CN112394439A - 用于反射中光谱可见光的电子设备涂层 - Google Patents

Abstract

本公开涉及用于反射中部光谱可见光的电子设备涂层。电子设备可包括具有可见光反射涂层的导电结构。该涂层可以包括晶种层、过渡层、中性色基底层和形成单层干涉膜的最上层。该中性色基底层可对可见光不透明。该干涉膜可以包含硅，并且可以具有介于0和1之间的吸收系数。该干涉膜可以包含例如CrSiN或CrSiCN。可以选择该干涉膜的组分、该干涉膜的厚度和/或该基底层的组分，以使该涂层具有接近可见光谱中部的期望颜色(例如，绿色波长处)。即使涂层的厚度在其区域上变化，该颜色也可相对稳定。

Description

用于反射中光谱可见光的电子设备涂层

本专利申请要求2020年7月17日提交的美国专利申请16/932,621、2019年8月14日提交的美国临时专利申请62/886,837以及2019年9月9日提交的美国临时专利申请62/897,595的优先权，这些专利申请据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本公开整体涉及用于电子设备结构的涂层，并且更具体地讲，涉及用于导电电子设备结构的可见光发射涂层。

背景技术

诸如蜂窝电话、计算机、手表和其他设备的电子设备包含导电结构，该导电结构诸如导电壳体结构。该导电结构设置有涂层，该涂层反射特定波长的光，使得导电部件呈现出期望的可见颜色。

可能很难使涂层具有相对均匀的厚度，尤其是在具有非平面形状的导电结构上。如果不小心，则涂层的厚度变化可能不期望地使涂层在其整个区域上的颜色和视觉外观失真。

发明内容

一种电子设备可包括导电结构诸如导电壳体结构。该导电结构可具有三维表面或其他非平面形状。可见光反射涂层可形成于该导电结构上。该涂层可以包括位于该导电结构上的晶种层、位于晶种层上的一个或多个过渡层、位于该过渡层上的中性色基底层、以及位于该中性色基底层上的单层干涉膜。该单层干涉膜可以是该涂层的最上层。该中性色基底层可对可见光不透明。

该单层干涉膜可以包含硅，并且可以具有介于0和1之间的吸收系数。该单层干涉膜可以包含例如CrSiN、CrSiCN、AlTiSiN(氮化铝钛硅)或TiSiN(氮化钛硅)。该中性色基底层可包含例如CrSiCN。可以选择该单层干涉膜的组分、该单层干涉膜的厚度和/或该中性色基底层的组分，以使该涂层具有接近可见光谱中部的期望颜色(例如，绿色)。由单层干涉膜的界面反射的光可以相长和相消干涉，以在接近可见光谱中部的整个波段上(例如，在绿色波长处)呈现出相对均匀的反射强度。即使该涂层的厚度在其整个区域上变化，这也可将涂层配置为呈现出接近可见光谱中部的相对均匀(稳定)颜色。

附图说明

图1是根据一些实施方案的可设置有导电结构和可见光反射涂层的类型的例示性电子设备的透视图。

图2是根据一些实施方案的具有可以设置有可见光反射涂层的导电结构的例示性电子设备的横截面侧视图。

图3是根据一些实施方案的具有对厚度变化高度敏感的着色层的例示性可见光反射涂层的横截面侧视图。

图4是根据一些实施方案的对厚度变化高度敏感的例示性可见光反射涂层的反射强度随波长变化的曲线图。

图5是根据一些实施方案的以相对均匀的反射强度反射可见中光谱光的例示性涂层的横截面侧视图。

图6是根据一些实施方案的图5所示类型的例示性涂层的横截面侧视图，该涂层具有由氮化铬硅(CrSiN)形成的单层干涉膜。

图7是根据一些实施方案的图5所示类型的例示性涂层的横截面侧视图，该涂层具有由碳氮化铬硅(CrSiCN)形成的单层干涉膜。

图8是根据一些实施方案的图5所示类型的例示性涂层的横截面侧视图，该涂层具有由氮化铝钛硅形成的单层干涉膜。

图9是根据一些实施方案的图5至图8所示类型的涂层的例示性中性色基底层中的不同元素的原子百分比的图。

图10是根据一些实施方案的具有彩色基底层和单层干涉膜的例示性涂层的横截面侧视图。

图11是根据一些实施方案的图5至图8和图10所示类型的例示性涂层的反射强度随波长变化的曲线图。

具体实施方式

电子设备和其他物项可设置有导电结构。可在导电结构上形成涂层以反射特定波长的可见光，使得导电结构呈现出期望的颜色。可见光反射涂层可沉积在导电衬底上。可见光反射涂层可以包括衬底上的过渡和粘附层、该过渡和粘附层上的中性色基底层、以及该中性色基底层上的最上面的单层干涉膜。在其他合适的布置中，涂层可以包括非中性(彩色)基底层而不是中性色基底层，和/或该基底层上的多层薄膜干涉滤光片而不是单层干涉膜。

单层干涉膜可具有一厚度和组分，该厚度和组分将涂层配置成反射接近可见光谱中部的特定颜色(例如，绿色)的光。单层干涉膜可以包含例如氮化铬硅、碳氮化铬硅或氮化铝钛硅。可以选择单层干涉膜的组分，以使涂层在某些波长下具有非零的吸收系数，以有助于调整该涂层的反射颜色。

单层干涉膜和中性色基底层可以对涂层的厚度变化相对颜色不敏感。例如，即使涂层在其整个区域上呈现出不同的厚度(例如，由于用于沉积涂层的沉积设备的限制和/或衬底具有三维形状的情况的限制)，该涂层的反射强度也可能在赋予涂层颜色的波段上相对均匀(例如，没有显著的局部最小值或最大值)。这可允许涂层从而允许下面的衬底呈现出均匀颜色和美学外观，即使衬底是三维的，并且即使用于沉积涂层的沉积设备无法使涂层具有在其整个区域上的精确厚度。

图1示出了可以设置有导电结构和可见光反射涂层的类型的例示性电子设备。图1的电子设备10可为诸如膝上型计算机的计算设备、包含嵌入式计算机的计算机监视器、平板电脑、蜂窝电话、媒体播放器、或其他手持式或便携式电子设备、诸如腕表设备(例如，带有腕带的手表)的较小设备、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户头部上的其他设备(例如，头戴式设备)，或其他可佩戴式或微型设备、电视机、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、嵌入式系统(诸如其中具有显示器的电子设备被安装在信息亭或汽车中的系统)、无线基站、家庭娱乐系统、无线扬声器设备、无线接入点、实现这些设备中的两种或更多种的功能的设备，或者其他电子设备。在图1的例示性构型中，设备10是具有大致矩形侧向轮廓的便携式设备，诸如蜂窝电话或平板电脑。如果需要，可将其他构型用于设备10。图1的示例仅为例示性的。

在图1的示例中，设备10包括显示器，诸如显示器14。显示器14可安装在壳体(诸如壳体12)中。有时可称为外壳或箱体的壳体12可由塑料、玻璃、陶瓷、纤维复合材料、金属(例如，不锈钢、铝等)、其他合适的材料或这些材料中的任意两种或更多种的组合形成。壳体12可以利用一体式配置形成，在一体式配置中，壳体12的一部分或全部被机加工或模制成单个结构，或者可以利用多个结构(例如，内部框架结构、形成外部壳体表面的一个或多个结构等)形成。壳体12可具有金属侧壁或者由其他材料形成的侧壁。可用于形成壳体12的金属材料的示例包括不锈钢、铝、银、金、钛、金属合金或任何其他所需的导电材料。

显示器14可在设备10的前侧(正面)上形成(例如，安装在其上)。壳体12可具有与设备10的正面相对的设备10后侧(后面)上的后壳体壁。壳体12中的导电壳体侧壁可围绕设备10的周边。壳体12的后壳体壁可由导电材料和/或绝缘材料形成。

壳体12的后壳体壁和/或显示器14可跨越设备10的长度(例如，平行于图1的X轴)和宽度(例如，平行于Y轴)的一些或全部延伸。壳体12的导电侧壁可跨设备10的高度(例如，平行于Z轴)的一些或全部延伸。

显示器14可为并入导电电容性触摸传感器电极层或其他触摸传感器部件(例如，电阻性触摸传感器部件、声学触摸传感器部件、基于力的触摸传感器部件、基于光的触摸传感器部件等)的触摸屏显示器或者可为非触敏的显示器。电容触摸屏电极可由氧化铟锡焊盘或者其他透明导电结构的阵列形成。

显示器14可包括由液晶显示器(LCD)部件形成的显示器像素阵列、电泳显示器像素阵列、等离子体显示器像素阵列、有机发光二极管(OLED)显示器像素阵列、电润湿显示器像素阵列，或者基于其他显示技术的显示器像素。

显示器14可使用显示器覆盖层来保护。显示器覆盖层可由透明材料诸如玻璃、塑料、蓝宝石或其他晶态绝缘材料、陶瓷或其他透明材料形成。例如，显示器覆盖层可跨设备10的基本上全部长度和宽度延伸。

设备10可包括一个或多个按钮。按钮可由导电按钮构件形成，该导电按钮构件位于(例如，突出穿过)壳体12中的开口或显示器14中的开口内(作为示例)。按钮可以是旋转按钮、滑动按钮、通过按压可动按钮构件而致动的按钮等。

图2中示出了显示器14具有显示器覆盖层的例示性配置中的设备10的横截面侧视图。如图2所示，显示器14可具有形成像素阵列18的一个或多个显示层。在操作期间，像素阵列18在显示器14的有效区域中为用户形成图像。显示器14还可具有不含像素并且不产生图像的非有效区域(例如，沿像素阵列18的边界的区域)。图2的显示器覆盖层16与有效区域中的像素阵列18重叠并且与设备10中的电子部件重叠。

显示器覆盖层16可以由诸如玻璃、塑料、陶瓷或晶态材料(例如，蓝宝石)的透明材料形成。在本文中有时描述设备10中的显示器覆盖层和其他透明构件(例如，形成于壳体12的开口内的用于相机或者其他基于光的设备的窗口)由硬透明晶态材料(诸如蓝宝石，有时称为刚玉或晶态氧化铝)形成的例示性配置，以作为示例。由于其硬度(9莫氏硬度)的原因，蓝宝石构成了用于显示器覆盖层和窗口的令人满意的材料。然而，一般来讲，这些透明构件可由任何合适的材料形成。

显示器14的显示器覆盖层16可为平面的或曲面的，并且可具有矩形轮廓、圆形轮廓或其他形状的轮廓。如果需要，可在显示器覆盖层中形成开口。例如，可在显示器覆盖层中形成开口以容纳按钮、扬声器端口或其他部件。可在壳体12中形成开口，以形成通信或数据端口(例如，音频插孔端口、数字数据端口、用于用户身份模块(SIM)卡的端口等)，形成用于按钮的开口，或者形成音频端口(例如，用于扬声器和/或麦克风的开口)。

如果需要，设备10可耦接到带诸如带28(例如，在设备10为腕表设备的情况下)。带28可用于将设备10保持在用户的手腕上(作为示例)。带28在本文中有时可被称为腕带28。在图2的示例中，腕带28在设备10的相对侧处连接到壳体12中的附接结构30。附接结构30可包括凸耳、销、弹簧、夹具、支架和/或将壳体12配置成接收腕带28的其他附接机构。不包括带的配置也可用于设备10。

如果需要，基于光的部件诸如基于光的部件24可被安装成与壳体12中的开口20对准。开口20可为圆形的，可为矩形的，可具有椭圆形形状，可具有三角形形状，可具有带有直边缘和/或弯曲边缘的其它形状，或可具有其他合适的形状(当从上面观察时的轮廓)。窗口构件26可安装在壳体12的窗口开口20中，使得窗口构件26与部件18重叠。衬垫、垫圈、粘合剂、螺钉或其他紧固机构可用于将窗口构件26附接到壳体12。窗口构件26的表面22可与壳体12的外表面23齐平，可凹进外表面23下方，或可如图3所示突出于外表面23(例如，表面22可位于沿-Z方向远离表面23突出的平面中)。换句话讲，窗口构件26可安装到壳体12的突出部分。表面23可例如形成壳体12的背面。

设备10中的导电结构可设置有可见光反射涂层，该可见光反射涂层反射某些波长的光，使得导电结构呈现出期望的美学外观(例如，期望的颜色、反射率等)。设备10中的导电结构可包括例如壳体12的导电部分(例如，设备10的导电侧壁、设备10的导电后壁、壳体12的用于安装窗口构件26的突出部分等)、附接结构30、腕带28的导电部分、导电网孔、导电部件32和/或设备10上的任何其他期望的导电结构。导电部件32可包括内部部件(例如，内部壳体构件、导电框架、导电底座、导电支撑板、导电支架、导电夹具、导电弹簧、输入-输出部件或设备等)、位于设备10的内部和外部的部件(例如，导电SIM卡托或SIM卡端口、数据端口、麦克风端口、扬声器端口、导电按钮构件等)、或安装在设备10的外部处的部件(例如，带28的导电部分，诸如用于带28的扣钩)、和/或设备10上的任何其他期望的导电结构。

图3是可设置在设备10中的导电结构(例如，图1和图2的壳体12的部分，图2的导电部件32等)上的可见光反射涂层的剖视图。如图3所示，可以在衬底34上形成可见光反射涂层36。衬底34可以是设备10中的导电结构，诸如壳体12(图1和图2)的导电部分或导电部件32(图2)。衬底34可以比涂层36厚。衬底34的厚度可为0.1mm至5mm，大于0.3mm，大于0.5mm，介于5mm和20mm之间，小于5mm，小于2mm，小于1.5mm或者小于1mm(作为示例)。衬底34可包含不锈钢、铝、钛或其他金属或合金。

涂层36可包括在衬底34上的粘附和过渡层40以及在该粘附和过渡层40上的一个或多个最上层(顶部)着色层38。着色层38的组分可以将涂层36配置为吸收和反射所选择波长的光，从而赋予涂层36并从而赋予衬底34期望的颜色和反射率。

着色层38可例如包括固有着色层，该固有着色层优先吸收特定波长的光以向观察者显示出所反射波长的颜色。例如，着色层38可包含使涂层36具有固有颜色的金属氮化物、碳化物或碳氮化物。这些类型的固有着色层可呈现出有限范围的可能颜色，从而限制设备10的美学特征。

在另一个合适的布置中，着色层38可包括具有高折射率材料和低折射率材料的多个交替层的薄膜干涉滤光片。光可能反射离开薄膜干涉滤光片的各层之间的界面，并且反射光可能在某些波长下相长干涉和相消干涉，以向观察者产生特定颜色和反射率的反射光。例如，薄膜干涉滤光片可包括氮化硅、氮化钛、氧化锆、氧化钽、氧化铌、氧化硅、氧化铝等的层。

在实施过程中，可能很难将着色层38沉积为在整个层上具有相对均匀厚度42的薄膜干涉滤光片。当衬底34具有三维几何结构而不是平面几何结构时(例如，当将涂层沉积在三维导电结构诸如图1和图2的壳体12的边缘或弯曲部分、图2的附接结构30、图2的三维导电部件32诸如导电按钮构件、带28的导电部分、用于设备10的音频端口、用于设备10的数据端口、用于设备10的SIM卡托等上时)，使着色层38具有均匀厚度42是特别困难的。

这些类型的薄膜干涉滤光片呈现出的反射颜色可能对整个涂层上的厚度变化高度敏感。一般来讲，着色层38的厚度42可确定反射特性，并因此确定涂层36的感知可见颜色。着色层38的整个侧向区域上的厚度42的较小变化可根据波长改变涂层的局部反射率，从而使涂层以及因此衬底34具有在其整个区域上变化的不具吸引力且不均匀的颜色。当期望使涂层36和衬底34具有接近可见光谱中部的颜色(例如，具有在500nm至600nm处或大约500nm至600nm的绿色或另一种颜色)时，涂层36可对这些变化特别敏感。

图4是对厚度变化高度敏感的涂层(诸如图3的涂层36)的反射强度随波长变化的曲线图。一般来讲，当观察者观察时，可见光光谱(例如，380nm和780nm之间)中的最大反射强度可为涂层36的颜色的最大决定因素。

如图4所示，曲线48示出了在涂层36被配置为呈现出(反射)红色的情况下的涂层36的一种可能的反射分布。曲线48在可见光谱中在红色波长处呈现出最大值，从而赋予涂层红色。增加涂层36的厚度42可使曲线48向右偏移，如箭头56所示，以使涂层36具有如虚线曲线54所示的反射响应。由于虚线曲线54仍在与曲线48相同的波长处呈现出最大值，因此与箭头56相关联的厚度42的增加可能对涂层的感知颜色几乎没有影响(即，涂层仍将呈现出红色)。类似地，减小厚度42将使曲线48向左偏移，而不改变曲线的最大值，从而不改变涂层的颜色。

曲线46示出了在涂层36被配置为呈现出(反射)蓝色的情况下的涂层36的一种可能的反射分布。曲线46在可见光谱中在蓝色波长处呈现出最大值，从而赋予涂层蓝色。增加涂层36的厚度42可使曲线46向右偏移，如箭头52所示，以使涂层36具有如虚线曲线50所示的反射响应。由于虚线曲线50仍在与曲线46相同的波长处呈现出最大值，因此与箭头52相关联的厚度42的增加可能对涂层的感知颜色几乎没有影响(即，涂层仍将呈现出蓝色)。类似地，减小厚度42将使曲线46向左偏移，而不改变曲线的最大值，从而不改变涂层的颜色。

换句话讲，当涂层36被配置为产生接近可见光谱的边缘的颜色(例如，红色或蓝色)时，涂层36可能对厚度的变化相对不敏感。然而，当涂层36被配置为产生接近可见光谱中部的颜色诸如波段B中的颜色(例如，绿色)时，涂层36可对厚度的变化特别敏感。

曲线58示出了在涂层36被配置为呈现出(反射)绿色的情况下的涂层36的一种可能的反射分布。曲线58在可见光谱中在绿色波长处呈现出最大值，从而赋予涂层绿色。增加涂层36的厚度42可使曲线58向右偏移，如箭头62所示，以使涂层36具有如虚线曲线60所示的反射响应。由于虚线曲线60相比于曲线58在更高波长处呈现出最大值，因此与箭头62相关联的厚度42的增加可能对涂层的感知颜色具有显著影响(即，促使涂层的颜色更红)。

同时，减小厚度42将使曲线58向左偏移，如箭头66所示，以使涂层36具有如虚线曲线64所示的反射响应。由于虚线曲线64相比于曲线58在更低波长处呈现出最大值，因此与箭头66相关联的厚度42的减小可能对涂层的感知颜色具有显著影响(即，促使涂层的颜色更蓝)。

与涂层36的沉积相关联的制造限制可导致涂层在其整个区域上呈现出不同的厚度，尤其是在衬底34是三维衬底而不是平面衬底的情况下。这可在涂层的一些区域中赋予涂层36期望的颜色(例如，与曲线58相关联的绿色)，而在其他区域中赋予涂层36其他非期望的颜色(例如，与曲线60相关联的红色偏移颜色或与曲线64相关联的蓝色偏移颜色)。这可导致衬底34并因此导致设备10呈现出不具吸引力的美学外观。因此，可能有利的是能够使衬底34具有赋予该衬底在可见光谱中部处或接近该中部的期望颜色(例如，具有绿色)的涂层，同时还呈现出对与用于将涂层沉积在衬底上的过程相关联的厚度变化相对不敏感的反射响应。

图5是例示性可见光反射涂层的横截面侧视图，该可见光反射涂层可赋予衬底34中部光谱颜色(例如，绿色)，同时还呈现出对厚度变化相对不敏感的反射响应。如图5所示，涂层诸如涂层68可层叠在衬底34上。

可使用任何合适的沉积技术将涂层68的层沉积在衬底34上。可用于沉积涂层68中的层的技术的示例包括物理气相沉积(例如，蒸镀和/或溅射)、阴极电弧沉积、化学气相沉积、离子电镀、激光烧蚀等。例如，涂层68可在具有沉积设备(例如，阴极)的沉积系统中沉积在衬底34上。在沉积设备(例如，阴极)沉积涂层68的层时，衬底34可在沉积系统内移动(例如，旋转)。如果需要，衬底34可在沉积期间相对于与沉积设备(例如，阴极)有关的速度和/或取向动态地移动/旋转。这可有助于使涂层68在其整个区域上具有尽可能均匀的厚度，即使在衬底34具有三维形状的情况下也是如此。

如图5所示，涂层68可包括晶种层诸如晶种层70和一个或多个过渡层诸如过渡层72。晶种层70可将衬底34耦接到其余的过渡层72。晶种层70可包含铬(Cr)、铬硅(CrSi)、钛(Ti)、其他金属、金属合金和/或其他材料。过渡层72可包括一个或多个氮化铬硅(CrSiN)层、碳氮化铬硅(CrSiCN)层、碳化铬硅(CrSiC)层、氮化铬(CrN)层、碳氮化铬(CrCN)层和/或任何其他所需的过渡层。

晶种层70和过渡层72在本文中有时可统称为粘附和过渡层84。粘附和过渡层84可具有厚度82。厚度82可例如大于或等于0.1微米、0.5微米、1微米、2微米、3微米或任何其他期望的厚度(例如，厚度82可介于0.1微米和4微米之间、介于0.5微米和3微米之间等)。

涂层68可以包括在粘附和过渡层84上的基底层诸如中性色基底层74(例如，过渡和粘附层74可以将中性色基底层74耦接到衬底34)。中性色基底层74可呈现出相对中性的颜色(例如，在整个可见光谱上相对均匀的反射率)并且可为光学不透明的。

例如，中性色基底层74可呈现出介于45和65之间、介于48和62之间、介于50和60之间、介于52和58之间、介于40和60之间的亮度值(例如，CIE L*a*b*(CIELAB或Lab)色彩空间中的L*值)或其他中性亮度值(例如，其中L*值100对应于白色并且L*值0对应于黑色)。同时，中性色基底层74可呈现出小于约2(例如，a*值为-1、0、1、1.5、-1.5、1.9、0.5等)的|a*|值(例如，在L*a*b*色彩空间中，其中a*是红色通道和绿色通道之间的差值的函数，并且“||”是绝对值运算符)。类似地，中性色基底层74可呈现出小于约2(例如，b*值为-1、0、1、1.5、-1.5、1.9、0.5等)的|b*|值(例如，在L*a*b*色彩空间中，其中b*是蓝色通道和绿色通道之间的差值的函数)。

中性色基底层74可具有厚度80和折射率n₂。例如，中性色基底层74可以由碳氮化铬硅(CrSiCN)、碳化物、碳氮化物、其他金属氮化物或其他材料形成。例如，可以选择中性色基底层74(例如，在层74由CrSiCN形成的情况下)中的铬、硅、碳和氮原子的相对数量，以使中性色基底层74具有期望的中性色分布和期望的折射率n₂。厚度80可例如大于或等于0.2微米、0.3微米、0.4微米、0.5微米、0.6微米、0.7微米、0.8微米、介于0.4微米和0.8微米之间、介于0.5微米和0.75微米之间、介于0.65微米和0.75微米之间等。

涂层68可以包括由单层干涉膜诸如单层干涉膜76形成的最上(顶部)层。单层干涉膜76可以包括沉积在中性色基底层74上的单层(膜)。单层干涉膜76可以具有厚度78和折射率n₁，该折射率n₁不同于中性色基底层74的折射率n₂和空气的折射率n₀。折射率n₁可例如大于n₀并且小于n₂。如果需要，单层干涉膜76中的材料也可以被配置为吸收一些波长的光，使得单层干涉膜76的吸收系数k小于1并且大于0。

单层干涉膜76可以形成用于涂层68的薄膜干涉滤光片。例如，入射光44可以作为反射光44"反射离开单层干涉膜76的外表面(界面)。入射光44也可被折射并透射穿过单层干涉膜76。由于中性色基底层74呈现出与单层干涉膜76的折射率n₁不同的折射率n₂，因此光44也可以作为反射光44’反射离开单层干涉膜76和中性色基底层74之间的表面(界面)。反射光44'可以透射穿过单层干涉膜76，并且可以在不同的波长下与反射光44"相长和相消地干涉。

通过控制单层干涉膜76的厚度78以及单层干涉膜76的光学特性(例如，吸收系数k和折射率n₁)，反射光44"和44'可以在选定的一组波长下相消和/或相长地干涉，使得反射光44"和44'的组合被观察者以期望颜色感知到。例如，厚度78可介于大约50nm和150nm之间(例如，介于90nm和100nm之间、介于80nm和110nm之间、介于85nm和115nm之间等)，以使反射光44"和44'的组合具有接近可见光谱中部的期望颜色(例如，绿色)。厚度78可例如小于厚度80。厚度80可小于、等于或大于厚度82。涂层68可具有总厚度H。总厚度H可例如介于1.2微米和1.8微米之间、介于1.3微米和1.7微米之间、介于1.4微米和1.6微米之间、介于1.1微米和1.9微米之间、或其它厚度。

也可以选择单层干涉膜76的组分以使单层干涉膜76具有有助于涂层68的观察到的颜色响应的期望折射率n₁和吸收系数k(例如，以使单层干涉膜76在某些波长下具有非零吸收系数，该非零吸收系数有助于调整反射光44"和44'的组合的观察到的颜色)。例如，单层干涉膜76可以包含金属碳氮化物或碳氮氧化物或其它材料。

单层干涉膜76可以例如包含氮化铬硅(CrSiN)，如图6的横截面侧视图所示。如图6所示，单层干涉膜76可以是CrSiN层。中性色基底层74可以是CrSiCN层或使用其他合适的材料形成的层。单层干涉膜76可以例如具有小于约10％的Cr原子百分比(例如，膜76中为铬原子的原子百分比)和介于约5％和20％之间(例如，介于10％和18％之间，介于6％和15％之间等)的Si原子百分比。膜76中的剩余原子余量可为N原子(例如，膜76可包含比组合的铬原子和硅原子更多的氮原子)。这仅仅是例示性的，并且一般来讲，膜76可包含任何期望的Cr原子、Si原子和N原子百分比。

如果需要，单层干涉膜76可以例如包含碳氮化铬硅(CrSiCN)，如图7的横截面侧视图所示。如图7所示，单层干涉膜76可以是CrSiCN层。中性色基底层74可以是CrSiCN层或使用其他合适的材料形成的层。单层干涉膜76可以例如具有小于约10％的Cr原子百分比(例如，膜76中为铬原子的原子百分比)、介于约5％和20％之间(例如，介于10％和18％之间，介于6％和15％之间等)的Si原子百分比，以及介于约10％和15％之间(例如，介于11％和14％之间，介于12％和15％之间等)的N原子百分比。膜76中的剩余原子余量可为C原子(例如，膜76可包含比组合的铬原子、硅原子和氮原子更多的碳原子)。

在另一种合适的布置中，单层干涉膜76可以例如具有介于15％至30％之间、介于10％至35％之间、介于10％至25％之间、介于18％至28％之间、小于25％、小于30％、小于35％或其他值的Cr原子百分比，介于60％至70％之间、介于50％至80％之间、介于60％至65％之间、介于55％至75％之间、大于50％、大于60％、小于70％或其它值的Si原子百分比，以及介于1％至10％之间、介于1％至5％之间、介于2％至12％之间、介于3％至9％之间、小于10％、小于15％或其它值的N原子百分比。膜76中的剩余原子余量可为C原子。在该示例中，中性色基底层74可以具有介于30％至40％之间、介于25％至35％之间、介于27％至42％之间、介于28％至38％之间、小于35％、小于40％、小于45％或其他值的Cr原子百分比，介于40％至60％之间、介于40％至50％之间、介于35％至55％之间、介于42％至48％之间、大于40％、大于35％、小于50％或其它值的Si原子百分比，以及介于10％至25％之间、介于15％至24％之间、介于18％至22％之间、小于25％、小于30％或其它值的N原子百分比。层74中的剩余原子余量可为C原子。

在另一种合适的布置中，单层干涉膜76可以例如具有介于30％至40％之间、介于30％至35％之间、介于31％至35％之间、介于25％至40％之间、小于40％、小于35％、大于25％、大于30％或其他值的Cr原子百分比，介于20％至30％之间、介于22％至28％之间、介于23％至27％之间、介于15％至35％之间、小于30％、小于28％、大于20％、大于22％或其它值的Si原子百分比，以及介于30％至40％之间、介于32％至38％之间、介于33％至37％之间、介于25％至45％之间、大于25％、大于30％、小于38％、小于40％或其它值的N原子百分比。膜76中的剩余原子余量可为C原子。在该示例中，单层干涉膜76可以将涂层68配置为呈现出介于40至50之间、介于45至50之间、介于47至48之间、介于40至55之间、大于45、小于50或其他值的L*值，可以将涂层68配置为呈现出介于-5和0之间、介于-4和-1之间、介于-10和0之间、小于0、小于-3、大于-5、大于-4或其他值的a*值，并且可以将涂层68配置为呈现出介于-15和-10之间、介于-12和-9之间、介于-10和-11之间、小于-8、小于-10、大于-12、大于-11或其他值的b*值(例如，该示例中的涂层68可呈现出蓝色)。在该示例中，中性色基底层74的厚度(例如，图5的厚度80)可以介于0.8微米和1.2微米之间、介于0.9微米和1.1微米之间、约1微米、小于1.3微米、大于0.8微米或其他值，并且单层干涉膜76的厚度(例如，图5的厚度78)可以介于0.05微米和0.07微米之间、介于0.05微米和0.1微米之间、小于0.1微米、大于0.01微米或其他值。

在又一种合适的布置中，单层干涉膜76可以例如具有介于20％至30％之间、介于23％至27％之间、介于22％至29％之间、介于15％至40％之间、小于30％、小于27％、大于20％、大于23％或其他值的Cr原子百分比，介于50％至60％之间、介于53％至59％之间、介于52％至62％之间、介于45％至65％之间、小于60％、小于65％、大于50％、大于51％或其它值的Si原子百分比，以及介于10％至20％之间、介于12％至16％之间、介于8％至20％之间、介于11％至25％之间、大于10％、大于12％、小于25％、小于20％或其它值的N原子百分比。膜76中的剩余原子余量可为C原子。在该示例中，单层干涉膜76可以将涂层68配置为呈现出介于30至40之间、介于35至40之间、介于37至38之间、大于35、小于40或其他值的L*值，可以将涂层68配置为呈现出介于0和5之间、介于0和3之间、介于2和3之间、小于3、小于5、大于0、大于2或其他值的a*值，并且可以将涂层68配置为呈现出介于-5和-10之间、介于-6和-7之间、介于-6和-11之间、小于-6、小于-5、大于-10、大于-7或其他值的b*值(例如，该示例中的涂层68可呈现出紫色)。在该示例中，中性色基底层74的厚度(例如，图5的厚度80)可以介于0.6微米和1.0微米之间、介于0.5微米和1.1微米之间、小于1.0微米、大于0.5微米或其他值，并且单层干涉膜76的厚度(例如，图5的厚度78)可以介于0.02微米和0.04微米之间、介于0.01微米和0.5微米之间、小于0.1微米、大于0.01微米或其他值。在该示例中，中性色基底层74可以具有介于30％至40％之间、介于30％至35％之间、大于30％、小于40％或其他值的Cr原子百分比，介于50％至60％之间、介于50％至55％之间、大于50％、小于65％或其它值的Si原子百分比，以及介于10％至20％之间、介于11％至15％之间、介于10％至16％之间、小于15％、大于10％或其它值的N原子百分比。层74中的剩余原子余量可为C原子。

在另一种合适的布置中，单层干涉膜76可以例如具有介于30％至40％之间、介于34％至38％之间、介于33％至39％之间、介于25％至40％之间、小于40％、小于45％、大于30％、大于33％或其他值的Cr原子百分比，介于20％至30％之间、介于21％至25％之间、介于19％至26％之间、介于15％至35％之间、小于30％、小于25％、大于20％、大于21％或其它值的Si原子百分比，以及介于30％至45％之间、介于35％至41％之间、介于33％至43％之间、介于25％至45％之间、大于35％、大于30％、小于45％、小于42％或其它值的N原子百分比。膜76中的剩余原子余量可为C原子。在该示例中，单层干涉膜76可以将涂层68配置为呈现出介于30至40之间、介于35至40之间、介于37至38之间、大于35、小于40或其他值的L*值，可以将涂层68配置为呈现出介于0和5之间、介于0和3之间、介于2和3之间、小于3、小于5、大于0、大于2或其他值的a*值，并且可以将涂层68配置为呈现出介于-5和-10之间、介于-7和-8之间、介于-6和-11之间、小于-7、小于-5、大于-10、大于-8或其他值的b*值(例如，该示例中的涂层68可呈现出紫色)。在该示例中，中性色基底层74的厚度(例如，图5的厚度80)可以介于0.5微米和0.7微米之间、介于0.4微米和0.8微米之间、小于0.8微米、大于0.5微米或其他值，并且单层干涉膜76的厚度(例如，图5的厚度78)可以介于0.02微米和0.04微米之间、介于0.01微米和0.5微米之间、小于0.1微米、大于0.01微米或其他值。在该示例中，中性色基底层74可以具有介于30％至40％之间、介于35％至40％之间、大于30％、小于40％或其他值的Cr原子百分比，介于10％至25％之间、介于17％至21％之间、大于15％、小于25％或其它值的Si原子百分比，以及介于30％至50％之间、介于38％至46％之间、介于35％至48％之间、小于50％、大于30％或其它值的N原子百分比。层74中的剩余原子余量可为C原子。这些示例仅仅是例示性的，并且一般来讲，膜76和层74可各自包括任何期望百分比的Cr原子、Si原子、N原子和C原子，可具有任何期望的厚度，并且可呈现出任何期望的颜色分布。

在另一个合适的示例中，单层干涉膜76可以包含氮化铝钛硅(AlTiSiN)，如图8的横截面侧视图所示。如图8所示，单层干涉膜76可以是AlTiSiN层。中性色基底层74可使用任何合适的材料(例如，CrSiCN)形成。单层干涉膜76可以包含任何期望百分比的Al原子、Ti原子、Si原子和N原子。在又一个合适的示例中，单层干涉膜76可以包含氮化钛硅(TiSiN)。TiSiN可例如呈现出比AlTiSiN更稳定的特性。

当以这种方式布置时，由于中性色基底层74的存在，涂层68可以其他方式呈现出相对中性的颜色。单层干涉膜76的存在可以改变中性色基底层74的中性反射响应(例如，由于图5的反射光44'和44"的相消干涉)，以使涂层68以及从而使衬底34具有期望的中部光谱可见颜色(例如，绿色)。可以选择中性色基底层74的组分，从而使涂层68具有由单层干涉膜76修改的期望的中性基色。

图9是在中性色基底层74为CrSiCN层的示例中的中性色基底层74中的不同元素的例示性原子百分比的图示。如图9所示，可以选择中性色基底层74的组分，使得中性色基底层74中的C原子的原子百分比位于区域86(例如，在上限A8和下限A4之间延伸的区域)内，中性色基底层74中的Cr原子的原子百分比位于区域88(例如，在上限A6和下限A2之间延伸的区域)内，中性色基底层74中的N原子的原子百分比位于区域90(例如，在上限A3和下限A1之间延伸的区域)内，并且中性色基底层74中的Si原子的原子百分比位于区域92(例如，在上限A7和下限A5之间延伸的区域)内。

在图9的示例中，原子百分比A8大于原子百分比A7，原子百分比A7大于原子百分比A6，原子百分比A6大于原子百分比A5，原子百分比A5大于原子百分比A4，原子百分比A4大于原子百分比A3，原子百分比A3大于原子百分比A2，原子百分比A2大于原子百分比A1(例如，层74可具有多于、等于或少于Si原子的C原子，具有多于、等于或少于Cr原子的C原子，具有少于C原子的N原子，具有少于Si原子的N原子，具有多于、等于或少于Si原子的Cr原子，并且具有多于、等于或少于Cr原子的N原子)。这仅仅是例示性的，并且一般来讲，这些百分比可具有其他相对量值。

例如，区域86的上限A8(例如，层74中的C原子的原子百分比的上限)可介于50％和60％之间、介于55％和60％之间、介于45％和65％之间、大于55％、大于50％或为其他值。区域86的下限A4(例如，层74中C原子的原子百分比的下限)可介于20％和30％之间、介于15％和25％之间、介于21％和25％之间、小于25％、小于30％、小于26％或为小于上限A8的其他值。

区域88的上限A6(例如，层74中的Cr原子的原子百分比的上限)可以介于20％和40％之间、介于25％和30％之间、大于25％、大于20％、大于27％、介于20％和35％之间或为其他值。区域88的下限A2(例如，层74中的Cr原子的原子百分比的下限)可介于1％和10％之间、介于2％和5％之间、介于2％和3％之间、小于10％、小于5％、小于3％或为小于上限A6的其他值。

区域90的上限A3(例如，层74中的N原子的原子百分比的上限)可介于4％和9％之间、介于1％和10％之间、介于8％和15％之间、大于3％、大于5％、大于7％或为其他值。区域90的下限A1(例如，层74中的N原子的原子百分比的下限)可介于1％和5％之间、介于0.5％和6％之间、介于1％和2％之间、小于6％、小于5％、小于2％、或为小于上限A3的其他值。

区域92的上限A7(例如，层74中的Si原子的原子百分比的上限)可介于50％和60％之间、介于52％和57％之间、大于50％、大于52％、大于45％或为其他值。区域92的下限A5(例如，层74中的Si原子的原子百分比的下限)可介于30％和50％之间、介于30％和40％之间、介于25％和35％之间、小于50％、小于45％、小于35％、或为小于上限A7的其他值。这些示例仅仅是例示性的，并且一般来讲，可使用这些元素的其他原子百分比(例如，区域86、88、90和92可具有其他高度和/或相对位置)。

在本文中有时作为示例描述的一种合适的布置中，单层干涉膜76可以是CrSiN膜(例如，如图6所示)或CrSiCN膜(例如，如图7所示)，而中性色基底层74是CrSiCN膜，其具有的Cr原子的原子百分比介于约1％和20％之间(例如，介于2％和12％之间、介于1％和14％之间、介于2.5％和11％之间、介于1.5％和12.5％之间等)、Si原子的原子百分比介于约25％和50％之间(例如，介于33％和45％之间、介于34％和42％之间、介于35％和44％之间等)、C原子的原子百分比介于约35％和65％之间(例如，介于41％和56％之间、介于40％和58％之间、介于38.5％和61.5％之间等)，以及N原子的原子百分比介于约1％和12％之间(例如，介于3％和9.5％之间、介于4.5％和8.5％之间、介于5％和9％之间等)。

在另一种合适的布置中，单层干涉膜76可以是CrSiN膜(例如，如图6所示)或CrSiCN膜(例如，如图7所示)，而中性色基底层74是CrSiCN膜，其具有的Cr原子的原子百分比介于约10％和35％之间(例如，介于17％和28％之间、介于20％和29％之间、介于15.5％和31.5％之间等)、Si原子的原子百分比介于约35％和65％之间(例如，介于38％和58％之间、介于43％和55％之间、介于42％和56％之间等)、C原子的原子百分比介于约15％和40％之间(例如，介于23％和34％之间、介于21％和37.5％之间、介于15.5％和34.5％之间等)，以及N原子的原子百分比介于约0.5％和8％之间(例如，介于1％和5.5％之间、介于1.5％和5％之间、介于1.5％和4％之间等)。这些示例仅仅是例示性的，并且如果需要，用于形成中性色基底层74和/或单层干涉膜76的CrSiCN膜可以具有其他组分(例如，CrSiCN或其他材料的组分，其中层74的L*值小于或等于约62并且大于或等于约48，层74的|a*|值小于约2，并且层74的|b*|值小于约2)。

如果需要，中性色基底层74可以由有色(例如，非中性色)基底层代替，如图10的横截面侧视图所示。如图10所示，涂层68可包括有色基底层，诸如有色(非中性)基底层93。有色基底层93可例如呈现出大于62或小于48的L*值、大于2的|a*|值，和/或大于2的|b*|值。以这种方式对基底层进行着色可有助于涂层68的反射分布(例如，以使涂层68具有其他期望的颜色)。有色基底层93可例如带有与涂层68的目标颜色不同的固有颜色。在使用有色基底层93的情况下，单层干涉膜76可以例如对于吸收常数k具有强波长依赖性，使得厚度变化导致干涉和吸收两者方面的色移。

其中涂层68包括单层干涉膜76的图5至图8和图10的示例仅仅是例示性的。在另一种合适的布置中，图5至图8和图10的单层干涉膜76可由多层薄膜干涉滤光片(例如，具有交替折射率的多个堆叠膜的滤光片等)替代，该多层薄膜干涉滤光片使涂层68具有中部光谱可见颜色。

即使在总体厚度H变化(例如，由于与涂层68在衬底34上的沉积相关联的制造公差)的情况下，图5至图8和图10的涂层68也可呈现出反射颜色的最小变化。单层干涉膜诸如单层干涉膜76(例如，图6的CrSiN膜、图7的CrSiCN膜、图8的AlTiSiN膜等)的使用可以使膜76具有依赖于波长的吸收系数，该吸收系数使a*/b*变化以及厚度78(图5)的变化最小化。同时，单层干涉膜76和中性色基底层74可以使涂层68具有期望的反射分布，从而具有期望的颜色。换句话讲，即使用于在衬底34上沉积涂层68的沉积设备在衬底34上的涂层的整个区域上呈现出多达10％的厚度H变化，由涂层68反射的颜色也可在使涂层具有期望颜色的波长范围内改变小于阈值的量dE。

图11是图5至图8和图10的涂层68的反射强度随波长变化的曲线图。如图11所示，曲线94、96和98绘制了国际照明委员会(CIE)XYZ标准观察者颜色匹配函数(例如，权重函数)。曲线94用于计算对应于红色刺激的颜色坐标X(例如，以近似人眼对红光的敏感度)。曲线96用于计算对应于绿色刺激的颜色坐标Y(例如，以近似人眼对绿光的敏感度)。曲线98用于计算对应于蓝色刺激的颜色坐标Z(例如，以近似人眼对蓝光的敏感度)。然后可使用颜色坐标X、Y和Z来计算CIE L*a*b*色彩空间中的L*、a*和b*值。

曲线100绘制了当具有厚度H(图5)时涂层68的反射颜色响应。曲线100'绘制了当涂层68具有小于厚度H的厚度(例如，比厚度H小6％或一些其他值)时涂层68的反射颜色响应。曲线100"绘制了当涂层68具有大于厚度H的厚度(例如，比厚度H大6％或一些其他值)时涂层68的反射颜色响应。

一般来讲，如果X和Z颜色坐标均改变，而Y保持基本上未改变或在相反方向上改变，则涂层68的感知颜色对于厚度变化非常不稳定。另一方面，如果X/Y颜色坐标对或X/Z颜色坐标对中的至少一者在相同方向上改变，则涂层68的感知颜色更稳定。如曲线100所示，涂层68在波长W1处呈现出峰值反射强度，该峰值反射强度偏离曲线96(与颜色坐标Y相关联)的峰值。如曲线100'和100"所示，涂层68的厚度变化使峰值反射强度偏移到仍然偏离曲线96的峰值的不同波长。这意味着涂层68的厚度变化导致Y坐标和Z坐标在相同方向上的变化。转换成a*-b*色彩空间，其中a*＝f(X)–f(Y)并且b*＝f(Y)–f(Z)，a*将显示出比曲线100、100'和100"在曲线96的峰值处出现峰值时更小的变化。

换句话讲，通过使用图5至图8和图10的布置来构造涂层68，涂层68可被构造成使得即使在厚度变化的情况下，涂层的反射强度也呈现出不与曲线96的峰重叠的峰值，这允许涂层呈现出相对稳定的中部可见光谱颜色响应(例如，绿色响应)，即使在涂层的厚度变化(例如，由于下面的三维衬底、制造变化等)的情况下亦如此。在其他情况下(例如，在使用图3的涂层36的情况下)，涂层的反射强度曲线更接近绿色坐标Y的最大灵敏度(例如，其中波长W2在曲线96的峰值处)。在这种情况下，涂层中的厚度变化将导致颜色坐标Y的较小变化，但导致颜色坐标X和Z的显著变化。在这种情况下，转换成a*-b*色彩空间，a*和b*两者都将显示出较大变化。与图3的涂层36不同，通过为涂层68提供图5至图8和图10的布置，涂层68可在这些中部光谱波长下呈现出足够稳定的颜色响应。

这样，即使涂层68在整个衬底34上具有不同的厚度(例如，在衬底34为三维衬底和/或在用于沉积涂层的沉积设备无法提供具有精确厚度的涂层的情况下)，涂层68仍可提供在衬底的整个区域上具有均匀的中部光谱可见颜色的衬底34。这可允许衬底34呈现出使衬底34的美学外观最大化的吸引人的均匀颜色。图11的示例仅为例示性的。一般来讲，曲线94、96、98、100、100'和100"可具有其他形状(例如，在380nm和780nm之间的任何期望波长处达到峰值的形状)。

根据一个实施方案，提供了一种电子设备，该电子设备包括导电结构和位于该导电结构上的可见光反射涂层，该可见光反射涂层包括位于该导电结构上的粘附和过渡层、位于该粘附和过渡层上的中性色基底层，以及位于该中性色基底层上的单层干涉膜，该单层干涉膜包含硅。

根据另一个实施方案，该单层干涉膜包含CrSiN。

根据另一个实施方案，该中性色基底层包含CrSiCN。

根据另一个实施方案，该单层干涉膜包含CrSiCN。

根据另一个实施方案，该中性色基底层包含CrSiCN，并且该单层干涉膜形成可见光反射涂层的最上层。

根据另一个实施方案，该中性色基底层中的Si原子的原子百分比介于30％和60％之间，该中性色基底层中的Cr原子的原子百分比介于1％和40％之间，该中性色基底层中的C原子的原子百分比介于15％和65％之间，并且该中性色基底层中的N原子的原子百分比介于0.5％和15％之间。

根据另一个实施方案，该单层干涉膜包含选自由AlTiSiN和TiSiN构成的组的材料。

根据另一个实施方案，该中性色基底层是不透明的，具有介于48和62之间的L*值、小于2的|a*|值，以及小于2的|b*|值。

根据另一个实施方案，该单层干涉膜具有介于50nm和150nm之间的厚度。

根据另一个实施方案，该涂层具有介于1.2微米和1.8微米之间的厚度，该单层干涉膜具有第一折射率，该中性色基底层具有大于该第一折射率的第二折射率，并且该单层干涉膜具有大于0并且小于1的吸收系数。

根据另一个实施方案，该粘附和过渡层包括位于该导电结构上的晶种层和位于该晶种层上的过渡层，该晶种层包含选自由Cr、CrSi和Ti构成的组的材料，并且该过渡层包含选自由CrSiN、CrSiCN、CrN和CrCN构成的组的材料。

根据另一个实施方案，该导电结构具有三维表面，并且该可见光反射涂层沉积在该三维表面上。

根据一个实施方案，提供了一种装置，该装置包括导电衬底和位于该导电衬底上的涂层，该涂层将该导电衬底配置为呈现出颜色，该涂层包括位于该导电衬底上的粘附和过渡层、位于该粘附和过渡层上的CrSiCN层(该CrSiCN层对该颜色的光不透明)以及位于CrSiCN层上的最上层，该最上层包含CrSiN。

根据另一个实施方案，该最上层形成干涉膜，并且该颜色包括介于500nm和600nm之间的波长。

根据另一个实施方案，该最上层中的Cr原子的原子百分比小于10％，并且该最上层中的Si原子的原子百分比介于5％和20％之间。

根据另一个实施方案，该CrSiCN层中的Si原子的原子百分比介于30％和60％之间，该CrSiCN层中的Cr原子的原子百分比介于1％和40％之间，该CrSiCN层中的C原子的原子百分比介于15％和65％之间，并且该所述CrSiCN层中的N原子的原子百分比介于0.5％和15％之间。

根据另一个实施方案，该粘附和过渡层包括位于该导电衬底上的晶种层和位于该晶种层上的过渡层，该晶种层包含选自由Cr、CrSi和Ti构成的组的材料，并且该过渡层包含选自由CrSiN、CrSiCN、CrN和CrCN构成的组的材料。

根据另一个实施方案，提供了一种电子设备，该电子设备包括导电壳体壁和位于该导电壳体壁上的涂层，该涂层包括位于该导电壳体壁上的粘附和过渡层、位于该粘附和过渡层上的CrSiCN层(该CrSiCN层对可见光不透明)以及形成用于可见光的干涉膜并且包含CrSiCN的最上层。

根据另一个实施方案，该最上层中的Cr原子的原子百分比小于10％，该最上层中的Si原子的原子百分比介于5％和20％之间，并且该最上层中的N原子的原子百分比介于10％和15％之间。

根据另一个实施方案，该CrSiCN层具有介于48和62之间的L*值、小于2的|a*|值，以及小于2的|b*|值。

根据另一个实施方案，该最上层中的Cr原子的原子百分比介于20％至30％之间，该最上层中的Si原子的原子百分比介于50％和60％之间，该最上层中的N原子的原子百分比介于10％和20％之间，该CrSiCN层中的Cr原子的原子百分比介于30％和40％之间，该CrSiCN层中的Si原子的原子百分比介于50％和60％之间，并且该CrSiCN层中的N原子的原子百分比介于10％和20％之间。

根据另一个实施方案，该最上层具有介于0.01微米和0.05微米之间的厚度，并且该涂层具有介于30和40之间的L*值、介于0和5之间的a*值以及介于-10和0之间的b*值。

根据另一个实施方案，该最上层中的Cr原子的原子百分比介于30％至40％之间，该最上层中的Si原子的原子百分比介于20％和30％之间，并且该最上层中的N原子的原子百分比介于30％和40％之间。

根据另一个实施方案，该最上层具有介于0.05微米和0.07微米之间的厚度，并且该涂层具有介于40和50之间的L*值、介于-5和0之间的a*值，以及介于-5和-15之间的b*值。

前述内容仅为例示性的并且可对所述实施方案作出各种修改。前述实施方案可独立实施或可以任意组合实施。

Claims (20)

1.一种电子设备，包括：

导电结构；以及

所述导电结构上的可见光反射涂层，所述可见光反射涂层包括：

在所述导电结构上的粘附和过渡层，

在所述粘附和过渡层上的中性色基底层，以及

在所述中性色基底层上的单层干涉膜，所述单层干涉膜包含硅。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述单层干涉膜包含CrSiN。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述中性色基底层包含CrSiCN。

4.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述单层干涉膜包含CrSiCN。

5.根据权利要求4所述的电子设备，其中，所述中性色基底层包含CrSiCN，并且其中，所述单层干涉膜形成所述可见光反射涂层的最上层，其中，硅原子在所述中性色基底层中的原子百分比介于30％和60％之间，其中，铬原子在所述中性色基底层中的原子百分比介于1％和40％之间，其中，碳原子在所述中性色基底层中的原子百分比介于15％和65％之间，并且其中，氮原子在所述中性色基底层中的原子百分比介于0.5％和15％之间。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述单层干涉膜包含选自由以下各项构成的组中的材料：AlTiSiN和TiSiN。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述中性色基底层是不透明的，所述中性色基底层具有介于48和62之间的L*值、小于2的|a*|值以及小于2的|b*|值。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述单层干涉膜具有介于50nm和150nm之间的厚度，其中，所述涂层具有介于1.2微米和1.8微米之间的厚度，所述单层干涉膜具有第一折射率，所述中性色基底层具有大于所述第一折射率的第二折射率，并且所述单层干涉膜具有大于0且小于1的吸收系数。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述粘附和过渡层包括所述导电结构上的晶种层和所述晶种层上的过渡层，其中，所述晶种层包含选自由以下各项构成的组中的材料：Cr、CrSi和Ti，并且其中，所述过渡层包含选自由以下各项构成的组中的材料：CrSiN、CrSiCN、CrN和CrCN。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述导电结构具有三维表面，并且其中，所述可见光反射涂层沉积在所述三维表面上。

11.一种装置，包括：

导电衬底；以及

所述导电衬底上的涂层，所述涂层使所述导电衬底配置为呈现颜色，所述涂层包括：

所述导电衬底上的粘附和过渡层，

所述粘附和过渡层上的CrSiCN层，所述CrSiCN层对所述颜色的光不透明，以及

所述CrSiCN层上的最上层，所述最上层包含CrSiN。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述最上层形成干涉膜，并且所述颜色包括介于500nm和600nm之间的波长。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，铬原子在所述最上层中的原子百分比小于10％，并且其中，硅原子在所述最上层中的原子百分比介于5％和20％之间。

14.根据权利要求12所述的装置，其中，硅原子在所述CrSiCN层中的原子百分比介于30％和60％之间，其中，铬原子在所述CrSiCN层中的原子百分比介于1％和40％之间，其中，碳原子在所述CrSiCN层中的原子百分比介于15％和65％之间，并且其中，氮原子在所述CrSiCN层中的原子百分比介于0.5％和15％之间。

15.根据权利要求12所述的装置，其中，所述粘附和过渡层包括所述导电衬底上的晶种层和所述晶种层上的过渡层，其中，所述晶种层包含选自由以下各项构成的组中的材料：Cr、CrSi和Ti，并且其中，所述过渡层包含选自由以下各项构成的组中的材料：CrSiN、CrSiCN、CrN和CrCN。

16.一种电子设备，包括：

导电壳体壁；以及

所述导电壳体壁上的涂层，所述涂层包括：

所述导电壳体壁上的粘附和过渡层，

所述粘附和过渡层上的CrSiCN，所述CrSiCN层对可见光不透明，以及

最上层，所述最上层形成用于可见光的干涉膜并且包含CrSiCN。

17.根据权利要求16所述的电子设备，其中，铬原子在所述最上层中的原子百分比小于10％，其中，硅原子在所述最上层中的原子百分比介于5％和20％之间，并且其中，氮原子在所述最上层中的原子百分比介于10％和15％之间。

18.根据权利要求16所述的电子设备，其中，所述CrSiCN层具有介于48和62之间的L*值、小于2的|a*|值以及小于2的|b*|值。

19.根据权利要求16所述的电子设备，其中，铬原子在所述最上层中的原子百分比介于20％至30％之间，其中，硅原子在所述最上层中的原子百分比介于50％和60％之间，其中，氮原子在所述最上层中的原子百分比介于10％和20％之间，其中，铬原子在所述CrSiCN层中的原子百分比介于30％和40％之间，其中，硅原子在所述CrSiCN层中的原子百分比介于50％和60％之间，并且其中，氮原子在所述CrSiCN层中的原子百分比介于10％和20％之间，其中，所述最上层具有介于0.01微米和0.05微米之间的厚度，并且其中，所述涂层具有介于30和40之间的L*值、介于0和5之间的a*值以及介于-10和0之间的b*值。

20.根据权利要求16所述的电子设备，其中，铬原子在所述最上层中的原子百分比介于30％至40％之间，其中，硅原子在所述最上层中的原子百分比介于20％和30％之间，并且其中，氮原子在所述最上层中的原子百分比介于30％和40％之间，其中，所述最上层具有介于0.05微米和0.07微米之间的厚度，并且其中，所述涂层具有介于40和50之间的L*值、介于-5和0之间的a*值以及介于-5和-15之间的b*值。

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