CN112427653A - 基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法,步骤包括(1)于真空条件下,将铝合金粉末铺设在激光选区,并发出激光束对该激光选区的铝合金粉末进行选区熔化,得到铝合金层;(2)于铝合金层上铺设单质碳和单质硼混合粉末,并发出激光束对单质碳和单质硼混合粉末进行选区熔化,通过原位反应实时生成碳化硼,得到碳化硼层,并且完成碳化硼层和铝合金层的层间熔合;(3)重复步骤(1)和步骤(2),直至完成所需产品。该制造方法工艺流程简单,获得的B4C颗粒均匀弥散分布在铝基体中的复合材料,用于乏燃料贮存格架材料或乏燃料转运容器时具有较高的临界安全性。本申请还提供一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置。
Description
技术领域
本发明涉及铝基碳化硼复合材料的制备方法,尤其涉及一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法和装置。
背景技术
目前国内乏燃料贮存格架已实现自主化设计,但关键的中子吸收材料仍然主要依靠进口,大大制约了乏燃料贮存格架的国产化进程。因此,加快乏燃料贮存用中子吸收材料的研发和生产工作已刻不容缓。随着我国核电行业的快速发展,其运营过程中产生的乏燃料数量急剧增加。乏燃料从反应堆中卸除后,其链式反应将持续较长时间,故还具有较大的衰变能且可能重返核临界。因此对其贮存和运输需使用中子吸收材料以降低其反应性,使燃料组件维持在次临界状态,并对周围的工作人员和环境进行屏蔽保护。
核电站乏燃料储存格架中有热中子、中等能量中子和快中子辐射。热中子屏蔽材料需具有良好的热中子吸收性能和机械性能。随着铝基复合材料逐渐发展成熟,近十年出现一种新型铝基碳化硼中子吸收材料,即由碳化硼(B4C)颗粒添加到铝合金基体中形成的一种致密的铝基复合材料。该材料具有优异的力学性能与中子吸收性能,且密度低、热导率高。
目前国内外铝基碳化硼中子吸收材料制备方法主要有粉末冶金法、溶体浸渗法和液态成型法。一般来讲,通过传统制造方式一般只得到原始坯锭,但当碳化硼含量增加后,坯锭的机加工性能变差。该材料还可通过元素直接合成法制出,元素直接合成法是直接将碳粉和硼粉球磨混匀后,在1700℃~2100℃下氩气保护下发生反应。元素直接合成法反应机理简单,合成的碳化硼粉末纯度高、B/C比例易控制。
近些年来,随着科学技术日新月异的进步,快速成型技术,尤其是激光选区熔化技术是近年来发展迅速的一项金属增材制造技术,它通过专用软件对零件三维数模进行切片分层,获得各截面的轮廓数据后,利用高能量激光束根据轮廓数据逐层选择性地熔化金属粉末,通过逐层铺粉,逐层熔化凝固堆积的方式,制造三维实体零件,激光选区熔化技术的突出优势在于:成形材料多种多样、材料利用率高、用途广泛、成形过程简单、零件开发周期短,生产过程全程零排放绿色环保,尤其是其不受零部件形状复杂程度限制无需夹具、模具和复杂后处理工艺,可直接近终成形,且成形精度高。
为将增材制造结构成形自由度高的特点应用到铝基碳化硼的制备中,因此提出了一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法和装置。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法,无模具快速成型,工艺流程简单,获得的B4C颗粒均匀弥散分布在铝基体中的复合材料,用于乏燃料贮存格架材料或乏燃料转运容器时具有较高的临界安全性。
为实现上述目的,本发明的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法,其步骤包括:
(1)于真空条件下,将铝合金粉末铺设在激光选区,并发出激光束对该激光选区的铝合金粉末进行选区熔化,得到铝合金层;
(2)于所述铝合金层上铺设单质碳和单质硼混合粉末,并发出激光束对单质碳和单质硼混合粉末进行选区熔化,通过原位反应实时生成碳化硼,得到碳化硼层,并且完成碳化硼层和铝合金层的层间熔合;
(3)重复步骤(1)和步骤(2),直至完成所需产品。
与现有技术相比,本发明的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法进行铝基碳化硼复合材料的零件成形,充分利用激光选区熔化过程中激光束的作用,基于碳化硼原位反应合成的原理实现铝合金基体和碳化硼的烧结熔合,将增材制造的结构高自由度设计的特点应用到了铝基碳化硼的制造中。解决了现有技术中碳化硼在基体中的弥散分布的问题,又可保证多方向相同的碳化硼含量,实现中子吸收性能各向同步,同时采用无模具成型,避免了传统制备工艺后期的机加工工序。
本发明的目的之二是提供一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置。
为实现上述目的,本发明提供了一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置,包括:
第一粉料罐,用于盛装铝合金粉末;
第二粉料罐,用于盛装单质碳和单质硼混合粉末;
工作本体,所述工作本体具有成型室,所述成型室内设有成型平台;
铺粉车,具有与所述第一粉料罐连通的第一槽和与所述第二粉料罐连通的第二槽,所述铺粉车被操作可选择性地将所述第一槽的粉末或所述第二槽的粉末铺设于所述成型平台;
激光提供装置,提供激光束可用于对所述成型平台上的粉末进行来回扫描;
与所述成型室连通的保护气瓶。
较佳地,基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置还包括第一粉料流量控制器和第二粉料流量控制器,所述第一粉料流量控制器位于所述第一粉料罐和所述铺粉车之间,用于控制铝合金粉末流向所述铺粉车的流量;所述第二粉料流量控制器位于所述第二粉料罐和所述铺粉车之间,用于控制单质碳和单质硼混合粉末流向所述铺粉车的流量。
较佳地,基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置还包括与所述成型室连通的粉末回收缸,用于回收所述铺粉车内的粉末。
较佳地,所述激光提供装置包括光纤激光器及与所述光纤激光器相连的扫描振镜,所述光纤激光器发射激光束,借助所述扫描振镜实现激光束对所述成型平台上的粉末进行来回扫描。
较佳地,基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置还包括分别与所述光纤激光器连接的工控机和水冷机。
较佳地,所述铺粉车被操作可控于所述成形平台上进行往返运动。
附图说明
图1为本发明的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置。
图2为本发明的实施例中铺粉车铺设单质碳和单质硼混合粉末的示意图。
图3为本发明的实施例中铺粉车铺设铝合金粉末的示意图。
符号说明:
基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置100,第一粉料罐11,第二粉料罐13,工作本体20,成型室21,成型平台23,铺粉车30,第一槽31,第二槽33,激光提供装置40,光纤激光器41,激光束45,扫描振镜43,保护气瓶50,第一粉料流量控制器61,第二粉料流量控制器63,粉末回收缸70,工控机80,水冷机90。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案,但不构成对本发明的任何限制。
本发明的一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法,其步骤包括:
(1)于真空条件下,将铝合金粉末铺设在激光选区,并发出激光束对该激光选区的铝合金粉末进行选区熔化,得到铝合金层;
(2)于铝合金层上铺设单质碳和单质硼混合粉末,并发出激光束对单质碳和单质硼混合粉末进行选区熔化,通过原位反应实时生成碳化硼,得到碳化硼层,并且完成碳化硼层和铝合金层的层间熔合;
(3)重复步骤(1)和步骤(2),直至完成所需产品。
具体地,通过以下装置说明本发明的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法,但并不以此为限。
请参考图1,基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置100,包括第一粉料罐11、第二粉料罐13、工作本体20、铺粉车30、激光提供装置40和保护气瓶50。其中,第一粉料罐11用于盛装铝合金粉末;第二粉料罐13用于盛装单质碳和单质硼混合粉末;工作本体20具有成型室21,成型室21内设有成型平台23;铺粉车30具有与第一粉料罐11连通的第一槽31和与第二粉料罐13连通的第二槽33,铺粉车30被操作可选择性地将第一槽31的粉末或第二槽33的粉末铺设于成型平台23;激光提供装置40提供激光束可用于对成型平台23上的粉末进行来回扫描;保护气瓶50与成型室21连通。本实施例中,成型室21抽真空,保护气瓶50开启使氩气保护气进入成型室21中。第一粉料罐11和第二粉料罐13并列设置。
请参考图1,基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置100还包括第一粉料流量控制器61和第二粉料流量控制器63,第一粉料流量控制器61位于第一粉料罐11和铺粉车30之间,用于控制铝合金粉末流向铺粉车30的流量;第二粉料流量控制器63位于第二粉料罐13和铺粉车30之间,用于控制单质碳和单质硼混合粉末流向铺粉车30的流量。可以理解的是,借助第一粉料流量控制器61的作用,控制铝合金粉末流向第一槽31的用量,借助第二粉料流量控制器63的作用,控制单质碳和单质硼混合粉末流向第二槽33的用量,至于具体用量,根据实际需要进行设定,在此不进行限定。进一步,铺粉车30被操作可控于成型平台23上进行往返运动,比如可通过遥控器控制铺粉车30的往返运动,也可以通过程序设定铺粉车30往复运动的速率及停止于某一端的时间,可以根据实际需要具体设计,在此不进行限定。更进一步,当产品完成或者铺粉车30出现故障,避免粉末浪费或污染其他地方,可设有与成型室21连通的粉末回收缸70,用于回收铺粉车30内的粉末,将铺粉车30运动至粉末回收缸70的上方,操作第一槽31和第二槽33的出口打开,将铝合金粉末或单质碳和单质硼混合粉末流入粉末回收缸70。
请参考图1,激光提供装置40包括光纤激光器41及与光纤激光器41相连的扫描振镜43,光纤激光器41发射激光束45,借助扫描振镜43实现激光束45对成型平台23上的粉末进行来回扫描。本实施例中,扫描振镜43安装在工作本体20的上方,成型平台23位于工作本体20的下方。进一步,基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置100还包括分别与光纤激光器41连接的工控机80和水冷机90,借助工控机80更加智能的控制光纤激光器41进行工作,当光纤激光器41工作温度过高可通过水冷机90进行降温处理。
下面结合图1-图3详细阐述本申请的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置100的工作原理:
步骤1:将铝合金粉末装入第一粉料罐11,单质碳和单质硼混合粉末装入第二粉料罐13,将成型室21抽真空后,然后开启保护气瓶50,保护气瓶50中的氩气保护气通入成型室21中;
步骤2:第一粉料流量控制器61控制第一粉料罐11中的铝合金粉末流向铺粉车30的第一槽31中,第二粉料流量控制器63控制第二粉料罐13中的单质碳和单质硼混合粉末流向铺粉车30的第二槽33中;
步骤3:如图2所示,铺粉车30沿X方向运动的过程中,打开第一槽31的出口将铝合金粉末铺设于成型平台23,铺粉车30停留在成型室21的X方向上的右限位上,启动光纤激光器41发出激光束45,激光束经过扫描振镜43的反射后对该层铝合金粉末进行选区熔化,激光束45可来回多次扫描,铝合金粉末熔化后固结于成型平台23表面上;
步骤4:当完成铝合金粉末的选区熔化后,停止光纤激光器41,铺粉车30从右限位上回到原位,回到原位的过程中打开第二槽33的出口将单质碳和单质硼混合粉末铺设于已经融化的铝合金层,启动光纤激光器41发出激光束45,激光束经过扫描振镜43的反射后对单质碳和单质硼混合粉末进行选区熔化,激光束45可来回多次扫描,通过原位反应实时生成碳化硼,得到碳化硼层,并且完成碳化硼层和铝合金层的层间熔合;
步骤5:重复步骤2-4,直至完成所需产品。
与现有技术相比,本发明的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法进行铝基碳化硼复合材料的零件成形,充分利用激光选区熔化过程中激光束的作用,基于碳化硼原位反应合成的原理实现铝合金基体和碳化硼的烧结熔合,将增材制造的结构高自由度设计的特点应用到了铝基碳化硼的制造中。解决了现有技术中碳化硼在基体中的弥散分布的问题,又可保证多方向相同的碳化硼含量,实现中子吸收性能各向同步,同时采用无模具成型,避免了传统制备工艺后期的机加工工序。
最后所应当说明的是,以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明做了详细的说明,但本发明并不局限于以上揭示的实施例,而应当涵盖各种根据本发明的本质进行的修改、等效组合。
Claims (7)
1.一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法,其特征在于,其步骤包括:
(1)于真空条件下,将铝合金粉末铺设在激光选区,并发出激光束对该激光选区的铝合金粉末进行选区熔化,得到铝合金层;
(2)于所述铝合金层上铺设单质碳和单质硼混合粉末,并发出激光束对单质碳和单质硼混合粉末进行选区熔化,通过原位反应实时生成碳化硼,得到碳化硼层,并且完成碳化硼层和铝合金层的层间熔合;
(3)重复步骤(1)和步骤(2),直至完成所需产品。
2.一种基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置,其特征在于,包括:
第一粉料罐,用于盛装铝合金粉末;
第二粉料罐,用于盛装单质碳和单质硼混合粉末;
工作本体,所述工作本体具有成型室,所述成型室内设有成型平台;
铺粉车,具有与所述第一粉料罐连通的第一槽和与所述第二粉料罐连通的第二槽,所述铺粉车被操作可选择性地将所述第一槽的粉末或所述第二槽的粉末铺设于所述成型平台;
激光提供装置,提供激光束可用于对所述成型平台上的粉末进行来回扫描;
与所述成型室连通的保护气瓶。
3.如权利要求2所述的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置,其特征在于,还包括第一粉料流量控制器和第二粉料流量控制器,所述第一粉料流量控制器位于所述第一粉料罐和所述铺粉车之间,用于控制铝合金粉末流向所述铺粉车的流量;所述第二粉料流量控制器位于所述第二粉料罐和所述铺粉车之间,用于控制单质碳和单质硼混合粉末流向所述铺粉车的流量。
4.如权利要求2所述的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置,其特征在于,还包括与所述成型室连通的粉末回收缸,用于回收所述铺粉车内的粉末。
5.如权利要求2所述的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置,其特征在于,所述激光提供装置包括光纤激光器及与所述光纤激光器相连的扫描振镜,所述光纤激光器发射激光束,借助所述扫描振镜实现激光束对所述成型平台上的粉末进行来回扫描。
6.如权利要求5所述的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置,其特征在于,还包括分别与所述光纤激光器连接的工控机和水冷机。
7.如权利要求2所述的基于原位反应的铝基碳化硼增材制造装置,其特征在于,所述铺粉车被操作可控于所述成形平台上进行往返运动。
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CN202011274867.8A Pending CN112427653A (zh) | 2020-11-13 | 2020-11-13 | 基于原位反应的铝基碳化硼增材制造方法和装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2020
- 2020-11-13 CN CN202011274867.8A patent/CN112427653A/zh active Pending
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