CN112397413B - 半导体制造设备及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及半导体技术领域，本发明实施例提供一种半导体制造设备，包括：工艺区域；供应系统，与工艺区域相连，用于向工艺区域供应化学品，使工艺区域进行预设工艺步骤；检测系统，与供应系统相连，用于检测供应系统的供应状态；主控预警系统，与检测系统和供应系统相连，用于当检测到供应系统的供应状态异常时，发出预警信息并控制供应系统继续向所述工艺区域供应化学品，直至工艺区域完成预设工艺步骤。避免了在当下现有生产模式中，若检测到供应系统供应状态异常时，中止机台功能的设计而造成材料报废的现象，节约制造成本。

Description

半导体制造设备及其控制方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体制造设备及其控制方法。

背景技术

目前，市面上的半导体制造设备都是通过检测系统来检测供应给晶圆完成预设工艺所需的化学品的供应状态，若检测系统检测到化学品的供应状态不满足预设的条件，即通过停止供应化学品来保证生产的良率。

现有技术的半导体制造设备的系统采用的是互锁系统(interlock)，即在机台检测到供应状态有一项异常就会导致全部工艺停止，从而产生晶圆报废。

然而，发明人发现：随着科技的发展，对半导体材料的制造精度要求越来越高，预设的化学品供应状态的范围越来越小，增大了半导体制造设备停机的风险，导致晶圆报废率高，制造成本大大增加。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种半导体制造设备及其控制方法，避免了检测到供应系统供应状态出现异常时，因半导体制造设备停机而导致的材料报废，增大制造成本的问题。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种半导体制造设备，包括：工艺区域；供应系统，与工艺区域相连，用于向工艺区域供应化学品，使工艺区域进行预设工艺步骤；检测系统，与供应系统相连，用于检测供应系统的供应状态；主控预警系统，与检测系统和供应系统相连，用于当检测到供应系统的供应状态异常时，发出预警信息并控制供应系统继续向工艺区域供应化学品，直至工艺区域完成预设工艺步骤。

本发明的实施方式还提供了一种半导体制造设备的控制方法，包括：向工艺区域供应晶圆；向工艺区域供应化学品；检测供应系统的供应状态并判断所述供应系统的供应状态是否异常；当检测到的供应系统的供应状态异常时，主控预警系统发出预警信息且控制供应系统继续向工艺区域供应所述化学品，直至所述工艺区域完成预设工艺步骤。

本发明实施方式相对于现有技术而言，在检测系统检测到供应系统的供应状态异常时，主控预警系统继续给工艺区域提供化学品，直至工艺区域完成预设工艺步骤。若供应系统的供应状态异常并不影响完成预设工艺步骤后的产品良率，这样做避免了因停机而导致的基材浪费。

另外，主控预警系统还用于，在工艺区域完成预设工艺步骤之后，控制供应系统停止向工艺区域供应化学品。这样做的目的是：若供应系统中化学品供应状态的异常影响了晶圆完成预设工艺步骤之后的产品良率，这样做可以避免制造出劣质的产品。

另外，主控预警系统包括：预警单元，用于当检测到供应系统的供应状态异常时发出预警信息；主控单元，用于基于所述预警信息控制供应系统向工艺区域继续供应化学品。

另外，预警单元包括：声音预警单元、振动预警单元或者显示预警单元中的一种或多种。这样做的目的是：通过多种预警方式来通报相关工作人员，不错过任何一个化学品供应状态异常。

另外，供应系统包括：供应管道，检测系统用于检测供应管道的供应和状态。此外，供应系统还包括容置供应管道的容置腔室，所述检测系统设置在所述容置腔室内。

另外，检测系统包括泄漏检测单元、压强检测单元、成分检测单元、温度检测单元、流量检测单元中的一种或多种；其中，温度检测单元和流量检测单元设置在供应管道内；泄露检测单元、压强检测单元和成分检测单元设置在容置腔室内。这样做的目的是：检测系统通过多种方式全范围监控供应系统的供应状态，避免供应系统的供应状态在任何方面出现问题，保证供应的质量即间接的保证了制造出来的产品良率。

另外，供应管道为脱气管道。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。

图1为本发明第一实施例提供的半导体制造设备的结构示意图；

图2为本发明第二实施例提供的半导体制造设备的结构示意图；

图3为本发明第二实施例提供的脱气管道的具体实现方式；

图4为本发明第三实施例提供的半导体制造设备的结构示意图；

图5为本发明第四实施例提供的应用于该半导体设备的制造流程图。

具体实施方式

随着半导体制造精度越来越高，半导体制造设备所允许的供应系统的供应状态的正常范围值越来越小，致使检测系统检测供应系统的供应状态异常的概率大大升高。且检测系统检测到供应系统的供应状态出现异常后停止向正在进行工艺处理的晶圆供应化学品，此时的晶圆因无法继续完成预设的工艺步骤而报废。

若供应系统的供应状态出现问题不至于降低生产的良率，但半导体制造设备仍停止向晶圆提供化学品而导致晶圆报废，因而将出现晶圆报废率高的问题，致使制造成本大大增加。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体制造设备，当检测系统检测到供应系统的供应状态异常时，主控预警系统发出预警信息并控制供应系统持续向工艺区域供应化学品，保证工艺区域能够完成当前的预设工艺步骤。如此，既能够提醒工程师对于供应系统进行关注并检测，且还能够避免工艺区域由于停止供应化学品导致的晶圆报废问题。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本发明的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合相互引用。

图1为本发明第一实施例提供的半导体制造设备的结构示意图，参考图1，半导体制造设备包括：工艺区域110；供应系统101，与工艺区域110相连，用于向工艺区域110供应化学品，使工艺区域110进行预设工艺步骤；检测系统102，与供应系统101相连，用于检测供应系统101的供应状态；主控预警系统103，与检测系统102和供应系统101相连，用于当检测到供应系统的供应状态异常时，发出预警信息并控制供应系统101向工艺区域110继续供应化学品，直至工艺区域110完成预设工艺步骤。

下面结合附图对本实施例进行详细说明：

工艺区域110中具有用于放置晶圆的载板(wafer carrier)。位于工艺区域110的晶圆将完成预设工艺步骤，预设工艺步骤可以包括预设的沉积工艺步骤或预设的刻蚀工艺步骤。

工艺区域110还接收供应系统101所供应的化学品，该化学品为晶圆完成预设工艺步骤所需的化学品。此外，工艺区域110还用于接收待进行预设工艺步骤的晶圆。

工艺区域110的数量可以是一个也可以是多个，相应的，工艺区域110可以对一片晶圆进行预设工艺步骤，也可以同时对多片晶圆进行预设工艺步骤。

供应系统101，包括化学品供应单元111和晶圆传送单元121，连接工艺区域110，化学品供应单元111用于向工艺区域110供应完成预设工艺步骤所需化学品，晶圆传送单元121用于向工艺区域110供应待处理的晶圆。

具体地，化学品供应单元111与工艺区域110通过输送管道连接。举例来说，预设工艺步骤可以为沉积工艺步骤也可以为刻蚀工艺步骤；化学品供应单元111供应的化学品可以为液态化学品，也可以为气态化学品，根据实际的工艺步骤进行相应的选择。

晶圆传送单元121与工艺区域110通过传送臂连接，晶圆传送单元121中的晶圆通过晶圆盒传送到机台，然后由传送臂送入工艺区域110中。

需要说明的是，工艺区域110和供应系统101的尺寸与大小由本发明所制成的晶圆产品的基材尺寸而定。

检测系统102，用于检测供应系统101的供应状态。由于供应系统101的供应状态影响着工艺区域110中的进行预设工艺步骤的晶圆的良率，因此需要检测供应系统的供应状态是否异常。

检测系统102包括泄漏检测单元、压强检测单元、成分检测单元、温度检测单元或者流量检测单元中的一种或多种。具体地，温度检测单元和流量检测单元设置在输送管道内；所述泄露检测单元、压强检测单元和成分检测单元设置在容置腔室内。

化学品供应单元111所供应的化学品为液态化学品时，检测系统102包括泄露检测单元、温度检测单元、成分检测单元和流量检测单元中的一种或多种，通过泄露检测单元可以检测化学品供应单元111中的液态化学品是否发生泄漏的现象；通过温度检测单元可以检测化学品供应单元111中液态化学品的温度；通过化学品流量检测单元可以检测化学品供应单元111通过输送管道向工艺区域110输送液体的快慢；通过成分检测单元可以检测化学品供应单元111中液态化学品的具体成分。

化学品供应单元111所供应的化学品为气态化学品时，检测系统102至少包括成分检测单元、温度检测单元、化学品流量检测单元或者压强检测单元中的一种或多种，通过气体成分检测单元可以检测化学品供应单元111中气态化学品的具体成分；通过温度检测单元可以检测化学品供应单元111中气态化学品的温度；通过化学品流量检测单元可以检测化学品供应单元111通过输送管道向处理室本体100输送气体的快慢；通过压强检测单元，可以检测化学品供应单元111中的气态化学品的气压，或者整个供应系统101中的气压。

具体地说，检测系统102包括数据采集模块112和数据处理模块122。

数据采集模块112，采用上述检测单元用于采集化学品供应单元111中的化学品状态数据并将采集到的化学品状态数据传输到数据处理模块122中。

需要说明的是，相应的检测单元可以是一个，也可以是多个，本发明实施例不做具体的数量限制。

需要说明的是，数据采集模块112可以实时采集化学品供应单元111中的化学品状态数据，也可以为定时采集化学品供应单元111中的化学品状态数据，根据具体工艺需求来设置。若采用实时检测，可以更好的检测供应系统101中的化学品供应状态，检测结果更加准确；若采用定时检测，其检测时间间隔可以是2s、1s、0.5s等，采用定时检测，数据处理分析量较少，有利于节约计算成本。

数据处理模块122用于接收数据采集模块112采集的化学品状态数据，并基于该化学品状态数据判断化学品供应状态是否异常。

具体地，数据处理模块122存储有预设的化学品状态数据正常区间，若数据采集模块112采集的化学品状态数据在预设的化学品状态数据正常区间内，则化学品供应状态正常；若数据采集模块112采集的化学品状态数据在预设的化学品状态数据正常区间外，则化学品供应状态异常。检测系统102还可以包括数据存储模块132，用于存储数据处理模块122获取的化学品供应状态数据，以便于工程师能够随时调取过去一段时间内的化学品供应状态数据。

需要说明的是，数据存储模块132和数据处理模块122的位置可以在化学品供应单元111内，也可以在化学品供应单元111外，本实施例以在化学品供应单元111外为例，在其他实施例中并不做具体限定。

主控预警系统103包括：预警单元113，用于当检测到供应系统101的供应状态异常时发出预警信息；主控单元123，用于基于预警信息控制供应系统101向工艺区域110继续供应化学品。当检测系统102检测到供应系统101的供应状态发生异常时，检测系统102将异常信息上报给主控预警系统103，主控预警系统103接收到检测系统102所上报的异常信号后，预警单元113发出预警信息，主控单元123控制供应系统101继续向工艺区域110提供化学品，使工艺区域110完成预设工艺步骤。需要说明的是，预警单元113中设置有误报警时接收到的信号集合，预警单元113可以将接收到的报警信号与误报警信号集合进行比对，判定初步判定是否为误报警，甚至可以在初步判定该报警信号为误报警后将信号转换为正常信号，从而在原interlock架构下可以继续正常工作，不用在当前wafer完成工艺步骤后退后Wafer载具中。如果判定为正常的报警信号，则可以完成当前制程后wafer退回Wafer载具。

其中，预警单元113可以具体包括：声音预警模块、振动预警模块或者显示预警模块中的一种或多种，通过多种方式预警，避免工作人员遗漏任何状况。

当检测系统102检测到供应系统101的供应状态异常时，工艺区域110完成预设工艺步骤之后，主控预警系统103控制供应系统101停止供应化学品，且还停止向工艺区域110传输新的晶圆。如此，便于工程师查看供应系统101的工作状态，及时检出供应系统101存在的问题。

半导体制造设备还可以包括晶圆存储装置120，在位于工艺区域110的晶圆在完成预设工艺步骤后，控制主控单元123控制工艺区域110的晶圆运输至晶圆存储装置120中。晶圆存储装置120的设置，能更有利的保护已经加工好的晶圆。

与现有技术的半导体制造设备相比，本实施例通过在检测系统102检测到供应系统101的供应状态出现异常时，并不停止向工艺区域110供应化学品，而是控制供应系统101持续向工艺区域110供应化学品，保证当前位于处理室本体100中工艺区域110中的晶圆能够完成预设工艺步骤，防止当前位于工艺区域110的晶圆报废。也就是说，即使化学品供应状态异常，但是可能该异常状态实际上不会影响工艺区域110的晶圆预设工艺步骤的进行，在这一情况下，若直接停止供应化学品，则晶圆无法进行预设工艺步骤而导致报废，将会造成半导体工艺成本的增加。

值得一提的是，本实施方式中所涉及到的各模块均为逻辑模块，在实际应用中，一个逻辑单元可以是一个物理单元，也可以是一个物理单元的一部分，还可以以多个物理单元的组合实现。此外，为了突出本发明的创新部分，本实施方式中并没有将与解决本发明所提出的技术问题关系不太密切的单元引入，但这并不表明本实施方式中不存在其它的单元。

本发明的第二实施方式涉及一种半导体制造设备。第二实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在工艺区域进行的预设工艺步骤为薄膜沉积工艺步骤，本领域技术人员可以理解，第二实施方式是第一实施方式的进一步改进，与前一实施例相同或形影的部分，以下将不做详细赘述。以下将结合图2对本发明第二实施方式提供的半导体制造设备进行详细说明：

本实施例中，工艺区域210位于薄膜沉积设备或CVD机台的真空腔室中。

本实施例中，供应系统201包括容置腔室211和脱气管道231，脱气管道231位于容置腔室211内，化学品经由脱气管道231进行脱气处理，检测系统用于检测容置腔室211内部的化学品供应状态。

本实施例中，通过输送管道连接脱气管道231以及工艺区域210，经过脱气处理的液态化学品通过输送管道输送到工艺区域210中。

本实施例中，检测系统202至少包括泄露检测单元，泄露检测单元设置在容置腔室211中，用于检测脱气管道231中的化学品是否发生泄漏的情况。

需要说明的是，除了泄露检测单元，检测系统202还可以包括温度检测单元、成分检测单元和流量检测单元中的一种或多种。通过温度检测单元可以检测化学品供应单元211中化学品的温度；通过化学品流量检测单元可以检测化学品供应单元211通过输送管道向工艺区域210输送化学品的快慢；通过化学品成分检测单元可以检测化学品供应单元211中化学品的具体成分。通过多种方式来检测脱气管道231中的化学品供应状态和容置腔室211中的供应环境，实现了供应状态的全方位检测。

检测系统202检测并判断的容置腔室211和脱气管道231中化学品供应状态是否异常，若供应状态异常则将异常信号传输给主控预警单元203，主控预警单元203在接收到检测系统202发送的异常信号后，发出预警信息并控制供应系统201继续向工艺区域210供应所述化学品，直至位于工艺区域210的晶圆完成薄膜沉积工艺步骤。

本发明第二实施例在第一实施例的基础上，具体描述了晶圆完成薄膜沉积工艺的具体设备结构，通过该半导体制造设备，能有效的控制半导体薄膜沉积工艺所需的成本。

本实施例中的供应系统201的具体结构如图3所示，供应系统201具体包括：

容置腔室211，腔室中设置有脱气管道231。

脱气管道231，化学品307在经过脱气管道231的过程中，进行脱气处理，将化学品307中的气体成分308排出脱气管道进入容置腔室211中。

需要说明的是，气体成分308主要为：氦气，氩气或氮气等惰性载气。

脱气管道出口303，连接输送管道，将化学品307通过输送管道供应给工艺区域210，使工艺区域210处的晶圆进行薄膜沉积工艺步骤。

脱气管道入口304，化学品307经过脱气管道入口304进入脱气管道231，在脱气管道231中进行脱气处理。

泵305，化学品经过脱气处理后，化学品中的气体成分308被分离开来，气体成分308在容置腔室211中不断累积，造成容置腔室211中的气体压强增大，为了保持容置腔室211中的室内压强，泵305不断向外部抽气。

检测系统202至少有一部分位于容置腔室211中，例如本图检测单元306所示。

检测单元306，用于检测系统202检测容置腔室211中化学品的供应状态。需要说明的是，在此处的检测单元306可以为泄露检测单元，若脱气管道231中有化学品漏出，则向主控预警系统203发送异常信号，需要说明的是，此处的检测单元306除了泄露检测单元，也可以包括压强检测单元和成分检测单元中的一种或多种，从而对容置腔室211中的化学品进行全方位的检测。

本发明的第三实施方式涉及一种半导体制造设备。第三实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在工艺区域进行的预设工艺步骤为刻蚀工艺步骤，本领域技术人员可以理解，第三实施方式是第一实施方式的进一步改进，与前一实施例相同的部分，以下将不做详细赘述。以下将结合图4对本发明第三实施方式提供的半导体制造设备进行详细说明：

本实施例中，工艺区域410位于刻蚀设备的真空腔室中。本实施例中，供应系统401包括供应管道411，化学品经由供应管道411运输至工艺区域410，且检测系统402用于检测供应管道411内部的化学品供应状态。

本实施例中，通过输送管道连接供气管道411以及工艺区域410，化学品通过输送管道输送到工艺区域410中。

在本实施例中，检测系统402至少包括成分检测单元，成分检测单元设置在供应管道411中，用于检测供应管道411中的化学品的成分。

需要说明的是，除了成分检测单元，检测系统402还可以包括压强检测单元、温度检测单元或者流量检测单元中的一种或多种。通过温度检测单元可以检测供应管道411中化学品的温度；通过流量检测单元可以检测供应管道411通过输送管道向工艺区域410输送化学品的快慢；通过压强检测单元，可以检测供应管道411中的化学品的压强，或者整个供应系统401中的压强。通过多种方式来检测供气管道411中化学品的供应状态，实现了供应状态的全方位检测。

检测系统402检测并判断供应管道411中化学品供应状态是否异常，若供应状态异常则将异常信号传输给主控预警单元403，主控预警单元403在接收到检测系统402发送的异常信号后，发出预警信息并控制供应系统401继续向工艺区域410供应所述化学品，直至位于工艺区域410的晶圆完成刻蚀工艺步骤。

本发明第三实施例在第一实施例的基础上，具体描述了晶圆完成刻蚀工艺的具体设备结构，通过该半导体制造设备，能有效的控制半导体刻蚀工艺所需的成本。

本发明第四实施方式涉及一种半导体制造设备的控制方法，如图5所示，具体包括：

步骤501，检测供应系统的供应状态。

具体地说，检测系统检测供应系统的供应状态，检测系统包括位于供应系统中的漏液检测单元、压强检测单元、成分检测单元、温度检测单元或者流量检测单元中的一种或多种。通过多种检测模块，来对供应系统中的供应状态进行实时地全方位的检测。

需要说明的是，相应的检测单元可以是一个，也可以是多个，本发明实施例不做具体的数量限制。

还需要说明的是，检测系统检测供应系统的供应状态可以是实时检测，也可以为定时检测，根据具体工艺需求来设置检测方式。若采用实时检测，可以更好的检测供应系统的供应状态，完成预设工艺得到的晶圆产品的良率会更高，但相应的制造成本会更高；若采用定时检测，其检测时间间隔可以是2s、1s、0.5s等，采用定时检测，精度没有实时检测高，即完成预设工艺得到的晶圆产品的良率会相应降低，但其制造成本也会相对便宜。

步骤502，判断所述供应状态是否异常。

若供应状态正常，则继续执行步骤501；若供应状态发生异常，则向主控预警系统发送供应异常信号，即执行步骤503和504。

步骤503，发出预警信息。

主控预警系统发出预警信息。具体地说，主控预警系统中的预警单元在接收到检测系统所发送的供应异常信号之后，发出预警信息，通知相关工作人员进行查看和维修。

需要说明的是，预警单元可以是声音预警模块、振动预警模块或者显示预警模块中的一种或多种，通过多种方式预警，避免工作人员遗漏任何状况。

步骤504，主控预警系统控制供应系统继续向工艺区域供应化学品，直至工艺区域的晶圆完成预设工艺步骤。

具体地说，主控预警系统中的主控单元在接收到检测系统所发送的供应异常信号之后，控制供应系统继续向工艺区域提供化学品，使当前位于工艺区域的晶圆完成预设的工艺步骤，避免了因停机而造成的晶圆浪费的现象。

需要说明的是，在其他实施例中，在完成步骤504之后，还可以执行步骤505，停止向工艺区域提供晶圆且停止向工艺区域供应化学品。步骤505即停止向工艺区域提供待加工的晶圆和晶圆完成预设工艺步骤所需的化学品。避免若供应状态出现问题后加工的晶圆为劣质产品，增大制造成本。

上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚，实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤，只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计，但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。

不难发现，本实施方式为与第一实施方式相对应的方法实施例，本实施方式可与第一实施方式互相配合实施。第一实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效，为了减少重复，这里不再赘述。相应地，本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一实施方式中。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (9)

1.一种半导体制造设备，其特征在于，包括：

工艺区域；

供应系统，与所述工艺区域相连，用于向所述工艺区域供应化学品，用于对所述工艺区域中的晶圆进行预设工艺步骤；

检测系统，与所述供应系统相连，用于检测所述供应系统的供应状态，当检测到所述供应系统的供应状态异常，发出报警信号；

主控预警系统，与所述检测系统和所述供应系统相连，用于当检测到所述供应系统的供应状态异常时，发出预警信息并控制所述供应系统继续向所述工艺区域供应化学品，直至所述工艺区域完成所述预设工艺步骤；

所述主控预警系统包括：预警单元，用于根据所述报警信号发出所述预警信息；主控单元，用于基于所述预警信息控制所述供应系统向所述工艺区域继续供应化学品；

所述预警单元中还设置有误报警信号集合，用于将所述报警信号与所述误报警信号集合比对，并将符合所述误报警信号集合的所述报警信号转换为正常信号；

所述控制所述供应系统继续向所述工艺区域供应化学品，直至所述工艺区域完成所述预设工艺步骤，包括：完成当前制程后将所述晶圆退回晶圆载具。

2.如权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述主控预警系统还用于，在所述工艺区域完成所述预设工艺步骤之后，控制所述供应系统停止向所述工艺区域供应化学品。

3.如权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述预警单元包括：声音预警单元、振动预警单元或者显示预警单元中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的半导体制造设备，其特征在于，所述供应系统包括：供应管道，所述检测系统用于检测所述供应管道的供应状态。

5.如权利要求4所述的半导体制造设备，其特征在于，所述供应系统还包括容置所述供应管道的容置腔室，所述检测系统设置在所述容置腔室内。

6.如权利要求5所述的半导体制造设备，其特征在于，所述检测系统包括泄漏检测单元、压强检测单元、成分检测单元、温度检测单元、流量检测单元中的一种或多种；其中，所述温度检测单元和所述流量检测单元设置在所述供应管道内；所述泄漏 检测单元、所述压强检测单元和所述成分检测单元设置在所述容置腔室内。

7.如权利要求4所述的半导体制造设备，其特征在于，所述供应管道为脱气管道。

8.一种半导体制造设备的控制方法，应用于如权利要求1-7任一项所述的半导体制造设备，其特征在于，包括：

向所述工艺区域供应晶圆；

向所述工艺区域供应化学品；

检测所述供应系统的供应状态，并判断所述供应系统的供应状态是否异常，当检测到所述供应系统的供应状态异常，发出报警信号；

当接收到所述报警信号，将所述报警信号与误报警信号集合比对，并将符合所述误报警信号集合的所述报警信号转换为正常信号；

主控预警系统基于与所述误报警信号集合比对后的所述报警信号，发出预警信息且控制所述供应系统继续向所述工艺区域供应所述化学品，直至所述工艺区域完成预设工艺步骤；

所述控制所述供应系统继续向所述工艺区域供应化学品，直至所述工艺区域完成所述预设工艺步骤，包括：完成当前制程后将所述晶圆退回晶圆载具。

9.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于，在位于所述工艺区域完成所述预设工艺步骤之后，还包括：停止向所述工艺区域供应晶圆且停止向所述工艺区域供应化学品。

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