CN112397889A - 片式天线 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种片式天线，所述片式天线包括第一陶瓷基板、第二陶瓷基板、第一贴片天线、第二贴片天线和馈电过孔。所述第二陶瓷基板与所述第一陶瓷基板相对设置。所述第一贴片天线包括：种子层，设置在所述第一陶瓷基板的表面上；和镀覆层，设置在所述第一贴片天线的种子层上。所述第二贴片天线设置在所述第二陶瓷基板上。所述馈电过孔包括：种子层，沿着在厚度方向上贯穿所述第一陶瓷基板的通路孔的内壁形成；和导电材料，在所述通路孔中被所述馈电过孔的种子层包围。所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层彼此连接。

Description

片式天线
本申请要求于2019年8月13日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0098493号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本公开涉及一种片式天线。
背景技术
5G通信系统在较高频(mmWave)的频带(诸如，10GHz至100GHz频带)中实施，以获得较高数据传输速率。为了减少RF信号的传播损耗和增大传输距离，正在讨论波束成形、大规模多输入多输出(L-MIMO)、全维度多输入多输出(FD-MIMO)、阵列天线和模拟波束成形和大规模天线技术，以用在5G通信系统中。
在支持无线通信的移动通信终端(诸如，移动电话、PDA、导航设备、膝上型计算机)中，添加诸如码分多址(CDMA)、无线LAN、DMB、近场通信(NFC)的功能的趋势已经发展，并且实现这些功能的一个重要组件是天线。
然而，在应用5G通信系统的GHz频带中，因为波长减小到几mm，所以难以使用传统天线。因此，存在对适合于GHz频带同时具有能够安装在移动通信终端中的超小尺寸的片式天线模块的需求。
发明内容
提供本发明内容是为了按照简化的形式介绍在下面的具体实施方式中进一步描述的所选择的构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面，一种片式天线包括：第一陶瓷基板、第二陶瓷基板、第一贴片天线、第二贴片天线和馈电过孔。所述第二陶瓷基板与所述第一陶瓷基板相对设置。所述第一贴片天线包括：种子层，设置在所述第一陶瓷基板的表面上；和镀覆层，设置在所述第一贴片天线的种子层上。所述第二贴片天线设置在所述第二陶瓷基板上。所述馈电过孔包括：种子层，沿着在厚度方向上贯穿所述第一陶瓷基板的通路孔的内壁形成；和导电材料，在所述通路孔中被所述馈电过孔的种子层包围。所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层彼此连接。
所述导电材料可贯穿所述第一贴片天线的种子层，并且可连接到所述第一贴片天线的镀覆层。
所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层可利用相同的材料形成。
所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层中的每个可利用Ti、Mo和Cu中的任意一种形成，或者可利用Ti、Mo和Cu中的任意两种或更多种的任意组合形成。
所述第一贴片天线的镀覆层可利用Cu、Ni和Sn中的任意一种形成，或者可利用Cu、Ni和Sn中的任意两种或更多种的任意组合形成。
所述片式天线还可包括馈电焊盘，所述馈电焊盘包括：种子层，形成在所述第一陶瓷基板的另一表面上；和镀覆层，形成在所述馈电焊盘的种子层上。
所述馈电焊盘的种子层和所述馈电过孔的种子层可彼此连接。
所述导电材料可贯穿所述馈电焊盘的种子层，并且可连接到所述馈电焊盘的镀覆层。
所述第一贴片天线的设置在所述第一陶瓷基板的表面上的种子层的厚度可等于形成在所述通路孔的所述内壁上的所述馈电过孔的种子层的厚度。
在另一总体方面，一种片式天线包括：第一陶瓷基板、与所述第一陶瓷基板相对设置的第二陶瓷基板、第一贴片天线、第二贴片天线和馈电过孔。所述第一贴片天线包括：种子层，设置在所述第一陶瓷基板的表面上；和镀覆层，设置在所述第一贴片天线的种子层上。所述第二贴片天线设置在所述第二陶瓷基板上。所述馈电过孔包括：导电材料，设置于在厚度方向上贯穿所述第一陶瓷基板的通路孔的中央区域中；和种子层，设置在所述通路孔的边缘区域中，连接到所述导电材料。所述导电材料连接到所述第一贴片天线的种子层和所述第一贴片天线的镀覆层。
所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层可利用相同的材料形成。
所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层中的每个可利用Ti、Mo和Cu中的任意一种形成，或者可利用Ti、Mo和Cu中的任意两种或更多种的任意组合形成。
所述第一贴片天线的镀覆层可利用Cu、Ni和Sn中的任意一种形成，或者可利用Cu、Ni和Sn中的任意两种或更多种的任意组合形成。
所述片式天线还包括馈电焊盘，所述馈电焊盘可包括：种子层，形成在所述第一陶瓷基板的另一表面上；和镀覆层，形成在所述馈电焊盘的种子层上。
所述导电材料可连接到所述馈电焊盘的种子层和所述馈电焊盘的镀覆层。
所述第一贴片天线的设置在所述第一陶瓷基板的表面上的种子层的厚度可等于形成在所述通路孔的内壁上的所述馈电过孔的种子层的厚度。
在另一总体方面，一种片式天线包括：其上设置有的第一贴片天线的第一陶瓷基板、第二陶瓷基板、馈电过孔和种子层。所述第二陶瓷基板设置在所述第一陶瓷基板上并且与所述第一陶瓷基板间隔开，所述第二陶瓷基板上设置有的第二贴片天线。所述馈电过孔包括导电材料，所述导电材料设置于在厚度方向上贯穿所述第一陶瓷基板的通路孔中。所述种子层设置在所述第一陶瓷基板表面和所述第一贴片天线的表面之间以及所述第一陶瓷基板的表面和所述导电材料的表面之间。
所述种子层可沿着所述通路孔的内壁形成。
所述第一贴片天线可包括设置在所述种子层上的镀覆层，并且所述第二贴片天线可包括设置在所述种子层上的镀覆层。
所述导电材料可贯穿所述第一贴片天线和所述第一陶瓷基板之间的所述种子层，并且可连接到所述第一贴片天线的镀覆层。
所述第二陶瓷基板可与所述第一陶瓷基板通过结合层或间隔件间隔开。
通过下面的具体实施方式和附图，其他特征和方面将是显而易见的。
附图说明
图1是片式天线模块的示例的透视图。
图2A是图1的片式天线模块的一部分的截面图。
图2B和图2C示出了图2A的片式天线模块的变型示例。
图3A是图1的片式天线模块的平面图。
图3B示出了图3A的片式天线模块的变型示例。
图4A是片式天线的示例的透视图。
图4B是图4A的片式天线的侧视图。
图4C是图4A的片式天线的截面图。
图4D是图4A的片式天线的仰视图。
图4E是图4A的片式天线的变型示例的透视图。
图5A是片式天线的另一示例的透视图。
图5B是图5A的片式天线的侧视图。
图5C是图5A的片式天线的截面图。
图6是示出第一贴片天线、第二贴片天线、第三贴片天线、馈电焊盘、馈电过孔和连接焊盘的详细构造的示例的局部截面图。
图7A和图7B示出了制造片式天线的方法的示例的示意性制造流程图。
图8是示出其中安装有片式天线模块的移动终端的示例的示意性透视图。
在整个附图和具体实施方式中，相同的附图标记表示相同的元件。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本申请的公开内容之后，在此描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型和等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须以特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的改变。此外，为了增加清楚性和简洁性，可省略本领域公知的特征的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例仅仅为了示出在理解本申请的公开内容之后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些。
在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，该元件可直接“在”所述另一元件“上”、直接“连接到”所述另一元件或直接“结合到”所述另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被描述为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。
如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项和任意两项或更多项的任意组合。
尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不应受这些术语的限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件与另一元件的关系。这样的空间相对术语意在除了包括附图中描绘的方位之外，还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为相对于另一元件位于“上方”或“上面”的元件随后将相对于另一元件位于“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其他方式(例如，旋转90度或者处于其他方位)定位，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。
在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且不应用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、元件和/或它们的组合。
由于制造技术和/或公差，可发生附图中所示的形状的变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的具体形状，而是包括在制造期间发生的形状的改变。
在此描述的示例的特征可按照在理解本申请的公开内容后将是显而易见的各种方式进行组合。此外，尽管在此描述的示例具有各种构造，但是在理解本申请的公开内容后将是显而易见的其他构造也是可行的。
在本说明书中描述的片式天线模块在高频区域中操作，例如，可在3GHz或更高的频带中操作。此外，在此描述的片式天线模块可安装在被配置为接收和/或发送RF信号的电子装置上。作为示例，片式天线可安装在移动电话、便携式膝上型计算机、无人机等上。
本公开的一方面在于提供能够增强陶瓷基板和贴片等之间的粘合力并且提高馈电过孔的导电特性的片式天线。
图1是片式天线模块的示例的透视图，图2A是图1的片式天线模块的一部分的截面图，图3A是图1的片式天线模块的平面图，并且图3B示出了图3A的片式天线模块的变型实施例。
参照图1、图2A和图3A，根据实施例的片式天线模块1包括基板10、电子器件50和片式天线100，并且还可包括端射天线200。可在基板10中设置至少一个电子器件50、多个片式天线100和多个端射天线200。
在此，应注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，示例或实施例可包括什么或可实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，但所有示例和实施例不限于此。
基板10可以是具有片式天线100所需的电路或电子组件的电路板。作为示例，基板10可以是在其表面上安装有一个或更多个电子组件的印刷电路板(PCB)。因此，基板10可设置有电路布线以使电子组件彼此电连接。此外，基板10可设置为柔性基板、陶瓷基板、玻璃基板等。基板10可包括多个层。详细地，基板10可形成为通过交替地堆叠至少一个绝缘层17和至少一个布线层16而形成的多层基板。至少一个布线层16可包括设置在基板10的表面上的两个外层以及设置在两个外层之间的至少一个内层。作为示例，绝缘层17可利用诸如半固化片、ABF(Ajinomoto build-up film)、FR-4或双马来酰亚胺三嗪(BT)的绝缘材料形成。绝缘层可使用热固性树脂(诸如，环氧树脂)、热塑性树脂(诸如，聚酰亚胺树脂)、其中热固性树脂或热塑性树脂与无机填料一起浸在芯材料(诸如，玻璃纤维(或玻璃布或玻璃织物))的树脂来形成。根据实施例，绝缘层17可使用感光绝缘树脂形成。
布线层16可使电子器件50、多个片式天线100和多个端射天线200电连接。此外，布线层16可使多个电子器件50、多个片式天线100和多个端射天线200电连接到外部。
布线层16可包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料。
在绝缘层17中，设置用于布线层16的互连的布线过孔18。
片式天线100安装在基板10的一侧上，具体地，安装在基板10的上表面上。片式天线100可具有在Y方向上延伸的宽度、在X方向(与Y方向相交且垂直)上延伸的长度和在Z方向上延伸的高度。如图1中所示，片式天线100可以以n×1的结构布置。多个片式天线100沿X方向布置，并且多个片式天线100中的在X方向上彼此相邻的两个片式天线100的宽度可彼此相对。
根据实施例，片式天线100可以以n×m的结构布置。多个片式天线100沿X方向和Y方向布置。这里，多个片式天线100中的在Y方向上彼此相邻的两个片式天线的长度可彼此相对，而多个片式天线100中的在X方向上彼此相邻的两个片式天线的宽度可彼此相对。
在X方向和Y方向中的至少一个方向上彼此相邻的片式天线100的中心可彼此间隔开λ/2。这里，λ表示由片式天线100发送和接收的RF信号的波长。
当根据本公开的实施例的片式天线模块1发送和接收20GHz至40GHz频带中的RF信号时，彼此相邻的片式天线100的中心可彼此间隔开3.75mm至7.5mm。当片式天线模块1发送和接收28GHz频带中的RF信号时，片式天线的中心可彼此间隔开5.36mm。
就特性而言，与3G/4G通信系统中使用的RF信号相比，5G通信系统中使用的RF信号具有较短波长和较大能量。因此，为了显著减少由各个片式天线100发送和接收的RF信号之间的干扰，期望片式天线100具有充足的间隔距离。
根据本公开的实施例，片式天线100的中心彼此充分地间隔开λ/2，因而使片式天线100发送和接收的RF信号的干扰显著减少。因此，在5G通信系统中使用片式天线100。
另外，根据实施例，彼此相邻的片式天线100的中心之间的间隔距离可小于λ/2。如稍后将描述的，片式天线100中的每个被构造为设置在陶瓷基板或陶瓷基板的一部分上的至少一个贴片天线。在这种情况下，陶瓷基板彼此间隔开预定距离，或者在陶瓷基板之间设置具有比陶瓷基板的介电常数低的介电常数的材料，因而可使片式天线100的总介电常数减小。因此，使片式天线100发送和接收的RF信号的波长增大，因而可提高辐射效率和增益。因此，即使当相邻的片式天线100被布置成允许彼此相邻的片式天线100的中心之间的间隔距离小于RF信号的λ/2时，RF信号之间的干扰也可显著减少。根据本公开的实施例的片式天线模块1发送和接收28GHz频带中的RF信号，彼此相邻的片式天线100的中心之间的间隔距离可小于5.36mm。
向片式天线100提供馈电信号的馈电焊盘16a可设置在基板10的上表面上。另外，接地层16b设置在基板10的多个层中的任意一个内层上。作为示例，设置在最靠近基板10的上表面的内层上的布线层16用作接地层16b。接地层16b操作为片式天线100的反射器。因此，接地层16b可通过反射由片式天线100输出的RF信号来使RF信号集中在与目标方向对应的Z方向上。
在图2A中，示出了接地层16b设置在最靠近基板10的上表面的内层上。然而，根据实施例，接地层16b可设置在基板10的上表面上或者可设置在另一层上。
此外，结合到片式天线100的顶焊盘16c设置在基板10的上表面上。电子器件50可安装在基板10的另一侧上(具体地，在下表面上)。电连接到电子器件50的底焊盘16d设置在基板10的下表面上。
绝缘保护层19可设置在基板10的下表面上。绝缘保护层19在基板10的下表面上设置为覆盖绝缘层17和布线层16，并且保护设置在绝缘层17的下表面上的布线层16。作为示例，绝缘保护层19可包括绝缘树脂和无机填料。绝缘保护层19可具有使布线层16的至少一部分暴露的开口。电子器件50可通过设置在开口上的焊球而安装在底焊盘16d上。
图2B和图2C示出了图2A的片式天线模块的变型示例。
根据图2B和图2C的示例的片式天线模块与图2A的片式天线模块相似，因此将省略重复的描述并且将主要描述不同之处。
参照图2B，基板10包括：至少一个布线层1210b；至少一个绝缘层1220b；布线过孔1230b，连接到至少一个布线层1210b；连接焊盘1240b，连接到布线过孔1230b；以及阻焊层1250b。基板10可具有与铜重新分布层(RDL)的结构相似的结构。片式天线100可设置在基板10的上表面上。
集成电路芯片(IC)1301b、电源管理集成芯片(PMIC)1302b以及多个无源组件1351b、1352b和1353b可通过焊球1260b安装在基板的下表面上。IC 1301b对应于用于操作片式天线模块1的IC。PMIC 1302b产生电力，并且产生的电力可通过基板10的至少一个布线层1210b传输到IC 1301b。
多个无源组件1351b、1352b和1353b可为IC 1301b和/或PMIC 1302b提供阻抗。例如，多个无源组件1351b、1352b和1353b可包括电容器(诸如，多层陶瓷电容器(MLCC))、电感器和片式电阻器中的至少部分。
参照图2C，基板10可包括至少一个布线层1210a、至少一个绝缘层1220a、布线过孔1230a、连接焊盘1240a以及阻焊层1250a。
电子组件封装件安装在基板10的下表面上。电子组件封装件可包括：IC 1300a；包封剂1305a，密封IC 1300a的至少一部分；支撑构件1355a，具有与IC 1300a相对的第一侧表面；至少一个布线层1310a，电连接到IC 1300a和支撑构件1355a；以及连接构件，包括绝缘层1280a。
由IC 1300a产生的RF信号可通过至少一个布线层1310a传输到基板10，并且沿片式天线模块1的上表面的方向发送。由片式天线模块1接收到的RF信号可通过至少一个布线层1310a传输到IC 1300a。
电子组件封装件还可包括在IC 1300a的一侧和/或另一侧上的连接焊盘1330a。设置在IC 1300a的一侧上的连接焊盘1330a可电连接到至少一个布线层1310a。设置在IC1300a的另一侧上的连接焊盘1330a可通过底布线层1320a电连接到支撑构件1355a或芯镀覆构件1365a。芯镀覆构件1365a可为IC 1300a提供接地。
支撑构件1355a可包括芯介电层1356a和至少一个芯过孔1360a，至少一个芯过孔1360a贯穿芯介电层1356a并且电连接到底布线层1320a。芯过孔1360a可电连接到电连接结构1340a(诸如，焊球、引脚或焊盘)。因此，支撑构件1355a从基板10的下表面接收基础信号或电力以通过至少一个布线层1310a将基础信号或电力发送到IC 1300a。
IC 1300a可使用基础信号和/或电力产生毫米波(mmWave)频带的RF信号。例如，IC1300a接收具有低频的基础信号，并且可执行基础信号的频率转换、放大、滤波、相位控制和电力生成。IC 1300a可形成为复合半导体(例如，GaAs)和硅半导体中的一种，以实现高频特性。另外，电子组件封装件还可包括电连接到至少一个布线层1310a的无源组件1350a。无源组件1350a可设置在通过支撑构件1355a提供的容纳空间1306a中。无源组件1350a可包括陶瓷电容器(例如，多层陶瓷电容器(MLCC))、电感器和片式电阻器中的至少一部分。
另外，电子组件封装件可包括设置在支撑构件1355a的侧表面上的芯镀覆构件1365a和1370a。芯镀覆构件1365a和1370a可为IC 1300a提供接地，并且可使IC 1300a的热散到外部或者去除引入到IC 1300a中的噪声。
电子组件封装件的除了连接构件之外的构造和连接构件中的每个被单独制造，然后彼此组合，但也可根据设计一起制造。图2C示出了通过电连接结构1290a和阻焊层1285a而与基板10组合的电子组件封装件。然而，根据实施例，可省略电连接结构1290a和阻焊层1285a。
参照图3A，片式天线模块1还可包括至少一个端射天线200。每个端射天线200可包括端射天线图案210、导向器图案215和端射馈线220。
端射天线图案210可在侧表面的方向上发送或接收RF信号。端射天线图案210可设置在基板10的侧表面上并且可以以偶极形式或以折叠偶极(folded dipole)的形式设置。导向器图案215可电磁耦合到端射天线图案210以提高多个端射天线图案210的增益或带宽。端射馈线220可将由端射天线图案210接收到的RF信号发送到电子器件或IC，并且可将由电子器件或IC发送的RF信号发送到端射天线图案210。
如图3B中所示，由图3A的布线图案形成的端射天线200可实现为片形式的端射天线200。
参照图3B，每个端射天线200包括主体部230、辐射单元240和接地单元250。
主体部230具有六面体形状并且利用介电物质形成。例如，主体部230可利用具有预定介电常数的聚合物或陶瓷烧结体形成。
辐射单元240结合到主体部230的第一表面，并且接地单元250结合到主体部230的与第一表面相对的第二表面。辐射单元240和接地单元250可利用相同的材料形成。辐射单元240和接地单元250可利用从Ag、Au、Cu、Al、Pt、Ti、Mo、Ni和W中选择的一种形成，或者是利用从Ag、Au、Cu、Al、Pt、Ti、Mo、Ni和W中选择的两种或更多种形成的合金而形成。辐射单元240和接地单元250可形成为具有相同的形状或相同的结构。当辐射单元240和接地单元250被安装在基板10上时，辐射单元240和接地单元250可根据要结合的焊盘的类型来划分。作为示例，结合到馈电焊盘的部分可用作辐射单元240，并且结合到接地焊盘的部分可用作接地单元250。
片形式的端射天线200因辐射单元240与接地单元250之间的介电物质而具有电容，因此使用该电容来设计耦合天线或者使用该电容来调谐谐振频率。
传统上，为了确保在多层板内部以图案实现的贴片天线中的充足的天线特性，在基板中需要多个层。然而，这样的结构可导致贴片天线的体积过度增大的问题。可通过在多层板中设置具有高介电常数的绝缘体以减小绝缘体的厚度从而减小天线图案的尺寸和厚度的方法解决该问题。
然而，如果绝缘体的介电常数增大，则RF信号的波长缩短，并且RF信号被具有高介电常数的绝缘体阻挡。因此，发生RF信号的辐射效率和增益显著下降的问题。
根据本公开的实施例，贴片天线以片的形式实现(在传统应用中，在多层板中以图案形式实现)，使得其上安装有片式天线的基板的层数可显著减少。因此，可降低实施例中的片式天线模块1的制造成本并且减小实施例中的片式天线模块1的体积。
此外，根据本公开的实施例，设置在片式天线100中的陶瓷基板的介电常数形成为高于设置在基板10上的绝缘层的介电常数，因而可使片式天线100小型化。
此外，片式天线100的陶瓷基板彼此间隔开预定距离，或者在陶瓷基板之间设置具有比陶瓷基板的介电常数低的介电常数的材料，从而可使片式天线100的总介电常数减小。因此，在使片式天线100小型化的同时，使RF信号的波长增大，因而可提高辐射效率和增益。这里，片式天线100的总介电常数可被理解为由片式天线100的陶瓷基板以及陶瓷基板之间的间隙形成的介电常数，或者由片式天线100的陶瓷基板以及设置在陶瓷基板之间的材料形成的介电常数。因此，当片式天线100的陶瓷基板彼此间隔开预定距离或者在陶瓷基板之间设置具有比陶瓷基板的介电常数低的介电常数的材料时，片式天线100的总介电常数可低于陶瓷基板的介电常数。
图4A是根据本公开的示例的片式天线的透视图，图4B是图4A的片式天线的侧视图，图4C是图4A的片式天线的截面图，图4D是图4A的片式天线的仰视图，并且图4E是图4A的片式天线的变型实施例的透视图。
参照图4A、图4B、图4C和图4D，根据本公开的示例的片式天线100包括第一陶瓷基板110a、第二陶瓷基板110b和第一贴片天线120a，并且可包括第二贴片天线120b和第三贴片天线120c中的至少一者。
第一贴片天线120a可利用具有恒定面积的平板形式的金属形成。作为示例，第一贴片天线120a可具有四边形形状。然而，根据实施例，第一贴片天线可具有诸如多边形形状、圆形形状等的各种形状。第一贴片天线120a连接到馈电过孔131，因此第一贴片天线120a可起作用并且可作为馈电贴片天线来操作。
第二贴片天线120b和第三贴片天线120c与第一贴片天线120a间隔开预定距离，并且可利用具有恒定面积的平板金属形成。第二贴片天线120b和第三贴片天线120c可具有与第一贴片天线120a的面积相同或不同的面积。作为示例，第二贴片天线120b和第三贴片天线120c可形成为具有比第一贴片天线120a的面积小的面积，并且可设置在第一贴片天线120a的上部。作为示例，第二贴片天线120b的面积和第三贴片天线120c的面积可形成为比第一贴片天线120a的面积小5％至8％。作为示例，第一贴片天线120a、第二贴片天线120b和第三贴片天线120c的厚度可为20μm。
第二贴片天线120b和第三贴片天线120c可电磁耦合到第一贴片天线120a，因此第二贴片天线120b和第三贴片天线120c可起作用并且可作为辐射贴片来操作。第二贴片天线120b和第三贴片天线120c可进一步使RF信号集中在与片式天线100的安装方向对应的Z方向上，因而可提高第一贴片天线120a的增益或带宽。片式天线100可包括用作辐射贴片的第二贴片天线120b和第三贴片天线120c中的至少一者。
第一陶瓷基板110a可利用具有预定介电常数的介电物质形成。作为示例，第一陶瓷基板110a可利用具有六面体形状的陶瓷烧结体形成。第一陶瓷基板110a可包含镁(Mg)、硅(Si)、铝(Al)、钙(Ca)和钛(Ti)。作为示例，第一陶瓷基板110a可包括Mg2SiO4、MgAl2O4和CaTiO3。作为另一示例，第一陶瓷基板110a除了包括Mg2SiO4、MgAl2O4和CaTiO3之外，还可包括MgTiO3。根据实施例，用MgTiO3代替CaTiO3，因此第一陶瓷基板110a可包括Mg2SiO4、MgAl2O4和MgTiO3。
当片式天线模块1的接地层16b与片式天线100的第一贴片天线120a之间的距离对应于λ/10至λ/20时，接地层16b可将由片式天线100输出的RF信号有效地反射在目标方向上。
当接地层16b设置在基板10的上表面上时，片式天线模块1的接地层16b与片式天线100的第一贴片天线120a之间的距离基本上等于第一陶瓷基板110a的厚度和连接焊盘140的厚度之和。
因此，可根据接地层16b与第一贴片天线120a之间的设计距离(例如，λ/10至λ/20)确定第一陶瓷基板110a的厚度。作为示例，第一陶瓷基板110a的厚度可对应于接地层16b与第一贴片120a之间的设计距离(λ/10至λ/20)的90％至95％。作为示例，当第一陶瓷基板110a的介电常数在28GHz下为5至12时，第一陶瓷基板110a的厚度可为150μm至500μm。
第一贴片天线120a设置在第一陶瓷基板110a的一侧上，而馈电焊盘130设置在第一陶瓷基板110a的另一侧上。至少一个馈电焊盘130可设置在第一陶瓷基板110a的另一侧上。馈电焊盘130的厚度可为20μm。
设置在第一陶瓷基板110a的另一侧上的馈电焊盘130可电连接到设置在基板10的一侧上的馈电焊盘16a。馈电焊盘130电连接到在厚度方向上贯穿第一陶瓷基板110a的馈电过孔131。馈电过孔131可向设置在第一陶瓷基板110a的一侧上的第一贴片天线120a提供馈电信号。可设置至少一个馈电过孔131。作为示例，可设置两个馈电过孔131，以对应于两个馈电焊盘130。两个馈电过孔131中的一个馈电过孔131可对应于用于产生竖直极化的馈电线，而另一馈电过孔131可对应于用于产生水平极化的馈电线。馈电过孔131的直径可为150μm。连接焊盘140设置在第一陶瓷基板110a的另一侧上。设置在第一陶瓷基板110a的另一侧上的连接焊盘140可结合到设置在基板10的一侧上的顶焊盘16c。作为示例，片式天线100的连接焊盘140可通过焊膏结合到基板10的顶焊盘16c。连接焊盘140的厚度可为20μm。
参照图4D的A，连接焊盘140设置为多个连接焊盘，并且连接焊盘可设置在第一陶瓷基板110a的另一侧上的四边形形状的每个角上。
参照图4D的B，多个连接焊盘140可设置为在第一陶瓷基板110a的另一侧上的四边形形状的相对的周边中的每条边上彼此间隔开预定距离。
参照图4D的C，多个连接焊盘140可设置为在第一陶瓷基板110a的另一侧上的四边形形状的四个周边中的每条边上彼此间隔开预定距离。
参照图4D的D，连接焊盘140可设置为呈具有与第一陶瓷基板110a的另一侧上的四边形形状的相对的周边中的每条边对应的长度的形状。
此外，参照图4D的E，连接焊盘140可根据第一陶瓷基板110a的另一侧上的四边形形状的四个周边中的每条边而设置为呈具有与四条边对应的长度的形状。
根据实施例，虽然图4D的A、B和C示出了具有四边形形状的连接焊盘140，但连接焊盘140的形状不限于此，并且可具有各种形状(诸如，圆形等)。此外，根据实施例，在图4D的A、B、C和D中，示出了连接焊盘140与四边形形状的四条边相邻地设置，但连接焊盘140还可设置为与四条边间隔开预定距离。
第二陶瓷基板110b可利用具有预定介电常数的介电物质形成。作为示例，第二陶瓷基板110b可形成为具有与第一陶瓷基板110a的六面体形状相似的六面体形状的陶瓷烧结体。根据实施例，第二陶瓷基板110b可具有与第一陶瓷基板110a的介电常数相同的介电常数，但也可具有与第一陶瓷基板110a的介电常数不同的介电常数。作为示例，第二陶瓷基板110b的介电常数可高于第一陶瓷基板110a的介电常数。根据本公开的实施例，当第二陶瓷基板110b的介电常数高于第一陶瓷基板110a的介电常数时，RF信号朝向具有高的介电常数的第二陶瓷基板110b辐射，因而可提高RF信号的增益。
第二陶瓷基板110b的厚度可小于第一陶瓷基板110a的厚度。第一陶瓷基板110a的厚度可对应于第二陶瓷基板110b的厚度的1至5倍，并且优选地，第一陶瓷基板110a的厚度可以是第二陶瓷基板的厚度的2至3倍。作为示例，第一陶瓷基板110a的厚度可为150μm至500μm，并且第二陶瓷基板110b的厚度可为100μm至200μm。优选地，第二陶瓷基板110b的厚度可为50μm至200μm。另外，根据实施例，第二陶瓷基板110b的厚度也可等于第一陶瓷基板110a的厚度。
根据本公开的实施例，基于第二陶瓷基板110b的厚度，第一贴片天线120a与第二贴片天线120b和/或第三贴片天线120c之间保持适当的距离，因此RF信号的辐射效率可提高。
第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的介电常数可高于基板10的介电常数(具体地，可高于设置在基板10上的绝缘层17的介电常数)。作为示例，第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的介电常数在28GHz下可为5至12，而基板10的介电常数在28GHz下可为3至4。因此，片式天线的体积减小，因而可促进整个片式天线模块的小型化。作为示例，根据本公开的实施例的片式天线100可以以具有3.4mm的长度、3.4mm的宽度和0.64mm的高度的小型片的形式制造。第二贴片天线120b设置在第二陶瓷基板110b的另一侧上，而第三贴片天线120c设置在第二陶瓷基板110b的一侧上。
参照图4E，与第三贴片天线120c绝缘并且沿着第二陶瓷基板110b的边缘区域形成的屏蔽电极120d可设置在第二陶瓷基板110b的一侧上。当片式天线100以诸如n×1的结构的阵列的形式布置时，屏蔽电极120d可使片式天线100之间的干扰减少。因此，当片式天线100以4×1的阵列的形式布置时，根据本公开的实施例的片式天线模块1可制造成具有19mm的长度、4.0mm的宽度和1.04mm的高度的小模块。
第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b可通过间隔件150彼此间隔开。间隔件150可设置在第一陶瓷基板110a与第二陶瓷基板110b之间的第一陶瓷基板110a/第二陶瓷基板110b的四边形形状的每个角上。此外，根据实施例，间隔件可设置在第一陶瓷基板110a/第二陶瓷基板110b的四边形形状的相对的周边上，或者可设置在第一陶瓷基板110a/第二陶瓷基板110b的四边形形状的四条边上，从而将第二陶瓷基板110b稳定地支撑在第一陶瓷基板110a的上部。由于间隔件150，所以可在设置在第一陶瓷基板110a的一侧上的第一贴片天线120a与设置在第二陶瓷基板110b的另一侧上的第二贴片天线120b之间设置间隙。通过该间隙形成的空间填充有介电常数为1的空气，因此，可使片式天线100的总介电常数减小。
根据本公开的实施例，第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b利用具有比基板10的介电常数高的介电常数的材料形成，因此可使片式天线模块小型化。此外，由于在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间制备有间隙，所以片式天线100的总介电常数减小，因而可提高辐射效率和增益。
图5A是根据本公开的另一示例的片式天线的透视图，图5B是图5A的片式天线的侧视图，并且图5C是图5A的片式天线的截面图。根据另一示例的片式天线与根据示例的片式天线类似，因此省略重复的描述，并且将主要描述不同之处。
根据示例的片式天线100的第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b通过间隔件150彼此间隔开。与上述情况相比，根据另一示例的片式天线100的第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b通过结合层155彼此结合。可理解的是，根据第二实施例的结合层155设置在由根据实施例的第一陶瓷基板110a与第二陶瓷基板110b之间的间隙形成的空间中。
结合层155形成为覆盖第一陶瓷基板110a的一侧和第二陶瓷基板110b的另一侧，因此将第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b结合为整体。结合层155可利用例如聚合物形成，并且聚合物可包括例如聚合物片。结合层155的介电常数可低于第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的介电常数。作为示例，结合层155的介电常数在28GHz下可为2至3。结合层155的厚度可为50μm至200μm。
根据本公开的实施例，第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b利用具有比基板10的介电常数高的介电常数的材料形成，因此使片式天线模块小型化。
在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间制备具有比第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b的介电常数低的介电常数的材料，因而使片式天线100的总介电常数减小。因此，可提高辐射效率和增益。
图6是示出第一贴片天线、第二贴片天线、第三贴片天线、馈电焊盘、馈电过孔和连接焊盘的详细构造的示例的局部截面图。在图6中，为了便于描述，省略了示例的间隔件150和另一示例的结合层155。
参照图6，第一贴片天线120a可包括设置在第一陶瓷基板110a的一侧上的种子层SL以及设置在种子层SL上的镀覆层PL，第二贴片天线120b和第三贴片天线120c中的每个可包括种子层SL以及设置在种子层SL上的镀覆层PL，并且种子层SL和镀覆层PL可设置在第二陶瓷基板110b的表面上。
馈电过孔131可包括：种子层SL，沿着在厚度方向上贯穿第一陶瓷基板110a的通路孔的内壁形成；以及导电材料CM(例如，导电膏)，设置在种子层SL中，并且设置成被种子层SL包围的形式。导电材料CM可形成在被种子层SL包围的内部空间的整体中。导电材料CM设置在通路孔的中央区域中，并且种子层SL连接到导电材料CM，以设置在通路孔的边缘区域中。
馈电焊盘130可包括设置在第一陶瓷基板110a的另一侧上的种子层SL以及设置在种子层SL上的镀覆层PL。此外，连接焊盘140可包括设置在第一陶瓷基板上的种子层SL以及设置在种子层SL上的镀覆层PL。
第一贴片天线120a的种子层SL连接到馈电过孔131的种子层SL，而馈电焊盘130的种子层SL连接到馈电过孔131的种子层SL。因此，形成在第一陶瓷基板110a上的第一贴片天线120a的种子层SL和馈电焊盘130的种子层SL可通过馈电过孔131的种子层SL彼此连接。
第一贴片天线120a的种子层SL、第二贴片天线120b的种子层SL、第三贴片天线120c的种子层SL、馈电焊盘130的种子层SL、馈电过孔131的种子层SL和连接焊盘140的种子层SL可利用相同的材料形成。
种子层SL可利用从Ti、Mo和Cu中选择的一种形成，或者可利用由从Ti、Mo和Cu中选择的两种或更多种形成的合金而形成。镀覆层PL可利用从Cu、Ni和Sn中选择的一种形成，或者可利用由从Cu、Ni和Sn中选择的两种或更多种形成的合金而形成。种子层SL可使用溅射工艺形成，而镀覆层PL可使用电镀工艺形成。
馈电过孔131的种子层SL连接到第一贴片天线120a的种子层SL和馈电焊盘130的种子层SL，因此馈电过孔131的种子层SL可与第一贴片天线120a的种子层SL和馈电焊盘130的种子层SL一体化设置。此外，馈电过孔131的导电材料CM设置成在厚度方向上贯穿第一贴片天线120a的种子层SL和馈电焊盘130的种子层SL的形式，因此馈电过孔131的导电材料CM可直接连接到第一贴片天线120a的种子层SL/镀覆层PL以及馈电焊盘130的种子层SL/镀覆层PL。
根据本公开的实施例，第一贴片天线120a、第二贴片天线120b、第三贴片天线120c、馈电焊盘130和连接焊盘140包括对陶瓷基板具有强粘附力的种子层SL。因此，可提高第一贴片天线120a、第二贴片天线120b、第三贴片天线120c、馈电焊盘130和连接焊盘140的抵抗外部冲击等的粘附特性。
此外，根据本公开的实施例，馈电过孔131包括使用与第一贴片天线120a和馈电焊盘130的种子层SL的工艺相同的工艺形成的种子层SL。因此，即使当发生通路孔部分未填充有导电材料CM的现象时，馈电过孔131、第一贴片天线120a和馈电焊盘130也可彼此稳定连接。因此，馈电过孔131的导电特性得以确保，因而可保证片式天线的稳定操作。
图7A和图7B示出了制造根据本公开的示例的片式天线和根据本公开的另一示例的片式天线的方法的示意性制造流程图。
参照图7A，设置第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b(S10)，并且形成在厚度方向上贯穿第一陶瓷基板110a的通路孔VH(S20)。
接着，在第一陶瓷基板110a的表面、第二陶瓷基板110b的表面以及通路孔VH的内壁上形成种子层SL(S30)，并且在形成在通路孔VH中的种子层SL上形成导电材料CM(S40)。使用溅射工艺形成种子层SL，并且使用膏填充工艺形成导电材料CM。使用相同的工艺形成在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b上的种子层SL。因此，在第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧上的种子层SL的厚度、第二陶瓷基板110b的一侧和另一侧上的种子层SL的厚度以及通路孔VH的内壁上的种子层SL的厚度可全部相同。
导电材料CM可朝向形成在第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧上的种子层SL延伸，因此端部可在第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧暴露于外部。由于设置在通路孔VH内部的种子层SL和导电材料CM，因此可设置馈电过孔131。
在位于第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧上的种子层SL以及位于第二陶瓷基板110b的一侧和另一侧上的种子层SL上形成镀覆层PL(S50)。可使用电镀工艺形成镀覆层PL。
形成在位于第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧上的种子层SL上的镀覆层PL可连接到导电材料CM，所述导电材料CM的端部在第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧上暴露于外部。
参照图7B，在位于第一陶瓷基板110a的相对的表面上的镀覆层PL以及位于第二陶瓷基板110b的相对的表面上的镀覆层PL上堆叠感光膜DFR(S60)。
将设置在第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧上方的感光膜DFR以及设置在第二陶瓷基板110b的一侧和另一侧上方的感光膜DFR曝光并显影以形成图案(S70)。
根据图案，蚀刻设置在第一陶瓷基板110a的一侧和另一侧上方的种子层SL/镀覆层PL以及设置在第二陶瓷基板110b的一侧和另一侧上方的种子层SL/镀覆层PL，并且剥离图案，以形成第一贴片天线120a、第二贴片天线120b、第三贴片天线120c、馈电焊盘130和连接焊盘140(S80)。
然后，在第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b之间设置间隔件150，以制造根据示例的片式天线。此外，使用结合层155结合第一陶瓷基板110a和第二陶瓷基板110b，以制造根据另一示例的片式天线。
图8是示出其中安装有片式天线模块的移动终端的示例的示意性透视图。
参照图8，在实施例中的片式天线模块1邻近移动终端的边缘设置。作为示例，片式天线模块1设置于在长度方向或宽度方向上的相对的周边上。在实施例中，描述了例如片式天线模块设置在移动终端的在长度方向上的相对的周边以及在宽度方向上的一边的情况，但是实施例不限于此。如果移动终端的内部空间不充足，则可仅在移动终端的对角线方向上设置两个片式天线模块。如上所述，可根据需要以各种形式修改片式天线模块的布置结构。通过片式天线模块1的片式天线辐射的RF信号在移动终端的厚度方向上辐射，而通过片式天线模块1的端射天线辐射的RF信号可在与移动终端的在长度方向上的边或在宽度方向上的边垂直的方向上辐射。
如以上所阐述的，根据本公开中的实施例，片式天线可通过增强陶瓷基板和片式天线等之间的粘附力来确保抵抗外部冲击的鲁棒耐用性。
此外，根据本公开的实施例的片式天线可通过提高馈电过孔的导电特性来确保片式天线的稳定操作。
虽然本公开包括具体示例，但是在理解本申请的公开内容之后将明显的是，在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下，可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的意义，而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术，和/或如果以不同的方式组合描述的系统、架构、装置或电路中的组件和/或用其他组件或它们的等同物替换或补充描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同物来限定，并且在权利要求及其等同物的范围内的所有变化将被解释为包括在本公开中。

Claims (21)

1.一种片式天线，包括：
第一陶瓷基板；
第二陶瓷基板，与所述第一陶瓷基板相对设置；
第一贴片天线，所述第一贴片天线包括：种子层，设置在所述第一陶瓷基板的表面上；和镀覆层，设置在所述第一贴片天线的种子层上；
第二贴片天线，设置在所述第二陶瓷基板上；以及
馈电过孔，所述馈电过孔包括：种子层，沿着在厚度方向上贯穿所述第一陶瓷基板的通路孔的内壁形成；和导电材料，在所述通路孔中被所述馈电过孔的种子层包围，
其中，所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层彼此连接。
2.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述导电材料贯穿所述第一贴片天线的种子层，并且连接到所述第一贴片天线的镀覆层。
3.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层利用相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层中的每个利用Ti、Mo和Cu中的任意一种形成，或者利用Ti、Mo和Cu中的任意两种或更多种的任意组合形成。
5.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的镀覆层利用Cu、Ni和Sn中的任意一种形成，或者利用Cu、Ni和Sn中的任意两种或更多种的任意组合形成。
6.根据权利要求1所述的片式天线，所述片式天线还包括馈电焊盘，所述馈电焊盘包括：种子层，形成在所述第一陶瓷基板的另一表面上；和镀覆层，形成在所述馈电焊盘的种子层上。
7.根据权利要求6所述的片式天线，其中，所述馈电焊盘的种子层和所述馈电过孔的种子层彼此连接。
8.根据权利要求7所述的片式天线，其中，所述导电材料贯穿所述馈电焊盘的种子层，并且连接到所述馈电焊盘的镀覆层。
9.根据权利要求1所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的设置在所述第一陶瓷基板的表面上的种子层的厚度等于形成在所述通路孔的所述内壁上的所述馈电过孔的种子层的厚度。
10.一种片式天线，包括：
第一陶瓷基板；
第二陶瓷基板，与所述第一陶瓷基板相对设置；
第一贴片天线，所述第一贴片天线包括：种子层，设置在所述第一陶瓷基板的表面上；和镀覆层，设置在所述第一贴片天线的种子层上；
第二贴片天线，设置在所述第二陶瓷基板上；以及
馈电过孔，所述馈电过孔包括：导电材料，设置于在厚度方向上贯穿所述第一陶瓷基板的通路孔的中央区域中；和种子层，设置在所述通路孔的边缘区域中，连接到所述导电材料，
其中，所述导电材料连接到所述第一贴片天线的种子层和所述第一贴片天线的镀覆层。
11.根据权利要求10所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层利用相同的材料形成。
12.根据权利要求10所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的种子层和所述馈电过孔的种子层中的每个利用Ti、Mo和Cu中的任意一种形成，或者利用Ti、Mo和Cu中的任意两种或更多种的任意组合形成。
13.根据权利要求10所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的镀覆层利用Cu、Ni和Sn中的任意一种形成，或者利用Cu、Ni和Sn中的任意两种或更多种的任意组合形成。
14.根据权利要求10所述的片式天线，所述片式天线还包括馈电焊盘，所述馈电焊盘包括：种子层，形成在所述第一陶瓷基板的另一表面上；和镀覆层，形成在所述馈电焊盘的种子层上。
15.根据权利要求14所述的片式天线，其中，所述导电材料连接到所述馈电焊盘的种子层和所述馈电焊盘的镀覆层。
16.根据权利要求10所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线的设置在所述第一陶瓷基板的表面上的种子层的厚度等于形成在所述通路孔的内壁上的所述馈电过孔的种子层的厚度。
17.一种片式天线，包括：
第一陶瓷基板，所述第一陶瓷基板上设置有第一贴片天线；
第二陶瓷基板，设置在所述第一陶瓷基板上并且与所述第一陶瓷基板间隔开，所述第二陶瓷基板上设置有第二贴片天线；
馈电过孔，包括导电材料，所述导电材料设置于在厚度方向上贯穿所述第一陶瓷基板的通路孔中；以及
种子层，设置在所述第一陶瓷基板的表面和所述第一贴片天线的表面之间以及所述第一陶瓷基板的表面和所述导电材料的表面之间。
18.根据权利要求17所述的片式天线，其中，所述种子层沿着所述通路孔的内壁形成。
19.根据权利要求17所述的片式天线，其中，所述第一贴片天线包括设置在所述种子层上的镀覆层，并且所述第二贴片天线包括设置在所述种子层上的镀覆层。
20.根据权利要求19所述的片式天线，其中，所述导电材料贯穿所述第一贴片天线和所述第一陶瓷基板之间的所述种子层，并且所述导电材料连接到所述第一贴片天线的镀覆层。
21.根据权利要求17所述的片式天线，其中，所述第二陶瓷基板与所述第一陶瓷基板通过结合层或间隔件间隔开。
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