KR102625120B1 - 전자 디바이스들에 대한 밝은 색상 코팅들 - Google Patents

전자 디바이스들에 대한 밝은 색상 코팅들 Download PDF

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Abstract

전자 디바이스는 광 반사 코팅을 갖는 전도성 구조물들을 포함할 수 있다. 코팅은 2층 또는 4층 박막 간섭 필터를 가질 수 있다. 2층 필터는 CrN 층 및 SiCrN 층을 가질 수 있다. 4층 필터는 2개의 CrN 층들 및 2개의 SiCrN 층들을 가질 수 있다. 2층 필터는 비교적 작은 전도성 컴포넌트들을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 4층 필터는 전도성 하우징 측벽을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 둘 모두의 유형들의 간섭 필터는 하부 전도성 구조물의 기하학적 구조를 고려하여 생성된 코팅 두께의 변동들에도 불구하고 비교적 균일한 밝은 청색 색상을 생성할 수 있다.

Description

전자 디바이스들에 대한 밝은 색상 코팅들{LIGHT COLOR COATINGS FOR ELECTRONIC DEVICES}
본 출원은, 2021년 8월 27일자로 출원된 미국 특허 출원 제17/459,843호, 및 2021년 5월 3일자로 출원된 미국 가특허 출원 제63/183,558호에 대한 우선권을 주장하며, 이로써 이들은 그 전체가 본 명세서에 참조로서 포함되어 있다.
기술분야
본 개시내용은 일반적으로 전자 디바이스 구조물들에 대한 코팅들에 관한 것으로, 더 상세하게는 전도성 전자 디바이스 구조물들에 대한 가시광 반사 코팅들에 관한 것이다.
셀룰러 전화기들, 컴퓨터들, 시계들, 및 다른 디바이스들과 같은 전자 디바이스들은 전도성 하우징 구조물들과 같은 전도성 구조물들을 포함한다. 전도성 구조물들에는, 전도성 컴포넌트들이 원하는 가시적 색상(visible color)을 나타내도록 광의 특정 파장들을 반사시키는 코팅이 제공된다.
이들과 같은 코팅들을 원하는 색상 밝기로 제공하는 것은 어려울 수 있다. 부가적으로, 주의를 기울이지 않으면, 코팅들은 상이한 동작 환경들 및 전도성 구조의 기하학적 구조들에 걸쳐 만족스럽지 못한 광학 성능을 나타낼 수 있다.
전자 디바이스는 전도성 하우징 구조물들과 같은 전도성 구조물들을 포함할 수 있다. 가시광 반사 코팅이 전도성 구조물들 상에 형성될 수 있다. 코팅은 접착 및 전이 층들 및 접착 및 전이 층들 상의 다층 박막 간섭 필터를 가질 수 있다. 다층 박막 간섭 필터는 2층 박막 간섭 필터 또는 4층 박막 간섭 필터이다. 2층 박막 간섭 필터는 CrN 층 및 SiCrN 층을 가질 수 있다. 4층 박막 간섭 필터는 2개의 CrN 층들 및 2개의 SiCrN 층들을 가질 수 있다. 2층 박막 간섭 필터는 비교적 작은 전도성 컴포넌트들을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 4층 박막 간섭 필터는 전도성 하우징 측벽을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 둘 모두의 유형들의 간섭 필터는 하부 전도성 구조물의 기하학적 구조를 고려하여 생성된 코팅 두께의 변동들에도 불구하고 비교적 균일한 밝은 청색 색상을 생성할 수 있다.
본 개시내용의 일 양상은 장치를 제공한다. 장치는 전도성 기판을 가질 수 있다. 장치는 기판 상에 코팅을 가질 수 있다. 코팅은 색상을 가질 수 있다. 코팅은 접착 및 전이 층들을 가질 수 있다. 코팅은 접착 및 전이 층들 상에 박막 간섭 필터를 가질 수 있다. 박막 간섭 필터는 SiCrN 층 및 CrN 층을 포함할 수 있다. CrN 층은 박막 간섭 필터의 최상부 층일 수 있다. SiCrN 층은 박막 간섭 필터의 최하부 층일 수 있다.
본 개시내용의 다른 양상은 장치를 제공한다. 장치는 전도성 기판을 가질 수 있다. 장치는 전도성 기판 상에 코팅을 가질 수 있다. 코팅은 색상을 가질 수 있다. 코팅은 접착 및 전이 층들을 가질 수 있다. 코팅은 접착 및 전이 층들 상에 4층 박막 간섭 필터를 가질 수 있다. 4층 박막 간섭 필터는 제1 SiCrN 층, 제1 SiCrN 층과 접촉하는 제1 CrN 층, 제1 CrN 층과 접촉하는 제2 SiCrN 층, 및 제2 SiCrN 층과 접촉하는 제2 CrN 층을 가질 수 있다. 제1 SiCrN 층은 4층 박막 간섭 필터의 최하부 층일 수 있다.
본 개시내용의 또 다른 양상은 전자 디바이스를 제공한다. 전자 디바이스는 전도성 측벽을 가질 수 있다. 전자 디바이스는 전도성 측벽에 장착된 디스플레이 커버 층을 갖는 디스플레이를 가질 수 있다. 전자 디바이스는 전도성 구조물을 가질 수 있다. 전자 디바이스는 전도성 구조물 상에 제1 코팅을 가질 수 있다. 제1 코팅은 제1 접착 및 전이 층들을 포함할 수 있다. 제1 코팅은 제1 접착 및 전이 층들 상에 2층 박막 간섭 필터를 포함할 수 있다. 2층 박막 간섭 필터는 최하부 SiCrN 층 및 최상부 CrN 층을 포함할 수 있다. 전자 디바이스는 전도성 측벽 상에 제2 코팅을 포함할 수 있다. 제2 코팅은 제2 접착 및 전이 층들을 포함할 수 있다. 제2 코팅은 제2 접착 및 전이 층들 상에 4층 박막 간섭 필터를 포함할 수 있다. 4층 박막 간섭 필터는 제2 접착 및 전이 층들 상의 제1 SiCrN 층, 제1 SiCrN 층 상의 제1 CrN 층, 제1 CrN 층 상의 제2 SiCrN 층, 및 제2 SiCrN 층 상의 제2 CrN 층을 포함할 수 있다.
도 1은 일부 실시예들에 따른, 전도성 구조물들 및 가시광 반사 코팅들이 제공될 수 있는 유형의 예시적인 전자 디바이스의 사시도이다.
도 2는 일부 실시예들에 따른, 가시광 반사 코팅들이 제공될 수 있는 전도성 구조물들을 갖는 예시적인 전자 디바이스의 측단면도이다.
도 3은 일부 실시예들에 따른, 가시광 반사 코팅이 제공될 수 있는 예시적인 전도성 하우징 측벽의 분해 측단면도이다.
도 4는 일부 실시예들에 따른, 다층 박막 간섭 필터를 갖는 예시적인 가시광 반사 코팅의 측단면도이다.
도 5는 일부 실시예들에 따른, 하부 접착 및 전이 층들 상에 최상부 CrN 층 및 SiCrN 층을 갖는 2층 박막 간섭 필터를 갖는 예시적인 가시광 반사 코팅의 측단면도이다.
도 6은 일부 실시예들에 따른, 교번하는 CrN 및 SiCrN 층들을 갖는 4층 박막 간섭 필터를 갖는 예시적인 가시광 반사 코팅의 측단면도이다.
도 7은 일부 실시예들에 따른, 도 4 내지 도 6에 도시된 유형들의 예시적인 가시광 반사 코팅들에 대한 a*b* 색 공간(color space)의 플롯이다.
도 8은 일부 실시예들에 따른, 도 4 내지 도 6에 도시된 유형들의 예시적인 가시광 반사 코팅들에 대한 시야각의 함수로서 L*, a*, 및 b* 플롯들을 포함한다.
전자 디바이스들 및 다른 항목들에는 전도성 구조물들이 제공될 수 있다. 코팅들은, 전도성 구조물들이 원하는 색상을 나타내도록 가시광의 특정 파장들을 반사시키기 위해 전도성 구조물들 상에 증착될 수 있다. 가시광 반사 코팅이 전도성 기판 상에 증착될 수 있다. 코팅은 기판 상의 전이 및 접착 층들 및 전이 및 접착 층들 상의 다층 박막 간섭 필터를 포함할 수 있다. 박막 간섭 필터는 2개의 CrN 층들 및 2개의 SiCrN 층들을 갖는 4층 박막 간섭 필터일 수 있다. 원하는 경우, 박막 간섭 필터는 최하부 SiCrN 층 및 최상부 CrN 층을 갖는 2층 박막 간섭 필터일 수 있다. 2층 박막 간섭 필터를 갖는 코팅들은 비교적 작은 전도성 컴포넌트들을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 4층 박막 간섭 필터를 갖는 코팅들은 전도성 하우징 측벽을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 2층 박막 간섭 필터 및 4층 박막 간섭 필터를 갖는 코팅들 둘 모두는 하부 전도성 구조물들의 기하학적 구조를 고려하여 생성된 두께 변동들에도 불구하고 비교적 균일한 밝은 청색 색상을 나타낸다.
전도성 구조물들 및 가시광 반사 코팅들이 제공될 수 있는 유형의 예시적인 전자 디바이스가 도 1에 도시되어 있다. 도 1의 전자 디바이스(10)는, 랩톱 컴퓨터와 같은 컴퓨팅 디바이스, 내장형 컴퓨터를 포함하는 컴퓨터 모니터, 태블릿 컴퓨터, 셀룰러 전화기, 미디어 재생기, 또는 다른 핸드헬드 또는 휴대용 전자 디바이스, 손목시계 디바이스(예를 들어, 손목 스트랩을 갖는 시계)와 같은 더 작은 디바이스, 펜던트(pendant) 디바이스, 헤드폰 또는 이어피스(earpiece) 디바이스, 안경 또는 사용자의 머리 상에 착용되는 다른 장비(예를 들어, 머리 장착형 디바이스)에 내장된 디바이스, 또는 다른 웨어러블 또는 소형 디바이스, 텔레비전, 내장형 컴퓨터를 포함하지 않는 컴퓨터 디스플레이, 게이밍 디바이스, 내비게이션 디바이스, 디스플레이를 갖는 전자 장비가 키오스크(kiosk) 또는 자동차에 장착되는 시스템과 같은 내장형 시스템, 무선 기지국, 홈 엔터테인먼트 시스템, 무선 스피커 디바이스, 무선 액세스 포인트, 이들 디바이스들 중 2개 이상의 디바이스들의 기능을 구현하는 장비, 또는 다른 전자 장비일 수 있다. 도 1의 예시적인 구성에서, 디바이스(10)는 셀룰러 전화기 또는 태블릿 컴퓨터와 같은 실질적으로 직사각형 측방향 윤곽을 갖는 휴대용 디바이스이다. 원하는 경우, 디바이스(10)를 위한 다른 구성들이 사용될 수 있다. 도 1의 예는 단지 예시적인 것이다.
도 1의 예에서, 디바이스(10)는 디스플레이(14)와 같은 디스플레이를 포함한다. 디스플레이(14)는 하우징(12)과 같은 하우징 내에 장착될 수 있다. 때때로 인클로저 또는 케이스로 지칭될 수 있는 하우징(12)은 플라스틱, 유리, 세라믹, 섬유 복합재들, 금속(예를 들어, 스테인리스 강, 알루미늄 등), 다른 적합한 재료들, 또는 이들 재료들 중 임의의 2개 이상의 조합으로 형성될 수 있다. 하우징(12)은, 하우징(12)의 일부 또는 전부가 단일 구조물로서 기계가공 또는 성형되는 일체형 구성을 사용하여 형성될 수 있거나, 또는 다수의 구조물들(예를 들어, 내부 프레임 구조물, 외부 하우징 표면들을 형성하는 하나 이상의 구조물들 등)을 사용하여 형성될 수 있다. 하우징(12)은 금속 측벽들, 또는 다른 재료들로 형성된 측벽들을 가질 수 있다. 하우징(12)을 형성하기 위해 사용될 수 있는 금속 재료들의 예들은 스테인리스 강, 알루미늄, 은, 금, 티타늄, 금속 합금들, 또는 임의의 다른 원하는 전도성 재료를 포함한다.
디스플레이(14)는 디바이스(10)의 전방측(전면)에 형성(예를 들어, 그 상에 장착)될 수 있다. 하우징(12)은 디바이스(10)의 전면에 대향하는 디바이스(10)의 후방측(후면) 상에 후방 하우징 벽을 가질 수 있다. 하우징(12) 내의 전도성 하우징 측벽들은 디바이스(10)의 주변부를 둘러쌀 수 있다. 하우징(12)의 후방 하우징 벽은 전도성 재료들 및/또는 유전체 재료들로 형성될 수 있다.
하우징(12)의 후방 하우징 벽 및/또는 디스플레이(14)는 디바이스(10)의 (예를 들어, 도 1의 X-축에 평행한) 길이 및 (예를 들어, Y-축에 평행한) 폭의 일부 또는 전부에 걸쳐 연장될 수 있다. 하우징(12)의 전도성 측벽들은 (예를 들어, Z-축에 평행한) 디바이스(10)의 높이의 일부 또는 전부에 걸쳐 연장될 수 있다.
디스플레이(14)는, 전도성 용량성 터치 센서 전극들의 층 또는 다른 터치 센서 컴포넌트들(예를 들어, 저항성 터치 센서 컴포넌트들, 음향 터치 센서 컴포넌트들, 힘 기반 터치 센서 컴포넌트들, 광 기반 터치 센서 컴포넌트들 등)을 통합하는 터치 스크린 디스플레이일 수 있거나, 또는 터치 감응형이 아닌 디스플레이일 수 있다. 용량성 터치 스크린 전극들은 인듐 주석 산화물 패드들의 어레이 또는 다른 투명 전도성 구조물들로 형성될 수 있다.
디스플레이(14)는 액정 디스플레이(LCD) 컴포넌트들로부터 형성된 디스플레이 픽셀들의 어레이, 전기 영동 디스플레이 픽셀들의 어레이, 플라즈마 디스플레이 픽셀들의 어레이, 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이 픽셀들의 어레이, 전기습윤 디스플레이 픽셀들의 어레이, 또는 다른 디스플레이 기술들에 기초한 디스플레이 픽셀들을 포함할 수 있다. 디스플레이(14)는 디스플레이 커버 층을 사용하여 보호될 수 있다. 디스플레이 커버 층은 투명 재료, 예컨대 유리, 플라스틱, 사파이어 또는 다른 결정질 유전체 재료들, 세라믹, 또는 다른 투명 재료들로 형성될 수 있다. 디스플레이 커버 층은 예를 들어, 디바이스(10)의 길이 및 폭의 실질적으로 전부에 걸쳐 연장될 수 있다.
디바이스(10)는 하나 이상의 버튼들을 포함할 수 있다. 버튼들은 (예들로서) 하우징(12) 내의 개구들 또는 디스플레이(14) 내의 개구들 내에 위치된(예를 들어, 이들을 통해 돌출되는) 전도성 버튼 부재로 형성될 수 있다. 버튼들은 회전식 버튼들, 슬라이딩 버튼들, 이동가능한 버튼 부재를 누름으로써 작동되는 버튼들 등일 수 있다.
디스플레이(14)가 디스플레이 커버 층을 갖는 예시적인 구성의 디바이스(10)의 측단면도가 도 2에 도시된다. 도 2에 도시된 바와 같이, 디스플레이(14)는 픽셀 어레이(18)를 형성하는 하나 이상의 디스플레이 층들을 가질 수 있다. 동작 동안, 픽셀 어레이(18)는 디스플레이(14)의 활성 영역에서 사용자에 대한 이미지들을 형성한다. 디스플레이(14)는 또한, 픽셀들이 없고 이미지들을 생성하지 않는 비활성 영역들(예를 들어, 픽셀 어레이(18)의 경계를 따른 영역들)을 가질 수 있다. 도 2의 디스플레이 커버 층(16)은 활성 영역에서 픽셀 어레이(18)와 중첩되고, 디바이스(10) 내의 전기 컴포넌트들과 중첩된다.
디스플레이 커버 층(16)은 투명 재료, 예컨대 유리, 플라스틱, 세라믹, 또는 결정질 재료들, 예컨대 사파이어로 형성될 수 있다. 디바이스(10) 내의 디스플레이 커버 층 및 다른 투명 부재들(예를 들어, 하우징(12) 내의 개구들에 형성되는 카메라들 및 다른 광-기반 디바이스들에 대한 윈도우들)이 사파이어와 같은 경질 투명 결정질 재료(때때로, 강옥 또는 결정질 알루미늄 산화물로 지칭됨)로 형성되는 예시적인 구성들은 때때로 본 명세서에서 일 예로서 설명될 수 있다. 사파이어는 그의 경도(9 모스)로 인해 디스플레이 커버 층들 및 윈도우들에 만족스러운 재료를 만든다. 그러나, 일반적으로, 이러한 투명 부재들은 임의의 적합한 재료로 형성될 수 있다.
디스플레이(14)에 대한 디스플레이 커버 층(16)은 평면형 또는 곡선형일 수 있고, 직사각형 윤곽, 원형 윤곽, 또는 다른 형상들의 윤곽들을 가질 수 있다. 원하는 경우, 개구들이 디스플레이 커버 층에 형성될 수 있다. 예를 들어, 버튼, 스피커 포트, 또는 다른 컴포넌트를 수용하기 위해 디스플레이 커버 층에 개구가 형성될 수 있다. 통신 또는 데이터 포트들(예를 들어, 오디오 잭 포트, 디지털 데이터 포트, 가입자 아이덴티티 모듈(SIM) 카드를 위한 포트 등)을 형성하거나, 버튼들을 위한 개구들을 형성하거나, 오디오 포트들(예를 들어, 스피커들 및/또는 마이크로폰들을 위한 개구들)을 형성하기 위해 개구들이 하우징(12)에 형성될 수 있다.
디바이스(10)는, 원하는 경우, (예를 들어, 디바이스(10)가 손목시계 디바이스인 시나리오들에서) 스트랩(28)과 같은 스트랩에 커플링될 수 있다. 스트랩(28)은 (일 예로서) 사용자의 손목에 대해 디바이스(10)를 유지하는 데 사용될 수 있다. 스트랩(28)은 때때로 본 명세서에서 손목 스트랩(28)으로 지칭될 수 있다. 도 2의 예에서, 손목 스트랩(28)은 디바이스(10)의 대향하는 측면들에서 하우징(12) 내의 부착 구조물들(30)에 연결된다. 부착 구조물들(30)은 손목 스트랩(28)을 수용하도록 하우징(12)을 구성하는 러그들, 핀들, 스프링들, 클립들, 브래킷들, 및/또는 다른 부착 메커니즘들을 포함할 수 있다. 스트랩들을 포함하지 않는 구성들이 또한 디바이스(10)에 대해 사용될 수 있다.
원하는 경우, 광-기반 컴포넌트들(24)과 같은 광-기반 컴포넌트들은 하우징(12) 내의 개구(20)와 정렬되어 장착될 수 있다. 개구(20)는 원형일 수 있거나, 직사각형일 수 있거나, 타원형 형상을 가질 수 있거나, 삼각형 형상을 가질 수 있거나, 직선 및/또는 곡선형 에지들을 갖는 다른 형상들을 가질 수 있거나, 또는 다른 적합한 형상들(위에서 볼 때 윤곽들)을 가질 수 있다. 윈도우 부재(26)는 윈도우 부재(26)가 컴포넌트(24)와 중첩되도록 하우징(12)의 윈도우 개구(20)에 장착될 수 있다. 개스킷, 베젤, 접착제, 나사들, 또는 다른 체결 메커니즘들이 윈도우 부재(26)를 하우징(12)에 부착시키는 데 사용될 수 있다. 윈도우 부재(26)의 표면(22)은 하우징(12)의 외부 표면(23)과 동일 평면에 놓일 수 있거나, 외부 표면(23) 아래로 리세스(recess)될 수 있거나, 또는 도 3에 도시된 바와 같이, 외부 표면(23)으로부터 부풀어 오를 수 있다(예를 들어, 표면(22)은 -Z 방향으로 표면(23)으로부터 멀리 돌출되는 평면에 놓일 수 있다). 다시 말하면, 윈도우 부재(26)는 하우징(12)의 돌출 부분에 장착될 수 있다. 표면(23)은, 예를 들어 하우징(12)의 후면을 형성할 수 있다.
디바이스(10) 내의 전도성 구조물들에는, 전도성 구조물들이 원하는 미적 외관(예를 들어, 원하는 색상, 반사율 등)을 나타내도록 특정 파장들의 광을 반사시키는 가시광 반사 코팅이 제공될 수 있다. 디바이스(10) 내의 전도성 구조물들은, 예를 들어 하우징(12)의 전도성 부분들(예를 들어, 디바이스(10)에 대한 전도성 측벽들, 디바이스(10)에 대한 전도성 후방 벽, 윈도우 부재(26)를 장착하는 데 사용되는 하우징(12)의 돌출 부분 등), 부착 구조물들(30), 손목 스트랩(28)의 전도성 부분들, 전도성 메시(mesh), 전도성 컴포넌트들(32), 및/또는 디바이스(10) 상의 임의의 다른 원하는 전도성 구조물들을 포함할 수 있다. 전도성 컴포넌트들(32)은, 내부 컴포넌트들(예를 들어, 내부 하우징 부재들, 전도성 프레임, 전도성 섀시, 전도성 지지 플레이트, 전도성 브래킷들, 전도성 클립들, 전도성 스프링들, 입력-출력 컴포넌트들 또는 디바이스들 등), 디바이스(10) 내부 및 외부 둘 모두에 놓인 컴포넌트들(예를 들어, 전도성 SIM 카드 트레이 또는 SIM 카드 포트, 데이터 포트, 마이크로폰 포트, 스피커 포트, 전도성 버튼 부재 등), 또는 디바이스(10) 외부에 장착된 컴포넌트들(예를 들어, 스트랩(28)에 대한 걸쇠, 윈도우 부재(26)의 하우징(12)의 돌출 부분과 같은 스트랩(28)의 전도성 부분들), 전도성 나사들, 및/또는 디바이스(10) 상의 임의의 다른 원하는 전도성 구조물들을 포함할 수 있다. 디바이스(10) 내의 전도성 버튼 부재들은, 원하는 경우, 디바이스(10)에 대한 전도성 측벽들 내의 개구들을 통해 연장될 수 있다.
도 3은, 가시광 반사 코팅이 제공될 수 있는 디바이스(10) 내의 전도성 측벽의 분해 측단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 하우징(12)은 전도성 측벽(12W)과 같은 주변부 전도성 하우징 구조물들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전도성 측벽(12W)은 X-Y 평면에서 디바이스(10)의 측방향 주변부 주위로 이어질 수 있다(예를 들어, 전도성 측벽(12W)은 도 2의 디스플레이(14)의 주변부 주위로 이어질 수 있고, 디스플레이에 대한 전도성 베젤로서 기능할 수 있다).
전도성 측벽(12W)은 하나 이상의 레지(ledge)들(34)을 포함할 수 있다. (예를 들어, 디바이스(10)의 후면에서) 디바이스(10)에 대한 전도성 및/또는 유전체 후방 벽을 지지하고 그리고/또는 (예를 들어, 디바이스(10) 전면에서) 도 2의 디스플레이 커버 층(16)을 지지하기 위해 레지들(34)이 사용될 수 있다. 원하는 가시적 색상을 갖는 전도성 측벽(12W)을 제공하기 위해, 코팅(36)과 같은 가시광 반사 코팅이 전도성 측벽(12W)(예를 들어, 전도성 측벽(12W), 디바이스(10)의 외부에서의 전도성 측벽(12W)의 부분들 등의 모두) 상에 증착될 수 있다. 코팅(36)은 또한 디바이스(10) 내의 다른 전도성 구조물들(예를 들어, 도 2의 전도성 컴포넌트들(32), 하우징(12)의 다른 전도성 부분들 등) 위에 증착될 수 있다.
실제로, 코팅은 전도성 구조물의 하부 기하학적 구조의 변화들로 인해(예를 들어, 하부 기하학적 구조에 걸쳐 균일한 코팅들을 증착하는 데 있어서 코팅 증착 장비 제한들 때문에) 코팅의 표면 영역에 걸쳐 상이한 두께들을 가질 수 있다. 예를 들어, 도 3의 코팅(36)은 전도성 측벽(12W)의 하단 및 상단 에지들에서 제1 두께(T1)를 나타낼 수 있지만(예를 들어, 여기서 전도성 측벽(12W)은 곡선형의 3차원 형상을 나타냄), 전도성 측벽(12W)의 중심을 따라 제2 두께(T2)를 나타낼 수 있다(예를 들어, 여기서 전도성 측벽(12W)은 실질적으로 평면형 형상을 나타냄). 두께(T2)는 코팅(36)의 표면 영역에 걸친 코팅(36)의 최대 두께를 표현할 수 있다. 두께(T1)는 두께(T2)보다 작을 수 있다(예를 들어, 두께(T2)의 40 내지 50%). 주의를 기울이지 않으면, 코팅(36)의 표면 영역을 따른 두께의 변동들은 코팅에 의해 반사된 가시광의 색상 및 그에 따른 하부 전도성 구조물의 미적 외관을 바람직하지 않게 변경할 수 있다.
도 4는 코팅(36)의 단면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 코팅(36)은 기판(42)과 같은 하부 전도성 기판 상에 형성(증착)될 수 있다. 기판(42)은 디바이스(10) 내의 전도성 구조물, 예컨대 하우징(12)의 전도성 부분(예를 들어, 도 3의 전도성 측벽(12W) 또는 도 1 및 도 2의 하우징(12)의 다른 전도성 부분들) 또는 전도성 컴포넌트(32)(도 2)일 수 있다. 기판(42)은 코팅(36)보다 두꺼울 수 있다. 기판(42)의 두께는 (예들로서) 0.1 mm 내지 5 mm, 0.3 mm 초과, 0.5 mm 초과, 5 mm 내지 20 mm, 5 mm 미만, 2 mm 미만, 1.5 mm 미만, 또는 1 mm 미만일 수 있다. 기판(42)은 스테인리스 강, 알루미늄, 티타늄, 또는 다른 금속들 또는 합금들을 포함할 수 있다. 다른 적합한 배열들에서, 기판(42)은 세라믹 기판, 유리 기판, 또는 다른 재료들로 형성된 기판들과 같은 절연 기판일 수 있다.
코팅(36)은 기판(42) 상의 접착 및 전이 층들(40), 및 접착 및 전이 층들(40) 상의 박막 간섭 필터(38)와 같은 다층 박막 간섭 필터를 포함할 수 있다. 박막 간섭 필터(38)는, 예를 들어 접착 및 전이 층들(40)과 직접 접촉하는 제1 측방향 표면을 가질 수 있고, 제1 측방향 표면에 대향하는 제2 측방향 표면을 가질 수 있다. 박막 간섭 필터(38)는 접착 및 전이 층들(40) 상에 적층된 다수의 층들(막들)을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 일 예로서 설명되는 배열들에서, 박막 간섭 필터(38)는 2개 또는 4개의 층들을 포함할 수 있다. 이는 단지 예시적인 것이며, 원하는 경우, 박막 간섭 필터(38)는 다른 수들의 층들(예를 들어, 3개의 층들, 5개의 층들, 6개 초과의 층들 등)을 포함할 수 있다.
코팅(36)의 층들은 임의의 적합한 증착 기법들을 사용하여 기판(42) 상에 증착될 수 있다. 코팅(36)에 층들을 증착하기 위해 사용될 수 있는 기법들의 예들은 물리적 기상 증착(예를 들어, 증발 및/또는 스퍼터링), 캐소드 아크(cathodic arc) 증착, 화학적 기상 증착, 이온 도금, 레이저 어블레이션(laser ablation) 등을 포함한다. 예를 들어, 코팅(36)은 증착 장비(예를 들어, 캐소드)를 갖는 증착 시스템에서 기판(42) 상에 증착될 수 있다. 기판(42)은 증착 장비(예를 들어, 캐소드)가 코팅(36)의 층들을 증착하는 동안 증착 시스템 내에서 이동(예를 들어, 회전)될 수 있다. 원하는 경우, 기판(42)은 증착 동안 증착 장비(예를 들어, 캐소드)에 대한 속도 및/또는 배향에 대해 동적으로 이동/회전될 수 있다. 이는 기판(42)이 3차원 형상을 갖는 시나리오들에서도, 코팅(36)의 영역에 걸쳐 가능한 한 균일한 두께를 갖는 코팅(36)을 제공하는 것을 도울 수 있다.
박막 간섭 필터(38)는 상이한 굴절률 값들을 갖는 무기 유전체 층들과 같은 재료 층들의 스택으로 형성될 수 있다. 박막 간섭 필터 층들은 더 높은 굴절률 값들(때때로 "높은" 인덱스 값(index value)들로 지칭됨) 및 더 낮은 굴절률 값들(때때로 "낮은" 인덱스 값들로 지칭됨)을 가질 수 있다. 원하는 경우, 높은 인덱스 층들은 낮은 인덱스 층들과 인터리빙될 수 있다. 입사 광은 박막 간섭 필터(38) 내의 층들 각각을 통해 투과되면서, 또한, 층들 각각 사이의 계면들 뿐만 아니라 박막 간섭 필터와 접착 및 전이 층들(40) 사이의 계면 및 박막 간섭 필터와 공기 사이의 계면에서 반사될 수 있다. 박막 간섭 필터(38) 내의 각각의 층의 두께 및 굴절률(예를 들어, 조성)을 제어함으로써, 각각의 계면에서 반사된 광은, 박막 간섭 필터(38)로부터 전달되는 반사된 광이 원하는 색상 및 밝기로 관찰자에 의해 인식되면서, 또한, 3차원(예를 들어, 곡선형) 형상을 갖는 하부 기판(34) 상에 증착될 때에도 코팅의 측방향 영역에 걸쳐 비교적 불변인 응답을 나타내도록 파장들의 선택된 세트에서 상쇄적으로 그리고/또는 보강적으로 간섭할 수 있다. 박막 간섭 필터(38)를 형성하는 데 사용되는 재료들은, 하부 기판(42)의 기하학적 구조로 인한 코팅의 전체 두께 변동들에 관계없이, 코팅(36)에 입사되는 광에 응답하여 원하는 가시적 색상(예를 들어, 밝은 청색 색상)을 갖는 하부 기판(42)을 제공하도록 선택될 수 있다.
도 5는 박막 간섭 필터(38)가 2개의 층들을 갖는 일 예에서 코팅(36)에 대한 하나의 예시적인 조성을 도시하는 측단면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 코팅(36)은 기판(42) 상에서 계층화될 수 있다. 접착 및 전이 층들(40)은 기판(42) 상의 시드 층(52)과 같은 시드(접착) 층 및 시드 층(52) 상의 제1 전이 층(50) 및 제1 전이 층(50) 상의 제2 전이 층(48)과 같은 하나 이상의 전이 층들을 포함할 수 있다. 시드 층(52)은 기판(42)을 전이 층들(50, 48)에 커플링시킬 수 있다. 도 5의 예에서,시드 층(52)은 크롬(Cr)으로 형성되고, 전이 층(50)은 크롬 실리콘 질화물(CrSiN)로 형성되며, 전이 층(48)은 크롬 질화물(CrN)로 형성된다. 이는 단지 예시적인 것이다. 원하는 경우, 시드 층(52), 전이 층(50), 및/또는 전이 층(48)은 크롬, 크롬 실리콘(CrSi), 티타늄(Ti), 크롬 실리콘 질화물(CrSiN), 크롬 실리콘 탄질화물(CrSiCN), 크롬 실리콘 탄화물(CrSiC), 크롬 탄질화물(CrCN), 다른 금속들, 금속 합금들, 및/또는 다른 재료들을 포함할 수 있다. 코팅(36)은 원하는 경우, 2개 초과의 전이 층들 또는 오직 단일 전이 층만을 포함할 수 있다.
시드 층(52)은 두께(53)를 가질 수 있다. 두께(53)는, 예를 들어 0.1 내지 0.2 마이크로미터, 0.15 마이크로미터, 0.05 내지 0.25 마이크로미터, 0.5 마이크로미터 미만, 0.1 마이크로미터 초과, 또는 다른 두께들일 수 있다. 전이 층(50)은 두께(55)를 가질 수 있다. 두께(55)는 두께(53)보다 클 수 있다. 두께(55)는, 예를 들어 0.9 내지 1.3 마이크로미터, 0.1 마이크로미터, 1.0 내지 1.2 마이크로미터, 0.8 내지 1.4 마이크로미터, 1 마이크로미터 초과, 0.5 마이크로미터 초과, 1.5 마이크로미터 미만, 또는 다른 두께들일 수 있다. 전이 층(48)은 두께(56)를 가질 수 있다. 두께(55)는 또한 두께(56)보다 클 수 있다. 두께(56)는, 예를 들어 0.07 내지 0.16 마이크로미터, 0.11 마이크로미터, 0.08 내지 0.13 마이크로미터, 0.05 내지 0.25 마이크로미터, 0.05 마이크로미터 초과, 0.1 마이크로미터 초과, 0.2 마이크로미터 미만, 또는 다른 두께들일 수 있다.
박막 간섭 필터(38)는 전이 층(48) 상에 계층화된 최하부(하단) 층(46)을 포함할 수 있다. 박막 간섭 필터(38)는 또한 최상부 층(44)을 포함할 수 있다. 최상부 층(44) 및 최하부 층(46)은 집합적으로 두께(54)를 나타낼 수 있다. 두께(54)는 0.08 내지 0.12 마이크로미터, 0.09 내지 0.11 마이크로미터, 0.05 내지 0.15 마이크로미터, 0.1 마이크로미터, 0.08 내지 0.16 마이크로미터, 0.05 마이크로미터 초과, 0.09 마이크로미터 초과, 0.2 마이크로미터 미만, 또는 다른 두께들일 수 있다. 코팅(36)은 전체 두께(56)를 나타낼 수 있다. 전체 두께(56)는 1.2 내지 1.8 마이크로미터, 1.4 내지 1.6 마이크로미터, 1.1 내지 1.9 마이크로미터, 1.25 내지 1.75 마이크로미터, 또는 다른 두께일 수 있다. 이러한 두께들은 코팅(36)이 그의 표면 영역에 걸쳐 최대 두께를 나타내는 위치들에 대해 본 명세서에 설명되어 있다.
도 5의 예에서, 최하부 층(46)은 실리콘 크롬 질화물(SiCrN)을 포함하며, 따라서 때때로 본 명세서에서 SiCrN 층(46)으로 지칭될 수 있다. 최상부 층(44)은 CrN을 포함할 수 있으며, 따라서 때때로 본 명세서에서 CrN 층(44)으로 지칭될 수 있다. 최상부 층(44)은 최하부 층(46)과 동일한 두께를 가질 수 있거나, 또는 층들(44, 46)은 상이한 두께들을 가질 수 있다. 코팅(38)에 입사되는 가시광은, CrN 층(44)의 공기-막 계면으로부터 반사될 것이고, CrN 층(44)을 통과하고 CrN 층(44)과 SiCrN 층(46) 사이의 막-막 계면으로부터 반사될 것이고, SiCrN 층(46)을 통과하고 (예를 들어, 전이 층(48)을 통해 투과되지 않으면서) 전이 층(48)으로부터 반사될 것이다. 이들 계면들 각각으로부터의 반사된 및 투과된 광은, 코팅(36) 의해 반사된 총 가시광이 원하는 색상(예를 들어, 밝은 청색 색상)을 나타내도록 상이한 파장들에서 보강적으로 그리고 상쇄적으로 간섭한다.
박막 간섭(38)의 조성은 또한 코팅에 의해 나타나는 원하는 색상에 기여할 수 있다. 예를 들어, SiCrN 층(46)의 조성은 SiCrN 층(46) 내의 크롬(Cr) 원자들의 원자 백분율이 50 내지 60%, 50 내지 55%, 45 내지 60%, 45 내지 55%, 48 내지 58%, 40 내지 52%, 41 내지 61%, 50 내지 54%, 48 내지 55%, 40% 초과, 50% 초과, 55% 미만, 60% 미만, 65% 미만, 또는 다른 값들이 되도록 선택될 수 있다. SiCrN 층(46)의 조성은 SiCrN 층(46) 내의 실리콘(Si) 원자들의 원자 백분율이 15 내지 25%, 15 내지 23%, 12 내지 24%, 18 내지 22%, 17 내지 25%, 11 내지 23%, 10 내지 25%, 10% 초과, 15% 초과, 18% 초과, 23% 미만, 25% 미만, 30% 미만, 또는 다른 값들이 되도록 선택될 수 있다. SiCrN 층(46)의 조성은 SiCrN 층(46) 내의 질소(N) 원자들의 원자 백분율이 20 내지 35%, 20 내지 30%, 23 내지 32%, 22 내지 40%, 15 내지 35%, 15 내지 35%, 15% 초과, 20% 초과, 35% 미만, 40% 미만, 또는 다른 값들이 되도록 선택될 수 있다. 유사하게, CrN 층(44)의 조성은 CrN 층(44) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율이 50 내지 70%, 60 내지 70%, 55 내지 65%, 55 내지 70%, 60 내지 66%, 59 내지 68%, 55 내지 72%, 56 내지 68%, 50% 초과, 55% 초과, 60% 초과, 68% 미만, 70% 미만, 75% 미만, 또는 다른 값들이 되도록 선택될 수 있다. CrN 층(44)의 조성은 CrN 층(44) 내의 N 원자들의 원자 백분율이 30 내지 40%, 32 내지 42%, 34 내지 40%, 25 내지 45%, 31 내지 42%, 25% 초과, 30% 초과, 32% 초과, 40% 미만, 45% 미만, 50% 미만, 또는 다른 값들이 되도록 선택될 수 있다.
이러한 방식으로 구성될 때, 박막 간섭 필터(38)는 원하는 색상을 나타내도록 코팅(36)을 구성할 수 있다. 예를 들어, 코팅(36)은 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0, -5 내지 2, -2 내지 -1, -3 내지 0, -1 내지 -1.4, -3 내지 1, 0 미만, 1 미만, -1 초과, -2 초과의 a* 값 또는 다른 a* 값을 나타낼 수 있다. 동시에, 코팅(36)은 L*a*b* 색 공간에서 -20 내지 -15, -18 내지 -13, -15 내지 -16, -14 내지 -17, -10 내지 -20, -10 미만, -12 미만, -15 미만, -16 초과, -20 초과의 b* 값 또는 다른 b* 값을 나타낼 수 있다. 부가적으로, 코팅(36)은 L*a*b* 색 공간에서 70 내지 80, 70 내지 75, 72 내지 73, 71 내지 74, 65 내지 75, 60 내지 80, 50 내지 70, 70 초과, 65 초과, 75 미만, 80 미만의 L* 값, 또는 다른 L* 값을 나타낼 수 있다. 다시 말하면, 박막 간섭 필터(38)는 밝은 청색 색상을 나타내도록 코팅(36)을 구성할 수 있다. 이러한 L*a*b* 값들은 코팅(36)이 그의 표면 영역에 걸쳐 최대 두께를 나타내는 위치들에 대해 본 명세서에 설명되어 있다.
박막 간섭 필터(38)가 2개의 층들을 갖는 도 5의 예는 단지 예시적인 것이다. 다른 적합한 배열에서, 박막 간섭 필터(38)는 4개의 층들을 가질 수 있다. 도 6은 박막 간섭 필터(38)가 4개의 층들을 갖는 일 예에서 코팅(36)에 대한 하나의 예시적인 조성을 도시하는 측단면도이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 박막 간섭 필터(38)는 전이 층(50) 상에 계층화된 최하부(하단) 층(64)을 포함할 수 있다. 박막 간섭 필터(38)는 또한 최하부 층(64) 상에 계층화된 제2 최하부 층(62)을 포함할 수 있다. 부가적으로, 박막 간섭 필터(38)는 제2 최하부 층(62) 상에 계층화된 제2 최상부 층(60)을 포함할 수 있다. 박막 간섭 필터(38)는 또한 제2 최상부 층(60) 상에 계층화된 최상부 층(58)을 포함할 수 있다. 최하부 층(64) 및 제2 최하부 층(62)은 집합적으로 두께(68)를 나타낼 수 있다. 두께(68)는 0.08 내지 0.12 마이크로미터, 0.09 내지 0.11 마이크로미터, 0.05 내지 0.15 마이크로미터, 0.1 마이크로미터, 0.08 내지 0.16 마이크로미터, 0.05 마이크로미터 초과, 0.09 마이크로미터 초과, 0.2 마이크로미터 미만, 또는 다른 두께들(예를 들어, 도 5의 두께(54)와 동일한 두께 또는 다른 두께)일 수 있다. 최상부 층(58) 및 제2 최상부 층(60)은 집합적으로 두께(66)를 나타낼 수 있다. 두께(66)는 0.08 내지 0.12 마이크로미터, 0.09 내지 0.11 마이크로미터, 0.05 내지 0.15 마이크로미터, 0.1 마이크로미터, 0.08 내지 0.16 마이크로미터, 0.05 마이크로미터 초과, 0.09 마이크로미터 초과, 0.2 마이크로미터 미만, 또는 다른 두께들(예를 들어, 도 5의 두께(54)와 동일한 두께, 두께(68)과 동일한 두께, 또는 다른 두께)일 수 있다. 코팅(36)은 도 5의 두께(56)보다 큰 전체 두께(70)를 나타낼 수 있다. 전체 두께(70)는 1.3 내지 1.9 마이크로미터, 1.5 내지 1.7 마이크로미터, 1.2 내지 2.0 마이크로미터, 1.35 내지 1.85 마이크로미터, 또는 다른 두께일 수 있다. 이러한 두께들은 코팅(36)이 그의 표면 영역에 걸쳐 최대 두께를 나타내는 위치들에 대해 본 명세서에 설명되어 있다.
도 6의 예에서, 최하부 층(64)은 SiCrN을 포함하며, 따라서 때때로 본 명세서에서 SiCrN 층(64) 또는 최하부 SiCrN 층(64)으로 지칭될 수 있다. 제2 최하부 층(62)은 CrN을 포함할 수 있며, 따라서 때때로 본 명세서에서 CrN 층(62) 또는 최하부 CrN 층(62)으로 지칭될 수 있다. 최하부 CrN 층(62) 및 최하부 SiCrN 층(64)은 동일한 두께를 가질 수 있거나 또는 상이한 두께들을 가질 수 있다. 최상부 층(58)은 CrN을 포함하며, 따라서 때때로 본 명세서에서 CrN 층(58) 또는 최상부 CrN 층(58)으로 지칭될 수 있다. 제2 최상부 층(60)은 SiCrN을 포함하며, 따라서 때때로 본 명세서에서 SiCrN 층(60) 또는 최상부 SiCrN 층(60)으로 지칭될 수 있다. 최상부 SiCrN 층(60) 및 최상부 CrN 층(58)은 동일한 두께들을 가질 수 있거나 또는 상이한 두께들을 가질 수 있다. 코팅(38)에 입사되는 가시광은, 박막 간섭 필터(38) 내의 층들 각각과 최상부 CrN 층(58)의 공기-막 계면으로부터 반사될 것이며, 보강적으로 그리고 상쇄적으로 간섭하여, 코팅(36)에 의해 반사된 총 가시광이 원하는 색상(예를 들어, 밝은 청색 색상)을 나타내게 한다.
박막 간섭 필터(38)의 조성은 또한 코팅에 의해 나타나는 원하는 색상에 기여할 수 있다. 최상부 CrN 층(58)은 최하부 CrN 층(62)과 동일한 조성을 가질 수 있거나, 또는 CrN 층들(58, 62)은 상이한 조성들을 가질 수 있다. CrN 층(58) 및/또는 CrN 층(62)은 도 5의 CrN 층(44)과 동일한 조성을 가질 수 있거나, 또는 상이한 조성을 가질 수 있다. 유사하게, 최상부 SiCrN 층(60)은 최하부 SiCrN 층(64)과 동일한 조성을 가질 수 있거나 또는 SiCrN 층들(60, 64)은 상이한 조성들을 가질 수 있다. SiCrN 층(60) 및/또는 SiCrN 층(64)은 도 5의 SiCrN 층(46)과 동일한 조성을 가질 수 있거나, 또는 상이한 조성을 가질 수 있다.
예들로서, SiCrN 층(64)의 조성은, SiCrN 층(64) 내의 크롬(Cr) 원자들의 원자 백분율이 40 내지 60%, 30 내지 70%, 40 내지 50%, 45 내지 55%, 44 내지 54%, 40 내지 52%, 41 내지 61%, 46 내지 54%, 48 내지 55%, 40% 초과, 45% 초과, 35% 초과, 50% 미만, 55% 미만, 60% 미만, 65% 미만, 또는 다른 값들이 되도록, 실리콘(Si) 원자들의 원자 백분율이 10 내지 20%, 8 내지 23%, 12 내지 24%, 7 내지 15%, 12 내지 16%, 9 내지 20%, 10 내지 25%, 10% 초과, 15% 초과, 8% 초과, 20% 미만, 25% 미만, 30% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, SiCrN 층(64) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율 미만의 값들)이 되도록, 그리고 질소(N) 원자들의 원자 백분율이 30 내지 40%, 31 내지 42%, 26 내지 45%, 22 내지 50%, 27 내지 41%, 25% 초과, 30% 초과, 35% 초과, 40% 미만, 45% 미만, 50% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, SiCrN 층(64) 내의 Si 원자들의 원자 백분율 초과 및/또는 Cr 원자들의 원자 백분율 미만의 값들)이 되도록 선택될 수 있다. CrN 층(62)의 조성은, CrN 층(62) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율이 40 내지 50%, 30 내지 70%, 41 내지 51%, 35 내지 65%, 41 내지 51%, 45% 초과, 40% 초과, 35% 초과, 50% 미만, 55% 미만, 60% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, SiCrN 층(64) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율 미만인 값들)이 되도록, 그리고 N 원자들의 원자 백분율이 35 내지 45%, 30 내지 50%, 37 내지 46%, 25 내지 45%, 31 내지 52%, 40% 초과, 35% 초과, 30% 초과, 25% 초과, 45% 미만, 50% 미만, 65% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, CrN 층(62) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율 미만인 값들 및/또는 CrSiN 층(64) 내의 N 원자들의 원자 백분율 초과인 값들)이 되도록 선택될 수 있다. SiCrN 층(60)의 조성은, SiCrN 층(60) 내의 크롬(Cr) 원자들의 원자 백분율이 30 내지 40%, 20 내지 50%, 21 내지 41%, 27 내지 36%, 25 내지 38%, 30% 초과, 25% 초과, 20% 초과, 15% 초과, 35% 미만, 40% 미만, 45% 미만, 50% 미만, 55% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, SiCrN 층(64) 및 CrN 층(62) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율 미만인 값들)이 되도록, 실리콘(Si) 원자들의 원자 백분율이 10 내지 20%, 10 내지 25%, 8 내지 30%, 15 내지 22%, 12 내지 26%, 15% 초과, 10% 초과, 5% 초과, 20% 미만, 25% 미만, 30% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, SiCrN 층(64) 내의 Si 원자들의 원자 백분율 초과의 값들)이 되도록, 그리고 질소(N) 원자들의 원자 백분율이 40 내지 60%, 45 내지 55%, 30 내지 65%, 42 내지 57%, 50% 초과, 45% 초과, 40% 초과, 55% 미만, 60% 미만, 65% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, SiCrN 층(64) 및 CrN 층(62) 내의 N 원자들의 원자 백분율 초과의 값들)이 되도록 선택될 수 있다. 마지막으로, CrN 층(58)의 조성은, CrN 층(58) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율이 40 내지 50%, 40 내지 55%, 35 내지 60%, 45 내지 55%, 45% 초과, 40% 초과, 35% 초과, 50% 미만, 55% 미만, 60% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, SiCrN 층(60) 내의 Cr 원자들의 원자 백분율 초과인 값들)이 되도록, 그리고 N 원자들의 원자 백분율이 35 내지 45%, 30 내지 50%, 33 내지 43%, 25 내지 45%, 35% 초과, 30% 초과, 25% 초과, 20% 초과, 40% 미만, 45% 미만, 50% 미만, 또는 다른 값들(예를 들어, CrN 층(62) 및/또는 SiCrN 층(60) 내의 N 원자들의 원자 백분율 미만인 값들)이 되도록 선택될 수 있다. 본 명세서에 설명된 원자 백분율들은, 예를 들어 하향식 기준 지점으로부터 측정될 수 있다.
이러한 방식으로 구성될 때, 박막 간섭 필터(38)는 원하는 색상을 나타내도록 코팅(36)을 구성할 수 있다. 예를 들어, 코팅(36)은 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0, -5 내지 2, -2 내지 0, -1 내지 0, -1 내지 1, -3 내지 1, 0 미만, 1 미만, -1 초과, -2 초과의 a* 값 또는 다른 a* 값을 나타낼 수 있다. 동시에, 코팅(36)은 L*a*b* 색 공간에서 -20 내지 -14, -18 내지 -12, -14 내지 -16, -12 내지 -17, -10 내지 -20, -10 미만, -12 미만, -14 미만, -16 초과, -20 초과, -25 초과의 b* 값 또는 다른 b* 값을 나타낼 수 있다. 부가적으로, 코팅(36)은 L*a*b* 색 공간에서 70 내지 80, 70 내지 75, 70 내지 72, 69 내지 74, 65 내지 75, 60 내지 80, 50 내지 70, 70 초과, 65 초과, 75 미만, 80 미만의 L* 값, 또는 다른 L* 값을 나타낼 수 있다. 다시 말하면, 박막 간섭 필터(38)는 밝은 청색 색상을 나타내도록 코팅(36)을 구성할 수 있다. 이러한 L*a*b* 값들은 코팅(36)이 그의 표면 영역에 걸쳐 최대 두께를 나타내는 위치들에 대해 본 명세서에 설명되어 있다.
실제로, 특히 비평면 3차원 형상들을 갖는 기판들(42) 상에 증착될 때, 코팅(36)의 표면(측방향) 영역에 걸쳐 균일한 두께를 갖는 코팅(36)을 제공하는 것이 어려울 수 있다. 도 5의 2층 박막 간섭 필터는 도 6의 4층 박막 간섭 필터에 의해 제공되는 색 응답보다 코팅 두께 변동들에 걸쳐 상이한 색 응답을 제공할 수 있다. 도 7은 상이한 두께들에서의 도 5 및 도 6의 코팅들의 색 응답을 나타내는 a*b* 색 공간의 플롯이다.
도 7에 도시된 바와 같이, 곡선(72)은 지점 P1에서의 최대(100%) 두께의 위치로부터 지점 P5에서의 최소 두께(예를 들어, 최대 두께의 40%)의 위치까지의, 4층 박막 간섭 필터를 갖는 도 6의 코팅(36)의 색 응답을 플롯팅한다. 곡선(72) 상의 지점 P2는 최대 두께보다 작은 코팅 두께(예를 들어, 90%)에 대응한다. 곡선(72) 상의 지점 P3은 지점 P2와 연관된 두께보다 작은 코팅 두께(예를 들어, 70%)에 대응한다. 곡선(72) 상의 지점 P4는 지점 P3과 연관된 두께보다 작고 지점 P5와 연관된 두께보다 큰 코팅 두께(예를 들어, 50%)에 대응한다.
도 7의 곡선(74)은 지점 Q1에서의 최대(100%) 두께의 위치로부터 지점 Q5에서의 최소 두께(예를 들어, 최대 두께의 40%)의 위치까지의, 2층 박막 간섭 필터를 갖는 도 5의 코팅(36)의 색 응답을 플롯팅한다. 곡선(74) 상의 지점 Q2는 최대 두께보다 작은 코팅 두께(예를 들어, 90%)에 대응한다. 곡선(74) 상의 지점 Q3은 지점 Q2와 연관된 두께보다 작은 코팅 두께(예를 들어, 70%)에 대응한다. 곡선(74) 상의 지점 Q4는 지점 Q3과 연관된 두께보다 작고 지점 Q5와 연관된 두께보다 큰 코팅 두께(예를 들어, 50%)에 대응한다.
a* 값이 a*=0 초과로 증가함에 따라, 코팅(36)의 색상은 더 황색이 되는 경향이 있다. a* 값이 a*=0 미만으로 감소함에 따라, 코팅(36)의 색상은 더 청색이 되는 경향이 있다. 코팅(36)의 표면 영역에 걸쳐 코팅 두께의 상당한 감소 없이 코팅(36)으로 코팅될 수 있는 전도성 구조물들(예를 들어, 하부 기판들(42))의 경우, 도 5의 2층 박막 간섭 필터(38)는 원하는 색상(예를 들어, 밝은 청색 색상)을 갖는 전도성 구조물을 제공하는 데 사용될 수 있다. 그러한 전도성 구조물들은, 예를 들어, 버튼들(예를 들어, 파워 버튼, 링거 버튼, 볼륨 버튼, 홈 버튼 등), SIM 카드 트레이, 및 도 2의 개구(20)(예를 들어, 디바이스(10)의 후면 카메라에 대한 개구) 주위로 이어지는 착색된 트림(colored trim)과 같은 비교적 작은 전도성 컴포넌트들(32)(도 2)을 포함할 수 있다. 이러한 전도성 구조물들은, 예를 들어 최대 두께로부터 최대 두께의 70% 내지 90%의 두께들까지 변하는 코팅(36)을 사용하여 코팅될 수 있다. 이러한 두께들은 지점들 Q2 및 Q3 사이의 곡선(74) 상의 지점들에 대응할 수 있다. 지점들 Q2 및 Q3이 a*=0 아래에 놓이기 때문에, 코팅은 원하는 청색 색상을 갖는 이러한 전도성 컴포넌트들을 제공할 수 있다.
그러나, 도 5의 2층 박막 간섭 필터(38)는 도 3의 전도성 측벽(12W)과 같은 다른 컴포넌트들을 코팅하기 위해 사용될 때, 바람직하지 않은 더 황색인 색상들을 부여할 수 있다. 예를 들어, 코팅(36)은 전도성 측벽(12W)의 중심 부분을 따라 최대 두께(T2)(예를 들어, 100%)를 나타낼 수 있지만, 전도성 측벽(12W)의 상부 또는 하부 단부(때때로 본 명세서에서 하우징(12)의 스플라인으로 지칭됨)를 따라 더 적은 두께(T1)(예를 들어, 두께(T2)의 40%)를 나타낼 수 있다. 하우징(12)의 스플라인을 따른 비교적 작은 코팅 두께들에서, 코팅의 색상은 지점들 Q4 및 Q5 사이의 곡선(74) 상의 지점들에 의해 특징지어질 수 있다. 지점들 Q4 및 Q5에 의해 나타낸 바와 같이, 이러한 색상은 바람직하지 않게 청색 대신 황색이다.
따라서 도 6의 4층 박막 간섭 필터(38)는 도 3의 전도성 측벽(12W)과 같은 이러한 컴포넌트들을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 하우징(12)의 스플라인을 따른 비교적 작은 코팅 두께들에서, 코팅의 색상은 지점들 P4 및 P5 사이의 곡선(72) 상의 지점들에 의해 특징지어질 수 있다. 지점들 P4 및 P5에 의해 나타낸 바와 같이, 코팅의 색상은 이러한 두께들에서 원하는 밝은 청색 색상(예를 들어, 약 -3 내지 3 사이의 a* 값, 약 -5 내지 -20 사이의 b* 값, 및 40 초과, 50 초과, 45 초과 등의 L* 값과 같은 비교적 높은 L*를 가짐)으로 유지된다. 이러한 방식으로, 도 5의 2층 박막 간섭 필터 코팅은 디바이스(10) 내의 일부 전도성 구조물들, 예컨대 버튼들, 후면 카메라 주위로 이어지는 착색된 트림, SIM 카드 트레이들 등을 코팅하는 데 사용될 수 있지만, 도 6의 4층 박막 간섭 필터 코팅은 디바이스(10) 내의 다른 전도성 구조물들, 예컨대 디바이스(10) 내의 전도성 측벽(12W) 및 전도성 나사들을 코팅하는 데 사용될 수 있다. 이는 컴포넌트들 각각이 컴포넌트들 사이에 높은 정도의 색상 유사성을 갖는 동일한 원하는 색상(예를 들어, 밝은 청색 색상)을 나타내게 허용할 수 있다.
도 5의 코팅 및 도 6의 코팅 둘 모두는 시야각의 함수로서 비교적 균일한 색 응답을 나타낸다. 도 8의 곡선들(76)은 시야각(입사각)의 함수로서 도 5의 2층 박막 간섭 필터 코팅의 L*, a*, 및 b* 값들을 플롯팅한다. 도 8의 곡선들(78)은 시야각(입사각)의 함수로서 도 6의 4층 박막 간섭 필터 코팅의 L*, a*, 및 b* 값들을 플롯팅한다. 곡선들(76, 78)에 의해 나타낸 바와 같이, 코팅들 둘 모두는 (예를 들어, 0 내지 3의 L*, a*, 및 b* 값들 내에서) 대략 동일한 색상을 나타내고, 시야각의 함수로서 색상의 동일한 시프트들을 나타낸다. 이는 사용자가 상이한 각도들로부터 디바이스를 볼 때 디바이스(10) 내의 코팅된 전도성 구조물들 모두가 대략 동일한 색상으로 보이게 허용하며, 그에 의해, 광범위한 동작 조건들에 걸쳐 사용자에 대해 매력적인 미적 외관을 갖는 디바이스(10)를 제공할 수 있다. 도 7 및 도 8의 예들은 단지 예시적인 것이다. 곡선들(72, 74, 76, 78)은 다른 형상들을 가질 수 있다. 원하는 경우, 도 6의 층(58) 및/또는 층(62)은 또한 Si 원자들을 포함할 수 있다(예를 들어, 층들(58 및/또는 62)은 SiCrN 층들일 수 있다). 이러한 예들에서, 각각의 층 내의 원소들의 원자 백분율들은 도 6의 층들(58 내지 64) 중 2개 이상의 층들 사이에서 변경될 수 있다(예를 들어, 층들(60 또는 64)에서보다 층들(58, 62)에 더 적은(또는 더 많은) Si가 있을 수 있는 등이다).
일 실시예에 따르면, 장치가 제공되며, 그 장치는, 전도성 기판 및 전도성 기판 상에 있고 색상을 갖는 코팅을 포함하고, 코팅은 접착 및 전이 층들 및 접착 및 전이 층들 상의 박막 간섭 필터를 포함하고, 박막 간섭 필터는 SiCrN 층 및 CrN 층을 포함하고, CrN 층은 박막 간섭 필터의 최상부 층이고, SiCrN 층은 박막 간섭 필터의 최하부 층이다.
다른 실시예에 따르면, CrN 층은 SiCrN 층과 접촉한다.
다른 실시예에 따르면, 박막 간섭 필터는 0.05 내지 0.15 마이크로미터의 두께를 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 최대 두께의 위치에서, 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 60 초과의 L* 값, L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 45% 초과 및 60% 미만이고, SiCrN 층 내의 Si 원자들의 원자 백분율은 15% 초과 및 25% 미만이다.
다른 실시예에 따르면, CrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 55% 초과 및 70% 미만이다.
다른 실시예에 따르면, 최대 두께의 위치에서, 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 65 초과의 L* 값, L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 전도성 구조물은 전도성 버튼 부재 및 가입자 아이덴티티 모듈(SIM) 카드 트레이로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전도성 구조물을 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 박막 간섭 필터는 SiCrN 층과 접촉하는 부가적인 CrN 층 및 CrN 층과 접촉하고 부가적인 CrN 층과 접촉하는 부가적인 SiCrN 층을 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 최대 두께의 위치에서, 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 65 초과의 L* 값, L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 전도성 구조물은 전도성 전자 디바이스 하우징 측벽을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 장치가 제공되며, 그 장치는 전도성 기판 및 전도성 기판 상에 있고 색상을 갖는 코팅을 포함하고, 코팅은 접착 및 전이 층들 및 접착 및 전이 층들 상의 4층 박막 간섭 필터를 포함하고, 4층 박막 간섭 필터는, 제1 SiCrN 층, 제1 SiCrN 층과 접촉하는 제1 CrN 층, 제1 CrN 층과 접촉하는 제2 SiCrN 층, 및 제2 SiCrN 층과 접촉하는 제2 CrN 층을 갖고, 제1 SiCrN 층은 4층 박막 간섭 필터의 최하부 층이다.
다른 실시예에 따르면, 코팅은 전도성 기판 상의 제1 위치에서 제1 두께 및 전도성 기판 상의 제2 위치에서 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 전도성 기판 상의 제1 위치에서, 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 65 초과의 L* 값, L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 제1 SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 40% 초과이고, 제1 SiCrN 층 내의 Si 원자들의 원자 백분율은 20% 미만이고, 제1 SiCrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율은 40% 미만이고, 제2 SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 제1 SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율보다 작고, 제2 SiCrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율은 제1 SiCrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율보다 크고, 제1 CrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 제2 SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율보다 크며, 제2 CrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율은 제2 SiCrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율보다 작다.
다른 실시예에 따르면, 전도성 기판 상의 제2 위치에서, 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 45 초과의 부가적인 L* 값, L*a*b* 색 공간에서 -3 내지 3의 부가적인 a* 값, 및 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 -20의 부가적인 b* 값을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 전도성 구조물은 전도성 전자 디바이스 하우징 측벽을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 전자 디바이스가 제공되며, 그 전자 디바이스는, 전도성 측벽, 전도성 측벽에 장착된 디스플레이 커버 층을 갖는 디스플레이, 전도성 구조물, 전도성 구조물 상의 제1 코팅 - 제1 코팅은 제1 접착 및 전이 층들, 및 제1 접착 및 전이 층들 상의 2층 박막 간섭 필터를 포함하고, 2층 박막 간섭 필터는 최하부 SiCrN 층 및 최상부 CrN 층을 포함함 -, 및 전도성 측벽 상의 제2 코팅 - 제2 코팅은 제2 접착 및 전이 층들, 및 제2 접착 및 전이 층들 상의 4층 박막 간섭 필터를 포함하고, 4층 박막 간섭 필터는 제2 접착 및 전이 층들 상의 제1 SiCrN 층, 제1 SiCrN 층 상의 제1 CrN 층, 제1 CrN 층 상의 제2 SiCrN 층, 및 제2 SiCrN 층 상의 제2 CrN 층을 포함함 - 을 포함한다.
다른 실시예에 따르면, 전자 디바이스는 전면 및 대향하는 후면을 갖고, 디스플레이 커버 층은 전자 디바이스의 전면에서 전도성 측벽에 장착되고, 제2 코팅은 전도성 측벽 상의 제1 위치에서 최대 두께를 갖고, 제2 코팅은 전도성 측벽 상의 제2 위치에서 감소된 두께를 갖고, 감소된 두께는 최대 두께보다 작고, 제2 위치는 전자 디바이스의 전면에 있고, 제1 위치에서, 제2 코팅은 45 초과인 L*a*b* 색 공간 내의 제1 L* 값, 3 미만인 L*a*b* 색 공간 내의 제1 a* 값, 및 -5 미만인 L*a*b* 색 공간 내의 제1 b* 값을 가지며, 제2 위치에서, 제2 코팅은 45 초과인 L*a*b* 색 공간 내의 제2 L* 값, 3 미만인 L*a*b* 색 공간 내의 제2 a* 값, 및 -5 미만인 L*a*b* 색 공간 내의 제2 b* 값을 갖는다.
다른 실시예에 따르면, 전도성 구조물은 전도성 측벽 내의 개구를 통해 돌출되는 볼륨 버튼을 포함한다.
전술한 것은 단지 예시적인 것이며, 설명된 실시예들에 대해 다양한 수정들이 이루어질 수 있다. 전술한 실시예들은 개별적으로 또는 임의의 조합으로 구현될 수 있다.

Claims (20)

  1. 장치로서,
    전도성 기판; 및
    상기 전도성 기판 상에 있고 색상을 갖는 코팅을 포함하며,
    상기 코팅은,
    접착 및 전이 층들, 및
    상기 접착 및 전이 층들 상의 박막 간섭 필터를 포함하고, 상기 박막 간섭 필터는 SiCrN 층 및 CrN 층을 포함하고, 상기 CrN 층은 상기 박막 간섭 필터의 최상부 층이고, 상기 SiCrN 층은 상기 박막 간섭 필터의 최하부 층인, 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 CrN 층은 상기 SiCrN 층과 접촉하는, 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 박막 간섭 필터는 0.05 내지 0.15 마이크로미터의 두께를 갖는, 장치.
  4. 제2항에 있어서, 최대 두께의 위치에서, 상기 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 60 초과의 L* 값, 상기 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 상기 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는, 장치.
  5. 제2항에 있어서, 상기 SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 45% 초과 및 60% 미만이고, 상기 SiCrN 층 내의 Si 원자들의 원자 백분율은 15% 초과 및 25% 미만인, 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 CrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 55% 초과 및 70% 미만인, 장치.
  7. 제6항에 있어서, 최대 두께의 위치에서, 상기 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 65 초과의 L* 값, 상기 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 상기 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는, 장치.
  8. 제2항에 있어서, 상기 전도성 기판은 전도성 버튼 부재 및 가입자 아이덴티티 모듈(SIM) 카드 트레이로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전도성 구조물을 포함하는, 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 박막 간섭 필터는,
    상기 SiCrN 층과 접촉하는 부가적인 CrN 층; 및
    상기 CrN 층과 접촉하고 상기 부가적인 CrN 층과 접촉하는 부가적인 SiCrN 층을 포함하는, 장치.
  10. 제9항에 있어서, 최대 두께의 위치에서, 상기 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 65 초과의 L* 값, 상기 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 상기 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는, 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 전도성 기판은 전도성 전자 디바이스 하우징 측벽을 포함하는, 장치.
  12. 장치로서,
    전도성 기판; 및
    상기 전도성 기판 상에 있고 색상을 갖는 코팅을 포함하며,
    상기 코팅은,
    접착 및 전이 층들, 및
    상기 접착 및 전이 층들 상의 4층 박막 간섭 필터를 포함하고,
    상기 4층 박막 간섭 필터는, 제1 SiCrN 층, 상기 제1 SiCrN 층과 접촉하는 제1 CrN 층, 상기 제1 CrN 층과 접촉하는 제2 SiCrN 층, 및 상기 제2 SiCrN 층과 접촉하는 제2 CrN 층을 갖고, 상기 제1 SiCrN 층은 상기 4층 박막 간섭 필터의 최하부 층인, 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 코팅은 상기 전도성 기판 상의 제1 위치에서 제1 두께 및 상기 전도성 기판 상의 제2 위치에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 갖는, 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전도성 기판 상의 상기 제1 위치에서, 상기 코팅은 L*a*b* 색 공간에서 65 초과의 L* 값, 상기 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 0의 a* 값, 및 상기 L*a*b* 색 공간에서 -10 내지 -20의 b* 값을 갖는, 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 40% 초과이고, 상기 제1 SiCrN 층 내의 Si 원자들의 원자 백분율은 20% 미만이고, 상기 제1 SiCrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율은 40% 미만이고, 상기 제2 SiCrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 상기 제1 SiCrN 층 내의 상기 Cr 원자들의 원자 백분율보다 작고, 상기 제2 SiCrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율은 상기 제1 SiCrN 층 내의 상기 N 원자들의 원자 백분율보다 크고, 상기 제1 CrN 층 내의 Cr 원자들의 원자 백분율은 상기 제2 SiCrN 층 내의 상기 Cr 원자들의 원자 백분율보다 크며, 상기 제2 CrN 층 내의 N 원자들의 원자 백분율은 상기 제2 SiCrN 층 내의 상기 N 원자들의 원자 백분율보다 작은, 장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 전도성 기판 상의 상기 제2 위치에서, 상기 코팅은 상기 L*a*b* 색 공간에서 45 초과의 부가적인 L* 값, 상기 L*a*b* 색 공간에서 -3 내지 3의 부가적인 a* 값, 및 상기 L*a*b* 색 공간에서 -5 내지 -20의 부가적인 b* 값을 갖는, 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 전도성 기판은 전도성 전자 디바이스 하우징 측벽을 포함하는, 장치.
  18. 전자 디바이스로서,
    전도성 측벽;
    상기 전도성 측벽에 장착된 디스플레이 커버 층을 갖는 디스플레이;
    전도성 구조물;
    상기 전도성 구조물 상의 제1 코팅 - 상기 제1 코팅은,
    제1 접착 및 전이 층들, 및
    상기 제1 접착 및 전이 층들 상의 2층 박막 간섭 필터를 포함하고, 상기 2층 박막 간섭 필터는 최하부 SiCrN 층 및 최상부 CrN 층을 포함함 -; 및
    상기 전도성 측벽 상의 제2 코팅 - 상기 제2 코팅은,
    제2 접착 및 전이 층들, 및
    상기 제2 접착 및 전이 층들 상의 4층 박막 간섭 필터를 포함하고, 상기 4층 박막 간섭 필터는 상기 제2 접착 및 전이 층들 상의 제1 SiCrN 층, 상기 제1 SiCrN 층 상의 제1 CrN 층, 상기 제1 CrN 층 상의 제2 SiCrN 층, 및 상기 제2 SiCrN 층 상의 제2 CrN 층을 포함함 - 을 포함하는, 전자 디바이스.
  19. 제18항에 있어서, 상기 전자 디바이스는 전면 및 대향하는 후면을 갖고, 상기 디스플레이 커버 층은 상기 전자 디바이스의 상기 전면에서 상기 전도성 측벽에 장착되고, 상기 제2 코팅은 상기 전도성 측벽 상의 제1 위치에서 최대 두께를 갖고, 상기 제2 코팅은 상기 전도성 측벽 상의 제2 위치에서 감소된 두께를 갖고, 상기 감소된 두께는 상기 최대 두께보다 작고, 상기 제2 위치는 상기 전자 디바이스의 상기 전면에 있고, 상기 제1 위치에서, 제2 코팅은 45 초과인 L*a*b* 색 공간 내의 제1 L* 값, 3 미만인 상기 L*a*b* 색 공간 내의 제1 a* 값, 및 -5 미만인 상기 L*a*b* 색 공간 내의 제1 b* 값을 가지며, 상기 제2 위치에서, 상기 제2 코팅은 45 초과인 상기 L*a*b* 색 공간 내의 제2 L* 값, 3 미만인 상기 L*a*b* 색 공간 내의 제2 a* 값, 및 -5 미만인 상기 L*a*b* 색 공간 내의 제2 b* 값을 갖는, 전자 디바이스.
  20. 제19항에 있어서, 상기 전도성 구조물은 상기 전도성 측벽 내의 개구를 통해 돌출되는 볼륨 버튼을 포함하는, 전자 디바이스.
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