CN112447223B - 基于系统特性执行刷新操作 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于基于系统特性执行刷新操作的方法。所述方法包含确定存储器组件的当前操作条件处于第一状态。所述方法还包含检测所述操作条件从所述第一状态到第二状态的改变。所述方法另外包含基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的刷新周期。所述刷新周期对应于当对所述存储器组件的片段执行写入操作时的第一时间和当对所述片段执行刷新操作时的第二时间之间的时间段。此外，所述方法包含根据所述刷新周期执行所述刷新操作。

Description

基于系统特性执行刷新操作
技术领域
本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及基于系统特性执行刷新操作。
背景技术
存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器组件处存储数据且从存储器组件检索数据。
发明内容
本公开的一实施例涉及一种系统。所述系统包括：存储器组件；和处理装置，其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作：确定所述存储器组件的当前操作条件处于第一状态；检测所述操作条件从所述第一状态到第二状态的改变；基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的刷新周期，所述刷新周期对应于当对所述存储器组件的片段执行写入操作时的第一时间和当对所述片段执行刷新操作时的第二时间之间的时间段；和根据所述刷新周期执行所述刷新操作。
本公开的另一实施例涉及一种方法。所述方法包括：确定存储器组件的当前操作条件处于第一状态；检测所述操作条件从所述第一状态到第二状态的改变；基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的刷新周期，所述刷新周期对应于当对所述存储器组件的片段执行写入操作时的第一时间和当对所述片段执行刷新操作时的第二时间之间的时间段；和根据所述刷新周期执行所述刷新操作。
本公开的另一实施例涉及一种系统。所述系统包括：多个存储器组件；和处理装置，其以操作方式与所述多个存储器组件耦合以进行以下操作：接收用于写入操作以将数据存储于所述多个存储器组件中的存储器组件的片段上的命令；从所述多个存储器组件识别与所述写入操作相关联的所述存储器组件；从多个刷新周期确定对应于所述所识别的存储器组件的第一刷新周期，其中所述多个刷新周期中的每一个对应于所述多个存储器组件中的一或多个不同的存储器组件，且其中所述第一刷新周期对应于当对所述存储器组件的所述片段执行所述写入操作时的第一时间和当将对所述存储器组件的所述片段执行刷新操作时的第二时间之间的时间段；和响应于确定在所述第一刷新周期内未接收到用于对所述存储器组件的所述片段执行读取操作的命令，对所述存储器组件的所述片段执行所述刷新操作。
附图说明
根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。然而，附图不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释和理解。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。
图2是根据本公开的一些实施例的执行刷新操作的实例方法的流程图。
图3A是说明根据本公开的一些实施例的针对两个不同温度随写到读时间差而变的功率电平的图表。
图3B是说明根据本公开的一些实施例的随写到读时间差而变的功率电平的图表。
图4是根据本公开的一些其它实施例的执行刷新操作的实例方法的流程图。
图5是说明根据本公开的一些实施例的针对三个不同存储器组件随写到读时间差而变的功率电平的图表。
图6是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
本公开的方面针对于基于系统特性执行刷新操作。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个存储器组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供数据以存储于存储器子系统处并且可请求从存储器子系统检索数据。
存储器组件可以包含存储来自主机系统的数据的非易失性存储器装置。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。封装中的裸片可指配给一或多个通道以用于与存储器子系统控制器通信。非易失性存储器装置包含经分组为页以存储数据位的单元(即，存储信息的电子电路)。非易失性存储器装置可包含作为非易失性存储器的交叉点阵列的三维交叉点(“3D交叉点”)存储器装置，其可与可堆叠交叉网格化数据存取阵列结合来基于体电阻的改变执行位存储。非易失性存储器装置的另一实例为与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。
某些类型的存储器组件对用于相应存储器组件的存储器单元上的读取操作的电源的需求倾向于激增。随着当执行写入操作时与当随后对同一存储器单元执行读取操作时之间的时间间隙变大，需求变得越来越大。时间间隙越大，存储器子系统对某些类型的存储器组件执行读取操作的成本越高(在功率方面)。
常规存储器子系统以固定时间段周期性地执行刷新操作。刷新操作涉及用于读取存储于存储器组件的存储器单元(或片段)处的数据并且将数据重写回到同一存储器单元的一系列操作。因为在周期性基础上以固定时间段读取用于刷新操作的数据，所以常规存储器子系统可防止写入操作和读取操作之间的时间间隙变得大于固定时间段。然而，对用于读取操作的电源的需求增加的速率取决于存储器子系统的各种系统特性。因此，这类刚性方法可能不适应对用于某些类型的存储器组件的电源的不同需求。如果不恰当地适应电源的需求，那么常规存储器子系统可归因于可用于执行操作的功率不足而无法执行读取操作。
本公开的方面通过使存储器子系统基于存储器子系统的系统特性动态地调整刷新操作的频率来解决上述和其它缺陷，所述系统特性例如操作环境的温度、供应给存储器子系统的功率电平，以及存储器组件的功率消耗特性。取决于系统特性，存储器子系统可调整用于调度刷新操作的时间段，以便防止因为读取操作需要比可用于存储器子系统的功率更多的功率而造成存储器子系统无法执行读取操作。
本公开的优点包含但不限于有效地管理用于存储器子系统的有限功率供应。举例来说，随着存储器子系统动态地调整用于执行刷新操作的时间段，存储器子系统可适应对用于执行读取操作的电源的不同需求。因此，存储器子系统可确保某些存储器组件所需的用于读取操作的功率量不超过可用的功率量。
图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统110的实例计算环境100。存储器子系统110可以包含媒体，例如一或多个易失性存储器装置(例如，存储器装置140)、一或多个非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)，或其组合。
存储器子系统110可为存储装置、存储器模块，或存储装置和存储器模块的混合。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器、嵌入式多媒体控制器(eMMC)驱动器、通用快闪存储装置(UFS)驱动器以及硬盘驱动器(HDD)。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)和非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。
计算环境100可包含耦合到一或多个存储器子系统110的主机系统120。在一些实施例中，主机系统120耦合到不同类型的存储器子系统110。图1说明耦合到一个存储器子系统110的主机系统120的一个实例。主机系统120使用例如存储器子系统110以将数据写入到存储器子系统110和从存储器子系统110读取数据。如本文中所使用，“耦合到”通常是指组件之间的连接，其可以是间接通信连接或直接通信连接(例如不具有介入组件)，无论有线或无线，包含例如电连接、光学连接、磁连接等连接。
主机系统120可以是计算装置，例如台式计算机、手提式计算机、网络服务器、移动装置、载具(例如飞机、无人机、火车、汽车或其它运输工具)、物联网(IoT)装置或包含存储器和处理装置的这类计算装置。主机系统120可经由物理主机接口耦合到存储器子系统110。物理主机接口的实例包含但不限于串行高级技术附件(SATA)接口、外围组件互连高速(PCIe)接口、通用串行总线(USB)接口、光纤通道、串行连接的SCSI(SAS)等。物理主机接口可用于在主机系统120与存储器子系统110之间发射数据。当存储器子系统110通过PCIe接口与主机系统120耦合时，主机系统120可进一步利用NVM高速(NVMe)接口来存取存储器组件，例如存储器装置130。物理主机接口可提供接口以用于在存储器子系统110与主机系统120之间传送控制、地址、数据以及其它信号。
存储器装置可以包含不同类型的非易失性存储器装置和/或易失性存储器装置的任何组合。易失性存储器装置(例如，存储器装置140)可为但不限于随机存取存储器(RAM)，例如动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)。
非易失性存储器装置(例如，存储器装置130)的一些实例包含与非(NAND)类型快闪存储器和就地写入(write-in-place)存储器，例如三维交叉点(“3D交叉点”)存储器。非易失性存储器的交叉点阵列可结合可堆叠交叉网格化数据存取阵列基于体电阻的改变来执行位存储。另外，与许多基于闪存的存储器对比，交叉点非易失性存储器可进行就地写入操作，其中可在不预先擦除非易失性存储器单元的情况下对非易失性存储器单元进行编程。
虽然描述了例如3D交叉点型和NAND型存储器等非易失性存储器装置，但存储器装置130可以基于任何其它类型的非易失性存储器，例如只读存储器(ROM)、相变存储器(PCM)、自选存储器、其它基于硫族化物的存储器、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)、或非(NOR)快闪存储器以及电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
一种类型的存储器单元，例如单层级单元(SLC)可每单元存储一个位。其它类型的存储器单元，例如多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)和四层级单元(QLC)可每单元存储多个位。在一些实施例中，存储器装置130中的每一个可包含一或多个存储器单元阵列，例如SLC、MLC、TLC、QLC或这些的任何组合。在一些实施例中，特定存储器装置可包含存储器单元的SLC部分，以及MLC部分、TLC部分或QLC部分。存储器装置130的存储器单元可分组为页或码字，所述页或码字可指代用于存储数据的存储器装置的逻辑单元。对于一些类型的存储器(例如，NAND)，页可分组以形成块。一些类型的存储器(例如3D交叉点)可将跨裸片和通道的页分组以形成管理单元(MU)。
存储器子系统控制器115可与存储器装置130通信以执行操作，例如在存储器装置130处读取数据、写入数据或擦除数据和其它此类操作。存储器子系统控制器115可以包含硬件，例如一或多个集成电路和/或离散组件、缓冲存储器或其组合。硬件可包含具有执行本文中所描述的操作的专用(即，硬译码)逻辑的数字电路系统。存储器子系统控制器115可以是微控制器、专用逻辑电路系统(例如，现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)等)，或其它合适的处理器。
存储器子系统控制器115可包含被配置成执行存储在本地存储器119中的指令的处理器(处理装置)117。在所说明的实例中，存储器子系统控制器115的本地存储器119包含被配置成存储指令以用于执行控制存储器子系统110的操作(包含处置存储器子系统110与主机系统120之间的通信)的各种过程、操作、逻辑流程和例程的嵌入式存储器。
在一些实施例中，本地存储器119可以包含存储器寄存器，其存储存储器指针、提取的数据等。本地存储器119还可以包含用于存储微码的只读存储器(ROM)。虽然图1中的实例存储器子系统110已说明为包含存储器子系统控制器115，但在本公开的另一实施例中，存储器子系统110可能不包含存储器子系统控制器115，且可改为依靠(例如由外部主机或由与存储器子系统分离的处理器或控制器提供的)外部控制。
一般来说，存储器子系统控制器115可从主机系统120接收命令或操作，且可将所述命令或操作转换为指令或适当命令以实现对存储器装置130的所需存取。存储器子系统控制器115可负责其它操作，例如耗损均衡操作、垃圾收集操作、错误检测和错误校正码(ECC)操作、加密操作、高速缓存操作，以及与存储器装置130相关联的逻辑地址(例如，逻辑块地址(LBA)、名字空间)与物理地址(例如，物理MU地址、物理块地址)之间的地址转译。存储器子系统控制器115可另外包含主机接口电路系统以经由物理主机接口与主机系统120通信。主机接口电路系统可以将从主机系统接收到的命令转换成存取存储器装置130的命令指令，以及将与存储器装置130相关联的响应转换成主机系统120的信息。
存储器子系统110还可以包含未说明的附加电路系统或组件。在一些实施例中，存储器子系统110可以包含高速缓存或缓冲器(例如，DRAM)和地址电路系统(例如，行解码器和列解码器)，其可从存储器子系统控制器115接收地址且对地址进行解码以存取存储器装置130。
在一些实施例中，存储器装置130包含本地媒体控制器135，其结合存储器子系统控制器115操作以对存储器装置130的一或多个存储器单元执行操作。外部控制器(例如，存储器子系统控制器115)可在外部管理存储器装置130(例如，对存储器装置130执行媒体管理操作)。在一些实施例中，存储器装置130是受管理存储器装置，其为与本地控制器(例如，本地控制器135)组合以在同一存储器装置封装内进行媒体管理的原始存储器装置。受管理存储器装置的实例是受管理NAND(MNAND)装置。
存储器子系统110包含刷新操作组件113，其可基于各种系统特性，动态地调整将针对每一存储器组件(例如，存储器装置130或140)执行的刷新操作的时段，所述系统特性例如操作环境的温度、供应给存储器子系统110的功率量、存储器组件(例如，存储器装置130和140)的功率消耗特性，或其它特性。本文中的刷新操作是指一操作序列，其首先涉及用于选择存储器组件的目标片段的选择操作、用于读取存储于所选择目标片段处的数据的读取操作，以及将读取数据写入或存储回到存储器组件的目标片段的重写操作。在一些实施例中，刷新操作可仅涉及读取操作和重写操作。在一些实施例中，存储器子系统控制器115包含刷新操作组件113的至少一部分。举例来说，存储器子系统控制器115可包含处理器117(处理装置)，其被配置成执行存储在本地存储器119中的指令以用于执行本文中所描述的操作。在一些实施例中，刷新操作组件113是主机系统110、应用程序或操作系统的部分。
刷新操作组件113基于系统特性调整应针对每一存储器组件(例如存储器装置130或140)执行刷新操作的频率。在一个实施方案中，刷新操作组件113确定当前操作条件(例如，存储器装置130或140的温度、供应给存储器子系统110的功率量)。刷新操作组件113还检测操作条件的改变并且基于操作条件的改变设置与存储器组件相关联的刷新周期。本文中所使用的刷新周期是指当对存储器组件的片段执行写入操作时的时间与当所述片段执行刷新操作时的另一时间(即，稍后时间)之间的时间段。接着，刷新操作组件113可根据刷新周期执行刷新操作。
在另一实施方案中，刷新操作组件113可接收用于写入操作以将数据存储于存储器组件的片段上的命令。刷新操作组件113可从多个存储器组件识别与写入操作相关联的存储器组件。接着，刷新操作组件113可从多个刷新周期确定对应于所识别的存储器组件的刷新周期，其中多个刷新时段中的每一个对应于多个存储器组件中的一或多个不同的存储器组件。响应于确定在刷新周期内未接收到用于将对存储器组件的片段执行的的读取操作的命令，刷新操作组件113可对存储器组件的片段执行刷新操作。下文描述关于刷新操作组件113的操作的另外细节。
图2是根据本公开的一些实施例的执行刷新操作的实例方法200的流程图。方法200可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法200是由图1的刷新操作组件113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改所述过程的次序。因此，所说明的实施例应仅作为实例理解，且所说明的过程可以不同次序进行，且一些过程可并行进行。另外，在各种实施例中可省去一或多个过程。因此，在每一实施例中并非需要全部过程。其它过程流也是可能的。
在操作210处，处理装置确定存储器组件的当前操作条件处于第一状态。在一些实施例中，存储器组件的操作条件可包含供应给存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)的功率量和/或存储器组件的温度。举例来说，处理装置可测量供应给存储器子系统的当前功率电平(以mW为单位)。处理装置可确定所述当前功率电平是存储器组件的当前操作条件的第一状态。在另一实例中，处理装置可确定存储器组件的当前温度。另外或替代地，处理装置可确定存储器子系统或连接到存储器子系统的主机系统(例如，图1的主机系统120)的温度。接着，处理装置可确定所述温度是存储器组件的当前操作条件的第一状态。举例来说，处理装置可确定当前电源电平是1780mW和/或当前温度是55F。
在操作220处，处理装置检测到操作条件从操作210处确定的第一状态到另一状态(例如，第二状态)的改变。在一个实施方案中，处理装置确定操作210处所确定的第一状态所属于的操作条件范围。举例来说，所述操作条件范围可对应于电源电平范围和/或温度范围。可存在多个操作条件范围。作为实例，电源电平范围可为1700mW(包含端点)到1750mW(不包含端点)、1750mW到1800mW、1800mW到1850mW。作为另一实例，所述温度范围可为50F(包含端点)到60F(不包含端点)、60F到70F、70F到80F。举例来说，对于当前电源电平(例如，1780mW)，处理装置可确定当前状态属于从1750mW到1800mW的范围。
作为另一实例，对于当前温度(例如，55F)，处理装置可确定当前状态属于从50F到60F的范围。在一个实施方案中，范围可处于一个电平，例如1700mW。在另一实施方案中，所述范围可处于不同增量，例如1700mW到1750mW(即，50mW增量)和1800mW到1900mW(即，100mW增量)。然而，在另一实施方案中，所述范围可不连续。举例来说，可存在两个范围，一个是从1700mW到1750mW，且另一个是1800mW到1850mW。此外，在另一实施方案中，所述范围可指定两个操作条件的组合，例如对于每一温度范围，50F到60F、60F到70F、70F到80F，可存在不同电源电平范围，例如1700mW到1749mW、1750mW到1799mW、1800mW到1849mW。
处理装置可在周期性基础(例如每十分钟、每一小时等)上确定当前操作条件的状态。因此，处理装置可确定操作条件的另一状态。因此，一旦处理装置已从操作210确定针对操作条件的状态的范围，处理装置便可确定在例如十分钟之后测量的状态是否属于同一操作条件范围。举例来说，处理装置可已确定在确定电源电平为1780mW之后十分钟，电源电平为1785mW。给定从1750mW到1800mW的范围，处理装置可确定最新状态属于同一范围。另一方面，处理装置可已确定在测量电源电平为1780mW十分钟之后，电源电平为1730mW，在此情况下，处理装置可确定最新状态不属于同一范围。
在另一实例中，处理装置可已确定温度为58F，而在一小时以前测量的温度是50F。在这类情况下，处理装置可确定最新状态属于同一范围(例如，50F到60F)，是操作条件的另一状态(即，50F)。然而，在另一实例中，处理装置可已确定温度为75F，而在一小时以前测量的温度是50F。在这类情况下，处理装置可确定最新状态不属于同一范围(例如，50F到60F)。
响应于确定操作条件的最新状态不属于先前确定的操作条件范围，处理装置可确定检测到操作条件改变。举例来说，操作条件从一个状态到另一状态的改变可对应于存储器组件的温度增加或存储器组件的温度减小。可当存储器子系统的操作环境(例如，服务器空间)温度波动时检测到这类改变。在另一实例中，操作条件的改变可对应于供应到存储器子系统的功率量的增加或供应到存储器子系统的功率量的减少。通常，为存储器子系统供应恒定功率量(即，存储器子系统的功率预算)。然而，有时，可发生功率量突然下降(这类现象被称为功率降)。
在操作230处，处理装置基于操作条件的改变设置与存储器组件相关联的刷新周期。在一个实施方案中，刷新周期对应于当对存储器组件的片段执行写入操作时的时间和当对所述片段执行刷新操作时的时间之间的时间段。也就是说，刷新周期可以指自对存储器组件的片段执行写入操作起直到对存储器组件的同一片段执行刷新操作为止经过的时间量。本文中的刷新操作是指一操作序列，其首先涉及用于选择存储器组件的目标片段的选择操作、用于读取存储于所选择目标片段处的数据的读取操作，以及将读取数据写入或存储回到存储器组件的目标片段的重写操作。在一些实施例中，刷新操作可仅涉及读取操作和重写操作，而无选择操作。在一些实施例中，每一存储器组件与刷新周期相关联。默认值可最初指配给刷新周期。刷新周期可设置为时间单位的相同值或不同值，例如3小时。
为设置与存储器组件相关联的刷新周期，处理装置确定稍后状态属于(例如，稍后测量的温度和/或电源电平)的操作条件范围。处理装置可如以上文关于操作220所描述的类似方式确定操作条件的稍后状态的范围。举例来说，处理装置可最初确定电源电平为1780mW(其属于1750mW到1800mW的范围)，但十分钟之后，电源电平可改变为1730mW。接着，处理装置可确定新操作条件范围为1700mW到1750mW。
在一个实施方案中，每一范围可具有对应刷新周期。一旦范围确定，处理装置便可确定与所确定的操作条件范围相关联的刷新周期。将在下文关于图3A和3B描述关于确定每一范围的刷新周期的细节。在一个实施方案中，每一范围的刷新周期可为预定的并且存储于存储器子系统控制器的存储器或本地媒体控制器的存储器处。因此，处理装置可通过存取这类存储器确定刷新周期。接着，处理装置可改变与存储器组件相关联的刷新周期以对应于与操作条件的稍后状态的范围相关联的刷新周期。举例来说，当电源电平从1780mW(其属于1750mW到1800mW的范围，指配给所述范围的刷新周期是10小时)改变为1850mW(其属于1850mW到1900mW的范围，指配给所述范围的刷新周期是13小时)时，处理装置可将刷新周期从10小时改变为13小时。在另一实施方案中，处理装置可将默认值的刷新周期改变为对应于操作条件的稍后状态的范围的刷新周期。
在其中操作条件从一个状态到另一状态的改变涉及存储器组件的温度增加的情况下，处理装置可将刷新周期设置为较短时间段(即，处理装置可基于增加的温度而减小刷新周期)。另一方面，当操作条件从一个状态到另一状态的改变对应于存储器组件的温度减小时，处理装置可将刷新周期设置为较长时间段(即，处理装置可基于减少的温度而增加刷新周期)。在图3A中说明温度改变与刷新周期之间的这类反比关系。
作为另一实例，操作条件的改变可涉及供应给存储器子系统的功率量增加。在这类情况下，处理装置可将刷新周期设置为较长时间段(即，处理装置可基于增加的电源量而增加刷新周期)。另一方面，有时，可发生供应的功率量突然下降(这类现象被称为功率降)。然而，在功率降的情况下，处理装置可相应地调整刷新周期，以便适应可用于在存储器子系统中执行操作的较少功率量。因此，当电源量减少时，处理装置可将刷新周期设置为较短时间段(即，处理装置可基于减少的电源量而减小刷新周期)。在图3B中说明电源量的改变和刷新周期之间的这类直接关系。
在操作240处，处理装置根据刷新周期执行刷新操作。在一个实施方案中，当处理装置对存储器组件的片段执行写入操作时，处理装置可开始用于所述片段的计数器。响应于确定计数器的计数值变成与由刷新周期定义的时间段(例如，10小时)相同的值，处理装置可执行刷新操作。也就是说，当计数器指示从对所述片段执行最后一个写入操作起已经过10小时时，处理装置可选择存储器组件的片段，读取写入到所述片段的数据，并且将数据重写回到所述片段。处理装置可维持每当执行写入操作时用于存储器组件的每一片段的计数器。在另一实施方案中，处理装置可获得当对片段执行写入操作时的时间戳并且在周期性基础上计算从写入操作起经过的时间量。基于所计算的时间量，处理装置可起始刷新操作。
图3A是说明根据本公开的一些实施例的针对两个不同温度随写到读时间差而变的功率电平的图表300。图1的刷新操作组件113可确定用于具有不同温度范围的存储器组件的适当刷新周期。
如图3A中所说明，图表300具有两个轴，即功率电平轴303和写到读时间差轴305。功率电平轴303表示存储器组件(例如，图1的存储器组件130或140)或存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)所需的用于存储器组件的片段上的读取操作的功率电平或功率量。功率电平以mW为单位进行表达。写到读时间差轴305表示从对存储器组件的片段执行写入操作起直到随后执行读取操作为止经过的时间量。所述时间以对数表达。
曲线310表示高温环境(例如80F)中的存储器组件或存储器子系统的功率电平和写到读时间差之间的关系。在一些实施例中，高温环境可由例如70F到80F的温度范围定义。如所描绘，曲线310说明读取操作所需的功率电平与介于执行写入和读取操作之间的时间量之间的指数关系。相应地，介于执行写入和读取操作之间的时间差越长，执行读取操作所需的功率电平越高。
曲线320表示低温环境(例如60F)中的存储器组件或存储器子系统的功率电平和写到读时间差之间的关系。低温环境可对应于例如50F到60F的温度范围。类似于曲线310，曲线320表示指数关系。水平线330表示用于存储器组件或存储器子系统的功率预算。在一个实施方案中，功率预算是指供应给存储器组件或存储器子系统的功率量。
例如图1的刷新操作组件113的处理装置可基于由曲线310和320表示的关系，确定存储器组件的刷新周期。举例来说，处理装置可确定其中曲线310满足功率预算线330的时间点341(例如，24小时)。时间点341可表示对应于高温环境的刷新周期的最大值(这是因为如果刷新周期在在时间点341处的时间之后的任何时间内执行，那么不存在足以执行刷新操作的功率)。在一个实施方案中，处理装置可指配对应于时间点341的时间作为用于高温环境的刷新周期。也就是说，处理装置可在从存储器组件的相应片段上的最后一个写入操作起即将经过24小时之前起始刷新操作。以此方式，处理装置可避免用完功率。
在另一实施方案中，处理装置可确定时间点341的阈值量342内的时间点(例如，时间点343)。这类阈值量可为相对值，例如10％，或绝对值，例如2小时。举例来说，时间点341可为24小时且阈值量342可为2小时。接着，处理装置可基于应执行刷新操作的最大时间(如时间点341所表示)和阈值量342确定另一时间点343(例如，22小时)。处理装置可为高温环境指配22小时的刷新周期。
类似地，处理装置可确定用于低温环境的刷新周期。举例来说，处理装置可确定由时间点345表示的时间段(例如，40小时)是刷新周期。在另一实施方案中，处理装置可使用相同阈值342确定小于由时间点345表示的最大时间段的时间段。如由曲线310和320说明，随着操作环境的温度变低，处理装置将刷新时间设置为较短时间量。因此，举例来说，如在图2的操作230处，基于用于不同温度范围的不同刷新周期，处理装置可确定用于改变的操作条件的适当刷新周期。相应地，处理装置可调整刷新周期以便适应操作环境温度的改变(例如，存储器子系统所在服务器空间的温度改变)。
图3B是说明根据本公开的一些实施例的随写到读时间差而变的功率电平的图表350。图1的刷新操作组件113可确定在不同电源条件下用于存储器组件的适当刷新周期。
与图3A中的图表300相同的是，图表350也具有两个轴，即功率电平轴353和写到读时间差轴355。曲线360表示存储器组件或存储器子系统的功率电平和写到读时间差之间的关系。水平线370表示存储器组件或存储器子系统的功率预算(例如，800mW)。如上文所描述，功率预算是指供应给存储器组件或存储器子系统的功率量。在另一实例中，线370可表示例如750mW到800mW的功率电平范围。通常，恒定功率电平(即，功率预算)供应给存储器组件或存储器子系统。然而，在某些情况下，可发生功率降(即，供应的功率量突然下降)。举例来说，如水平线375所表示，电源电平可从800mW下降到600mW。
例如图1的刷新操作组件113的处理装置可基于由线370表示的功率电平确定存储器组件的刷新周期。举例来说，处理装置可确定其中曲线360满足功率预算线370的时间点381(例如，44小时)。时间点381可表示给定功率预算下刷新周期的最大值。在一个实施方案中，处理装置可将对应于时间点381的时间指配为用于如线370所表示的供应的功率量的刷新周期。相应地，处理装置可在从存储器组件的相应片段上的最后一个写入操作起经过44小时时或即将经过44小时之前起始刷新操作。
在另一实施方案中，处理装置可使用类似于阈值342的阈值382确定时间点383处的另一刷新时间。类似地，处理装置可确定由线375表示的较低功率电平(例如，600mW)的刷新周期。举例来说，处理装置可确定由时间点385表示的时间段(例如，41小时)为用于减小的功率电平的刷新周期。因此，举例来说，如在图2的操作230处，基于用于不同电源电平的不同刷新周期，处理装置可确定用于改变的操作条件(例如，功率下降)的适当刷新周期。相应地，处理装置可调整刷新周期以便适应可用的较少功率量。
图4是根据本公开的一些其它实施例的执行刷新操作的实例方法400的流程图。方法400可由处理逻辑执行，所述处理逻辑可包含硬件(例如，处理装置、电路系统、专用逻辑、可编程逻辑、微码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或其组合。在一些实施例中，方法400是由图1的刷新操作组件113执行。虽然以特定顺序或次序来展示，但是除非另有指定，否则可修改所述过程的次序。因此，所说明的实施例应仅作为实例理解，且所说明的过程可以不同次序进行，且一些过程可并行进行。另外，在各种实施例中可省去一或多个过程。因此，在每一实施例中并非需要全部过程。其它过程流也是可能的。
在操作410处，处理装置接收用于写入操作以将数据存储于多个存储器组件中的存储器组件的片段上的命令。处理装置可从本地媒体控制器(例如，本地媒体控制器135)、存储器子系统控制器(例如，存储器子系统控制器115)或主机系统(例如，主机系统120)接收命令。所述命令可指定用于写入操作的存储器组件和存储器组件内的片段。在进一步的实施方案中，处理装置可根据所接收的命令执行写入操作。
在操作420处，处理装置从多个存储器组件识别与写入操作相关联的存储器组件。在一个实施方案中，处理装置可从在操作410处接收到的命令确定存储器组件。在另一实施方案中，处理装置可从本地媒体控制器(例如，本地媒体控制器135)、存储器子系统控制器(例如，存储器子系统控制器115)或主机系统(例如，主机系统120)接收与命令的写入操作相关联的存储器组件。
在操作430处，处理装置从多个刷新周期确定对应于所识别的存储器组件的刷新周期。如上文所描述，刷新周期对应于当对存储器组件的片段执行写入操作时的时间和当对存储器组件的同一片段执行刷新操作时的时间之间的时间段。在一个实施方案中，来自多个刷新周期的每一刷新周期对应于不同的一或多个存储器组件。此外，刷新周期可彼此不同。
为确定对应于所识别的存储器组件的刷新周期，处理装置从多个群组确定所识别的存储器组件所属于的群组。在识别存储器组件时，处理装置可参考列举每一群组的存储器组件的识别符的表。群组也可由表中的识别符指示。这类表可存储于存储器子系统控制器的存储器或本地媒体控制器的存储器处并且由处理装置存取。多个群组中的每一群组包含多个存储器组件中的一或多个不同的存储器组件。也就是说，每一群组由不同存储器组件组成。而且，存储器组件的每一群组对应于多个刷新周期中的每一个。相应地，对于每一群组，存在一个对应的刷新周期。将关于图5描述关于如何确定每一群组的刷新周期细节。在一个实施方案中，每一群组的刷新周期可为预定的并且存储于存储器子系统控制器或本地媒体控制器的存储器处。相应地，处理装置可通过存取这类存储器确定刷新周期。
多个存储器组件可基于对相应存储器组件的片段执行读取操作所需功率量(即，存储器组件的功率消耗特性)划分成群组。因此，每一群组与读取操作所需的不同功率量范围相关联。相应地，同一群组中的存储器组件将需要同一范围(例如，700mW-800mW)内的功率量在给定时间段(即，同一时间量)内用于对相应存储器组件的片段执行的读取操作。在一个实施方案中，给定时间可对应于在对相应片段执行写入操作之后的时间量，例如40小时。
举例来说，可存在各自与500mW-600mW(即，等于或超过500mW并且小于600mW)、600mW-700mW和700mW-800mW的范围相关联并且分别具有40小时、42小时和44小时的对应刷新周期的三个群组。因而，与读取操作所需的较高范围的功率量(例如，相较于范围500mW-600mW的范围700mW-800mW)相关联的群组对应于具有较短时间段的刷新周期(例如，相较于44小时的40小时)。也就是说，为与范围700mW-800mW相关联的群组指配40小时的刷新周期。相比之下，与较低范围(例如，500mW-600mW)相关联的群组具有较长时间段的对应刷新周期(例如，44小时)。下文将关于图5描述关于存储器组件群组和对应刷新周期的另外细节。一旦处理装置确定与所识别的用于写入操作的存储器组件相关联的群组，处理装置便可确定对应于所述群组的刷新周期。在确定对应于群组的刷新周期时，处理装置可参考列举每一群组的刷新周期的表。
在操作440处，响应于确定在刷新周期内未接收到用于对存储器组件的片段执行读取操作的命令，处理装置对存储器组件的片段执行刷新操作。如上文所描述，处理装置可使用计数器或时间戳检查是否在刷新周期内接收到读取操作命令(或是否执行读取操作)。
在另外的实施例中，处理装置可基于如上文关于图4所描述的供应给存储器子系统的功率量或存储器组件的温度中的至少一个，调整在操作430处确定的刷新周期。也就是说，对于存储器组件的每一群组，可基于新近确定的温度和/或电源电平改变刷新周期。
图5是说明根据本公开的一些实施例的针对三个不同存储器组件随写到读时间差而变的功率电平的图表500。图1的刷新操作组件113可确定用于属于不同群组的存储器组件的适当刷新周期。
如图5中所说明，图表500具有两个轴，即功率电平轴503和写到读时间差轴505。类似于功率电平轴303，功率电平轴503表示存储器组件(例如，图1的存储器组件130或140)或存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)所需的用于存储器组件的片段上的读取操作的功率电平或功率量。功率电平以mW为单位进行表达。类似于写到读时间差轴305，写到读时间差轴505表示从对存储器组件的片段执行写入操作起直到随后执行读取操作为止经过的时间量。所述时间以对数表达。此外，如同图3A的水平线330一样，水平线540表示用于存储器组件或存储器子系统的功率预算。在一个实施方案中，功率预算是指供应给存储器组件或存储器子系统的功率量。
曲线510到530表示属于不同群组的存储器组件的功率电平和写到读时间差之间的关系。存储器子系统的存储器组件可基于将对相应存储器组件的片段执行读取操作所需的功率量(即，功率消耗特性)而划分成群组。举例来说，在时间点553(例如，从执行写入操作起直到执行后续读取操作为止经过30小时)，需要600mW功率来执行读取操作的一或多个存储器组件可处于一个群组中(且因此由曲线510表示)。这类一或多个存储器组件可分组成一个群组。在一些实施例中，需要一功率电平范围(例如，550mW到650mW)的存储器组件可分组在一起。作为另一实例，在时间点553，需要500mW的功率执行读取操作的一或多个存储器组件可处于另一群组中并且相应地由曲线520表示。然而，在另一实例中，在时间点553，需要400mW的功率执行读取操作的一或多个存储器组件可处于另一群组中并且相应地由曲线530表示。相应地，存储器组件可基于其在给定写到读时间段(例如，时间点553的时间段)执行读取操作所需的功率量进行分组。
如所描绘，曲线510到530说明读取操作所需的功率电平之间的指数关系以及执行写入和读取操作之间的时间量。相应地，执行写入和读取操作之间的时间差越长，执行读取操作所需的功率电平越高。
例如图1的刷新操作组件113的处理装置可基于由曲线510到530表示的关系确定存储器组件的刷新周期。举例来说，处理装置可确定其中曲线510满足功率预算线540的时间点551处的时间(例如，32小时)。时间点551可表示对应于需要最高功率电平来执行读取操作的存储器组件群组的刷新周期的最大值，前提是在时间点551的时间之后的任何时间内执行刷新周期，将不存在足以执行刷新操作的功率。在一个实施方案中，处理装置可将对应于时间点551的时间指配为所述群组的刷新周期。也就是说，处理装置可在从存储器组件的相应片段上的最后一个写入操作起经过32小时时或即将经过32小时之前起始刷新操作。
在另一实施方案中，处理装置可确定时间点551的阈值量552内的时间点(例如，时间点553)。这类阈值量可为相对值，例如10％，或绝对值，例如2小时。举例来说，时间点551可为32小时且阈值量552可为2小时。接着，处理装置可基于应执行刷新操作的最大时间(如时间点551所表示)和阈值量552确定另一时间点553(例如，30小时)。处理装置可将30小时的刷新周期指配给需要最大功率来执行读取操作的群组。
类似地，处理装置可基于曲线520确定需要较低功率量来执行读取操作的群组的刷新周期。举例来说，处理装置可来由时间点555表示的时间段(例如，40小时)确定为刷新周期。在另一实施方案中，处理装置可使用同一阈值552确定小于由时间点555表示的最大时间段的时间段。此外，处理装置可基于曲线530将需要最低功率量来执行读取操作的群组的刷新周期确定为如时间点557所表示的48小时。如由曲线510到530说明，由于存储器组件需要较低功率量来执行读取操作，因此处理装置将刷新时间段设置为较长时间量。因此，举例来说，在图4的操作430处，基于不同群组的不同刷新周期，处理装置可确定用于改变操作条件的适当刷新周期。相应地，处理装置可调整刷新周期以便适应存储器组件的各种功率消耗特性。
图6说明计算机系统600的实例机器，可执行所述计算机系统600内的用于致使所述机器执行本文中所论述的方法中的任一种或多种方法的指令集。在一些实施例中，计算机系统600可对应于主机系统(例如，图1的主机系统120)，其包含、耦合到或使用存储器子系统(例如，图1的存储器子系统110)或可用以执行控制器的操作(例如，执行操作系统以执行对应于图1的刷新操作组件113的操作)。在替代性实施例中，机器可连接(例如，网络连接)到LAN、内联网、外联网或互联网中的其它机器。机器可作为对等(或分散式)网络环境中的对等机器或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端机器而在客户端-服务器网络环境中的服务器或客户端机器的容量中操作。
机器可以是个人计算机(PC)、平板PC、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝式电话、网络器具、服务器、网络路由器、交换机或桥接器或能够(依序或以其它方式)执行指定由机器采取的动作的一组指令的任何机器。另外，尽管说明单个机器，但还应认为术语“机器”包含机器的任何集合，所述集合单独地或共同地执行一(或多个)指令集以进行本文中所论述的方法中的任何一或多种。
实例计算机系统600包含处理装置602、主存储器604(例如，只读存储器(ROM)、闪存存储器、动态随机存取存储器(DRAM)例如同步DRAM(SDRAM)或RDRAM等)、静态存储器606(例如，闪存存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)，以及数据存储系统618，其经由总线630彼此通信。
处理装置602表示一或多个通用处理装置，例如微处理器、中央处理单元等。更特定来说，处理装置可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器或实施其它指令集的处理器，或实施指令集的组合的处理器。处理装置602也可为一或多个专用处理装置，例如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置602被配置成执行指令626以用于执行本文中所论述的操作和步骤。计算机系统600可另外包含网络接口装置608以在网络620上通信。
数据存储系统618可包含机器可读存储媒体624(也称为计算机可读媒体)，其上存储有一或多个指令集626或体现本文中所描述的方法或功能中的任一或多种的软件。指令626还可在其由计算机系统600执行期间完全或至少部分地驻存在主存储器604内和/或处理装置602内，主存储器604和处理装置602也构成机器可读存储媒体。机器可读存储媒体624、数据存储系统618和/或主存储器604可对应于图1的存储器子系统110。
在一个实施例中，指令626包含用于实施对应于刷新操作组件(例如，图1的刷新操作组件113)的功能性的指令。尽管在实例实施例中将机器可读存储媒体624展示为单个媒体，但术语“机器可读存储媒体”应被认为包含存储一或多个指令集的单个媒体或多个媒体。术语“机器可读存储媒体”还应被认为包含能够存储或编码供机器执行的指令集且致使机器执行本公开的方法中的任何一种或多种的任何媒体。因此，应认为术语“机器可读存储媒体”包含但不限于固态存储器、光学媒体以及磁性媒体。
已关于计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示而呈现先前详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用以将其工作的主旨最有效地传达给本领域的其它技术人员的方式。算法在这里并且通常被认为是导致期望的结果的操作的自洽序列。操作是要求对物理量进行物理操纵的操作。这些量通常但未必呈能够被存储、组合、比较和以其它方式操控的电或磁信号的形式。有时，主要出于通用的原因，已经证明将这些信号称为位、值、元件、符号、字符、项、数目等是方便的。
然而，应牢记，所有这些和类似术语应与适当物理量相关联，且仅仅是应用于这些量的方便标签。本公开可以指操控和变换计算机系统的寄存器和存储器内的表示为物理(电子)数量的数据为计算机系统存储器或寄存器或其它这类信息存储系统内的类似地表示为物理量的其它数据的计算机系统或类似电子计算装置的动作和过程。
本公开还涉及用于执行本文中的操作的设备。此设备可以出于所需目的而专门构造，或其可以包含通过存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。此类计算机程序可存储在计算机可读存储媒体中，如但不限于任何类型的盘(包含软盘、光盘、CD-ROM和磁性光盘)、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡或适合于存储电子指令的任何类型的媒体，它们各自耦合到计算机系统总线。
本文中呈现的算法和显示器在本质上并不与任何特定计算机或其它设备相关。各种通用系统可与根据本文中的教示的程序一起使用，或其可证明构造用以执行所述方法更加专用的设备是方便的。将如下文描述中所阐述的那样来呈现多种这些系统的结构。此外，并不参考任何特定编程语言来描述本公开。应了解，可以使用各种编程语言来实施如本文所描述的本公开的教示内容。
本公开可提供为计算机程序产品或软件，其可包含在其上存储有可用于编程计算机系统(或其它电子装置)以进行根据本公开的过程的指令的机器可读媒体。机器可读媒体包含用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机构。在一些实施例中，机器可读(例如计算机可读)媒体包含机器(例如计算机)可读存储媒体，例如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储媒体、光学存储媒体、闪存存储器组件等。
在前述说明书中，已参考其特定实例实施例描述了本公开的实施例。应显而易见的是，可在不脱离如所附权利要求书中阐述的本公开的实施例的更广精神和范围的情况下对本公开进行各种修改。因此，应在说明性意义上而非限制性意义上看待说明书和图式。

Claims (18)

1.一种用于执行刷新操作的系统，其包括：
存储器组件；和
处理装置，其以操作方式与所述存储器组件耦合以进行以下操作：
确定所述存储器组件的当前操作条件处于第一状态；
检测所述操作条件从所述第一状态到第二状态的改变；
基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的刷新周期，所述刷新周期对应于当对所述存储器组件的片段执行写入操作时的第一时间和当对所述片段执行刷新操作时的第二时间之间的时间段，其中为设置所述刷新周期，所述处理装置进行以下操作：
确定所述第二状态属于的所述操作条件的范围；
确定与所述操作条件的所述范围相关联的第二刷新周期；和
将与所述存储器组件相关联的所述刷新周期改变为对应于与所述操作条件的所述范围相关联的所述第二刷新周期；和
根据所述刷新周期执行所述刷新操作。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器组件的所述操作条件包含供应给所述系统的功率量或所述存储器组件的温度中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的系统，其中为检测所述操作条件从所述第一状态到所述第二状态的所述改变，所述处理装置进行以下操作：
确定所述第一状态属于的所述操作条件的第一范围；
确定所述第二状态是否属于所述操作条件的所述第一范围；和
响应于确定所述第二状态不属于所述操作条件的所述第一范围，确定检测到所述操作条件的所述改变。
4.根据权利要求1所述的系统，其中为基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的所述刷新周期，所述处理装置进行以下操作：
响应于检测到所述操作条件的所述改变对应于所述存储器组件的温度增加，基于所述操作条件的所述第二状态减小与所述存储器组件相关联的所述刷新周期。
5.根据权利要求1所述的系统，其中为基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的所述刷新周期，所述处理装置进行以下操作：
响应于检测到所述操作条件的所述改变对应于所述存储器组件的温度减小，基于所述操作条件的所述第二状态增加与所述存储器组件相关联的所述刷新周期。
6.根据权利要求1所述的系统，其中为基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的所述刷新周期，所述处理装置进行以下操作：
响应于检测到所述操作条件的所述改变对应于供应到所述系统的功率量增加，基于所述操作条件的所述第二状态增加与所述存储器组件相关联的所述刷新周期。
7.根据权利要求1所述的系统，其中为基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的所述刷新周期，所述处理装置进行以下操作：
响应于检测到所述操作条件的所述改变对应于供应到所述系统的功率量减小，基于所述操作条件的所述第二状态减小与所述存储器组件相关联的所述刷新周期。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理装置将在周期性基础上确定所述存储器组件的所述当前操作条件。
9.一种用于执行刷新操作的方法，其包括：
确定存储器组件的当前操作条件处于第一状态；
检测所述操作条件从所述第一状态到第二状态的改变；
基于所述操作条件的所述改变设置与所述存储器组件相关联的刷新周期，所述刷新周期对应于当对所述存储器组件的片段执行写入操作时的第一时间和当对所述片段执行刷新操作时的第二时间之间的时间段，其中设置所述刷新周期包括：
确定所述第二状态属于的所述操作条件的范围；
确定与所述操作条件的所述范围相关联的第二刷新周期；和
将与所述存储器组件相关联的所述刷新周期改变为对应于与所述操作条件的所述范围相关联的所述第二刷新周期；和
根据所述刷新周期执行所述刷新操作。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储器组件的所述操作条件包含供应给所述存储器组件的功率量或所述存储器组件的温度中的至少一个。
11.根据权利要求9所述的方法，其中所述检测所述操作条件从所述第一状态到所述第二状态的所述改变包括：
确定所述第一状态属于的所述操作条件的第一范围；
确定所述第二状态是否属于所述操作条件的所述第一范围；和
响应于确定所述第二状态不属于所述操作条件的所述第一范围，确定检测到所述操作条件的所述改变。
12.根据权利要求9所述的方法，其中所述设置与所述存储器组件相关联的所述刷新周期包括：
响应于检测到所述操作条件的所述改变对应于所述存储器组件的温度增加，基于所述操作条件的所述第二状态减小与所述存储器组件相关联的所述刷新周期；和
响应于检测到所述操作条件的所述改变对应于所述存储器组件的温度减小，基于所述操作条件的所述第二状态增加与所述存储器组件相关联的所述刷新周期。
13.根据权利要求9所述的方法，其中所述设置与所述存储器组件相关联的所述刷新周期包括：
响应于检测到所述操作条件从所述第一状态到所述第二状态的所述改变对应于供应到所述存储器组件的功率量增加，基于所述操作条件的所述第二状态增加与所述存储器组件相关联的所述刷新周期；和
响应于检测到所述操作条件的所述改变对应于供应到所述存储器组件的功率量减小，基于所述操作条件的所述第二状态减小与所述存储器组件相关联的所述刷新周期。
14.根据权利要求9所述的方法，其中在周期性基础上执行所述存储器组件的所述当前操作条件的所述确定。
15.一种用于执行刷新操作的系统，其包括：
多个存储器组件；和
处理装置，其以操作方式与所述多个存储器组件耦合以进行以下操作：
接收用于写入操作以将数据存储于所述多个存储器组件中的存储器组件的片段上的命令；
从所述多个存储器组件识别与所述写入操作相关联的所述存储器组件；
从多个刷新周期确定对应于所述所识别的存储器组件的第一刷新周期，其中所述多个刷新周期中的每一个对应于所述多个存储器组件中的一或多个不同的存储器组件，且其中所述第一刷新周期对应于当对所述存储器组件的所述片段执行所述写入操作时的第一时间和当将对所述存储器组件的所述片段执行刷新操作时的第二时间之间的时间段；和
响应于确定在所述第一刷新周期内未接收到用于对所述存储器组件的所述片段执行读取操作的命令，对所述存储器组件的所述片段执行所述刷新操作。
16.根据权利要求15所述的系统，其中为从所述多个刷新周期确定对应于所述所识别的存储器组件的所述第一刷新周期，所述处理装置进行以下操作：
从多个群组确定所述所识别的存储器组件属于的第一群组，其中所述多个群组中的每一群组包含所述多个存储器组件中的一或多个不同存储器组件，对应于所述多个刷新周期中的每一个，并且与读取操作所需的不同功率量范围相关联，且其中同一群组中的每一存储器组件需要同一范围内的功率量用于在对相应存储器组件的片段执行写入操作之后的相同时间量内对所述片段执行读取操作；和
确定对应于所述第一群组的所述第一刷新周期。
17.根据权利要求16所述的系统，其中来自所述多个群组的与所述读取操作所需的所述功率量的较高范围相关联的群组对应于所述多个刷新周期中的具有较短时间段的刷新周期。
18.根据权利要求16所述的系统，其中来自所述多个群组的与所述读取操作所需的所述功率量的较低范围相关联的群组对应于所述多个刷新周期中的具有较长时间段的刷新周期。
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