CN112531082B - 微型发光二极管外延片及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 19
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 claims description 8
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229910016920 AlzGa1−z Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- -1 trimethyl ethyl Chemical group 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本公开公开了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。微型发光二极管外延片的每个量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，第一量子阱层和第三量子阱层均为InxGa1‑xN层，第二量子阱层为In组分为零的GaN层，第一量子阱层中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零，第三量子阱层中In组分的变化方式与第一量子阱层中In组分的变化方式相同。采用上述结构的量子阱层，可以改善量子阱InGaN材料中富In局域态效应，使In组分稳定集中分布在量子阱层中，从而可以提高微型发光二极管的发光波长和发光颜色一致性。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种微型发光二极管外延片及其制造方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，LED正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等。
微型发光二极管MicroLED，即LED微缩化和矩阵化，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。Micro LED像素要求是微米级。Micro LED优点继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。但是Micro LED对发光波长和发光颜色一致性要求较高。
当前传统Micro LED外延技术生长中，有源层中的InGaN量子阱层中的In组分含量采用恒定生长模式。但是InGaN材料中容易产生富In局域态效应，导致In组分不能稳定集中分布在InGaN量子阱层中，从而会导致Micro LED的发光波长和发光颜色一致性较差，无法满足Micro LED对发光波长和发光颜色一致性的高要求。
发明内容
本公开实施例提供了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，可以改善量子阱InGaN材料中富In局域态效应，使In组分稳定集中分布在量子阱层中，从而提高微型发光二极管的发光波长和发光颜色一致性。所述技术方案如下：
一方面，提供了一种微型发光二极管外延片，所述微型发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、3D成核层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述有源层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，
每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第一量子阱层和所述第三量子阱层均为InxGa1-xN层，0≤x＜1，所述第二量子阱层为In组分为零的GaN层，所述第一量子阱层中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零，所述第三量子阱层中In组分的变化方式与所述第一量子阱层中In组分的变化方式相同。
可选地，所述第一量子阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层中In组分由零线性升高至设定值，所述第二子层中的In组分为所述设定值保持不变，所述第三子层中的In组分由所述设定值线性降低至零；
所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度相等。
可选地，所述设定值为0.5～0.8。
可选地，所述第一量子阱层的厚度与所述第三量子阱层的厚度相等，所述第一量子阱层的厚度大于所述第二量子阱层的厚度。
另一方面，提供了一种发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、3D成核层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层；
其中，所述有源层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第一量子阱层和所述第三量子阱层均为InxGa1-xN层，0≤x＜1，所述第二量子阱层为In组分为零的GaN层，所述第一量子阱层中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零，所述第三量子阱层中In组分的变化方式与所述第一量子阱层中In组分的变化方式相同。
可选地，生长所述第二量子阱层包括：
停止向反应室内通入In源，同时向反应室内通入氢气，在所述第一量子阱层上生长所述第二量子阱层。
可选地，生长所述第二量子阱层时，反应室内通入的所述氢气的流量为5～30sccm。
可选地，所述第一量子阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度相等；
生长所述第一量子阱层包括：
向反应室内通入In源，并控制所述反应室内通入的In源的流量逐渐增大，生长所述第一子层，所述第一子层中In组分由零线性升高至设定值；
控制所述反应室内通入的In源的流量保持不变，生长所述第二子层，所述第二子层中In组分为所述设定值保持不变；
控制所述反应室内通入的In源的流量逐渐减小，生长所述第三子层，所述第三子层中的In组分由所述设定值线性降低至零。
可选地，所述设定值为0.5～0.8。
可选地，所述第一量子阱层的厚度与所述第三量子阱层的厚度相等，所述第一量子阱层的厚度大于所述第二量子阱层的厚度。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过将每个量子阱层设置为包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，其中，第一量子阱层和第三量子阱层中的In组分均由零线性升高，再保持不变，再线性降低至零。则当量子阱层中产生In富余现象时，富余In会自行向In组分较低的方向扩散，从而可以减少In富集团簇。且第一量子阱层和第三量子阱层之间生长有一层In组分为零的GaN第二量子阱层，相当于量子阱层采用In脉冲生长的方式，从而可以进一步防止In组分过冲，减少In富集中心形成的概率，改善量子阱InGaN材料中富In局域态效应，使In组分稳定集中分布在量子阱层中，进而可以提高微型发光二极管的发光波长和发光颜色一致性。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一种单个周期的有源层的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的制造方法的方法流程图；
图4是本公开实施例提供的一种量子阱层中In组分的变化示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
本公开实施例提供了一种发光二极管外延片，图1是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的结构示意图，如图1所示，微型发光二极管外延片包括衬底1、以及依次层叠在衬底1上的缓冲层2、3D成核层3、未掺杂的GaN层4、N型层5、有源层6、电子阻挡层7、P型层8和P型接触层9。
其中，有源层6包括交替生长的多个量子阱层61和多个量子垒层62。
图2是本公开实施例提供的一种单个周期的有源层的结构示意图，如图2所示，单个周期的有源层6包括一个量子阱层61和一个量子垒层62。
每个量子阱层61均包括依次层叠的第一量子阱层611、第二量子阱层612和第三量子阱层613。第一量子阱层611和第三量子阱层613均为InxGa1-xN层，0≤x＜1，第二量子阱层612为In组分为零的GaN层。第一量子阱层611中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零。第三量子阱层613中In组分的变化方式与第一量子阱层611中In组分的变化方式相同。
本公开实施例通过将每个量子阱层设置为包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，其中，第一量子阱层和第三量子阱层中的In组分均由零线性升高，再保持不变，再线性降低至零。则当量子阱层中产生In富余现象时，富余In会自行向In组分较低的方向扩散，从而可以减少In富集团簇。且第一量子阱层和第三量子阱层之间生长有一层In组分为零的GaN第二量子阱层，相当于量子阱层采用In脉冲生长的方式，从而可以进一步防止In组分过冲，减少In富集中心形成的概率，改善量子阱InGaN材料中富In局域态效应，使In组分稳定集中分布在量子阱层中，进而可以提高微型发光二极管的发光波长和发光颜色一致性。
可选地，有源层6可以包括交替生长的n个量子阱层61和n个量子垒层62，8≤n≤12。
若量子阱层61和量子垒层62的层数少于8层，则可能由于层数太少而使得电子和空穴没有进行充分的复合发光，导致降低LED的发光效率。若量子阱层61和量子垒层62的层数多于12层，可能会使得电子和空穴的分布不集中，电子和空穴的复合效率较低，造成LED的发光效率较低。
示例性地，n＝10，即有源层6可以包括交替生长的10个量子阱层61和10个量子垒层62。
可选地，第一量子阱层611包括依次层叠的第一子层611a、第二子层611b和第三子层611c。第一子层611a中In组分由零线性升高至设定值，第二子层611b中的In组分为设定值保持不变。第三子层611c中的In组分由设定值线性降低至零。
第一子层611a、第二子层611b和第三子层611c的厚度相等，以便于各子层的生长控制。
可选地，设定值为0.5～0.8。各个子层中In组分的最大值均相等，有利于有效控制微型LED的发光波长的一致性。
在本公开实施例中，设定值为0.5。
示例性地，如图2所示，第三量子阱层613也包括依次层叠的第一子层613a、第二子层613b和第三子层613c。
可选地，第一量子阱层611的厚度与第三量子阱层613的厚度相等，第一量子阱层611的厚度大于第二量子阱层612的厚度。
由于第一量子阱层611和第三量子阱层613中In含量较高，因此，将第一量子阱层611和第三量子阱层613的厚度设置的较厚，可以保证微型LED的发光效果。
示例性地，第一量子阱层611与第三量子阱层613的厚度均为1.2～1.8nm。第二量子阱层612的厚度为0.4～0.6nm。
可选地，第一量子阱层611中的每个子层的厚度均为0.4～0.6nm。第三量子阱层613中的每个子层的厚度均为0.4～0.6nm。
若每个子层的厚度过薄，会导致量子阱层的发光波长达不到要求，LED的发光强度较低。若每个子层的厚度过厚，又会导致量子阱层和量子垒层之间的极化效应加重，从而影响LED的发光效率。
可选地，量子阱层61的总厚度可以为2～5nm。若量子阱层61的总厚度小于2nm，则可能由于量子阱层61的厚度太小而影响到量子阱层61中电子和空穴的复合发光，降低LED的发光效率。如果量子阱层61的总厚度大于5nm，则可能由于量子阱层61的厚度太大而造成量子阱层61中产生更多的应力，影响量子阱层61的晶体质量从而影响LED的发光效率。
可选地，量子垒层62为GaN层，量子垒层62的厚度可以为8～20nm。若量子垒层62的厚度小于8nm，则可能由于量子垒层62的厚度太小而造成有源层6整体的晶体质量改善效果较差。若量子垒层62的厚度大于20nm，很容易影响到载流子正常的迁移，对电子和空穴的复合起到阻挡作用，降低LED的发光效率。
可选地，衬底1可以为GaN、蓝宝石、SiC、Si、SiO2中的一种。
可选地，缓冲层2可以为AlN层，厚度为10～50nm。
可选地，3D成核层3可以为GaN层，厚度为0.3～0.5um。
可选地，未掺杂的GaN层4的厚度为0.5～3um,未掺杂的GaN层4可以起到缓冲填平的作用。
可选地，N型层5可以为掺Si的GaN层，厚度为0.5～3um。N型层5中Si的掺杂浓度为1×1018～1×1019cm-3。
可选地，电子阻挡层7可以为掺Mg的AlzGa1-zN层，0.2＜z＜0.5，厚度为20～100nm。
可选地，P型层8可以为掺Mg的GaN层，厚度为100～200nm，Mg的掺杂浓度为5×1019～1×1021cm-3。
可选地，P型接触层9可以为重掺杂Mg的GaN层，厚度为10～50nm，Mg的掺杂浓度为1*1020～1×1021cm-3。，
可选地，该发光二极管外延片还可以包括设置在有源层6和电子阻挡层7之间的低温P型层10，低温P型层10可以为掺Mg的AlyGa1-yN层，0.1＜y＜0.3，厚度为50～100nm，Mg的掺杂浓度为5×1019～1×1021cm-3。
本公开实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，用于制造实施例一提供的发光二极管外延片，图3是本公开实施例提供的一种微型发光二极管外延片的制造方法的方法流程图，如图3所示，该制造方法包括：
步骤301、提供一衬底。
在本实施例中，衬底为蓝宝石，可以将衬底放在石墨托盘上送入反应室中进行外延材料的生长。
步骤301还包括：
控制反应室温度为1050℃，压力为200～500Torr，在纯氢气氛围对蓝宝石衬底进行退火处理5～6min，然后将蓝宝石衬底进行氮化处理。
步骤302、在衬底上生长缓冲层。
其中，缓冲层为AlN层。
具体地，将衬底放置到PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)设备的反应室内，采用PVD法生长AlN缓冲层，包括：将PVD设备的反应室内温度调整至400～800℃，溅射功率调整至3000～5000W，压力调整至为2～10mtorr，生长15～50nm厚的AlN缓冲层。
需要说明的是，外延层中的3D成核层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层、P型层以及P型接触层均可以采用MOCVD(Metal-organic Chemical VaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)法生长。在具体实现时，通常是将衬底放在石墨托盘上送入MOCVD设备的反应室中进行外延材料的生长，因此上述生长过程中控制的温度和压力实际上是指反应室内的温度和压力。具体地，采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，采用三甲基镓或三甲基乙作为镓源，三甲基铟作为铟源，三甲基铝作为铝源，N型掺杂剂选用硅烷，P型掺杂剂选用二茂镁。
步骤303、在缓冲层上生长3D成核层。
示例性地，将镀有AlN缓冲层薄膜的衬底放入MOCVD系统中，将反应室温度控制在950～1080℃，压力控制在300～500torr，生长厚度为0.3～0.5um的3D成核层。
步骤304、在3D成核层上生长未掺杂的GaN层。
示例性地，将反应室温度控制在1000～1100℃，压力控制在100～300torr，生长厚度为0.5～3um的未掺杂的GaN层。
步骤305、在未掺杂的GaN层上生长N型层。
其中，N型层为掺Si的GaN层，Si掺杂浓度可以为1×1018～1×1019cm-3。
示例性地，将反应室温度控制在1000～1100℃，压力控制在100～300torr，生长厚度为0.5～3um的N型GaN层。
步骤306、在N型层上生长有源层。
在本实施例中，有源层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，每个量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，第一量子阱层和第三量子阱层均为InxGa1-xN层，0≤x＜1，第二量子阱层为In组分为零的GaN层。第一量子阱层中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零，第三量子阱层中In组分的变化方式与第一量子阱层中In组分的变化方式相同。
可选地，第一量子阱层的厚度与第三量子阱层的厚度相等，第一量子阱层的厚度大于第二量子阱层的厚度。
示例性地，第一量子阱层与第三量子阱层的厚度均为1.2～1.8nm。第二量子阱层的厚度为0.4～0.6nm。
可选地，第一量子阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，第一子层、第二子层和第三子层的厚度相等。
可选地，第一量子阱层中的每个子层的厚度均为0.4～0.6nm。第三量子阱层中的每个子层的厚度均为0.4～0.6nm
若每个子层的厚度过薄，会导致量子阱层的发光波长达不到要求，LED的发光强度较低。若每个子层的厚度过厚，又会导致量子阱层和量子垒层之间的极化效应加重，从而影响LED的发光效率。
示例性地，步骤306中，生长第一量子阱层包括：
向反应室内通入In源，并控制反应室内通入的In源的流量逐渐增大，生长第一子层，第一子层中In组分由零线性升高至设定值；
控制反应室内通入的In源的流量保持不变，生长第二子层，第二子层中In组分为设定值保持不变；
控制反应室内通入的In源的流量逐渐减小，生长第三子层，第三子层中的In组分由设定值线性降低至零。
可选地，设定值为0.5～0.8。各个子层中In组分的最大值均相等，有利于有效控制微型LED的发光波长的一致性。
在本公开实施例中，设定值为0.5。
图4是本公开实施例提供的一种量子阱层中In组分的变化示意图，如图4所示，从t0至t3时刻，生长第一量子阱层611，从t3到t4时刻，生长第二量子阱层612，从t4到t7时刻，生长第三量子阱层613。
其中，t0到t1时刻，生长第一量子阱层611中的第一子层611a，此时In组分由零线性升高至0.5。t1到t2时刻，生长第一量子阱层611中的第二子层611b，此时In组分为0.5保持不变。t2到t3时刻，生长第一量子阱层611中的第三子层611c，此时In组分由0.5线性降低至零。t3到t4时刻，In组分为0。
同样地，由于第三量子阱层613中In组分的变化方式与第一量子阱层611中In组分的变化方式相同。即t4到t5时刻，生长第三量子阱层613中的第一子层613a，此时In组分由零线性升高至0.5。t5到t6时刻，生长第三量子阱层613中的第二子层613b，此时In组分为0.5保持不变。t6到t7时刻，生长第三量子阱层613中的第三子层613c，此时In组分由0.5线性降低至零。
示例性地，步骤306中，生长第二量子阱层包括：
停止向反应室内通入In源，同时向反应室内通入氢气，在第一量子阱层上生长第二量子阱层。
通过在第二量子阱层生长的过程中，通入氢气，可以减少富余In原子在量子阱层表面停留时间，加快富余In原子在量子阱层表面的脱离，提高量子阱层表面的平整度，从而可以提高量子阱层的晶体质量，减少量子阱层中In析出概率，进而可以减少In富集产生的中心，使In组分稳定集中分布在量子阱InGaN材料中，有利于进一步提高Micro发光二极管的发光波长和发光颜色一致性。
可选地，生长第二量子阱层时，反应室内通入的氢气的流量为5～30sccm。
若通入的氢气的流量过少，则起不到提高量子阱层的晶体质量的作用。若通入的氢气的流量过多，又会导致量子阱层中In含量降低，影响量子阱层的正常发光。
示例性地，生长第二量子阱层时，反应室内通入的氢气的流量为15sccm，此时，既可以保证通入的氢气能够提高量子阱层的晶体质量的作用，又可以保证量子阱层的正常发光。
需要说明的是，在本公开实施例中，第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层的生长条件(例如生长温度和生长压力)均相同。其中，第一量子阱层和第三量子阱层是在纯氮气气氛下生长而成的，第二量子阱层是在氢气和氮气的混合气氛下生长而成的。
示例性地，步骤306可以包括：
将反应室温度调节至700～830℃，反应室压力控制在100～300torr，生长量子阱层。
将反应室温度调节至800～960℃，反应室压力控制在100～300torr，生长GaN量子垒层。
步骤307、在有源层上生长低温P型层。
其中，低温P型层可以为掺Mg的AlyGa1-yN层，0.1＜y＜0.3，Mg的掺杂浓度为5×1019～1×1021cm-3。
示例性地，将反应室温度控制在700～800℃，压力控制在200～500Torr，生长厚度为50～100nm的低温P型层。
步骤308、在低温P型层上生长电子阻挡层。
其中，电子阻挡层为掺Mg的AlzGa1-zN层，0.2＜z＜0.5。
示例性地，将反应室温度控制在800～1000℃，压力控制在100～300Torr，生长厚度为20～100nm的电子阻挡层。
步骤309、在电子阻挡层上生长P型层。
其中，P型层为掺Mg的GaN层，Mg的掺杂浓度为5×1019～1×1021cm-3。
示例性地，将反应室温度控制在800～1000℃，压力控制在200～600Torr，生长厚度为100～200nm的P型层。
步骤310、在P型层上生长P型接触层。
其中，P型接触层可以为重掺杂Mg的GaN层，Mg的掺杂浓度为1*1020～1×1021cm-3。
示例性地，将反应室温度控制在850～1000℃，压力控制在100～300Torr，生长厚度为10～50nm的P型接触层。
在上述步骤完成之后，将反应室的温度降至650～850℃，在氮气气氛进行退火处理5～15min，而后逐渐降至室温，结束微型发光二极管的外延生长。
本公开实施例通过将每个量子阱层设置为包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，其中，第一量子阱层和第三量子阱层中的In组分均由零线性升高，再保持不变，再线性降低至零。则当量子阱层中产生In富余现象时，富余In会自行向In组分较低的方向扩散，从而可以减少In富集团簇。且第一量子阱层和第三量子阱层之间生长有一层In组分为零的GaN第二量子阱层，相当于量子阱层采用In脉冲生长的方式，从而可以进一步防止In组分过冲，减少In富集中心形成的概率，改善量子阱InGaN材料中富In局域态效应，使In组分稳定集中分布在量子阱层中，进而可以提高微型发光二极管的发光波长和发光颜色一致性。
以上仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种微型发光二极管外延片，所述微型发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、3D成核层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述有源层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，其特征在于，
每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第一量子阱层和所述第三量子阱层均为InxGa1-xN层，0≤x＜1，所述第二量子阱层为In组分为零的GaN层，所述第一量子阱层中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零，所述第三量子阱层中In组分的变化方式与所述第一量子阱层中In组分的变化方式相同。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层中In组分由零线性升高至设定值，所述第二子层中的In组分为所述设定值保持不变，所述第三子层中的In组分由所述设定值线性降低至零；
所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度相等。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述设定值为0.5～0.8。
4.根据权利要求1至3任一项所述的微型发光二极管外延片，其特征在于，所述第一量子阱层的厚度与所述第三量子阱层的厚度相等，所述第一量子阱层的厚度大于所述第二量子阱层的厚度。
5.一种微型发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、3D成核层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层、电子阻挡层、P型层和P型接触层；
其中，所述有源层包括交替生长的多个量子阱层和多个量子垒层，每个所述量子阱层均包括依次层叠的第一量子阱层、第二量子阱层和第三量子阱层，所述第一量子阱层和所述第三量子阱层均为InxGa1-xN层，0≤x＜1，所述第二量子阱层为In组分为零的GaN层，所述第一量子阱层中In组分的变化方式为：由零线性升高、再保持不变、再线性降低至零，所述第三量子阱层中In组分的变化方式与所述第一量子阱层中In组分的变化方式相同。
6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，生长所述第二量子阱层包括：
停止向反应室内通入In源，同时向反应室内通入氢气，在所述第一量子阱层上生长所述第二量子阱层。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，生长所述第二量子阱层时，反应室内通入的所述氢气的流量为5～30sccm。
8.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一量子阱层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层、所述第二子层和所述第三子层的厚度相等，生长所述第一量子阱层包括：
向反应室内通入In源，并控制所述反应室内通入的In源的流量逐渐增大，生长所述第一子层，所述第一子层中In组分由零线性升高至设定值；
控制所述反应室内通入的In源的流量保持不变，生长所述第二子层，所述第二子层中In组分为所述设定值保持不变；
控制所述反应室内通入的In源的流量逐渐减小，生长所述第三子层，所述第三子层中的In组分由所述设定值线性降低至零。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述设定值为0.5～0.8。
10.根据权利要求5至9任一项所述的制造方法，其特征在于，所述第一量子阱层的厚度与所述第三量子阱层的厚度相等，所述第一量子阱层的厚度大于所述第二量子阱层的厚度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011214180.5A CN112531082B (zh) | 2020-11-04 | 2020-11-04 | 微型发光二极管外延片及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011214180.5A CN112531082B (zh) | 2020-11-04 | 2020-11-04 | 微型发光二极管外延片及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112531082A CN112531082A (zh) | 2021-03-19 |
| CN112531082B true CN112531082B (zh) | 2021-10-01 |
Family
ID=74979489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011214180.5A Active CN112531082B (zh) | 2020-11-04 | 2020-11-04 | 微型发光二极管外延片及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112531082B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114242861B (zh) * | 2021-12-15 | 2022-10-11 | 江苏第三代半导体研究院有限公司 | 量子阱发光层结构、生长方法及外延片 |
| CN114695610B (zh) * | 2022-05-31 | 2023-02-28 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种GaN基LED外延片、外延生长方法及LED芯片 |
| CN114883462B (zh) * | 2022-07-12 | 2022-09-27 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130007314A (ko) * | 2011-06-30 | 2013-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| CN109473520A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-03-15 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN109950372A (zh) * | 2019-02-15 | 2019-06-28 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN110718612A (zh) * | 2019-08-30 | 2020-01-21 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 发光二极管外延片及其制造方法 |
| CN111029444A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-17 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109585616A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-04-05 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 紫外led外延制备方法及紫外led |
-
2020
- 2020-11-04 CN CN202011214180.5A patent/CN112531082B/zh active Active
Patent Citations (5)
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| KR20130007314A (ko) * | 2011-06-30 | 2013-01-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| CN109473520A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-03-15 | 华灿光电股份有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制造方法 |
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| CN111029444A (zh) * | 2019-12-18 | 2020-04-17 | 马鞍山杰生半导体有限公司 | 一种led外延结构及其制备方法 |
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| CN112531082A (zh) | 2021-03-19 |
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