CN112420394A - 一种叠层固态铝电解电容的含浸方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,属于铝电解电容器技术领域。该叠层固态铝电解电容的含浸方法包括以下步骤:首先,将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后,再进行干燥处理;接着,将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后,再进行干燥处理;然后,将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后,再进行干燥处理,即可完成对铝箔的含浸聚合处理。本发明通过将铝箔采用多段含浸模式依次含浸前处理剂、导电聚合物分散液以及后处理剂,可以提高最终制得的叠层固态铝电解电容产品的稳定性和一致性,以及可以大大降低叠层固态铝电解电容产品的漏电流。
Description
技术领域
本发明涉及铝电解电容器技术领域,具体是一种叠层固态铝电解电容的含浸方法。
背景技术
目前,叠层固态铝电解电容通常采用化学聚合的方法在铝箔上生成导电高分子,具体步骤是先将铝箔含浸单体溶液,干燥,再含浸氧化剂溶液,然后在特定的温湿度环境下进行聚合反应,并且将上述这个过程重复10-30次,以保证导电高分子形成的厚度及质量达到产品要求。
然而,目前的这种含浸聚合的方式,每片铝箔产品上的单体与氧化剂的配比非常难管控,其聚合反应对环境温湿度及其敏感,氧化剂对氧化皮膜具有微弱的溶解性容易造成产品漏电大,单体和氧化剂容易进入到氧化膜的裂纹和缺陷处生成导电高分子导致漏电大。另外,在后续的叠层工序中,因为热应力和机械应力的影响,脆性的导电高分子容易使得导电高分子和氧化膜破裂,导致产品漏电大甚至短路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明实施例提供如下技术方案:
一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,包括以下步骤:
(1)将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后,再进行干燥处理;
(2)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后,再进行干燥处理;
(3)将上述干燥处理后的铝箔重复0~20次步骤(2)中的步骤;
(4)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后,再进行干燥处理;
所述的步骤(1)~(4)中,多段含浸模式的方法为:先以0.1~2mm/s的下降速度,使1/12~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s;接着,以0.1~2mm/s的下降速度,使5/12~7/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s;然后,以0.1~2mm/s的下降速度,使2/3~5/6体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留200~400s;再接着,以0.1~2mm/s的上升速度,使5/12~7/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s;再然后,以0.1~2mm/s的上升速度,使1/12~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s后,再以0.1~2mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面;所述的含浸液为前处理剂、导电聚合物分散液和后处理剂中的一种。
本发明实施例采用的一种优选方案,所述多段含浸模式的方法为:先以0.1~0.3mm/s的下降速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;接着,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;然后,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使2/3~3/4体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留250~350s;再接着,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;再然后,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s后,再以0.1~0.3mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面。
本发明实施例采用的另一种优选方案,所述多段含浸模式的方法为:在真空度为0~90kPa的密封条件下,先以0.1~0.3mm/s的下降速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;接着,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;然后,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使2/3~3/4体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留250~350s;再接着,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;再然后,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s后,再以0.1~0.3mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面。
本发明实施例采用的另一种优选方案,所述的步骤(1)~(4)中,干燥处理的方式为单段式干燥,所述单段式干燥的温度为90~140℃,所述单段式干燥的时间为1~60min。
本发明实施例采用的另一种优选方案,所述的步骤(1)~(4)中,干燥处理的方式为多段式干燥,所述多段式干燥的方法为:将铝箔依次进行低温段干燥处理、中温段干燥处理和高温段干燥处理。
本发明实施例采用的另一种优选方案,所述低温段干燥处理的温度为40~80℃,所述低温段干燥处理的时间为1~60min;所述中温段干燥处理的温度为80~120℃,所述中温段干燥处理的时间为1~60min;所述高温段干燥处理的温度为120~180℃,所述高温段干燥处理的时间为1~60min。
本发明实施例采用的另一种优选方案,所述的前处理剂为超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液,其溶质浓度不大于1wt%。
本发明实施例采用的另一种优选方案,所述的导电聚合物分散液为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)[Poly(3,4-Ethylene Dioxy Thiophene),PEDOT]水性分散液,其中,PEDOT含量不大于2.5wt%,固含量不大于25wt%。
本发明实施例采用的另一种优选方案,所述的后处理剂为磺酸及其衍生物与3,4-乙烯二氧噻吩(3,4-Ethylene Dioxy Thiophene,EDOT)的混合水溶液,其中,磺酸及其衍生物含量不大于10wt%,EDOT及其衍生物含量不大于2.5wt%。
与现有技术相比,本发明实施例的有益效果是:
本发明实施例提供含浸方法,通过将铝箔采用多段含浸模式依次含浸前处理剂、导电聚合物分散液以及后处理剂,可以提高最终制得的叠层固态铝电解电容产品的稳定性、一致性,以及可以大大降低叠层固态铝电解电容产品的漏电流。其中,本发明实施例通过选用超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液作为前处理剂,可以改善PEDOT与铝箔表面的氧化铝的结合性能。另外,本发明实施例通过选用磺酸及其衍生物与EDOT的混合水溶液作为后处理剂,可以在后处理剂自掺杂的作用下,有效改善铝箔导电分子层的充放电特性。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
该实施例提供了一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其包括以下步骤:
(1)将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后,再进行干燥处理;其中,前处理剂为市售的超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液,其溶质浓度为1wt%。
(2)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后,再进行干燥处理;其中,导电聚合物分散液为市售的PEDOT水性分散液,其PEDOT含量为2.5wt%,固含量为25wt%。
(3)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后,再进行干燥处理,即可完成对铝箔的含浸聚合处理;其中,后处理剂为市售的磺酸及其衍生物与EDOT的混合水溶液,其磺酸及其衍生物含量为10wt%,EDOT及其衍生物含量为2.5wt%。
具体的,上述步骤中,所采用的多段含浸模式的具体方法为:在真空度为0kPa的密封条件下,先以0.1mm/s的下降速度,使1/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10s;接着,以0.1mm/s的下降速度,使5/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10s;然后,以0.1mm/s的下降速度,使2/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留200s;再接着,以0.1mm/s的上升速度,使5/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10s;再然后,以0.1mm/s的上升速度,使1/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10s后,再以0.1mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面;其中,对应步骤中的含浸液分别前处理剂、导电聚合物分散液和后处理剂。
另外,上述步骤中所进行的干燥处理均可采用单段式干燥,其中,单段式干燥的温度为90℃,所述单段式干燥的时间为60min。
实施例2
该实施例提供了一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其包括以下步骤:
(1)将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后,再进行干燥处理;其中,前处理剂为市售的超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液,其溶质浓度为0.5wt%。
(2)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后,再进行干燥处理;其中,导电聚合物分散液为市售的PEDOT水性分散液,其PEDOT含量为2wt%,固含量为20wt%。
(3)将上述干燥处理后的铝箔重复20次步骤(2)中的步骤。
(4)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后,再进行干燥处理,即可完成对铝箔的含浸聚合处理;其中,后处理剂为市售的磺酸及其衍生物与EDOT的混合水溶液,其磺酸及其衍生物含量为5wt%,EDOT及其衍生物含量为2wt%。
具体的,上述步骤中,所采用的多段含浸模式的具体方法为:在真空度为90kPa的密封条件下,先以2mm/s的下降速度,使1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留60s;接着,以2mm/s的下降速度,使7/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留60s;然后,以2mm/s的下降速度,使5/6体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留400s;再接着,以2mm/s的上升速度,使7/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留60s;再然后,以2mm/s的上升速度,使1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留60s后,再以2mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面;其中,对应步骤中的含浸液分别前处理剂、导电聚合物分散液和后处理剂。
另外,上述步骤中所进行的干燥处理均可采用单段式干燥,其中,单段式干燥的温度为140℃,所述单段式干燥的时间为1min。
实施例3
该实施例提供了一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其包括以下步骤:
(1)将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后,再进行干燥处理;其中,前处理剂为市售的超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液,其溶质浓度为1wt%。
(2)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后,再进行干燥处理;其中,导电聚合物分散液为市售的PEDOT水性分散液,其PEDOT含量为25wt%,固含量为15wt%。
(3)将上述干燥处理后的铝箔重复10次步骤(2)中的步骤。
(4)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后,再进行干燥处理,即可完成对铝箔的含浸聚合处理;其中,后处理剂为市售的磺酸及其衍生物与EDOT的混合水溶液,其磺酸及其衍生物含量为8wt%,EDOT及其衍生物含量为2wt%。
具体的,上述步骤中,所采用的多段含浸模式的具体方法为:在真空度为50kPa的密封条件下,先以0.1mm/s的下降速度,使1/6体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20s;接着,以0.1mm/s的下降速度,使5/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20s;然后,以0.1mm/s的下降速度,使2/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留250s;再接着,以0.1mm/s的上升速度,使5/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20s;再然后,以0.1mm/s的上升速度,使1/6体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20s后,再以0.1mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面;其中,对应步骤中的含浸液分别前处理剂、导电聚合物分散液和后处理剂。
另外,上述步骤中所进行的干燥处理均可采用多段式干燥,其中,多段式干燥的方法为:将铝箔依次进行低温段干燥处理、中温段干燥处理和高温段干燥处理。具体的,低温段干燥处理的温度为40℃,低温段干燥处理的时间为60min;中温段干燥处理的温度为80℃,中温段干燥处理的时间为60min;高温段干燥处理的温度为120℃,高温段干燥处理的时间为60min。
实施例4
该实施例提供了一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其包括以下步骤:
(1)将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后,再进行干燥处理;其中,前处理剂为市售的超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液,其溶质浓度不大于0.5wt%。
(2)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后,再进行干燥处理;其中,导电聚合物分散液为市售的PEDOT水性分散液,其PEDOT含量为1.5wt%,固含量为25wt%。
(3)将上述干燥处理后的铝箔重复10次步骤(2)中的步骤。
(4)将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后,再进行干燥处理,即可完成对铝箔的含浸聚合处理;其中,后处理剂为市售的磺酸及其衍生物与EDOT的混合水溶液,其磺酸及其衍生物含量为10wt%,EDOT及其衍生物含量为1.5wt%。
具体的,上述步骤中,所采用的多段含浸模式的具体方法为:在真空度为50kPa的密封条件下,先以0.3mm/s的下降速度,使1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留40s;接着,以0.3mm/s的下降速度,使1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留40s;然后,以0.3mm/s的下降速度,使3/4体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留350s;再接着,以0.3mm/s的上升速度,使1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留40s;再然后,以0.3mm/s的上升速度,使1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留40s后,再以0.3mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面;其中,对应步骤中的含浸液分别前处理剂、导电聚合物分散液和后处理剂。
另外,上述步骤中所进行的干燥处理均可采用多段式干燥,其中,多段式干燥的方法为:将铝箔依次进行低温段干燥处理、中温段干燥处理和高温段干燥处理。具体的,低温段干燥处理的温度为80℃,低温段干燥处理的时间为1min;中温段干燥处理的温度为120℃,中温段干燥处理的时间为1min;高温段干燥处理的温度为180℃,高温段干燥处理的时间为1min。
需要说明的是,上述实施例中的含浸前处理剂和含浸后处理剂的含浸处理次数均可以根据实际需求进行多次含浸处理。
实施例5
该实施例提供了一种叠层固态铝电解电容(规格为25V/10uF,尺寸为7.3*4.3*1.9mm)的制备方法,其依次包括裁切、焊片、化成、含浸聚合、涂炭、涂银、叠片、塑封和老化等工序,其中除了含浸聚合工序采用的是本发明所提供的含浸方法外,其余工序均为现有技术的方法,具体包括以下步骤:
(1)裁切:将铝箔裁切成指定宽度。
(2)焊片:将裁切好的铝箔焊接在铁条上。
(3)化成:在50℃的条件下,将铝箔置于磷酸系化成液中进行化成处理,以对裁切破损处进行氧化膜修复。
(4)含浸:
S1、在真空度为90kPa的密封条件下,通过机械手带动焊接有铝箔的铁条下降到含浸液为超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液(其溶质浓度为1wt%)的含浸槽内,并先使1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留30s;接着,继续使铝箔下降至1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留30s;然后,继续使铝箔下降至3/4体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留300s;再接着,通过机械手带动焊接有铝箔的铁条上升,使1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留30s;再然后,继续使铝箔上升至1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s后,再继续带动铝箔上升并脱离含浸液的液面,便可将铝箔转入125℃的隧道干燥炉中进行干燥30min。其中,该步骤中铝箔的下降和上升速度均为0.1mm/s。
S2、采用与步骤S1相同的多段含浸模式将上述干燥处理后的铝箔含浸PEDOT水性分散液(其中,PEDOT含量为25wt%,固含量为25wt%)后,再进行与步骤S1相同的干燥处理。
S3、将上述干燥处理后的铝箔重复11次步骤S2中的含浸PEDOT水性分散液和干燥处理步骤。
S4、采用与步骤S1相同的多段含浸模式将上述干燥处理后的铝箔含浸磺酸及其衍生物与EDOT的混合水溶液(其中,磺酸及其衍生物含量为10wt%,EDOT及其衍生物含量为2.5wt%)后,再进行与步骤S1相同的干燥处理,即可完成对铝箔的含浸聚合处理。
(5)涂炭:将铝箔上聚合形成的导电高分子层用碳层进行包裹。
(6)涂银:将上述的碳层用银层进行包裹。
(7)叠片:将若干组经上述工序处理后的铝箔叠在一起。
(8)塑封:将上叠层好的若干组铝箔用树脂进行封装,得到半成品。
(9)老化:将封装好的半成品放入125℃的烘箱中,并对其施加25V的直流电压进行老化90min,即可得到叠层固态铝电解电容产品。
对比例1
该对比例提供了一种传统叠层固态铝电解电容(规格为25V/10uF,尺寸为7.3*4.3*1.9mm)的制备方法,其依次包括裁切、焊片、化成、含浸聚合、涂炭、涂银、叠片、塑封和老化等工序,其中除了含浸聚合工序与实施例5不一样外,其余工序均与实施例5的一样。具体的,该对比例所采用的含浸聚合工序包括以下步骤:
S1、在真空度为90kPa的密封条件下,通过机械手以2mm/s的下降速度带动焊接有铝箔的铁条下降到含浸液为单体溶液(单体的质量百分比为25%)的含浸槽内,并使全部的铝箔浸入到含浸液中,并停留360s后,再通过机械手以2mm/s的上升速度带动焊接有铝箔的铁条上升,使铝箔脱离含浸液的液面;然后,将铝箔转入50℃的隧道干燥炉中进行干燥30min。
S2、采用与步骤S1相同的含浸模式将上述干燥处理后的铝箔含浸氧化剂溶液(氧化剂的质量百分比为50%)后,再将铝箔置于85℃/45RH%的环境下进行聚合反应处理。
S3、将上述聚合反应处理后的铝箔继续重复19次步骤S1和步骤S2中的步骤,即可完成含浸聚合工序。
将上述实施例5和对比例1分别制得的20组叠层固态铝电解电容产品,在120Hz的频率下进行电容量(Capacitance,CAP)、损耗系数( Dissipation Factor,DF)、(Equivalent Series Resistance,ESR)值的测试,以及对产品施加25V的电压进行漏电流(Leakage Current,LC)的测试,其测试结果如下表1。
表1
从上表1可以看出,与传统的含浸方法相比较,采用本发明实施例提供的含浸方法制得的叠层固态铝电解电容产品的容量(CAP)、损耗(DF)、漏电(LC)以及等效串联电阻(ESR)等参数的稳定性较高,产品的一致性较好,产品的漏电流(LC)较小。
以上述依据本发明的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (9)
1.一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,包括以下步骤:
将化成处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸前处理剂后,再进行干燥处理;
将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸导电聚合物分散液后,再进行干燥处理;
将上述干燥处理后的铝箔重复0~20次步骤(2)中的步骤;
将上述干燥处理后的铝箔采用多段含浸模式含浸后处理剂后,再进行干燥处理;
所述的步骤(1)~(4)中,多段含浸模式的方法为:先以0.1~2mm/s的下降速度,使1/12~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s;接着,以0.1~2mm/s的下降速度,使5/12~7/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s;然后,以0.1~2mm/s的下降速度,使2/3~5/6体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留200~400s;再接着,以0.1~2mm/s的上升速度,使5/12~7/12体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s;再然后,以0.1~2mm/s的上升速度,使1/12~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留10~60s后,再以0.1~2mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面;所述的含浸液为前处理剂、导电聚合物分散液和后处理剂中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述多段含浸模式的方法为:先以0.1~0.3mm/s的下降速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;接着,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;然后,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使2/3~3/4体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留250~350s;再接着,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;再然后,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s后,再以0.1~0.3mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面。
3.根据权利要求1或2所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述多段含浸模式的方法为:在真空度为0~90kPa的密封条件下,先以0.1~0.3mm/s的下降速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;接着,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;然后,以0.1~0.3mm/s的下降速度,使2/3~3/4体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留250~350s;再接着,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使5/12~1/2体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s;再然后,以0.1~0.3mm/s的上升速度,使1/6~1/3体积的铝箔浸入到含浸液中,并停留20~40s后,再以0.1~0.3mm/s的上升速度使铝箔脱离含浸液的液面。
4.根据权利要求1所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述的步骤(1)~(4)中,干燥处理的方式为单段式干燥,所述单段式干燥的温度为90~140℃,所述单段式干燥的时间为1~60min。
5.根据权利要求1所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述的步骤(1)~(4)中,干燥处理的方式为多段式干燥,所述多段式干燥的方法为:将铝箔依次进行低温段干燥处理、中温段干燥处理和高温段干燥处理。
6.根据权利要求5所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述低温段干燥处理的温度为40~80℃,所述低温段干燥处理的时间为1~60min;所述中温段干燥处理的温度为80~120℃,所述中温段干燥处理的时间为1~60min;所述高温段干燥处理的温度为120~180℃,所述高温段干燥处理的时间为1~60min。
7.根据权利要求1所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述的前处理剂为超支化聚甲基硅氧烷的乙酸乙酯溶液,其溶质浓度不大于1wt%。
8.根据权利要求1所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述的导电聚合物分散液为PEDOT水性分散液,其中,PEDOT含量不大于2.5wt%,固含量不大于25wt%。
9.根据权利要求1所述的一种叠层固态铝电解电容的含浸方法,其特征在于,所述的后处理剂为磺酸及其衍生物与EDOT及其衍生物的混合水溶液,其中,磺酸及其衍生物含量不大于10wt%,EDOT及其衍生物含量不大于2.5wt%。
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