CN112420588A - 一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法 - Google Patents

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裴少帅
苏亚青
吕剑
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Abstract

本发明提供一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法，提供设有真空环的所述设备；提供正面设有图案的Taiko片，Taiko片的正面粘有一层保护膜；将Taiko片正面朝上置于真空环的凸起上，使Taiko片背面的外环通过凸起的凹槽被吸附；对Taiko片进行背面减薄；撕去Taiko片正面的保护膜。本发明通过改善真空环的凹槽宽度，使得Taiko片外环与凹槽接触面积增大，从而避免Taiko片被吸附的稳定性，从而提高产品良率，减少设备预警。

Description

一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法。
背景技术
在晶背减薄(BGBM)的背面工艺过程中，晶圆在进行背面反磨(Back grinding)前，taiko片正面需要膜层来保护晶圆正面图形，研磨后撕掉晶圆正面保护膜层。
在撕膜设备撕掉膜层工艺过程中是由Taiko片外环将吸附在设备真空环上；由于Taiko片外环与真空环接触面积较小，在撕膜时受拉力影响当吸附不稳定时，容易造成晶圆发生拉掉片、碎片的风险。
由于真空环吸附槽与Taiko片外环接触面积小吸附不稳定，为避免拉掉片、碎片问题，需要改善Taiko片吸附稳定性。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法，用于解决现有技术中由于Taiko片外环与真空吸附设备接触面积小，造成吸附不稳定，从而产生掉片、碎片的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种改善Taiko片吸附稳定性的设备，至少包括：
台板；位于所述台板上的真空环，所述真空环的外圈具设有凸起；所述凸起中设有凹槽，所述凹槽连接真空管；
所述凸起用于支撑Taiko片背面的外环，所述凸起的凹槽用于吸附所述Taiko片背面的外环；所述凹槽的宽度为0.7mm。
优选地，所述真空管穿过所述台板置于所述台板下方。
优选地，所述晶圆背面的外环的高度高于所述晶圆背面的中央区域表面。
本发明还提供一种改善Taiko片吸附稳定性的方法，该方法包括以下步骤：
步骤一、提供设有所述真空环的所述设备；
步骤二、提供正面设有图案的Taiko片，所述Taiko片的正面粘有一层保护膜；将所述Taiko片正面朝上置于所述真空环的凸起上，使所述Taiko片背面的外环通过所述凸起的凹槽被吸附；
步骤三、对所述Taiko片进行背面减薄；
步骤四、撕去所述Taiko片正面的保护膜。
优选地，所述凹槽为真空槽。
优选地，所述凹槽的宽度为0.7mm。
如上所述，本发明的一种改善Taiko片吸附稳定性的设备和方法，具有以下有益效果：本发明通过改善真空环的凹槽宽度，使得Taiko片外环与凹槽接触面积增大，从而避免Taiko片被吸附的稳定性，从而提高产品良率，减少设备预警。
附图说明
图1显示为本发明的改善Taiko片吸附稳定性的设备的结构示意图；
图2显示为本发明的改善Taiko片吸附稳定性的方法流程图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种改善Taiko片吸附稳定性的设备，至少包括：
台板；位于所述台板上的真空环，所述真空环的外圈具设有凸起；所述凸起中设有凹槽，所述凹槽连接真空管；所述凸起用于支撑Taiko片背面的外环，所述凸起的凹槽用于吸附所述Taiko片背面的外环；所述凹槽的宽度为0.7mm。
如图1所示，图1显示为本发明的改善Taiko片吸附稳定性的设备的结构示意图，本实施例的所述改善Taiko片吸附稳定性的设备包括台板(table)；位于所述台板(table)上的真空环(vacuum ring)，所述真空环(vacuum ring)的外圈具设有凸起；所述凸起中设有凹槽，所述凹槽连接真空管(vacuum tube)；所述凸起用于支撑Taiko片(晶圆)背面的外环，所述凸起的凹槽用于吸附所述Taiko片背面的外环；所述凹槽的宽度为0.7mm。所述凹槽通过连接所述真空管，所述真空管将所述凹槽中的空气抽取，因此位于所述凸起上的晶圆外环被所述凹槽所吸附。
本发明进一步地，本实施例的所述真空管(vacuum tube)穿过所述台板(table)置于所述台板(table)下方。
本发明进一步地，本实施例的所述晶圆背面的外环的高度高于所述晶圆背面的中央区域表面。如图1所示，所述晶圆背面的外环高度高于所述晶圆背面的中央区域，因此所述晶圆背面的中央区域形成凹型区域。
本发明还提供改善Taiko片吸附稳定性的方法，如图2所示，图2显示为本发明的改善Taiko片吸附稳定性的方法流程图，该方法包括以下步骤：
步骤一、提供设有所述真空环的所述设备；所述设备如图1所示。
步骤二、提供正面设有图案的Taiko片，所述Taiko片的正面粘有一层保护膜；将所述Taiko片正面朝上置于所述真空环的凸起上，使所述Taiko片背面的外环通过所述凸起的凹槽被吸附；所述凸起用于支撑Taiko片(晶圆)背面的外环，所述凸起的凹槽用于吸附所述Taiko片背面的外环；所述凹槽的宽度为0.7mm。所述凹槽通过连接所述真空管，所述真空管将所述凹槽中的空气抽取，因此位于所述凸起上的晶圆外环被所述凹槽所吸附。
本发明进一步地，本实施例的步骤二中的所述凹槽为真空槽。本发明再进一步地，本实施例的步骤二中的所述凹槽的宽度为0.7mm。
步骤三、对所述Taiko片进行背面减薄；本发明中将所述Taiko片置于所述真空环上后，再对所述Taiko片进行背面减薄的工艺；
步骤四、撕去所述Taiko片正面的保护膜。当Taiko片进行背面减薄工艺完成后，如图1所示，将所述Taiko片正面的保护膜撕去。由于Taiko片外环与所述真空环凸起接触面积增大，从而增加吸附力。
综上所述，本发明通过改善真空环的凹槽宽度，使得Taiko片外环与凹槽接触面积增大，从而避免Taiko片被吸附的稳定性，从而提高产品良率，减少设备预警。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (6)

1.一种改善Taiko片吸附稳定性的设备，其特征在于，至少包括：
台板；位于所述台板上的真空环，所述真空环的外圈具设有凸起；所述凸起中设有凹槽，所述凹槽连接真空管；
所述凸起用于支撑Taiko片背面的外环，所述凸起的凹槽用于吸附所述Taiko片背面的外环；所述凹槽的宽度为0.7mm。
2.根据权利要求1所述的改善Taiko片吸附稳定性的设备，其特征在于：所述真空管穿过所述台板置于所述台板下方。
3.根据权利要求1所述的改善Taiko片吸附稳定性的设备，其特征在于：所述晶圆背面的外环的高度高于所述晶圆背面的中央区域表面。
4.一种改善Taiko片吸附稳定性的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、提供设有所述真空环的所述设备；
步骤二、提供正面设有图案的Taiko片，所述Taiko片的正面粘有一层保护膜；将所述Taiko片正面朝上置于所述真空环的凸起上，使所述Taiko片背面的外环通过所述凸起的凹槽被吸附；
步骤三、对所述Taiko片进行背面减薄；
步骤四、撕去所述Taiko片正面的保护膜。
5.根据权利要求1所述的改善Taiko片吸附稳定性的设备，其特征在于：步骤二中的所述凹槽为真空槽。
6.根据权利要求1所述的改善Taiko片吸附稳定性的设备，其特征在于：步骤二中的所述凹槽的宽度为0.7mm。
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