CN116540344A - 具有多层干涉膜的电子设备涂覆物 - Google Patents

Abstract

本公开涉及具有多层干涉膜的电子设备涂覆物。电子设备可设置有导电结构，诸如导电外壳结构。可见光反射涂覆物可形成于该导电结构上。该涂覆物可以具有粘附和过渡层，以及在该粘附和过渡层上的多层薄膜干涉过滤器。该多层薄膜干涉过滤器可以具有最上面的SiCrN层、最下面的TiN层，以及与一组SiH层交错的一组SiN层。该涂覆物可以呈现橙色、黄色或红色，即使当下面的导电结构具有三维形状时，该颜色在不同视角下，也具有相对均匀的视觉响应。

Description

具有多层干涉膜的电子设备涂覆物

本申请要求2023年1月19日提交的美国专利申请第18/156,905号和2022年2月1日提交的美国临时专利申请第63/305,533号的优先权，这些专利申请据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本公开整体涉及用于电子设备结构的涂覆物，并且更具体地，涉及用于导电电子设备结构的可见光反射涂覆物。

背景技术

诸如蜂窝电话、计算机、手表和其他设备的电子设备包含导电结构，诸如导电外壳结构。该导电结构设置有涂覆物，该涂覆物反射特定波长的光，使得导电部件呈现出期望的可见颜色。

提供诸如具有期望的色彩亮度的涂覆物之类的涂覆物可能具有挑战性。此外，如果不小心，则涂覆物可在不同的操作环境和导电结构几何形状下呈现出令人不满意的光学性能。

发明内容

一种电子设备可包括导电结构诸如导电外壳结构。可见光反射涂覆物可形成于该导电结构上。该涂覆物可以具有粘附和过渡层，以及在该粘附和过渡层上的多层薄膜干涉过滤器。该多层薄膜干涉过滤器可以具有最上面的SiCrN层、最下面的TiN层，以及与一组SiH层交错的一组SiN层。该涂覆物可以呈现橙色、黄色或红色，即使当下面的导电结构具有三维形状时，该颜色在不同视角下，也具有相对均匀的视觉响应。

本公开的一个方面提供了一种装置。该装置可包括导电衬底。该装置可包括在导电衬底上且具有颜色的涂覆物。该涂覆物可包括粘附和过渡层。该涂覆物可包括在粘附和过渡层上的薄膜干涉过滤器，其中薄膜干涉过滤器包括形成薄膜干涉过滤器的最上层的SiCrN层、形成薄膜干涉过滤器的最下层的TiN层、一组SiH层，以及与该组SiH层交错的一组SiN层。

本公开的另一个方面提供了一种装置。该装置可包括导电衬底。该装置可包括在导电衬底上且具有颜色的涂覆物。该涂覆物可包括粘附和过渡层。该涂覆物可包括在粘附和过渡层上的TiN层。该涂覆物可包括第一SiH层和第二SiH层。该涂覆物可包括第一SiN层和第二SiN层，其中第一SiH层插入在第一SiN层与第二SiN层之间，并且其中第一SiN层插入在第一SiH层与TiN层之间。该涂覆物可包括SiCrN层，其中第二SiH层插入在SiCrN层与第二SiN层之间。

本公开的又一方面提供了一种电子设备。该电子设备可包括导电结构。该电子设备可包括在导电结构上且具有颜色的涂覆物。该涂覆物可包括粘附和过渡层。该涂覆物可包括在粘附和过渡层上的包含钛和氮的第一层。该涂覆物可包括第二层，该第二层包含硅和氮。该涂覆物可包括第三层，该第三层包含硅和氢。该涂覆物可包括第四层，该第四层包含硅和氮。该涂覆物可包括第五层，该第五层包含硅和氢。该涂覆物可包括第六层，该第六层包含硅、铬和氮。

附图说明

图1是根据一些实施方案的可设置有导电结构和可见光反射涂覆物的类型的例示性电子设备的透视图。

图2是根据一些实施方案的具有可以设置有可见光反射涂覆物的导电结构的例示性电子设备的横截面侧视图。

图3是根据一些实施方案的具有多层干涉膜的例示性可见光反射涂覆物的横截面侧视图。

图4是根据一些实施方案的具有六层干涉膜的例示性可见光反射涂覆物的横截面侧视图，该干涉膜具有最上面的SiCrN层、交替的SiH层和SiN层，以及在下面的粘附和过渡层上的TiN层。

图5是根据一些实施方案的呈现出橙色色调且具有图4所示类型的三个例示性涂覆物的随波长而变化的反射率的曲线图。

图6是根据一些实施方案的a*b*颜色空间的曲线图，该曲线图示出了图4所示类型的例示性涂覆物如何在不同入射角下呈现出橙色色调。

图7是根据一些实施方案的呈现出红色或橙色色调且具有图4所示类型的四个另外例示性涂覆物的随波长而变化的反射率的曲线图。

图8包括根据一些实施方案的a*b*颜色空间的曲线图，该曲线图显示了图7所示的涂覆物如何在不同入射角下呈现出红色或橙色色调。

图9是根据一些实施方案的呈现出黄色色调且具有图4所示类型的四个另外例示性涂覆物的随波长而变化的反射率的曲线图。

图10是根据一些实施方案的a*b*颜色空间的曲线图，该曲线图示出了图9所示的涂覆物如何在不同入射角下呈现出黄色色调。

图11是根据一些实施方案的示出了穿过图4所示类型的例示性涂覆物的不同深度处的示例性组成(原子百分比)的曲线图。

具体实施方式

电子设备和其他物项可设置有导电结构。可在导电结构上形成涂覆物以反射特定波长的可见光，使得导电结构呈现出期望的颜色。可见光反射涂覆物可沉积在导电衬底上。该涂覆物可以包括衬底上的过渡和粘附层以及过渡和粘附层上的多层薄膜干涉过滤器。薄膜干涉过滤器可以是六层薄膜干涉过滤器，其具有最下面的TiN层、第一SiN层、第一SiH层、第二SiN层、第二SiH层和最上面的SiCrN层。粘附和过渡层可包含Cr、CrN或CrSiN。该涂覆物可以呈现出稳健的橙色、红色或黄色，当下面的导电结构具有三维形状时，该颜色在不同视角下，呈现出相对均匀的视觉响应。

在图1中，示出了可设置有导电结构和可见光反射涂覆物的这类例示性电子设备。图1的电子设备10可为诸如膝上型计算机的计算设备、包含嵌入式计算机的计算机监视器、平板电脑、蜂窝电话、媒体播放器、或其他手持式或便携式电子设备、诸如腕表设备(例如，带有腕带的手表)的较小设备、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户头部上的其他装备(例如，头戴式设备)，或其他可佩戴式或微型设备、电视机、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、嵌入式系统(诸如其中具有显示器的电子装备被安装在信息亭或汽车中的系统)、无线基站、家庭娱乐系统、无线扬声器设备、无线接入点、实现这些设备中的两种或更多种的功能的装备，或者其他电子装备。在图1的例示性构型中，设备10是具有大致矩形横向轮廓的便携式设备，诸如蜂窝电话或平板电脑。如果需要，可将其他构型用于设备10。图1的示例仅仅是例示性的。

在图1的示例中，设备10包括显示器，诸如显示器14。显示器14可安装在外壳(诸如外壳12)中。有时可称为壳体或箱体的外壳12可由塑料、玻璃、陶瓷、纤维复合材料、金属(例如，不锈钢、铝等)、其他合适的材料或这些材料中的任意两种或更多种的组合形成。外壳12可以利用一体式构型形成，在一体式构型中，外壳12的一部分或全部被机加工或模制成单个结构，或者可以利用多个结构(例如，内部框架结构、形成外部外壳表面的一个或多个结构等)形成。外壳12可具有金属侧壁或者由其他材料形成的侧壁。可用于形成外壳12的金属材料的示例包括不锈钢、铝、银、金、钛、金属合金或任何其他所需的导电材料。

显示器14可在设备10的前侧(正面)上形成(例如，安装在其上)。外壳12可具有与设备10的正面相对的设备10后侧(后面)上的后外壳壁。外壳12中的导电外壳侧壁可围绕设备10的周边。外壳12的后外壳壁可由导电材料和/或绝缘材料形成。

外壳12的后外壳壁和/或显示器14可跨越设备10的长度(例如，平行于图1的X轴)和宽度(例如，平行于Y轴)的一些或全部延伸。外壳12的导电侧壁可跨设备10的高度(例如，平行于Z轴)的一些或全部延伸。

显示器14可为并入导电电容性触摸传感器电极层或其他触摸传感器部件(例如，电阻性触摸传感器部件、声学触摸传感器部件、基于力的触摸传感器部件、基于光的触摸传感器部件等)的触摸屏显示器或者可为非触敏的显示器。电容触摸屏电极可由氧化铟锡焊盘或者其他透明导电结构的阵列形成。

显示器14可包括由液晶显示器(LCD)部件形成的显示器像素阵列、电泳显示器像素阵列、等离子体显示器像素阵列、有机发光二极管(OLED)显示器像素阵列、电润湿显示器像素阵列，或者基于其他显示技术的显示器像素。

显示器14可使用显示器覆盖层来保护。显示器覆盖层可由透明材料诸如玻璃、塑料、蓝宝石或其他晶态绝缘材料、陶瓷或其他透明材料形成。例如，显示器覆盖层可跨设备10的基本上全部长度和宽度延伸。

设备10可包括一个或多个按钮。按钮可由导电按钮构件形成，该导电按钮构件位于(例如，突出穿过)外壳12中的开口或显示器14中的开口内(作为示例)。按钮可以是旋转按钮、滑动按钮、通过按压可动按钮构件而致动的按钮等。

图2中示出了显示器14具有显示器覆盖层的例示性配置中的设备10的横截面侧视图。如图2所示，显示器14可具有形成像素阵列18的一个或多个显示层。在操作期间，像素阵列18在显示器14的有效区域中为用户形成图像。显示器14还可具有不含像素并且不产生图像的非有效区域(例如，沿像素阵列18的边界的区域)。图2的显示器覆盖层16与有效区域中的像素阵列18重叠并且与设备10中的电子部件重叠。

显示器覆盖层16可以由诸如玻璃、塑料、陶瓷或晶态材料(例如，蓝宝石)的透明材料形成。在本文中有时描述设备10中的显示器覆盖层和其他透明构件(例如，形成于外壳12的开口内的用于相机或者其他基于光的设备的窗口)由硬透明晶态材料(诸如蓝宝石，有时称为刚玉或晶态氧化铝)形成的例示性配置，以作为示例。由于其硬度(9莫氏硬度)的原因，蓝宝石构成了用于显示器覆盖层和窗口的令人满意的材料。然而，一般来讲，这些透明构件可由任何合适的材料形成。

显示器14的显示器覆盖层16可为平面的或曲面的，并且可具有矩形轮廓、圆形轮廓或其他形状的轮廓。如果需要，可在显示器覆盖层中形成开口。例如，可在显示器覆盖层中形成开口以容纳按钮、扬声器端口或其他部件。可在外壳12中形成开口，以形成通信或数据端口(例如，音频插孔端口、数字数据端口、用于用户身份模块(SIM)卡的端口等)，形成用于按钮的开口，或者形成音频端口(例如，用于扬声器和/或麦克风的开口)。

如果需要，设备10可耦接到带诸如带28(例如，在设备10为腕表设备的情况下)。带28可用于将设备10保持在用户的手腕上(作为示例)。带28在本文中有时可被称为腕带28。在图2的示例中，腕带28在设备10的相对侧处连接到外壳12中的附接结构30。附接结构30可包括凸耳、销、弹簧、夹具、支架和/或将外壳12配置为接收腕带28的其他附接机构。不包括带的配置也可用于设备10。

如果需要，基于光的部件诸如基于光的部件24可被安装成与外壳12中的开口20对准。开口20可为圆形的，可为矩形的，可具有椭圆形形状，可具有三角形形状，可具有带有直边缘和/或弯曲边缘的其他形状，或可具有其他合适的形状(当从上面观察时的轮廓)。窗口构件26可安装在外壳12的窗口开口20中，使得窗口构件26与部件18重叠。衬垫、垫圈、粘合剂、螺钉或其他紧固机构可用于将窗口构件26附接到外壳12。窗口构件26的表面22可与外壳12的外表面23齐平，可凹进外表面23下方，或可如图3所示突出于外表面23(例如，表面22可位于沿-Z方向远离表面23突出的平面中)。换句话讲，窗口构件26可安装到外壳12的突出部分。表面23可例如形成外壳12的背面。

设备10中的导电结构可设置有可见光反射涂覆物，该可见光反射涂覆物反射某些波长的光，使得导电结构呈现出期望的美学外观(例如，期望的颜色、反射率等)。设备10中的导电结构可包括例如外壳12的导电部分(例如，设备10的导电侧壁、设备10的导电后壁、外壳12的用于安装窗口构件26的突出部分等)、附接结构30、腕带28的导电部分、导电网孔、导电部件32和/或设备10上的任何其他期望的导电结构。导电部件32可包括内部部件(例如，内部外壳构件、导电框架、导电底座、导电支撑板、导电支架、导电夹具、导电弹簧、输入-输出部件或设备等)、位于设备10的内部和外部的部件(例如，导电SIM卡托或SIM卡端口、数据端口、麦克风端口、扬声器端口、用于振铃器按钮、电源按钮、音量按钮或其他按钮的导电按钮构件等)、或安装在设备10的外部处的部件(例如，带28的导电部分，诸如用于带28的扣钩)、和/或设备10上的任何其他期望的导电结构。

图3是具有多层薄膜干涉过滤器的可见光反射涂覆物的横截面图，该涂覆物可设置在设备10中的导电结构(例如，图1和图2的外壳12的部分、图2的导电部件32等)上。如图3所示，可见光反射涂覆物36可形成于导电衬底上，诸如衬底34。本文有时将可见光反射涂覆物36简称为涂覆物36。衬底34可以是设备10中的导电结构，诸如外壳12(图1和图2)的导电部分或导电部件32(图2)。衬底34可以比涂覆物36厚。衬底34的厚度可为0.1mm至5mm，大于0.3mm，大于0.5mm，在5mm和20mm之间，小于5mm，小于2mm，小于1.5mm或者小于1mm(作为示例)。衬底34可包含不锈钢、铝、钛或其他金属或合金。在其他合适的布置中，衬底34可为绝缘衬底，诸如陶瓷衬底、玻璃衬底或由其他材料形成的衬底。

涂覆物36可包括在衬底34上的粘附和过渡层40，以及在粘附和过渡层40上的多层薄膜干涉过滤器，诸如薄膜干涉过滤器38。如果需要，可以在薄膜干涉过滤器38上层叠一个可选的疏油涂覆物。在这些示例中，可以调节如本文所述的涂覆物的各层厚度，使得在存在疏油涂覆物和任何粘附层(诸如，用于粘附到疏油涂覆物上的SiO2层)的情况下，涂该层会产生相同的目标颜色响应。薄膜干涉过滤器38可以例如具有直接接触粘附和过渡层40的第一横向表面，并且可以具有与第一横向表面相对的第二横向表面。薄膜干涉过滤器38可包括堆叠在粘附和过渡层40上的多个层。在本文作为示例而述的一种合适布置中，薄膜干涉过滤器38可包括六层。这仅仅是例示性的，并且如果需要，薄膜干涉过滤器38可包括其他数量的层(例如，三层、五层、四层、两层、多于六层等)。

涂覆物36的各层可以使用任何合适的沉积技术沉积在衬底34上。可以用于在涂覆物36中沉积层的技术的示例包括物理气相沉积(例如，蒸发和/或溅射)、阴极电弧沉积、化学气相沉积、离子电镀、激光烧蚀等。例如，涂覆物36可以在具有沉积装备(例如，阴极)的沉积系统中沉积在衬底34上。当沉积装备(例如，阴极)沉积涂覆物36的层时，衬底34可以在沉积系统内移动(例如，旋转)。如果需要，衬底34可在沉积期间相对于与沉积装备(例如，阴极)有关的速度和/或取向动态地移动/旋转。这有助于使涂覆物36在其整个区域具有尽可能均匀的厚度，即使在衬底34具有三维形状的情况下也是如此。

薄膜干涉过滤器38可以由诸如具有不同折射率值的无机介电层的材料叠层形成。薄膜干涉滤光层可以具有较高的折射率值(有时被称为“高”折射率值)和较低的折射率值(有时被称为“低”折射率值)。如果需要，高折射率层可以与低折射率层交错。入射光可以透射通过薄膜干涉过滤器38中各层中的每一层，同时也从各层中的每一层之间的界面反射，以及在薄膜干涉过滤器与粘附和过渡层40之间的界面处和薄膜干涉过滤器与空气之间的界面处反射。通过控制薄膜干涉过滤器38中的每一层的厚度和折射率(例如，组成)，在每个界面处反射的光可以在选定的一组波长处相消和/或相长干涉，使得从薄膜干涉过滤器38传出的反射光在对应的视角范围(入射角，例如，相对于导电结构的法线轴从0度到60度)内，以期望的颜色和亮度被观察者感知，同时即使当沉积在具有三维(例如，弯曲)形状的下面衬底34之上时，也在涂覆物的横向区域上，呈现出相对不变的响应。

图4是示出了用于涂覆物36的一种示例性组成的横截面侧视图。如图4所示，涂覆物36可层叠在衬底34上。粘附和过渡层40可包括晶种(粘附)层(诸如在衬底34上的晶种层52)和一个或多个过渡层(诸如在晶种层52上的过渡层50)。晶种层52可以将衬底34耦接到过渡层50。在图4的示例中，晶种层52由铬(Cr)形成，并且过渡层50由氮化铬(CrN)或氮化硅铬(CrSiN)形成。这仅是例示性的。如果需要，晶种层52和/或过渡层50可包含铬硅(CrSi)、钛(Ti)、氮化铬硅(CrSiN)、碳氮化铬硅(CrSiCN)、碳化铬硅(CrSiC)、碳氮化铬(CrCN)、其他金属、金属合金和/或其他材料。如果需要，涂覆物36可包括多个堆叠过渡层50。

晶种层52可具有厚度96。厚度96可以是例如10微米-20微米、8微米-25微米、5微米-30微米、12微米-18微米、5微米-20微米、1微米-40微米、12微米、15微米、18微米或其他厚度。过渡层50可具有厚度94。厚度94可以是0.9微米-1.3微米、0.8微米-1.2微米、0.8微米-1.4微米、0.5微米-1.5微米、1微米、1.1微米、1.2微米、0.8微米、0.5微米-1.2微米、0.9微米或其他厚度。在过渡层50包含CrSiN的示例中(例如，当过渡层50为CrSiN层时)，可选择过渡层50的组成，使得过渡层50中的铬(Cr)原子的原子百分比(％)在60％-70％、50％-75％、58％-68％、60％-66％、55％-70％之间，大于65％，大于60％，大于55％，大于50％，小于70％，小于75％，小于80％，或为其他值。可选择过渡层50的组成，使得过渡层50中的硅(Si)原子的原子百分比在20％-30％、15％-35％、10％-40％、22％-28％、21％-29％、20％-28％、18％-38％、24％-26％之间，大于22％，大于20％，大于15％，小于28％，小于30％，小于35％，或为其他值。可选择过渡层50的组成，使得过渡层50中的氮(N)原子的原子百分比在10％-20％、12％-18％、5％-25％、10％-15％、2％-30％之间，大于15％，大于12％，大于10％，大于5％，小于20％，小于25％，或为其他值。例如，过渡层50和晶种层52可共同呈现出L*值70-80、a*值约0以及b*值在0和10之间的颜色。

在图4的示例中，薄膜干涉过滤器38具有六层(例如，层80、78、76、74、72和70)。薄膜干涉过滤器38有时也可称为五层薄膜干涉层，其中薄膜干涉过滤器的最下层形成不透明着色层，该不透明着色层促成薄膜干涉过滤器的颜色响应。

如图4所示，薄膜干涉过滤器38可包括层叠在过渡层50(例如，在涂覆物36包括多个过渡层的示例中的过渡层的最上层)上的最下层(底层)80(或用于薄膜干涉层的不透明着色层)。层80可具有厚度92。薄膜干涉过滤器38可包括层叠在层80上的第二最下层78。层80可具有厚度90。薄膜干涉过滤器38可包括层叠在层78上的第三最下层76。层76可具有厚度88。薄膜干涉过滤器38可包括层叠在层76上的第三最上层74。层74可具有厚度86。薄膜干涉过滤器38可包括层叠在层74上的第二最上层72。层72可具有厚度84。薄膜干涉过滤器38也可包括层叠在层72上的最上层70。层70可具有厚度82。

层70可包含硅铬氮化物(SiCrN)，并且因此有时在本文中可称为SiCrN层70。层72可包含硅烷(SiH)，并且因此有时在本文中可称为SiH层72。层74可包含氮化硅(SiN)，因此在本文中有时称为SiN层74。层76可包含SiH，并且因此有时在本文中可称为SiH层76。层78可包含SiN，并且因此有时在本文中可称为SiN层78。层80可保护氮化钛(TiN)，并且因此有时在本文中可称为TiN层80。换句话说，薄膜干涉过滤器38可包括最上面的SiCrN层70、最下面的TiN层80、和一组交替的SiH层(例如，一组一个或多个SiH层，诸如一组两个SiH层72和76)，以及与该组交替的SiH层交错的一组交替SiN层(例如，一组一个或多个SiN层，诸如一组两个SiN层74和78)。图4的示例仅仅是例示性的。薄膜干涉过滤器38的各层可以按其他顺序进行设置，该组交替的SiH层可包括任何期望数量的SiH层，该组交替的SiN层可包括任何期望数量的SiN层，以及/或者薄膜干涉过滤器38的各层中的任一层可具有其他组成。

在第一具体实施中，可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出橙色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为20nm-50nm、30nm-40nm、35nm-40nm、30nm-45nm、25nm-45nm、36nm-38nm、25nm-40nm、30nm-39nm、37nm、38nm、39nm、34nm、30nm-45nm、小于45nm、小于40nm、或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为30nm-80nm、40nm-60nm、45nm-50nm、45nm-55nm、35nm-60nm、42nm-54nm、46nm-56nm、49nm、48nm、50nm、52nm、大于45nm、大于40nm、小于55nm、小于50nm、或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为10nm-120nm、10nm-20nm、15nm-25nm、5nm-30nm、14nm-19nm、10nm-25nm、16nm、15nm、18nm、22nm或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为30nm-70nm、50nm-60nm、55nm-60nm、50nm-65nm、53nm-61nm、57nm、58nm、52nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为10nm-40nm、10nm-30nm、15nm-28nm、18nm-23nm、5nm-50nm、20nm、25nm、15nm、19nm、大于15nm、大于10nm、小于25nm、小于30nm、或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度92选为30nm-80nm、30nm-50nm、30nm-40nm、30nm-45nm、25nm-45nm、24nm-50nm、35nm-40nm、35nm-39nm、38nm、35nm、39nm、41nm、大于35nm、大于30nm、小于40nm、小于50nm、或其他厚度。在另一合适的布置中，TiN层80的厚度92可相对较大，诸如大于50nm、大于100nm或大于200nm。例如，以这种方式增加TiN层80的厚度可将TiN层80配置为至少部分地不透明。在第一具体实施中，过渡层50可包含CrSiN并且厚度可以是500nm-1500nm、100nm-2000nm、800nm-1200nm、500nm-1100nm、950nm-1190nm、1000nm、800nm-1300nm、950nm、大于800nm、大于500nm、大于100nm、小于1100nm、小于1500nm、小于2000nm、或其他厚度。

图5是图5的涂覆物36的不同构造的颜色响应的曲线图。图5的曲线104绘出了第一具体实施中的涂覆物36的颜色响应(例如，随波长而变化的反射率％)。如曲线104所示，根据第一具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中较长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的橙色。

此外，根据第一具体实施来构造涂覆物36可以为涂覆物提供在不同视角下的相对稳定的颜色响应。图6的曲线106示出了涂覆物36的颜色(在a*b*颜色空间中)如何相对于与涂覆物侧表面垂直的轴线，在从零度到60度的不同视角(入射角)下发生变化。如曲线106所示，改变视角使涂覆物36的颜色发生较小变化，从而允许涂覆物保持稳定的橙色外观，而不管观察者如何观察该涂覆物。

在第二具体实施中，涂覆物36设置有与第一具体实施相同的各层组成和厚度，但是图4的过渡层50是CrN层而非CrSiN层。回到图5，图5的曲线102绘出了第二具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线102所示，根据第二具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中较长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的橙色。

作为示例，在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第一具体实施和第二具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下L*值：在50-65、55-60、55-65、57-60之间，小于60，小于65，大于55，大于50，或其他L*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第一具体实施和第二具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下a*值：在30-40、30-35、30-37、28-38之间，小于35，小于40，大于30，大于25，大于20，或其他a*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第一具体实施和第二具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下b*值：在50-60、45-55、50-55、51-54之间，小于55，小于60，大于50，大于45，大于40，或其他b*值。

在第三具体实施中，图4的过渡层50包含CrSiN，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出橙色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为大于第一具体实施和第二具体实施中的SiCrN层70的厚度：40nm-50nm、38nm-45nm、35nm-48nm、30nm-40nm、39nm-44nm、大于40nm、大于35nm、小于45nm、小于40nm、45nm、42nm、41nm、35nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为小于第一具体实施和第二具体实施中的SiH层72的厚度：30nm-40nm、25nm-45nm、30nm-42nm、31nm-38nm、大于30nm、大于25nm、小于40nm、小于45nm、38nm、31nm、35nm、29nm或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为大于第一具体实施和第二具体实施中的SiN层74的厚度：100nm-120nm、90nm-125nm、80nm-110nm、100nm-110nm、95nm-118nm、大于100nm、大于90nm、大于80nm、小于110nm、小于120nm、小于130nm、110nm、106nm、101nm、98nm、105nm、或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为小于第一具体实施和第二具体实施中的SiH层76的厚度：30nm-40nm、25nm-45nm、25nm-40nm、30nm-35nm、29nm-36nm、大于30nm、大于25nm、小于35nm、小于40nm、30nm、33nm、36nm、29nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为大于第一具体实施和第二具体实施中的SiN层78的厚度：35nm-45nm、30nm-40nm、30nm-50nm、35nm-44nm、大于30nm、大于35nm、小于40nm、小于50nm、39nm、38nm、32nm、44nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为大于第一具体实施和第二具体实施中的层80的厚度：60nm-70nm、55nm-70nm、55nm-75nm、60nm-65nm、62nm-67nm、大于60nm、大于55nm、大于50nm、小于70nm、小于80nm、68nm、66nm、64nm、60nm或其他厚度。

回到图5，图5的曲线100绘出了第三具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线100所示，根据第三具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中较长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的橙色。例如，第三具体实施可以为该涂覆物提供比第一具体实施和第二具体实施稍微更红的外观。

在第四具体实施中，图4的过渡层50包含CrN，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出红色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为30nm-50nm、35nm-45nm、36nm-54nm、30nm-41nm、大于30nm、大于25nm、小于45nm、小于50nm、43nm、40nm、35nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为50nm-55nm、45nm-60nm、40nm-60nm、51nm-55nm、42nm-48nm、55nm、53nm、49nm、大于50nm、大于40nm、小于60nm、或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为10nm-20nm、10nm-25nm、15nm-25nm、10nm-30nm、5nm-30nm、大于15nm、大于10nm、小于20nm、小于25nm、21nm、14nm、17nm、19nm或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为60nm-65nm、60nm-70nm、55nm-70nm、58nm-66nm、60nm、62nm、66nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为20nm-30nm、15nm-30nm、20nm-25nm、17nm-23nm、22nm、25nm、16nm、18nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为35nm-45nm、30nm-50nm、40nm-45nm、33nm-42nm、41nm、45nm、37nm或其他厚度。

图7的曲线114绘出了第四具体实施中的涂覆物36的颜色响应(随波长而变化的反射率％)。如曲线114所示，根据第四具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中较长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的红色。

此外，根据第四具体实施来构造涂覆物36可以为涂覆物提供在不同视角下的相对稳定的颜色响应。图8的曲线116示出了涂覆物36的颜色(在a*b*颜色空间中)如何相对于与涂覆物侧表面垂直的轴线，在从零度到60度的不同视角(入射角)下发生变化。如曲线116所示，改变视角使涂覆物36的颜色发生较小变化，从而允许涂覆物保持稳定的红色外观，而不管观察者如何观察该涂覆物。

作为示例，在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第四具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下L*值：在30-50、35-45、25-42、38-42之间，小于45，小于50，大于35，大于30，或其他L*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第四具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下a*值：在40-42、35-45、30-50之间，小于42，小于45，大于40，大于35，或其他a*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第四具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下b*值：在23-25、20-25、20-30之间，小于25，小于30，大于20，大于15，或其他b*值。

在第五具体实施中，图4的过渡层50包含CrN并且包括薄膜干涉过滤器38的各层，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出橙红色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为30nm-50nm、35nm-45nm、36nm-54nm、30nm-41nm、大于30nm、大于25nm、小于45nm、小于50nm、38nm、41nm、35nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为45nm-55nm、45nm-60nm、40nm-60nm、41nm-55nm、42nm-58nm、55nm、50nm、44nm或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为10nm-20nm、10nm-25nm、15nm-25nm、10nm-30nm、5nm-30nm、大于15nm、大于10nm、小于20nm、小于25nm、21nm、12nm、17nm、16nm或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为55nm-65nm、50nm-70nm、55nm-70nm、58nm-66nm、60nm、59nm、50nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为20nm-30nm、15nm-30nm、20nm-25nm、17nm-23nm、21nm、26nm、15nm、19nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为35nm-45nm、30nm-50nm、40nm-45nm、33nm-42nm、39nm、45nm、37nm或其他厚度。

图7的曲线112绘出了第五具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线112所示，根据第五具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中较长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的橙红色。

此外，根据第五具体实施来构造涂覆物36可以为涂覆物提供在不同视角下的相对稳定的颜色响应。图8的曲线118示出了涂覆物36的颜色(在a*b*颜色空间中)如何相对于与涂覆物侧表面垂直的轴线，在从零度到60度的不同视角(入射角)下发生变化。如曲线118所示，改变视角使涂覆物36的颜色发生较小变化，从而允许涂覆物保持稳定的橙红色外观，而不管观察者如何观察该涂覆物。

作为示例，在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第五具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下L*值：在50-52、45-55、45-52、48-58之间，小于52，小于55，大于50，大于45，或其他L*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第五具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下a*值：在39-41、35-45、30-50之间，小于41，小于45，大于40，大于35，或其他a*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第五具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下b*值：在44-47、40-50、42-50之间，小于46，小于50，大于40，大于45，或其他b*值。

在第六具体实施中，图4的过渡层50包含CrN并且包括薄膜干涉过滤器38的各层，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出橙色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为30nm-50nm、25nm-45nm、36nm-54nm、30nm-41nm、大于30nm、大于25nm、小于45nm、小于50nm、36nm、41nm、39nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为45nm-55nm、45nm-60nm、40nm-60nm、41nm-55nm、42nm-58nm、55nm、48nm、43nm或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为10nm-20nm、10nm-25nm、15nm-25nm、10nm-30nm、5nm-30nm、大于10nm、小于20nm、小于25nm、15nm、22nm、17nm或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为55nm-65nm、50nm-70nm、55nm-70nm、48nm-66nm、50nm、56nm、57nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为20nm-30nm、15nm-30nm、10nm-25nm、17nm-23nm、21nm、22nm、16nm、20nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为35nm-45nm、30nm-50nm、40nm-45nm、33nm-42nm、37nm、45nm、39nm或其他厚度。

图7的曲线110绘出了第六具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线112所示，根据第五具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中较长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的橙色。

此外，根据第六具体实施来构造涂覆物36可以为涂覆物提供在不同视角下的相对稳定的颜色响应。图8的曲线120示出了涂覆物36的颜色(在a*b*颜色空间中)如何相对于与涂覆物侧表面垂直的轴线，在从零度到60度的不同视角(入射角)下发生变化。如曲线120所示，改变视角使涂覆物36的颜色发生较小变化，从而允许涂覆物保持稳定的橙色外观，而不管观察者如何观察该涂覆物。

作为示例，在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第六具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下L*值：在61-64、60-65、55-70之间，小于64，小于65，大于60，大于55，或其他L*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第六具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下a*值：在30-33、30-35、28-38之间，小于32，小于35，大于30，大于25，或其他a*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第六具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下b*值：在64-66、60-70、62-71之间，小于66，小于70，大于65，大于60，或其他b*值。

在第七具体实施中，图4的过渡层50包含CrN并且包括薄膜干涉过滤器38的各层，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出浅橙色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为30nm-50nm、25nm-45nm、26nm-54nm、30nm-41nm、大于30nm、大于25nm、小于45nm、小于50nm、34nm、36nm、29nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为45nm-55nm、40nm-60nm、30nm-60nm、41nm-55nm、42nm-58nm、45nm、48nm、53nm或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为10nm-20nm、10nm-25nm、5nm-25nm、10nm-30nm、5nm-30nm、大于10nm、小于20nm、小于25nm、14nm、12nm、17nm或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为50nm-65nm、50nm-70nm、45nm-70nm、48nm-66nm、53nm、56nm、47nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为15nm-30nm、10nm-30nm、10nm-25nm、17nm-23nm、19nm、22nm、16nm、15nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为35nm-45nm、30nm-50nm、20nm-45nm、33nm-42nm、37nm、41nm、35nm或其他厚度。

图7的曲线108绘出了第六具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线108所示，根据第五具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中较长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的浅橙色。

此外，根据第七具体实施来构造涂覆物36可以为涂覆物提供在不同视角下的相对稳定的颜色响应。图8的曲线122示出了涂覆物36的颜色(在a*b*颜色空间中)如何相对于与涂覆物侧表面垂直的轴线，在从零度到60度的不同视角(入射角)下发生变化。如曲线122所示，改变视角使涂覆物36的颜色发生较小变化，从而允许涂覆物保持稳定的浅橙色外观，而不管观察者如何观察该涂覆物。

作为示例，在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第七具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下L*值：在69-72、70-65、65-73之间，小于71，小于75，大于70，大于65，或其他L*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第七具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下a*值：在20-22、18-25、15-30之间，小于21，小于25，大于20，大于15，或其他a*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第七具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下b*值：在78-80、75-81、70-85之间，小于79，小于80，大于75，大于70，或其他b*值。

在第八具体实施中，图4的过渡层50包含CrSiN并且包括薄膜干涉过滤器38的各层，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出黄色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为20nm-30nm、15nm-35nm、16nm-34nm、大于20nm、大于15nm、小于30nm、小于35nm、25nm、26nm、29nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为30nm-40nm、25nm-45nm、30nm-36nm、26nm-35nm、34nm、36nm、39nm或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为50nm-60nm、45nm-65nm、52nm-56nm、40nm-60nm、大于50nm、小于55nm、小于60nm、54nm、52nm、57nm或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为35nm-50nm、40nm-50nm、35nm-43nm、38nm-56nm、42nm、46nm、37nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为30nm-50nm、35nm-40nm、30nm-45nm、37nm-43nm、38nm、42nm、36nm、45nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为35nm-50nm、30nm-50nm、40nm-45nm、33nm-42nm、42nm、43nm、45nm或其他厚度。

图9的曲线126绘出了第八具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线126所示，根据第八具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中中长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的黄色。

此外，根据第八具体实施来构造涂覆物36可以为涂覆物提供在不同视角下的相对稳定的颜色响应。图10的曲线132示出了涂覆物36的颜色(在a*b*颜色空间中)如何相对于与涂覆物侧表面垂直的轴线，在从零度到60度的不同视角(入射角)下发生变化。如曲线132所示，改变视角使涂覆物36的颜色发生较小变化，从而允许涂覆物保持稳定的黄色外观，而不管观察者如何观察该涂覆物。

作为示例，在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第八具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下L*值：在86-89、80-90、75-95之间，小于88，小于90，大于85，大于80，或其他L*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第八具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下a*值：在0-2、0-5、0-15之间，小于2，小于10，大于0，大于1，或其他a*值。在零度的视角下，在L*a*b*颜色空间中，第八具体实施中的涂覆物36可以呈现出以下b*值：在67-70、65-72、60-75之间，小于70，小于75，大于65，大于60，大于50，或其他b*值。

在第九具体实施中，图4的过渡层50包含CrSiN并且包括薄膜干涉过滤器38的各层，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出黄色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为20nm-30nm、15nm-35nm、16nm-34nm、大于20nm、大于15nm、小于30nm、小于35nm、25nm、27nm、31nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为20nm-40nm、25nm-45nm、20nm-36nm、26nm-35nm、34nm、28nm、29nm或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为60nm-80nm、70nm-75nm、62nm-76nm、40nm-80nm、大于70nm、小于75nm、小于80nm、64nm、72nm、77nm或其他厚度。可以将SiH层76的厚度88选为35nm-50nm、40nm-50nm、35nm-43nm、38nm-56nm、42nm、47nm、38nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为40nm-60nm、50nm-55nm、45nm-60nm、37nm-53nm、48nm、51nm、56nm、45nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为65nm-70nm、60nm-80nm、50nm-75nm、63nm-72nm、62nm、73nm、68nm或其他厚度。

图9的曲线124绘出了第九具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线124所示，根据第九具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中中长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的黄色。

在第十具体实施中，图4的过渡层50包含CrSiN并且包括薄膜干涉过滤器38的各层，并且可选择薄膜干涉过滤器38的各层的组成和厚度，使得涂覆物36在预定入射角范围内，基本呈现出黄色。在此示例中，可以将SiCrN层70的厚度82选为20nm-30nm、15nm-35nm、16nm-34nm、大于20nm、大于15nm、小于30nm、小于35nm、25nm、27nm、31nm或其他厚度。可以将SiH层72的厚度84选为20nm-40nm、25nm-45nm、20nm-36nm、26nm-35nm、34nm、28nm、35nm或其他厚度。可以将SiN层74的厚度86选为40nm-60nm、45nm-50nm、42nm-56nm、40nm-80nm、大于40nm、小于50nm、48nm、52nm、47nm或其他厚度。SiH层76的厚度88可以选为35nm-50nm、30nm-50nm、35nm-43nm、38nm-56nm、42nm、37nm、39nm或其他厚度。可以将SiN层78的厚度90选为30nm-60nm、30nm-45nm、35nm-50nm、37nm-53nm、37nm、41nm、36nm、35nm或其他厚度。最后，可以将TiN层80的厚度80选为30nm-35nm、25nm-35nm、20nm-45nm、32nm、43nm、38nm或其他厚度。

图9的曲线130绘出了第九具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线130所示，根据第十具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中中长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的黄色。

在第十一具体实施中，涂覆物36设置有与第十具体实施相同的各层组成和厚度，但是图4的过渡层50是CrN层而非CrSiN层。图9的曲线128绘出了第十一具体实施中的涂覆物36的颜色响应。如曲线128所示，根据第二具体实施来构造涂覆物36可以为该涂覆物提供在可见光谱中中长波长处的宽峰，这将涂覆物构造为，当观察者观察时，呈现出较亮的黄色。

图11是第一具体实施(例如，与图5的曲线104和图6的曲线106相关联的具体实施)中的涂覆物36的组成的曲线图。图11的曲线是使用能量色散光谱(EDS)线扫描而产生的，该能量色散光谱(EDS)线扫描测量了从外表面到涂覆物36整个厚度的不同深度处的不同元素的原子百分比。

如图11所示，曲线134绘出了铬(Cr)原子在涂覆物36整个厚度上的原子百分比(％)。曲线136绘出了硅(Si)原子在涂覆物36整个厚度上的原子百分比。曲线138绘出了氮(N)原子在涂覆物36整个厚度上的原子百分比。曲线140绘出了钛(Ti)原子在涂覆物36整个厚度上的原子百分比。

如曲线134所示，在图4的SiCrN层70内(例如，在涂覆物的最上层内，位于深度A处)以及在图4的粘附和过渡层40内(例如，在大于深度F的深度处)，涂覆物38呈现出较高百分比(例如，峰值)的Cr原子。如曲线136所示，在图4的SiCrN层70、图4的SiH层72(例如，在涂覆物的第二最上层内，位于深度B处)、图4的SiN层74(例如，在涂覆物的第三最上层内，位于深度C处)、图4的SiH层76(例如，在涂覆物的第三最下层内，位于深度D处)、图4的SiN层78(例如，在涂覆物的第二最下层内，位于深度E处)以及图4的过渡层50(例如，当过渡层50包含如第一具体实施中一样的CrSiN时，在大于深度F的深度处)内，涂覆物38呈现出较高百分比(例如，峰值)的Si原子。如曲线138所示，在图4的SiCrN层70内，在图4的SiN层74内，在图4的SiN层78内，在图4的TiN层80内(例如，在涂覆物的最下层内，位于深度F处)，以及在图4的过渡层50内，涂覆物38呈现出较高百分比(例如，峰值)的N原子。最后，如曲线140所示，在图4的TiN层80内，涂覆物38呈现出较高百分比(例如，峰值)的Ti原子。

作为示例，在第一具体实施中，可选择图4的SiCrN层70的组成，使得SiCrN层70中的Cr原子的原子百分比为10％-15％、10％-20％、5％-30％、6％-31％、13％-15％、5％-25％，大于10％，小于20％，或为其他值。可选择图4的SiCrN层70的组成，使得SiCrN层70中的Si原子的原子百分比为30％-40％、25％-45％、20％-50％、32％-39％、28％-42％，大于30％，大于25％，小于40％，小于45％，或为其他值。SiCrN层70的原子百分比的其余部分可以是N原子。

在第一具体实施中，可选择图4的SiH层72的组成，使得SiH层72中的Si原子的原子百分比为95％-98％、97％-98％、90％-98％、85％-99％，大于97％，大于95％，大于90％，小于99％，或为其他值。SiH层72的原子百分比的其余部分可以是H原子。

在第一具体实施中，可选择图4的SiN层74的组成，使得SiN层74中的Si原子的原子百分比为30％-50％、35％-48％、38％-48％、25％-49％，大于35％，大于30％，小于50％，或为其他值。SiN层74的原子百分比的其余部分可以是N原子。

在第一具体实施中，可选择图4的SiH层76的组成，使得SiH层76中的Si原子的原子百分比为95％-98％、97％-98％、90％-98％、85％-99％，大于97％，大于95％，小于99％，大于90％，或为其他值。SiH层72的原子百分比的其余部分可以是H原子。

在第一具体实施中，可选择图4的SiN层78的组成，使得SiN层78中的Si原子的原子百分比为30％-50％、35％-48％、38％-48％、25％-49％，大于35％，大于30％，小于50％，或为其他值。SiN层74的原子百分比的其余部分可以是N原子。

在第一具体实施中，可选择图4的TiN层80的组成，使得TiN层80中Ti原子的原子百分比为40％-60％、45％-55％、38％-58％，大于40％，大于35％，小于60％，或为其他值。TiN层80的原子百分比的其余部分可以是N原子。

在第一具体实施中，可选择图4的过渡层50的组成，使得过渡层50中的Cr原子的原子百分比为50％-80％、60％-75％、62％-70％、55％-79％，大于60％，大于55％，小于75％，或为其他值。过渡层50中的Si原子的原子百分比可以是10％-30％、15％-25％、19％-23％、5％-29％，大于15％，大于10％，小于30％，小于40％，或为其他值。过渡层50的原子百分比的其余部分可以是Si原子。例如，这些原子百分比可以是归一化后的原子百分比。

图4-图11的示例仅仅是例示性的。另外的元件可包括在涂覆物36的各层的一层或多层中。这些层可以按其他顺序排列。这些层可具有不同的厚度或组成。该涂覆物可具有其他颜色分布和角度响应。本文所述的SiCrN层有时也可称为CrSiN层，反之亦然(例如，这些层可以是包含Si、Cr和N原子的各层)。

根据一个实施方案，提供了一种装置，该装置包括：导电衬底；和涂覆物，该涂覆物在导电衬底上并且具有颜色，该涂覆物包括粘附和过渡层以及在粘附和过渡层上的薄膜干涉过滤器，该薄膜干涉过滤器包括形成薄膜干涉过滤器的最上层的SiCrN层、形成薄膜干涉过滤器的最下层的TiN层、一组SiH层，以及与该组SiH层交错的一组SiN层。

根据另一实施方案，SiCrN层的厚度在20nm和50nm之间。

根据另一实施方案，TiN层的厚度在30nm和80nm之间。

根据另一实施方案，该组SiN层包括在TiN层上的第一SiN层、和第二SiN层，并且该组SiH层包括插入在第一SiN层与第二SiN层之间的第一SiH层并且包括第二SiH层，第二SiH插入在第二SiN层与SiCrN层之间。

根据另一实施方案，第二SiH层的厚度在30nm和80nm之间，并且第二SiH层的厚度在30nm和70nm之间。

根据另一实施方案，第一SiN层的厚度在10nm和40nm之间。

根据另一实施方案，第二SiN层的厚度在10nm和120nm之间。

根据另一实施方案，SiCrN层的厚度在30nm和45nm之间，第二SiH层的厚度在40nm和60nm之间，第二SiN层的厚度在10nm和25nm之间，第一SiH层的厚度在50nm和65nm之间，第一SiN层的厚度在10nm和30nm之间，并且TiN层的厚度在30nm和50nm之间。

根据另一实施方案，在L*a*b*颜色空间中，涂覆物在零度入射角下的L*值大于50，在L*a*b*颜色空间中，在该入射角下的a*值大于20，并且在L*a*b*颜色空间中，a b*值大于40。

根据另一实施方案，粘附和过渡层包括CrSiN过渡层，薄膜干涉过滤器设置在CrSiN过渡层上。

根据另一实施方案，SiCrN层中的Cr原子的原子百分比在5％和30％之间，SiCrN层中的Si原子的原子百分比在20％和50％之间，第一SiH层和第二SiH层中的Si原子的原子百分比大于90％，第一SiN层和第二SiN层中的Si原子的原子百分比在30％和50％之间，并且TiN层中的Ti原子的原子百分比在40％和60％之间。

根据另一实施方案，粘附和过渡层包括CrN过渡层，薄膜干涉过滤器设置在CrN过渡层上。

根据另一实施方案，粘附和过渡层包括CrSiN过渡层，薄膜干涉过滤器设置在CrSiN过渡层上，SiCrN层的厚度在20nm和30nm之间，第二SiH层的厚度在30nm和40nm之间，第二SiN层的厚度在50nm和60nm之间，第一SiH层的厚度在35nm和50nm之间，第一SiN层的厚度在30nm和45nm之间，并且TiN层的厚度在30nm和50nm之间。

根据另一实施方案，在L*a*b*颜色空间中，该涂覆物在零度入射角下的L*值大于80，在L*a*b*颜色空间中，在该入射角下的a*值大于0，并且在L*a*b*颜色空间中，a b*值大于50。

根据一个实施方案，提供了一种装置，该装置包括导电衬底以及在导电衬底上且具有颜色的涂覆物，该涂覆物包括：粘附和过渡层；在粘附和过渡层上的TiN层；第一SiH层和第二SiH层；第一SiN层和第二SiN层，第一SiH层插入在第一SiN层与第二SiN层之间，并且第一SiN层插入在第一SiH层与TiN层之间；和SiCrN层，第二SiH层插入在SiCrN层与第二SiN层之间。

根据另一实施方案，粘附和过渡层包括CrSiN过渡层。

根据另一实施方案，粘附和过渡层包括CrN过渡层。

根据另一实施方案，导电衬底包括不锈钢。

根据一个实施方案，提供了一种电子设备，该电子设备包括导电结构以及在导电结构上且具有颜色的涂覆物，该涂覆物包括粘附和过渡层、在粘附和过渡层上的包含钛和氮的第一层、包含硅和氮的第二层、包含硅和氢的第三层、包含硅和氮的第四层、包含硅和氢的第五层，以及包含硅、铬和氮的第六层。

根据另一实施方案，第二层、第三层、第四层和第五层形成薄膜干涉过滤器的至少一部分，并且第六层是薄膜干涉过滤器的最上层。

前述内容仅为示例性的并且可对所述实施方案作出各种修改。前述实施方案可独立实施或可以任意组合实施。

Claims (20)

1.一种装置，包括：

导电衬底；和

涂覆物，所述涂覆物在所述导电衬底上并具有颜色，所述涂覆物包括：

粘附和过渡层，和

薄膜干涉过滤器，所述薄膜干涉过滤器在所述粘附和过渡层上，其中所述薄膜干涉过滤器包括形成所述薄膜干涉过滤器的最上层的SiCrN层、形成所述薄膜干涉过滤器的最下层的TiN层、一组SiH层、以及与所述一组SiH层交错的一组SiN层。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述SiCrN层的厚度在20nm和50nm之间。

3.根据权利要求2所述的装置，其中所述TiN层的厚度在30nm和80nm之间。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述一组SiN层包括在所述TiN层上的第一SiN层并且包括第二SiN层，并且其中所述一组SiH层包括插入在所述第一SiN层与所述第二SiN层之间的第一SiH层并且包括第二SiH层，所述第二SiH层插入在所述第二SiN层与所述SiCrN层之间。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述第二SiH层的厚度在30nm和80nm之间，并且所述第二SiH层的厚度在30nm和70nm之间。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第一SiN层的厚度在10nm和40nm之间。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述第二SiN层的厚度在10nm和120nm之间。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述SiCrN层的厚度在30nm和45nm之间，所述第二SiH层的厚度在40nm和60nm之间，所述第二SiN层的厚度在10nm和25nm之间，所述第一SiH层的厚度在50nm和65nm之间，所述第一SiN层的厚度在10nm和30nm之间，并且所述TiN层的厚度在30nm和50nm之间。

9.根据权利要求8所述的装置，其中在L*a*b*颜色空间中，所述涂覆物在零度入射角下的L*值大于50，在所述L*a*b*颜色空间中，在所述入射角下的a*值大于20，并且在所述L*a*b*颜色空间中，a b*值大于40。

10.根据权利要求8所述的装置，其中所述粘附和过渡层包括CrSiN过渡层，所述薄膜干涉过滤器设置在所述CrSiN过渡层上。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述SiCrN层中的Cr原子的原子百分比在5％和30％之间，所述SiCrN层中的Si原子的原子百分比在20％和50％之间，所述第一SiH层和第二SiH层中的Si原子的原子百分比大于90％，所述第一SiN层和第二SiN层中的Si原子的原子百分比在30％和50％之间，并且所述TiN层中的Ti原子的原子百分比在40％和60％之间。

12.根据权利要求8所述的装置，其中所述粘附和过渡层包括CrN过渡层，所述薄膜干涉过滤器设置在所述CrN过渡层上。

13.根据权利要求8所述的装置，其中所述粘附和过渡层包括CrSiN过渡层，所述薄膜干涉过滤器设置在所述CrSiN过渡层上，所述SiCrN层的厚度在20nm和30nm之间，所述第二SiH层的厚度在30nm和40nm之间，所述第二SiN层的厚度在50nm和60nm之间，所述第一SiH层的厚度在35nm和50nm之间，所述第一SiN层的厚度在30nm和45nm之间，并且所述TiN层的厚度在30nm和50nm之间。

14.根据权利要求13所述的装置，其中在L*a*b*颜色空间中，所述涂覆物在零度入射角下的L*值大于80，在所述L*a*b*颜色空间中，在所述入射角下的a*值大于0，并且在所述L*a*b*颜色空间中，a b*值大于50。

15.一种装置，所述装置包括：

导电衬底；和

涂覆物，所述涂覆物在所述导电衬底上并具有颜色，所述涂覆物包括：

粘附和过渡层，

在所述粘附和过渡层上的TiN层，

第一SiH层和第二SiH层，

第一SiN层和第二SiN层，其中所述第一SiH层插入在所述第一SiN层与所述第二SiN层之间，并且其中所述第一SiN层插入在所述第一SiH层与所述TiN层之间，和

SiCrN层，其中所述第二SiH层插入在所述SiCrN层与所述第二SiN层之间。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述粘附和过渡层包括CrSiN过渡层。

17.根据权利要求15所述的装置，其中所述粘附和过渡层包括CrN过渡层。

18.根据权利要求15所述的装置，其中所述导电衬底包括不锈钢。

19.一种电子设备，包括：

导电结构；和

涂覆物，所述涂覆物在所述导电结构上且具有颜色，所述涂覆物包括：

粘附和过渡层，

在所述粘附和过渡层上的包含钛和氮的第一层，

包含硅和氮的第二层，

包含硅和氢的第三层，

包含硅和氮的第四层，

包含硅和氢的第五层，以及

包含硅、铬和氮的第六层。

20.根据权利要求19所述的电子设备，其中所述第二层、第三层、第四层和第五层形成薄膜干涉过滤器的至少一部分，并且所述第六层是所述薄膜干涉过滤器的最上层。