CN112435953B - 晶圆刻蚀转动机构 - Google Patents
晶圆刻蚀转动机构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112435953B CN112435953B CN202011243069.9A CN202011243069A CN112435953B CN 112435953 B CN112435953 B CN 112435953B CN 202011243069 A CN202011243069 A CN 202011243069A CN 112435953 B CN112435953 B CN 112435953B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wall
- wafer
- etching
- bolts
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 26
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 69
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 244000309464 bull Species 0.000 claims 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 80
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 5
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
本发明属于晶圆刻蚀技术领域，尤其是晶圆刻蚀转动机构，针对现有的晶圆刻蚀转动机构一般都只能朝着一个方向进行转动，但是晶圆在刻蚀过程中如果只朝着一个方向转动很容易导致晶圆的刻蚀槽出现深度不够均匀，并且精度不够等缺点的问题，现提出以下方案，包括工作台，所述工作台的底部外壁通过螺栓固定有连接板，所述连接板的顶部外壁通过螺栓固定有电机，所述电机的输出轴通过联轴器连接有转杆，所述转杆的一端通过螺栓固定有转板。本发明伸缩弹簧拉动收卷橡胶布向回收缩，直到下一次拉动电机反转开关，周而复始，从而可以控制转板转动几圈后再反转几圈，从而可以保证晶圆在刻蚀过程中保持较好的刻蚀效果。
Description
技术领域
本发明涉及晶圆刻蚀技术领域，尤其涉及晶圆刻蚀转动机构。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主，晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工一片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。
在硅晶片的加工制作过程中，人们常常会对晶圆进行刻蚀，刻蚀一般会对稀释后的盐酸进行雾化，然后将雾化后的盐酸气体喷到晶圆的表面，然后再配合对晶圆的转动，从而达到较好的刻蚀效果。
但是在实际使用过程中，现有的晶圆刻蚀转动机构一般都只能朝着一个方向进行转动，但是晶圆在刻蚀过程中如果只朝着一个方向转动很容易导致晶圆的刻蚀槽出现深度不够均匀，并且精度不够等缺点，实用性较差。
发明内容
基于现有的晶圆刻蚀转动机构一般都只能朝着一个方向进行转动，但是晶圆在刻蚀过程中如果只朝着一个方向转动很容易导致晶圆的刻蚀槽出现深度不够均匀，并且精度不够等缺点的技术问题，本发明提出了晶圆刻蚀转动机构。
本发明提出的晶圆刻蚀转动机构，包括工作台，所述工作台的底部外壁通过螺栓固定有连接板，所述连接板的顶部外壁通过螺栓固定有电机，所述电机的输出轴通过联轴器连接有转杆，所述转杆的一端通过螺栓固定有转板，所述转板的顶部外壁设置有密封机构，所述工作台的两侧外壁的两边均通过螺栓固定有安装架，所述安装架的外壁滑动连接有顶板，所述顶板的顶部外壁设置有雾化机构，所述转杆的外壁栓接有收卷橡胶布，所述工作台的顶部外壁开有安装槽，所述安装槽一侧内壁的两边均开有连接槽，所述连接槽的内壁插接有伸缩柱，所述伸缩柱的一端通过螺栓固定有连接块，所述收卷橡胶布的一端栓接于连接块的外壁，所述伸缩柱的外壁套接有伸缩弹簧，所述安装槽的一侧内壁通过螺栓固定有电机反转开关，且电机反转开关的一端通过螺栓固定于连接块的一侧外壁，所述安装槽的一边内壁通过螺栓固定有保护壳，所述保护壳的内壁和收卷橡胶布的外壁配合使用，所述连接板的底部外壁设置有混合机构。
优选地，所述安装槽的内壁通过铰链连接有挡板，且挡板和安装槽配合使用。
优选地，所述密封机构包括密封槽，密封槽的内壁通过螺栓固定有密封圈，且转板的顶部外壁开有等距离分布的插接孔，插接孔的内壁插接有固定吸盘。
优选地，所述转板的底部外壁通过螺栓固定有缓冲箱，且缓冲箱的一侧外壁通过螺栓固定有吸气泵，吸气泵的输入端与缓冲箱内部相通，缓冲箱的一边外壁开有泄压孔，泄压孔的内壁插接有泄压管。
优选地，所述工作台的顶部外壁开有操作孔，且操作孔的内壁通过螺栓固定有收集环，收集环和转板配合使用。
优选地，所述混合机构包括储水箱和盐酸储存箱，连接板的底部外壁通过螺栓固定有混合箱，且储水箱和盐酸储存箱均通过连接管与混合箱内部相通。
优选地，所述混合箱的一边外壁通过螺栓固定有增压泵，且增压泵的输出端套接有输送管。
优选地，所述雾化机构包括雾化箱，输送管远离增压泵的一端与雾化箱内部相通，且顶板的底部外壁通过螺栓固定有刻蚀筒，刻蚀筒的顶部内壁通过螺栓固定有喷淋板，喷淋板和雾化箱配合使用，工作台顶部外壁的两边均开有滑槽，滑槽的内壁通过螺栓固定有滑轨，滑轨的内壁与刻蚀筒的底部外壁配合使用。
优选地，所述刻蚀筒的外壁开有嵌接槽，且嵌接槽的内壁嵌接有玻璃观察窗。
优选地，所述刻蚀筒的内壁通过螺栓固定有导流板，且导流板和转板配合使用。
本发明中的有益效果为：
1、本发明通过设置有电机、转杆、转板、收卷橡胶布、连接块、伸缩弹簧、伸缩柱和电机反转开关，在对晶圆进行刻蚀时，先通过密封机构对晶圆进行固定，然后启动电机带动转杆转动，然后启动雾化机构对晶圆进行刻蚀，当转杆转动的同时可以带动收卷橡胶布进行收卷，由于收卷橡胶布的长度是一定的，当收卷橡胶布完全收卷在转杆上面时，收卷橡胶布会拉动连接块移动，连接块移动的同时带动电机反转开关开启，此时电机开始反转，同时伸缩弹簧拉动收卷橡胶布向回收缩，直到下一次拉动电机反转开关，周而复始，从而可以控制转板转动几圈后再反转几圈，从而可以保证晶圆在刻蚀过程中保持较好的刻蚀效果，通过保护壳可以对收卷橡胶布进行保护，结构合理，实用性较强。
2、本发明通过设置有固定吸盘、缓冲箱、吸气泵、泄压管和收集环，在对晶圆进行固定时，先将晶圆放置在转板上面的固定吸盘上，侧边卡在密封圈上面，然后启动吸气泵将晶圆与转板之间的空气全部吸走，从而可以让晶圆紧贴在固定吸盘上面，从而可以将晶圆的上表面全部呈现在刻蚀筒下方，方便对晶圆进行刻蚀，并且固定效果较好，取下晶圆时只需要开启泄压管上面阀门将空气输送到固定吸盘处即可轻松取出晶圆，操作方便，当晶圆转动时会将多余的酸液甩出，通过收集环可以对多余的酸液进行收集，防止酸液溅射到工作台面上面。
3、本发明通过设置有储水箱、盐酸储存箱、混合箱、增压泵、输送管和雾化箱，通过将储水箱中的水和盐酸储存箱中的盐酸都输送到混合箱中可以对盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液通过增压泵和输送管输送到雾化箱中，通过雾化箱可以对盐酸溶液进行雾化，然后利用雾化后的盐酸溶液对晶圆进行刻蚀，通过玻璃观察窗可以观察到刻蚀筒内部的刻蚀情况，通过滑轨和安装架可以滑动刻蚀筒左右移动，从而方便对晶圆进行取放。
4、本发明通过设置有导流板，由于喷淋板将盐酸喷雾喷出的过程中可能会将盐酸喷雾喷到刻蚀筒以外，从而会造成人身伤害，通过导流板可以让多余的盐酸喷雾进入到收集环中进行储存，方便人们对酸液进行集中处理。
附图说明
图1为本发明实施例1提出的晶圆刻蚀转动机构的整体结构示意图；
图2为本发明提出的晶圆刻蚀转动机构的缓冲箱立体结构图；
图3为本发明提出的晶圆刻蚀转动机构的固定吸盘立体结构图；
图4为本发明提出的晶圆刻蚀转动机构的A处放大结构示意图；
图5为本发明实施例2提出的晶圆刻蚀转动机构的立体结构图。
图中：1顶板、2刻蚀筒、3输送管、4滑轨、5增压泵、6混合箱、7安装架、8挡板、9工作台、10雾化箱、11转板、12泄压管、13收卷橡胶布、14电机、15转杆、16吸气泵、17缓冲箱、18固定吸盘、19密封圈、20收集环、21储水箱、22盐酸储存箱、23保护壳、24连接块、25伸缩弹簧、26电机反转开关、27玻璃观察窗、28导流板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例1：
参照图1-4，晶圆刻蚀转动机构，包括工作台9，工作台9的底部外壁通过螺栓固定有连接板，连接板的顶部外壁通过螺栓固定有电机14，电机14的输出轴通过联轴器连接有转杆15，转杆15的一端通过螺栓固定有转板11，转板11的顶部外壁设置有密封机构，工作台9的两侧外壁的两边均通过螺栓固定有安装架7，安装架7的外壁滑动连接有顶板1，顶板1的顶部外壁设置有雾化机构，转杆15的外壁栓接有收卷橡胶布13，工作台9的顶部外壁开有安装槽，安装槽一侧内壁的两边均开有连接槽，连接槽的内壁插接有伸缩柱，伸缩柱的一端通过螺栓固定有连接块24，收卷橡胶布13的一端栓接于连接块24的外壁，伸缩柱的外壁套接有伸缩弹簧25，安装槽的一侧内壁通过螺栓固定有电机反转开关26，且电机反转开关26的一端通过螺栓固定于连接块24的一侧外壁，安装槽的一边内壁通过螺栓固定有保护壳23，保护壳23的内壁和收卷橡胶布13的外壁配合使用，连接板的底部外壁设置有混合机构，在对晶圆进行刻蚀时，先通过密封机构对晶圆进行固定，然后启动电机14带动转杆15转动，然后启动雾化机构对晶圆进行刻蚀，当转杆15转动的同时可以带动收卷橡胶布13进行收卷，由于收卷橡胶布13的长度是一定的，当收卷橡胶布13完全收卷在转杆15上面时，收卷橡胶布13会拉动连接块24移动，连接块24移动的同时带动电机反转开关26开启，此时电机14开始反转，同时伸缩弹簧25拉动收卷橡胶布13向回收缩，直到下一次拉动电机反转开关26，周而复始，从而可以控制转板11转动几圈后再反转几圈，从而可以保证晶圆在刻蚀过程中保持较好的刻蚀效果。
本发明中安装槽的内壁通过铰链连接有挡板8，且挡板8和安装槽配合使用，通过挡板8可以对电机反转开关26进行保护。
本发明中密封机构包括密封槽，密封槽的内壁通过螺栓固定有密封圈19，且转板11的顶部外壁开有等距离分布的插接孔，插接孔的内壁插接有固定吸盘18。
本发明中转板11的底部外壁通过螺栓固定有缓冲箱17，且缓冲箱17的一侧外壁通过螺栓固定有吸气泵16，吸气泵16的输入端与缓冲箱17内部相通，缓冲箱17的一边外壁开有泄压孔，泄压孔的内壁插接有泄压管12，对晶圆进行固定时，先将晶圆放置在转板11上面的固定吸盘18上，侧边卡在密封圈19上面，然后启动吸气泵16将晶圆与转板11之间的空气全部吸走，从而可以让晶圆紧贴在固定吸盘18上面，从而可以将晶圆的上表面全部呈现在刻蚀筒2下方，方便对晶圆进行刻蚀，并且固定效果较好，取下晶圆时只需要开启泄压管12上面阀门将空气输送到固定吸盘18处即可轻松取出晶圆。
本发明中工作台9的顶部外壁开有操作孔，且操作孔的内壁通过螺栓固定有收集环20，收集环20和转板11配合使用，当晶圆转动时会将多余的酸液甩出，通过收集环20可以对多余的酸液进行收集，防止酸液溅射到工作台9面上面。
本发明中混合机构包括储水箱21和盐酸储存箱22，连接板的底部外壁通过螺栓固定有混合箱6，且储水箱21和盐酸储存箱22均通过连接管与混合箱6内部相通。
本发明中混合箱6的一边外壁通过螺栓固定有增压泵5，且增压泵5的输出端套接有输送管3，通过将储水箱21中的水和盐酸储存箱22中的盐酸都输送到混合箱6中可以对盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液通过增压泵5和输送管3输送到雾化箱10中，通过雾化箱10可以对盐酸溶液进行雾化，然后利用雾化后的盐酸溶液对晶圆进行刻蚀。
本发明中雾化机构包括雾化箱10，输送管3远离增压泵5的一端与雾化箱10内部相通，且顶板1的底部外壁通过螺栓固定有刻蚀筒2，刻蚀筒2的顶部内壁通过螺栓固定有喷淋板，喷淋板和雾化箱10配合使用，工作台9顶部外壁的两边均开有滑槽，滑槽的内壁通过螺栓固定有滑轨4，滑轨4的内壁与刻蚀筒2的底部外壁配合使用，通过滑轨4和安装架7可以滑动刻蚀筒2左右移动，从而方便对晶圆进行取放。
本发明中刻蚀筒2的外壁开有嵌接槽，且嵌接槽的内壁嵌接有玻璃观察窗27，通过玻璃观察窗27可以观察到刻蚀筒2内部的刻蚀情况。
使用时，在对晶圆进行刻蚀时，先通过密封机构对晶圆进行固定，然后启动电机14带动转杆15转动，然后启动雾化机构对晶圆进行刻蚀，当转杆15转动的同时可以带动收卷橡胶布13进行收卷，由于收卷橡胶布13的长度是一定的，当收卷橡胶布13完全收卷在转杆15上面时，收卷橡胶布13会拉动连接块24移动，连接块24移动的同时带动电机反转开关26开启，此时电机14开始反转，同时伸缩弹簧25拉动收卷橡胶布13向回收缩，直到下一次拉动电机反转开关26，周而复始，从而可以控制转板11转动几圈后再反转几圈，从而可以保证晶圆在刻蚀过程中保持较好的刻蚀效果，通过保护壳23可以对收卷橡胶布13进行保护，在对晶圆进行固定时，先将晶圆放置在转板11上面的固定吸盘18上，侧边卡在密封圈19上面，然后启动吸气泵16将晶圆与转板11之间的空气全部吸走，从而可以让晶圆紧贴在固定吸盘18上面，从而可以将晶圆的上表面全部呈现在刻蚀筒2下方，方便对晶圆进行刻蚀，并且固定效果较好，取下晶圆时只需要开启泄压管12上面阀门将空气输送到固定吸盘18处即可轻松取出晶圆，操作方便，当晶圆转动时会将多余的酸液甩出，通过收集环20可以对多余的酸液进行收集，防止酸液溅射到工作台9面上面，通过将储水箱21中的水和盐酸储存箱22中的盐酸都输送到混合箱6中可以对盐酸进行稀释，稀释后的盐酸溶液通过增压泵5和输送管3输送到雾化箱10中，通过雾化箱10可以对盐酸溶液进行雾化，然后利用雾化后的盐酸溶液对晶圆进行刻蚀，通过玻璃观察窗27可以观察到刻蚀筒2内部的刻蚀情况，通过滑轨4和安装架7可以滑动刻蚀筒2左右移动，从而方便对晶圆进行取放。
实施例2：
参照图5，晶圆刻蚀转动机构，本实施例相较于实施例1，还包括刻蚀筒2的内壁通过螺栓固定有导流板28，且导流板28和转板11配合使用，由于喷淋板将盐酸喷雾喷出的过程中可能会将盐酸喷雾喷到刻蚀筒2以外，从而会造成人身伤害，通过导流板28可以让多余的盐酸喷雾进入到收集环20中进行储存，方便人们对酸液进行集中处理。
使用时，由于喷淋板将盐酸喷雾喷出的过程中可能会将盐酸喷雾喷到刻蚀筒2以外，从而会造成人身伤害，通过导流板28可以让多余的盐酸喷雾进入到收集环20中进行储存，方便人们对酸液进行集中处理。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.晶圆刻蚀转动机构，包括工作台(9)，其特征在于，所述工作台(9)的底部外壁通过螺栓固定有连接板，所述连接板的顶部外壁通过螺栓固定有电机(14)，所述电机(14)的输出轴通过联轴器连接有转杆(15)，所述转杆(15)的一端通过螺栓固定有转板(11)，所述转板(11)的顶部外壁设置有密封机构，所述工作台(9)的两侧外壁的两边均通过螺栓固定有安装架(7)，所述安装架(7)的外壁滑动连接有顶板(1)，所述顶板(1)的顶部外壁设置有雾化机构，所述转杆(15)的外壁栓接有收卷橡胶布(13)，所述工作台(9)的顶部外壁开有安装槽，所述安装槽一侧内壁的两边均开有连接槽，所述连接槽的内壁插接有伸缩柱，所述伸缩柱的一端通过螺栓固定有连接块(24)，所述收卷橡胶布(13)的一端栓接于连接块(24)的外壁，所述伸缩柱的外壁套接有伸缩弹簧(25)，所述安装槽的一侧内壁通过螺栓固定有电机反转开关(26)，且电机反转开关(26)的一端通过螺栓固定于连接块(24)的一侧外壁，所述安装槽的一边内壁通过螺栓固定有保护壳(23)，所述保护壳(23)的内壁和收卷橡胶布(13)的外壁配合使用，所述连接板的底部外壁设置有混合机构。
2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述安装槽的内壁通过铰链连接有挡板(8)，且挡板(8)和安装槽配合使用。
3.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述密封机构包括密封槽，密封槽的内壁通过螺栓固定有密封圈(19)，且转板(11)的顶部外壁开有等距离分布的插接孔，插接孔的内壁插接有固定吸盘(18)。
4.根据权利要求3所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述转板(11)的底部外壁通过螺栓固定有缓冲箱(17)，且缓冲箱(17)的一侧外壁通过螺栓固定有吸气泵(16)，吸气泵(16)的输入端与缓冲箱(17)内部相通，缓冲箱(17)的一边外壁开有泄压孔，泄压孔的内壁插接有泄压管(12)。
5.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述工作台(9)的顶部外壁开有操作孔，且操作孔的内壁通过螺栓固定有收集环(20)，收集环(20)和转板(11)配合使用。
6.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述混合机构包括储水箱(21)和盐酸储存箱(22)，连接板的底部外壁通过螺栓固定有混合箱(6)，且储水箱(21)和盐酸储存箱(22)均通过连接管与混合箱(6)内部相通。
7.根据权利要求6所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述混合箱(6)的一边外壁通过螺栓固定有增压泵(5)，且增压泵(5)的输出端套接有输送管(3)。
8.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述雾化机构包括雾化箱(10)，输送管(3)远离增压泵(5)的一端与雾化箱(10)内部相通，且顶板(1)的底部外壁通过螺栓固定有刻蚀筒(2)，刻蚀筒(2)的顶部内壁通过螺栓固定有喷淋板，喷淋板和雾化箱(10)配合使用，工作台(9)顶部外壁的两边均开有滑槽，滑槽的内壁通过螺栓固定有滑轨(4)，滑轨(4)的内壁与刻蚀筒(2)的底部外壁配合使用。
9.根据权利要求8所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述刻蚀筒(2)的外壁开有嵌接槽，且嵌接槽的内壁嵌接有玻璃观察窗(27)。
10.根据权利要求9所述的晶圆刻蚀转动机构，其特征在于，所述刻蚀筒(2)的内壁通过螺栓固定有导流板(28)，且导流板(28)和转板(11)配合使用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011243069.9A CN112435953B (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 晶圆刻蚀转动机构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011243069.9A CN112435953B (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 晶圆刻蚀转动机构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112435953A CN112435953A (zh) | 2021-03-02 |
| CN112435953B true CN112435953B (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=74699693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011243069.9A Active CN112435953B (zh) | 2020-11-09 | 2020-11-09 | 晶圆刻蚀转动机构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112435953B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144074A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Denso Corp | 半導体ウエハの表面処理装置 |
| JP2006032640A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハのエッチング装置 |
| CN108648980A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-12 | 梁亚 | 一种多自由度半导体晶圆刻蚀装置 |
| CN109285784A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-01-29 | 江苏英锐半导体有限公司 | 一种晶圆生产用表面化学刻蚀装置 |
-
2020
- 2020-11-09 CN CN202011243069.9A patent/CN112435953B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001144074A (ja) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Denso Corp | 半導体ウエハの表面処理装置 |
| JP2006032640A (ja) * | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 半導体ウェーハのエッチング装置 |
| CN108648980A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-12 | 梁亚 | 一种多自由度半导体晶圆刻蚀装置 |
| CN109285784A (zh) * | 2018-10-17 | 2019-01-29 | 江苏英锐半导体有限公司 | 一种晶圆生产用表面化学刻蚀装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112435953A (zh) | 2021-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112435953B (zh) | 晶圆刻蚀转动机构 | |
| CN112864059A (zh) | 一种半导体晶圆清洗装置及其工作方法 | |
| CN110391149A (zh) | 硅片分片及吸片送片装置以及硅片分片吸片送片的方法 | |
| CN111604756A (zh) | 一种玻璃板的弧边倒角方法 | |
| CN116728625A (zh) | 一种半导体晶圆划片机 | |
| CN210968495U (zh) | 一种汽车配件生产用喷砂装置 | |
| CN115464478B (zh) | 一种不锈钢管内壁抛光装置 | |
| CN112864051A (zh) | 一种晶圆的清洗方法 | |
| CN213136265U (zh) | 一种民航座椅隔断表面废料打磨清理装置 | |
| CN108058074A (zh) | 一种建筑用pc板的打磨搬运装置 | |
| CN210396279U (zh) | 用于混凝土搅拌车的看料台 | |
| CN215389803U (zh) | 一种可清理的粉碎机的粉碎装置 | |
| CN211989897U (zh) | 一种便于调节的硅棒清洗架 | |
| CN215896352U (zh) | 全自动插片机水中分片机构 | |
| CN215162150U (zh) | 一种用于高强度玻璃加工中的玻璃切割机 | |
| CN210336482U (zh) | 一种硅片切片装置 | |
| CN217752149U (zh) | 一种板材切割入料装置 | |
| CN115634870B (zh) | 一种晶圆加工用清洗装置 | |
| CN211160506U (zh) | 一种方便清除材料表面杂质的涂装装置 | |
| CN114856128B (zh) | 一种房建施工用室内腻子喷涂装置及使用方法 | |
| CN219029511U (zh) | 一种用于建筑石料加工的转运装置 | |
| CN221019992U (zh) | 一种铝塑门窗落料装置 | |
| CN219882055U (zh) | 一种用于铜合金工件去毛刺装置 | |
| CN215314273U (zh) | 一种晶圆片表面清洗装置 | |
| CN217251075U (zh) | 一种晶圆清洗高效的湿法清洗设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: No.45 and 51, Yougu Industrial Park, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant after: GMC SEMITECH Co.,Ltd. Address before: No. 45, Yougu Enterprise Park, 58 Jinghong Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: GMC SEMITECH Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 1 Jingxiang Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: Jimsi Semiconductor Technology (Wuxi) Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No.45 and 51, Yougu Industrial Park, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: GMC SEMITECH Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |