CN112466784B - 玻璃衬底芯片生产方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种玻璃衬底芯片生产方法。所述玻璃衬底芯片生产方法包括如下步骤：将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃、将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽的IC芯片治具、将所述IC芯片治具中的所述IC芯片转移到所述导电玻璃上以及将所述异方性导电胶膜进行热压。通过将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃、将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽的IC芯片治具、将所述IC芯片治具中的所述IC芯片转移到所述导电玻璃上和将所述异方性导电胶膜进行热压等步骤，使得玻璃衬底芯片生产方法。

Description

玻璃衬底芯片生产方法
技术领域
本发明涉及玻璃衬底芯片生产技术领域，尤其是涉及一种玻璃衬底芯片生产方法。
背景技术
在玻璃衬底芯片生产方法中，通常需要将大量IC芯片按照产品需求设置于导电玻璃，目前的玻璃衬底芯片的生产效率低下。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种玻璃衬底芯片生产方法，提高了玻璃衬底芯片的生产效率。
根据本发明第一方面实施例的玻璃衬底芯片生产方法，所述玻璃衬底芯片生产方法包括如下步骤：
将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃；
将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽的IC芯片治具，所述固定槽的深度小于所述IC芯片的深度；
将所述IC芯片治具的工作面贴合于所述导电玻璃，使所述IC芯片与所述导电玻璃的焊点接触，将所述IC芯片治具中的所述IC芯片转移到所述导电玻璃上；
将所述异方性导电胶膜进行热压。
根据本发明实施例的玻璃衬底芯片生产方法，至少具有如下技术效果：通过将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃、将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽的IC芯片治具、将所述IC芯片治具中的所述IC芯片转移到所述导电玻璃上和将所述异方性导电胶膜进行热压等步骤，使得玻璃衬底芯片生产方法。
根据本发明实施例的一些实施例，所述玻璃衬底芯片生产方法还包括:对所述导电玻璃进行清洁。
根据本发明实施例的一些实施例，将所述IC芯片转移至具有呈阵列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具之前，还包括步骤：进行所述IC芯片的质量检验。
根据本发明实施例的一些实施例，将所述IC芯片转移至具有呈阵列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具的步骤和将所述异方性导电胶膜贴附在所述导电玻璃的步骤同时进行。
根据本发明实施例的一些实施例，所述玻璃衬底芯片生产还包括步骤：进行所述异方性导电胶膜的金球检查。
根据本发明实施例的一些实施例，在进行所述异方性导电胶膜的金球检查之后还包括步骤：对所述异方性导电胶膜进行整体点亮以及单颗所述IC芯片点亮的检查。
根据本发明实施例的一些实施例，采用点亮笔进行所述整体点亮或单颗所述IC芯片点亮，所述点亮笔的电压调节为20伏至22伏之间，所述点亮笔的电流调节为0.4毫安到0.6毫安之间。
根据本发明实施例的一些实施例，在将所述异方性导电胶膜进行热压之后还包括步骤：对导电玻璃进行滴胶。
根据本发明实施例的一些实施例，在将所述异方性导电胶膜进行热压的步骤中，采用加热型热压机进行热压。
根据本发明实施例的一些实施例，进行所述异方性导电胶膜的金球检查后，需要进行所述IC芯片的引脚与所述导电玻璃的焊点的偏移检查。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明一个实施例的IC芯片治具的结构示意图；
图2是图1中IC芯片治具的主视图；
图3是图2中IC芯片治具的剖视图；
图4是本发明一个实施例的玻璃衬底芯片生产方法的流程示意图；
图5是本发明一个实施例的玻璃衬底芯片生产方法的流程示意图。
附图标记：
IC芯片治具100、固定槽200、真空吸孔300。
具体实施方式
以下将结合实施例对本发明的构思及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。
在本发明实施例的描述中，如果涉及到方位描述，例如“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，如果某一特征被称为“设置”、“连接”、“安装”在另一个特征，它可以直接设置、固定、连接在另一个特征上，也可以间接地设置、固定、连接、在另一个特征上。
下面参考图1至图5描述本发明实施例的玻璃衬底芯片生产方法。
根据本发明第一方面实施例的玻璃衬底芯片生产方法，玻璃衬底芯片生产方法包括如下步骤：
将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃；
将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽200的IC芯片治具100；
将IC芯片治具100中的IC芯片转移到导电玻璃上；
将异方性导电胶膜进行热压。
具体地，IC芯片治具100大致形状为长方体，IC芯片治具100上设置有阵列分布的方形固定槽200，阵列分布为矩形阵列分布，固定槽200的深度小于IC芯片的深度，固定槽200的槽底设置有真空吸孔300。IC芯片治具100的工作面为固定槽200的槽口所在的面。在扩晶时，将IC芯片安装在IC芯片治具100的固定槽200中，真空吸孔300对IC芯片进行吸附。由于固定槽200的深度小于IC芯片的深度，所以当IC芯片治具100的工作面贴合于导电玻璃时，IC芯片能够与导电玻璃的焊点接触。当需要进行IC芯片转移时，可将IC芯片治具100与导电玻璃配合，使得多个IC芯片的引脚分别对齐多个焊点，再进行IC芯片的贴附，由此达到一次性贴附多个IC芯片的效果。
参考图4，在玻璃衬底芯片生产方法中，首先将异方性导电胶膜贴附于导电玻璃，再将IC芯片逐个转移至IC芯片治具100，转移完成后将IC芯片治具100与导电玻璃配合，使得IC芯片的引脚对齐导电玻璃上预设的焊点，通过IC芯片治具100，一次性将多个IC芯片转移至导电玻璃上，最后将异方性导电胶膜进行热压。通过以上步骤完成玻璃衬底芯片的生产，从而提高玻璃衬底芯片的生产效率。
可以理解的是，在进行异方性导电胶膜贴附时，可以为人工贴附或机器贴附，在贴附完成后，可以对异方性导电胶膜进行贴附检查。具体地贴附检查内容为：异方性导电胶膜偏移检查、异方性导电胶膜气泡检查等。固定槽200的形状可以为三角形、圆形等，由此满足不同规格的IC芯片，起到避免IC芯片在固定槽200中发生位置偏移的作用。固定槽200的深度和阵列分布的形状、间隔等均可进行设置，由此满足不同产品的需求。
在一些实施例中，玻璃衬底芯片生产方法还包括:对导电玻璃进行清洁。具体地，参考图4，在将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃之前，需要对导电玻璃进行清洁，例如当导电玻璃为ITO玻璃时，由于ITO玻璃有涂层的一面具有防潮标准，所以ITO玻璃没有涂层的一面可以按照常规玻璃清洗，有涂层的一面则先用乙醇和丙酮进行超声清洗，并红外烘干。
可以理解的是，导电玻璃的清洁也可以首先用自来水超声震荡十分钟，其次用去离子水清洗超声震荡10分钟，再用丙醇清洗超声震荡十分钟，最后纯酒精清洗超声震荡十分钟等方法实现导电玻璃的清洗。通过对导电玻璃进行清洗，由此避免导电玻璃在进行贴附时仍有杂物贴附于导电玻璃。
在一些实施例中，将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽200的IC芯片治具100之前，还包括步骤：进行IC芯片的质量检验。具体地，参考图4，将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽200的IC芯片治具100之前，还需要进行IC芯片的质量检验。IC芯片的质量检验为不在路检查，可通过点亮IC芯片由此确定IC芯片是否故障。可以理解的是，IC芯片的质量检查也可为采用人工视觉检查，观察IC芯片是否有发生引脚断裂、刮花等故障，通过进行IC芯片的质量检测，由此避免产品中具有不良IC芯片。
在一些实施例中，将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽200的IC芯片治具100的步骤和将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃的步骤同时进行。具体地，参考图5，IC芯片在转移至具有呈阵列分布的固定槽200的IC芯片治具100的同时，将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃。
在一些实施例中，玻璃衬底芯片生产方法还包括步骤：进行异方性导电胶膜的金球检查。具体地，参考图4，将异方性导电胶膜进行热压之后，需要进行异方性导电胶膜的金球检查，在检查过程中，金球粒子未破裂或金球粒子产生四个或以上开口，且中间未连接在一起的情况均为检查不合格。金球粒子有一个、两个或三个缺口以及金球粒子具有四个缺口，但金球粒子保持中间相连状态均为检查合格。通过进行金球粒子的检查，避免金球粒子破裂效果不明显或压花。
在一些实施例中，进行异方性导电胶膜的金球检查后，需要进行IC芯片引脚与导电玻璃的焊点的偏移检查。具体地，参考图4，进行异方性导电胶膜的金球检查后，需要进行IC芯片引脚与导电玻璃的焊点的偏移检查，通过人工或机器进行光学检查，避免IC芯片引脚与导电玻璃的焊点发生偏移，从而避免最终在产品使用时，IC芯片导通不良。
在一些实施例中，在进行异方性导电胶膜的金球检查之后还包括步骤：对异方性导电胶膜进行整体点亮以及单颗IC芯片点亮的检查。具体的，参考图4，在进行异方性导电胶膜的金球检查之后，对异方性导电胶膜进行整体点亮以及单颗IC芯片点亮的检查，由此避免IC芯片发生接触不良、短路等不良现象。
在一些实施例中，采用点亮笔进行整体点亮或单颗IC芯片点亮，点亮笔的电压调节为20伏至22伏之间，点亮笔的电流调节为0.4毫安到0.6毫安之间。具体地，对异方性导电胶膜进行整体点亮以及单颗IC芯片点亮的检查时，点亮笔地电压应该调节至20至22伏之间，点亮笔的电流调节为0.4毫安到0.6毫安之间，由此达到点亮时，IC芯片所发出地光最适合观察记录且不易导致IC芯片烧断。
在一些实施例中，在将异方性导电胶膜进行热压之后还包括步骤：对导电玻璃进行滴胶。具体地，参考图4，在将异方性导电胶膜进行热压之后，对导电玻璃进行滴胶，滴胶步骤为滴限位胶、贴辅助胶纸、人工或机械滴表面胶以及滴边胶，再进行室温固化，由此实现滴胶。通过滴胶，避免导电玻璃发生污染而被腐蚀。
在一些实施例中，在将异方性导电胶膜进行热压的步骤中，采用加热型热压机进行热压。通过采用加热型热压机进行异方性导电胶膜热压，从而达到提高玻璃衬底芯片的生产效率的效果。
在一些实施例中，IC芯片治具100大致形状为长方体，IC芯片治具100上设置有阵列分布的方形固定槽200，阵列分布为矩形阵列分布，固定槽200的深度小于IC芯片的深度，固定槽200的槽底设置有真空吸孔300。IC芯片治具100的工作面为固定槽200的槽口所在的面。在扩晶时，将IC芯片安装在IC芯片治具100的固定槽200中，真空吸孔300对IC芯片进行吸附。由于固定槽200的深度小于IC芯片的深度，所以当IC芯片治具100的工作面贴合于导电玻璃时，IC芯片能够与导电玻璃的焊点接触。当需要进行IC芯片转移时，可将IC芯片治具100与导电玻璃配合，使得多个IC芯片的引脚分别对齐多个焊点，再进行IC芯片的贴附，由此达到一次性贴附多个IC芯片的效果。
参考图4，在玻璃衬底芯片生产方法中，首先将异方性导电胶膜贴附于导电玻璃，再将IC芯片逐个转移至IC芯片治具100，转移完成后将IC芯片治具100与导电玻璃配合，使得IC芯片的引脚对齐导电玻璃上预设的焊点，通过IC芯片治具100，一次性将多个IC芯片转移至导电玻璃上，最后将异方性导电胶膜进行热压。通过以上步骤完成玻璃衬底芯片的生产，从而提高玻璃衬底芯片的生产效率。
在将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃之前，需要对导电玻璃进行清洁，例如当导电玻璃为ITO玻璃时，由于ITO玻璃有涂层的一面具有防潮标准，所以ITO玻璃没有涂层的一面可以按照常规玻璃清洗，有涂层的一面则先用乙醇和丙酮进行超声清洗，并红外烘干。
将异方性导电胶膜进行热压之后，需要进行异方性导电胶膜的金球检查，在检查过程中，金球粒子未破裂或金球粒子产生四个或以上开口，且中间未连接在一起的情况均为检查不合格。金球粒子有一个、两个或三个缺口以及金球粒子具有四个缺口，但金球粒子保持中间相连状态均为检查合格。通过进行金球粒子的检查，避免金球粒子破裂效果不明显或压花。
在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
将异方性导电胶膜贴附在导电玻璃；
将IC芯片转移至具有呈阵列分布的固定槽的IC芯片治具，所述固定槽的深度小于所述IC芯片的深度；
将所述IC芯片治具的工作面贴合于所述导电玻璃，使所述IC芯片与所述导电玻璃的焊点接触，将所述IC芯片治具中的所述IC芯片转移到所述导电玻璃上；
将所述异方性导电胶膜进行热压。
2.根据权利要求1所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，所述玻璃衬底芯片生产方法还包括:对所述导电玻璃进行清洁。
3.根据权利要求1所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，将所述IC芯片转移至具有呈阵列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具之前，还包括步骤：进行所述IC芯片的质量检验。
4.根据权利要求1所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，将所述IC芯片转移至具有呈阵列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具的步骤和将所述异方性导电胶膜贴附在所述导电玻璃的步骤同时进行。
5.根据权利要求1所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，所述玻璃衬底芯片生产方法还包括步骤：进行所述异方性导电胶膜的金球检查。
6.根据权利要求5所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，进行所述异方性导电胶膜的金球检查后，进行所述IC芯片的引脚与所述导电玻璃的焊点的偏移检查。
7.根据权利要求5所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，在进行所述异方性导电胶膜的金球检查之后还包括步骤：对所述异方性导电胶膜进行整体点亮以及单颗所述IC芯片点亮的检查。
8.根据权利要求7所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，采用点亮笔进行所述整体点亮或单颗所述IC芯片点亮，所述点亮笔的电压调节为20伏至22伏之间，所述点亮笔的电流调节为0.4毫安到0.6毫安之间。
9.根据权利要求1所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，在将所述异方性导电胶膜进行热压之后还包括步骤：对所述导电玻璃进行滴胶。
10.根据权利要求1所述的玻璃衬底芯片生产方法，其特征在于，在将所述异方性导电胶膜进行热压的步骤中，采用加热型热压机进行热压。
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110797295A (zh) * 2019-11-15 2020-02-14 广东省半导体产业技术研究院 芯片转移方法及装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10289929A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 Seiko Epson Corp 表面実装部品の実装方法
CN102584036A (zh) * 2012-01-19 2012-07-18 友达光电股份有限公司 一种用于触控面板中的玻璃基板的粘结方法
CN109950182A (zh) * 2019-03-29 2019-06-28 合肥鑫晟光电科技有限公司 Micro LED的巨量转移方法和巨量转移装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110797295A (zh) * 2019-11-15 2020-02-14 广东省半导体产业技术研究院 芯片转移方法及装置

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