CN112442683A - 薄膜沉积设备及薄膜沉积方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法，主要包括一腔体、一进气口、一载台、一冷却气体输入管线、一挡件及一升降装置。载台及挡件位于腔体的容置空间内，而冷却气体输入管线位于载台内，并将冷却气体输送至载台与基板之间。升降装置会驱动载台及挡件相互靠近，使得挡件接触并固定载台上的基板，而后经由冷却气体输入管线将冷却气体输送至容置空间。在进行沉积步骤之前，冷却气体输入管线停止输送冷却气体，升降装置驱动载台及挡件相互远离，而后进行沉积步骤，以避免挡件接触基板，而造成基板表面沉积的薄膜的厚度不均。

Description

薄膜沉积设备及薄膜沉积方法

技术领域

本发明有关于一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法，可在不使用静电吸盘的情况下，以冷却气体降低载台承载的基板温度，可在不影响沉积在基板表面的薄膜品质的前提下，达到降低制程成本的目的。

背景技术

在薄膜沉积制程中通常需要进行高温热处理，例如在化学气相沉积制程(CVD)及物理气相沉积制程(PVD)的过程中，基板通常需要经过高温热处理，以在基板的表面形成薄膜。

然而在基板的表面形成薄膜的过程中，薄膜的材料会因为温度的累积及热应力的影响，而在基板上形成凸起或小山丘(hillock)。特别是当薄膜的厚度较大时，例如薄膜的厚度大于3000A，更容易在基板上形成凸起或小山丘，进而影响制程的良率及可靠度。

为了解决上述的问题，目前业界普片使用静电吸盘(Electrostatic Chuck、ESC)取代传统的载台，静电吸盘可通过静电力吸附基板。在沉积制程中可使用冷却气体吹向静电吸盘上的基板，以降低基板的温度及减少基板的温度累积，并降低热应力的影响。

静电吸盘的使用确实可有效减少基板上的薄膜在沉积过程中产生凸起或小山丘，并可提高制成的良率及可靠度。然而静电吸盘的造价昂贵并容易损坏，相较于传统的载台会大幅增加沉积制程的成本。

发明内容

为了解决上述薄膜的材料会因为温度的累积及热应力的影响，而在基板上形成凸起或小山丘(hillock)的问题，并避免使用静电吸盘所增加的制程成本，本发明提出一种新颖的薄膜沉积设备。

本发明的一目的，在于提供一种薄膜沉积设备，主要包括一腔体、一载台、至少一挡件及一升降装置，其中载台及挡件位于腔体内，而升降装置则用以驱动载台及挡件相对位移。腔体流体连接至少一进气口及至少一冷却气体输入管线，在进行沉积步骤时进气口将一制程气体输送至腔体内，并在载台的基板表面上形成薄膜。在进行冷却步骤时，冷却气体输入管线则将一冷却气体输送至载台与承载的基板之间，使得冷却气体接触载台上的基板，以降低基板的温度，避免在基板的表面形成凸起或小山丘(hillock)。

本发明所述的薄膜沉积设备会依据冷却步骤及沉积步骤调整挡件与载台及基板之间的距离。在进行冷却步骤前，升降装置会驱动载台及挡件相互靠近，使得挡件接触基板，以将基板固定在载台上，而后将冷却气体输送至载台与基板之间，以避免基板接触冷却气体，而相对于载台位移。此外在进行沉积步骤前，升降装置则会驱动载台及挡件相互远离，使得挡件不接触载台上的基板，以避免影响沉积在基板表面的薄膜品质。

本发明的一目的，在于提供一种薄膜沉积设备，主要于载台上设置一环状构造，其中环状构造位于载台上的基板周围。环状构造上设置至少一凹槽，而挡件上则设置至少一对应的凸出部。在进行沉积步骤时，挡件上部分的凸出部会位于环状构造的凹槽内，以提高挡件的遮挡效果。

本发明的一目的，在于提供一种沉积设备，其中挡件接触至少一冷却循环通道，在使用时可将冷却流体输送至的冷却循环通道，并通过热传导的方式降低挡件及/或基板的温度。

本发明的一目的，在于提供一种薄膜沉积方法，其中升降装置会驱动载台及挡件相互靠近，使得挡件接触并固定载台上的基板，而后再进行冷却步骤，以避免因冷却气体接触基板，而造成基板相对于载台位移。此外升降装置会驱动载台及挡件相互远离，使得挡件不接触载台上的基板，而后进行沉积步骤，以避免影响沉积在基板表面的薄膜品质。

为了达到上述的目的，本发明提出一种薄膜沉积设备，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，流体连接腔体的容置空间，并用以将一制程气体输送至容置空间；一载台，位于容置空间内，并用以承载至少一基板；一支撑件，连接载台；至少一冷却气体输入管线，位于载台内，并将一冷却气体输送至载台与基板之间，使得冷却气体接触基板，以降低基板的温度；至少一挡件，位于腔体的容置空间内；及一升降装置，连接支撑件，并经由支撑件带动载台及挡件相对位移，以调整载台及挡件之间的间距，其中升降装置驱动载台靠近挡件，使得挡件接触载台上的基板，以将基板固定载台上，并通过冷却气体输入管线将冷却气体输送至载台与基板之间，其中升降装置带动载台离开挡件，使得挡件与载台上的基板存在一间隙，并在基板的表面进行一沉积步骤时，关闭冷却气体输入管线。

本发明的提出另一种薄膜沉积设备，包括：一腔体，包括一容置空间；至少一进气口，流体连接腔体的容置空间，并用以将一制程气体输送至容置空间；一载台，位于容置空间内，并用以承载至少一基板；一支撑件，连接载台；至少一冷却气体输入管线，位于载台内，并将一冷却气体输送至载台与基板之间，使得冷却气体接触基板，以降低基板的温度；至少一挡件，位于腔体的容置空间内，其中挡件的一端具有一环形凸缘；一盖环，设置在挡件的环形凸缘上；及一升降装置，连接支撑件，并经由支撑件带动载台相对于挡件上的盖环位移，以调整载台及挡件上的盖环之间的间距，其中升降装置驱动载台靠近盖环，使得挡件上的盖环接触载台上的基板，以将基板固定载台上，并通过冷却气体输入管线将冷却气体输送至载台与基板之间，其中升降装置带动载台离开盖环，使得挡件上的盖环与载台上的基板存在一间隙，并在基板的表面进行一沉积步骤时，关闭冷却气体输入管线。

本发明提出一种薄膜沉积方法，包括：传输一制程气体至一腔体的一容置空间，其中腔体内的一挡件未接触一载台上的至少一基板，并对位于载台上的基板进行一沉积步骤；停止沉积步骤，驱动载台靠近挡件，使得挡件接触载台上的基板；传输一冷却气体至载台与基板之间，使得冷却气体接触基板，以降低基板的温度；及停止传输冷却气体，驱动载台离开挡件，使得挡件不接触基板。

本发明提出另一种薄膜沉积方法，包括：传输一制程气体至一腔体的一容置空间，其中腔体内的一挡件上的一盖环不接触一载台上的至少一基板，并对位于载台上的基板进行一沉积步骤；停止沉积步骤，驱动载台靠近挡件上的盖环，使得盖环接触载台承载的基板；传输一冷却气体至载台与基板之间，使得冷却气体接触基板，以降低基板的温度；及停止传输冷却气体，驱动载台离开挡件上的盖环，使得盖环不接触基板。

所述的薄膜沉积设备，包括至少一冷却循环通道接触挡件，冷却循环通道用以输送一冷却流体，以降低挡件的温度。

所述的薄膜沉积设备，包括一环状构造设置在载台，并环绕设置在基板的周围，其中环状构造包括至少一凹槽，而盖环则包括至少一凸出部，当挡件接触基板时，挡件的凸出部会位于凹槽内。

所述的薄膜沉积设备，其中环状构造包括复数个凹槽，且最靠近载台中心的凹槽的深度大于其他的凹槽，而盖环则包括复数个凸出部，且最靠近载台中心的凸出部的长度大于其他的凸出部。

所述的薄膜沉积设备，其中在基板的表面进行沉积步骤时，最靠近载台中心的凸出部部分位于最靠近载台中心的凹槽内。

所述的沉积方法，其中挡件上的盖环不接触载台上的基板，并进行沉积步骤时，盖环上的至少一凸出部部分位于设置在载台周围的一环状构造的至少一凹槽内。

本发明的有益效果是：避免在薄膜沉积的过程中，在基板上形成凸起或小山丘的问题，同时可省去使用静电吸盘所增加的制程成本。

附图说明

图1为本发明薄膜沉积设备进行进出料步骤一实施例的剖面示意图。

图2为本发明薄膜沉积设备进行沉积步骤一实施例的剖面示意图。

图3为本发明薄膜沉积设备进行冷却步骤一实施例的剖面示意图。

图4为本发明薄膜沉积设备进行沉积步骤又一实施例的剖面示意图。

图5为本发明薄膜沉积设备进行沉积步骤又一实施例的剖面示意图。

图6为本发明薄膜沉积设备进行沉积步骤又一实施例的剖面示意图。

图7为本发明薄膜沉积设备进行沉积步骤一实施例的局部放大剖面示意图。

图8为本发明薄膜沉积设备进行冷却步骤一实施例的局部放大剖面示意图。

图9为本发明薄膜沉积方法一实施例的步骤流程图。

附图标记说明：10-薄膜沉积设备；11-腔体；111-进气口；113-冷却气体输入管线；115-输送口；12-容置空间；121-反应空间；13-载台；131-支撑件；14-基板；15-挡件；151-唇部；16-靶材；17-升降装置；18-冷却循环通道；20-薄膜沉积设备；25-挡件；251-环形凸缘；27-盖环；271-环形凹槽；30-薄膜沉积设备；33-载台；331-底部；333-凸出部；35-挡件；351-环形凸缘；36-环状构造；361-凹槽；37-盖环；371-环形凹槽；373-凸出部；G--间隙。

具体实施方式

请参阅图1至图3，分别为本发明薄膜沉积设备进行进料步骤、沉积步骤及冷却步骤一实施例的构造示意图。如图所示，薄膜沉积设备10主要包括一腔体11、一载台13、至少一挡件15及一升降装置17，其中腔体11具有一容置空间12，而载台13及挡件15位于腔体11的容置空间12内。

腔体11设置至少一进气口111，其中进气口111流体连接腔体11的容置空间12，并用以将一制程气体输送至容置空间12内，以进行沉积制程。

载台13用以承载至少一基板14，并可通过沉积制程在基板14的表面形成薄膜。以物理气相沉积(PVD)的溅镀(sputter deposition)为例，通常会在腔体11的内部设置一靶材16，其中靶材16及基板14相面对。

挡件15位于设置腔体11的容置空间12内，并位于载台13的周围区域，其中挡件15、载台13及腔体11之间可将部分的容置空间12区分成一反应空间121。挡件15可用以限制从靶材16溅射并沉积在基板14表面的材料，并避免在沉积过程中对腔体11造成污染。

将制程气体输送至腔体11的容置空间12及/或反应空间121后，例如制程气体通常是惰性气体，在靶材16及基板14施加高电压，使得靶材16及基板14之间的容置空间12及/或反应空间121形成高压电场。高压电场会使得位于靶材16及基板14之间的容置空间12及/或反应空间121的制程气体解离，并产生电浆。电浆中的正离子会被靶材16的负电压吸引加速，并撞击靶材16的表面，使得获得动能的靶材原子离开靶材16表面并沉积在基板14的表面。物理气相沉积仅为本发明一实施例，并非本发明权利范围的限制，本发明所述的薄膜沉积设备亦可应用在化学气相沉积。

在本发明一实施例中，挡件15的一端连接腔体11的内壁，另一端具有一唇部151，其中唇部151形成一圆盘状空间，而载台13则位于挡件15形成的圆盘状空间的垂直延伸位置。当载台13靠近挡件15时，挡件15的唇部151会接触载台13上的基板14。

在本发明实施例中，主要依据沉积制程的步骤，通过升降装置17调整挡件15与载台13之间的间距。具体而言，沉积制程可包括一进出料步骤、一沉积步骤及一冷却步骤，其中进出料步骤为将腔体11外的基板14输送至载台13，或将基板14输送至腔体11外的步骤。沉积步骤是在基板14的表面形成薄膜，例如当反应空间121内具有制程气体时，对靶材16及基板14施加高电压，以及使得离开靶材16的靶材原子沉积在基板14的表面。冷却步骤则为经由冷却气体输入管线113将冷却气体输送载台13与基板14之间，使得冷却流体接触载台13上的基板14，以降低基板14的温度。

载台13及/或挡件15可经由支撑件131连接一升降装置17，其中升降装置17可通过支撑件131带动载台13相对于挡件15位移，以改变载台13与挡件15之间的距离。升降装置17可使得挡件15远离载台13及基板14，或者使得挡件15靠近及接触载台13及/或基板14。

在进行进出料步骤时，升降装置17通过支撑件131带动载台13远离挡件15，使得载台13靠近设置在腔体11上的一输送口115，例如载台13的上表面与输送口115的高度相近，并可通过一机械手臂(未显示)将载台13上的基板14经由输送口115输送至腔体11的外部，或者是将经由输送口115将腔体11外部的基板14输送至载台13上，如图1所示。

在本发明一实施例中，进气口111可设置在反应空间121及/或挡件15外的腔体11，在完成进出料步骤后，可经由进气口111将制程气体输送至容置空间12及反应空间121内。在不同实施例中，进气口111可设置在挡件15上，并直接将制程气体输送至反应空间121。

而后可继续进行沉积步骤，其中升降装置17可驱动载台13及基板14朝挡件15的方向位移，并在基板14上进行沉积。在进行沉积步骤时，冷却气体输入管线113不会将冷却气体输送至载台13与基板14之间，因此冷却气体不会接触或吹动基板14，使得基板14可平稳的放置在载台13上。因此在进行沉积步骤时，载台13上的基板14会靠近但不会接触挡件15，并于基板14与挡件15之间形成一间隙G，如图2所示。

一般而言，通过沉积步骤在基板14上形成薄膜时，挡件15若接触基板14的部分区域，会使得靠近挡件15接触位置的基板14上所形成的薄膜厚度小于其他区域，进而造成沉积在基板14表面的薄膜厚度不均匀。为此本发明在进行沉积步骤时，挡件15不会接触载台13上的基板14，可避免发生基板14上沉积的薄膜厚度不均匀的情形。

此外本发明在进行沉积步骤时，挡件15虽然不会接触基板14，但仍可使得挡件15接触或靠近载台13，例如挡件15可靠近载台13的部分表面或侧边，以避免对腔体11造成污染。

冷却步骤是通过冷却气体输送管线113将冷却气体输送至载台13与基板14之间，使得冷却气体与基板14接触，然而冷却气体在接触基板14时有可能会造成基板14相对于载台13位移。为此本发明在进行冷却步骤前，升降装置17会先通过支撑件131驱动载台13靠近挡件15，使得挡件15接触及压迫载台13上基板14的部分区域，并将基板14固定在载台13上。可避免冷却气体接触基板14，造成基板14相对于载台13位移，如图3所示。

冷却气体输入管线113设置在载台13内，可将冷却气体输送至载台13与基板14之间，使得冷却气体接触基板14，以降低基板14的温度。在本发明一实施例中，冷却气体输入管线113设置在支撑件131及载台13内，其中冷却气体经由冷却气体输入管线113输送至载台13与基板14之间。

在本发明一实施例中，冷却气体输入管线113延伸并连通载台13用以放置基板14的表面，例如于载台13的上表面设置至少一通道，并将冷却气体输送至载台13与基板12之间，使得冷却气体接触基板12的下表面，以降低基板12的温度。

当冷却步骤进行一段时间或者是基板12温度到达预设温度时，可关闭冷却气体输入管线113，而升降装置131会带动载台13离开挡件15，使得挡件15不接触载台13上的基板12，而后可在基板12的表面进行沉积步骤时。

本发明是依据制程的步骤，通过升降装置17带动载台13与挡件15相对位移，并控制挡件15是否接触基板14。具体而言，本发明可在不使用静电吸盘的前提下，将基板14固定在载台13上并以冷却气体降低基板14温度，此外亦可避免因挡件15接触或遮挡基板14，而造成基板14上沉积的薄膜厚度不均的情形。此外本发明在进行沉积制程时，可进行多次的沉积步骤及多次的冷却步骤。

换言之，本发明在进行沉积制程时不需使用静电吸盘，因此可有效降低薄膜沉积制程的成本，同时不会影响沉积在基板14表面的薄膜品质。

在本发明一实施例中，薄膜沉积设备10可包括至少一冷却循环通道18，其中冷却循环通道18可设置在腔体11内，并接触挡件15的部分表面。冷却循环通道18用以输送一冷却流体，并用以降低挡件15、容置空间12及/或反应空间121的温度。此外当挡件15接触基板14时，冷却循环通道18内的冷却流体可通过热传导的方式降低基板14的温度。

请参阅图4，为本发明薄膜沉积设备进行冷却步骤及沉积步骤又一实施例的构造示意图。如图所示，薄膜沉积设备20主要包括一腔体11、一载台13、至少一挡件25、一盖环27及一升降装置17，其中腔体11具有一容置空间12，而载台13、挡件25及盖环27位于腔体11的容置空间12内。

本发明实施例所述的薄膜沉积设备20与图1至图3的薄膜沉积设备10相近，两者的差异在于本发明的薄膜沉积设备20包括一盖环27，且挡件25与图1至图3的薄膜沉积设备10的挡件15的形状不同。

本发明实施例的挡件25的一端连接腔体11，而另一端则连接盖环27。具体而言，挡件25及盖环27为两个独立的构件，其中挡件25未连接腔体11的一端具有一环形凸缘251，而盖环27则放置在环形凸缘253上。例如环形凸缘251可朝腔体11的上表面或靶材16的方向凸出，而盖环27则具有一环形凹槽271，其中挡件25的环形凸缘251可插入盖环27的环形凹槽271，以将盖环27设置在挡件25上。

在进行冷却步骤前，升降装置17可通过支撑件131驱动载台13靠近挡件25及/或盖环27，使得挡件25上的盖环27接触及压迫载台13上基板14的部分区域，以将基板14固定在载台13上。而后再通过冷却气体输送管线113将冷却气体输送至载台13与基板14之间，使得冷却气体与基板14接触。

在进行沉积步骤之前，升降装置17通过支撑件131驱动载台13稍微离开挡件25及/或盖环27，使得挡件25上的盖环27与载台13上基板14存在一间隙，而后再通过沉积的方式于基板14的表面形成薄膜。

请参阅图5，为本发明薄膜沉积设备进行沉积步骤又一实施例的剖面示意图。如图所示，薄膜沉积设备30主要包括一腔体11、一载台33、至少一挡件35、一环状构造36、一盖环37及一升降装置17，其中腔体11具有一容置空间12，而载台33、挡件35、环状构造36及盖环37位于腔体11的容置空间12内。

本发明实施例所述的薄膜沉积设备30与图4的薄膜沉积设备20相近，两者的差异在于本实施例的薄膜沉积设备30的盖环37与图4的薄膜沉积设备20的盖环27的构造不同，此外本发明实施例还包括环状构造36。

本发明实施例的挡件35的一端连接腔体11，而另一端则连接盖环37。具体而言，挡件35及盖环37可为两个独立的构件，其中挡件35未连接腔体11的一端具有一环形凸缘351，而盖环37则放置在环形凸缘351上。例如环形凸缘351可朝腔体11的上表面或靶材16的方向凸出，而盖环37则具有一环形凹槽371，其中挡件35的环形凸缘351可插入盖环37的环形凹槽371，以将盖环37设置在挡件35上。

本发明实施例所述的环状构造36设置在载台33上，并环绕设置在基板14的周围，其中环状构造36包括至少一凹槽361。具体而言，本发明实施例的载台33包括一底部331及一凸出部333，其中凸出部333的位于底部331的上方，且凸出部333的截面积小于底部331，并以凸出部333承载基板14。

环状构造36可设置在载台33上，例如环状构造36可套设在载台33的凸出部333，其中环状构造36及凹槽361位于基板14的周围，例如部分的环状构造36可位于基板14的下方，而凹槽361则朝向腔体11的顶面及/或靶材16的方向。

本发明实施例的盖环37还包括至少一凸出部373，其中凸出部373朝向环状构造36及/或凹槽361。在进行冷却步骤时，升降装置17会驱动载台33及挡件35相互靠近，使得挡件35的盖环37接触并压迫基板14的部分区域，而盖环37的凸出部373则会进入环状构造36的凹槽361内。而后可通过冷却气体输入管线113将冷却气体输送至载台33与基板12之间，以降低基板14的温度。

在进行沉积步骤时，升降装置17会驱动载台33及挡件35相互远离，使得盖环37离开基板14，而盖环37的凸出部373则会离开环状构造36的凹槽361。通过在环状构造36上设置凹槽361，并在盖环37上设置对应的凸出部37，可在进行沉积步骤时遮挡靶材原子，以提高挡件35的遮挡效果。在不同实施例中，在进行沉积步骤时，盖环37的部分凸出部373会位于环状构造36的凹槽361内，以提高遮挡的效果。

在本发明另一实施例中，盖环37上设置复数个凸出部373，而环状构造36上则设置复数个凹槽361，其中凸出部373的数量与凹槽361的数量相同。如图6至图8所示，盖环37上设置两个环状的凸出部373，而环状构造36上则设置两个环状的凹槽361，其中盖环37上最靠近载台33中心的凸出部373的长度大于其他(另一个)凸出部373，而环状构造36上最靠近载台33中心的凹槽361的深度则大于其他(另一个)凹槽361，以提高遮挡的效果。

在进行沉积步骤时，如图7所示，盖环37与基板14之间存在一间隙G，其中盖环37的至少一个凸出部373的长度会大于间隙G，使得盖环37的至少一个凸出部373位于环状构造36的至少一凹槽361内，例如最靠近载台33中心的凸出部337部分位于最靠近载台33中心的凹槽361内，可提高遮挡的效果。

在进行冷却步骤时，如图8所示，部分的盖环37会接触基板14，并将基板14固定在载台33上，而盖环37的各个凸出部373则会分别位于环状构造36的各个凹槽361内。

请参阅图9，为本发明薄膜沉积方法一实施例的步骤流程图。如图所示，并请配合参阅上述的图1至图8，对位于腔体11的容置空间12内的载台13/33上的基板14进行一沉积步骤，以在基板14的表面形成薄膜，此时挡件15或挡件25/35上的盖环27/37不接触载台13/33上的基板14，如步骤41所示。

在进行沉积步骤前，可先进行进出料步骤，其中升降装置17可带动载台13/33远离挡件15/25/35，使得载台13/33靠近设置在腔体11上的一输送口115，例如载台13/33的上表面与基本输送口115的高度相近，并可通过一机械手臂(未显示)经由输送口115将腔体11外部的基板14输送至载台13/33上。

具体而言，沉积步骤包括传输制程气体至腔体11的容置空间12，并在靶材16及基板14上施加高电压，使得靶材16及基板14之间的容置空间12形成高压电场。高压电场会使得位于靶材16及基板14之间的容置空间12的制程气体解离，并产生电浆。电浆中的正离子会被靶材16的负电压吸引加速，并撞击靶材16的表面，使得获得动能的靶材原子离开靶材16表面并沉积在基板14的表面。在本发明一实施例中，在进行沉积步骤时，盖环37至少一个凸出部373部分位于环状构造36的至少一凹槽361内，可提高遮挡的效果。

而后可停止沉积步骤，例如当基板14的温度高于一预设温度，或者是进行沉积步骤的时间超过一预设时间时停止沉积步骤，以升降装置113驱动挡件15或挡件25/35上的盖环27/37相互靠近载台13/33，使得挡件15或挡件25/35上的盖环27/37接触基板14，并将基板14固定在载台13/33上，如步骤43所示。

挡件15/25/35在将基板14固定在载台13/33后，可经由冷却气体输入管线113将冷却气体输送至载台13/33与基板14之间，使得冷却气体接触基板14，以降低基板14的温度，如步骤45所示。

当基板14的温度降低后，停止输送冷却气体，并通过升降装置17驱动载台13/33及挡件15/25/35相互远离，使得挡件15或挡件25/35上的盖环27/37不接触基板14，如步骤47所示，而后可继续进行沉积步骤。

在沉积制程中可重复上述步骤41至步骤47，通过多次的沉积步骤及冷却步骤的重复进行，可有效控制基板14的温度，并避免在沉积过程中因为温度累积及热应力的影响，而在基板14上形成凸起或小山丘。

此外在完成沉积制程后，可进行进出料步骤，其中升降装置17带动载台13/33远离挡件15/25/35，使得载台13/33靠近设置在腔体11上的一输送口115，例如载台13/33的上表面与基本输送口115的高度相近，并通过一机械手臂(未显示)将载台13/33上的基板14经由输送口115输送至腔体11的外部。

本发明优点：

避免在薄膜沉积的过程中，在基板上形成凸起或小山丘的问题，同时可省去使用静电吸盘所增加的制程成本。

以上所述，仅为本发明的一较佳实施例而已，并非用来限定本发明实施的范围，即凡依本发明申请专利范围所述的形状、构造、特征及精神所为的均等变化与修饰，均应包括于本发明的申请专利范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：

一腔体，包括一容置空间；

至少一进气口，流体连接该腔体的该容置空间，并用以将一制程气体输送至该容置空间；

一载台，位于该容置空间内，并用以承载至少一基板；

一支撑件，连接该载台；

至少一冷却气体输入管线，位于该载台内，并将一冷却气体输送至该载台与该基板之间，使得该冷却气体接触该基板，以降低该基板的温度；

至少一挡件，位于该腔体的该容置空间内；及

一升降装置，连接该支撑件，并经由该支撑件带动该载台及该挡件相对位移，以调整该载台及该挡件之间的间距，其中该升降装置驱动该载台靠近该挡件，使得该挡件接触该载台上的该基板，以将该基板固定该载台上，并通过该冷却气体输入管线将该冷却气体输送至该载台与该基板之间，其中该冷却气体输入管线停止输送该冷却气体，该升降装置带动该载台离开该挡件，使得该挡件与该载台上的该基板存在一间隙，并在该基板的表面进行一沉积步骤。

2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其特征在于，包括至少一冷却循环通道接触该挡件，该冷却循环通道用以输送一冷却流体，以降低该挡件的温度。

3.一种薄膜沉积设备，其特征在于，包括：

一腔体，包括一容置空间；

至少一进气口，流体连接该腔体的该容置空间，并用以将一制程气体输送至该容置空间；

一载台，位于该容置空间内，并用以承载至少一基板；

一支撑件，连接该载台；

至少一冷却气体输入管线，位于该载台内，并将一冷却气体输送至该载台与该基板之间，使得该冷却气体接触该基板，以降低该基板的温度；

至少一挡件，位于该腔体的该容置空间内，其中该挡件的一端具有一环形凸缘；

一盖环，设置在该挡件的该环形凸缘上；及

一升降装置，连接该支撑件，并经由该支撑件带动该载台相对于该挡件上的该盖环位移，以调整该载台及该挡件上的该盖环之间的间距，其中该升降装置驱动该载台靠近该盖环，使得该挡件上的该盖环接触该载台上的该基板，以将该基板固定该载台上，并通过该冷却气体输入管线将该冷却气体输送至该载台与该基板之间，其中该冷却气体输入管线停止输送该冷却气体，该升降装置带动该载台离开该盖环，使得该挡件上的该盖环与该载台上的该基板存在一间隙，并在该基板的表面进行一沉积步骤。

4.根据权利要求3所述的薄膜沉积设备，其特征在于，包括一环状构造设置在该载台上，并环绕设置在该基板的周围，其中该环状构造包括至少一凹槽，而该盖环则包括至少一凸出部，当该挡件接触该基板时，该挡件的该凸出部会位于该凹槽内。

5.根据权利要求4所述的薄膜沉积设备，其特征在于，其中该环状构造包括复数个凹槽，且最靠近该载台中心的该凹槽的深度大于其他的该凹槽，而该盖环则包括复数个凸出部，且最靠近该载台中心的该凸出部的长度大于其他的该凸出部。

6.根据权利要求5所述的薄膜沉积设备，其特征在于，其中在该基板的表面进行该沉积步骤时，最靠近该载台中心的该凸出部部分位于最靠近该载台中心的该凹槽内。

7.根据权利要求3所述的薄膜沉积设备，其特征在于，包括至少一冷却循环通道接触该挡件，该冷却循环通道用以输送一冷却流体，以降低该挡件及该盖环的温度。

8.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

传输一制程气体至一腔体的一容置空间，其中该腔体内的一挡件未接触一载台上的至少一基板，并对位于该载台上的该基板进行一沉积步骤；

停止该沉积步骤，驱动该载台靠近该挡件，使得该挡件接触该载台上的该基板；

传输一冷却气体至该载台与该基板之间，使得该冷却气体接触该基板，以降低该基板的温度；及

停止传输该冷却气体，驱动该载台离开该挡件，使得该挡件不接触该基板。

9.一种薄膜沉积方法，其特征在于，包括：

传输一制程气体至一腔体的一容置空间，其中该腔体内的一挡件上的一盖环不接触一载台上的至少一基板，并对位于该载台上的该基板进行一沉积步骤；

停止该沉积步骤，驱动该载台靠近该挡件上的该盖环，使得该盖环接触该载台承载的该基板；

传输一冷却气体至该载台与该基板之间，使得该冷却气体接触该基板，以降低该基板的温度；及

停止传输该冷却气体，驱动该载台离开该挡件上的该盖环，使得该盖环不接触该基板。

10.根据权利要求9所述的沉积方法，其特征在于，其中该挡件上的该盖环不接触该载台上的该基板，并进行该沉积步骤时，该盖环上的至少一凸出部部分位于设置在该载台周围的一环状构造的至少一凹槽内。

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