不限于此。
第一传感器240a和第二传感器240b可以感测OIS移动单元沿垂直于光轴OA的方向的移位。
由于第一磁体130-1与第三线圈单元230-1之间的相互作用、第二磁体130-2与第四线圈单元230-2之间的相互作用、以及第三磁体130-3与第五线圈单元230-3之间的相互作用,OIS移动单元(例如,壳体140)可以沿垂直于光轴OA的方向、例如沿X轴方向和/或Y轴方向移动,由此可以执行手抖补偿。
接下来,将描述盖构件300。
盖构件300可以将OIS移动单元、上弹性构件150、下弹性构件160、第二线圈230、基部210、电路板250、支承构件220和第二位置传感器240接纳在与基部210一起形成的接纳空间中。
盖构件300可以形成为呈盒的形状,该盖构件300的下部分是敞开的,并且盖构件300包括上板和侧板。盖构件300的下部分可以联接至基部210的上部分。盖构件300的上板的形状可以是多边形的、例如四边形或八边形。
盖构件300可以在其上板中设置有开口,联接至绕线架110的透镜(未示出)通过该开口暴露于外部光。盖构件300可以由非磁性材料比如SUS制成,以防止磁体130吸引盖构件的现象。盖构件300可以由金属制成。然而,本公开不限于此。盖构件可以由塑料制成。另外,盖构件300可以连接至摄像头模块200的第二保持件800的接地。盖构件300可以阻挡电磁干扰(EMI)。
图10a是透镜移动装置100的沿图3的AB方向的截面图,图10b是透镜移动装置100的沿图3的CD方向的截面图,图10c是透镜移动装置100的沿图3的EF方向的截面图,图10d是透镜移动装置100的沿图3的GH方向的截面图,图11是图9b的第二线圈230的平面图,图12是第一磁体130-1至第三磁体130-3、虚设构件135以及第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-5的立体图,图13是图12中所示的部件130-1、130-3、230-1、230-5和135的侧视图,以及图14是图12中所示的部件130-1、130-3、230-1、230-5和135的平面图。
参照图10a至图14,第一磁体130-1和第二磁体130-2可以具有相同的长度、宽度和高度。然而,本公开不限于此。另外,第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2可以具有相同的长度、宽度和高度。然而,本公开不限于此。
将参照图12和图13对第一磁体130-1的长度L1、宽度W1和高度H1和第二磁体130-2的长度L2、宽度W2和高度H2以及虚设构件135的长度L3、宽度W3和高度H3进行描述。另外,还将描述第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的长度M1和M2、宽度K1和K2以及高度(在光轴方向上的长度或厚度)。
此处,第一磁体130-1至第三磁体130-3的长度L1和L2可以是第一磁体130-1至第三磁体130-3在纵向方向上的长度,并且虚设构件135的长度L3可以是虚设构件135在纵向方向上的长度。另外,第一磁体130-1至第三磁体130-3的宽度W1和W2可以是第一磁体130-1至第三磁体130-3在宽度方向上的长度,并且虚设构件135的宽度W3可以是虚设构件135在宽度方向上的长度。
此处,宽度方向可以垂直于纵向方向,并且可以是部件130-1至130-3和135中的每一者的长度较小的方向。另外,部件130-1至130-3和135中的每一者的宽度可以称为部件130-1至130-3和135中的每一者的“厚度”。
例如,第一磁体130-1至第三磁体130-3的长度L1和L2可以是第一磁体130-1至第三磁体130-3的与绕线架110相对的第一表面在纵向方向上的长度。另外,虚设构件135的长度L3可以是虚设构件135的与绕线架110相对的第一表面在纵向方向上的长度。
另外,例如,第一磁体130-1至第三磁体130-3和虚设构件135的宽度W1、W2和W3可以是从部件130-1至130-3和135的与绕线架110相对的第一表面至部件130-1至130-3和135的与第一表面相反的第二表面的距离。
另外,例如,第一磁体130-1至第三磁体130-3的高度H1、H2和虚设构件135的高度H3可以是部件在光轴方向上的长度。
另外,例如,高度H1、H2和H3可以是部件130-1至130-3和135的与绕线架110相对的第一表面在竖向方向上的长度。另外,例如,高度H1、H2和H3可以是从部件130-1至130-3和135的第一表面的下表面至上表面的距离。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的长度M1和M2中的每一者可以是在第一磁体130-1至第三磁体中的相应一者的纵向方向上或与该纵向方向平行的方向上的长度。例如,M1和M2可以是第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3在纵向方向上的长度,并且M1和M2中的每一者可以是第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者的最外端部之间的长度。
另外,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的长度X1、X2和Y1可以是第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者的内部分(或内表面)的最外端部之间的长度。
另外,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的宽度K1和K2中的每一者可以是在第一磁体130-1至第三磁体中的相应一者的宽度方向上或与该宽度方向平行的方向上的长度。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者的高度可以是在光轴方向上的长度,并且第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的高度可以是相同的。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的高度中的至少一者可以与其他高度不同。
第一磁体130-1的长度L1可以小于第三线圈单元230-1的长度M1和X1(L1<M1,X1)。第一磁体130-1在宽度方向上的长度W1可以小于第三线圈单元230-1在宽度方向上的长度K1(W1<K1)。
另外,第二磁体130-2的长度可以小于第四线圈单元230-2的长度M1和X2。第二磁体130-2在宽度方向上的长度可以小于第四线圈单元230-2在宽度方向上的长度。
第三磁体130-3的长度L2可以小于第五线圈单元230-3的长度M2和Y1(L2<M2,Y1)。第三磁体130-3在宽度方向上的长度W2可以小于第五线圈单元230-3在宽度方向上的长度K2(W2<K2)。在另一实施方式中,W2和K2可以彼此相等。
第五线圈单元230-3在纵向方向上的长度M2可以大于第三线圈单元230-1在纵向方向上的长度M1和/或第四线圈单元230-2在纵向方向上的长度(M2>M1)。另外,第五线圈单元230-3的长度Y1可以大于第三线圈单元230-1的长度X1和/或第四线圈单元230-2的长度X2(Y1>X1,X2)。
另外,例如,第三线圈单元230-1的长度X1和第四线圈单元230-2的长度X2可以彼此相等(X1=X2)。
第三磁体130-3的长度L2可以大于第一磁体130-1的长度L1和/或第二磁体130-2的长度(L2>L1)。
由于M2>M1且L2>L1,由第五线圈单元230-3和第三磁体130-3产生的第一电磁力可以大于由第三线圈单元230-1和第一磁体130-1产生的第二电磁力,并且可以大于由第四线圈单元230-2和第二磁体130-2产生的第三电磁力。结果,该实施方式能够减小X轴方向上的第一电磁力与Y轴方向上的第二电磁力和第三电磁力的总和之间的差,由此提高OIS操作中的可靠性。
在另一实施方式中,M2=M1并且L2=L1。
例如,L1:L2=1:1至1:1.5。另外,例如,L1:L2=1:1.2至1:1.4。
另外,第五线圈单元230-3在宽度方向上的长度K2可以大于第三线圈单元230-1在宽度方向上的长度K1和/或第四线圈单元230-2在宽度方向上的长度(K2>K1)。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以彼此相等。
第一磁体130-1在宽度方向上的长度W2可以大于第一磁体130-1在宽度方向上的长度W1和/或第二磁体130-2在宽度方向上的长度(W2>W1)。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,W2=W1。
例如,W1可以是在与光轴和第一磁体130-1(或第二磁体130-2)的一个表面垂直的方向上的长度,并且W2可以是在与光轴和第三磁体130-3的一个表面垂直的方向上的长度。
由于W2>W1,因此该实施方式能够减小在X轴方向上的第一电磁力与在Y轴方向上的第二电磁力和第三电磁力的总和之间的差,由此提高OIS操作中的可靠性。
第三磁体130-3的高度H2可以等于第一磁体130-1的高度H1和/或第二磁体130-2的高度(H2=H1)。此处,H1和H2可以是磁体130-1至130-3在光轴方向上的长度。替代地,H1可以是从第一磁体130-1(或第二磁体130-2)的下表面至上表面的距离,并且H2可以是从第三磁体130-3的下表面至上表面的距离。
即,第三磁体130-3在光轴方向上的长度可以等于第一磁体130-1在光轴方向上的长度和/或第二磁体130-2在光轴方向上的长度。
另外,例如,第一磁体130-1在光轴方向上的长度和第二磁体130-2在光轴方向上的长度可以彼此相等。
参照图11,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以具有包括在光轴方向上敞开的孔的环形形状。
虚设构件135的长度L3可以小于第三磁体130-3在纵向方向上的长度L2(L3<L2),并且虚设构件135在宽度方向上的长度W3可以小于第三磁体130-3在宽度方向上的长度W2(W3<W2)。
由于W3<W2,因此该实施方式能够确保布置有电路板190和第一位置传感器170的足够空间,由此防止电路板190和第一位置传感器170与虚设构件135之间的空间干扰。
在另一实施方式中,W3=W2,并且L2=L3。
另外,第一磁体130-1与第三线圈单元230-1之间的在光轴方向上的第一距离、第二磁体130-2与第四线圈单元230-2之间的在光轴方向上的第二距离、以及第三磁体130-3与第五线圈单元230-2之间的在光轴方向上的第三距离可以彼此相等。然而,本公开不限于此。
在另一实施方式中,第三距离可以小于第一距离和/或第二距离。由于第三距离小于第一距离和/或第二距离,因此与第一距离至第三距离彼此相等的情况相比,可以进一步减小在X轴方向上产生的电磁力与在Y轴方向上产生的电磁力之间的差。
虚设构件135的高度H3可以小于或等于第三磁体130-3的高度H2。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的高度H3可以大于第三磁体130-3的高度H2。
参照图10a,例如,布置在壳体140处的虚设构件135的上表面的高度可以小于位置传感器170的上表面的高度,并且可以大于位置传感器170的下表面的高度。替代地,虚设构件135的上表面的高度可以小于或等于位置传感器170的下表面的高度。
例如,在绕线架110的初始位置处,布置在壳体140处的虚设构件135的上表面的高度可以小于感测磁体180的上表面的高度,并且可以大于感测磁体180的下表面的高度。替代地,在绕线架110的初始位置处,虚设构件135的上表面的高度可以小于或等于感测磁体180的下表面的高度。
例如,虚设构件135的上表面的高度可以小于第三磁体130-3的上表面的高度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的上表面的高度可以大于或等于第三磁体130-3的上表面的高度。
虚设构件135的下表面的高度可以小于第三磁体130-3的下表面的高度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的下表面的高度可以大于或等于第三磁体130-3的下表面的高度。
参照图10c,虚设构件135的上表面的高度可以小于第二磁体130-2(或第一磁体130-1)的上表面的高度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的上表面的高度可以大于或等于第二磁体130-2(或第一磁体130-1)的上表面的高度。
另外,虚设构件135的下表面的高度可以小于第二磁体130-2(或第一磁体130-1)的下表面的高度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的下表面的高度可以大于或等于第二磁体130-2(或第一磁体130-1)的下表面的高度。
实施方式包括三个磁体130-1至130-3和与这些磁体对应的用于OIS的三个线圈单元230-1至230-3,以便减少在双摄像头模块或更多摄像头模块的相邻透镜移动装置中所包括的磁体之间的磁场干扰。
三个磁体130-1至130-3中的两个磁体130-1和130-2可以基于与第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2的相互作用来执行AF操作,并且同时可以基于与第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-4的相互作用在Y轴方向上执行OIS操作。
三个磁体130-1至130-3中的另一磁体130-3可以基于与第五线圈单元230-3的相互作用仅在X轴方向上执行OIS操作。
由于虚设构件135布置成与第三磁体130-3相对,因此该实施方式能够防止由于在OSI操作时的重量偏心引起的振荡。
第一磁体130-1至第三磁体130-3中的每一者可以是具有单个N极和单个S极的单极磁化磁体。例如,第一磁体130-1和第二磁体130-2中的每一者可以布置成使得这两个磁体中的每一者的与第一线圈120(或绕圈架110的外表面)相对的第一表面具有N极,并且这两个磁体中的每一者的与第一表面相反的第二表面具有S极。然而,本公开不限于此。每个磁体可以布置成具有相反极。第一磁体130-1和第二磁体130-2的S极和N极的位置可以设置成使得根据第一线圈120的布置而产生由于第一磁体130-1和第二磁体130-2之间的相互作用形成的电磁力。
另外,例如,第三磁体130-3可以布置成使得第三磁体130-3的与绕线架110的外表面相反的第一表面具有N极,并且第三磁体130-3的与第一表面相反的第二表面具有S极。然而,本公开不限于此。磁体可以布置成具有相反极。
替代地,在另一实施方式中,第一磁体130-1至第三磁体130-3中的每一者可以构造成使得N极和S极在光轴方向上布置。
图15示出了根据另一实施方式的第一磁体130-1a、第二磁体130-2a和第三磁体130-3a。图15的与图12的附图标记相同的附图标记表示相同的部件,并且将简要地给出或省略对相同部件的描述。
参照图15,第一磁体130-1a可以包括第一磁体部分11a、第二磁体部分11b以及布置在第一磁体部分11a与第二磁体部分11b之间的第一分隔部11c。
第二磁体130-2a可以包括第三磁体部分12a、第四磁体部分12b以及布置在第三磁体部分12a与第四磁体部分12b之间的第二分隔部12c。
第三磁体130-3a可以包括第五磁体部分13a、第六磁体部分13b以及布置在第五磁体部分13a与第六磁体部分13b之间的第三分隔部13c。此处,第一分隔部11c可以称为“第一非磁性分隔部”,第二分隔部12c可以称为“第二非磁性分隔部”,第三分隔部13c可以称为“第三非磁性分隔部”。
例如,第一磁体部分11a和第二磁体部分11b可以在光轴方向上彼此间隔开,第三磁体部分12a和第四磁体部分12b可以在光轴方向上彼此间隔开,并且第五磁体部分13a和第六磁体部分13b可以在光轴方向上彼此间隔开。
第一磁体部分11a可以包括N极、S极和在N极与S极之间的第一边界表面21a,并且第二磁体部分11b可以包括N极、S极和在N极与S极之间的第二边界表面21b。
另外,第三磁体部分12a和第四磁体部分12b中的每一者可以包括N极、S极和在N极与S极之间的边界表面。另外,第五磁体部分13a和第六磁体部分13b中的每一者可以包括N极、S极和在N极与S极之间的边界表面。
第一边界表面21a可以是基本没有磁性的部分,可以包括具有较小极性的部分,并且可以是自然产生的以便形成由N极和S极构成的磁体的部分。
第一分隔部11c可以是将第一磁体部分11a和第二磁体部分11b彼此分开或隔离并且基本没有磁性的部分,并且可以是具有较小极性的部分。例如,第一分隔部11c可以是非磁性材料或空气。该分隔部可以称为“中性区”。
第一分隔部11c是在第一磁体部分11a和第二磁体部分11b被磁化时人工形成的部分。第一分隔部11c的宽度W11可以大于第一边界表面21a和第二边界表面21b中的每一者的宽度。
此处,第一分隔部11c的宽度W11可以是非磁性分隔部11c在从第一磁体部分11a至第二磁体部分11b的方向上的长度。替代地,第一分隔部11c的宽度W11可以是第一分隔部11c在光轴方向上的长度。
例如,第一分隔部11c的宽度W11可以是0.2mm至0.5mm。替代地,第一分隔部11c的宽度W11可以是0.3mm至0.4mm。
第一磁体部分11a和第二磁体部分11b可以布置成使得相反的极在光轴方向上彼此相对。
例如,第一磁体部分11a的N极和第二磁体部分11b的S极可以布置成与第一线圈单元120-1相对。然而,本公开不限于此。相反的布置也是可以的。
第一磁体部分11a的边界表面21a和第二磁体部分11b的边界表面21b的描述可以适用于第三磁体部分至第六磁体部分12a、12b、13a和13b中的每一者的边界表面。另外,第一分隔部11c的描述可以适用于第二分隔部12c和第三分隔部13c。
第一分隔部至第三分隔部11c、12c和13c中的每一者可以在水平方向上或垂直于光轴的方向上延伸。
第一磁体部分11a、第一分隔部11c和第二磁体部分11b可以在光轴方向上顺序地布置。第三磁体部分12a、第二分隔部12c和第四磁体部分12b可以在光轴方向上顺序地布置。另外,第五磁体部分13a、第三分隔部13c和第六磁体部分13b可以在光轴方向上顺序地布置。
例如,第一磁体部分11a可以布置在第一分隔部11c上,并且第二磁体部分11b可以布置在第一分隔部11c的下方。另外,第三磁体部分12a可以布置在第二分隔部12c上,并且第四磁体部分12b可以布置在第二分隔部12c的下方。另外,第三磁体部分12a可以布置在第二分隔部12c上,并且第四磁体部分12b可以布置在第二分隔部12c的下方。第五磁体部分13a可以布置在第三分隔部13c上,并且第六磁体部分13b可以布置在第三分隔部13c的下方。
例如,第一分隔部至第三分隔部11c、12c和13c中的每一者可以平行于与光轴垂直的直线,并且第一磁体部分至第六磁体部分11a、11b、12a、12b、13a和13b中的每一者的边界表面21a或21b可以平行于光轴。
例如,在第一磁体130-1至第三磁体130-3的每一者中,呈双极磁化形式的N极和S极可以在光轴方向上布置。
第一磁体130可以定位在第三线圈单元230-1的区域的内部,并且可以与第三线圈单元230-1在光轴方向上重叠。
第二磁体130可以定位在第四线圈单元230-2的区域的内部,并且可以与第四线圈单元230-2在光轴方向上重叠。
第三磁体130可以定位在第五线圈单元230-3的区域的内部,并且可以与第五线圈单元230-3在光轴方向上重叠。
第三线圈单元230-1的一部分可以在光轴方向上同时与第一磁体部分11a的第一极性部分、第一分隔部11c以及第二磁体部分11b的第二极性部分重叠。此处,第一极性部分可以是N极或S极,并且第二极性部分可以是具有与第一极性部分的极性相反的极性的极性部分。
第四线圈单元230-2的一部分可以在光轴方向上同时与第三磁体部分12a的第一极性部分、第二分隔部12c和第四磁体部分12b的第二极性部分重叠。
第五线圈单元230-3的一部分可以在光轴方向上同时与第五磁体部分13a的第一极性部分、第三分隔部13c和第六磁体部分13b的第二极性部分重叠。
在另一实施方式中,第一磁体和第二磁体中的每一者可以是图12的单极磁化磁体,并且第三磁体可以是图15的双极磁化磁体。
图16a示出了根据又一实施方式的第一磁体130-1a、第二磁体130-2a和第三磁体130-3b,图16b是在图16a中所示的部件的侧视图,图16c是图16a的第一磁体130-1a、第二磁体130-2a和第三磁体130-3b和第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的平面图,图16d是包括图16a的第三磁体130-3b的透镜移动装置在CD方向上的截面图,并且图16e示出了图16a的第三磁体130-3b相对于第五线圈单元230-3的磁力线以及第一磁体130-1a相对于第三线圈单元230-1的磁力线。
图16a的与图15中的附图标记相同的附图标记表示部件,并且将简要地给出或省略相同部件的描述。
参照图16a至图16e,第三磁体130-3b可以包括第五磁体部分1013a、第六磁体部分1013b和布置在第五磁体部分1013a与第六磁体部分1013b之间的第三分隔部1013c。
边界表面21a和21b的限定可以适用于第五磁体部分1013a的边界表面22a和第六磁体部分1013b的边界表面22b。第三分隔部1013c是在第五磁体部分1013a和第六磁体部分1013b被磁化时人工形成的部分。第三分隔部1013c的宽度W12可以大于边界表面22a和22b中的每一者的宽度。此处,第三分隔部1013c的宽度W12可以是第三分隔部1013c在从第五磁体部分1013a至第六磁体部分1013b的方向上的长度。
例如,第三分隔部1013c的宽度W12可以是0.2mm至0.5mm。替代地,第三分隔部1013c的宽度W12可以是0.3mm至0.4mm。
第五磁体部分1013a和第六磁体部分1013b可以布置成使得相反的磁极在与光轴OA垂直的方向上彼此相对并且从光轴OA面向第三磁体130-3b。
例如,第六磁体部分1013b的N极和S极可以布置成与绕线架110的对应于壳体140的第三侧部部分141-3的外表面相反。然而,本公开是不限于此。相反的布置是可以的。
第三分隔部1013c可以在光轴方向或竖向方向上延伸。
第五磁体部分1013a、第三分隔部1013c和第六磁体部分1013b可以在垂直于光轴OA的方向上以及在从第三磁体130-3b至光轴OA的方向上顺序地布置。
例如,第五磁体部分1013a可以布置在第三分隔部1013c的左边(或右边),并且第六磁体部分1013b可以设置在第三分隔部1013c的右边(或左边)。
例如,第三分隔部1013c可以平行于光轴,并且第五磁体部分1013a的边界表面22a和第六磁体部分1013b的边界表面22b可以平行于与光轴垂直的方向。
第三分隔部1013c的分开或隔离方向可以垂直于第一分隔部1011c和第二分隔部1012c中的每一者的分开或隔离方向。
第三磁体130-3b在宽度方向上的长度W21可以大于第一磁体130-1a在宽度方向上的长度W1和/或第二磁体130-2在宽度方向上的长度(W21>W1)。由于W2>W1,因此该实施方式能够减小在X轴方向上的第一电磁力与在Y轴方向上的第二电磁力和第三电磁力的总和之间的差,由此提高OIS操作中的可靠性。
第三磁体130-3b的高度H21可以小于第一磁体130-1a的高度H1和/或第二磁体130-2a的高度(H21<H1)。
即,第三磁体130-3b在光轴方向上的长度可以小于第一磁体130-1a在光轴方向上的长度和/或第二磁体130-2a在光轴方向上的长度。
根据在图16e中所示的第三磁体130-3b的磁力线的方向,即使第三磁体130-3b的高度H21减小(例如,H21<H1),从第三磁体130-3b向第五线圈单元230-3提供的磁通也不会极大地减少。因此,由第三磁体130-3b和第五线圈单元230-3产生的电磁力的减少太小以致不会影响OIS操作。
由于H21<H1,因此该实施方式能够减轻透镜移动装置的重量,由此减少用于AF驱动和/或OIS驱动的功耗。在另一实施方案中,H21=H1。
另外,例如,第三磁体130-3b的上表面的高度可以大于或等于第一磁体130-1a的第二磁体部分11b与第一分隔部11c之间的边界线的高度,并且可以小于或等于第一磁体部分11a的上表面的高度。
另外,例如,H21:H1=0.3:1至1:1。在H21/H1小于0.3的情况下,由第五线圈单元230-3和第三磁体130-3b产生的第一电磁力可能过度地减小,由此X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的差可能增加,并且因此OIS驱动中的可靠性可能下降。
在H21/H1大于1的情况下,在X轴方向上的第一电磁力可能增大,由此X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的差可能增加,并且因此OIS驱动的可靠性可能下降。
替代地,例如,H21:H1=0.5:1至0.8:1。
参照16C,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以具有包括在光轴方向上敞开的孔的环形形状。
第五线圈单元230-3的孔在与第五线圈单元230-3的纵向方向垂直的方向上的长度R1可以小于第二线圈单元230-3的孔在与第三线圈单元230-1的纵向方向垂直的方向上的长度R2(R1<R2)。另外,R1可以小于第四线圈单元230-2的孔在与第四线圈单元230-2的纵向方向垂直的方向上的长度。
由于第一磁体130-1a和第三磁体130-3b在磁化方向上与彼此不同,因此两者在磁力线上具有不同的分布。在考虑到磁力线上的不同分布而设置成使得R2>R1的情况下,可以增大第一磁体130-1a与第三线圈单元230-1之间的电磁力、第二磁体130-2a与第四线圈单元230-2之间的电磁力以及第三磁体130-3b与第五线圈单元230-3之间的电磁力。
另外,第五线圈单元230-3处的线圈的绕组数目(以下称为“第一绕组数目”)可以大于第三线圈单元230-1处的线圈的绕组数目(以下称为“第二绕组数目”)和/或第四线圈单元230-2处的线圈的绕组数目(以下称为“第三绕组数目”),由此X轴方向上的电磁力和Y轴方向上的电磁力之间的差可以减小。
另外,例如,第二绕组数目和第三绕组数目可以彼此相等。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第一绕组数目和第二绕组数目(或第三绕组数目)可以彼此相等。
参照图16d,虚设构件135的上表面的高度可以大于或等于第三磁体130-3b的上表面的高度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的上表面的高度可以小于第三磁体130-3b的上表面的高度。
虚设构件135的下表面的高度可以小于第三磁体130-3b的下表面的高度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的下表面的高度可以大于第三磁体130-3b的下表面的高度。
另外,虚设构件135的上表面的高度可以小于第二磁体130-2a(或第一磁体130-1a)的上表面的高度,并且可以大于第二磁体130-2a(或第一磁体130-1a)的下表面的高度。
另外,虚设构件135的下表面的高度可以小于第二磁体130-2a(或第一磁体130-1a)的下表面的高度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,虚设构件135的下表面的高度可以大于第二磁体130-2a(或第一磁体130-1a)的下表面的高度。
实施方式包括三个磁体130-1a、130-2a和130-3b以及与这些磁体对应的用于OIS的三个线圈单元230-1至230-3,以便减少在双摄像头模块或更多摄像头模块的相邻透镜移动装置中所包括的磁体之间的磁场干扰。
第一磁体130-1a和第二磁体130-2a中的每一者可以具有下述磁化方向:在该磁化方向上,两个磁体部分11a和11b布置在分隔部11c的上方和下方,或两个磁体部分12a和12b布置在分隔部12c的上方和下方。另外,第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2中的每一者的第一部分3a和第二部分3b可以布置成与两个磁体部分11a和11b或两个磁体部分12a和12b相对。在这种布置中,可以增加第一磁体130-1a与第一线圈单元120-1之间的电磁力以及第二磁体130-2a与第二线圈单元120-2之间的电磁力,由此减小电流消耗。
通常,通过一个磁体与一个线圈单元之间的相互作用的在X轴方向上的电磁力小于通过两个磁体与两个线圈单元之间的相互作用的在Y轴方向上的电磁力。X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的差可能会引起OIS驱动中的故障。
实施方式可以如下构造以便减小X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的差。
第三磁体130-3b的两个磁体部分1013a和1013b的磁化方向形成为与第一磁体130-1a和第二磁体130-2a中的每一者的两个磁体部分11a和11b或两个磁体部分12a和12b的磁化方向垂直。
例如,第三磁体130-3b可以布置在第五线圈单元230-3上,使得将第三磁体130-3b的两个磁体部分1013a和1013b彼此分离的第三分隔部1013c与第五线圈单元230-3垂直。
例如,第三磁体130-3b可以布置成使得第三分隔部1013c平行于光轴方向。
替代地,例如,第三磁体130-3b可以布置成使得第三磁体130-3b的两个磁体部分1013a和1013b中的一者的N极和另一个磁体的S极在光轴方向上与第五线圈单元230-3相对。
另一方面,第一磁体130-1a可以布置在第三线圈单元230-1上,使得第一分隔部11c平行于第三线圈单元230-1,并且第二磁体130-2a可以布置在第四线圈单元230-2上,使得第二分隔部12c平行于第四线圈单元230-2。
另外,例如,第一磁体130-1a和第二磁体130-2a可以布置成使得第一分隔部11c和第二分隔部12c平行于光轴方向。
替代地,例如,第一磁体130-1a的两个磁体部分11a和11b中的一者的N极和S极两者都可以在光轴方向上与第三线圈单元230-1相对,并且第二磁体130-2a的两个磁体部分12a和12b中的一者的N极和S极两者都可以在光轴方向上与第四线圈单元230-2相对。
另外,第三磁体130-3b的长度L2可以大于第一磁体130-1a的长度L1和/或第二磁体130-2a的长度,并且第五线圈单元230-3在纵向方向上的长度M2可以大于第三线圈单元230-1的长度M1和/或第四线圈单元230-2的长度。因此,可以减小X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的差。
参照图16d,第三磁体130-3b相对于第五线圈单元230-3的磁力线在方向上不同于第一磁体130-1a相对于第三线圈单元230-1的磁力线。
由于第二磁体130-2a的布置与第一磁体130-1a的布置相同或相似,因此第二磁体130-2a相对于第四线圈单元230-2的磁力线可以与第一磁体130-1a相对于第三线圈单元230-1的磁力线相同或相似。
由第五线圈单元230-3和第三磁体130-3b的磁力线MF2产生的第一电磁力可以大于由第三线圈单元230-1和第一磁体130-1a的磁力线MF1产生的第二电磁力。
另外,由第五线圈单元230-3和第三磁体130-3的磁力线MF2产生第一电磁力可以大于由第四线圈单元230-2和第二磁体130-2a的磁力线MF1产生的第三电磁力。
由于第一电磁力大于第二电磁力和第三电磁力中的每一者,因此可以设计成使得第二电磁力和第三电磁力的总和几乎等于第一电磁力。因此,该实施方式能够减小在OIS驱动时X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的差。
图16f示出了由于图16a中所示的第一磁体130-1和第二磁体130-2a与第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2之间的相互作用引起的在Y轴方向上的电磁力Fy以及由于第三磁体130-3a与第五线圈单元230-5之间的相互作用而引起的在X轴方向上的电磁力Fx的模拟结果。图16f还示出了在X轴方向上的线性度和在Y轴方向上的线性度。
在图16f中,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者的电阻可以是6欧姆[Ω]至8欧姆。第一磁体130-1a至第三磁体130-3a中的每一者可以是N45H或N45SH磁体至N50H或N50SH磁体。在图16f的模拟中,第一磁体130-1a至第三磁体130-3a中的每一者都是N48H磁体。
参照图16f,Fx与Fy的比率(Fx/Fy)为0.88:1。即,可以看出,Fx与Fy之间的偏差小于12%。基于模拟结果,该实施方式能够减小当OIS驱动时X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的差,由此确保OIS驱动中的可靠性。
另外,当X轴方向上的行程和Y轴方向上的行程的每一者具有-150μm至150μm的范围时,X轴方向上的线性度和Y轴方向上的线性度中的每一者为10nm或更小,这是令人满意的。X轴方向上的线性度可以表示X轴方向上的行程的趋势线与X轴方向上的行程之间的偏差。Y轴方向上的线性度可以表示Y轴方向上的行程的趋势线与Y轴方向上的行程之间的偏差。在模拟中,在X轴方向上的行程的趋势线为y=0.0015x+0.003,并且在Y轴方向上的行程的趋势线为y=0.0018x-7E-0.6。假设上弹性构件150和下弹性构件160中的每一者的刚度为70mN/mm,并且安装在绕线架110中的透镜的重量为150mg。
同时,根据上述实施方式的透镜移动装置100还可以包括安装在绕线架110中的透镜和/或透镜筒。另外,根据实施方式的透镜移动装置100还可以包括图像传感器。另外,透镜移动装置100还可以包括安装有图像传感器的电路板。另外,透镜移动装置100还可以包括滤光器,该滤光器配置成过滤穿过透镜的光并将过滤的光提供给图像传感器。另外,透镜移动装置100还可以包括运动传感器或控制器。
图17a是图11的第三线圈单元230-1的第一虚线部分60A的截面图,图17b示出了第三线圈单元230-1的第一通路55a和第二通路55b,图18a是图11的第五线圈单元230-3的第二虚线部分60B的截面图,以及图18b示出了第五线圈单元230-3的第一通路56a和第二通路56b。图17的第三线圈单元230-1的描述可以适用于第四线圈单元230-2的结构和形状。
参照图11和图17a至图18b,第二线圈230可以形成在基板231上,并且基板231可以包括彼此相反的第一侧部23a和第二侧部23b、彼此相反的第三侧部23c和第四侧部23d和开口231a。
第三线圈单元230-1可以布置在位于电路构件231的第一侧部23a与电路构件231的开口231a之间的第一区域Re1中,并且可以具有第一匝数(或者第一绕组数目)。
第四线圈单元230-2可以布置在位于电路构件231的第二侧部23b与电路构件231的开口231a之间的第二区域Re2中,并且可以具有第二匝数(或者第二绕组数目)。
第五线圈单元230-3可以布置在位于电路构件231的第三侧部23b与电路构件231的开口231a之间的第三区域Re3中,并且可以具有第三匝数(或第三绕组数目)。此处,电路构件231的第一侧部23a至第四侧部23d的每一者都可以与壳体140的第一侧部部分141-1至第四侧部部分141-4中的一者对应。
参照图17a,第三线圈单元230-1可以包括具有多个匝的第一线。
第三线圈单元230-1可以具有包含连续螺旋、椭圆形和/或轨道形状的第一图案PA1。
第四线圈单元230-2可以具有与第三线圈单元230-1相同的形状。即,第四线圈单元230-2可以包括具有多个匝的第二线。
例如,第四线圈单元230-2可以具有包含连续螺旋和/或轨道形状的第二图案。例如,第二图案可以与第一图案PA1相同。
参照图18a,第五线圈单元230-3可以包括具有多个匝的第三线。
例如,第五线圈单元230-3可以具有包含连续螺旋和/或轨道形状的第三图案PA2。
在基板231的第一区域Re1中可以形成第一图案PA1,在基板231的第二区域Re2中可以形成第二图案,在基板231的第三区域Re3中可以形成第三图案PA2。
例如,第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者可以由导体制成。例如,第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者可以由导电金属制成,比如由铜、金、铝、银或包括其中的至少一种的合金制成。
第五线圈单元230-3的第三线的宽度A2小于第三线圈单元230-1的第一线的宽度A1和第四线圈单元230-2的第二线的宽度A1。
例如,第五线圈单元230-3的第三图案PA2的宽度A2(或线宽度)的小于第三线圈单元230-1的第一图案PA1的宽度A1(或线宽度)和第四线圈单元230-1的第二图案的宽度A1(或线宽度)(A2<A1)。
此处,第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者的宽度可以是第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者在与其纵向方向垂直的宽度方向上的长度。
第三线圈单元230-1的第一线的宽度与第四线圈单元230-2的第二线的宽度可以彼此相等。例如,第三线圈单元230-1的第一图案PA1的宽度A1可以与第四线圈单元230-1的第二图案的宽度彼此相等。
A2与A1的比率(A2:A1)可以为1:1.2至1:2。
在通过将A1除以A2(A1/A2)而获得的值小于1.2的情况下,第五线圈单元230-3的匝数与第三线圈单元230-1(或第四线圈单元230-2)的匝数之间的差减小,由此不可能减小Y轴方向上的电磁力与X轴方向上的电磁力之间的差,其中,Y轴方向上的电磁力由于第一磁体130-1和第二磁体130-2与第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2之间的相互作用而产生,X轴方向上的电磁力由于第三磁体130-3与第五线圈单元230-3之间的相互作用而产生,并且因此OIS驱动中的可靠性可能降低。
在通过将A1除以A2(A1/A2)而获得的值大于2的情况下,第五线圈单元230-3的电阻可能增加,由此功耗可能增加,或者第五线圈单元230-3的驱动信号的大小可能增加。
例如,A2与A1的比率(A2:A1)可以为1:1.25至1:1.5。
例如,第一和第二图案PA1中的每一者的宽度A1可以是24μm至30μm,并且第三图案PA2的宽度A2可以是15μm至20μm。
第三线圈单元230-1的高度(或厚度)和第四线圈单元230-2的高度(或厚度)可以彼此相等。例如,第一图案PA1的高度和第二图案的高度T1可以彼此相等。
另外,第三图案PA2的高度T2(或厚度)可以等于第一和第二图案PA1中的每一者的高度T1(或厚度)(T2=T1)。例如,T2=T1=45μm至50μm。此处,T1可以是第一和第二图案PA1中的每一者在光轴方向上的长度,并且T2可以是第三图案PA2在光轴方向上的长度。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的线中的每一者的宽度可以小于第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者的高度(或厚度)。
第一图案PA1至第三图案PA2的宽度A1和A2可以小于第一图案PA1至第三图案PA2的高度T1和T2(或厚度)(A1,A2<T1,T2)。
图17和图18示出了第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者具有双层结构。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以具有单层结构或三层结构或更多层结构。
例如,第三线圈单元230-1的第一图案PA1和第四线圈单元230-2的第二图案中的每一者可以是具有第一匝数的螺旋图案。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以包括第一层Layer11或Layer21以及布置在第一层Layer11或Layer21上的第二层Layer12或Layer22。
例如,第一和第二图案PA1中的每一者可以包括具有连续的螺旋形、椭圆形和/或轨道形状的第一层Layer11和布置在第一层Layer11上的第二层Layer12,第二层具有连续的螺旋形、椭圆形、和/或轨道形状。
另外,例如,第五线圈单元230-3的第三图案PA2可以是具有比第一匝数大的第二匝数的螺旋图案。
例如,第三图案PA2可以包括具有连续的螺旋形、椭圆形和/或轨道形状的第一层Layer21和布置在第一层Layer21上的第二层Layer22,第二层具有连续的螺旋形、椭圆形和/或轨道形状。
第五线圈单元230-3的第一层Layer11和第二层Layer12中的每一者的第三线的宽度可以小于第三线圈单元230-l的第一层和第二层中的每一者的第一线的宽度和第四线圈单元230-2的第一层和第二层中的每一者的第二线的宽度。
第三图案PA2的第一层Layer21和第二层Layer22中的每一者的宽度A2小于第一和第二图案PA1中的每一者的第一层Layer11和第二层Layer12中的每一者的宽度。
第三线圈单元230-1可以包括在从第一侧部23a至第二侧部23b的方向上或在从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向上布置在第一区域Re1中的多条线。
第一图案PA1的第一层Layer11可以包括在从第一侧部23a至第二侧部23b的方向上或在从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向上布置在第一区域Re1中的多条第一线R1至Rn。
另外,第一图案PA1的第二层Layer12可以包括在从第一侧部23a至第二侧部23b的方向上或在从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向上布置在第一区域Re1中的多条第二线Q1至Qn。
第四线圈单元230-2可以包括在从第一侧部23a至第二侧部23b的方向上或在从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向上布置在第一区域Re1中的多条线。
第二图案的第一层和第二层可以包括在从基板231的第一侧部23a到第二侧部23b的方向上或在从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向上布置在第二区域Re2中的多条线(例如,R1至Rn和Q1至Qn)。
第五线圈单元230-3可以包括在从第三侧部23c至第四侧部23d的方向上或者在垂直于从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向的方向上布置在第三区域Re3中的多条线。
另外,第三图案PA2的第一层Layer21可以包括在从第三侧部23c至第四侧部23d的方向上或者在垂直于从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向的方向上布置在第三区域Re3中的多条第一线S1至Sm。
第三图案PA2的第二层La22可以包括在从第三侧部23c至第四侧部23d的方向上或者在垂直于从第三线圈单元230-1至第四线圈单元230-2的方向的方向上布置在第三区域Re3中的多条第二线P1至Pm。“线”可以称为“导电线”或“线圈图案线”。
例如,第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者的第二线Q1至Qn或第二线P1至Pm可以布置在第一线R1至Rn或第一线S1至Sm上。
第一线R1至Rn和第一线S1至Sm中的每一者的宽度可以大于第一线R1至Rn与第一线S1至Sm之间的距离,并且第二线Q1至Qn和第二线P1至Pm中的每一者的宽度可以大于第二线Q1至Qn与第二线P1至Pm之间的距离。
例如,第一线R1至Rn和第一线S1至Sm中的每一者的宽度可以大于第一线R1至Rn与第一线S1至Sm之间的最短距离,并且第二线Q1至Qn和第二线P1至Pm中的每一者的宽度可以大于第二线Q1至Qn与第二线P1至Pm之间的最短距离。
例如,第一和第二图案PA1中的每一者的第一线R1至Rn的数目(n>1,n为自然数)和第二线Q1至Qn的数目(n>1,n为自然数)可以彼此相等。
另外,例如,第一线Q1至Qn(n>1,n为自然数)和第二线Q1至Qn(n>1,n为自然数)可以在光轴方向上彼此对准或可以彼此重叠。然而,本公开不限于此。
例如,第三图案PA2的第一线S1至Sm的数目(m>n>1,m为自然数)和第二线P1至Pm的数目(m>n>1,m为自然数)可以彼此相等。另外,例如,第三图案PA2的第一线S1至Sm(m>n>1,m为自然数)和第二线P1至Pm(m>n>1,m为自然数)可以在光轴方向上彼此对准或可以彼此重叠。然而,本公开不限于此。
第一和第二图案PA1中的每一者的第一线R1至Rn之间的距离B1小于第一线R1至Rn中的每一者的宽度A1(B1<A1)。另外,第一和第二图案PA1中的每一者的第二线Q1至Qn之间的距离B1小于第二线Q1至Qn中的每一者的宽度A1(B1<A1)。
第三图案PA3的第一线S1至Sm之间的距离B1小于第一线S1至Sm中的每一者的宽度A2(B1<A2)。另外,第二线P1至Pm之间的距离B1小于第二线P1至Pm中的每一者的宽度A2(B1<A2)。例如,B1可以是10μm至13μm。
第一和第二图案PA1中的每一者的第一线R1至Rn中的每一者的宽度和第二线Q1至Qn中的每一者的宽度可以彼此相等。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第一线R1至Rn中的每一者的宽度和第二线Q1至Qn中的每一者的宽度可以彼此不同。
第三图案PA2的第一线S1至Sm的每一者的宽度和第二线P1至Pm中的每一者的宽度可以彼此相等。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第一线S1至Sm中的每一者的宽度和第二线P1至Pm中的每一者的宽度可以彼此不同。
第三图案PA2的第一线S1至Sm中的每一者的宽度可以小于第一和第二图案PA1中的每一者的第一线R1至Rn中的每一者的宽度和第二线Q1至Qn中的每一者的宽度。
第三图案PA2的第二线P1至Pm中的每一者的宽度可以小于第一和第二图案PA1的每一者的第一线R1至Rn中的每一者的宽度和第二线Q1至Qn中的每一者的宽度。
例如,第三线圈单元230-1(或第四线圈单元230-2)的第一图案PA1(或第二图案)在宽度方向上的第一长度d1可以等于第五线圈单元230-2的第三图案PA2在宽度方向上的第二长度d2。然而,本公开不限于此。
d1可以是第一线圈单元230-1和第二线圈单元230-2中的每一者的相反的最外端部之间的距离,并且d2可以是第三线圈单元230-3的相反的最外端部之间的距离。例如,d1可以是第一线圈单元230-1和第二线圈单元230-2中的每一者的中央部分的长度,并且d2可以是第三线圈单元230-3的中央部分的长度。d1和d2可以是第一线圈单元230-1至第三线圈单元230-3在宽度方向上的长度。替代地,例如,d1和d2可以是在从电路构件231的布置有第一和第二线圈单元的侧部23a、23b和23c至开口231a的方向上的长度。
例如,可以是第一和第二图案PA1中的每一者的螺旋图案的相反的最外端部之间的距离,并且第二长度可以是第三图案PA2的螺旋图案的相反的最外端部之间的距离。
例如,d1可以是图17a的第一线R1至Rn(或第二线Q1至Qn)中的最外线Rn或Qn的相反的最外端部之间的距离。另外,例如,d2可以是图18a的第一线S1至Sm(或第二线P1至Pm)中的最外线Sm或Pm的相反的最外端部之间的距离。
在另一实施方式中,第五线圈单元230-3的宽度d2可以大于第三线圈单元230-1(或第四线圈单元230-2)的宽度d1。例如,第三图案PA2在宽度方向上的第二长度d2可以大于第一图案PA1(或第二图案)在宽度方向上的第一长度d1。
在另一实施方式中,第五线圈单元230-3的宽度d2可以小于第三线圈单元230-1(或第四线圈单元230-2)的宽度d1。例如,第三图案PA2在宽度方向上的第二长度d2可以小于第一图案PA1(或第二图案)在宽度方向上的第一长度d1。
例如,第二线圈230可以包括第一电介质层71、第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的布置在第一电介质层71上的第一层Layer11和Layer21、布置在第一层Layer11和Layer21上的第二电介质层73、布置在第二电介质层73上的第二层Layer12和Layer22、以及布置在第二层Layer12和Layer22上的第三电介质层75。
第一电介质层71和第三电介质层75中的每一者可以包括高分子有机化合物或树脂。例如,第一电介质层71和第三电介质层75中的每一者可以包括聚酰亚胺和阻焊剂。
第二电介质层73可以包括聚合物有机化合物或树脂。例如,第二电介质层73可以包括聚酰亚胺和环氧键。
第四电介质层72可以布置在第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者的第一线R1至Rn或第一线S1至Sm之间,并且第五电介质层74可以布置在第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者的第二线Q1至Qn或第二线P1至Pm之间。
第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3中的每一者可以包括至少一个通路55a和55b或56a和56b,通路55a和55b构造成将第一层Layer11与第二层Layer12相互连接,并且通路56a和56b构造成将第一层Layer21与第二层Layer22相互连接,第一层Layer11或Layer22和第二层Layer12或第二层Layer22可以通过至少一个通路55a和55b或56a和56b彼此连接(例如,并联)。
第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者可以具有第一通路55a,该第一通路55a构造成将第一线R1至Rn中的一者(例如R1)的一个端部与第二线Q1至Qn中的一者(例如Q1)的一个端部相互连接。
另外,第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者可以具有第二通路55b,该第二通路55b构造成将第一线R1至Rn中的另一者(例如,Rn)的一个端部和第二线Q1至Qn中的另一者(例如,Qn)的一个端部相互连接。
第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者的第一通路55a和第二通路55b可以穿过或穿透电介质层73。然而,本公开不限于此。
第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者的第一通路55a和第二通路55b可以将第一线R1至Rn和第二线Q1至Qn相互连接。此处,“通路”可以称为“接触部”、“连接电极”或“连接图案”。
另外,第五线圈单元230-3可以具有第一通路56a,该第一通路56a构造成将第一线S1至Sm中的一者(例如S1)的一个端部和第二线P1至Pm中的一者(例如P1)的一个端部相互连接。
另外,第五线圈单元230-3可以具有第二通路56b,该第二通路56b构造成将第一线S1至Sm中的另一者(例如,Sn)的一个端部和第二线P1至Pm中的另一者(例如,Pm)的一个端部相互连接。
第五线圈单元230-3的第一通路55a和第二通路55b可以穿过或穿透电介质层73。然而,本公开不限于此。第五线圈单元230-3的第一通路和第二通路可以将第一线S1至Sm和第二线P1至Pm相互连接。
第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者的一部分可以从第一电介质层71和第三电介质层75中的至少一者敞开或暴露,并且暴露的部分可以连接至电路板250的端子中的相应一者。
例如,第一图案PA1至第三图案PA2中的每一者的第一层Layer11或Layer21的一部分可以从第三电介质层75敞开或暴露,并且暴露的部分可以连接至电路板250的端子中的相应一者。
例如,第一和第二图案PA1中的每一者的第一层Layer11的线的一部分和第三图案PA2的第一层Layer21的一部分可以从第三电介质层75敞开或暴露,并且暴露的部分可以连接至电路板250的端子中的相应一者。
由于第五线圈单元230-3的第一线S1至Sm和第二线P1至Pm中的每一者的宽度A2小于第三线圈单元230-1(或第四线圈单元230-2)的第一线R1至Rn和第二线Q1至Qn中的每一者的宽度A1,第五线圈单元230-3的匝数(或绕组数目)在第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3形成在相同空间中的情况下可以大于第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者的匝数(或绕组数目)。因此,X轴方向上产生的电磁力与Y轴方向上产生的电磁力之间的差可以减小。
例如,第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者的匝数(“第一匝数”)与第五线圈单元230-3的匝数(“第二匝数”)的比率可以为1:1.1至1:2。然而,本公开不限于此。
在通过将第二匝数除以第一匝数而获得的值小于1.1的情况下,不可能减小Y轴方向上的电磁力与X轴方向上的电磁力之间的差,由此OIS驱动中的可靠性可能降低。
在通过将第二匝数除以第一匝数而获得的值大于2的情况下,第五线圈单元230-3的电阻可能增加,由此功耗可能增加,或者第五线圈单元230-3的驱动信号的大小可能增加。
例如,第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者的匝数与第五线圈单元230-3的匝数的比可以是1:1.1至1:1.5。例如,第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2的每一者的匝数可以为30,第五线圈单元230-3的匝数可以为34。然而,本公开不限于此。
另外,由于第五线圈单元230-3的匝数大于第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中每一者的匝数,所以由第五线圈单元230-3和第三磁体130-3产生的第一电磁力可以大于由第三线圈单元230-1和第一磁体130-1产生的第二电磁力,并且可以大于由第四线圈单元230-2和第二磁体130-2产生的第三电磁力。因此,该实施方式能够减小X轴方向上的第一电磁力与Y轴方向上的第二电磁力和第三电磁力的总和之间的差,由此提高OIS操作中的可靠性。
第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2中的每一者可以包括第一直的部分、第二直的部分、第一弯曲部分以及第二弯曲部分,第一弯曲部分构造成将第一直的部分中的每个直的部分的一个端部和第二直的部分中的相应一个直的部分的一个端部相互连接,第二弯曲部分构造成将第一直的部分中的每个直的部分的另一个端部与第二直的部分中的相应一个直的部分的另一个端部相互连接。
第五线圈单元230-3可以包括第三直的部分、第四直的部分、第三弯曲部分以及第四弯曲部分,第三弯曲部分构造成将第三直的部分中的每个直的部分的一个端部和第四直的部分中的相应一个直的部分的一个端部相互连接,第四弯曲部分构造成将第三直的部分中的每个直的部分的另一个端部与第四直的部分中的相应一个直的部分的另一个端部相互连接。
第一直的部分中的每个直的部分的宽度和第二直的部分中的每个直的部分的宽度可以彼此相等,第三直的部分中的每个直的部分的宽度和第四直的部分中的每个直的部分的宽度可以彼此相等。另外,第三直的部分或第四直的部分中的每个直的部分的宽度可以小于第一直的部分或第二直的部分中的每个直的部分的宽度。
例如,第一直的部分中的每个直的部分的宽度、第二直的部分中的每个直的部分的宽度、第一弯曲部分中的每个弯曲部分的宽度以及第二弯曲部分中的每个弯曲部分的宽度可以是上述的A1,并且第三直的部分中的每个直的部分的宽度、第四直的部分中的每个直的部分的宽度、第三弯曲部分中的每个弯曲部分的宽度以及第四弯曲部分中的每个弯曲部分的宽度可以是上述的A2。可以等同地应用A1和A2的描述以及A1与A2之间的关系的描述。
第一直的部分之间的距离、第一弯曲部分之间的距离、第二直的部分之间的距离、第二弯曲部分之间的距离、第三直的部分之间的距离、第三弯曲部分之间的距离、第四直的部分之间的距离以及第四弯曲部分之间的距离可以是上述的B1。可以应用B1的描述。
为X轴方向上的OIS线圈的第五线圈单元230-3的图案的宽度A2配置成小于为Y轴方向上的OIS线圈的第三线圈单元230-1和第四线圈单元230-2的图案的宽度A1。因此,该实施方式能够减小Y轴方向上的电磁力与X轴方向上的电磁力之间的差,由此抑制由于OIS操作引起的透镜移动装置的动态倾斜。
根据以上实施方式的透镜移动装置100可以实现为摄像头模块或光学仪器,或者可以用在各个领域中的摄像头模块或光学仪器中。
例如,根据实施方式的透镜移动装置100可以被包括在光学仪器中,该光学仪器构造成使用反射、折射、吸收、干涉、衍射等光学特性形成空间中的物体的图像以增强眼睛的视觉力、记录或再现通过透镜形成的图像、执行光学测量、或者传播或传输图像。例如,根据实施方式的光学仪器可以包括配备有摄像头的智能电话或便携式终端。
图19是根据实施方式的摄像头模块200的分解立体图。
参照图19,摄像头模块200可以包括透镜或透镜筒400,透镜移动装置100、粘合构件612、滤光器610、第一保持件600、第二保持件800、图像传感器810、运动传感器820、控制器830和连接器840。图19的透镜移动装置100可以是根据先前实施方式的透镜移动装置。
透镜或透镜筒400可以安装在透镜移动装置100的绕线架110中。
第一保持件600可以布置在透镜移动装置100的基部210的下方。滤光器610可以安装至第一保持件600,并且第一保持件600可以具有突出部分500,滤光器610坐置在突出部分500上。
粘合构件612可以将透镜移动装置100的基部210联接或粘合至第一保持件600。粘合构件612除了有粘合的功能之外,还可以用于防止异物进入透镜移动装置100中。
例如,粘合构件612可以是环氧树脂、热硬化粘合剂或紫外线硬化粘合剂。
滤光器610可以用于防止穿过透镜筒400的光的特定频带分量入射到图像传感器810上。滤光器610可以是红外截止滤光器;然而,本公开不限于此。在这种情况下,滤光器610可以布置成平行于x-y平面。
可以在第一保持件600的安装滤光器610的区域中形成开口,穿过滤光器610的光通过该开口入射在图像传感器810上。
第二保持件800可以布置在第一保持件600的下方,并且图像传感器810可以安装在第二保持件600上。图像传感器810是下述区域:通过滤光器610的光入射在该区域上以形成包括在光中的图像。
第二保持件800可以设置有各种电路、元件和控制器,以便将形成在图像传感器810上的图像转换成电信号并将电信号传输至外部装置。
第二保持件800可以实现为电路板,可以在该电路板上安装图像传感器,可以在该电路板上形成电路图案,并且各种元件可以在该电路板上彼此联接。
图像传感器810可以接收包括在通过透镜移动装置100入射的光中的图像,并且可以将接收到的图像转换成电信号。
滤光器610和图像传感器810可以布置成在第一方向上彼此相对的状态下彼此间隔开。
运动传感器820可以安装在第二保持件800上,并且可以经由第二保持件800上设置的电路图案而连接至控制器830。
运动传感器820基于摄像头模块200的运动而输出关于旋转角速度的信息。运动传感器820可以实现为两轴或三轴陀螺仪传感器或角速度传感器。
控制器830安装或布置在第二保持件800上。第二保持件800可以连接至透镜移动装置100。例如,第二保持件800可以连接至透镜移动装置100的电路板190。
例如,可以经由第二保持件800向第一线圈120提供驱动信号或电力提供,并且可以经由第二保持件800向第二线圈230提供驱动信号或电力。
例如,可以经由第二保持件800向第一位置传感器170和第二位置传感器240提供驱动信号。第一位置传感器170的输出信号和第二位置传感器240的输出信号可以被发送至第二保持件800。第一位置传感器170的输出信号和第二位置传感器240的输出信号可以由控制器830接收。
连接器840可以连接至第二保持件800,并且可以具有用于与外部装置连接的端口。
图20是根据另一实施方式的摄像头模块1000的立体图。
参照图20,摄像头模块1000可以是双摄像头模块,该双摄像头模块包括具有第一透镜移动装置的第一摄像头模块100-1和具有第二透镜移动装置的第二摄像头模块100-2。
第一摄像头模块100-1和第二摄像头模块100-2中的每一者可以是自动聚焦(AF)摄像头模块或光学图像稳定(OIS)摄像头模块中的一者。
AF摄像头模块是仅能够执行自动聚焦功能的摄像头模块,并且OIS摄像头模块是能够执行自动聚焦功能和光学图像稳定(OIS)功能两者的摄像头模块。
例如,第一透镜移动装置可以是图1中所示的实施方式100。第二透镜移动装置可以是图1中所示的实施方式100、用于AF的透镜移动装置或用于OIS的透镜移动装置。
摄像头模块1000还可以包括其上安装有第一摄像头模块100-1和第二摄像头模块100-2的电路板1100。在图20中,第一摄像头模块100-1和第二摄像头模块100-2并排布置在单个电路板1100上。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,电路板1100可以包括彼此分离的第一电路板和第二电路板,第一摄像头模块100-1可以布置在第一电路板上,并且第二摄像头模块100-2可以布置在第二电路板上。
第一摄像头模块100-1可以布置在电路板1100上,使得第一摄像头模块100-1的第一透镜移动装置100的虚设构件135定位成与第二摄像头模块100-2相邻,由此可以减少第一摄像头模块100-1的第一磁体130-1至第三磁体130-3与第二摄像头模块100-2的第二透镜移动装置中所包括的磁体之间的磁场干扰,并且因此可以确保在第一摄像头模块100-1和第二摄像头模块100-2中的每一者的AF驱动中的可靠性和/或OIS驱动中的可靠性。
图21a是在图20中所示的摄像头模块的实施方式1000-1的示意图,并且图21b是图21A的第一透镜移动装置100a和第二透镜移动装置100b在图3的AB方向上的截面图。
参照图21a和图21b,摄像头模块1000-1可以包括具有第一透镜移动装置100a的第一摄像头模块100-1和具有第二透镜移动装置100b的第二摄像头模块100-2。
例如,第一摄像头模块100-1和第二摄像头模块100-2中的每一者可以是图19中所示的摄像头模块200。
第一透镜移动装置100a可以是图2中所示的实施方式100或者可以构造成使得平衡磁体185从图2中所示的实施方式省去。
第二透镜移动装置100b可以是图2所示的实施方式100或是构造成使得平衡磁体185从图2中所示的实施方式省去的装置。然而,本公开不限于此。例如,第二透镜移动装置100b可以布置成邻近于第一透镜移动装置100b,并且布置有透镜的第二绕线架可以沿光轴方向或沿垂直于光轴的方向移动。
第一透镜移动装置100和第二透镜移动装置100b中的每一者可以包括:壳体140或140A,该壳体140或140A包括彼此相对的第一侧部部分和第二侧部部分以及彼此相对的第三侧部部分和第四侧部部分;布置在壳体140或140A中的绕线架110或110A;布置在壳体140或140A的第一侧部部分处的第一磁体130-1或130-1A;布置在壳体140或140A的第二侧部部分处的第二磁体130-2或130-2A;布置在壳体140或140A的第三侧部部分处的第三磁体130-3或130-3A;布置在壳体140或140A的第四侧部部分处的虚设构件135或135A;以及包括第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2的第一线圈120,第一线圈单元120-1在绕线架110或110A处布置成与第一磁体130-1或130-1A相对,第二线圈单元120-2在绕线架110或110A处布置成与第二磁体130-2或130-2A相对。第一透镜移动装置100a的壳体140的第四侧部部分可以布置成与第二透镜移动装置100b的壳体140A的第四侧部部分或第三侧部部分相邻。另外,当从上方观察时,第一透镜移动装置100a的虚设构件135可以布置在第一透镜移动装置100a的第三磁体130-3与第二透镜移动装置100b的虚设构件135A之间。
例如,第一透镜移动装置100a可以包括“第一透镜移动单元”,该“第一透镜移动单元”包括第一绕线架110、第一线圈120、第一磁体130-1、第二磁体130-2、第三磁体130-3、第一虚设构件135、第一壳体140、上弹性构件150、下弹性构件160、第二线圈230和基部210。第一透镜移动装置100a的第一透镜移动单元还可以包括第一位置传感器170和感测磁体180。
另外,第二透镜移动装置100b可以包括“第二透镜移动单元”,该“第二透镜移动单元”包括第二绕线架110A、第一线圈120、第四磁体130-1A、第五磁体130-2A、第六磁体130-3A、第二虚设构件135A、第二壳体140A、上弹性构件150、下弹性构件160、第二线圈230和基部210。第二透镜移动装置100b的第二透镜移动单元还可以包括第一位置传感器170A和感测磁体180A。
另外,第一透镜移动装置100a和第二透镜移动装置100b中的每一者还可以包括电路板250、支承构件220、第二位置传感器240、电路板190、盖构件300和平衡磁体。
第一透镜移动装置100a和第二透镜移动装置100b可以彼此相邻布置。例如,第一透镜移动装置100a的盖构件300的侧板和第二透镜移动装置100b的盖构件300的与上述侧板相对的侧板之间的距离d1可以是0.01mm至1mm。例如,d1可以是0.01mm至3mm。
第一透镜移动装置100a的第一壳体140的第四侧部部分141-4和第二透镜移动装置100b的第二壳体140A的第四侧部部分141-4可以彼此相邻布置。
例如,第一壳体140的第四侧部部分141-4和第二壳体140A的第四侧部部分141-4可以彼此平行布置。然而,本公开不限于此。
第一虚设构件135和第二虚设构件135A中的每一者可以布置在彼此相邻的第一壳体140和第二壳体140A的第四侧部中的相应一者处。
第一虚设构件135和第二虚设构件135A可以彼此相邻布置。
第一绕线架110和第二绕线架110A可以彼此间隔地布置。
第一磁体130-1可以布置在第一绕线架110的第一侧部处,并且第一磁体130-1可以布置成与第一绕线架110的第一侧部间隔开或者与第一绕线架110的第一侧部相邻。
例如,第一磁体130-1可以布置在第一绕线架110(例如,第一绕线架110的第一侧部)与第一壳体140之间。例如,第一磁体130-1可以在第一壳体140处布置成与第一绕线架110的第一侧部对应。
第二磁体130-2可以布置在第一绕线架110的与第一绕线架110的第一侧部相对的第二侧部处,并且第二磁体130-2可以布置成与第一绕线架110的第二侧部间隔开或者与第一绕线架110的第二侧部相邻。
例如,第二磁体130-2可以布置在第一绕线架110(例如,第一绕线架110的第二侧部)与第一壳体140之间。例如,第二磁体130-2可以在第一壳体140处布置成与第一绕线架110的第二侧部对应。
第三磁体130-3可以布置在第一绕线架110的与第一绕线架110的第一侧部相邻的第三侧部处,并且第三磁体130-3可以布置成与第一绕线架110的第三侧部间隔开或者与第一绕线架110的第二侧部相邻。
例如,第三磁体130-3可以布置在第一绕线架110(例如,第一绕线架110的第三侧部)与第一壳体140之间。例如,第三磁体130-3可以在第一壳体140处布置成与第一绕线架110的第三侧部对应。
第四磁体130-1A可以布置在第二绕线架110A的第一侧部处,并且第四磁体130-1A可以布置成与第二绕线架110A的第一侧部间隔开或者与第二绕线架110A的第一侧部相邻。
例如,第四磁体130-1A可以布置在第二绕线架110A(例如,第二绕线架110A的第一侧部)与第二壳体140A之间。例如,第四磁体130-1A可以在第二壳体140A处布置成与第二绕线架110A的第一侧部对应。
第五磁体130-2A可以布置在第二绕线架110A的与第二绕线架110A的第一侧部相对的第二侧部处,并且第五磁体130-2A可以布置成与第二绕线架110A的第二侧部间隔开或者与第二绕线架110A的第二侧部相邻。
例如,第五磁体130-2A可以布置在第二绕线架110A(例如,第二绕线架110A的第二侧部)与第二壳体140A之间。例如,第五磁体130-2A可以在第二壳体140A处布置成与第二绕线架110A的第二侧部对应。
第六磁体130-3A可以布置在第二绕线架110A的与第二绕线架110A的第一侧部相邻的第三侧部处,并且第六磁体130-3A可以布置成与第二绕线架110A的第三侧部间隔开或与第二绕线架110A的第三侧部相邻。
例如,第六磁体130-3A可以布置在第二绕线架110A(例如,第二绕线架110A的第三侧部)与第二壳体140A之间。例如,第六磁体130-3A可以在第二壳体140A处布置成与第二绕线架110A的第三侧部对应。
第一虚设构件135可以布置在第一绕线架110的与第一绕线架110的第三侧部相对的第四侧部处,并且第一虚设构件135可以布置成与第一绕线架110的第四侧部间隔开或者与第一绕线架110的第四侧部相邻。
第二虚设构件135A可以布置在第二绕线架110A的与第二绕线架110A的第三侧部相对的第四侧部处,并且第二虚设构件135A可以布置成与第二绕线架110A的第四侧部间隔开或者与第二绕线架110A的第四侧部相邻。
第一透镜移动装置100a的第一线圈120可以包括布置在第一绕线架110与第一磁体130-1之间的第一线圈单元120-1和布置在第一绕线架110与第二磁体130-2之间的第二线圈单元120-2。
第二透镜移动装置100b的第一线圈120可以包括布置在第二绕线架110A与第四磁体130-1A之间的第三线圈单元120-1和布置在第二绕线架110A与第五磁体130-2A之间的第四线圈单元120-2。
第一磁体130-1的描述可以适用于第四磁体130-1A,第二磁体130-2的描述可以适用于第五磁体130-2A,并且第三磁体130-3的描述可以适用于第六磁体130-3A。另外,第一虚设构件135的描述可以适用于第二虚设构件135A。
第一虚设构件135和第二虚设构件135A可以布置成在从第三磁体130-3至第六磁体130A的方向上彼此重叠。
替代地,当从上方观察时,第一虚设构件135和第二虚设构件135A可以布置成在从第一绕线架110(例如,第四侧部)至第二绕线架110A(例如,第四侧部)的方向上彼此重叠。
例如,第一虚设构件135和第二虚设构件135A之间的距离D11可以小于第一透镜移动装置100a的磁体130-2(或磁体130-1)与第二透镜移动装置100b的磁体130-1A(或磁体130-2A)之间的距离D12(D11<D12)。
D11和D12中的每一者可以是在第一水平方向上的距离。此处,第一水平方向可以是从第一绕线架110(例如,第一绕线架110的第四侧部)至第二绕线架110A(例如,第二绕线架110A的第四侧部)的方向。替代地,第一水平方向可以是从第一壳体140的第四侧部部分至第二壳体140A的第四侧部部分的方向。第一水平方向可以是从第三磁体130-3至第六磁体130-3A的方向。
另外,例如,距离D11可以小于第一透镜移动装置100a的磁体130-3与第二透镜移动装置100b的第二虚设构件135A之间的距离D13(D11<D13)。
另外,例如,距离D11可以小于第一透镜移动装置100a的磁体130-1(或磁体130-2)与第二透镜移动装置100b的第二虚设构件135A之间的距离D14(D11<D14)。
由于D11小于D12、D13和D14,因此由于第一透镜移动装置100a的磁体130-1和130-2与第二透镜移动装置100b的第二磁体130-1A和130-2A之间的磁场干扰而对AF驱动力和OIS驱动力的影响可以减少。
另外,第一透镜移动装置110a的第一位置传感器170和第一透镜移动装置110b的第一位置传感器170A可以布置在彼此相邻的第一壳体140的第四侧部部分和第二壳体140A的第四侧部部分中的相应一者处。
第一透镜移动装置110a的感测磁体180(以下称为“第一感测磁体”)可以布置在第一绕线架110的与第一壳体140的第四侧部部分对应或相对的一个侧部部分(或一个侧表面)处、例如布置在第一绕线架110的第四侧部处。
第二透镜移动装置110b的感测磁体180A(以下称为“第二感测磁体”)可以布置在第二绕线架110A的与第二壳体140A的第四侧部部分对应或相对的一个侧部部分(或一个侧表面)处、例如布置在第二绕线架110A的第四侧部处。
例如,第一透镜移动装置100a的磁体130-1和130-2以及第二透镜移动装置100b的磁体130-1和130-2可以在从第一壳体140的第四侧部部分141-4(或第一绕线架110的第四侧部)至第二壳体140A的第四侧部部分141-4(或第二绕线架110A的第四侧部)的方向上彼此重叠。然而,本公开不限于此。
例如,第一透镜移动装置100a的线圈单元120-1和120-2可以在从第一壳体140的第四侧部部分141-4(或绕线架110的第四侧部)至第二壳体140A的第四侧部部分141-4(或第二绕线架110A的第四侧部)的方向上与第二透镜移动装置100b的线圈单元120-1和120-2重叠。然而,本公开不限于此。
例如,第一透镜移动装置100a的第一感测磁体180可以在从第一壳体140的第四侧部部分141-4(或绕线架110的第四侧部)至第二壳体140A的第四侧部部分141-4(或绕线架110A的第四侧部)的方向上与第二透镜移动装置100b的第二感测磁体180重叠。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以不彼此重叠。
另外,例如,第一透镜移动装置100a的磁体130-3和第二透镜移动装置100b的磁体130-3A可以在从第一壳体140的第四侧部部分141-4(或第一绕线架110的第四侧部)至第二壳体140A的第四侧部部分141-4(或第二绕线架110A的第四侧部)的方向上彼此重叠。
另外,例如,第一透镜移动装置100a的第一虚设构件135和第二透镜移动装置100b的第二虚设构件135A可以在从第一壳体140的第四侧部部分141-4(或第一绕线架110的第四侧部)至第二壳体140A的第四侧部部分141-4(或第二绕线架110A的第四侧部)的方向上彼此重叠。
例如,第一虚设构件135可以布置在第一透镜移动装置100a的磁体130-3与第二透镜移动装置100b的磁体130-3A之间。
例如,第一虚设构件135可以布置在第一绕线架110与第二绕线架110A之间。另外,例如,第二虚设构件135A可以布置在第一绕线架110与第二绕线架110A之间。
第一透镜移动装置100a的第二线圈230可以包括布置在磁体130-1的下方的线圈单元230-1、布置在第二磁体130-2的下方的线圈单元230-2以及布置在第三磁体130-3的下方的线圈单元230-3。
另外,第二透镜移动装置100b的第二线圈230可以包括布置在磁体130-1A的下方的线圈单元230-1、布置在第二磁体130-2A的下方的线圈单元230-2以及布置在第三磁体130-3A的下方的线圈单元230-3。
在另一实施方式中,第二透镜移动装置100b可以具有与图18a不同的磁体布置。例如,根据另一实施方式的第二透镜移动装置可以包括在第二壳体140A的四个侧部部分141-1至141-4中的至少一者处布置的磁体。例如,第二透镜移动装置可以包括在第二壳体140A的四个侧部部分141-1至141-4处布置的四个磁体。然而,本公开不限于此。
根据又一实施方式的第二透镜移动装置可以包括在第二壳体140A的四个拐角142-1至142-4中的至少一者处布置的磁体。例如,第二透镜移动装置可以包括在第二壳体140A的四个拐角142-1至142-4处布置的四个磁体。然而,本公开不限于此。
根据另一实施方式的摄像头模块可以包括第一壳体140、布置在第一壳体140中的第一绕线架110、布置在第一壳体140与第一绕线架110之间的磁体130-1至130-3、布置在磁体130-1至130-3与第一绕线架110之间的线圈120、以及布置在第一壳体140与第一绕线架110之间的虚设构件135。
另外,第二透镜移动单元可以包括第二壳体140A、布置在第二壳体140A中的第二绕线架110a、布置在第二壳体140A与第二绕线架110a之间的磁体130-1A至130-3A、布置在磁体130-1A至130-3A与第二绕线架110a之间的线圈120,以及第二壳体140A。
第一透镜移动单元的磁体130-1至130-3可以包括在第一壳体140的第一侧部处布置的第一磁体130-1、在第一壳体140的与第一壳体140的第一侧部相对的第二侧部处布置的第二磁体130-2、以及在第一壳体140的与第一壳体140的第一侧部相邻的第三侧部处布置的第三磁体130-3。
第一透镜移动单元的虚设构件135可以布置在第一绕线架110与第二绕线架之间。
图22是根据另一实施方式的摄像头模块1000-2的示意图。
图22的摄像头模块1000-2包括:包含第一透镜移动装置100a的第一摄像头模块100-1、包含第二透镜移动装置100b的第二摄像头模块100-2、以及包含第三透镜移动装置100c的第三摄像头模块100-3。第一摄像头模块100-1、第二摄像头模块100-2和第三摄像头模块100-3可以并排布置。
在图22中,对具有包括三个摄像头模块的三重结构的实施方式进行了描述。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,可以包括两个摄像头模块(图19的100-1和100-2)。在又一实施方式中,可以包括如在图22中所示那样布置的四个或更多个摄像头模块。
例如,第一摄像头模块100-1、第二摄像头模块100-2和第三摄像头模块100-3中的每一者可以是图19中所示的摄像头模块200,并且第一透镜移动装置100a、第二透镜移动装置100b和第三透镜移动装置100c中的每一者可以是图2中所示的实施方式100,或者可以构造成使得从图2所示的实施方式省去平衡磁体185。
由于第一透镜移动装置100a、第二透镜移动装置100b和第三透镜移动装置100c可以彼此相邻地并排布置,并且图18b的d1的描述可以适用于这些透镜移动装置之间的距离。相邻的两个透镜移动装置的壳体中的一个壳体的第四侧部部分和另一个壳体的第三侧部部分可以彼此相邻布置。
例如,第一透镜移动装置100a的壳体的第四侧部部分141-4和第二透镜移动装置100b的壳体的第三侧部部分141-3可以彼此相邻布置。
另外,第二透镜移动装置100b的壳体的第四侧部部分141-4和第三透镜移动装置100c的壳体的第三侧部部分141-3可以彼此相邻布置。
例如,第一透镜移动装置100a的壳体的第四侧部部分和第二透镜移动装置100b的壳体的第三侧部部分可以彼此相邻且彼此平行地布置,并且第二透镜移动装置100b的壳体的第四侧部部分和第三透镜移动装置100c的壳体的第三侧部部分可以彼此相邻且彼此平行地布置。
相邻的两个透镜移动装置中的一者的虚设构件和另一个透镜移动装置的第三磁体135可以彼此相邻布置。
例如,相邻的两个透镜移动装置中的一者的虚设构件与另一个透镜移动装置的第三磁体135之间的距离D1可以小于相邻的两个透镜移动装置中的一者的第一磁体130-1(或第二磁体130-2)与另一个透镜移动装置的第一磁体130-1(或第二磁体130-2)之间的距离D2(D1<D2)。
另外,例如,距离D1可以小于相邻的两个透镜移动装置中的一者的第三磁体130-3与另一个透镜移动装置的第三磁体130-3之间的距离D3(D1<D3)。
另外,例如,距离D1可以小于相邻的两个透镜移动装置中的一者的第一磁体130-1(或第二磁体130-2)与另一个透镜移动装置的第三磁体130-3之间的距离D4(D1<D4)。
由于D1小于D2至D4,因此可以减少由于相邻的两个透镜移动装置中包括的磁体之间的磁场干扰对AF驱动力和OIS驱动力的影响,因此可以确保AF操作和OIS操作中的可靠性。
另外,相邻的两个透镜移动装置(例如100-1和100-2或100-2和100-3)中一者的位置传感器和另一个透镜移动装置的第三磁体130-3可以布置在相邻的两个壳体的相邻的第三侧部部分和第四侧部部分中的一者的相应位置处。
另外,相邻的两个透镜移动装置中的一者的感测磁体可以布置在绕线架的与第四侧部部分对应或相对的绕线架的侧部部分处(或侧表面),该第四侧部部分是两个的相邻的壳体的第三侧部部分和第四侧部部分中的一者。
相邻的两个透镜移动装置中的另一透镜移动装置的感测磁体可以布置在绕线架的与定位成与第三侧部部分相对的第四侧部部分而对应或相对的侧部部分处(或侧表面),该第四侧部部分是相邻的第三侧部部分和第四侧部部分中的一者。
例如,在从相邻的两个壳体中的一者的第四侧部部分至另一壳体的第三侧部部分的方向上,第一磁体130-1和第二磁体130-2布置在壳体中的一个壳体处,并且布置在另一壳体处的第一磁体130-1和第二磁体130-2可以彼此不重叠。
例如,在从相邻的两个壳体中的一者的第四侧部部分至另一壳体的第三侧部部分的方向上,相邻的两个透镜移动装置中的一者的第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2可能不与相邻的两个透镜移动装置中的另一者的第一线圈单元120-1和第二线圈单元120-2重叠。
例如,在从相邻的两个壳体中的一者的第四侧部部分至另一壳体的第三侧部部分的方向上,相邻的两个透镜移动装置中的一者的感测磁体180可以与相邻的两个透镜移动装置中的另一透镜移动装置的感测磁体180重叠。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以不彼此重叠。
另外,例如,在从相邻的两个壳体中的一者的第四侧部部分至另一壳体的第三侧部部分的方向上,相邻的两个透镜移动装置的两个第三磁体130-3可以彼此重叠。
例如,在从相邻的两个壳体中的一者的第四侧部部分至另一壳体的第三侧部部分的方向上,相邻的两个透镜移动装置的两个虚设构件135可以彼此重叠。
在图22中,虚设构件和第三磁体布置在相邻的两个壳体的侧部部分处。因此,实施方式1000-2能够减少由于相邻的透镜移动装置中包括的第一磁体130-1和第二磁体130-3之间的磁场干扰对AF驱动力和OIS驱动力的影响,由此确保了AF操作和OIS操作中的可靠性。
当比较图21a的实施方式与图22的实施方式时,图21a的两个摄像头模块(例如100-1和100-2)的两个第三磁体130-3和130A之间的距离大于图22的相邻的两个摄像头模块(例如100-1和100-2)的两个第三磁体130-3之间的距离。由此,在图21a的实施方式中的磁场干扰的减小效果可以更好。
图23a示出了向图22的摄像头模块1000-2的第三磁体130-3和感测磁体180施加的力的模拟结果,并且图23b示出了图22的摄像头模块的第三磁体130-3和感测磁体180的行程变化(移位)的模拟结果。在图23a和图23b中,OIS表示磁体130-1和130-2,并且Smagnet表示感测磁体。
图23a和图23b示出了在每个摄像头模块的透镜移动装置的初始位置处的力和行程变化的模拟结果。此处,透镜移动装置的初始位置可以是OIS移动单元在没有向第一线圈120和第二线圈230提供驱动信号的状态下的原始位置,或者是OIS移动单元由于下述原因所位于的位置:上弹性构件150和下弹性构件160以及支承构件220仅因OIS移动单元的重量而弹性变形。另外,初始位置可以是OIS移动单元在重力在从绕线架110至基部210的方向上作用时或在重力在从基部210至绕线架110的方向上作用时所处的位置。
假设OIS在X轴和Y轴方向上的弹簧常数为60mN/mm,并且OIS在Z轴方向上的弹簧常数为500mN/mm。假设相邻的两个摄像头模块之间的距离为0.75mm,每个摄像头模块在水平方向和竖向方向上的长度为12mm,并且每个摄像头模块的厚度为3.3mm。
参照图23a,可以看到的是,由于磁场干扰而向摄像头模块100-1至100-3中的每一者的第三磁体130-3施加的力在正(+)方向和在负(-)方向上小于0.5mN。另外,可以看到的是,由于磁场干扰而向摄像头模块100-1至100-3中的每一者的感测磁体180施加的力在正(+)方向和负(-)方向上小于0.5mN。
在此,“小于0.5mN”仅仅是基于模拟的分析误差。因此,可以估计的是由于磁场干扰而向摄像头模块100-1至100-3中的每一者的第三磁体130-3和感测磁体180施加的力基本上是不明显的。
例如,向一个摄像头模块的第三磁体130-3施加的力可以包括向磁体130-1、130-2和130-3以及在第一摄像头模块130-1至第三摄像头模块130-3中的每一者中所包括的感测磁体180施加的力,除去向摄像头模块的第三磁体130-3施加的力。
另外,向一个摄像头模块的感测磁体180施加的力可以包括向磁体130-1、130-2和130-3以及在第一摄像头模块130-1至第三摄像头模块130-3中的每一者中所包括的感测磁体180的力,除去向摄像头模块的感测磁体180施加的力。
参照图23b,可以看到的是,由于磁场干扰引起的摄像头模块100-1至100-3中的每一者的第三磁体130-3的行程变化从正(+)方向和负(-)方向上的初始位置开始小于5μm。
另外,可以看到的是,由于磁场干扰引起的摄像头模块100-1至100-3中的每一者的感测磁体180的行程变化从正(+)方向和负(-)方向上的初始位置开始小于2μm。
第三磁体130-3a的小于5μm的行程变化和感测磁体180的小于2μm的行程变化仅是基于模拟的分析误差。因此,可以估计的是由于磁场干扰引起的摄像头模块100-1至100-3中的每一者的第三磁体130-3和感测磁体180的行程变化基本上是不明显的。
基于图23a和图23b的模拟结果,可以确保根据实施方式的摄像头模块的AF操作和OIS操作中的可靠性。
另外,由于第一透镜移动装置100a、第二透镜移动装置100b和第三透镜移动装置100c在相同方向上布置,因此可以使用相同的坐标轴,并且因此,由于使用不同的坐标轴,因此不需要校正陀螺仪传感器的位置信息。在图21a和图21b中,第一透镜移动装置100a和第二透镜移动装置100b使用不同的坐标轴,由于两者以左右对称的方式布置,并且因此由于使用了不同的坐标轴,有必要校正陀螺仪传感器的位置信息。
图24是根据又一实施方式的摄像头模块1000-3的示意图。
参照图24,摄像头模块1000-3可以包括包含有第一透镜移动装置100a的第一摄像头模块100-1和包含有第二透镜移动装置100d的第二摄像头模块100-4。
第一透镜移动装置100a可以是图2中所示的实施方式100或者可以构造成使得平衡磁体185从图2中所示的实施方式省去。第一摄像头模块100-1可以是图19中所示的摄像头模块200。
第二透镜移动装置100d可以是闭环自动聚焦(CLAF)透镜移动装置,并且第二摄像头模块100-4可以包括CLAF透镜移动装置来代替图19中所示的摄像头模块200的透镜移动装置100。
图25示出了图24的第二透镜移动装置100d的实施方式。
参照图25,第二透镜移动装置100d可以包括绕线架1110、线圈1120、第一磁体1130-1、第二磁体1130-2、壳体1140、上弹性构件1150、下弹性构件1160、电路板1190、位置传感器1170和感测磁体1180。
另外,第二透镜移动装置100d可以包括平衡磁体1185、盖构件1300和基部1210。
绕线架1110可以具有开口,透镜或透镜筒安装在该开口中。
线圈1120可以布置在绕线架1110的外表面处。例如,线圈1120可以具有闭合弯曲的形状比如环形状,其中,线圈在绕光轴的旋转方向上绕绕线架1100的外周表面缠绕。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,线圈1120可以包括与第一磁体1130-1相对的第一线圈单元和与第二磁体1130-2相对的第二线圈单元。第一线圈单元和第二线圈单元中的每一者可以是线圈环或环形状的线圈块,并且可以固定至绕线架110的外表面。第一线圈单元和第二线圈单元可以连接至彼此。
感测磁体1180可以布置在绕线架1110的一个侧部部分处(或一个侧表面),并且平衡磁体1185可以布置在绕线架1110的与绕线架1110的上述一个侧部部分相对另一侧部部分(或另一侧表面)处。平衡磁体1185可以抵消或减小由于感测磁体1180与第一磁体130-1和第二磁体130-2之间的磁场干扰形成的电磁力的影响。
绕线架1110可以在其一个侧部部分中设置有第一坐置凹部,感测磁体1180坐置在第一坐置凹部中,并且绕线架1110可以在其另一侧部部分中设置有第二坐置凹部,平衡磁体1185坐置在第二坐置凹部中。
感测磁体1180可以在布置在第一坐置凹部中的状态下而布置在线圈1120的内部,并且平衡磁体1185可以在布置在第二坐置凹部中的状态下而布置在线圈1120的内部。此处,线圈1120的内部可以是线圈1120的朝向绕线架1110的中心的侧部。
壳体1140可以包括构造成接纳绕线架1110的开口,线圈1120布置在绕线架1110处,其中,并且绕线架1110可以布置在壳体1140内部。
例如,壳体1140可以包括彼此间隔开的第一侧部部分1141-1至第四侧部部分1141-4以及彼此间隔开的第一拐角部分至第四拐角部分。壳体1140的第一侧部部分1141-1和第二侧部部分1141-2可以彼此相对。壳体1140的第三侧部部分1141-3和第四侧部部分1141-4可以位于壳体1140的第一侧部部分1141-1与第二侧部部分1141-2之间,并且可以彼此相对。
第一磁体1130-1可以布置在壳体1140的第一侧部部分1141-1处,并且第二磁体1130-2可以布置在壳体1140的第二侧部部分1141-2处。
第一磁体1130-1和第二磁体1130-2中的每一者可以是单极磁化磁体或双极磁化磁体。
位置传感器1170和电路板1190可以布置在壳体1140的第四侧部部分1141-4处,以对应于感测磁体1180。
例如,电路板1190可以布置在壳体1140的第四侧部部分1141-4的外表面处,并且位置传感器1170可以布置或安装在电路板1190上。
感测磁体1180可以布置在绕线架1110的与壳体1140的第四侧部部分1141-4对应或相对的侧部部分1110-4(或侧表面)处。
平衡磁体1185可以布置在绕线架1110的与壳体1140的第三侧部部分1141-3对应或相对的侧部部分1110-3(或侧表面)处。
在另一实施方式中,电路板1190和位置传感器1170可以布置在壳体1140的第三侧部部分1141-3处,感测磁体1180可以布置在绕线架1110的与壳体1140的第三侧部部分1141-3对应的侧部部分(或侧表面)处,并且平衡磁体1185可以布置在绕线架1110的与壳体1140的第四侧部部分1141-4对应的侧部部分1110-4上。
绕线架1110可以通过由于线圈1120与第一磁体1130-1和第二磁体1130-2之间的电磁相互作用形成的电磁力而沿光轴方向移动。位置传感器1170可以感测安装到绕线架1110的感测磁体1180的磁场强度因绕线架1110的移动而产生的变化,并且可以基于感测的结果输出输出信号(例如,输出电压)。位置传感器1170可以是霍尔传感器或包括霍尔传感器和驱动器的驱动器IC。
上弹性构件1150可以联接至绕线架1110的上部分、上表面或上端部,并且联接至壳体1140的上部分、上表面或上端部。例如,上弹性构件1150可以包括至少一个上弹簧。
下弹性构件1160可以联接至绕线架1110的下部分、下表面或下端部,并且联接至壳体1140的下部分、下表面或下端部。例如,下弹性构件1150可以包括至少一个上弹簧。
例如,上弹性构件1150和下弹性构件1160中的至少一者可以包括彼此分离的两个或更多个弹簧。
线圈1120可以连接至上弹性构件1150和下弹性构件1160中的至少一者。另外,上弹性构件1150和下弹性构件1160中的至少一者可以连接至电路板1190。
电路板1190可以包括用于与外部连接的多个端子。位置传感器1170可以连接至电路板1190的多个端子中的相应一个端子。
线圈1120可以经由上弹性构件1150或下弹性构件1160连接至电路板1190的多个端子中的相应一个端子。
基部1210可以布置在壳体1140的下方。例如,基部1210可以布置在下弹性构件1160的下方。
盖构件1300可以形成为盒的形状,该盖构件1300的下部分是敞开的并且盖构件1300包括上板和侧板,并且盖构件1300可以覆盖壳体1140和绕线架1110。盖构件1300的下部分可以联接至基部1210的下部分。基部1210和盖构件1300可以形成用于绕线架1110和壳体1140的容纳空间。
基部1210可具有与绕线架1110的开口和/或壳体1140的开口对应的开口。
壳体1140可以在其第一拐角部分至第四拐角部分中设置有导引凹部1148,基部1210的导引部分1216插入到导引凹部1148中,并且基部1210的导引部分1216可以使用粘合构件比如环氧树脂或硅树脂(未示出)紧固或联接至导引凹部1148。
参照图24和图25,第一透镜移动装置100a和第二透镜移动装置100b可以彼此相邻布置,并且图21a和图21b的d1的描述可以适用于第一透镜移动装置100a与第二透镜移动装置100b之间的距离。
第一透镜移动装置100a可以包括:第一壳体140,该第一壳体140包括彼此相对的第一侧部部分和第二侧部部分以及彼此相对的第三侧部部分和第四侧部部分;布置在第一壳体140中的第一绕线架110;第一磁体130-1,该第一磁体130-1布置在第一壳体140的第一侧部部分处;第二磁体130-3,该第二磁体130-3布置在第一壳体140的第二侧部部分处;第三磁体130-3,该第三磁体130-3布置在第一壳体140的第三侧部部分处;布置在第一壳体140的第四侧部部分处的虚设构件135和第一线圈传感器170;第一线圈120,该第一线圈120包括在第一绕线架110处布置成与第一磁体130-1相对的第一线圈单元120-1,以及在第一绕线架110处布置成与第二磁体130-2相对的第二线圈单元120-2;以及感测磁体180(或第四磁体),该感测磁体180(或第四磁体)在第一绕线架处布置成与第一位置传感器170相对。
第二透镜移动装置100d可以包括:第二绕线架1110;布置在第二绕线架1110处的线圈1120;与线圈1120相对的第一磁体1130-1和第二磁体1130-2;位置传感器1170;以及感测磁体1180(或第三磁体),该感测磁体1180(或第三磁体)在第二绕线架1110处布置成与位置传感器1170相对。另外,当从上方观察时,第一透镜移动装置100a的第一虚设构件135可以布置在第一透镜移动装置100a的第三磁体130-3与第二透镜移动装置100d的感测磁体1180之间。
第一透镜移动装置100a的第一壳体140的第四侧部部分141-4和第二透镜移动装置100d的第二壳体1140的第三侧部部分1141-3可以彼此相邻布置。
例如,第一壳体140的第四侧部部分141-4和第二壳体1140的第三侧部部分1141-3可以彼此平行地布置。然而,本公开不限于此。
第一透镜移动装置100a的虚设构件135和第二透镜移动装置100d的平衡磁体1185可以布置在第一壳体140的第四侧部部分141-4和第二壳体1140的第三侧部部分1141-3中的对应一者处,其中,第四侧部部分141-4和第三侧部部分1141-3彼此相邻定位。
例如,虚设构件135与平衡磁体1185之间的距离D21可以小于第一透镜移动装置100a的第一磁体130-1(或第二磁体130-2)与第二透镜移动装置100d的第一磁体1130-1(或第二磁体1130-2)之间的距离D22(D21<D22)。
另外,例如,距离D21可以小于第一透镜移动装置100a的第三磁体130-3与第二透镜移动装置100d的平衡磁体1185之间的距离D23(D21<D23)。
另外,例如,距离D21可以小于第一透镜移动装置100a的第一磁体130-1(或第二磁体130-2)与第二透镜移动装置100d的平衡磁体1185之间的距离D24(D21<D24)。
由于D21小于D22、D23和D24,因此可以减少由于第一透镜移动装置100a的第一磁体130-1和第二磁体130-2与第二透镜移动装置100d的第一磁体1130-1和第二磁体1130-2之间的磁场干扰而对AF驱动力和OIS驱动力的影响。
例如,第一透镜移动装置100a的第一磁体130-1和第二磁体130-2以及第二透镜移动装置100d的第一磁体1130-1和第二磁体1130-2可以在从第一壳体140的第四侧部部分141-4至第二壳体1140的第三侧部部分1141-3的方向上彼此不重叠。
例如,第一透镜移动装置100a的感测磁体180可以在从第一壳体140的第四侧部部分141-4至第二壳体1140的第三侧部部分1141-3的方向上与第二透镜移动装置100d的平衡磁体1185重叠。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以不彼此重叠。
根据另一实施方式的第二透镜移动装置可以具有与图24和图25不同的磁体布置。例如,作为图24和图25的改型,根据另一实施方式的第二透镜移动装置可以包括在第二透镜移动装置的壳体的四个侧部部分中的至少一个侧部处布置的磁体。例如,根据另一实施方式的第二透镜移动装置可以包括在壳体的四个侧部部分处布置的四个磁体。然而,本公开不限于此。
另外,作为图24和图25的改型,可以使用以下步骤。根据另一实施方式的第二透镜移动装置可以包括布置在第二透镜移动装置的壳体的四个拐角中的至少一个拐角处的磁体。例如,根据另一实施方式的第二透镜移动装置可以包括布置在壳体的四个拐角处的四个磁体。然而,本公开不限于此。
图26a示出了双摄像头的相邻的两个透镜移动装置的磁体、感测磁体和平衡磁体的布置示例。
参照图26a,双摄像头可以包括第一摄像头模块10-1和第二摄像头模块10-2,第一摄像头模块10-1包括用于OIS的第一透镜移动装置10a,第二摄像头模块10-2包括用于CLAF的第二透镜移动装置10b。
用于OIS的第一透镜移动装置10a的第一壳体(未示出)的第四侧部部分和用于CLAF的第二透镜移动装置10b的第二壳体(未示出)的第四侧部部分可以邻近于彼此布置。
用于OIS的第一透镜移动装置10a可以包括四个磁体DM1至DM4、第一感测磁体SM1和第一平衡磁体BM1。
所述四个磁体DM1至DM4可以布置在第一壳体的第一侧部部分至第四侧部部分处,第一感测磁体SM1可以布置在绕线架的与第一壳体的第一拐角相对应的一个侧部部分(或一个侧表面)处,第一壳体的第一拐角与第一壳体的第四侧部部分相邻,并且第一平衡磁体BM1可以布置在绕线架的与布置有第一感测磁体SM1的侧部部分相对的侧部部分处。
用于CLAF的第二透镜移动装置10b可以包括布置在第二壳体的第一侧部部分处和第二侧部部分处的两个磁体DM11和DM12、布置在绕线架的与第二壳体的第四侧部部分相对的侧部部分处的第二平衡磁体BM2、以及布置在绕线架的与第二壳体的第三侧部部分对应或相对的另一侧部部分处的第二感测磁体SM2,第二壳体的第三侧部部分与第二壳体的第四侧部部分相对。第二平衡磁体BM2的位置和第二感测磁体SM2的位置可以交换(reverse)。
在图26a中,OIS磁体布置在第一壳体的第四侧部部分和第二壳体的第四侧部部分中的一者处,由此,用于CLAF的第二透镜移动装置10b的第二平衡磁体(或第二感测磁体)会由于用于OIS的第一透镜移动装置10a的磁体DM4而受到很大的磁场干扰。此外,由于用于OIS的第一透镜移动装置10a的磁体DM4与用于CLAF的第二透镜移动装置10b的磁体DM11和DM12之间的磁场干扰,用于OIS的第一透镜移动装置10a的AF操作和OIS操作以及用于CLAF的第二透镜移动装置10b的AF操作方面的可靠性可能会劣化。
图26b示出了双摄像头的相邻的两个透镜移动装置的磁体、感测磁体和平衡磁体的布置的另一示例。
为了减少参照图26a所描述的磁场干扰的影响,可以在用于OIS的第一透镜移动装置10c中布置磁体DM21至DM24、感测磁体SM3和平衡磁体BM3,如图23b中所示。
第一透镜移动装置10c可以包括第一壳体,第一壳体包括在对角线方向上彼此相对的第一拐角和第二拐角以及在对角线方向上彼此相对的第三拐角和第四拐角、布置在第一壳体中的第一绕线架、布置在第一绕线架处的线圈、布置在第一壳体的第一拐角至第四拐角处的第一磁体DM21至DM24、布置在第一壳体的彼此相邻的第一拐角与第三拐角之间的位置传感器、以及在第一绕线架处布置成与位置传感器相对的感测磁体SM3(或第二磁体)。
第二透镜移动装置10b可以包括第二绕线架、布置在第二绕线架处的线圈、与线圈相对的第一磁体DM11和第二磁体DM12、位置传感器1170、以及在第二绕线架处布置成与位置传感器相对的感测磁体SM2(或第三磁体)。第二透镜移动装置10b可以邻近于第一透镜移动装置10c的第一壳体的第二拐角和第三拐角布置,并且第二透镜移动装置10b的第一磁体DM11和第二磁体DM12彼此相对的方向可以对应于第一透镜移动装置10c的第一壳体的第三拐角和第二拐角彼此连结的方向。
第一透镜移动装置10c的第一壳体的第四侧部部分和第二透镜移动装置10b的第二壳体的第四侧部部分可以彼此相邻地布置。第一壳体的第三侧部部分可以与第一壳体的第四侧部部分相对,并且第一壳体的第一侧部部分和第二侧部部分可以在第一壳体的第三侧部部分与第四侧部部分之间布置成彼此相对。
磁体DM21至DM24可以布置在第一透镜移动装置10c的第一壳体的拐角部分处。第一透镜移动装置10c的第一壳体的拐角部分中的每个拐角部分可以布置在第一壳体的第一侧部部分至第四侧部部分之中的相邻的两个侧部部分处。
感测磁体SM3可以布置在绕线架的与第一壳体的第一侧部部分相对的侧表面处,并且平衡磁体BM3可以布置在绕线架的与第一壳体的第二侧部部分相对的侧部部分处。此外,平衡磁体BM3和感测磁体SM3的位置可以交换。
在图26b中,磁体DM21至DM24布置在第一壳体的拐角部分处,由此第一透镜移动装置和第二透镜移动装置具有用于指示OIS驱动方向的不同坐标轴,并且因此需要校正陀螺仪传感器的位置信息值。因此,摄像头模块的驱动速度可能减小。
此外,在图26b中,平衡磁体对于抵消第一透镜移动装置10c中的感测磁体的磁场干扰是必需的。
此外,在图26b中,位置传感器必须布置在第一壳体的与绕线架的布置有感测磁体SM3的侧部部分相对的第一侧部部分处。然而,由于磁体布置在第一壳体的与第一壳体的第一侧部部分相邻的拐角处,待安装位置传感器的空间是不足的。特别地,包括霍尔传感器和驱动器的集成AF驱动器IC可能不安装在第一壳体处,因为该集成AF驱动器IC的体积较大。
根据实施方式,另一方面,在包括两个或更多个透镜移动装置的摄像头模块中,在相邻的两个透镜移动装置的两个壳体的相邻的两个侧部部分中的一个侧部部分处布置有虚设构件135但未布置有用于AF或OIS的磁体。因此,可以减少由于包含在相邻的两个透镜移动装置中的磁体之间的磁场干扰而对AF驱动力和OIS驱动力造成的影响,并因此可以确保AF操作和OIS操作方面的可靠性。
由于该实施方式包括三个磁体,因此可以降低磁体的成本。
此外,由于本实施方式包括三个磁体,因此,即使在绕线架的与绕线架的定位有感测磁体的侧部部分相对的侧部部分处未布置平衡磁体,第三磁体130-3也用作平衡磁体,由此可以获得抵消感测磁体的磁场干扰的作用。
此外,在实施方式中,由于在壳体的第四侧部部分141-4处未布置磁体,因此可以确保足够的空间以将位置传感器安装在壳体中。
此外,在实施方式中,在其中磁体如图22中所示的那样布置的情况下,不需要对陀螺仪传感器的陀螺仪值进行转换,由此可以增大摄像头模块的驱动速度。
实施方式的透镜移动装置3100的立体图,图28是图27的透镜移动装置3100的分解立体图,图29是图28的第一AF移动件5200a和第二AF移动件5200b的分解立体图,图30是OIS移动件5300的分解立体图,图31a是图28的定子5400的分解立体图,图31b是图31a的基部3210的仰视图,图32是图28的第一弹性构件5500a和第二弹性构件5500b的分解立体图,图33是图27的透镜移动装置3100的立体图,其中,盖构件3300被移除,图34是图33的局部放大图,并且图35是图27的在从X-Y观察时的截面图。
因为可以安装两个透镜模块,因此图27的透镜移动装置3100例如可以称为“双透镜移动装置”。此外,在下面的描述中,“线圈”可以指代线圈单元,并且“弹性构件”可以指代弹性单元或弹簧。
参照图27至图35,透镜移动装置3100可以包括盖构件3300、第一AF移动件5200a、第二AF移动件5200b、OIS移动件5300、定子5400、第一弹性构件5500a、第二弹性构件5500b以及传感器5800。
此外,透镜移动装置3100还可以包括支承构件3600和阻尼器5700。
然而,在另一实施方式中,盖构件3300、第一AF移动件5200a、第二AF移动件5200b、OIS移动件5300、定子5400、第一弹性构件5500a、第二弹性构件5500b、支承构件3600、阻尼器5700和传感器5800中的至少一者可以从透镜移动装置3100省去。特别地,构造成执行手抖补偿反馈控制的传感器5800可以省去。
在AF驱动的方面,透镜移动装置3100可以包括第一透镜移动单元和第二透镜移动单元。第一透镜移动单元例如可以包括第一磁体单元,该第一磁体单元包括第一AF移动件5200a和第一磁体3130-1至第三磁体3130-3。
此外,第二透镜移动单元例如可以包括第二磁体单元,该第二磁体单元包括第二AF移动件5200b和第四磁体3130-4至第六磁体3130-6。
盖构件3300可以限定透镜移动装置3100的外观。
盖构件3300在盖构件3300的下部分处可以具有六面体形状的开口。然而,本公开不限于此。盖构件3300可以由非磁性材料制成。在盖构件3300由非磁性材料制成的情况下,磁体3130可能受到盖构件3300的磁力的影响。盖构件3300可以由金属材料制成。
更具体地,金属片材可以用作盖构件3300。在这种情况下,盖构件3300可以阻挡电磁干扰(EMI)。由于盖构件3300的这种特性,盖构件3300可以被称为“EMI屏蔽罩”。
盖构件3300可以防止在透镜移动装置的外部产生的电波被引入盖构件3300的内部。此外,盖构件3300可以防止在透镜移动装置的内部产生的电波被释放到盖构件3300的外部。
盖构件3300可以包括上板3301和侧板3302。
盖构件3300可以包括上板3301和从上板3301弯曲并延伸的侧板3302。盖构件3300可以包括上板3301和从上板3301的外周缘向下延伸的侧板3302。
盖构件3300可以联接至基部3210。例如,盖构件3300的侧板3302的一部分可以联接至基部3210。
盖构件3300的侧板3302的下端部可以布置在基部3210的台阶部分3211处。侧板3302的下端部可以联接至基部3210。盖构件3300的侧板3302的内表面可以直接接触基部3210的外表面。
盖构件3300的侧板3302的内表面可以使用粘合剂(未示出)联接至基部3210。在另一示例中,盖构件3300可以直接联接至电路板5010的上表面。
第一AF移动件5200a、第二AF移动件5200b、OIS移动件5300、定子5400、第一弹性构件5500a、第二弹性构件5500b和支承构件3600中的至少一者可以布置在由盖构件3300和基部3210所限定的内部空间中。在这种结构中,盖构件3300可以保护内部部件免受外部冲击并防止外部污染物的渗透。盖构件3300可以一体地形成。
盖构件3300可以包括第一开口3302a和第二开口3302b。第一开口3302a和第二开口3302b中的每一者例如可以是穿过盖构件3300的上板3301而形成的通孔。
盖构件3300可以在盖构件3300的上板3301中设置有第一开口3302a和第二开口3302b,第一开口3302a形成在与第一绕线架3110a相对应的位置处,第二开口3302b形成在与第二绕线架3110b相对应的位置处。
盖构件3300的开口3302a和3302b可以在盖构件3300的上板3301中形成为彼此间隔开。盖构件3300的第一开口3302a可以使安装在第一绕线架3110a中的第一透镜模块暴露,并且盖构件3300的第二开口3302b可以使安装在第二绕线架3110b中的第二透镜模块暴露。
盖构件3300的第一开口3302a可以形成为呈与第一透镜模块的形状相对应的形状,盖构件3300的第二开口3302b可以形成为呈与第二透镜模块的形状相对应的形状。
盖构件3300的第一开口3302a和第二开口3302b中的每一者的尺寸(例如,直径)可以大于透镜模块中的相应的一个透镜模块的直径,使得透镜模块可以通过开口3302a和3302b组装。
穿过盖构件3300的第一开口3302a和第二开口3302b中的每一者而引入的光可以穿过透镜模块中的相应的一个透镜模块。此时,光在穿过每个透镜模块之后可以通过图像传感器而转换成电信号,以获得图像。
将对第一AF移动件5200a和第二AF移动件5200b进行描述。
第一AF移动件5200a联接至第一透镜模块,或者第一AF移动件5200a将第一透镜模块接纳在第一AF移动件5200a中。第一AF移动件5200b联接至第二透镜模块,或者第一AF移动件5200b将第一透镜模块接纳在第一AF移动件5200b中。
第一AF移动件5200a和第二AF移动件5200b中的每一者可以通过与OIS移动件5300和/或定子5400的相互作用而移动。此时,第一AF移动件5200a可以与第一透镜模块一体地移动或与第一透镜模块一起移动,以执行自动聚焦功能,并且第二AF移动件5200b可以与第二透镜模块一体地移动或与第二透镜模块一起移动。然而,第二AF移动件5200b可以与第一AF移动件5200a分开地移动。第二AF移动件5200b的移动方向和第一AF移动件5200a的移动方向可以彼此平行。
例如,第一透镜模块的外周表面可以联接至第一AF移动件5200a的内周表面,并且第二透镜模块的外周表面可以联接至第二AF移动件5200b的内周表面。
第一AF移动件5200a可以包括第一绕线架3110a和构造成与第一绕线架3110a一起移动的部件,并且第二AF移动件5200b可以包括第二绕线架3110b和构造成与第二绕线架3110b一起移动的部件。
例如,第一AF移动件5200a可以包括第一绕线架3110a和第一线圈3120a,并且第二AF移动件5200b可以包括第二绕线架3110b和第二线圈3120b。
然而,第一绕线架3110a和第一线圈3120a中的至少一者可以从第一AF移动件5200a省去或者可以改变,并且第二绕线架3110b和第二线圈3120b中的至少一者可以从第二AF移动件5200b省去或者可以改变。
第一绕线架3110a和第二绕线架3110b可以布置在OIS移动件5300的壳体3140处。
第一绕线架3110a和第二绕线架3110b例如可以以彼此间隔开的状态布置在壳体3140处,以便沿第一方向移动。
第一绕线架3110a可以布置在壳体3140的第一接纳单元3011a中,并且第二绕线架3110b可以布置在壳体3140的第二接纳单元3011b中。
第一绕线架3110a和第二绕线架3110b中的每一者可以在光轴方向上相对于壳体3140移动。
第一绕线架3110a可以在壳体3140的第一接纳单元3011a中布置成沿着第一光轴移动,并且第二绕线架3110b可以在壳体3140的第二接纳单元3011b中布置成沿着第二光轴移动。
第一绕线架3110a可以具有用于与第一透镜模块联接的第一开口3111a,并且第一开口3111a可以是穿过第一绕线架3110a的中心而形成的通孔。
第二绕线架3110b可以具有用于与第二透镜模块联接的第二开口3111b,并且第二开口3111b可以是穿过第二绕线架3110b的中心而形成的通孔。
例如,第一透镜模块的外周表面可以联接至第一绕线架3110a的由第一开口3111a形成的内周表面,并且第二透镜模块的外周表面可以联接至第二绕线架3110b的由第二开口3111b形成的内周表面。
例如,与形成在第一透镜模块的外周表面处的螺纹相对应的螺纹可以形成在第一开口3111a的内周表面处,并且与形成在第二透镜模块的外周表面处的螺纹相对应的螺纹可以形成在第二开口3111b的内周表面处。
例如,第一透镜模块可以与第一绕线架3110a的第一开口3111a螺纹接合,并且第二透镜模块可以与第二绕线架3110b的第二开口3111b螺纹接合。
例如,可以在第一透镜模块与第一绕线架3110a之间以及第二透镜模块与第二绕线架3110b之间布置粘合剂。此时,粘合剂可以是通过紫外(UV)光、热和激光中的至少一者进行硬化的环氧树脂。
第一线圈3120a可以布置在第一绕线架3110a处,并且第二线圈3120b可以布置在第二绕线架3110b处。第一线圈3120a可以联接至第一绕线架3110a,并且第二线圈3120b可以联接至第二绕线架3110b。
例如,第一线圈3120a可以联接至第一绕线架3110a的外表面,并且第二线圈3120b可以联接至第二绕线架3110b的外表面。
第一绕线架3110a可以在第一绕线架3110a的外表面处设置有第一驱动单元联接部分3212a,第一线圈3120a布置在该第一驱动单元联接部分3212a处或者第一线圈3120a联接至该第一驱动单元联接部分3212a,并且第二绕线架3110b可以在第二绕线架3110b的外表面处设置有第二驱动单元联接部分3212b,第二线圈3120b布置在第二驱动单元联接部分3212b处或者第二线圈3120b联接至该第二驱动单元联接部分3212b。
第一驱动单元联接部分3212a可以形成为从第一绕线架3110a的外表面的至少一部分向内凹陷的凹部,并且第二驱动单元联接部分3212b可以形成为从第二绕线架3110b的外表面的至少一部分向内凹陷的凹部。
第一线圈3120a的至少一部分可以被接纳在第一驱动单元联接部分3212a中,并且第二线圈3120b的至少一部分可以被接纳在第二驱动单元联接部分3212b中。
第一驱动单元联接部分3212a可以与第一绕线架3110a的外表面一体地形成,并且第二驱动单元联接部分3212b可以与第二绕线架3110b的外表面一体地形成。
例如,第一驱动单元联接部分3212a可以沿着第一绕线架3110a的外表面连续地形成,并且第二驱动单元联接部分3212b可以沿着第二绕线架3110b的外表面连续地形成。
例如,第一线圈3120a可以绕第一驱动单元联接部分3212a缠绕,并且第二线圈3120b可以绕第二驱动单元联接部分3212b缠绕。在另一示例中,第一驱动单元联接部分3212a可以包括彼此间隔开的多个第一驱动单元联接部分,并且第一线圈3120a可以包括布置在所述多个第一驱动单元联接部分处的多个线圈单元。此外,第二驱动单元联接部分3212b可以包括彼此间隔开的多个第二驱动单元联接部分,并且第二线圈3120b可以包括布置在所述多个第二驱动单元联接部分处的多个线圈单元。
构造成联接至第一上弹性构件5510a的内部分3512a的第一联接部分3113a可以形成在第一绕线架3110a的上表面处,并且构造成联接至第二上弹性构件5510b的内部分3512b的第一联接部分3113b可以形成在第二绕线架3110b的上表面处。
例如,第一绕线架3110a的第一联接部分3113a可以联接至形成在第一上弹性构件5510a的内部分3512a中的第二联接孔3151a,并且第二绕线架3110b的第一联接部分3113b可以联接至形成在第二上弹性构件5510b的内部分3512b中的第二联接孔3151b。
第一绕线架3110a的第一联接部分3113a可以因第一绕线架3110a的上表面的一部分凹陷而形成,并且第二绕线架3110b的第二联接部分3113b可以因第二绕线架3110b的上表面的一部分凹陷而形成。
为了与第一上弹性构件5510a和第二上弹性构件5510b联接,第一绕线架3110a的第一联接部分3113a和第二绕线架3110b的第一联接部分3113b中的每一者均可以在自身中接纳有粘合剂。
第一绕线架3110a的第一联接部分3113a可以形成在与形成于第一上弹性构件5510a的内部分3512a中的第二联接孔3151a相对应的位置处。第二绕线架3110b的第一联接部分3113b可以形成在与形成于第二上弹性构件5510b的内部分3512b中的第二联接孔3151b相对应的位置处。
第一绕线架3110a的第一联接部分3113a可以形成为呈与形成在第一上弹性构件5510a的内部分3512a中的第二联接孔3151a的形状相对应的形状。第二绕线架3110b的第一联接部分3113b可以形成为呈与形成在第二上弹性构件5510b的内部分3512b中的第二联接孔3151b的形状相对应的形状。
此外,第一绕线架3110a和第二绕线架3110b中的每一者的第一联接部分3113a或3113b可以是凹部。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,每个联接部分可以是突出部或具有平面形状。
用于与第一下弹性构件5520a的内部分3522a联接的第二联接部分(未示出)可以形成在第一绕线架3110a的下表面处,并且用于与第二下弹性构件5520b的内部分3522a联接的第二联接部分(未示出)可以形成在第二绕线架3110b的下表面处。
例如,第一绕线架3110a的第二联接部分可以联接至形成在第一下弹性构件5520a的内部分3512a中的第三联接孔3161a,并且第二绕线架3110b的第二联接部分可以联接至形成在第二下弹性构件5510b的内部分3512b中的第三联接孔3161b。
第一绕线架3110a的第二联接部分可以因第一绕线架3110a的下表面的一部分凹陷而形成,并且第二绕线架3110b的第二联接部分可以因第二绕线架3110b的下表面的一部分凹陷而形成。
为了与第一下弹性构件5520a和第二下弹性构件5520b联接,第一绕线架3110a的第二联接部分和第二绕线架3110b的第二联接部分中的每一者可以在自身中接纳有粘合剂。
第一绕线架3110a的第二联接部分可以形成在与形成于与第一下弹性构件5520a的内部分3522a中的第二联接孔3161a对应的位置处。第二绕线架3110b的第二联接部分可以形成在与形成于第二下弹性构件5520b的内部分3522b中的第二联接孔3161b相对应的位置处。
第一绕线架3110a的第二联接部分可以形成为呈与形成在第一下弹性构件5520a的内部分3522a中的第二联接孔3161a的形状相对应的形状。第二绕线架3110b的第二联接部分可以形成为呈与形成在第二下弹性构件5520b的内部分3522b中的第二联接孔3161b的形状相对应的形状。
在另一实施方式中,第一驱动单元联接部分3112a或3112b、第一联接部分3113a或3113b和第二联接部分中的至少一者可以从第一绕线架3110a和第二绕线架3110b中的每一者省去。
第一线圈3120a可以布置在第一绕线架3110a处,并且第二线圈3120b可以布置在第二绕线架3110b处。例如,第一线圈3120a可以布置在第一绕线架3110a的外表面处,并且第二线圈3120b可以布置在第二绕线架3110b的外表面处。
第一线圈3120a可以与第一磁体单元3130a相对,并且第二线圈3120b可以与第二磁体单元3130b相对。
当向第一线圈3120a提供第一驱动信号(例如,第一电流)时,第一线圈3120a和第一绕线架3110a可以因第一线圈3120a与第一磁体单元3130a之间的电磁相互作用而在第一光轴(OA1)方向上移动。
此外,当向第二线圈2120b提供第二驱动信号(例如,第二电流)时,第二线圈3120b和第二绕线架3110b可以因第二线圈3120b与第二磁体单元3130b之间的电磁相互作用而在第二光轴(OA2)方向上移动。
例如,第一线圈3120a可以是单个一体线圈,并且第二线圈3120b可以是单个一体线圈。
在另一示例中,第一线圈3120a可以包括彼此间隔开的多个线圈单元,并且第二线圈3120b可以包括彼此间隔开的多个线圈单元。
例如,第一线圈3120a可以包括彼此间隔开的四个线圈单元,并且这四个线圈单元可以在第一绕线架3110a的外表面处布置成使得相邻的两个线圈单元之间的角度为90度。此外,例如,第二线圈3120b可以包括彼此间隔开的四个线圈单元,并且这四个线圈单元可以在第二绕线架3110b的外表面处布置成使得相邻的两个线圈单元之间的角度为90度。
第一线圈3120a可以包括用于提供第一电力或第一驱动信号的一对第一引线,并且第二线圈3120b可以包括用于提供第二电力或第二驱动信号的一对第二引线。
例如,第一线圈3120a的所述一对第一引线可以连接至第一上弹性构件5510a的第一上弹性单元3510a和第二上弹性单元3510b。此外,第二线圈3120b的所述一对第二引线可以连接至第二上弹性构件5510b的第三上弹性单元3510c和第四上弹性单元3510d。
第一线圈3120a可以经由第一上弹性构件5510a接收第一电力或第一驱动信号,并且第二线圈3120b可以经由第二上弹性构件5510b接收第二电力或第二驱动信号。
例如,第一线圈3120a可以经由电路板3250、支承构件3600和第一上弹性构件5510a接收第一电力或第一驱动信号,并且第二线圈3120b可以经由电路板3250、支承构件3600和第二上弹性构件5510b接收第二电力或第二驱动信号。
参照图4,OIS移动件5300可以在OIS移动件5300中接纳第一AF移动件5200a和第二AF移动件5200b的至少一部分。
OIS移动件5300可以使第一AF移动件5200a和第二AF移动件5200b移动,或者OIS移动件5300可以与第一AF移动件5200a和第二AF移动件5200b一起移动。OIS移动件5300可以通过与定子5400的相互作用而移动。
OIS移动件5300可以移动,以执行手抖补偿功能。当移动以执行手抖补偿功能时,OIS移动件5300可以与AF移动件5200a和5200b一体地移动。
OIS移动件5300可以包括壳体3140和磁体3320。然而,壳体3140和磁体3320中的至少一者可以从OIS移动件5300省去或者可以改变。
壳体3140可以布置在第一绕线架3110a和第二绕线架3110b的外部。壳体3140可以在壳体3140中接纳磁体3320以及第一绕线架3110a和第二绕线架3110b的至少一部分。
第一绕线架3110a和第二绕线架3110b可以布置在壳体3140中,并且磁体可以布置在壳体3140处。
壳体3140可以包括四个侧表面以及布置在四个侧表面之间的四个拐角部分。例如,壳体3140可以包括六面体形状。
磁体3320可以布置在壳体3140的所述四个侧表面上。
壳体3140的外表面的至少一部分可以形成为呈与盖构件3300的侧板3302的内周表面的形状相对应的形状。壳体3140的外表面可以形成为呈与盖构件3300的侧板3302的内周表面的形状相对应的形状。
壳体3140可以由绝缘材料制成。壳体3140可以由与盖构件3300不同的材料制成。考虑到生产率,壳体3140可以由注射模制材料制成。
例如,对于OIS驱动,壳体3140的外表面可以与盖构件3300的侧板3302的内表面间隔开。换言之,对于OIS驱动,壳体3140可以在壳体3140与盖构件3300之间的空间中移动。
上弹性构件5510a和5510b可以联接至壳体3140的上部分、上端部或上表面,并且下弹性构件5520a和5520b可以联接至壳体3140的下部分、下端部或下表面。
壳体3140可以一体地形成。即,在本实施方式中,OIS移动件1300可以被单独地控制,而用于AF驱动的第一移动件5200a和第二AF移动件5200b可以被分开地控制。
换言之,在本实施方式中,第一透镜模块和第二透镜模块可以在AF驱动时独立地移动并且在OIS驱动时一体地移动。通过该实施方式,可以排除用于OIS的双VCN结构中的磁体之间的相互干扰。
在实施方式中,壳体3140、基部3210和电路板3250中的每一者可以一体地形成。
壳体3140可以包括其中接纳或坐置有第一绕线架3110a的第一接纳单元3011a以及其中接纳或坐置有第二绕线架3110b的第二接纳单元3011b。
此外,壳体3140还可以包括布置在第一接纳单元3011a和第二接纳单元3011b之间的连接单元3011c,以使第一接纳单元3011a和第二接纳单元3011b互连。
第一接纳单元3011a和第二接纳单元3011b可以形成在壳体3140的内部。
第一接纳单元3011a和第二接纳单元3011b中的每一者可以包括在竖向方向上穿过壳体3140而形成的通孔。例如,第一接纳单元3011a可以包括其中接纳有第一绕线架3110a的第一开口或第一通孔,并且第二接纳单元3011b可以包括其中接纳有第二绕线架3110b的第二开口或第二通孔。
第一绕线架3110a可以以可移动的方式布置在第一接纳单元3011a中,并且第二绕线架3110b可以以可移动的方式布置在第二接纳单元3011b中。
第一接纳单元3011a的至少一部分可以形成为呈与第一绕线架3110a的形状相对应的形状,并且第二接纳单元3011b的至少一部分可以形成为呈与第二绕线架3110b的形状相对应的形状。
由第一通孔形成的第一接纳单元3011a的由第一通孔形成的内表面可以定位成与第一绕线架3110a的外表面间隔开,并且第二接纳单元3011b的由第二通孔形成的内表面可以定位成与第二绕线架3110b的外表面间隔开。
第一绕线架3110a可以具有从第一绕线架3110a的外表面向外突起的第一突起部分或第一止挡部3115a(参见图29),并且第二绕线架3110b可以具有从第二绕线架3110b的外表面向外突起的第二突起部分或第二止挡部3115b(参见图29)。
第一绕线架3110a的第一突起部分3115a和/或第二绕线架3110b的第二突起部分3115b可以接触壳体3140或者接触形成在壳体3140的上表面处的第一凹入部分3146a(参见图30)和/或第二凹入部分3146b,以用作机械地限制第一绕线架3110a在第一光轴(OA1)方向上的移动的止挡部以及机械地限制第二绕线架3110b在第二光轴(OA2)方向上的移动的止挡部。
壳体3140的连接单元3011c可以布置在第一绕线架3110a与第二绕线架3110b之间。
壳体3140可以包括多个侧部部分3014a至3014d和3015a至3015d以及多个拐角部分。
壳体3140的拐角部分中的每个拐角部分可以布置在相邻的两个侧部部分之间并且可以将壳体3140的相邻的两个侧部部分互连。
例如,壳体3140的第一接纳单元3011a可以包括第一侧部部分3014a至第四侧部部分3014d。此外,壳体3140的第二接纳单元3011a可以包括第五侧部部分3015a至第八侧部部分3015d。
此外,壳体3140的第一接纳单元3011a可以包括构造成将第一侧部部分3014a至第四侧部部分3014d中的相邻的两个侧部部分互连的拐角部分,并且壳体3140的第二接纳单元3011b可以包括构造成将第五侧部部分3015a至第八侧部部分3015d中的相邻的两个侧部部分互连的拐角部分。
第一接纳单元3011a的第一侧部部分3014a至第四侧部部分3014d中的每一者可以形成为平行于盖构件3300的侧板3302的侧表面中的一个侧表面。
第二接纳单元3011b的第五侧部部分3014a至第八侧部部分3014d中的每一者可以形成为平行于盖构件3300的侧板3302的侧表面中的对应一个侧表面。
壳体3140的第一接纳单元3011a的第一侧部部分3014a和第二侧部部分3014b可以彼此相对,并且第三侧部部分3014c和第四侧部部分3014d可以彼此相对。此外,壳体3140的第二接纳单元3011b的第五侧部部分3015a和第六侧部部分3015b可以彼此相对,并且第七侧部部分3015c和第八侧部18d可以彼此相对。
此外,壳体3140的第一侧部部分3014a和第五侧部部分3015a可以彼此平行或可以沿平行方向延伸,壳体3140的第二侧部部分3014b和第六侧部部分3015b可以彼此平行或可以沿平行方向延伸,并且壳体3140的第三侧部部分3014c和第七侧部部分3015c可以彼此平行或者可以沿平行方向延伸。
磁体3320可以布置在壳体3140的第一侧部部分3014a至第三侧部部分3014c以及壳体3140的第五侧部部分3015a至第七侧部部分3015c处。
在壳体3140的第一侧部部分3014a至第三侧部部分3014c以及第五侧部部分3015a至第七侧部部分3015c中可以设置有坐置部分3312,磁体3320联接至该坐置部分3312。坐置部分3312例如可以形成在壳体3140的侧部部分3014a至3014d和3015a至3015d的内表面中。
坐置部分3312例如可以是由于壳体3140的内表面凹陷而形成的凹部。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,坐置部分3312中的每个坐置部分可以具有平面形状,而不是凹部。
壳体3140的坐置部分3312中的每个坐置部分可以在该坐置部分的下部分处是敞开的。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,坐置部分3312中的每个坐置部分的下部分可以不敞开。
磁体3320可以使用粘合剂而固定或附接至壳体3140的坐置部分3312。然而,本公开不限于此。壳体3140可以具有至少一个粘合剂注射孔3315a,用于将磁体3320固定的粘合剂通过该粘合剂注射孔3315a而被注射。
粘合剂注射孔3315a例如可以形成在第一接纳单元3011a的侧部部分3014a至3014d、第二接纳单元3011b的侧部部分3015a至3015d以及连接单元3011c的侧部部分中的至少一者中。粘合剂注射孔3315a可以沿从壳体3140的侧部部分的外表面至内表面的方向穿过壳体3140的侧部部分而形成,并且磁体3320的一部分可以通过粘合剂注射孔而暴露。在另一实施方式中,粘合剂注射孔可以形成为凹槽。
壳体3140可以包括构造成联接至第一上弹性构件5510a和第二上弹性构件5510b的第一联接部分3313以及构造成联接至第一下弹性构件5520a和第二下弹性构件5520b的第二联接部分(未示出)。
壳体3140的第一联接部分3313可以联接至第一上弹性构件5510a和第二上弹性构件5510b的外部分3511a和3511b。
壳体3140的第一联接部分3313中的每个第一联接部分可以是从壳体3140的上表面突出的突出部。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,每个第一联接部分可以是凹部或具有平面形状,并且可以使用粘合剂联接至上弹性构件。
壳体3140的第一联接部分3313例如可以联接至第一上弹性构件5510a和第二上弹性构件5510b的外部分3511a和3511b的第一联接孔3152a。
第一联接部分3313例如可以在第一联接部分3313插入到第一联接孔3152a中的状态下被热熔合,由此上弹性构件5510a和5510b可以固定在经热熔合的第一联接部分3313与壳体3140之间。
壳体3140的第二联接部分可以联接至第一下弹性构件5520a和第二下弹性构件5520b的外部分3521a和3521b。
壳体3140的第二联接部分中的每个第二联接部分例如可以是突出部或凹部或者可以具有形成在壳体3140的下表面处的平面形状,并且第二联接部分可以通过热熔合或使用粘合剂而联接至下弹性构件。此外,例如可以在第一下弹性构件5520a和第二下弹性构件5520b的外部分3521a和3521b处设置用于与壳体3140的第二联接部分联接的平面或孔。
壳体3140可以包括因壳体3140的上表面的一部分凹陷而形成的凹入部分3319。凹入部分3319可以形成在壳体3140的拐角或拐角部分中。
壳体3140的凹入部分3319可以在光轴方向上与上弹性构件5510a和5510b的联接部分3514a和3514b部分地重叠。在该结构中,即使涂覆在上弹性构件5510a和5510b的联接部分3514a上的阻尼器5700向下流动,壳体3140的凹入部分3319也可以接纳该阻尼器。
壳体3140可以在壳体3140的拐角或拐角部分中的每个拐角或拐角部分中设置有通孔3147,支承构件3600延伸穿过该通孔3147。通孔3147可以穿过壳体3140的拐角或拐角部分中的每个拐角或拐角部分的至少一部分而形成。
磁体3320可以布置在壳体3140处。磁体3320可以布置在第一线圈3120a和第二线圈3120b的外部。
磁体3320可以在垂直于光轴OA1和OA2的方向上与第一线圈3120a和第二线圈3120b相对。磁体3320可以布置在第三线圈3230的上侧部处。磁体3320可以在光轴(OA1和OA2)方向上与第三线圈3230相对。磁体3320可以与第三线圈3230电磁地相互作用。磁体3320可以共同用于执行自动聚焦功能和手抖补偿功能。
磁体3320可以布置在壳体3140的侧部部分处。
磁体3320可以是平坦的磁体。磁体3320可以具有平坦的形状。
磁体3320可以包括布置在壳体3140的第一接纳单元3011a中的第一磁体单元3130a以及布置在壳体3140的第二接纳单元3011b中的第二磁体单元3130b。
第一磁体单元3130a可以通过与第一线圈3120a的相互作用而使第一绕线架3110a在第一光轴(OA1)方向上移动,并且第二磁体单元3130b可以通过与第二线圈3120b的相互作用而使第二绕线架3110b在第二光轴(OA2)方向上移动。
第一磁体单元3130a例如可以绕第一绕线架3110a布置并且可以布置成与第一线圈3120a相对。第二磁体单元3130b可以绕第二绕线架3110b布置并且可以布置成与第二线圈3120b相对。
第一磁体单元3130a可以包括第一磁体3130-1至第三磁体3130-3,并且第二磁体单元3130b可以包括第四磁体3130-4至第六磁体3130-6。
第一磁体3130-1可以布置在壳体3140的第一侧部部分3014a处,第二磁体3130-2可以布置在壳体3140的第二侧部部分3014b处,并且第三磁体3130-2可以布置在壳体3140的第三侧部部分3014c处。
第四磁体3130-4可以布置在壳体3140的第五侧部部分3015a处,第五磁体3130-5可以布置在壳体3140的第六侧部部分3015b处,并且第六磁体3130-6可以布置在壳体3140的第七侧部部分3015c处。
为了防止相对于第一AF移动件和第二AF移动件中的每一者的磁场干扰,在壳体3140的第四侧部部分3014d和壳体3140的第八侧部部分3015d处可以不布置磁体。
也就是说,在磁体邻近于壳体3140的连接单元3011c布置在壳体3140的侧部部分3014d和3015d处的情况下,由于磁体之间的磁场干扰,在第一AF移动件的自动聚焦操作和/或第二AF移动件的自动聚焦操作中可能出现误差,这是因为布置在壳体3140的侧部部分3014d和3015d处的磁体之间的距离很小。
参照图31a和图31b,定子5400可以布置在壳体3140的下侧部处。
定子5400可以布置在OIS移动件5300的下侧部处。定子5400可以与OIS移动件5300相对。
定子5400可以以可移动的方式支承OIS移动件5300。定子5400可以使OIS移动件5300移动。此时,AF移动件5200a和5200b可以与OIS移动件5300一起被移动。
定子5400可以包括具有第三线圈3230的电路构件3231、电路板3250和基部3210。然而,电路板3250、第三线圈3230和基部3210中的至少一者可以从定子5400省去或者可以改变。
电路板3250可以布置在第三线圈3230下方。
电路板3250例如可以布置在形成有第三线圈3230的电路构件3231下方。
电路板3250可以布置在基部3210上。
电路板3250可以布置在电路构件3231与基部3210之间。
支承构件3600可以联接至电路板3250。
支承构件3600的下端部例如可以通过焊接或使用导电的粘合构件而联接至电路板3250的下表面。电路板3250可以一体地形成。
电路板3250可以包括柔性印刷电路板(FPCB)。
电路板3250可以经由支承构件3600和第一上弹性构件5510a向第一线圈3120a提供第一电力或第一驱动信号。
电路板3250可以经由支承构件3600和第二上弹性构件5510b向第二线圈3120b提供第二电力或第二驱动信号。
电路板3250可以连接至第三线圈3230并且可以向第三线圈3230提供第三电力或第三驱动信号。
电路板3250可以包括第一开口3411a、第二开口3411b以及端子部分3253a和3253b。然而,第一开口3411a、第二开口3411b以及端子部分3253a和3253b中的至少一者可以从电路板3250省去或者可以改变。
电路板3250的第一开口3411a可以形成为偏置于电路板3250的一侧。电路板3250的第二开口3411b可以形成为偏置于电路板3250的另一侧。当从上方观察电路板3250时,电路板3250可以具有矩形形状。然而,本公开不限于此。
电路板3250的第一开口3411a和第二开口3411b中的每一者可以穿过电路板3250而形成。
电路板3250的第一开口3411a可以形成为与第一绕线架3110a相对应,并且第二开口3411b可以形成为与第二绕线架3110b相对应。
电路板3250的第一开口3411a可以允许已经通过第一透镜模块的光穿过该第一开口3411a,并且电路板3250的第二开口3411b可以允许已经通过第二透镜模块的光穿过该第二开口3411b。
电路板3250的第一开口3411a和第二开口3411b中的每一者可以形成为呈圆形形状。然而,第一开口3411a的形状不限于此。第一开口3411a可以与第二开口3411b间隔开。
电路板3250的端子部分3253a和3253b可以由于电路板3250的一部分弯折而形成。电路板3250例如可以包括从电路板的上表面向下弯折的一部分,并且该弯折部分可以形成电路板3250的端子部分。
电路板3250的端子部分3253a和3253b中的每一者的至少一部分可以暴露在外部。电路板3250的端子部分3253a和3253b可以通过焊接或使用导电的粘合构件而联接至摄像头模块的布置在基部3210的下侧部处的电路板5010。
电路板3250的端子部分3253a和3253b中的每一者的下端部可以直接接触摄像头模块的电路板5010。电路板3250的端子部分3253a和3253b可以布置在基部3210的端子联接部分3434a和3434b处。电路板3250的端子部分3253a和3253b中的每一者可以包括用于与外部连接的多个端子3251。
电路板3250的端子部分3253a和3253b中的每一者可以包括多个端子3251。
电路板3250的多个端子3251中的第一端子和第二端子例如可以连接至第三线圈3230的第一轴(例如,Y轴)线圈3230-1、3230-2、3230-4和3230-5。
此外,电路板3250的多个端子3251中的第三端子和第四端子例如可以连接至第三线圈3230的第二轴(例如,X轴)线圈3230-3和3230-6。电路板3250的第一端子至第四端子可以是OIS端子。
此外,电路板3250的多个端子3251中的第五端子至第八端子例如可以连接至第一传感器3240a。此外,电路板3250的多个端子3251中的第九端子至第十二端子例如可以连接至第二传感器3240b。电路板3250的第五端子至第十二端子例如可以是传感器端子。
此外,电路板3250的多个端子3251中的第十三端子和第十四端子例如可以连接至第一线圈3120a。此外,电路板3250的多个端子3251中的第十五端子至第十六端子例如可以连接至第二线圈3120b。电路板3250的第十三端子至第十六端子例如可以是AF线圈端子。
电路板3250例如可以包括布置在电路板3250的相对的两个侧部部分(或侧表面)中的一个侧部部分处的第一端子部分和布置在所述相对的两个侧部部分中的另一侧部部分处的第二端子部分。第一端子部分和第二端子部分例如可以布置在电路板3250的相对的两个长侧部部分(或长侧表面)处。此处,电路板3250的相对的两个长侧表面可以对应于电路构件3231的第一侧表面3031a和第二侧表面3031b。
第一端子至第十六端子中的八个端子例如可以设置在电路板3250的第一端子部分处,并且其他八个端子可以设置在电路板3250的第一端子部分处。
例如,第一线圈负极端子AF1-、第二线圈负极端子AF2-、第一轴线圈负极端子OISX-、第二轴线圈负极端子OISY-、第一传感器输入正极端子Hall X In+、第一传感器输入负极端子Hall X In-、第一传感器输出正极端子Hall X Out+和第一传感器输出负极端子Hall X Out-可以设置在电路板3250的第一端子部分处。
此外,例如,第一线圈正极端子AF1+、第二线圈正极端子AF2+、第一轴线圈正极端子OISX+、第二轴线圈正极端子OISY+、第二传感器输入正极电极端子Hall Y In+、第二传感器输入负极端子Hall Y In-、第二传感器输出正极端子Hall Y Out+和第二传感器输出负极端子Hall Y Out-可以设置在电路板3250的第二端子部分处。
电路板3250可以设置有孔3250a,支承构件3600延伸穿过该孔3250a。例如,可以在电路板3250的每个拐角处设置有孔3250a,并且孔3250a可以穿过电路板3250而形成。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,电路板3250可以在电路板3250的每个拐角处设置有避开凹部,而不是具有孔3250a,以避免与支承构件360的空间干涉。
电路构件3231可以布置在基部3210处。
电路构件3231可以布置在电路板3250处。
电路构件3231可以布置在电路板3250的上表面处。
电路构件3231可以布置在磁体3320的下表面处。
电路构件3231可以布置在磁体3320与基部3210之间。
电路构件3231可以包括孔3231a,支承构件3600延伸穿过该孔3231a。
电路构件3231可以在电路构件3231的每个拐角中设置有孔3231a,该孔3231a具有与形成在电路板3250的每个拐角中的孔3250a的形状相对应的形状。电路构件3231的孔3231a可以穿过电路构件3231而形成。在另一实施方式中,电路构件3231可以具有避开凹部,而不是具有孔3231a。
电路构件3231可以一体地形成。电路构件3231可以包括基板部分3421和第三线圈3230。然而,基板部分3421和第三线圈3230中的至少一者可以从电路构件3231省去或者可以改变。
板部分基板部分3421可以是电路板。基板部分3421例如可以是FPCB。第三线圈3230可以一体地形成在基板部分3421处。
板部分基板部分3421可以设置有孔3231a,支承构件3600延伸穿过该孔3231a。在变型中,支承构件3600可以联接至基板部分3421。此时,基板部分3421的下表面和支承构件3600的下端部可以通过焊接而联接至彼此。
电路构件3231可以包括与电路板的第一开口3411a和第二开口3411b相对应的第一开口3023a和第二开口3023b。第一开口3023a和第二开口3023b例如可以形成在基板部分3421中。
电路板3231的第一开口3023a例如可以形成为与第一绕线架3110a相对应,并且第二开口3023b可以形成为与第二绕线架3110b相对应。
第一绕线架3110a的至少一部分(例如,下端部)可以布置在电路板3231的第一开口3023a和电路板3250的第一开口3411a中。此外,第二绕线架3110b的至少一部分(例如,下端部)可以布置在电路板3231的第二开口3023b和电路板3250的第一开口3411b中。
第三线圈3230可以在第一光轴(OA1)方向或第二光轴(OA2)方向上与磁体3320相对。
当向第三线圈3230提供第三电力或第三驱动信号时,磁体3320可以因第三线圈3230与磁体3320之间的电磁相互作用而相对于第三线圈3230移动。
第三线圈3230可以通过与磁体3320的电磁相互作用而使壳体3140和绕线架3110a和3110b在垂直于光轴的方向上相对于基部3210移动。第三线圈3230可以是一体地形成在基板部分3421处的精细图案线圈(FP线圈)。第三线圈3230可以以精细图案线圈(FP线圈)的形式形成在电路构件3231处。
第三线圈3230可以包括在第一光轴(OA1)方向或第二光轴(OA2)方向上与第一磁体3130-1相对的第一线圈单元3230-1、与第二磁体3130-2相对的第二线圈单元3230-2、与第三磁体3130-3相对的第三线圈单元3230-3、与第四磁体3130-4相对的第四线圈单元3230-4、与第五磁体3130-5相对的第五线圈单元3230-5以及与第六磁体3130-6相对的第六线圈单元3230-6。
第一线圈单元3230-1、第二线圈单元3230-2、第四线圈单元3230-4和第五线圈单元3230-5可以是构造成使OIS移动件5300在第一轴(例如,Y轴)方向上移动的第一轴线圈。
此外,第三线圈单元3230-3和第六线圈单元3230-6可以是构造成使OIS移动件5300在第二轴(例如,X轴)方向上移动的第二轴线圈。
第一轴(例如,Y轴)方向可以垂直于第二轴(例如,X轴)方向。
第一轴和第二轴中的每一者可以垂直于联接至第一绕线架3110a的第一透镜模块的第一光轴OA1。此外,第一轴和第二轴中的每一者可以垂直于联接至第二绕线架3110b的第二透镜模块的第二光轴OA2。
第一轴线圈还可以包括第一连接线圈,该第一连接线圈构造成将彼此间隔开的四个线圈单元3230-1、3230-2、3230-4和3230-5互连。
线圈单元3230-1、3230-2、3230-4和3230-5例如可以经由第一连接线圈串联地连接至彼此。即,线圈单元3230-1、3230-2、3230-4和3230-5可以被一体地控制。第一轴线圈的线圈单元3230-1、3230-2、3230-4和3230-5例如可以由单个驱动信号来控制。
第二轴线圈还可以包括第二连接线圈,该第二连接线圈构造成将第三线圈单元3230-3和第六线圈单元3230-6互连。第三线圈单元3230-3和第六线圈单元3230-6可以经由第二连接线圈串联地连接至彼此。
即,第三线圈单元3230-3和第六线圈单元3230-6可以被一体地控制。第二轴线圈的线圈单元3230-3和3230-6例如可以由单个驱动信号控制。
第一轴线圈可以一体地形成,并且第二轴线圈可以一体地形成。
第一轴线圈和第二轴线圈可以被分开地或独立地控制。
基部3210可以布置在壳体3140下方。基部3210可以布置在电路板3250下方。电路板3250可以布置在基部3210的上表面处。
基部3210可以联接至盖构件3300。
基部3210可以布置在摄像头模块的电路板5010上。然而,在基部3210与电路板5010之间可以布置单独的保持器构件3120。基部3210可以实现传感器保持器的功能,该传感器保持器保护安装在电路板5010上的图像传感器。基部3210可以一体地形成。
基部3210可以包括第一开口3431a、第二开口3431b、传感器联接部分3433、端子联接部分3434和台阶部分3211。
基部3210可以包括凹陷部分3436和分隔部3437。然而,第一开口431a和第二开口431b、传感器联接部分3433、端子联接部分3434、台阶部分3211、凹陷部分3436和分隔部3437中的至少一者可以从基部3210省去或者可以改变。
基部3210的第一开口3431a可以形成在与第一绕线架3110a相对应的位置处,并且该第一开口3431a可以是穿过基部3210而形成的通孔。例如,基部3210的第一开口3431a和第二开口3431b中的每一者可以沿竖向方向穿过基部3210而形成。
基部3210的第二开口3431b可以形成在与第二绕线架3110b对应的位置处,并且该第二开口3431b可以是穿过基部3210而形成的通孔。
基部3210的凹陷部分3436可以因基部3210的下表面的一部分凹陷而形成。凹陷部分3436例如可以布置在第一开口3431a与第二开口3431b之间。
基部3210的分隔部3437可以在第一开口3431a与第二开口3431b之间从凹陷部分3436的凹陷表面突起至基部3210的下表面,并且该分隔部3437可以从基部3210的一个侧表面(例如,第一长侧表面)延伸至另一侧表面(例如,第二长侧表面)。
基部3210的分隔部3437可以增加基部3210的刚度。基部3210的分隔部3437可以形成为双重结构。在此情况下,基部3210的刚度可以更有效地增加。分隔部3437可以防止要被引入到第一图像传感器中的光穿过形成在基部3210的下侧部处的空间被引入到第二图像传感器中。此外,分隔部3437可以防止要被引入到第二图像传感器中的光穿过形成在基部3210的下侧部处的空间被引入到第一图像传感器中。基部3210的两个分隔部3437可以布置成彼此间隔开,由此可以在这两个分隔部3437之间形成一空间。
红外滤光器可以布置在基部3210的第一开口3431a和第二开口3431b中的至少一者中。然而,红外滤光器可以联接至布置在基部3210的下部分处的单独的保持器构件1020。
通过第一透镜模块的光可以穿过基部3210的第一开口3431a入射在第一图像传感器上,并且通过第二透镜模块的光可以穿过基部3210的第二开口3431b入射在第二图像传感器上。
基部3210的第一开口3431a和第二开口3431b中的每一者可以形成为呈圆形。然而,本公开不限于此。
传感器3240可以布置在基部3210的传感器联接部分3433处。
基部3210的传感器联接部分3433可以接纳传感器3240的至少一部分。
基部3210的传感器联接部分3433可以是因基部3210的上表面向下凹陷而形成的凹部。
基部3210的传感器联接部分3433可以形成为多个凹部。在示例中,传感器联接部分3433可以形成为两个凹部。此时,可以在所述两个凹部的每个凹部中布置有传感器3240。
基部3210的传感器联接部分3433可以包括第一传感器联接部分3433a和第二传感器联接部分3433b。
第一传感器联接部分3433a可以形成在基部3210的上表面的与布置有第一传感器3240a的位置相对应的区域处,并且第一传感器3240a可以布置在第一传感器联接部分3433a处。
第一传感器联接部分3433a例如可以形成在基部3210的第一开口3431a与基部3210的长侧表面之间,并且第一传感器联接部分3433a可以形成为邻近于基部3210的位于基部3210的第一开口3431a与第二开口3431b之间的区域。
替代性地,第一传感器联接部分3433a例如可以形成在基部3210的第二开口3431b与基部3210的长侧表面之间,并且第一传感器联接部分3433a可以形成为邻近于基部3210的位于基部3210的第一开口3431a与第二开口3431b之间的区域。
第二传感器联接部分433b可以形成在基部3210的上表面的与布置有第二传感器3240b的位置相对应的区域处,并且第二传感器3240b可以布置在第二传感器联接部分处。
第二传感器联接部分433b例如可以形成在基部3210的第一开口3431a(或第二开口3431b)与基部3210的短侧表面之间,并且第二传感器联接部分433b可以形成在基部3210的上表面的与基部3210的短侧表面的中心相对应的位置处。
电路板3250的端子部分3253a和3253b可以布置在基部3210的端子联接部分3434处。
基部3210的端子联接部分3434可以是因基部3210的一个侧表面的一部分向内凹陷而形成的凹部。此时,电路板3250的端子部分3253a和3253b中的每一者的至少一部分可以与端子联接部分3434表面接触。
基部3210的端子联接部分3434可以包括形成在基部3210的一个侧表面(例如,第一长侧表面)处的第一端子联接部分3434a以及形成在基部3210的另一侧表面(例如,第二长侧表面)处的第二端子联接部分3434b。
当从上方观察时,基部3210的第一端子联接部分3434a可以形成在与基部3210的侧表面中的长侧表面相对应的侧部(例如,第一长侧表面)处。第一端子联接部分3434a可以形成在基部3210的一个侧表面的中央部分处。
例如,第一传感器联接部分3433a可以定位成邻近于基部3210的端子联接部分3434。
基部3210的第二端子联接部分3434b可以与第一端子联接部分3434a相对,并且可以形成为呈与第一端子联接部分3434a的形状相对应的形状。
端子联接部分3434可以从基部3210的下表面向下延伸。因此,端子联接部分3434的下端部可以定位成比基部3210的下表面低。
端子联接部分3434的宽度可以对应于或等于电路板3250的端子部分3253a和3253b中的每一者的宽度。端子联接部分3434的长度可以对应于或等于电路板3250的端子部分3412的长度。
基部3210的台阶部分3211可以形成在基部3210的侧表面处。
基部3210的台阶部分3211可以绕基部3210的外表面形成。基部3210的台阶部分3211可以因基部3210的侧表面的上部分凹陷而形成。替代性地,基部3210的台阶部分3211可以因基部3210的侧表面的下部分突起而形成。盖构件3300的侧板3302的下端部可以布置在基部3210的台阶部分3211处。
基部3210可以在基部3210的上表面处设置有用于与电路板3250和电路构件3231联接的突起部分3025a。例如,可以在基部3210的上表面的位于第一开口与第二开口之间的区域处设置突起部分3025a。然而,本公开不限于此。
电路板3250可以具有用于与基部3210的突起部分3025a联接的通孔3025b。通孔3025b例如可以布置在电路板3250的第一开口3411a与第二开口3411b之间。然而,本公开不限于此。该通孔可以形成在与基部3210的突起部分3025a相对应的位置处。
电路构件3231可以具有用于与基部3210的突起部分3025a联接的通孔3025c。通孔3025c例如可以布置在电路构件3231的第一开口3023a与第二开口3023b之间。然而,本公开不限于此。该通孔可以形成在与基部3210的突起部分3025a相对应的位置处。基部3210的突起部分3025a可以联接至电路构件3231的通孔3025c和电路板3250的通孔3025b,由此可以防止电路板3250和电路构件3231彼此分离。
接着,将描述弹性构件5500a和5500b以及支承构件3600,弹性构件5500a和5500b以及支承构件3600是构造成引导绕线架3110a和3110b以及壳体3140的运动的部件。然而,这仅是示例,并且可以使用除了弹簧和丝线以外的构件来引导绕线架3110a和3110b以及壳体3140的运动。在示例中,可以使用球状导引件代替弹性构件5500a和5500b以及支承构件3600。
第一弹性构件5500a可以联接至第一绕线架3110a和壳体3140。第一弹性构件5500a可以弹性地支承第一绕线架3110a。第一弹性构件5500a的至少一部分可以是弹性的。
第一弹性构件5500a可以以可移动的方式支承第一绕线架3110a。
第一弹性构件5500a可以将第一绕线架3110a支承成能够在光轴方向上相对于壳体3140移动。也就是说,第一弹性构件5500a可以将第一绕线架3110a支承成执行AF驱动。此时,第一弹性构件5500a可以被称为“AF支承构件”。
第一弹性构件5500a可以包括第一上弹性构件5510a和第一下弹性构件5520a。然而,第一上弹性构件5510a和第一下弹性构件5520a中的至少一者可以从第一弹性构件5500a省去或者可以改变。第一上弹性构件5510a和第一下弹性构件5520a可以一体地形成。
第一上弹性构件5510a可以布置在第一绕线架3110a的上侧部处并且可以联接至第一绕线架3110a和壳体3140。第一上弹性构件5510a可以布置在第一绕线架3110a的上侧部处。第一上弹性构件5510a可以联接至第一绕线架3110a和壳体3140。
第一上弹性构件5510a可以联接至第一绕线架3110a的上部分和壳体3140的上部分。第一上弹性构件5510a可以是板簧。
第一上弹性构件5510a可以包括彼此间隔开的第一上弹性单元510a和第二上弹性单元510b。第一上弹性单元510a和第二上弹性单元510b可以连接至第一线圈3120a。
第一上弹性单元3510a可以连接至第一线圈3120a的一个端部,并且第二上弹性单元3510b可以连接至第一线圈3120a的另一端部。
第一上弹性单元3510a可以连接至第一丝线3601,并且第二上弹性单元3510b可以连接至第二丝线3602。
第一上弹性单元3510和第二上弹性单元3510b可以连接至第一线圈3120a。第一上弹性单元3510a和第二上弹性单元3510b中的每一者可以由导电材料制成。第一线圈3120a可以通过第一上弹性单元3510a和第二上弹性单元3510b接收第一电力或第一驱动信号(例如驱动电流)。
第一上弹性构件5510a可以包括第一外部分3511a、第一内部分3512a、第一连接部分3513a和联接部分3514a。“外部分”可以被称为“外框架”,并且“内部分”可以被称为“内框架”。
第一上弹性单元3510a和第二上弹性单元3510b中的每一者例如可以包括第一外部分3511a、第一内部分3512a、第一连接部分3513a和联接部分3514a。
然而,第一外部分3511a、第一内部分3512a、第一连接部分3513a和联接部分3514a中的至少一者可以从第一上弹性构件5510a省去或者可以改变。
第一外部分3511a可以联接至壳体3140。第一外部分3511a可以联接至壳体3140的上部分。
第一外部分3511a可以联接至壳体3140的第一联接部分3313。
第一外部分3511a可以包括联接至壳体3140的第一联接部分3313的第一联接孔3152a。第一外部分3511a的第一联接孔3152a例如可以通过热熔合而联接至壳体3140的第一联接部分3313。
第一内部分3512a可以联接至第一绕线架3110a。第一内部分3512a可以联接至第一绕线架3110a的上部分。
第一内部分3512a可以使用粘合剂而联接至第一绕线架3110a的第一联接部分3113a。第一内部分3512a可以包括与第一绕线架3110a的第一联接部分3113a相对应的第二联接孔3151a。
第一连接部分3513a可以将第一外部分3511a和第一内部分3512a彼此连接。第一连接部分3513a可以将第一外部分3511a和第一内部分3512a弹性地连接至彼此。第一连接部分3513a可以是弹性的。此时,第一连接部分3513a可以被称为“弹性部分”。第一连接部分3513a可以通过弯折两次或更多次而形成。
联接部分3514a可以联接至支承构件3600。联接部分3514a可以通过焊接而联接至支承构件3600。联接部分3514a可以包括孔,支承构件3600延伸穿过该孔。联接部分3514a的孔可以是通孔。
因此,支承构件3600的延伸穿过联接部分3514a的部分和联接部分3514a的上表面可以通过焊接而联接至彼此。联接部分3514a可以从第一外部分3511a延伸。联接部分3514a可以从第一外部分3511a向外延伸。联接部分3514a可以包括通过弯折而形成的弯折部分。
参照图34,联接部分3514a可以包括从第一外部分3511a朝向壳体3140的拐角延伸的第一延伸部分3514aa以及从第一延伸部分3514aa沿朝向第一上弹性构件5510a的中心的方向延伸的第二延伸部分3514ab。
第一延伸部分3514aa可以从第一外部分3511a朝向壳体3140的拐角延伸。第二延伸部分3514ab可以从第一延伸部分3514aa沿朝向第一上弹性构件5510a的中心的方向延伸。
第二延伸部分3514ab可以从第一延伸部分3514aa沿朝向第一上弹性构件5510a的第一外部分3511a的方向延伸。第二延伸部分3514ab和第一外部分3511a可以彼此间隔开。然而,第二延伸部分3514ab和第一外部分3511a可以经由阻尼器5700连接至彼此。
联接部分3514a的远端端部可以与第一外部分3511a间隔开。阻尼器5700可以将联接部分3514a的远端端部和第一外部分3511a连接至彼此。用于在元件之间进行区分的术语“第一”和“第二”可以互换地使用。例如,第一延伸部分3514aa可以被称为“第二延伸部分”,并且第二延伸部分3514ab可以被称为“第一延伸部分”。此外,虽然第一延伸部分3514aa和第二延伸部分3514ab被描述为与联接部分3514a一起构成为单个部件,但联接部分3514a也可以与第一延伸部分3514aa和第二延伸部分3514ab分开地设置。在此情况下,联接部分3514a可以指布置在第一延伸部分3514aa与第二延伸部分3514ab之间以联接至支承构件3600的部分。
实施方式中,上弹性构件5510a或5510b可以包括:联接至壳体3140的外部分3511a或3511b;联接至第一绕线架3110a或第二绕线架3110b的内部分3512a或3512b;构造成将外部分3511a或3511b和内部分3512a或3512b互连的连接部分3513a或3511b;从外部分3511a或3511b延伸的联接部分3514a或3514b,该联接部分联接至支承构件3600;以及从联接部分3514a或3514b延伸的第一延伸部分3514ab部分(参见图34),该第一延伸部分与外部分3511a或3511b间隔开。此时,阻尼器5700可以将第一延伸部分3514ab和外部分3511a或3511b连接至彼此。
上弹性构件5510a或5510b可以包括从外部分3511a或3511b朝向壳体3140的拐角延伸的第二延伸部分514aa(参见图34),该第二延伸部分连接至联接部分3514a或3514b。第一延伸部分3514ab可以从联接部分3514a或3514b沿朝向上弹性构件5510a或5510b的中心的方向延伸。第一延伸部分3514ab可以包括具有沿朝向上弹性构件5510a或5510b的中心的方向逐渐增加的宽度的一部分。
第一延伸部分3514ab可以经由联接部分3514a或3514b连接至第二延伸部分3514aa。第一延伸部分3514ab可以包括具有曲率的部分。外部分3511a或3511b的侧表面的与第一延伸部分3514ab的内表面相对的一部分可以包括与第一延伸部分3514ab的内表面的形状相对应的形状。
第一延伸部分3514ab的内表面可以包括具有曲率的部分。壳体3140可以包括因壳体3140的拐角的上表面的一部分凹陷而形成的凹入部分3319。
壳体3140的凹入部分3319的一部分可以在光轴(例如,OA1或OA2)方向上与联接部分3514a或3514b重叠。壳体3140的凹入部分3319可以与联接部分3514a或3514b间隔开。
在该实施方式中,阻尼器5700可以涂覆在第二延伸部分3514ab和第一外部分3511a上。因此,可以防止在弹性构件5500a和5500b以及支承构件3600处可能发生的共振现象。此外,该结构的设计与其中阻尼器5700涂覆在联接部分3514a和壳体3140或支承构件3600和壳体3140上的结构的设计相比是更容易的。其原因在于,与壳体3140相比,第一上弹性构件5510a可以更容易在设计方面进行改变并且更容易被制造。另一方面,在本实施方式中,第二延伸部分3514ab和第一外部分3511a中的每一者形成为具有多个圆化部分,以使与阻尼器5700的接触区域最大化。也就是说,第二延伸部分3514ab和第一外部分3511a的特征形状防止了阻尼器5700的分离。
在该实施方式中,可以在第一上弹性构件5510a处布置两个阻尼器5700,并且可以在第二上弹性构件5510b处布置两个阻尼器。可以在壳体3140的四个拐角处布置阻尼器5700。
在实施方式中,尽管未示出,但是除了阻尼器5700之外还可以涂覆有另外的阻尼器。特别地,阻尼器可以涂覆在壳体3140和支承构件3600上。此外,阻尼器可以涂覆在壳体3140以及第一上弹性构件5510a和第二上弹性构件5510b上。此外,阻尼器可以涂覆在支承构件3600以及第一上弹性构件5510a和第二上弹性构件5510b上。
第二延伸部分3514ab的至少一部分可以形成为具有沿朝向第一上弹性构件5510a的中心的方向逐渐增大的宽度。第二延伸部分3514ab可以包括具有沿朝向第一上弹性构件5510a的中心的方向逐渐增大的宽度的部分。
第二延伸部分3514ab的一个端部可以连接至第一延伸部分3514aa,并且第二延伸部分3514ab的另一端部可以形成为自由端部。联接部分3514a的一个端部可以连接至外部分3511a,并且联接部分3514a的另一端部可以与外部分3511a间隔开。阻尼器5700可以一体地布置在联接部分3514a的所述另一端部和外部分3511a处。
第二延伸部分3514ab的所述另一端部的内表面可以是弯曲的。
第二延伸部分3514ab的所述另一端部可以形成为是弯曲的。
第一外部分3511a的侧表面的与第二延伸部分3514ab的所述另一端部的内表面相对的部分可以具有与第二延伸部分3514ab的所述另一端部的内表面的形状相对应的形状。第一外部分3511a的与第二延伸部分3514ab的所述另一端部相对的部分可以具有与第二延伸部分3514ab的形状相对应的形状。
第二延伸部分3514ab的所述另一端部的内表面可以包括具有曲率的部分。第二延伸部分3514ab的所述另一端部的端部表面可以是圆化的。在上面的结构中,可以防止涂覆在第二延伸部分3514ab上的阻尼器5700分离。也就是说,在上面的结构中,阻尼器5700可以更牢固地固定至第二延伸部分3514ab和第一外部分3511a。
第一下弹性构件5520a可以布置在第一绕线架3110a的下侧部处并且可以联接至第一绕线架3110a和壳体3140。第一下弹性构件5520a可以布置在第一绕线架3110a的下侧部处。
第一下弹性构件5520a可以联接至第一绕线架3110a和壳体3140。第一下弹性构件5520a可以联接至第一绕线架3110a的下部分和壳体3140的下部分。
第一下弹性构件5520a可以是板簧。第一下弹性构件5520a可以一体地形成。
第一下弹性构件5520a可以包括第二外部分3521a、第二内部分3522a和第二连接部分3523a。然而,第二外部分3521a、第二内部分3522a和第二连接部分3523a中的至少一者可以从第一下弹性构件5520a省去或者可以改变。
第一下弹性构件5520a例如可以包括联接至壳体3140的第二外部分3521a、联接至第一绕线架3110a的第二内部分3522a以及构造成将第二外部分3521a和第二内部分3522a互连的第二连接部分3523a。
第二外部分3521a例如可以联接至壳体3140的下部分。
第二外部分3521a可以使用粘合剂而联接至壳体3140的第二联接部分。第二外部分3521a可以包括与壳体3140的第二联接部分相对应的联接孔3161b。
第二内部分3522a例如可以联接至第一绕线架3110a的下部分。
第二内部分3522a可以使用粘合剂而联接至第一绕线架3110a的第二联接部分。第二内部分3522a可以包括与第一绕线架3110a的第二联接部分相对应的联接孔3161a。
第二连接部分3523a可以将第二外部分3521a和第二内部分3522a连接至彼此。第二连接部分3523a可以将第二外部分3521a和第二内部分3522a弹性地连接至彼此。第二连接部分3523a可以是弹性的。此时,第二连接部分3523a可以被称为“弹性部分”。第二连接部分3523a可以通过弯折两次或更多次而形成。
第二弹性构件5500b可以联接至第二绕线架3110b和壳体3140。第二弹性构件5500b可以弹性地支承第二绕线架3110b。第二弹性构件5500b的至少一部分可以是弹性的。第二弹性构件5500b可以以可移动的方式支承第二绕线架3110b。第二弹性构件5500b可以将第二绕线架3110b支承成能够在光轴方向上相对于壳体3140移动。也就是说,第二弹性构件5500b可以将第二绕线架3110b支承成执行AF驱动。此时,第二弹性构件5500b可以被称为“AF支承构件”。
第二弹性构件5500b可以包括第二上弹性构件5510b和第二下弹性构件1520b。然而,第二上弹性构件5510b和第二下弹性构件5520b中的至少一者可以从第二弹性构件5500b省去或者可以改变。
第二上弹性构件5510b可以布置在第二绕线架3110b的上侧部处并且可以联接至第二绕线架3110b和壳体3140。第二上弹性构件5510b可以布置在第二绕线架3110b的上侧部处。第二上弹性构件5510b可以联接至第二绕线架3110b的上部分和壳体3140的上部分。第二上弹性构件5510b可以是板簧。
第二上弹性构件5510b可以包括彼此间隔开的第三上弹性单元3510c和第四上弹性单元3510d。第三上弹性单元3510c和第四上弹性单元3510d可以连接至第二线圈3120b。
第三上弹性单元3510c可以连接至第二线圈3120b的一个端部,并且第四上弹性单元3510d可以连接至第二线圈3120b的另一端部。
第三上弹性单元3510c可以连接至第三丝线3603,并且第四上弹性单元3510d可以连接至第四丝线3604。
第三上弹性单元3510c和第四上弹性单元3510d可以连接至第二线圈3120b。第三上弹性单元3510c和第四上弹性单元3510d中的每一者可以由导电材料制成。第二线圈3120b可以通过第三上弹性单元3510c和第四上弹性单元3510d接收第二电力或第二驱动信号(例如,驱动电流)。
第二上弹性构件5510b可以包括外部分3511b、内部分3512b、连接部分3513b和联接部分3514b。然而,外部分3511b、内部分3512b、连接部分3513b和联接部分3514b中的至少一者可以从第二上弹性构件5510b省去或者可以改变。
外部分3511b可以联接至壳体3140。外部分3511b可以联接至壳体3140的上部分。外部分3511b可以联接至壳体3140的第二联接部分。外部分3511b可以包括联接至壳体3140的第一联接部分的联接孔。外部分3511b的联接孔可以通过热熔合而联接至壳体3140的第二联接部分。
内部分3512b可以联接至第二绕线架3110b。内部分3512b可以联接至第二绕线架3110b的上部分。内部分3512b可以使用粘合剂而联接至第二绕线架3110b的第一联接部分3113b。内部分3512b可以包括与第二绕线架3110b的第一联接部分3113相对应的联接孔。
连接部分513b可以将外部分3511b和内部分3512b连接至彼此。连接部分3513b可以将外部分3511b和内部分3512b弹性地连接至彼此。连接部分3513b可以是弹性的。此时,连接部分3513b可以被称为“弹性部分”。连接部分3513b可以通过弯折两次或更多次而形成。
联接部分3514b可以联接至支承构件3600。联接部分3514b可以通过焊接而联接至支承构件3600。联接部分3514b可以包括孔,支承构件3600延伸穿过该孔。因此,支承构件3600的延伸穿过联接部分3514b的部分和联接部分3514b的上表面可以通过焊接而联接至彼此。联接部分3514b可以从外部分3511b延伸。联接部分3514b可以从外部分3511b向外延伸。联接部分3514b可以包括通过弯折而形成的弯折部分。
第二上弹性构件5510b的联接部分3514b可以包括从外部分3511b朝向壳体3140的拐角延伸的第一延伸部分以及从第一延伸部分沿朝向第二上弹性构件5510b的中心的方向延伸的第二延伸部分。
第二上弹性构件5510b的第一延伸部分可以从外部分3511b朝向壳体3140的拐角延伸。第二上弹性构件5510b的第二延伸部分可以从第一延伸部分沿朝向第二上弹性构件5510b的中心的方向延伸。
第二上弹性构件5510b的第二延伸部分可以从第一延伸部分沿朝向第二上弹性构件5510b的外部分3511b的方向延伸。第二上弹性构件5510b的第二延伸部分和外部分3511b可以彼此间隔开。然而,第二上弹性构件5510b的第二延伸部分和外部分3511b可以经由阻尼器5700连接至彼此。也就是说,阻尼器5700可以涂覆在第二上弹性构件5510b的第二延伸部分和外部分3511b上。阻尼器5700的作用和效果与上面所描述的相同。
第二下弹性构件5520b可以布置在第二绕线架3110b的下侧部处并且可以联接至第二绕线架3110b和壳体3140。第二下弹性构件5520b可以联接至第二绕线架3110b的下部分和壳体3140的下部分。
第二下弹性构件5520b可以是板簧。第二下弹性构件5520b可以一体地形成。
第二下弹性构件5520b可以包括外部分3521b、内部分3522b和连接部分3523b。然而,外部分3521b、内部分3522b和连接部分3523b中的至少一者可以从第二下弹性构件5520b省去或者可以改变。
第二下弹性构件5520b可以包括联接至壳体3140的外部分3521b、联接至第二绕线架3110b的内部分3522b以及构造成将外部分3521b和内部分3522b互连的连接部分3523b。
外部分3521b可以联接至壳体3140。外部分3521b可以联接至壳体3140的下部分。外部分3521b可以使用粘合剂而联接至壳体3140的第二联接部分。外部分3521b可以包括与壳体3140的第二联接部分相对应的联接孔。
例如,内部分3522b可以联接至第二绕线架3110b的下部分。内部分3522b可以使用粘合剂联接至第二绕线架3110b的第二联接部分。内部分3522b可以包括与第二绕线架3110b的第二联接部分相对应的联接孔。
连接部分3523b可以将外部分3521b和内部分3522b连接至彼此。连接部分3523b可以将外部分3521b和内部分3522b弹性地连接至彼此。连接部分3523b可以是弹性的。此时,连接部分3523b可以被称为“弹性部分”。连接部分3523b可以通过弯折两次或更多次而形成。
参照图32、图33和图38,第一上弹性单元3510a和第二上弹性单元3510b可以布置成在第一轴方向上彼此相对,并且第三上弹性单元3510c和第四上弹性单元3510d可以布置成在第一轴方向上彼此相对。
此外,第一上弹性单元3510a和第三上弹性单元3510c可以在与电路构件3231的长侧部平行的方向上布置,并且第二上弹性单元3510b和第四上弹性单元3510d可以在与电路构件3231的长侧部平行的方向上布置。
此外,第一下弹性构件5502和第二下弹性构件5520b可以布置成在第二轴方向上彼此相对,并且第一下弹性构件5502和第二下弹性构件5520b可以在与电路构件3231的长侧部平行的方向上布置。
支承构件3600可以以可移动的方式支承壳体3140。支承构件3600可以弹性地支承壳体3140。
支承构件3600的至少一部分可以是弹性的。支承构件3600例如可以将壳体3140支承成能够在与光轴方向垂直的方向上相对于定子5400移动。此时,绕线架3110a和3110b可以与壳体3140一体地移动。在另一示例中,支承构件3600可以将壳体3140支承成能够相对于定子5400倾斜。也就是说,支承构件3600可以支承壳体3140以及绕线架3110a和3110b,以执行OIS驱动。此时,支承构件3600可以被称为“OIS支承构件”。在示例中,支承构件3600可以是丝线。在另一示例中,支承构件3600可以是板簧。
支承构件3600可以连接至第一上弹性构件5510a和电路板3250。支承构件3600可以连接至第二上弹性构件5510b和电路板3250。
支承构件3600可以连接至上弹性构件5510a和5510b以及定子5400。支承构件3600的下端部可以连接至电路板3250。
例如,支承构件3600可以延伸穿过电路板3250。在该结构中,支承构件3600的下端部可以通过焊接而联接至电路板3250的下表面。在变型中,支承构件3600的下端部可以通过焊接而联接至电路构件3231的下表面。在变型中,支承构件3600的下端部可以联接至电路构件3231的基板部分3421。替代性地,在变型中,支承构件3600的下端部可以联接至基部3210。
支承构件3600的上端部可以联接至上弹性构件5510a和5510b的联接部分3514a和3514b。支承构件3600的上端部可以延伸穿过上弹性构件5510a和5510b的联接部分3514a和3514b。在该结构中,支承构件3600的上端部可以通过焊接而联接至上弹性构件5510a和5510b的联接部分3514a和3514b的上表面。替代性地,在变型中,支承构件3600的上端部可以联接至壳体3140。
支承构件3600的结构不限于此,并且支承构件可以具有任何结构,只要支承构件可以将OIS移动件5300支承成能够相对于定子5400移动即可。
支承构件3600可以联接至上弹性构件5510a和5510b的第二延伸部分3514ab。
支承构件3600可以包括多个支承部分或支承构件601至604。支承构件3600例如可以包括第一支承构件3601至第四支承构件3604,并且第一支承构件3601至第四支承构件3604中的每一者可以是丝线。第一支承构件3601至第四支承构件3604中的每一者可以被称为“第一丝线至第四丝线”中的相应一者。
支承构件3601至3604中的每一者的下端部可以焊接至电路板3250的下表面。支承构件3601至3604中的每一者的上端部可以焊接至第一上弹性单元3510a至第四上弹性单元3510d中的相应一者的联接部分3514a。
支承构件3600例如可以包括连接在第一上弹性单元3510a与电路板3250之间的第一支承构件3601、连接在第二上弹性单元3510b与电路板3250之间的第二支承构件3602、连接在第三上弹性单元510c与电路板3250之间的第三支承构件3603以及连接在第四上弹性单元510d与电路板3250之间的第四支承构件3604。
阻尼阻尼器5700可以由粘性材料制成。通过阻尼器5700可以防止在弹性构件5500a和5500b以及支承构件3600处可能发生的共振现象。
传感器3240可以布置在定子5400处。传感器可以联接至电路板3250或安装在电路板3250上,并且传感器可以连接至电路板3250。传感器3240例如可以布置或安装在电路板3250的下表面上。
传感器3240可以布置在基部3210处。传感器3240可以被接纳在形成于基部3210的上表面中的传感器联接部分3433中。
传感器3240可以是霍尔传感器。替代性地,传感器3240可以是霍尔集成电路(HallIC)。
传感器3240可以感测磁体3320的磁力。也就是说,传感器3240可以感测由于磁体3320与壳体3140一起移动的运动而引起的磁力的变化并且输出基于感测结果的输出(例如,电压)。
壳体3140的位移或位置可以基于来自传感器3240的输出(例如,电压)来感测。此外,壳体3140和/或绕线架3110a和3110b在垂直于光轴的方向上的移动或倾斜可以基于来自传感器3240的输出来感测。反馈OIS驱动可以由传感器3240提供,并且传感器3240可以被称为“OIS反馈传感器”。
壳体3140在垂直于光轴的方向上的移动的量可以对应于或可以等于绕线架3110a和3110b以及联接至绕线架3110a和3110b的透镜模块的移动的量。
传感器3240可以包括多个传感器。在示例中,可以设置两个传感器3240以感测壳体3140的x轴和y轴(光轴为z轴)的运动。
传感器3240可以包括配置成感测磁体3320在第一轴方向(例如,Y轴方向)上的运动的第一传感器3240a以及配置成感测磁体3320在第二轴方向(例如,X轴方向)上的运动的第二传感器3240b。此时,第一轴线和第二轴线可以彼此垂直。此外,第一轴和第二轴可以垂直于光轴。
图36是根据实施方式的电路构件3231的平面图,图37是第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6和第一磁体3130-1至第六磁体3130-4的立体图,图38是图37的侧视图,并且图39a是第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6和第一磁体3130-1至第六磁体3130-6的平面图。
参照图36至图39,电路构件3231可以包括四个侧部3031a至3031d(或侧表面)。
电路构件3231例如可以具有包括四个侧部(或侧表面)的四边形(例如,矩形)形状。然而,本公开不限于此。
电路构件3231的第一侧部3031a和第二侧部3031b中的每一者例如可以是比电路构件3231的第三侧部3031c和第四侧部3031d中的每一者长的长侧部,并且电路构件3231的第三侧部3031c和第四侧部3031d中的每一者可以是短侧部。
第一开口3023a和第二开口3023b可以在从电路构件3231的第三侧部3031c至第四侧部3031d的方向上成行地布置。
第一线圈单元3230-1可以布置在电路构件3231的第一开口3023a与电路构件3231的第一侧部3031a之间,第二线圈单元3230-2可以布置在电路构件3231的第一开口3023a与电路构件3231的第二侧部3031b之间,并且第三线圈单元3230-3可以布置在电路构件3231的第一开口3023a与电路构件3231的第三侧部3031c之间。
此外,第四线圈单元3230-4可以布置在电路构件3231的第二开口3023b与电路构件3231的第一侧部3031a之间,第五线圈单元3230-5可以布置在电路构件3231的第二开口3023b与电路构件3231的第二侧部3031b之间,并且第六线圈单元3230-6可以布置在电路构件3231的第二开口3023b与电路构件3231的第四侧部3031d之间。
在电路构件3231的第一开口3023a与第二开口3023b之间不可以形成或布置线圈单元。
参照图37,第一磁体3130-1的长度、宽度和高度、第二磁体3130-2的长度、宽度和高度、第四磁体3130-4的长度、宽度和高度以及第五磁体3130-5的长度、宽度和高度可以彼此相等。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,长度、宽度和高度中的至少一者可以彼此不同。
此外,第三磁体的长度、宽度和高度以及第六磁体的长度、宽度和高度可以彼此相等。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,长度、宽度和高度中的至少一者可以彼此不同。
此外,第一线圈单元3230-1的长度、宽度和高度、第二线圈单元3230-2的长度、宽度和高度、第四线圈单元3230-4的长度、宽度和高度以及第五线圈单元3230-5的长度、宽度和高度可以是彼此相等。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,长度、宽度和高度中的至少一者可以彼此不同。
第三线圈单元3230-3的长度、宽度和高度以及第六线圈单元3230-6的长度、宽度和高度可以彼此相等。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,长度、宽度和高度中的至少一者可以彼此不同。
将参照图37描述第一磁体3130-1的长度L1、宽度W1和高度H1以及第三磁体3130-3的长度L2、宽度W2和高度H2。
对第一磁体3130-1的长度L1、宽度W1和高度H1的描述可以适用于第二磁体3130-2、第四磁体3130-4和第五磁体3130-5中的每一者的长度、宽度和高度。
此外,对第三磁体3130-3的长度L2、宽度W2和高度H2的描述可以适用于第六磁体3130-6的长度、宽度和高度。
还将参照图37描述长度M1和M2、宽度K1和K2以及高度(在光轴方向上的长度或厚度)。
对第一线圈单元3230-1的长度M1、宽度K1和高度(在光轴方向上的长度或厚度)的描述可以适用于第二线圈单元3230-2、第四线圈单元3230-4和第五线圈单元3230-5中的每一者的长度、宽度和高度。
此外,对第三线圈单元3230-3的长度M2、宽度K2和高度(在光轴方向上的长度或厚度)的描述可以适用于第六线圈单元3230-6的长度、宽度和高度。
此处,第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的每一者的长度L1或L2可以是其在纵向方向上的长度。此外,第一磁体3130-1至第三磁体3130-6中的每一者的宽度W1或W2可以是其在宽度方向上的长度。
此处,宽度方向可以垂直于纵向方向,并且宽度方向可以是部件130-1至130-6中的每一者的长度较小的方向。即,宽度方向上的长度可以小于纵向方向上的长度。此外,部件3130-1至3130-6中的每一者的宽度可以被称为部件3130-1至3130-6中的每一者的“厚度”。
第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的每一者的长度L1或L2例如可以是第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的每一者的与绕线架3110相对的第一表面的在纵向方向上的长度。
此外,第一磁体3130-1至第六磁体3130-6的中的每一者的宽度W1或W2例如可以是从部件3130-1至3130-6中的每一者的与绕线架3110相对的第一表面至与第一表面相反的第二表面的距离。
此外,第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的每一者的高度H1或H2例如可以是每个部件在光轴方向上的长度。
替代性地,高度H1或H2例如可以是部件3130-1至3130-6中的每一者的与绕线架3110相对的第一表面在竖向方向上的长度。替代性地,高度H1或H2例如可以是部件3130-1至3130-6中的每一者的从下表面至上表面的距离。
此外,第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者的长度M1或M2可以是其在第一磁体3130-1至第六磁体1303-6中的相应一者的纵向方向或与第一磁体3130-1至第六磁体1303-6中的相应一者的纵向方向平行的方向上的长度。
M1或M2例如可以是第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者在纵向方向上的长度,并且可以是第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者的最靠外端部之间的长度。
此外,第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者的长度X1、X2或Y1可以是第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-3中的每一者的内部分(或内表面)的相对端部之间的长度。
此外,第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者的宽度K1或K2可以是其在第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的相应一者的宽度方向或与第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的相应一者的宽度方向平行的方向上的长度。第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者的高度可以是其在光轴方向上的长度。
第一磁体3130-1的长度L1可以小于第一线圈单元3230-1的长度M1或X1(L1<M1、X1)。在另一实施方式中,X1≤L1≤M1。
第一磁体3130-1在宽度方向上的长度W1可以小于第一线圈单元3230-1在宽度方向上的长度K1(W1<K1)。
此外,第二磁体3130-2的长度可以小于第二线圈单元3230-2的长度M1或X2。第二磁体3130-2在宽度方向上的长度可以小于第二线圈单元3230-2在宽度方向上的长度。
第三磁体3130-3的长度L2可以小于第三线圈单元3230-3的长度M2或Y1(L2<M2、Y1)。在另一实施方式中,Y1≤L2≤M2。
第三磁体3130-3在宽度方向上的长度W2可以小于第三线圈单元3230-3在宽度方向上的长度K2(W2<K2)。在另一实施方式中,W2和K2可以彼此相等。
第三线圈单元3230-3在纵向方向上的长度M2可以大于第一线圈单元3230-1在纵向方向上的长度M1和第二线圈单元3230-2在纵向方向上的长度(M2≥M1)。此外,第六线圈单元3230-6在纵向方向上的长度M2可以大于第四线圈单元3230-4在纵向方向上的长度和第五线圈单元3230-5在纵向方向上的长度。
例如,第三线圈单元3230-3在第一轴方向上的长度M2可以大于第一线圈单元3230-1在第二轴方向上的长度M1和第二线圈单元3230-2在第二轴方向上的长度。
此外,第六线圈单元3230-6在第一轴方向上的长度例如可以大于第四线圈单元3230-4在第二轴方向上的长度和第五线圈单元3230-5在第二轴方向上的长度。
第一轴方向可以是从电路构件3231的第一表面3031a至第二表面3031b的方向或与从电路构件3231的第一表面3031a至第二表面3031b的方向相反的方向。第二轴方向可以是与第一轴方向垂直的方向。第二轴方向例如可以是从电路构件3231的第三表面3031c至第四表面3031d的方向或与从电路构件3231的第三表面3031c至第四表面3031d的方向相反的方向。
此外,第三线圈单元3230-3的长度Y1可以大于第一线圈单元3230-1的长度X1和/或第二线圈单元3230-2的长度X2(Y1>X1、X2)。此外,第六线圈单元3230-6的长度Y1可以大于第四线圈单元3230-4的长度X1和/或第五线圈单元3230-5的长度X2(Y1>X1、X2)。
此外,第一线圈单元3230-1的长度X1和第二线圈单元3230-2的长度X2例如可以彼此相等(X1=X2)。
第三磁体3130-3的长度L2可以大于第一磁体3130-1的长度L1和/或第二磁体3130-2的长度(L2>L1)。此外,第六磁体3130-6的长度可以大于第四磁体3130-4的长度和/或第五磁体3130-5的长度。
第三磁体3130-3在第一轴方向上的长度L2例如可以大于第一磁体3130-1在第二轴方向上的长度L1和/或第二磁体3130-1在第二轴方向上的长度(L2>L1)。此外,第六磁体3130-6在第一轴方向上的长度可以大于第四磁体3130-4在第二轴方向上的长度和/或第五磁体3130-5在第二轴方向上的长度。
由于M2>M1并且L2>L1,所以由第三线圈单元3230-3和第三磁体3130-3产生的第一电磁力可以大于由第一线圈单元3230-1和第一磁体3130-1产生的第二电磁力以及由第二线圈单元3230-2和第二磁体3130-2产生的第三电磁力中的每一者。此外,由第六线圈单元3230-6和第六磁体3130-6产生的第四电磁力可以大于由第四线圈单元3230-4和第四磁体3130-4产生的第五电磁力以及由第五线圈单元3230-5和第五磁体3130-5产生的第六电磁力中的每一者。
因此,该实施方式能够减小第二轴(例如,X轴)方向上的第一电磁力和第四电磁力的总和与第一轴(例如,Y轴)方向上的第二电磁力、第三电磁力、第五电磁力和第六电磁力的总和之间的差,由此提高OIS操作的可靠性。
例如,L1:L2=1:1至1:1.5。替代性地,例如,L1:L2=1:1.2至1:1.4。
此外,第三线圈单元3230-3在宽度方向上的长度K2可以大于第一线圈单元3230-1在宽度方向上的长度K1和/或第二线圈单元3230-2在宽度方向上的长度(K2>K1)。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以彼此相等。例如,K2可以是第三线圈单元3230-3在第二轴方向上的长度,并且K1可以是第一线圈单元3230-1和第二线圈单元3230-2中的每一者在第一轴方向上的长度。
此外,第六线圈单元3230-6在宽度方向(或第二轴方向)上的长度可以大于第四线圈单元3230-4在宽度方向上的长度和/或第五线圈单元3230-5在宽度方向(或第一轴方向)上的长度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以彼此相等。
第三磁体3130-3在宽度方向上的长度W2可以大于第一磁体3130-1在宽度方向上的长度W1和/或第二磁体3130-2在宽度方向上的长度(W2>W1)。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,W2=W1。
例如,W2可以是第三磁体3130-3在第二轴方向上的长度,W1可以是第一磁体2130-1和第二磁体3130-2中的每一者在第一轴方向上的长度。
第六磁体3130-6在宽度方向(或第二轴方向)上的长度可以大于第四磁体3130-4在宽度方向(或第一轴方向)上的长度和/或第五磁体3130-5在宽度方向(或第一轴方向)上的长度。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以彼此相等。
由于W2>W1,因此该实施方式能够减小第二轴(例如,X轴)方向上的第一电磁力和第四电磁力的总和与第一轴(例如,Y轴)方向上的第二电磁力、第三电磁力、第五电磁力和第六电磁力的总和之间的差,由此提高OIS操作的可靠性。
第三磁体3130-3的高度H2可以等于第一磁体3130-1的高度H1和/或第二磁体3130-2的高度(H2=H1)。此处,H1和H2可以是磁体3130-1至3130-3在光轴方向或第三轴方向(例如,Z轴方向或光轴方向)上的长度。此处,第三轴方向可以是与第一轴方向和第二轴方向垂直的方向。
替代性地,H1可以是从第一磁体3130-1(或第二磁体3130-2)的下表面至上表面的距离,并且H2可以是从第三磁体3130-3的下表面至上表面的距离。
此外,第六磁体3130-6的高度可以等于第四磁体3130-4的高度和/或第五磁体3130-5的高度。
此外,第一磁体3130-1至第六磁体3130-6在光轴方向上的长度例如可以彼此相等。
参照图36,第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者可以形成为具有在光轴方向上敞开的孔的环形形状。
此外,第一磁体3130-1与第一线圈单元3230-1之间的在光轴方向上的第一距离、第二磁体3130-2与第二线圈单元3230-2之间的在光轴方向上的第二距离、第三磁体3130-3与第三线圈单元3230-3之间的在光轴方向上的第三距离、第四磁体9130-4与第四线圈单元3230-4之间的在光轴方向上的第四距离、第五磁体130-4与第五线圈单元3230-5之间的在光轴方向上的第五距离以及第六磁体3130-6与第六线圈单元3230-6之间的在光轴方向上的第六距离可以彼此相等。然而,本公开不限于此。
在另一实施方式中,第三距离可以小于第一距离和/或第二距离,并且第六距离可以小于第四距离和/或第五距离(情况1)。当与其中第一距离至第六距离彼此相等的情况(情况2)进行比较时,该另一实施方式(情况2)能够进一步减小X轴方向上产生的电磁力与Y轴方向上产生的电磁力之间的差。
根据实施方式的摄像头模块可以包括第一磁体单元3130a和第二磁体单元3130b,第一磁体单元3130a包括用于第一透镜模块的AF驱动的三个磁体3130-1至3130-3,第二磁体单元3130b包括用于第二透镜模块的AF驱动的三个磁体3130-4至3130-6。
此外,对于OIS驱动,根据实施方式的摄像头模块可以包括与第一磁体至第三磁体相对应的三个OIS线圈单元3230-1至3230-3以及与第四磁体3130-4至第六磁体3130-6相对应的三个OIS线圈单元3230-4至3230-6。
第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的每一者可以是具有单个N极和单个S极的单极磁化磁体。第一磁体3130-1至第六磁体3130-6中的每一者例如可以布置成使得其与第一线圈3120(或绕线架3110的外表面)相对的第一表面具有N极并且其与第一表面相反的第二表面具有S极。然而,本公开不限于此。每个磁体可以布置成具有相反极。
第一磁体3130-1至第六磁体3130-2的S极和N极的位置可以设定成使得由于这些S极与N极之间的相互作用引起的电磁力根据第一线圈3120-1和第二线圈3120-2的布置而产生。
在另一实施方式中,第一磁体3130-1至第六磁体3130-4中的至少一者可以是双极磁化磁体或4极磁体。例如,第三磁体3130-3和第六磁体3130-6中的每一者可以是双极磁化磁体,并且第一磁体3130-1、第二磁体3130-2、第四磁体3130-4和第五磁体3130-5中的每一者可以是单极磁化磁体。
在设置双极磁化磁体的情况下,磁体可以包括第一磁体部分、第二磁体部分以及布置在第一磁体部分与第二磁体部分之间的分隔部。此处,分隔部可以被称为“非磁性分隔部”。此外,分隔部可以是将第一磁体部分和第二磁体部分彼此分开或隔离并且基本没有磁性的部分,并且分隔部可以是具有较小极性的部分。例如,分隔部可以是非磁性材料或空气。该分隔部可以被称为“中性区”。
第一磁体部分和第二磁体部分例如可以在光轴(OA1和OA2)方向上彼此间隔开。第一磁体部分可以包括N极、S极以及位于N极与S极之间的第一边界表面,并且第二磁体部分可以包括N极、S极以及位于N极与S极之间的第二边界表面。
第一边界表面和第二边界表面中的每一者可以是基本没有磁性的部分、可以包括具有较小极性的部分、并且可以是自然产生的以便形成由N极和S极组成的磁体的部分。
分隔部是当第一磁体部分和第二磁体部分被磁化时人工形成的部分。分隔部的宽度可以大于第一边界表面和第二边界表面中的每一者的宽度。
例如,第一磁体3130-1可以位于第一线圈单元3230-1的区域的内部并且可以与第一线圈单元3230-1在光轴方向上重叠。第二磁体3130-2可以位于第二线圈单元3230-2的区域的内部并且可以与第二线圈单元3230-2在光轴方向上重叠。第三磁体3130-3可以位于第三线圈单元3230-3的区域的内部并且可以与第三线圈单元3230-3在光轴方向上重叠。
此外,第四磁体3130-4可以位于第四线圈单元3230-4的区域的内部并且可以与第四线圈单元3230-4在光轴方向上重叠。第五磁体3130-5可以位于第五线圈单元3230-5的区域的内部并且可以与第五线圈单元3230-5在光轴方向上重叠。第六磁体3130-6可以位于第六线圈单元3230-6的区域的内部并且可以与第六线圈单元3230-6在光轴方向上重叠。
参照图36和图38,第一轴磁体可以包括第一磁体3130-1、第二磁体3130-2、第四磁体3130-4和第五磁体3130-5。
此外,第二轴磁体可以包括第三磁体3130-3和第六磁体3130-6。
OIS移动件5300可以由于第一轴磁体与第一轴线圈之间的相互作用而在第一轴方向上移动,并且OIS移动件5300可以由于第二轴磁体与第二轴线圈之间的相互作用而在第二轴方向上移动。
此外,在另一实施方式中,参照图11至图16f所作出的描述以及参照17a至图18b所作出的描述可以适用于或类推地适用于根据图27至图42中所示的实施方式的透镜移动装置3100。
例如,第一磁体130-1至第三磁体130-3的尺寸和布置、第三线圈单元230-1至第五线圈单元230-3的尺寸和布置、以及磁体130-1至130-3与线圈单元230-1至230-3之间的尺寸和布置关系可以适用于或类推地适用于根据图27至图42中所示的实施方式的第一磁体3130-1至第三磁体3130-3、第一线圈单元3230-1至第三线圈单元3230-3、第四磁体3130-4至第六磁体3130-6以及第四线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-3。
第一传感器3240a可以与第一轴磁体在第三轴方向上重叠。
第一传感器3240a可以与第一轴磁体的一个端部在第三轴方向上重叠,并且第一轴磁体的所述一个端部可以邻近于电路构件3231的第一开口3023a与第二开口3023b之间的区域。
替代性地,第一轴磁体的所述一个端部可以邻近于电路构件3231的中心线3308。中心线3308可以是平行于第一轴方向并且与电路构件3231的第三侧表面3031c和第四侧表面3031d距离相等的直线。替代性地,中心线3308可以是在第一轴方向上将电路构件3231二等分的直线。
例如,第一传感器可以与第一磁体3130-1、第二磁体3130-2、第四磁体3130-4和第五磁体3130-5中的一者的一个端部在第三轴方向上重叠。
例如,参照图39a,第一传感器3240a可以布置在第一磁体3130-1的第一端部3029a的下方。此处,第一磁体3130-1的第一端部3029a可以定位成与第一磁体3130-1的第二端部3029b相比相对于第三磁体3130-3间隔更大。
此外,第一磁体3130-1的第一端部3029a可以与第一磁体3130-1的第二端部3029b相比更靠近于电路构件3231的第一开口3023a与第二开口3023b之间的区域或中心线3308。
例如,第一传感器3240a的感测区域3040a可以与第一磁体3130-1在第三轴方向上重叠,并且感测区域3040a可以邻近于第一磁体3130-1的第一端部3029a。
由于第一传感器3240a布置成与各自均为第二轴磁体的第三磁体3130-3和第六磁体3130-6间隔开,因此由于第二轴磁体的磁场干扰而对第一传感器3240a的影响可以减小,由此可以提高第一传感器3240a的感测灵敏度,并因此可以执行精确的OIS驱动。
第二传感器3240b可以与第二轴磁体在第三轴方向上重叠。
例如,第二传感器3240b可以与第三磁体3130-3和第六磁体3130-6中的一者在第三轴方向上重叠。
例如,第二传感器3240b的至少一部分可以与第三磁体3130-3和第六磁体3130-6中的一者的中心在第三轴方向上重叠。由于第二传感器3240b与第一轴磁体最大程度地间隔开,因此该实施方式能够减少第一轴磁体的磁场干扰,从而提高第二传感器3240b的感测灵敏度并且执行精确的OIS驱动。
在图39a和图40a中,第一传感器3240a的整个区域被示出为与第一轴磁体在第三轴方向上重叠,并且第二传感器3240b的整个区域被示出为与第二轴磁体在第三轴方向上重叠。然而,本公开不限于此。
第一传感器3240a的感测区域3040a可以与第一轴磁体在第三轴方向上重叠,并且第二传感器3240b的感测区域40b可以与第二轴磁体在第三轴方向上重叠。在另一实施方式中,第一传感器3240a的至少一部分可以不与第一轴磁体在第三轴方向上重叠,并且第二传感器3240b的至少一部分可以不与第二轴磁体在第三轴方向上重叠。
此外,在图39a中,第一轴磁体被示出为布置在第一轴线圈的内部,并且第二轴磁体被示出为布置在第二轴线圈的内部。然而,本公开不限于此。
在另一实施方式中,第一轴磁体可以包括布置在第一轴线圈的外部的第一部分,并且第一轴磁体的第一部分可以不与第一轴线圈在第三轴方向上重叠。此外,第一传感器可以与第一轴磁体的第一部分在第三轴方向上重叠。
第二轴磁体可以包括布置在第二轴线圈的外部的第一部分,并且第二轴磁体的第一部分可以不与第二轴线圈在第三轴方向上重叠。此外,第二传感器可以与第二轴磁体的第一部分在第三轴方向上重叠。
图39b是根据另一实施方式的第一线圈单元至第六线圈单元和第一磁体至第六磁体的平面图。图39b的与图39a的附图标记相同的附图标记指示相同的部件,并且参照图39a所作出的描述可以适用于相同的部件。
参照图39b,第一线圈单元3230-1’在第二轴方向上的长度M11可以小于各自均为第一轴线圈的第二线圈单元3230-2、第四线圈单元3230-4和第五线圈单元3230-5中的每一者在第二轴方向上的长度M1(M11<M1)。
第一磁体3130-1的一个端部可以不与第一线圈单元3230-1’在第三轴方向上重叠,并且第一磁体3130-1的所述一个端部可以与第一传感器3240a在第三轴方向上重叠。
此外,第一磁体3130-1的另一端部可以与第一线圈单元3230-1’在第三轴方向上重叠。
此外,第二磁体3130-2的两个端部可以与第二线圈单元3230-2在第三轴方向上重叠。第四磁体3130-4的两个端部可以与第四线圈单元3230-4在第三轴方向上重叠。第五磁体3130-5的两个端部可以与第五线圈单元3230-5在第三轴方向上重叠。
此外,第三磁体3130-3的两个端部可以与第三线圈单元3230-3在第三轴方向上重叠,并且第六磁体3130-6的两个端部可以与第六线圈单元3230-6在第三轴方向上重叠。
第一磁体3130-1的下表面可以具有不与第一线圈单元3230-1’在第三轴方向上重叠的一个端部,并且第一传感器3240a可以与第一磁体3130-1的下表面的该端部在第三轴方向上重叠。
例如,当从上方观察时,第一磁体3130-1的一个端部可以布置在第一线圈单元3230-1’的外部,并且第一磁体3130-1的另一端部可以布置在第一线圈单元3230-1’的两个端部的内部。
此外,第一磁体3130-1可以包括与第一线圈单元3230-1’在第三轴方向上重叠的第一区域S1和不与第一线圈单元3230-1’在第三轴方向上重叠的第二区域S2。
第一传感器3240a可以与第一磁体3130-1的第二区域S2在第三轴方向上重叠。
第一传感器3240a的感测区域3040a例如可以与第一磁体3130-1的第二区域S2在第三轴方向上重叠。此外,感测区域3040a例如可以位于第一传感器3240a的中心处,并且第一传感器3240a的中心可以与第一磁体3130-1的第二区域S2在第三轴方向上重叠。
由于第一传感器3240a的感测区域3040a如上面所描述的那样布置成与第一磁体3130-1的第二区域S2重叠,因此,可以抑制由于由第一线圈单元3230-1’产生的磁场而对第一传感器3240a的影响,由此可以执行精确的OIS反馈驱动。
图39c是根据又一实施方式的第一线圈单元至第六线圈单元和第一磁体至第六磁体的平面图。图39c的与图39b的附图标记相同的附图标记指示相同的部件,并且参照图39b所作出的描述可以适用于相同的部件。
参照图39c,第六线圈单元33230-6’可以包括第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2。此处,线圈部分可以被称为“线圈环”。
第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2可以连接至彼此。例如,第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2可以串联地连接至彼此,并且可以向第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2提供单个驱动信号。
第六线圈单元33230-6’例如还可以包括构造成将第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2互连的连接丝线。连接丝线例如可以是单条线。然而,本公开不限于此。
第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2可以各自具有环形形状并且可以彼此间隔开。第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2例如可以在第一轴方向上布置。
第一线圈部分3030-1在第一轴方向上的长度M21可以小于第三线圈单元3230-3在第一轴方向上的长度M2(M21<M2)。此外,第二线圈部分3030-2在第一轴方向上的长度M22可以小于第三线圈单元3230-3在第一轴方向上的长度M2(M22<M2)。
此外,第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2中的每一者在第一轴方向上的长度M21或M22可以小于第一线圈单元3230-1’在第二轴方向上的长度M11(M21<M11,M22<M11)。在另一实施方式中,M21=M11并且M22=M11。
此外,第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2中的每一者在第一轴方向上的长度M21或M22可以小于第二线圈单元3230-2、第四线圈单元3230-4和第五线圈单元3230-5中的每一者在第二轴方向上的长度M1(M21<M1,M22<M1)。
第六磁体3130-6的位于第六磁体3130-6的一个端部与另一端部之间的中心区域可以不与第六线圈单元3230-6’在第三轴方向上重叠。第六磁体3130-6的中心区域可以与第二传感器3240b(或感测区域3040b)在第三轴方向上重叠。
此外,第六磁体3130-6的两个端部例如可以与第六线圈单元3230-6重叠。
第六磁体3130-6例如可以包括与第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2在第三轴方向上重叠的第一区域S11和S12以及不与第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2在第三轴方向上重叠的第二区域S13。
第二传感器3240a可以与第六磁体3130-6的第二区域S13在第三轴方向上重叠。第二传感器3240b的感测区域40b例如可以与第六磁体3130-6的第二区域S13在第三轴方向上重叠。因此,可以抑制由于由第六线圈单元3230-6’产生的磁场而对第二传感器3240b的影响,由此可以执行准确的OIS反馈驱动。
第六磁体3130-6的第二区域S13可以与第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2之间的区域(或空间)在第三轴方向上重叠。
在另一实施方式中,第二传感器3240a可以在第三磁体3130-3的下方布置成与第三磁体3130-3在第三轴方向上重叠。此时,第三线圈单元可以构造成包括图39c的第一线圈部分3030-1和第二线圈部分3030-2,并且可以应用19c的描述。
在图39b和图39c中,描述了第一传感器3240a与第一磁体3130-1重叠的情况。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,如图40a中所示,第一传感器3240a可以布置在第一位置Position1至第三位置Position3中的一者处,与各个位置Position1、Position2和Position3相对应的线圈单元(例如,3230-2、3230-4或3230-5)可以像图13b的第一线圈单元3230-1那样构造,并且可以应用图39b的描述。
此外,在图39b和图39c中,第一传感器3240a与第一线圈单元3230-1’的第一区域S1在第三轴方向上部分重叠。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第一传感器3240a可以不与第一线圈单元在第三轴方向上重叠。在又一实施方式中,第一传感器3240a可以包括不与第一磁体3130-1在第三轴方向上重叠的部分(或一个端部)。
图40a示出了根据另一实施方式的第一传感器3240a的布置位置和第二传感器3240b的布置位置。
参照图40a,第一传感器3240a可以布置在第一位置Position1处,第一传感器在该第一位置Position1处与第二磁体3130-2的第一端部在第三轴方向上重叠。此处,第二磁体3130-2的第一端部可以邻近于第五磁体3130-5的第一端部。
替代性地,第一传感器3240a可以布置在第二位置Position2处,第一传感器在该第二位置Position2处与第四磁体3130-4的第一端部在第三轴方向上重叠。此处,在第一传感器3240a中,第四磁体3130-4的第一端部可以邻近于第一磁体3130-1的第一端部。
替代性地,第一传感器3240a可以布置在第三位置Position3处,第一传感器在该第三位置Position3处与第五磁体3130-5的第一端部在第三轴方向上重叠。
当第一传感器3240a如上面所描述的那样布置在第一位置Position1至第三位置Position3中一者处时,可以应用对图38b的第一线圈单元3230-1’和第一磁体3130-1的描述。
第二传感器3240b可以布置成与第三磁体3130-3和第六磁体3130-6中的一者的第一端部或第二端部(Position4、Position5、Position6或Position7)在第三轴方向上重叠。
替代性地,第二传感器3240b可以布置成与第三磁体3130-3的第一内部区域或第二内部区域(位置8或位置9)在第三轴方向上重叠。
第三磁体3130-3的第一内部区域可以是位于第三磁体3130-3的第一端部与第三磁体3130-3的中心区域之间的区域。第三磁体3130-3的第二内部区域可以是位于第三磁体3130-3的第二端部与第三磁体3130-3的中心区域之间的区域。
替代性地,第二传感器3240b可以布置成与第六磁体3130-6的第一内部区域或第二内部区域在第三轴方向上重叠(位置10或位置11)。第六磁体3130-6的第一内部区域可以是位于第六磁体3130-6的第一端部与第六磁体3130-6的中心区域之间的区域。第六磁体3130-6的第二内部区域可以是位于第六磁体3130-6的第二端部与第六磁体3130-6的中心区域之间的区域。
在图36中,第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6可以形成在电路构件3231处而非形成在电路板3250处。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6中的每一者可以不形成在电路构件3231处,而是可以构造为呈环形线圈块的形式。
图40b示出了根据又一实施方式的第一传感器和第二传感器的布置。
参照图40b,透镜移动装置3100还可以包括用于第二传感器3240b的单独的第七磁体3130-7。
第七磁体3130-7可以布置在壳体3140处。第七磁体3130-7可以布置在第一绕线架3110a与第二绕线架3110b之间。
第七磁体3130-7可以布置在壳体3140的位于第一绕线架3110a与第二绕线架3110b之间的区域处。
第七磁体3130-7例如可以布置在壳体3140的第一接纳单元3011a的第四侧部部分3014d或第二接纳单元3011b的第八侧部部分3015d处。
第七磁体3130-7可以不是构造成通过与第一线圈3120a或第二线圈3120b相互作用而产生AF驱动力的驱动磁体,并且第七磁体3130-7可以用于向第二传感器3240b提供磁场以感测壳体3140在第二轴方向上的运动。也就是说,对于第七磁体3130-7而言提供第二传感器3240b能够感测到的磁场就已足够。
第七磁体3130-7在第一轴方向上的长度L3例如可以小于第一轴磁体3130-1、3130-2、3130-4或3130-5在第二轴方向上的长度M1以及第二轴磁体3130-3或3130-6在第一轴方向上的长度L2(L3<M1、L2)。
此外,第七磁体3130-7在第二轴方向上的长度W3例如可以小于第一轴磁体3130-1、3130-2、3130-4或3130-5在第一轴方向上的长度W1以及第二轴磁体3130-3或3130-6在第二轴方向上的长度W2(W3<W1、W2)。
此外,第七磁体3130-7在第二轴方向上的长度W3例如可以小于或等于第一轴磁体3130-1、3130-2、3130-4或3130-5在第三轴方向上的长度以及第二轴磁体3130-3或3130-6在第三轴方向上的长度W2。
在第七磁体3130-7的尺寸增大的情况下,由于第七磁体3130-7的磁场而对第一透镜单元的AF驱动或第二透镜单元的AF驱动的影响可能增大,由此AF驱动可能发生故障。然而,在该实施方式中,第七磁体3130-7的尺寸形成为小于第一轴磁体和第二轴磁体中的每一者的尺寸,可以减小第七磁体3130-7的磁场的影响,由此可以抑制AF驱动发生故障。
例如,第七磁体3130-7可以与第三磁体3130-3和第六磁体3130-6中的至少一者在第二轴方向上重叠。
此外,第七磁体3130-7可以不与第一轴磁体3130-1、3130-2、3130-4或3130-5在第一轴方向上重叠。
此外,第七磁体3130-7可以不与第三线圈3230在第三轴方向上重叠。第七磁体3130-7例如可以不与第一线圈单元3230-1至第六线圈单元3230-6在第三轴方向上重叠。
例如,为了使与第一轴磁体和第二轴磁体的磁场干扰最小化,第七磁体3130-7可以布置成位于壳体3140的第四侧部部分3014d或第八侧部部分3015d的中心处。然而,本公开不限于此。
此外,第一磁体3130-1(或第四磁体3130-4)与第七磁体3130-7之间的距离可以等于第二磁体3130-2(或第五磁体3130-5)与第七磁体3130-7之间的距离。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以彼此不同。
此外,第三磁体3130-3与第七磁体3130-7之间的距离可以等于第六磁体3130-6与第七磁体3130-7之间的距离。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,两者可以彼此不同。
第二传感器3240b可以布置在第七磁体3130-7的下方。
第二传感器3240b可以与第七磁体3130-7在第三轴方向上重叠。例如,第二传感器3240b的感测区域3040b可以与第七磁体3130-7在第三轴方向上重叠。
构造成接纳图40b的第二传感器3240b的传感器联接部分3433b可以形成在基部3210的第一开口3431a与第二开口3431b之间。为了避免与第二传感器3240b的空间干涉,基部3210的突起部分3025c可以形成为与传感器联接部分3433b间隔开。
其中第一传感器布置在图40a的第一位置Position1至第三位置Position3中的一者处的实施方式可以适用于图40b的第一传感器3240a的布置。此外,对图39b的第一线圈单元3230-1’和第一磁体3130-1的描述可以适用于图40b的实施方式。
图40c示出了布置在图40b的第七位置Position7处的第二传感器3240b和第六线圈单元3230-6a。
参照图40c,第六线圈单元3230-6a在第一轴方向上的长度M23可以小于第三线圈单元3230-3的长度(M23<M2)。第六线圈单元3230-6a的长度M23例如可以大于第一线圈单元3230-1’的长度M11(M23>M11)。此外,第六线圈单元3230-6a的长度M23可以大于或等于第二线圈单元3230-2、第四线圈单元3230-4和第五线圈单元3230-5中的每一者的长度M1(M23≥M1)。然而,本公开不限于此。在另一实施方式中,M23<M1。
第六磁体3130-6的一个端部可以不与第六线圈单元3230-6a在第三轴方向上重叠,并且第六磁体3130-6的所述一个端部可以与第二传感器3240b在第三轴方向上重叠。此外,第六磁体3130-6的另一端部可以与第六线圈单元3230-6a在第三轴方向上重叠。
第六磁体3130-6的下表面可以具有不与第六线圈单元3230-6a在第三轴方向上重叠的一个端部,并且第二传感器3240b可以与第六磁体3130-6的下表面的该端部在第三轴方向上重叠。
例如,当从上方观察时,第六磁体3130-6的一个端部可以布置在第六线圈单元3230-6a的外部,并且第六磁体3130-6的另一端部可以布置在第六线圈单元3230-6a的两个端部的内部。
此外,第六磁体3130-6可以包括与第六线圈单元3230-6a在第三轴方向上重叠的第一区域S3以及不与第六线圈单元3230-6a在第三轴方向上重叠的第二区域S4。
第二传感器3240b可以与第六磁体3130-6的第二区域S4在第三轴方向上重叠。第二传感器3240b的感测区域3040b例如可以与第六磁体3130-6的第二区域S4在第三轴方向上重叠。此外,感测区域3040b例如可以位于第二传感器3240b的中心处,并且第二传感器3240b的中心可以与第六磁体3130-6的第二区域S4在第三轴方向上重叠。由此,可以抑制由于由第六线圈单元3230-6a产生的磁场而对第二传感器3240b的影响,由此可以执行精确的OIS反馈驱动。
对图40c的描述可以适用于或被引用在其中第二传感器3240b布置在第四位置Position4、第五位置Position5或第六位置Position6处的实施方式中。
图41是根据另一实施方式的定子5400a的立体图。
参照图15,定子5400a包括电路构件3250-1和基部3210。
在图31a的定子5400中,电路构件3231和电路板3250分开地设置。然而,图41的定子5400a的电路构件3250-1可以通过将图31a的电路构件3231和电路板3250一体地形成而实现。
也就是说,电路构件3250-1可以包括基板部分3421a、包括第一线圈单元3130-1a至第六线圈单元3130-6a的第三线圈、以及形成有端子3251a的端子部分3253-1和3253-2。
板部分基板部分3421a可以包括第一开口3023a1和与第一绕线架3110a相对应的第二开口3023b1。
第一线圈单元3130-1a至第六线圈单元3130-6a可以形成在基板部分3421a1处,并且对图31a和图36至图40b的第一线圈单元3130-1至第六线圈单元3130-6的描述可以适用于第一线圈单元3130-1a至第六线圈单元3130-6a。
板部分基板部分3431a可以在基板部分3431a的每个拐角处设置有孔3231a1,支承构件3600延伸穿过该孔3231a1。基板部分3431a可以具有用于与基部3210的突出部联接的通孔25c1。对图31c的孔3231a和通孔3025c的描述可以适用于图41的孔3231a1和通孔3025c1。
端子部分3253-1和3253-2可以布置在电路构件3250-1的相对的两个侧部(或侧表面)中的至少一者处。
电路构件3250-1例如可以包括布置在电路构件3250-1的相对的两个长侧部(或长侧表面)中的一个长侧部处的第一端子部分3253-1以及布置在所述相对的两个长侧部(或长侧表面)中的另一长侧部处的第二端子部分3253-2。
端子部分3253-1和3253-2可以因电路构件3250-1的一部分弯折而形成。例如,电路构件3250-1可以包括从电路构件3250-1的上表面向下弯折的部分,并且该弯折部分可以形成电路构件3250-1的端子部分。
对图31a的电路板3250的端子部分的描述可以适用于电路构件3250-1的端子部分3253-1和3253-2。
在电路构件3250-1的端子部分3253-1和3253-2处可以形成多个端子3251a。对电路板3250的端子3251的描述可以适用于电路构件3250-1的端子3251a。
支承构件3600可以连接至电路构件3250-1。例如,支承构件3601至3604中的每一者可以通过形成在电路构件3250-1的拐角中的孔3231a中的相应一个孔而焊接至电路构件3250-1的下表面。
支承构件3601至3604可以连接至电路构件3250-1的所述多个端子中的四个AF线圈端子。
第一线圈单元3130-1a至第六线圈单元3130-6a可以连接至所述多个端子中的OIS端子。
例如,各自均为第一轴线圈的第一线圈单元3230-1a、第二线圈单元3230-2a、第四线圈单元3230-4a和第五线圈单元3230-5a可以串联地连接至彼此。第一轴线圈的两个端部可以连接至电路构件3250-1的所述多个端子中的两个OIS端子。
例如,各自均为第二轴线圈的第三线圈单元3230-3a和第六线圈单元3230-6a可以串联地连接至彼此。第二轴线圈的两个端部可以连接至电路构件3250-1的所述多个端子中的其他两个OIS端子。
电路构件3250-1可以包括构造成将第一轴线圈的两个端部和两个OIS端子互连的第一电路图案或第一丝线,并且电路构件3250-1可以包括构造成将第二轴线圈的两个端部和其他两个OIS端子互连的第二电路图案或第二丝线。
由于图31a的电路构件3231和电路板3250在图41的实施方式中是一体的,因此,可以减少零部件的数目并且可以减小透镜移动装置的高度,由此可以实现小型化。此外,可以防止由于电路构件3231与电路板3250之间的不良接触而引起的故障。
根据以上实施方式的透镜移动装置3100可以被实现为摄像头模块或光学仪器或者可以用于各种领域比如摄像头模块或光学仪器的领域。
例如,根据实施方式的透镜移动装置2100可以被包括在下述光学仪器中:所述光学仪器构造成使用反射、折射、吸收、干涉、衍射等——这些均为光的特性——在空间中形成物体的图像,以提高眼睛的视觉能力(visual power)、记录或再现由透镜形成的图像、进行光学测量、或传播或传输图像。例如,根据实施方式的光学仪器可以包括配备有摄像头的智能电话或便携式终端。
图42是根据另一实施方式的摄像头模块5000的立体图。
参照图42,摄像头模块5000可以包括:透镜移动装置3100、安装至第一绕线架3110a的第一透镜模块3400a、安装至第二绕线架3110b的第二透镜模块3400b、电路板5010、红外滤光器(未示出)、图像传感器(未示出)和控制器(未示出)。然而,电路板5010、红外滤光器(未示出)、图像传感器(未示出)和控制器(未示出)中的至少一者可以从摄像头模块5000省去或可以改变。透镜移动装置3100可以是根据上述实施方式的透镜移动装置。
第一透镜模块3400a和第二透镜模块3400b中的每一者可以包括至少一个透镜。替代性地,第一透镜模块3400a和第二透镜模块3400b中的每一者可以包括透镜和透镜镜筒,透镜镜筒构造成将透镜接纳在透镜镜筒中。然而,透镜模块的一个部件不限于透镜镜筒,并且可以使用能够支承一个或更多个透镜的任何保持器结构。
透镜模块3400a和3400b可以使用粘合剂(未示出)而联接至绕线架3110a和3110b。在示例中,透镜模块3400a和3400b可以与绕线架3110a和3110b螺纹接合。同时,穿过第一透镜模块3400a和第二透镜模块3400b的光可以照射在图像传感器上。
红外滤光器可以防止红外光入射到图像传感器上。红外滤光器可以布置在透镜模块3400a和3400b与图像传感器之间。
在示例中,红外滤光器可以布置在与透镜移动装置3100的基部3210分开设置的保持器构件处。在另一示例中,红外滤光器可以安装在基部3210的通孔3431a和3431b中。
红外滤光器可以包括第一红外滤光器和第二红外滤光器。
第一红外滤光器可以安装在基部3210的第一通孔3431a中,并且第一红外滤光器可以阻挡穿过第一透镜模块3400a的光的红外分量。第二红外滤光器可以安装在基部3210的第二通孔3431b中,并且第二红外滤光器可以阻挡穿过第二透镜模块400b的光的红外分量。
红外滤光器可以由膜材料或玻璃材料制成。红外滤光器可以通过下述方法形成:利用防红外涂层材料对平坦的光学滤光器比如用于成像表面保护的盖玻片进行涂覆。在示例中,红外滤光器可以是构造成吸收红外光的红外吸收滤光器。在另一示例中,红外滤光器可以是构造成反射红外光的红外反射滤光器。
透镜移动装置3100的基部3210可以布置在电路板5010的上表面处。摄像头模块5000还可以包括布置在电路板5010与基部3210之间的单独的保持器构件(未示出)。
电路板5010可以向第一线圈3120a、第二线圈3120b和第三线圈3230提供电力或驱动信号(驱动电流)。
图像传感器可以布置在电路板5010处、可以连接至电路板5010、并且可以将照射在图像传感器的有效图像区域上的光转换成电信号。
在示例中,图像传感器可以通过表面安装技术(SMT)联接至电路板5010。在另一示例中,图像传感器可以通过倒装芯片技术(flip chip technology)联接至电路板5010。
图像传感器可以包括第一图像传感器和第二图像传感器,第一图像传感器配置成将穿过第一透镜模块3400a和第一红外滤光器的光转换成电信号,第二图像传感器配置成将穿过第二透镜模块3400b和第二红外滤光器的光转换成电信号。第一图像传感器可以布置成与第一透镜模块3400a在光轴上对准,并且第二图像传感器可以布置成与第二透镜模块3400b在光轴上对准。
控制器可以布置在电路板5010处。在另一示例中,控制器可以布置在除电路板5010之外的外部部件处。
控制器可以独立地控制提供给第一线圈3120a、第二线圈3120b和第三线圈3230的电流的方向、强度和幅度。
控制器可以控制提供给第一线圈3120a、第二线圈3120b和第三线圈3230的电流,以执行双摄像头模块的自动聚焦功能和手抖补偿功能中的至少一者。
此外,控制器可以基于第一传感器的输出和第二传感器的输出来执行自动聚焦功能的反馈控制和手抖补偿功能的反馈控制中的至少一者。
图43是根据一实施方式的便携式终端200A的立体图,并且图44是示出了图43中所示的便携式终端200A的构造的视图。
参照图43和图44,便携式终端200A(以下称为“终端”)可以包括本体850、无线通信单元710、A/V输入单元720、感测单元740、输入/输出单元750、存储单元760、接口单元770、控制器780和电源单元790。
图43中所示的本体850可以具有条状形状;然而,本公开不限于此。本体可以具有其中两个或更多个子本体联接成能够相对于彼此移动的各种结构中的任何一种结构,比如滑动型结构、折叠型结构、摆动型结构和旋转型结构。
本体850可以包括限定本体850的外观的壳(外壳、壳体、盖等)。例如,本体850可以分为前壳851和后壳852。该终端的各种电子零部件可以安装在限定于前壳851与后壳852之间的空间中。
无线通信单元710可以包括能够在终端200A与无线通信系统之间或者在终端200A与终端200A所处的网络之间实现无线通信的一个或更多个模块。例如,无线通信单元710可以包括广播接收模块711、移动通信模块712、无线因特网模块713、近场通信模块714和位置信息模块715。
设置成输入音频信号或视频信号的音频/视频(A/V)输入单元720可以包括摄像头721和麦克风722。
相机摄像头721可以包括根据图19、图20或图27所示的实施方式的摄像头模块200、1000或3100,并且摄像头721可以包括根据上述其他实施方式中的任何实施方式的摄像头模块。
感测单元740可以感测终端200A的当前状态,比如终端200A的打开及关闭状态、终端200A的位置、用户是否接触终端、终端200A的取向、以及终端200A的加速和减速,以产生用于控制终端200A的操作的感测信号。例如,在终端200A是滑盖式手机的情况下,感测单元可以感测该滑盖式手机是打开的还是闭合的。此外,感测单元感测是否由电源单元790供电以及接口单元770是否联接至外部仪器。
输入/输出单元750设置成产生与视觉、听觉或触觉有关的输入或输出。输入/输出单元750可以生成用于对终端200A的操作进行控制的输入数据,并且输入/输出单元750可以显示由终端200A处理过的信息。
输入/输出单元750可以包括键盘单元730、显示模块751、声音输出模块752以及触摸屏面板753。键盘单元730可以通过键盘输入而生成输入数据。
显示模块751可以包括多个像素,所述多个像素的颜色根据电信号而改变。例如,显示模块751可以包括液晶显示器、薄膜晶体管液晶显示器、有机发光二极管、柔性显示器或三维(3D)显示器中的至少一者。
声音输出模块752可以在呼叫信号接收模式、电话通信模式、记录模式、语音识别模式或广播接收模式下输出从无线通信单元710接收的音频数据,或者声音输出模块752可以输出存储于存储单元760中的音频数据。
触摸屏面板753可以将由用户触摸触摸屏的特定区域引起的电容的变化转换为电输入信号。
存储单元760可以存储用于控制器780的处理和控制的程序,并且存储单元760可以暂时地存储输入/输出数据(例如,电话簿、消息、音频、静止图像、照片和视频)。例如,存储单元760可以存储由摄像头721拍摄的图像比如照片或视频。
接口单元770用作用于终端200A与外部仪器之间的连接的路径。接口单元770可以接收来自外部仪器的数据,并且接口单元770可以将接收到的数据或电力传输至终端200A的内部部件,或者接口单元770可以将终端200A中的数据传输至外部仪器。例如,接口单元770可以包括:有线/无线头戴式耳机端口、外部充电器端口、有线/无线数据端口、存储卡端口、用于与具有识别模块的设备连接的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频输入/输出(I/O)端口以及耳机端口。
控制器780可以控制终端200A的整体操作。例如,控制器780可以执行用于语音通信、数据通信和视频通信的相关的控制和处理。
控制器780可以具有用于多媒体重现的多媒体模块781。多媒体模块781可以被实现在控制器780中,或者可以与控制器780分开实现。
控制器780可以执行图案识别处理,该图案识别处理能够将在触摸屏上执行的书写输入或绘图输入分别识别为文本或图像。
电源单元790可以接纳外部电力和内部电力并且在控制器780的控制下向相应的部件提供所需的电力。
上述实施方式中所描述的特征、结构和效果被包括在至少一个实施方式中,但不仅限于一个实施方式。此外,每个实施方式中所图示的特征、结构和效果可以由实施方式所属领域的技术人员在其他实施方式中进行组合或修改。因此,应当理解的是,这样的组合和修改落入本公开的范围内。
工业适用性
实施方式可以用于能够减少磁体之间的磁场干扰、保持对于执行OIS功能所需的X轴方向上的电磁力与Y轴方向上的电磁力之间的平衡、并且减小OIS移动单元的重量以减少电流消耗的透镜移动装置以及包括该透镜移动装置的摄像头模块和光学仪器。
Claims (10)
1.一种透镜移动装置,包括:
基板;
壳体,所述壳体包括彼此相对的第一侧部部分和第二侧部部分以及彼此相对的第三侧部部分和第四侧部部分;
绕线架,所述绕线架布置在所述壳体中;
第一线圈,所述第一线圈布置在所述绕线架处;以及
磁体,所述磁体布置在所述壳体处,其中,
所述基板包括与所述磁体相对的第二线圈,
所述磁体包括布置在所述壳体的所述第一侧部部分处的第一磁体、布置在所述壳体的所述第二侧部部分处的第二磁体以及布置在所述壳体的所述第三侧部部分处的第三磁体,
所述第二线圈包括与所述第一磁体相对的第一线圈单元、与所述第二磁体相对的第二线圈单元以及与所述第三磁体相对的第三线圈单元,
所述第一线圈单元至所述第三线圈单元中的每一者包括具有多匝的线,并且
所述第三线圈单元的所述线的宽度小于所述第一线圈单元的所述线的宽度。
2.根据权利要求1所述的透镜移动装置,其中,所述第三线圈单元的所述线的匝数大于所述第一线圈单元的所述线的匝数。
3.根据权利要求1所述的透镜移动装置,其中,所述第三线圈单元的宽度等于所述第一线圈单元的宽度。
4.根据权利要求1所述的透镜移动装置,其中,所述第三线圈单元的宽度大于所述第一线圈单元的宽度。
5.根据权利要求1所述的透镜移动装置,其中,所述第一线圈单元至所述第三线圈单元中的每一者包括螺旋图案或椭圆形图案。
6.根据权利要求1所述的透镜移动装置,其中,
所述第一线圈单元至所述第三线圈单元中的每一者包括第一层和布置在所述第一层上的第二层,并且
所述第三线圈单元的所述第一层和所述第二层中的每一者的所述线的宽度小于所述第一线圈单元的所述第一层和所述第二层中的每一者的所述线的宽度。
7.根据权利要求1所述的透镜移动装置,其中,所述第一线圈单元的所述线的宽度和所述第二线圈单元的所述线的宽度彼此相等。
8.根据权利要求7所述的透镜移动装置,其中,所述第一线圈单元的厚度和所述第二线圈单元的厚度彼此相等。
9.根据权利要求6所述的透镜移动装置,其中,所述第一线圈单元至所述第三线圈单元中的每一者包括构造成将所述第一层和所述第二层互连的至少一个通路。
10.根据权利要求1所述的透镜移动装置,其中,
所述第二线圈包括彼此相对的第一侧部和第二侧部以及彼此相对的第三侧部和第四侧部,
所述基板包括开口,并且
所述基板包括:位于所述第一侧部与所述开口之间的第一区域,所述第一线圈单元布置在所述第一区域中;位于所述第二侧部与所述开口之间的第二区域,所述第二线圈单元布置在所述第二区域中;以及位于所述第三侧部与所述开口之间的第三区域,所述第三线圈单元布置在所述第三区域中。
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