CN112490157A - 密封槽及半导体真空设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种密封槽，所述密封槽的开口端设有压合件，所述密封槽内放置密封圈，所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述压合件贴合，所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部，所述缓冲部向所述密封槽的内侧面内凹陷。本发明通过在所述密封槽的内侧面设置向内侧面内凹陷的缓冲部，为膨胀变形的密封圈提供了缓冲空间，可有效地减缓密封圈的内部受力，减缓密封圈因受力积累而造成的损伤，从而延长密封圈的使用寿命，保障了密封圈的密封效果。本发明还提供了一种半导体真空设备，所述半导体真空设备包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板，所述真空箱的箱体与所述盖板贴合的一端面设有所述密封槽。

Description

密封槽及半导体真空设备

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种密封槽及半导体真空设备。

背景技术

半导体制造，经常需要在能制造真空环境的半导体真空设备中进行，半导体真空设备一般包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板，盖板通常为石英制成，硬度较大，而真空箱通常由金属材料制成，也是高硬度的，故而为了保证密封效果，在盖板和真空箱之间需要使用密封圈加以密封。申请号为CN201920486577.6的中国专利公开了一种半导体设备，所述半导体设备包括腔体、密封门和隔板，述腔体具有开口，以及围绕所述开口设置的朝腔内凹陷的凹槽；所述隔板可拆卸地嵌设于所述凹槽内；所述密封门位于所述腔体外且相对所述腔体可移动，以遮蔽所述开口，所述密封门的一侧表面内嵌设有密封圈。该专利是在凹槽内放置隔板，密封圈嵌在密封门中以保证密封效果。但在密封门开设嵌入密封圈的容纳槽的加工步骤复杂，而且密封效果不佳。

图1为现有技术中半导体真空设备的结构剖视示意图，如图1所示，通常是在原真空箱40与原盖板30贴合的一端面设有放置原密封圈20的原密封槽10以保证密封效果。图2为图1中原密封槽与原密封圈的剖视放大示意图，如图2所示，原密封槽10呈凹字形，包括陷于壁面顶部13的平坦的底面11和垂直于底面11的两面侧壁面12，壁面顶部13分别与两面侧壁面12之间形成有夹角14。原密封圈20放置于所述原密封槽10内并高出壁面顶部13一定高度，原密封圈20通常为橡胶等材料制成，具有一定的弹性和强度。当原盖板30盖合在原真空箱40上时，原盖板30会给原密封圈20施加压合力，从而使得原密封圈20在原密封槽10内膨胀变形，尤其是原真空箱40内部是需要抽真空的，而抽真空后，在大气压力下，作用在原密封圈20上的压力会使原密封圈20的膨胀变形更大。而原密封圈20与原密封槽10之间，因为要防止产生大的相对滑动而引起原密封圈20上的原盖板30不稳，故原密封圈20与原密封槽10之间的间距很小，即原密封圈20在原密封槽10内膨胀变形的缓冲空间很小，当所述原密封圈20在压合力下而产生膨胀时，原密封圈20的两侧侧面很容易就会接触并挤压原密封槽10的两面侧壁面12，导致施加在原密封圈20上的反作用压力极大，容易损坏原密封圈20。同时原密封槽10膨胀往壁面顶部13和原盖板30之间的缝隙处跑出构成跑余量时，原密封圈20将会以很大的力挤压夹角14，而夹角14很容易划伤原密封圈20。尤其是考虑到原真空箱40是需要断续地抽真空的，即原密封圈20在交替式的压力下，重复上述受力和变形过程，会极大的缩短原密封圈20的寿命。

因此，有必要设计一种新型的密封槽以避免现有技术中存在的上述问题。

发明内容

本发明提供了一种密封槽及半导体真空设备，目的是解决现有技术中密封圈在密封槽内膨胀变形的缓冲空间小的问题。

为实现上述目的，第一方面，本发明公开了一种密封槽，所述密封槽的开口端设有压合件，所述密封槽内放置密封圈，所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述压合件贴合，所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部，所述缓冲部向所述密封槽的内侧面内凹陷。

本发明的一种密封槽的有益效果在于：所述密封圈受到所述压合件的压合力而膨胀变形时，通过在所述密封槽的内侧面设置向内侧面内凹陷的缓冲部，为膨胀变形的密封圈提供了缓冲空间，可有效地减缓密封圈的内部受力，减缓密封圈因受力积累而造成的损伤，从而延长密封圈的使用寿命，保障了密封圈的密封效果；而且在密封槽的内侧面设置向内侧面内凹陷的缓冲部不会破坏密封槽原来的结构，不会对密封槽和密封圈之间的密封效果造成影响。

优选的，所述密封槽的同一径向方向的部分内侧面设有缓冲部。其有益效果在于：缓冲所述密封圈同一径向方向的局部膨胀变形，对密封槽原来的结构影响较小。

优选的，所述密封槽的同一径向方向的全部内侧面设有缓冲部。其有益效果在于：即可同时缓冲所述密封圈同一径向方向的膨胀变形，在密封圈受力较大时，同时缓冲密封圈同一径向方向的膨胀变形，更能有效地减缓密封圈的内部受力，减缓密封圈因受力积累而造成的损伤，从而延长密封圈的使用寿命。

优选的，所述缓冲部的径向深度相同或不同。其有益效果在于：每个所述缓冲部的径向深度均相同，在所述密封槽的内侧面加工出所述缓冲部更容易；部分或全部所述缓冲部的径向深度不同，可针对密封圈膨胀变形度不同的区域设置径向深度不同的所述缓冲部，使得能更有效的缓冲密封圈的膨胀变形。

优选的，所述缓冲部的径向深度不超过所述密封槽的侧壁的厚度的30％。其有益效果在于：使得所述缓冲部不仅能为膨胀变形的密封圈提供缓冲空间，而且对所述密封槽的侧壁的厚度和支撑能力基本不会造成影响。

优选的，所述缓冲部的纵向高度大于等于所述密封槽的深度的10％。其有益效果在于：确保对膨胀变形的密封圈起到缓冲效果。

优选的，所述缓冲部靠近所述密封槽的内底面的一端与所述密封槽的内底面的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的90％。其有益效果在于：即在所述密封槽的内侧面的最低处设置的所述缓冲部与所述密封槽的内底面交汇，在所述密封槽的内侧面最高处设置的所述缓冲部与所述密封槽的顶端面交汇，所述缓冲部设置的实际位置根据密封圈的膨胀变形区域设置，以确保对密封圈的不同膨胀变形区域都能起到缓冲效果。

优选的，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面设置至少2个所述缓冲部，且相邻的两个所述缓冲部相靠近的两端的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的80％。其有益效果在于：即所述密封槽的同一纵截面的内侧面设置至少2个缓冲部，2个缓冲部相邻设置或隔着所述密封槽的内侧面设置；在保障密封性能，以及保证不影响所述密封槽的侧壁的支撑能力的前提下，在缓冲空间一样大时，设置多个内陷深度小的缓冲部比设置一个内陷深度大的缓冲部更能不影响所述密封槽的侧壁的支撑能力，以及保障密封性能，而且对膨胀变形的密封圈的缓冲效果更好。

优选的，所述缓冲部的纵截面为弧形结构。其有益效果在于：所述缓冲部的纵截面为弧形结构更容易引导密封圈向所述缓冲部膨胀变形，且弧形结构更容易加工制作，容易进行产品质量的管控。

优选的，所述缓冲部的内表面与所述密封槽的内侧面、所述密封槽的顶端面、所述密封槽的内底面、相邻的所述缓冲部的内表面中的任意一面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面。其有益效果在于：以避免所述缓冲部的内表面与其他面的相接处出现尖角，能有效防止密封圈被所述尖角划伤。

优选的，所述密封槽的内侧面与所述密封槽的顶端面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面。其有益效果在于：在密封圈受到压合力时，一方面，所述连续平滑曲面可以引导密封圈向所述密封槽的顶端面膨胀，即构成跑余量，密封圈在所述密封槽的顶端面形成跑余量可以起到更好的密封效果，另一方面，保证了从所述密封槽的内侧面到所述密封槽的顶端面的整个过渡面都为连续平滑曲面，消除了所述密封槽的内侧面与所述密封槽的顶端面之间的尖角，能有效避免划伤密封圈，延长了密封圈的使用寿命。

优选的，所述连续连接方式为切线连续、曲率连续、曲率变化率连续、曲率变化率的变化率连续中的任意一种。其有益效果在于：相邻两面采用上述连接方式均形成曲面连续，没有楞角，防止密封圈被所述尖角划伤。

优选的，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面内凹。其有益效果在于：能更大程度的为膨胀变形的密封圈提供缓冲空间。

优选的，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面外凸。其有益效果在于：能引导密封圈的膨胀方向。

第二方面，本发明还提供了一种半导体真空设备，包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板，所述真空箱的箱体与所述盖板贴合的一端面设有所述密封槽。其有益效果在于：所述密封槽内放置密封圈，所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述盖板贴合，在所述密封圈受到所述盖板的压合力而膨胀变形时，通过在密封槽的内侧面设置向内侧面内凹陷的缓冲部，为膨胀变形的密封圈提供了缓冲空间，可有效地减缓密封圈的内部受力，减缓密封圈因受力积累而造成的损伤，从而延长密封圈的使用寿命，保障了密封圈的密封效果

优选的，所述半导体真空设备还设置有等离子体刻蚀装置、真空溅射装置、真空热蒸镀装置、化学气相沉积装置、物理气相沉积装置、分子束外延装置、原子层沉积装置、真空热退火装置以及离子注入装置中的至少一种。

附图说明

图1为现有技术中半导体真空设备的结构剖视示意图；

图2为图1中原密封槽与原密封圈的剖视放大示意图；

图3为本发明的第一种密封槽的剖视示意图；

图4为在图3的第一种密封槽中设置密封圈的剖视示意图；

图5为本发明的第二种密封槽的剖视示意图；

图6为本发明的第三种密封槽的剖视示意图；

图7为本发明的第四种密封槽的剖视示意图；

图8为本发明的第五种密封槽的剖视示意图；

图9为本发明的第六种密封槽的剖视示意图；

图10为本发明的第七种密封槽的剖视示意图；

图11为本发明的第八种密封槽的剖视示意图；

图12为本发明的第九种密封槽的剖视示意图；

图13为本发明的第十种密封槽的剖视示意图；

图14为本发明的一种半导体真空设备的剖视示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

图3为本发明的第一种密封槽的剖视示意图；图4为在图3的第一种密封槽中设置密封圈的剖视示意图。

为解决现有技术存在的问题，参考图3和图4，本发明的一些实施例提供了一种密封槽，所述密封槽的开口端设有压合件(图中未标示)，所述密封槽内放置密封圈200，所述密封圈200高于所述密封槽的顶端面104并与所述压合件贴合，所述密封槽的内侧面101设有至少一个缓冲部102，所述缓冲部102向所述密封槽的内侧面101内凹陷，使得在所述密封圈200受到所述压合件(图中未标示)的压合力而膨胀变形时，通过在密封槽的内侧面101设置向内侧面101内凹陷的缓冲部102，为膨胀变形的密封圈200提供了缓冲空间，可有效地减缓所述密封圈200的内部受力，减缓所述密封圈200因受力积累而造成的损伤，从而延长所述密封圈200的使用寿命，保障了所述密封圈200的密封效果；而且在所述密封槽的内侧面101设置向内侧面101内凹陷的缓冲部102不会破坏密封槽原来的结构，不会对密封槽和所述密封圈200之间的密封效果造成影响。

本发明实施例中所述密封槽的顶端面为构成所述密封槽的壁体的顶端面，所述密封槽的顶端面与所述密封槽的开口端位于同一平面内。

本发明实施例中所述凹陷为本领域的公知常识，用于形容周围高中间低，在此不做赘述。

本发明实施例中所述压合件为压合在所述密封槽开口端的封闭件、密封件、盖合件、配合件中的任意一种。即两个相贴合或连接的部件之间需要密封时，在一个部件上设置密封槽，密封槽中设置密封圈密封，另一个部件就为压合件，压合在设有密封槽的部件上。

本发明实施例中径向方向为垂直于所述密封槽的内侧面的方向，纵向方向为平行于所述密封槽的内侧面的方向。

图5为本发明的第二种密封槽的剖视示意图；本发明的一些实施例，参考图5，所述密封槽的同一径向方向的全部内侧面101设有缓冲部102，即所述缓冲部102为环形结构，沿所述密封槽的内侧面101设置有一周圈，使得可同时缓冲所述密封圈同一径向方向的膨胀变形，在密封圈受力较大时，同时缓冲密封圈同一径向方向的膨胀变形，更能有效地减缓密封圈的内部受力，减缓密封圈因受力积累而造成的损伤，从而延长密封圈的使用寿命。

图6为本发明的第三种密封槽的剖视示意图。本发明的另一些实施例，参考图6，所述密封槽的同一径向方向的部分内侧面101设有缓冲部102，以缓冲所述密封圈同一径向方向的局部膨胀变形，对密封槽原来的结构影响较小，比如所述缓冲部102呈内凹的勺子形结构。

本发明的另一些实施例，参考图6，所述密封槽的部分内侧面101设有多个缓冲部102，且多个缓冲部102分别设置在所述密封槽的不同径向方向的内侧面101上。

本发明的另一些实施例，所述密封槽的同一径向方向的部分内侧面设有多个缓冲部，且多个缓冲部间隔设置，更进一步的，所述缓冲部的个数为偶数个，且所述缓冲部两两相对设置在所述密封槽的同一径向方向的内侧面上，即在所述密封槽的同一径向方向的内侧面相对的位置分别设置一个所述缓冲部，使得可同时缓冲所述密封圈的相对侧的膨胀变形，在密封圈受力较大时，同时缓冲密封圈的相对侧的膨胀变形，更能有效地减缓密封圈的内部受力，减缓密封圈因受力积累而造成的损伤，从而延长密封圈的使用寿命。

本发明的一些实施例，所述缓冲部的径向深度相同，即每个所述缓冲部的径向深度均相同，使得在所述密封槽的内侧面加工出所述缓冲部更容易。

本发明的一些实施例，所述缓冲部的径向深度不同，即部分或全部所述缓冲部的径向深度不同，可针对密封圈膨胀变形度不同的区域设置径向深度不同的所述缓冲部，使得能更有效的缓冲密封圈的膨胀变形。

本发明实施例中所述缓冲部的径向深度为所述缓冲部在径向方向向所述密封槽的内侧面内凹陷的最大深度，所述密封槽的侧壁为构成所述密封槽的壁体。

图7为本发明的第四种密封槽的剖视示意图；本发明的一些实施例，所述缓冲部102的径向深度不超过所述密封槽的侧壁的厚度的30％。参考图7，所述密封槽的侧壁的厚度为L0，所述缓冲部102向所述密封槽的内侧面101内凹陷的径向深度为L1，所述L0和所述L1满足的条件为：L1≤30％L0，使得所述缓冲部102不仅能为膨胀变形的密封圈提供缓冲空间，而且对所述密封槽的侧壁的厚度和支撑能力基本不会造成影响。

图8为本发明的第五种密封槽的剖视示意图；图9为本发明的第六种密封槽的剖视示意图；图10为本发明的第七种密封槽的剖视示意图。

本发明的一些实施例，所述缓冲部102的纵向高度大于等于所述密封槽的深度的10％，以确保对膨胀变形的密封圈起到缓冲效果，参考图7，所述密封槽的深度为L2，所述缓冲部102的纵向高度为L3，所述L2和所述L3满足的条件为：10％L2≤L3≤L2，具体根据所述密封槽的侧壁的厚度以及密封圈膨胀变形的大小确定是在所述密封槽的同一纵向方向的部分内侧面101设置缓冲部102，还是在所述密封槽的同一纵向方向的全部内侧面101设置缓冲部102。

本发明的一些实施例，所述L3等于L2时，参考图8，所述缓冲部设置在所述密封槽的同一纵向方向的全部内侧面101，使得能为膨胀变形的密封圈提供最大的缓冲空间。

本发明的另一些实施例，10％L2≤L3＜L2时，参考图3、图5、图6、图7、图9、图10，所述缓冲部102设置在所述密封槽的同一纵向方向的部分内侧面101，使得不仅能保证为膨胀变形的密封圈提供缓冲空间，而且对所述密封槽的侧壁的改动最少，对所述密封槽的侧壁的厚度和支撑能力不会造成影响；具体根据所述密封槽的侧壁的厚度以及密封圈膨胀变形的大小确定是在所述密封槽的同一纵向方向的部分内侧面设置缓冲部，还是在所述密封槽的同一纵向方向的全部内侧面设置缓冲部。

本发明实施例中所述缓冲部的纵向高度为所述缓冲部在纵向方向的最大高度。

本发明的一些实施例，所述缓冲部102靠近所述密封槽的内底面103的一端与所述密封槽的内底面102的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的90％，所述缓冲部设置的实际位置根据密封圈的膨胀变形区域设置，以确保对密封圈的不同膨胀变形区域都能起到缓冲效果；参考图7，所述密封槽的深度为L2，所述缓冲部102的纵向高度为L3，所述缓冲部102靠近所述密封槽的内底面103的一端与所述密封槽的内底面102的距离为L4，所述L4满足的条件为：0≤L4≤90％L2。

本发明的一些实施例，所述L4等于0时，参考图3、图5、图6、图8，所述缓冲部102的内表面与所述密封槽的内底面103相接；即在密封槽靠近密封槽的内底面103的内侧面设置所述缓冲部102，使得能缓解密封圈下部的膨胀变形。

本发明的一些实施例，参考图5，所述缓冲部102的内表面的一端与所述密封槽的内底面103相接，所述缓冲部102的内表面的另一端与所述密封槽的内侧面101相接，即在密封槽靠近密封槽的内底面103的内侧面101上设置所述缓冲部102，以缓解密封圈下部的膨胀变形。

本发明的一些实施例，参考图8，所述缓冲部102的内表面的一端与所述密封槽的内底面103相接，所述缓冲部102的内表面的另一端与所述密封槽的顶端面104相接，即在密封槽同一纵向方法的全部内侧面101设置所述缓冲部102，使得能最大程度的缓解密封圈的膨胀变形。

本发明的一些实施例，当0＜L4≤90％L2时，参考图6、图7、图9、图10，所述缓冲部102的内表面与所述密封槽的内底面103之间间隔有所述密封槽的内侧面101，以缓解密封圈中部或上部的膨胀变形。

本发明的一些实施例，参考图7和图9，所述缓冲部102的内表面的一端与所述密封槽的一段内侧面101相接，所述缓冲部102的内表面的另一端与所述密封槽的另一段内侧面101相接，即在所述密封槽的内侧面101的中部设置所述缓冲部102，以缓解密封圈中部的膨胀变形。

本发明的一些实施例，参考图10，所述缓冲部102的内表面的一端与所述密封槽的内侧面101相接，所述缓冲部102的内表面的另一端与所述密封槽的顶端面104相接，以缓解密封圈上部的膨胀变形，即在密封槽靠近所述密封槽的顶端面104的内侧面101设置所述缓冲部102，此时所述L4＝L2-L3。如所述L3为10％L2，所述L4等于90％L2时，所述缓冲部102与所述密封槽的顶端面104相接。

本发明的一些实施例，所述缓冲部102靠近所述密封槽的顶端面104的一端与所述密封槽的顶端面104的距离大于等于所述密封槽的深度的10％，以避免对密封槽和密封圈之间的密封效果造成影响。

图11为本发明的第八种密封槽的剖视示意图；图12为本发明的第九种密封槽的剖视示意图；图13为本发明的第十种密封槽的剖视示意图。

本发明的一些实施例，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面101设置至少2个所述缓冲部102，且相邻的两个所述缓冲部102相靠近的两端的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的80％，即所述密封槽的同一纵截面的内侧面101设置至少2个缓冲部102，所述缓冲部102之间相邻设置或隔着所述密封槽的内侧面101设置；在保障密封性能，以及保证不影响所述密封槽的侧壁的支撑能力的前提下，在缓冲空间一样大时，设置多个内陷深度小的缓冲部比设置一个内陷深度大的缓冲部更能不影响所述密封槽的侧壁的支撑能力，以及保障密封性能，而且对膨胀变形的密封圈的缓冲效果更好。参考图11，所述密封槽的深度为L2，所述缓冲部102的纵向高度为L3，相邻的两个所述缓冲部102相靠近的两端的距离为L5，所述L5满足的条件为：0≤L5≤80％L2。

本发明的一些实施例，参考图11，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面101设置2个所述缓冲部102，且所述缓冲部102之间间隔设置，相邻的两个所述缓冲部102相靠近的两端的距离为：0＜L5＜(L2-2×L3)，即一所述缓冲部102的内表面的与另一所述缓冲部102的内表面之间通过所述密封槽的内侧面101相接。

本发明的一些实施例，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面101设置2个所述缓冲部102，且所述缓冲部102之间间隔设置，相邻的两个所述缓冲部102相靠近的两端的距离为：L5＝(L2-2×L3)，即一个所述缓冲部的内表面与所述密封槽的内底面103相接，另一个所述缓冲部的内表面与所述密封槽的顶端面104相接。

本发明的一些实施例，参考图12，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面101设置2个所述缓冲部102，所述缓冲部102包括第一缓冲部1021和第二缓冲部1022，且所述第一缓冲部1021和所述第二缓冲部1022相邻设置，即所述第一缓冲部1021和所述第二缓冲部1022相靠近的两端的距离为0，所述第一缓冲部1021的内表面的一端与所述密封槽的内底面103相接，所述第一缓冲部1021的内表面的另一端与所述第二缓冲部1022的内表面的一端相接，所述第二缓冲部1022的内表面的另一端与所述密封槽的顶端面104相接。其中，所述第二缓冲部1022的内表面的另一端也可以是与所述密封槽的内侧面101相接，在此不做进一步阐述。

本发明的一些实施例，参考图13，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面101设置2个所述缓冲部102，所述缓冲部102包括第三缓冲部1023和第四缓冲部1024，且所述第三缓冲部1023和所述第四缓冲部1024相邻设置，即所述第三缓冲部1023和所述第四缓冲部1024相靠近的两端的距离为0，所述第三缓冲部1023的内表面的一端与所述密封槽的一段内侧面101相接，所述第三缓冲部1023的内表面的另一端与所述第四缓冲部1024的内表面的一端相接，所述第四缓冲部1024的内表面的另一端与所述密封槽的另一段内侧面101相接。其中，所述第四缓冲部1024的内表面的另一端也可以是与所述密封槽的顶端面104相接，在此不做进一步阐述。

本发明的一些实施例，参考图3-13，所述缓冲部102的纵截面为弧形结构，使得更容易引导密封圈向所述缓冲部102膨胀变形，且弧形结构更容易加工制作，容易进行产品质量的管控，所述缓冲部102的纵截面为弧形结构即所述缓冲部102两端到所述缓冲部102中间凹陷的径向深度依次增大，使得不会对密封槽和密封圈之间的密封效果造成影响。

本发明的一些实施例，所述缓冲部102的内表面与所述密封槽的内侧面101、所述密封槽的顶端面104、所述密封槽的内底面103、相邻的所述缓冲部102的内表面中的任意一面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面，以避免所述缓冲部的内表面与其他面的相接处出现尖角，能有效防止密封圈被所述尖角划伤。

本发明的一些实施例，参考图3、图5、图6、图7、图9、图10、图11和图13，所述缓冲部102的内表面与所述密封槽的内侧面101采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面(图中未标示)。

本发明的一些实施例，参考图6、图8、图10和图12，所述缓冲部102的内表面与所述密封槽的顶端面104采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面105。

本发明的一些实施例，参考图3、图5、图6、图8、图11和图12，所述缓冲部102的内表面与所述密封槽的内底面103采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面105(图中未标示)。

本发明的一些实施例，所述缓冲部102的内表面与另一相邻的所述缓冲部102的内表面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面。参考图12，所述第一缓冲部1021的内表面与所述第二缓冲部1022的内表面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面(图中未标示)；参考图13，所述第三缓冲部1023的内表面与所述第四缓冲部1024的内表面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面(图中未标示)。

本发明的一些实施例，参考图3、图5、图6、图7、图9、图11和图13，所述密封槽的内侧面101与所述密封槽的顶端面104采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面105。在密封圈受到压合力时，一方面，所述连续平滑曲面105可以引导密封圈向所述密封槽的顶端面104膨胀，即构成跑余量，密封圈的跑余量在所述密封槽的顶端面104处可以起到更好的密封效果，另一方面，保证了从所述密封槽的内侧面101到所述密封槽的顶端面104的整个过渡面都为连续平滑曲面105，消除了所述密封槽的内侧面101与所述密封槽的顶端面104之间的尖角，能有效避免划伤密封圈，延长了密封圈的使用寿命。

本发明的一些实施例，所述连续连接方式为切线连续、曲率连续、曲率变化率连续、曲率变化率的变化率连续中的任意一种。相邻两面采用上述连接方式均形成曲面连续，没有楞角，能避免所述缓冲部与其他面相接处出现尖角，以及避免所述密封槽的内侧面到所述密封槽的顶端面相接处出现尖角，防止密封圈被所述尖角划伤。所述切线连续仅是方向的连续而没有半径连续，比如说倒角，所述切线连续、曲率连续、曲率变化率连续、曲率变化率的变化率连续均为本领域的公知常识，在此不做赘述。

本发明的一些实施例，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面内凹，能更大程度的为膨胀变形的密封圈提供缓冲空间。

本发明的一些实施例，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面外凸，使得能引导密封圈的膨胀方向。

本发明的一些实施例，所述密封槽的内侧面101与所述密封槽的顶端面104之间设有倒角，倒角加工工艺成熟，所述密封槽的内侧面101与所述密封槽的顶端面104之间采用倒角更容易加工去除尖角。

本发明的一些实施例，所述倒角为圆形倒角。

本发明的一些实施例，所述连续平滑曲面为光滑曲面，所述光滑曲面为本领域公知常识，是指有连续变动的切平面的曲面，或者说有可以处处连续移动的单位法向量的曲面，在此不做赘述。

本发明的一些实施例，所述连续平滑曲面为弧形结构。弧形是圆或椭圆一部分的形状，是任何一个从直线或水平上的偏离或弯曲，使其表现为一个圆弧或椭圆弧的形状，此为本领域公知常识，在此不做赘述。

图14为本发明的一种半导体真空设备的剖视示意图。

本发明的一些实施例，参考图14，本发明还提供了一种半导体真空设备，所述半导体真空设备包括真空箱400和与所述真空箱400盖合的盖板300，所述真空箱400的箱体与所述盖板300贴合的一端面设有所述密封槽，所述密封槽内放置密封圈200，所述密封圈200高于所述密封槽的顶端面并与所述盖板300贴合，即所述压合件为盖合件，所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部102，所述缓冲部102向所述密封槽的内侧面内凹陷。所述真空箱400内断续地抽真空，所述密封圈200在所述盖板300交替式的压合力下会重复受力和膨胀变形，通过在密封槽的内侧面设置向内侧面内凹陷的缓冲部102，为膨胀变形的所述密封圈200提供了缓冲空间，可有效地减缓所述密封圈200的内部受力，减缓所述密封圈200因受力积累而造成的损伤，从而延长所述密封圈200的使用寿命，保障了所述密封圈200的密封效果。

本发明的一些实施例，所述半导体真空设备还设置有等离子体刻蚀装置、真空溅射装置、真空热蒸镀装置、化学气相沉积装置、物理气相沉积装置、分子束外延装置、原子层沉积装置、真空热退火装置以及离子注入装置中的至少一种。比如当使用等离子体蚀刻晶圆片时，通常要将晶圆片放置于一真空箱中进行等离子体蚀刻反应，此时一般都需要用到半导体真空设备，在具有所述密封槽的所述半导体真空设备中设置等离子体刻蚀装置用于进行等离子体刻蚀反应，具体可以是在真空箱400的顶部设置盖板300，在盖板300上开有通孔，通孔中嵌有等离子体喷口，以及设置其他等离子体刻蚀装置，真空箱400抽真空后，从等离子体喷口中喷出等离子体，从而在真空环境下对晶圆进行蚀刻；所述真空箱400的箱体与所述盖板300贴合的一端面设有所述密封槽，所述密封槽内放置密封圈200，所述密封圈200高于所述密封槽的顶端面并与所述盖板300贴合，所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部102，所述缓冲部102向所述密封槽的内侧面内凹陷，使得为因受盖板300的压合力而膨胀变形的所述密封圈200提供了缓冲空间，可有效地减缓所述密封圈200的内部受力，减缓所述密封圈200因受力积累而造成的损伤，从而延长所述密封圈200的使用寿命，保障了所述密封圈200的密封效果。

虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。

Claims (16)

1.一种密封槽，所述密封槽的开口端设有压合件，所述密封槽内放置密封圈，所述密封圈高于所述密封槽的顶端面并与所述压合件贴合，其特征在于，所述密封槽的内侧面设有至少一个缓冲部，所述缓冲部向所述密封槽的内侧面内凹陷。

2.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的同一径向方向的部分内侧面设有缓冲部。

3.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的同一径向方向的全部内侧面设有缓冲部。

4.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的径向深度相同或不同。

5.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的径向深度不超过所述密封槽的侧壁的厚度的30％。

6.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的纵向高度大于等于所述密封槽的深度的10％。

7.根据权利要求6所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部靠近所述密封槽的内底面的一端与所述密封槽的内底面的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的90％。

8.根据权利要求6所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的同一纵向方向的内侧面设置至少2个所述缓冲部，且相邻的两个所述缓冲部相靠近的两端的距离等于0，或大于0且小于等于所述密封槽的深度的80％。

9.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的纵截面为弧形结构。

10.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述缓冲部的内表面与所述密封槽的内侧面、所述密封槽的顶端面、所述密封槽的内底面、相邻的所述缓冲部的内表面中的任意一面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面。

11.根据权利要求1所述密封槽，其特征在于，所述密封槽的内侧面与所述密封槽的顶端面采用连续连接方式相接形成连续平滑曲面。

12.根据权利要求10或11所述密封槽，其特征在于，所述连续连接方式为相切连续、曲率连续、曲率变化率连续、曲率变化率的变化率连续中的任意一种。

13.根据权利要求10或11所述密封槽，其特征在于，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面内凹。

14.根据权利要求10或11所述密封槽，其特征在于，所述连续平滑曲面向所述密封槽的内侧面外凸。

15.一种半导体真空设备，包括真空箱和与所述真空箱盖合的盖板，其特征在于，所述真空箱的箱体与所述盖板贴合的一端面设有如权利要求1-14中任一项所述密封槽。

16.根据权利要求15所述半导体真空设备，其特征在于，所述半导体真空设备还设置有等离子体刻蚀装置、真空溅射装置、真空热蒸镀装置、化学气相沉积装置、物理气相沉积装置、分子束外延装置、原子层沉积装置、真空热退火装置以及离子注入装置中的至少一种。

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