CN112542693A - 一种微波多普勒探测天线及其制造方法 - Google Patents

一种微波多普勒探测天线及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述微波多普勒探测天线采用平面辐射源结构而包括至少一辐射元和与所述辐射元相间隔的一参考地,以及被设置于所述辐射元和所述参考地之间的一辐射源基板以形成所述辐射元与所述参考地相间隔的状态,通过采用介电常数大于等于7的材质作为所述辐射源基板,组合以在10%的误差范围内设置所述辐射源基板的厚度大于等于λ/32的方式,因所述辐射元的最小面积尺寸瓶颈被减小而有利于减小所述微波多普勒探测天线的尺寸,并同时能够保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益。

Description

一种微波多普勒探测天线及其制造方法
技术领域
本发明涉及多普勒微波探测领域,特别涉及一种微波多普勒探测天线及其制造方法。
背景技术
以电磁波为信息载体的无线通信技术作为近现代科学发展的重要标志,自诞生以来发展迅猛,并被广泛应用于生产、生活以及军事上,如卫星通信系统,卫星导航系统,遥控系统以及日常的RFID识别系统,其中天线作为发射和接收电磁波的基础硬件在被应用于不同领域时具有不同的结构和指标特性需求。具体地,在多普勒微波探测领域,基于多普勒效应原理的微波多普勒探测天线通过发射一微波波束,和接收该微波波束被相应物体反射形成的一反射回波,以在后续基于多普勒效应原理通过混频检波的方式生成对应于该微波波束和该反射回波之间的频率差异的一多普勒中频信号,从而以该多普勒中频信号反馈相应物体的运动,其中随着物联网技术的发展,人工智能、智能家居、以及智能安防技术对于环境探测,特别是对于人的存在、移动以及微动的动作特征的探测准确性的需求越来越高,对应对微波多普勒探测天线的指标特性中的辐射增益的要求被提高。
也就是说,基于多普勒效应原理的微波多普勒探测天线需要同时具有发射和接收功能,并对发射状态的辐射增益具有较高要求,具体地,现有的微波多普勒探测天线主要采用柱状辐射源结构和平面辐射源结构,并基于微型化趋势采用收发合一设计,其中由于柱状辐射源结构的微波多普勒探测天线具有辐射死区而相对于平面辐射源结构的微波多普勒探测天线具有较差的适用性,现有的微波多普勒探测天线多采用平面辐射源结构。参考本发明的说明书附图之图1A和图1B所示,现有采用收发合一设计的平面辐射源结构的微波多普勒探测天线的结构原理被示意,其中该微波多普勒探测天线包括一参考地10P和一辐射源20P,其中所述辐射源20P包括至少一辐射元21P,其中各所述辐射元21P与所述参考地10P以趋于平行的状态被一辐射源基板30P间隔,其中各所述辐射元21P被设置有且仅有一个馈电点211P,其中在各所述辐射元21P于其所述馈电点211P被馈电的状态,所述辐射元21P与所述参考地10P耦合而于所述辐射元21P和所述参考地10P之间以所述辐射元21P的边为界建立一内电场和一边缘电场,则所述内电场为以同时垂直于所述辐射元21P和所述参考地10的方向建立的电场,所述边缘电场为非以同时垂直于所述辐射元21P和所述参考地10的方向建立的电场,其中基于电场和磁场的交替传播,所述边缘电场能够形成辐射近场并进一步形成辐射远场而形成对微波波束的发射,也就是说,所述边缘电场的能量为所述微波多普勒探测天线的辐射能量的基础而直接关联于所述微波多普勒探测天线的辐射增益,其中为保障所述边缘电场的能量,现有的所述微波多普勒探测天线普遍采用介电常数低于3.5的所述辐射源基板30P以减小内电场的能量,并通过限制所述辐射源基板30P的厚度小于等于1mm的方式保障所述辐射元21P与所述参考地10P之间的的电场的形成以产生初始的极化方向,和降低所述辐射元21P与所述参考地10P之间介质损耗,从而保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益。
然而,在所述辐射源基板30P被设置采用介电常数低于3.5的材质时,为达到所述微波多普勒探测天线的工作频率,如5.8G频段的工作频率,所述辐射元21P必须具有较大面积,具体以介电常数为3.5,厚度为1.0mm的高频PCB基板为所述辐射源基板30P示例,为达到5.8GHz频段的工作频率,所述辐射元21P的尺寸约为13mm*18mm,一方面由于现有高频PCB基板的结构稳定性和双面覆铜原始结构,所述辐射源基板30P的尺寸往往大于所述辐射元21P的尺寸而同时造成现有的所述微波多普勒探测天线的尺寸难以缩小的问题和制造过程中的浪费问题;另一方面所述参考地10P的尺寸也必须满足大于所述辐射元21P的尺寸,即所述辐射元21P的最小尺寸瓶颈是现有的所述微波多普勒探测天线的尺寸的瓶颈限制,只有在所述辐射元21P的最小尺寸瓶颈被减小的情况,现有的所述微波多普勒探测天线的尺寸才可能被减小。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述微波多普勒探测天线采用平面辐射源结构而包括至少一辐射元和与所述辐射元相间隔的一参考地,以及被设置于所述辐射元和所述参考地之间的一辐射源基板以形成所述辐射元与所述参考地相间隔的状态,其中通过采用介电常数大于等于7的材质作为所述辐射源基板的方式,所述辐射元的最小面积尺寸瓶颈得以被减小而有利于减小所述微波多普勒探测天线的尺寸,和通过设置所述辐射源基板的厚度在10%的误差范围内大于等于λ/32的方式,因所述辐射源基板的介电常数的提高对内电场的增强而造成的对边缘电场的抑制作用能够被降低,从而保障所述微波多普勒探测天线在被馈电状态下的边缘电场的能量,对应保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益,其中λ为与所述微波多普勒探测天线的频率参数相对应的波长参数,即通过采用介电常数大于等于7的材质作为所述辐射源基板,组合以在10%的误差范围内设置所述辐射源基板的厚度大于等于λ/32的方式,因所述辐射元的最小面积尺寸瓶颈被减小而有利于减小所述微波多普勒探测天线的尺寸,并同时能够保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中在10%的误差范围内通过提高所述辐射源基板的厚度至大于等于λ/32的方式,所述微波多普勒探测模块对微弱电磁波信号的的接收能力被增强,对应提高了所述微波多普勒探测天线对微弱动作的探测的准确度,以使得所述微波多普勒探测天线适用于人体移动、微动、呼吸及心跳类微弱动作的探测而应用于人体存在探测。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述辐射元等效具有一个电学馈电点,其中以所述辐射元的电学馈电点至所述辐射元的物理中心点的连线方向为所述辐射元的极化方向,其中在所述辐射元的极化方向,所述辐射源基板的边被设置在λ/128的误差范围内与所述辐射元的边保持对齐,以降低所述辐射源基板对边缘电场的能量的吸收,从而以保障边缘电场的能量大小的方式保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中在所述辐射元的极化方向,所述辐射源基板的边被设置在λ/128的误差范围内与所述辐射元的边保持对齐,则所述辐射源基板的尺寸因所述辐射元的最小面积尺寸瓶颈被减小而能够被减小,同时所述辐射源基板具有趋近于所述辐射元的板面面积而有利于在所述微波多普勒探测天线的生产过程中减少所述辐射源基板的板材浪费和/或所述辐射元的浪费,从而有利于提高所述微波多普勒探测天线的经济效益。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述电学馈电点于所述辐射元与所述辐射元的物理中心点的距离大于等于λ/128,如此以有利于降低所述微波多普勒探测天线对相应激励信号的强度要求,从而在所述辐射元于所述电学馈电点被相应激励信号馈电的状态,所述微波多普勒探测天线更易产生初始的极化方向。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述微波多普勒探测天线进一步包括一馈源,其中所述馈源被设置允许被供电并以相应供电电源的正极或地极为参考地极输出至少一路激励信号,其中以所述辐射元上经所述辐射元的物理中心点并垂直于所述辐射元的极化方向的直线为所述辐射元的零电位线,在所述辐射元于所述电学馈电点接入所述激励信号而被馈电的状态,所述辐射元于所述零电位线被电性连接于所述参考地极,如此以降低所述微波多普勒探测天线在偏离谐振工作点的频率的阻抗,对应缩窄了所述微波多普勒探测天线的频带宽度而有利于提高所述微波多普勒探测天线的抗干扰性能。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述微波多普勒探测天线在偏离谐振工作点的频率的阻抗被降低,对应所述微波多普勒探测天线的频带宽度被缩窄,即所述微波多普勒探测天线的品质因数被提高而限制了所述微波多普勒探测天线对谐振频率之外的信号的接收,则所述微波多普勒探测天线因所述辐射源基板的厚度增加而于相应多普勒中频信号增加的背景干扰信号能够被限制,从而有利于在提高所述微波多普勒探测天线的灵敏度的同时保障所述微波多普勒探测天线的抗干扰性能。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中在所述辐射元被馈电的状态,所述辐射元于所述零电位线被电性连接于所述参考地极,以避免由所述辐射元的设计和加工误差引起的极化平衡性失配因所述辐射源基板的厚度的增加而加剧,即避免了因所述辐射源基板的厚度的增加造成的所述微波多普勒探测天线的稳定性的降低,进而有利于保障所述微波多普勒探测天线的工作稳定性。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中在所述辐射元被馈电的状态,所述参考地被电性连接于所述馈源的所述参考地极,其中所述辐射元于所述零电位线被电性连接于所述参考地,如此以形成所述辐射元与所述参考地极电性相连的关系,因而简单易行且不会造成电路布局的拥挤,有利于提高所述微波多普勒探测天线的抗干扰性能和对当前小型化趋势的适应性。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中对所述电学馈电点的位置描述是对所述辐射元的电学等效馈电位置的限定,所述电学馈电点的实体物理馈电实施结构多样,相应所述微波多普勒探测天线的电路设计灵活多样而能够适应于不同的布局需求。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述辐射元具有实体的对应接入相应激励信号的至少一个馈电连接点,其中在所述辐射元上以所述零电位线为界,在所述零电位线的同一侧,当所述馈电连接点为一个时,所述电学馈电点等效位于所述馈电连接点,当所述馈点连接点为多个时,基于两所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和两所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点,则所述电学馈电点等效位于这一所述馈电连接点,即对所述电学馈电点的电性连接关系和位置描述是对实体的所述馈电连接点的电性连接关系和位置排布的限定,所述馈电连接点的具体数量和位置排布灵活多变,相应所述微波多普勒探测天线的电路设计灵活多样而能够适应于不同的布局需求。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中在所述馈电连接点对应点馈电(探针馈电)结构的状态,所述馈电连接点为所述辐射元上接入相应激励信号的点,其中在所述馈电连接点对应微带馈电结构的状态,所述辐射元经一微带馈电线接入相应激励信号,所述馈电连接点为所述辐射元上与所述微带馈电线电性相连的点,其中在所述馈电连接点对应边馈电结构的状态,所述辐射元经一边馈线接入相应激励信号,其中所述边馈线为邻近且平行于所述辐射元的直边的微带线,所述馈电连接点为被设置为微带线的所述边馈线的中点,因此所述馈电连接点对应的实体物理馈电结构多样,且所述辐射元的所述电学馈电点对应的实体物理馈电结构不限制相同,因此相应所述微波多普勒探测天线的电路设计灵活多样而能够适应于不同的布局需求。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中所述辐射元被设置允许被馈电而以圆极化方式极化,如此以提高所述微波多普勒探测天线的抗衰减特性和抗雨雾干扰能力,有利于满足对运动物体的探测的高准确度要求和适应户外探测场景。
本发明的另一个目的在于提供一种微波多普勒探测天线及其制造方法,其中在所述辐射元等效具有一个所述电学馈电点的基础上,依前述所述电学馈电点的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,所述辐射元新增有一个所述电学馈电点,其中两所述电学馈电点位于所述辐射元上以所述零电位线为界的两侧,如此以在所述辐射元于两所述电学馈电点接入反相的两路激励信号的状态,对应所述馈源被设置在被供电状态输出反相的两路激励信号,于所述辐射元的零电位线形成所述辐射元的零电位分布,从而有利于抑制由所述辐射元的形状设计和加工误差引起的极化平衡性失配,进而以平衡和保障所述辐射元在被馈电状态下的电位分布强度的方式,提高所述微波多普勒探测天线的辐射效率,对应提高所述微波多普勒探测天线的准确度。
根据本发明的一个方面本发明提供一种微波多普勒探测天线,所述微波多普勒探测天线包括:
一馈源,其中所述馈源被设置允许被供电并以相应供电电源的正极或地极为参考地极输出至少一路激励信号;
至少一辐射元,其中所述辐射元等效具有对应接入所述激励信号的一电学馈电点,其中所述电学馈电点于所述辐射元与所述辐射元的物理中心点的距离大于等于λ/128,其中λ为与所述激励信号的频率参数相对应的波长参数;
一参考地,其中所述辐射元与所述参考地相间隔;以及
一辐射源基板,其中所述辐射源基板被设置于所述辐射元和所述参考地之间以形成所述辐射元与所述参考地被所述辐射源基板间隔的状态,其中所述辐射源基板的介电常数大于等于7,其中所述辐射源基板在10%的误差范围内具有大于等于λ/32的厚度,其中以所述辐射元上所述电学馈电点至所述辐射元的物理中心点的连线方向为所述辐射元的极化方向,和以所述辐射元上经所述辐射元的物理中心点并垂直于极化方向的直线为所述辐射元的零电位线,其中在以所述零电位线为界的同一侧,所述辐射元的边和所述辐射源基板的边在所述极化方向的距离小于等于λ/128。
在一实施例中,其中在所述辐射元于所述电学馈电点接入所述激励信号而被馈电的状态,所述辐射元于所述零电位线被电性连接于所述参考地极。
在一实施例中,其中在所述辐射元于所述电学馈电点接入所述激励信号而被馈电的状态,所述参考地被电性连接于所述馈源的所述参考地极,其中所述辐射元于所述零电位线被电性连接于所述参考地,以形成所述辐射元于所述零电位线与所述参考地极的电性连接关系。
在一实施例中,其中所述辐射源基板在与所述辐射元的零电位线相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向被贯通而具有至少一接地孔,其中所述接地孔插嵌有一金属接地件,其中所述辐射元经所述金属接地件与所述参考地电性相连。
在一实施例中,其中所述辐射元于所述所述辐射元的物理中心点被电性连接于所述参考地,对应所述辐射源基板在与所述辐射元的物理中心点相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向被贯通而具有一个所述接地孔,其中所述接地孔插嵌有所述金属接地件,其中所述辐射元于所述辐射元的物理中心点经所述金属接地件与所述参考地电性相连。
在一实施例中,其中所述辐射元在所述极化方向的尺寸a满足a≤3λ/16,和在所述零电位线方向的尺寸b满足≤λ/4。
在一实施例中,其中所述辐射元被设置为矩形,其中矩形的所述辐射元在所述极化方向的尺寸a满足3λ/32≤a≤3λ/16,和在所述辐射元上垂直于所述极化方向的方向的尺寸b满足λ/8≤b≤λ/4。
在一实施例中,其中所述辐射元被设置为圆形,其中圆形的所述辐射元的直径d≤3λ/16。
在一实施例中,其中所述辐射元的位于所述零电位线上的边以朝向所述辐射元的物理中心点的方向被内凹地设置。
在一实施例中,其中所述辐射元进一步具有至少一简并模分离单元,其中所述简并模分离单元为对规则形状的所述辐射元以相应形状的挖空或切除设置而一体成型于所述辐射元,其中所述辐射元被设置基于所述简并模分离单元的设置被圆极化设置而允许在被馈电状态以圆极化方式极化。
在一实施例中,其中所述辐射元被设置为矩形并具有两个所述简并模分离单元,其中两个所述简并模分离单元为在所述辐射元被设置为矩形形态的基础上对所述辐射元的两对角的切除设置。
在一实施例中,其中所述辐射元具有实体的对应接入相应激励信号的至少一个馈电连接点,其中在所述辐射元上以所述零电位线为界,在所述零电位线的同一侧,当所述馈电连接点为一个时,所述电学馈电点等效位于所述馈电连接点,当所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点,则所述电学馈电点等效位于这一所述馈电连接点。
在一实施例中,其中至少一所述馈电连接点对应点馈电结构而被实施为所述辐射元上接入相应激励信号的点。
在一实施例中,其中所述辐射元具有实体的对应接入相应激励信号的一个所述馈电连接点,其中所述馈电连接点对应点馈电结构而被实施为所述辐射元上接入相应激励信号的点。
在一实施例中,其中至少一所述馈电连接点对应微带馈电结构,对应所述辐射元经一微带馈电线接入相应激励信号,其中对应微带馈电结构所述馈电连接点为所述辐射元上与所述微带馈电线电性相连的点。
在一实施例中,其中至少一所述馈电连接点对应边馈电结构,对应所述辐射元经一边馈线接入相应激励信号,其中所述边馈线为邻近且平行于所述辐射元的直边的微带线,其中对应边馈电结构的所述馈电连接点为被设置为微带线的所述边馈线的中点。
在一实施例中,其中所述辐射元进一步新增有至少一个所述馈电连接点,其中新增的所述馈电连接点等效形成所述辐射元的另一所述电学馈电点,即所述辐射元新增有一个所述电学馈电点而具有两个所述电学馈电点。
在一实施例中,其中新增的所述电学馈电点位于所述辐射元的零电位线,即两所述电学馈电点与所述辐射元的物理中心点的两连线呈垂直状态。
在一实施例中,其中所述馈源被设置在被供电状态输出同相位的两路激励信号,其中所述辐射元于两所述电学馈电点分别接入其中一路激励信号而具有正交的极化方式。
在一实施例中,其中所述馈源被设置以一路激励信号经功分器输出同相位的两路激励信号。
在一实施例中,其中所述馈源被设置在被供电状态输出具有90度相位差的两路激励信号,其中所述辐射元于两所述电学馈电点分别接入其中一路激励信号而具有圆极化的极化方式。
在一实施例中,其中所述馈源被设置以一路激励信号经移相器输出具有90度相位差的两路激励信号。
在一实施例中,其中两所述电学馈电点位于所述辐射元上以所述零电位线为界的两侧,对应其中一所述电学馈电点,所述辐射元的物理中心点以及另一所述电学馈电点顺序相连的连线在所述辐射元的物理中心点具有大于90度的夹角。
在一实施例中,其中所述馈源被设置在被供电状态输出反相的两路激励信号,其中所述辐射元于两所述电学馈电点分别接入其中一路激励信号。
在一实施例中,其中两所述电学馈电点的连线经过所述辐射元的物理中心点。
在一实施例中,其中新增的所述馈电连接点的数量为一个。
在一实施例中,其中新增的所述馈电连接点以点馈电结构被实施为所述辐射元上接入相应激励信号的点。
在一实施例中,其中新增的所述馈电连接点的数量为两个,其中新增两个所述馈电连接点以所述辐射元的极化方向上经所述辐射元的物理中心点的直线对称分布。
在一实施例中,其中新增的所述馈电连接点的数量为三个,其中在新增的三个所述馈电连接点中,其中两个所述馈电连接点以所述辐射元的极化方向上经所述辐射元的物理中心点的直线对称分布,其中另一个所述馈电连接点位于这两个所述馈电连接点的连线的中点。
在一实施例中,其中所述辐射源基板为采用陶瓷材料的一层板材。
在一实施例中,其中所述辐射元为以丝印银浆工艺于所述辐射源基板固化形成的导电层。
在一实施例中,其中在以所述极化方向上经过所述辐射元10的物理中心点的直线为界的同一侧,所述辐射元的边和所述辐射源基板的边于所述零电位线方向在λ/128的误差范围内保持对齐。
根据本发明的另一个方面,本发明还提供一种微波多普勒探测天线的制造方法,所述制造方法包括以下步骤:
(A)获取介电常数大于等于7和在10%的误差范围内具有大于等于λ/32的厚度的一层或多层板材作为一辐射源基板,其中λ为与所述微波多普勒探测天线的频率参数相对应的波长参数;
(B)在所述辐射源基板覆盖一导电层作为一辐射元;
(C)界定一极化方向和以所述辐射源基板的边在λ/128的误差范围内与所述辐射元的边在所述极化方向保持对齐的工艺参数对所述辐射源基板切边;
(D)在所述辐射元上以与所述辐射元的物理中心点在所述极化方向具有大于等于λ/128的位置界定至少一馈电连接点,和于所述辐射源基板上与所述馈电连接点相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成相应数量的馈电孔;
(E)于所述馈电孔插嵌一金属馈电件,和将所述辐射元与所述金属馈电件电性连接;以及
(F)以具有大于所述辐射元的面积的一导电层作为参考地,并以所述辐射元的投影位于所述参考地内的状态和所述辐射元与所述参考地被所述辐射源基板间隔的状态将所述辐射源基板与所述参考地相固定。
在一实施例中,其中在所述步骤(D)中,当所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的数量和排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点,对应以等效形成的这一馈电点为所述辐射元的电学馈电点,所述辐射元具有一个所述电学馈电点。
在一实施例中,进一步包括步骤:
(G)以所述辐射元上所述电学馈电点至所述辐射元的物理中心点的连线方向为所述辐射元的极化方向,和以所述辐射元上经所述辐射元的物理中心点并垂直于极化方向的直线为所述辐射元的零电位线,于所述辐射源基板上与所述辐射元的零电位线相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成至少一接地孔,和于所述接地孔插嵌一金属接地件,并将所述辐射元和所述参考地与所述金属接地件电性连接,以形成所述辐射元于所述零电位线经所述金属接地件与所述参考地电性相连的关系。
在一实施例中,其中在所述步骤(G)中,于所述辐射源基板上与所述辐射元的物理中心点对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成一个所述接地孔。
在一实施例中,其中在所述步骤(D)中,在所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的数量和排布被设置满足能够等效为两个所述馈电连接点,对应以等效形成的这两个馈电点为所述辐射元的电学馈电点,所述辐射元具有两个所述电学馈电点。
在一实施例中,其中根据所述步骤(D),其中一所述电学馈电点,所述辐射元的物理中心点以及另一所述电学馈电点顺序相连的连线在所述辐射元的物理中心点具有大于等于90度的夹角。
在一实施例中,其中根据所述步骤(D),两所述电学馈电点与所述辐射元的物理中心点的两连线相互垂直。
在一实施例中,两所述电学馈电点的连线经过所述辐射元的物理中心点。
在一实施例中,其中在所述步骤(B)中,在所述辐射源基板丝印银浆并固化而形成所述辐射元于所述辐射源基板的覆盖。
在一实施例中,其中在所述步骤(A)中,所述辐射源基板为采用陶瓷材料的一层板材。
附图说明
图1A为现有的微波多普勒探测天线的立体结构示意图。
图1B为现有的微波多普勒探测天线的工作原理示意图。
图2A为依本发明的一实施例的一微波多普勒探测天线的工作原理示意图。
图2B为依本发明的上述实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图2C为依本发明的上述实施例的所述微波多普勒探测天线的沿极化方向的剖面示意图。
图2D为依本发明的上述实施例的所述微波多普勒探测天线的立体结构示意图。
图3A为依本发明的上述实施例的一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图3B为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图3C为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图3D为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图4为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图5为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图6为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图7为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图8A为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图8B为依本发明的上述变形实施例的所述微波多普勒探测天线的一种实施结构在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图8C为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
图8D为依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线在垂直于辐射元视角的结构示意图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本发明以使本领域技术人员能够实现本发明。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本发明的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本发明的精神和范围的其他技术方案。
本领域技术人员应理解的是,在本发明的揭露中,术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系,其仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此上述术语不能理解为对本发明的限制。
可以理解的是,术语“一”应理解为“至少一”或“一个或多个”,即在一个实施例中,一个元件的数量可以为一个,而在另外的实施例中,该元件的数量可以为多个,术语“一”不能理解为对数量的限制。
参考本发明的说明书附图之图2A至图2D,依本发明的一实施例的一种微波多普勒探测天线的结构原理被示意,其中所述微波多普勒探测天线采用平面辐射源结构而包括至少一辐射元10和与所述辐射元相间隔的一参考地20,以及被设置于所述辐射元10和所述参考地20之间的一辐射源基板30以形成所述辐射元10与所述参考地20相间隔的状态,其中所述辐射元10等效具有至少一电学馈电点11,其中在所述辐射元10于所述电学馈电点11接入相应的激励信号而被馈电的状态,所述辐射元10与所述参考地20耦合而以所述辐射元10的边为界建立一内电场100和一边缘电场200,则所述内电场100为以同时垂直于所述辐射元10和所述参考地20的方向建立的电场,所述边缘电场200为非以同时垂直于所述辐射元10和所述参考地20的方向建立的电场,其中由于所述内电场100同时垂直于所述辐射元10和所述参考地20,所述内电场100的能量被束缚和被消耗于所述辐射源基板30中以所述辐射元10为界的部分,而由于所述边缘电场200为非以同时垂直于所述辐射元10和所述参考地20的方向建立的电场,所述边缘电场200能够基于电场和磁场的交替传播形成辐射近场并进一步形成辐射远场而形成对微波波束的发射,也就是说,所述边缘电场200的能量为所述微波多普勒探测天线的辐射能量的基础而直接关联于所述微波多普勒探测天线的辐射增益。
特别地,在本发明的这个实施例中,通过采用介电常数大于等于7的材质作为所述辐射源基板30的方式,如采用陶瓷、云母、乳胶以及树脂复合材料中的至少一种以一层或多层板材形态作为所述辐射源基板30,并优选地采用介电常数大于等于10的陶瓷材料以一层板材形态作为所述辐射源基板30,所述辐射元10的最小面积尺寸瓶颈得以被减小而有利于减小所述微波多普勒探测天线的尺寸,然而由于所述辐射源基板30的介电常数相对于现有的微波多普勒探测天线被提高,其中所述辐射源基板30的介电常数的提高对应于所述内电场100的强度的提高而能够形成对所述边缘电场200的抑制,也就是说,所述辐射源基板30的介电常数的提高不利于所述微波多普勒探测天线的辐射近场和辐射远场的形成而对应造成所述微波多普勒探测天线的辐射增益偏低甚至于无法正常发射微波波束的问题,因此采用介电常数大于等于7的材质作为所述辐射源基板30的所述微波多普勒探测天线仅适用于接收天线而无法以收发合一的形态被应用于基于多普勒效应原理的微波探测领域。
基于此,在本发明的这个实施例中,进一步在10%的误差范围内通过设置所述辐射源基板30的厚度大于等于λ/32的方式,使得因所述辐射源基板30的介电常数的提高对所述内电场100的增强而造成的对所述边缘电场200的抑制作用能够被降低,从而保障所述微波多普勒探测天线在被馈电状态下的所述边缘电场200的能量,对应保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益,其中λ为与所述微波多普勒探测天线的频率参数(即相应激励信号的频率参数)相对应的波长参数,即在采用介电常数大于等于7的材质作为所述辐射源基板30的基础上,通过在10%的误差范围内设置所述辐射源基板的厚度大于等于λ/32的方式,抑制了因所述辐射源基板30的介电常数的提高对所述内电场100的增强作用,对应降低了所述内电场100对所述边缘电场200的抑制作用,从而能够保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益,并同时由于所述辐射源基板30的介电常数的提高而减小了所述辐射元10的最小面积尺寸瓶颈,进而有利于以小幅增加所述辐射源基板30的厚度的方式大幅减小所述辐射元10的面积而减小所述微波多普勒探测天线的尺寸。
具体地,在本发明的这个实施例中,所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11,其中以所述电学馈电点11至所述辐射元10的物理中心点的连线方向为所述辐射元10的极化方向,在所述辐射源基板30的介电常数大于等于7,和所述辐射源基板30的厚度在10%的误差范围内大于等于λ/32的状态,为对比于图1A所示意的现有的所述微波多普勒探测天线,所述辐射元10被设置为矩形,其中在所述辐射元10被设置为矩形的状态,所述辐射元10在所述极化方向的具有大于等于3λ/32的尺寸瓶颈,和在所述辐射元10上垂直于所述极化方向的方向具有大于等于λ/8的尺寸瓶颈。优选地,所述辐射元在所述极化方向的尺寸a满足a≤3λ/16,和在所述零电位线方向的尺寸b满足≤λ/4,对应在所述辐射元10被设置矩形的形态,所述辐射元10在所述极化方向的尺寸a满足3λ/32≤a≤3λ/16,和在所述辐射元10上垂直于所述极化方向的方向的尺寸b满足λ/8≤b≤λ/4,和在所述辐射元10被设置为圆形的形态,所述辐射元10的直径d≤3λ/16。也就是说,在所述微波多普勒探测天线被设置于5.8GHz频段的工作频率时,相应λ取51.7mm,则矩形形态的所述辐射元10在所述极化方向的具有大于等于4.85mm的尺寸瓶颈,和在所述辐射元10上垂直于所述极化方向的方向具有大于等于6.46mm的尺寸瓶颈,因此相较于图1A所示意的现有的所述微波多普勒探测天线的所述辐射元21P的13mm*18mm的尺寸,呈现以所述辐射源基板30的厚度小幅度增加大幅减小了所述辐射元10的面积而有利于减小所述微波多普勒探测天线的尺寸的有益效果。
值得一提的是,通过提高所述辐射源基板30的厚度至在10%的误差范围内大于等于λ/32的方式,所述微波多普勒探测模块对微弱电磁波信号的的接收能力也被增强,对应提高了所述微波多普勒探测天线对微弱动作的探测的准确度,以使得所述微波多普勒探测天线适用于人体移动、微动、呼吸及心跳类微弱动作的探测而应用于人体存在探测。
还值得一提的是,在本发明的这个实施例中,为对比于图1A所示意的现有的所述微波多普勒探测天线,所述辐射元10被设置为矩形,其中所述辐射元10以及所述参考地20的具体形状并不构成对本发明的限制,其中所述辐射元10和所述参考地20优选地被设置为规则形状的导电板,例如但不限于方形、矩形、圆形、椭圆形、等腰梯形、等腰三角形、环形、正多边形。
进一步地,在本发明的这个实施例中,在所述辐射元10的极化方向,所述辐射源基板30的边被设置在λ/128的误差范围内与所述辐射元10的边保持对齐,如此以进一步降低采用介电常数大于等于7的材质的所述辐射源基板30对所述边缘电场200的能量的吸收,从而以保障所述边缘电场200的能量大小的方式保障所述微波多普勒探测天线的辐射增益。
也就是说,以所述辐射元10上经所述辐射元10的物理中心点并垂直于所述极化方向的直线为界的同一侧,所述辐射元10的边在所述极化方向与所述辐射源基板30的边之间的距离小于等于λ/128,即以所述辐射元10上经所述辐射元10的物理中心点并垂直于所述极化方向的直线为界的同一侧,所述辐射元10在所述极化方向的尺寸d1和所述辐射源基板30在所述极化方向的尺寸d2之间满足|d1-d2|≤λ/128,其中基于相应的制造工艺,所述辐射元10在所述极化方向的尺寸d1并不限制小于等于所述辐射源基板30在所述极化方向的尺寸d2,并优选地满足d1=d2。因此,在本发明的一些实施例中,所述辐射源基板30在所述极化方向的尺寸d2小于所述辐射元10在所述极化方向的尺寸d1,对应在所述极化方向,所述辐射元10的部分边沿与所述参考地20之间的所述辐射源基板30被挖空设置。
值得一提的是,在所述辐射元10的极化方向,所述辐射源基板30的边被设置在λ/128的误差范围内与所述辐射元10的边保持对齐,则所述辐射源基板30的板面尺寸因所述辐射元10的最小面积尺寸瓶颈被减小而能够被减小,同时所述辐射源基板30具有趋近于所述辐射元10的板面面积而有利于在所述微波多普勒探测天线的生产过程中减少所述辐射源基板30的板材浪费和/或所述辐射元10材质的浪费,从而有利于提高所述微波多普勒探测天线的经济效益。
进一步地,以所述辐射元10上经所述辐射元10的物理中心点并垂直于所述辐射元10的极化方向的直线为所述辐射元10的零电位线,其中在以所述极化方向上经过所述辐射元10的物理中心点的直线为界的同一侧,在所述辐射元10的零电位线方向,所述辐射源基板30的边优选地被设置与所述辐射元10的边在λ/128的误差范围内保持对齐,以进一步减小所述辐射源基板30的板面尺寸而使的所述辐射源基板30具有趋近于所述辐射元10的板面面积。
特别地,所述电学馈电点11于所述辐射元10与所述辐射元10的物理中心点的距离大于等于λ/128,如此以有利于降低所述微波多普勒探测天线对相应激励信号的强度要求,从而在所述辐射元10于所述电学馈电点11被相应激励信号馈电的状态,所述微波多普勒探测天线更易产生初始的极化方向。
进一步地,所述微波多普勒探测天线还包括一馈源,其中所述馈源被设置允许被供电并以相应供电电源的正极或地极为参考地极输出至少一路激励信号,在所述辐射元10于所述电学馈电点11接入所述激励信号而被馈电的状态,所述辐射元10于所述零电位线被电性连接于所述参考地极,如此以降低所述微波多普勒探测天线在偏离谐振工作点的频率的阻抗,对应缩窄了所述微波多普勒探测天线的频带宽度而有利于提高所述微波多普勒探测天线的抗干扰性能。
值得一提的是,所述微波多普勒探测天线在偏离谐振工作点的频率的阻抗被降低,对应所述微波多普勒探测天线的频带宽度被缩窄,即所述微波多普勒探测天线的品质因数被提高而限制了所述微波多普勒探测天线对谐振频率之外的信号的接收,则所述微波多普勒探测天线因所述辐射源基板30的厚度增加而于相应多普勒中频信号增加的背景干扰信号能够被限制,从而有利于在提高所述微波多普勒探测天线的灵敏度的同时保障所述微波多普勒探测天线的抗干扰性能。
此外,在所述辐射元10被馈电的状态,所述辐射元10于所述零电位线被电性连接于所述参考地极,避免了由所述辐射元10的设计和加工误差引起的极化平衡性失配因所述辐射源基板30的厚度的增加而加剧,即避免了因所述辐射源基板30的厚度的增加造成的所述微波多普勒探测天线的稳定性的降低,进而有利于保障所述微波多普勒探测天线的工作稳定性。
具体地,在本发明的这个实施例中,在所述辐射元10被馈电的状态,所述参考地20被电性连接于所述馈源的所述参考地极,其中所述辐射元10于所述零电位线被电性连接于所述参考地20,如此以形成所述辐射元10与所述参考地极电性相连的关系,因而简单易行且不会造成电路布局的拥挤,有利于提高所述微波多普勒探测天线的抗干扰性能和对当前小型化趋势的适应性。
进一步地,在本发明的这个实施例中,在所述辐射元10于所述电学馈电点11接入所述激励信号而被馈电的状态,所述辐射元10于所述所述辐射元10的物理中心点被电性连接于所述参考地20而与所述参考地极电性相连。
具体地,所述辐射源基板30在与所述辐射元10的物理中心点相对应的位置以垂直于所述辐射元10的方向被贯通而具有一接地孔31,其中所述接地孔31插嵌有一金属接地件311,其中通过将所述辐射元10和所述参考地20电性连接于所述金属接地件311的方式,所述辐射元10于所述辐射元10的物理中心点经所述金属接地件311被电性连接于所述参考地20。
值得一提的是,在所述辐射元10被馈电的状态,所述辐射元10于所述零电位线被电性连接于所述参考地极,其中所述辐射元10于所述零电位线与所述参考地极的连接点的数量和具体位置并不构成对本发明的限制,对应在所述参考地20被电性连接于所述馈源的所述参考地极的状态,所述辐射源基板30在与所述辐射元10的零电位线相对应的位置以垂直于所述辐射元10的方向被贯通而具有至少一个所述接地孔31,其中所述接地孔31的具体数量并不构成对本发明的限制,在本发明的一些实施例中,所述接地孔31的数量为多个,并优选地以所述辐射元10的物理中心点对称分布于所述辐射源基板30的与所述辐射元10的零电位线相对应的位置,如此以有利于所述辐射元10在被馈电状态下的电位的平衡分布而保障所述微波多普勒探测天线的工作稳定性。
特别地,对所述电学馈电点11的位置描述是对所述辐射元10的电学等效馈电位置的限定,所述电学馈电点11的实体物理馈电实施结构多样,相应所述微波多普勒探测天线的电路设计灵活多样而能够适应于不同的布局需求。
具体地,参考本发明的说明书附图之图3A至图3D,依本发明的上述实施例的不同变形实施例的所述微波多普勒探测天线被示意,其中在所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的状态,所述辐射元10具有实体的对应接入相应激励信号的至少一个馈电连接点111,其中在所述辐射元10上以所述零电位线为界,在所述零电位线的同一侧,当所述馈电连接点111为一个时,所述电学馈电点11等效位于所述馈电连接点111,当所述馈点连接点111为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点111的连线的中线经过所述辐射元10的物理中心点的这两个所述馈电连接点111等效于这两个所述馈电连接点111的连线的中点的一个所述馈电连接点111,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点111的连线经过所述辐射元10的物理中心点的这两个所述馈电连接点111等效于这两个所述馈电连接点111的连线的中点的一个所述馈电连接点111的等效原则,所述馈电连接点111的排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点111,则所述电学馈电点11等效位于这一所述馈电连接点111,即对所述电学馈电点11的电性连接关系和位置描述是对实体的所述馈电连接点111的电性连接关系和位置排布的限定,所述馈电连接点111的具体数量和位置排布以及馈电结构灵活多变,相应所述微波多普勒探测天线的电路设计灵活多样而能够适应于不同的布局需求。
具体地,在所述馈电连接点111对应点馈电(探针馈电)结构的状态,所述馈电连接点111为所述辐射元10上接入相应激励信号的点,其中在所述馈电连接点111对应微带馈电结构的状态,所述辐射元10经一微带馈电线12接入相应激励信号,所述馈电连接点111为所述辐射元10上与所述微带馈电线12电性相连的点,其中在所述馈电连接点111对应边馈电结构的状态,所述辐射元10经一边馈线13接入相应激励信号,其中所述边馈线13为邻近且平行于所述辐射元10的直边的微带线,所述馈电连接点111为被设置为微带线的所述边馈线13的中点,因此所述馈电连接点111对应的实体物理馈电结构多样,且所述辐射元10的所述电学馈电点11对应的实体物理馈电结构不限制相同,因此相应所述微波多普勒探测天线的电路设计灵活多样而能够适应于不同的布局需求。
值得一提的是,基于所述辐射源基板30的边被设置在λ/128的误差范围内与所述辐射元10的边保持对齐的结构设计,所述馈电连接点111优选地以点馈电(探针馈电)结构被设置。
继续参考本发明的说明书附图之图2C所示,在本发明的这个实施例中,所述馈电连接点111的数量为一个并以点馈电(探针馈电)结构被设置,其中所述微波多普勒探测天线进一步包括参考地基板40,其中所述参考地20被承载于所述参考地基板40,对应形成所述辐射元10、所述辐射源基板30、所述参考地20、所述参考地基板40顺序层叠的结构关系,其中所述辐射源基板30和所述参考地基板40在与所述辐射元10的所述馈电连接点111相对应的位置以垂直于所述辐射元10的方向被贯通而分别具有一馈电孔32,其中所述馈电孔32插嵌有一金属馈电件321,其中所述馈源被设置于所述参考地基板40的与承载有所述参考地20的一面相对的一面,其中所述辐射元10于所述辐射元10的所述电学馈电点11经所述金属馈电件321被电性耦合于所述馈源。
特别地,参考本发明的说明书附图之图4所示,依本发明的上述实施例的一变形实施例的所述微波多普勒探测天线被示意,其中在本发明的这个变形实施例中,所述辐射元10的位于所述零电位线上的边以朝向所述辐射元10的物理中心点的方向被内凹地设置,如此以在维持所述辐射元10具有适宜周长而保障所述微波多普勒探测天线的增益的同时,有利于进一步以减小所述辐射元10的尺寸的方式减小所述微波多普勒探测天线的尺寸,以适应当前的小型化趋势。
值得一提的是,在所述辐射元10的位于所述零电位线上的两边以朝向所述辐射元10的物理中心点的方向被内凹地设置的状态,所述辐射元10的位于所述零电位线上的两边的边长被相对拉长,如此以有利于加强所述辐射元10因在极化方向的电位分布而自身耦合形成的电场,从而有利于以抑制和平衡所述微波多普勒探测天线的所述内电场100的方式,提高所述微波多普勒探测天线的辐射增益和抑制所述微波多普勒探测天线的副瓣辐射,从而有利于提高所述微波多普勒探测天线的探测准确度和抗干扰性能。
优选地,在本发明的这个变形实施例中,在所述辐射元10的零电位线方向,所述辐射源基板30的边被设置在λ/128的误差范围内与所述辐射元10的边保持对齐,对应所述辐射源基板30的位于所述零电位线上的两边以朝向所述辐射元10的物理中心点的方向被内凹地设置。
进一步参考本发明的说明书附图之图5所示,依本发明的上述实施例的另一变形实施例的所述微波多普勒探测天线被示意,其中在本发明的这个变形实施例中,所述辐射元10被圆极化设置而允许在被馈电状态以圆极化方式极化,如此以提高所述微波多普勒探测天线的抗衰减特性和抗雨雾干扰能力,有利于满足对运动物体的探测的高准确度要求和适应户外探测场景。
具体地,在本发明的这个变形实施例中,所述辐射元10进一步具有至少一简并模分离单元14,其中所述简并模分离单元14为对规则形状的所述辐射元10以相应形状的挖空或切除设置而一体成型于所述辐射元10,以在所述辐射元10被馈电的状态于所述辐射元10产生极化正交的两个简并模,其中极化正交的两个简并模的谐振频率产生分离而形成90°的相位差,如此以使得所述辐射元10在被馈电状态以圆极化方式极化。
值得一提的是,所述简并模的形成是对所述圆极化辐射源10的极化原理的电学表述,相应所述圆极化辐射源10并不存在对应所述简并模的实体结构或标示。
具体地,在本发明的这个变形实施例中,所述辐射元10被设置为矩形,其中基于矩形形态的所述辐射元10具有两个所述简并模分离单元14,其中两个所述简并模分离单元14为在所述辐射元10被设置为矩形形态的基础上对所述辐射元10的两对角的切除设置。
进一步参考本发明的说明书附图之图6至图8D所示,依本发明的上述实施例的不同变形实施例的所述微波多普勒探测天线被示意,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则,在本发明的这些变形实施例中,所述辐射元10进一步被设置有至少一个所述馈电连接点111,以等效形成所述辐射元10的另一所述电学馈电点11。
具体地,对应于图6,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这个变形实施例中,新增的所述电学馈电点11位于所述辐射元10的零电位线,即两所述电学馈电点11与所述辐射元10的物理中心点的两连线呈垂直状态。
特别地,在本发明的这个变形实施例中,在所述辐射元10于两所述电学馈电点11接入同相位的激励信号而被馈电的情况下,对应所述馈源被设置在被供电状态输出同相位的两路激励信号,如以一路激励信号通过相应的功分器输出同相位的两路激励信号,或直接输出同相位的两路激励信号,所述辐射元10能够具有正交的极化方式而有利于提高所述微波多普勒探测天线的抗干扰性能。而在所述辐射元10于两所述电学馈电点11接入具有90度相位差的激励信号而被馈电的情况下,对应所述馈源被设置在被供电状态输出90度相位差的两路激励信号,如以一路激励信号通过相应的移相器(包括但不限于微带线)输出具有90度相位差的两路激励信号,或直接输出具有90度相位差的两路激励信号,所述辐射元10能够以圆极化方式极化而有利于提高所述微波多普勒探测天线的抗衰减特性和抗雨雾干扰能力。
具体地,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这个变形实施例中,所述辐射元10进一步以点馈电(探针馈电)结构被设置有一个所述馈电连接点111,如此以于所述馈电连接点111等效形成新增的所述电学馈电点11。
对应于图7至图8D,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这些变形实施例中,两所述电学馈电点11位于所述辐射元10上以所述零电位线为界的两侧,如此以在所述辐射元10于两所述电学馈电点11接入反相的两路激励信号的状态,对应所述馈源被设置在被供电状态输出反相的两路激励信号,于所述辐射元10的零电位线形成所述辐射元10的零电位分布,从而有利于抑制由所述辐射元10的形状设计和加工误差引起的极化平衡性失配,进而以平衡和保障所述辐射元10在被馈电状态下的电位分布强度的方式,提高所述微波多普勒探测天线的辐射效率,对应提高所述微波多普勒探测天线的准确度。
进一步地,对应于图7,新增的所述电学馈电点11等效位于所述辐射元10上偏离于在所述极化方向经所述辐射元10的物理中心点的直线的位置,具体地,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这个变形实施例中,以所述辐射元10的零电位线为界,在所述辐射元10的与等效形成有所述电学馈电点11的一侧相对的一侧,所述辐射元10进一步以点馈电(探针馈电)结构被设置有一个所述馈电连接点111,其中这一所述馈电连接点111偏离于在所述极化方向经所述辐射元10的物理中心点的直线,如此以于这一所述馈电连接点111等效形成新增的所述电学馈电点11。
优选地,对应于图8A至图8D,新增的所述电学馈电点11等效位于所述辐射元10的在所述极化方向经所述辐射元10的物理中心点的直线上,即两所述电学馈电点11的连线经所述辐射元10的物理中心点,如此以在所述辐射元10被反相双馈电的状态,于所述辐射元10的物理中心点形成所述辐射元的零电位点,从而有利于抑制由所述辐射元10的形状设计和加工误差引起的极化平衡性失配,进而以平衡和保障所述辐射元10在被馈电状态下的电位分布强度的方式,提高所述微波多普勒探测天线的辐射效率,对应提高所述微波多普勒探测天线的准确度。
具体地,对应于图8A,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这个变形实施例中,以所述辐射元10的零电位线为界,在所述辐射元10的与等效形成有所述电学馈电点11的一侧相对的一侧,所述辐射元10进一步以点馈电(探针馈电)结构被设置有一个所述馈电连接点111,其中这一所述馈电连接点111位于在所述极化方向经所述辐射元10的物理中心点的直线,如此以于这一所述馈电连接点111等效形成新增的所述电学馈电点11。
优选地,对应于图8B,在两所述电学馈电点11的连线经所述辐射元10的物理中心点的状态,两所述电学馈电点11分别以点馈电(探针馈电)结构被设置为一个所述馈电连接点111,其中两所述馈电连接点111进一步优选地被设置以所述辐射元10的物理中心点对称分布,即两所述馈电连接点111以所述辐射元10的物理中心点对称分布于所述辐射元10的在所述极化方向经所述辐射元10的物理中心点的直线上。
可选地,对应于图8C和图8D,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这两个变形实施例中,以所述辐射元10的零电位线为界,在所述辐射元10的与等效形成有所述电学馈电点11的一侧相对的一侧,所述辐射元10进一步以点馈电(探针馈电)结构被新增有多个所述馈电连接点111,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点111的连线的中线经过所述辐射元10的物理中心点的这两个所述馈电连接点111等效于这两个所述馈电连接点111的连线的中点的一个所述馈电连接点111,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点111的连线经过所述辐射元10的物理中心点的这两个所述馈电连接点111等效于这两个所述馈电连接点111的连线的中点的一个所述馈电连接点111的等效原则,新增的所述馈电连接点111的排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点111,则新增的所述电学馈电点11等效位于这一所述馈电连接点111。
对应于图8C,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这这个变形实施例中,以所述辐射元10的零电位线为界,在所述辐射元10的与等效形成有所述电学馈电点11的一侧相对的一侧,所述辐射元10进一步以点馈电(探针馈电)结构被新增有两个所述馈电连接点111,其中这两个所述馈电连接点111的连线的中线经过所述辐射元10的物理中心点,具体地,这两个所述馈电连接点111的连线的中线位于所述辐射元10的极化方向,即这两个所述馈电连接点111以所述辐射元10的极化方向上经所述辐射元10的物理中心点的直线对称分布,如此以在这两个所述馈电连接点111接入同相位的激励信号的状态,如在所述馈源被设置在被供电状态输出反相的两路激励信号时,以其中一路激励信号通过相应的功分器输出同相位的两路激励信号至两所述馈电连接点111,于这两个所述馈电连接点111的连线的中点等效形成新增的所述电学馈电点11,对应形成两所述电学馈电点11的连线经所述辐射元10的物理中心点的排布状态。
对应于图8D,在上述实施例中所述辐射元10等效具有一个所述电学馈电点11的基础上,依前述所述电学馈电点11的等效原则和极化方向与零电位线方向的定义,在本发明的这这个变形实施例中,以所述辐射元10的零电位线为界,在所述辐射元10的与等效形成有所述电学馈电点11的一侧相对的一侧,所述辐射元10进一步以点馈电(探针馈电)结构被新增有三个所述馈电连接点111,在这三个所述馈电连接点111中,其中两个所述馈电连接点111的连线的中线经过所述辐射元10的物理中心点和另一所述馈电连接点111,具体地,这两个所述馈电连接点111的连线的中线位于所述辐射元10的极化方向,即这两个所述馈电连接点111以所述辐射元10的极化方向上经所述辐射元10的物理中心点的直线对称分布,并且另一所述馈电连接点111位于在所述极化方向经所述辐射元10的物理中心点的直线,如此以基于前述等效原则,以所述辐射元10的极化方向上经所述辐射元10的物理中心点的直线对称分布的这两个所述馈电连接点111等效于这两个所述馈电连接点111的连线的中点的一个所述馈电连接点,并于另一所述馈电连接点111和等效形成的这一所述馈电连接点的连线的中点等效形成新增的所述电学馈电点11。
特别地,在本发明的这个变形实施例中,三个所述馈电连接点111位于同一条直线,即其中一所述馈电连接点111位于以所述辐射元10的极化方向上经所述辐射元10的物理中心点的直线对称分布的另外两个所述馈电连接点111的连线的中点,对应所述电学馈电点11位于以所述辐射元10的极化方向上经所述辐射元10的物理中心点的直线对称分布的另外两个所述馈电连接点111的连线的中点。
值得一提的是,所述电学馈电点11的具体数量和相应的馈电方式并不构成对本发明的限制,且在所述辐射元10具有多个所述电学馈电点11的状态,各所述电学馈电点11的实体物理馈电结构不限制相同,其中基于前述所述电学馈电点11的等效原则和相应所述馈电连接点111的所对应的馈电结构,所述辐射元10的馈电结构具有多种变形方式,以上实施例仅为举例,其中不同实施例的特征可以相互组合,以得到根据本发明揭露的内容很容易想到但是在附图中没有明确指出的实施方式。
为进一步理解本发明,本发明进一步提供一种微波多普勒探测天线的制造方法,其中所述微波多普勒探测天线的制造方法包括以下步骤:
(A)获取介电常数大于等于7和在10%的误差范围内具有大于等于λ/32的厚度的一层板材作为一辐射源基板,其中λ为与所述微波多普勒探测天线的频率参数相对应的波长参数;
(B)在所述辐射源基板覆盖一导电层作为一辐射元;
(C)界定一极化方向和以所述辐射源基板的边在λ/128的误差范围内与所述辐射元10的边在所述极化方向保持对齐的工艺参数对所述辐射源基板切边;
(D)在所述辐射元上以与所述辐射元的物理中心点在所述极化方向具有大于等于λ/128的位置界定至少一馈电连接点,和于所述辐射源基板上与所述馈电连接点相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成相应数量的馈电孔;
(E)于所述馈电孔插嵌一金属馈电件,和将所述辐射元与所述金属馈电件电性连接;以及
(F)以具有大于所述辐射元的面积的一导电层作为参考地,并以所述辐射元的投影位于所述参考地内的状态和所述辐射元与所述参考地被所述辐射源基板间隔的状态将所述辐射源基板与所述参考地相固定。
值得一提的是,在上述所述微波多普勒探测天线的制造方法的描述中,相应步骤的编号并不构成对步骤之间的顺序的限制,即各所述步骤的顺序并不构成对本发明的限制。
具体地,在所述步骤(D)中,在所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的数量和排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点,对应以等效形成的这一馈电点为所述辐射元的电学馈电点,所述辐射元具有一个所述电学馈电点。
特别地,在本发明的一些实施例中,所述微波多普勒探测天线的制造方法进一步包括步骤:
(G)以所述辐射元上所述电学馈电点至所述辐射元的物理中心点的连线方向为所述辐射元的极化方向,和以所述辐射元上经所述辐射元的物理中心点并垂直于极化方向的直线为所述辐射元的零电位线,于所述辐射源基板上与所述辐射元的零电位线相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成至少一接地孔,和于所述接地孔插嵌一金属接地件,并将所述辐射元和所述参考地与所述金属接地件电性连接,以形成所述辐射元于所述零电位线经所述金属接地件与所述参考地电性相连的关系。
优选地,在所述步骤(G)中,于所述辐射源基板上与所述辐射元的物理中心点对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成一个所述接地孔。
特别地,在所述步骤(B)中,在所述辐射源基板丝印银浆并固化而形成所述辐射元于所述辐射源基板的覆盖。
进一步地,在本发明的一些实施例中,其中在所述步骤(D)中,在所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的数量和排布被设置满足能够等效为两个所述馈电连接点,对应以等效形成的这两个馈电点为所述辐射元的电学馈电点,所述辐射元具有两个所述电学馈电点。
在本发明的一些实施例中,其中根据所述步骤(D),其中一所述电学馈电点,所述辐射元的物理中心点以及另一所述电学馈电点顺序相连的连线在所述辐射元的物理中心点具有大于等于90度的夹角。
在本发明的另一些实施例中,其中根据所述步骤(D),两所述电学馈电点与所述辐射元的物理中心点的两连线相互垂直。
在本发明的另一些实施例中,其中根据所述步骤(D),两所述电学馈电点的连线经过所述辐射元的物理中心点。
本领域的技术人员应理解,上述描述及附图中所示的本发明的实施例只作为举例而并不限制本发明。本发明的目的已经完整并有效地实现。本发明的功能及结构原理已在实施例中展示和说明,在没有背离所述原理下,本发明的实施方式可以有任何变形或修改。

Claims (42)

1.一种微波多普勒探测天线,其特征在于,包括:
一馈源,其中所述馈源被设置允许被供电并以相应供电电源的正极或地极为参考地极输出至少一路激励信号;
至少一辐射元,其中所述辐射元等效具有对应接入所述激励信号的一电学馈电点,其中所述电学馈电点于所述辐射元与所述辐射元的物理中心点的距离大于等于λ/128,其中λ为与所述激励信号的频率参数相对应的波长参数;
一参考地,其中所述辐射元与所述参考地相间隔;以及
一辐射源基板,其中所述辐射源基板被设置于所述辐射元和所述参考地之间以形成所述辐射元与所述参考地被所述辐射源基板间隔的状态,其中所述辐射源基板的介电常数大于等于7,其中所述辐射源基板在10%的误差范围内具有大于等于λ/32的厚度,其中以所述辐射元上所述电学馈电点至所述辐射元的物理中心点的连线方向为所述辐射元的极化方向,和以所述辐射元上经所述辐射元的物理中心点并垂直于极化方向的直线为所述辐射元的零电位线,其中在以所述零电位线为界的同一侧,所述辐射元的边和所述辐射源基板的边在所述极化方向的距离小于等于λ/128。
2.根据权利要求1所述的微波多普勒探测天线,其中在所述辐射元于所述电学馈电点接入所述激励信号而被馈电的状态,所述辐射元于所述零电位线被电性连接于所述参考地极。
3.根据权利要求2所述的微波多普勒探测天线,其中在所述辐射元于所述电学馈电点接入所述激励信号而被馈电的状态,所述参考地被电性连接于所述馈源的所述参考地极,其中所述辐射元于所述零电位线被电性连接于所述参考地,以形成所述辐射元于所述零电位线与所述参考地极的电性连接关系。
4.根据权利要求3所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射源基板在与所述辐射元的零电位线相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向被贯通而具有至少一接地孔,其中所述接地孔插嵌有一金属接地件,其中所述辐射元经所述金属接地件与所述参考地电性相连。
5.根据权利要求4所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元于所述所述辐射元的物理中心点被电性连接于所述参考地,对应所述辐射源基板在与所述辐射元的物理中心点相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向被贯通而具有一个所述接地孔,其中所述接地孔插嵌有所述金属接地件,其中所述辐射元于所述辐射元的物理中心点经所述金属接地件与所述参考地电性相连。
6.根据权利要求5所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元在所述极化方向的尺寸a满足a≤3λ/16,和在所述零电位线方向的尺寸b满足≤λ/4。
7.根据权利要求6所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元被设置为矩形,其中矩形的所述辐射元在所述极化方向的尺寸a满足3λ/32≤a≤3λ/16,和在所述辐射元上垂直于所述极化方向的方向的尺寸b满足λ/8≤b≤λ/4。
8.根据权利要求6所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元被设置为圆形,其中圆形的所述辐射元的直径d≤3λ/16。
9.根据权利要求6所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元的位于所述零电位线上的边以朝向所述辐射元的物理中心点的方向被内凹地设置。
10.根据权利要求6所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元进一步具有至少一简并模分离单元,其中所述简并模分离单元为对规则形状的所述辐射元以相应形状的挖空或切除设置而一体成型于所述辐射元,其中所述辐射元被设置基于所述简并模分离单元的设置被圆极化设置而允许在被馈电状态以圆极化方式极化。
11.根据权利要求10所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元被设置为矩形并具有两个所述简并模分离单元,其中两个所述简并模分离单元为在所述辐射元被设置为矩形形态的基础上对所述辐射元的两对角的切除设置。
12.根据权利要求1至11中任一所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元具有实体的对应接入相应激励信号的至少一个馈电连接点,其中在所述辐射元上以所述零电位线为界,在所述零电位线的同一侧,当所述馈电连接点为一个时,所述电学馈电点等效位于所述馈电连接点,当所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点,则所述电学馈电点等效位于这一所述馈电连接点。
13.根据权利要求12所述的微波多普勒探测天线,其中至少一所述馈电连接点对应点馈电结构而被实施为所述辐射元上接入相应激励信号的点。
14.根据权利要求13所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元具有实体的对应接入相应激励信号的一个所述馈电连接点,其中所述馈电连接点对应点馈电结构而被实施为所述辐射元上接入相应激励信号的点。
15.根据权利要求12所述的微波多普勒探测天线,其中至少一所述馈电连接点对应微带馈电结构,对应所述辐射元经一微带馈电线接入相应激励信号,其中对应微带馈电结构所述馈电连接点为所述辐射元上与所述微带馈电线电性相连的点。
16.根据权利要求12所述的微波多普勒探测天线,其中至少一所述馈电连接点对应边馈电结构,对应所述辐射元经一边馈线接入相应激励信号,其中所述边馈线为邻近且平行于所述辐射元的直边的微带线,其中对应边馈电结构的所述馈电连接点为被设置为微带线的所述边馈线的中点。
17.根据权利要求12所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元进一步新增有至少一个所述馈电连接点,其中新增的所述馈电连接点等效形成所述辐射元的另一所述电学馈电点,即所述辐射元新增有一个所述电学馈电点而具有两个所述电学馈电点。
18.根据权利要求17所述的微波多普勒探测天线,其中新增的所述电学馈电点位于所述辐射元的零电位线,即两所述电学馈电点与所述辐射元的物理中心点的两连线呈垂直状态。
19.根据权利要求18所述的微波多普勒探测天线,其中所述馈源被设置在被供电状态输出同相位的两路激励信号,其中所述辐射元于两所述电学馈电点分别接入其中一路激励信号而具有正交的极化方式。
20.根据权利要求19所述的微波多普勒探测天线,其中所述馈源被设置以一路激励信号经功分器输出同相位的两路激励信号。
21.根据权利要求18所述的微波多普勒探测天线,其中所述馈源被设置在被供电状态输出具有90度相位差的两路激励信号,其中所述辐射元于两所述电学馈电点分别接入其中一路激励信号而具有圆极化的极化方式。
22.根据权利要求21所述的微波多普勒探测天线,其中所述馈源被设置以一路激励信号经移相器输出具有90度相位差的两路激励信号。
23.根据权利要求17所述的微波多普勒探测天线,其中两所述电学馈电点位于所述辐射元上以所述零电位线为界的两侧,对应其中一所述电学馈电点,所述辐射元的物理中心点以及另一所述电学馈电点顺序相连的连线在所述辐射元的物理中心点具有大于90度的夹角。
24.根据权利要求23所述的微波多普勒探测天线,其中所述馈源被设置在被供电状态输出反相的两路激励信号,其中所述辐射元于两所述电学馈电点分别接入其中一路激励信号。
25.根据权利要求24所述的微波多普勒探测天线,其中两所述电学馈电点的连线经过所述辐射元的物理中心点。
26.根据权利要求25所述的微波多普勒探测天线,其中新增的所述馈电连接点的数量为一个。
27.根据权利要求26所述的微波多普勒探测天线,其中新增的所述馈电连接点以点馈电结构被实施为所述辐射元上接入相应激励信号的点。
28.根据权利要求25所述的微波多普勒探测天线,其中新增的所述馈电连接点的数量为两个,其中新增两个所述馈电连接点以所述辐射元的极化方向上经所述辐射元的物理中心点的直线对称分布。
29.根据权利要求25所述的微波多普勒探测天线,其中新增的所述馈电连接点的数量为三个,其中在新增的三个所述馈电连接点中,其中两个所述馈电连接点以所述辐射元的极化方向上经所述辐射元的物理中心点的直线对称分布,其中另一个所述馈电连接点位于这两个所述馈电连接点的连线的中点。
30.根据权利要求12所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射源基板为采用陶瓷材料的一层板材。
31.根据权利要求30所述的微波多普勒探测天线,其中所述辐射元为以丝印银浆工艺于所述辐射源基板固化形成的导电层。
32.根据权利要求31所述的微波多普勒探测天线,其中在以所述极化方向上经过所述辐射元的物理中心点的直线为界的同一侧,所述辐射元的边和所述辐射源基板的边于所述零电位线方向在λ/128的误差范围内保持对齐。
33.一种微波多普勒探测天线的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
(A)获取介电常数大于等于7和在10%的误差范围内具有大于等于λ/32的厚度的一层或多层板材作为一辐射源基板,其中λ为与所述微波多普勒探测天线的频率参数相对应的波长参数;
(B)在所述辐射源基板覆盖一导电层作为一辐射元;
(C)界定一极化方向和以所述辐射源基板的边在λ/128的误差范围内与所述辐射元的边在所述极化方向保持对齐的工艺参数对所述辐射源基板切边;
(D)在所述辐射元上以与所述辐射元的物理中心点在所述极化方向具有大于等于λ/128的位置界定至少一馈电连接点,和于所述辐射源基板上与所述馈电连接点相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成相应数量的馈电孔;
(E)于所述馈电孔插嵌一金属馈电件,和将所述辐射元与所述金属馈电件电性连接;以及
(F)以具有大于所述辐射元的面积的一导电层作为参考地,并以所述辐射元的投影位于所述参考地内的状态和所述辐射元与所述参考地被所述辐射源基板间隔的状态将所述辐射源基板与所述参考地相固定。
34.根据权利要求33所述的制造方法,其中在所述步骤(D)中,当所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的数量和排布被设置满足能够等效为一个所述馈电连接点,对应以等效形成的这一馈电点为所述辐射元的电学馈电点,所述辐射元具有一个所述电学馈电点。
35.根据权利要求34所述的制造方法,进一步包括步骤:
(G)以所述辐射元上所述电学馈电点至所述辐射元的物理中心点的连线方向为所述辐射元的极化方向,和以所述辐射元上经所述辐射元的物理中心点并垂直于极化方向的直线为所述辐射元的零电位线,于所述辐射源基板上与所述辐射元的零电位线相对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成至少一接地孔,和于所述接地孔插嵌一金属接地件,并将所述辐射元和所述参考地与所述金属接地件电性连接,以形成所述辐射元于所述零电位线经所述金属接地件与所述参考地电性相连的关系。
36.根据权利要求35所述的制造方法,其中在所述步骤(G)中,于所述辐射源基板上与所述辐射元的物理中心点对应的位置以垂直于所述辐射元的方向贯通所述辐射源基板而形成一个所述接地孔。
37.根据权利要求36所述的制造方法,其中在所述步骤(D)中,在所述馈点连接点为多个时,基于接入同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线的中线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点,和接入不同相位的激励信号的两个所述馈电连接点的连线经过所述辐射元的物理中心点的这两个所述馈电连接点等效于这两个所述馈电连接点的连线的中点的一个所述馈电连接点的等效原则,所述馈电连接点的数量和排布被设置满足能够等效为两个所述馈电连接点,对应以等效形成的这两个馈电点为所述辐射元的电学馈电点,所述辐射元具有两个所述电学馈电点。
38.根据权利要求37所述的制造方法,其中根据所述步骤(D),其中一所述电学馈电点,所述辐射元的物理中心点以及另一所述电学馈电点顺序相连的连线在所述辐射元的物理中心点具有大于等于90度的夹角。
39.根据权利要求38所述的制造方法,其中根据所述步骤(D),两所述电学馈电点与所述辐射元的物理中心点的两连线相互垂直。
40.根据权利要求38所述的制造方法,两所述电学馈电点的连线经过所述辐射元的物理中心点。
41.根据权利要求33至40中任一所述的制造方法,其中在所述步骤(B)中,在所述辐射源基板丝印银浆并固化而形成所述辐射元于所述辐射源基板的覆盖。
42.根据权利要求41所述的制造方法,其中在所述步骤(A)中,所述辐射源基板为采用陶瓷材料的一层板材。
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