CN112384592A - 使用瓶刷聚合物抑制二氧化硅垢 - Google Patents
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Abstract
一种用于抑制二氧化硅垢形成的方法,所述方法用瓶刷聚合物处理含有二氧化硅的水性系统。所述瓶刷聚合物包括在一种或多种阴离子单体聚合之后获得的重复单元,以及在一种或多种含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元。所述瓶刷聚合物还可包括在一种或多种非离子单体聚合之后获得的重复单元。将所述瓶刷聚合物添加到所述水性系统中会引起对二氧化硅垢的抑制。
Description
交叉引用
本申请要求于2018年6月1日提交的印度专利申请第201841020613号;和2018年8月6日提交的印度专利申请第201841029480号的优先权。
技术领域
本发明涉及阻垢。具体地,本发明涉及瓶刷聚合物用以抑制二氧化硅垢形成的用途。
背景技术
“瓶刷”型聚合物是聚合物或共聚物,其中一部分聚合物链主链具有接枝到其上的在所有方向上径向延伸的分支。瓶刷聚合物特别公开于美国专利第9,382,444号,其以全文引用的方式并入本文中。
二氧化硅和金属硅酸盐垢在许多利用水性系统的工业中是成问题的。受影响最大的部分是工业水处理,具体来说是反渗透(RO)、冷却塔、锅炉和油气应用,尤其是地热能收集和蒸汽辅助重力泄油(SAGD)应用。开采操作(如利用拜耳法(Bayer process)的氧化铝精炼)也存在二氧化硅和硅酸盐垢的显著问题。
二氧化硅和硅酸盐垢形成取决于操作条件,如pH、温度、二氧化硅浓度和在此类系统中使用的水中是否存在多价金属离子。基于那些条件,可能会形成不同类型的二氧化硅或硅酸盐垢。例如,在pH值高于8.5时,取决于是否存在多价离子(如Mg2+、Ca2+、Al3+或Fe3+)和操作温度,二氧化硅垢主要呈金属硅酸盐形式,而胶体二氧化硅(聚合二氧化硅粒子)在pH值在6.5至8.5之间时更为常见。水垢会沉积在水处理或生产设备上,并最终限制流动,导致代价高的过程停机时间。典型的除垢处理涉及机械清洁或危险和腐蚀性酸洗,如氢氟酸洗。
本领域已知的二氧化硅垢抑制剂包括例如美国公开的专利申请第2009/0294374A1号,其公开了水溶性聚合物作为二氧化硅垢抑制剂的用途,所述水溶性聚合物由0-5摩尔%的单体(即,丙烯酸、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸、丙烯酰胺)和95-100摩尔%的含聚氧亚烷基的(甲基)丙烯酸酯单体制成。美国专利第4,566,974号公开了一种使用聚合物抑制垢沉积的方法,所述聚合物由丙烯酸/甲基丙烯酸、丙烯酰胺/甲基丙烯酰胺和在每个酯上具有2-6个环氧乙烷单元的(甲基)丙烯酸酯制成。美国专利第4,618,448号公开了共聚物作为阻垢剂的用途,所述共聚物由35-90重量%的不饱和羧酸或其盐、5-40%的不饱和磺酸或其盐和5-40重量%的不饱和聚环氧烷制成。美国专利第4,933,090号公开了选择膦酸酯和任选的羧酸/磺酸/聚环氧烷聚合物用以控制二氧化硅/硅酸盐沉积的用途。美国专利第5,180,498号和第5,271,847号公开了一种使用含有烯丙基聚乙二醇的水溶性聚合物来在蒸汽产生条件下控制水性介质中二氧化硅沉积的方法。美国专利第5,445,758和5,527,468号公开了一种用于控制将物质赋予蒸汽产生系统的结构表面上的垢沉积的组合物。美国专利第6,051,142号公开了环氧乙烷-环氧丙烷(EO-PO)嵌段共聚物用以在冷却和锅炉水系统中控制二氧化硅和硅酸盐垢的用途。最后,美国专利第7,316,787号公开了疏水改性的环氧乙烷聚合物作为胶体二氧化硅垢抑制剂的用途。
尽管开发了新的阻垢剂,但是二氧化硅结垢仍然是水性系统中的主要挑战,因此表明需要具有超出本领域已知那些的阻垢性能的聚合物。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供了一种通过用有效量的具有以下化学式的聚合物处理含有二氧化硅的水性系统来抑制二氧化硅垢形成的方法:
其中“A”是在一种或多种阴离子单体聚合之后获得的重复单元,所述阴离子单体选自由以下组成的组:羧酸、羧酸盐、磺酸、磺酸盐、丙烯酸磷酸盐和其混合物,并且优选占聚合物的约5重量%-约45重量%,并且更优选占聚合物的约5重量%-约30重量%。单独地,“B”是在一种或多种具有以下化学式的含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元:
其中R1是H或CH3。R2具有以下化学式:
其中R3是H、CH3或其混合物,并且R4是H或C1至C4烷基,或其混合物,并且n的值为5-100。“B”优选占聚合物的约55重量%-约95重量%,并且更优选约70重量%-约95重量%。最后,C是在一种或多种非离子单体聚合之后获得的重复单元,所述非离子单体选自由以下组成的组:甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯和丙烯酰胺。“C”优选占瓶刷聚合物的约0重量%至约25重量%。
本发明涵盖了一种或多种阴离子单体与一种或多种具有不同分子量的含聚氧亚烷基的单体的新颖瓶刷共聚物,或含聚氧亚烷基的单体与两种或更多种阴离子单体,或阴离子单体与非阴离子单体的瓶刷共聚物的用途。优选的阴离子单体包括但不限于羧酸、羧酸盐、磺酸、磺酸盐和丙烯酸磷酸盐,而优选的含聚氧亚烷基的单体包括但不限于聚氧亚烷基丙烯酸酯和聚氧亚烷基甲基丙烯酸酯。优选的非离子单体包括但不限于甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯丙烯酸羟丙酯和丙烯酸溶纤剂、(甲基)丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、N-异丙基丙烯酰胺、N-叔丁基丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、叔丁基丙烯酰胺、叔辛基丙烯酰胺和二甲基丙烯酰胺。这些系统可用于如反渗透(RO)、冷却塔、地热和SAGD应用的应用。
通过本发明,优选的二氧化硅垢抑制剂可以通过将丙烯酸(AA)、甲基丙烯酸(MAA)和/或2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸(AMPS)与聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA)聚合以形成MPEGMA重量分数大于45%的瓶刷共聚物或三元共聚物来制备。或者,优选的二氧化硅垢抑制剂可以通过将MAA和甲基丙烯酸甲酯(MMA)与MPEGMA聚合以形成MPEGMA重量分数大于45%的瓶刷三元共聚物来制备。已经确定瓶刷聚合物(如这些)展现出显著的二氧化硅垢抑制特性。
附图说明
图1是描述反渗透平板测试结果的图,其显示了与抑制二氧化硅垢的工业标准(比较实例A)相比,样品X随时间推移在进料槽中残留的归一化渗透物流量和游离二氧化硅。
具体实施方式
本发明涵盖了一种通过用有效量的具有以下化学式的聚合物处理含有二氧化硅的水性系统来抑制二氧化硅垢形成的方法:
其中“A”是在一种或多种阴离子单体聚合之后获得的重复单元,所述阴离子单体选自由以下组成的组:羧酸、羧酸盐、磺酸、磺酸盐、膦酸、磷酸盐、丙烯酸磷酸盐和其混合物。“A”优选占聚合物的约5重量%-约45重量%,并且更优选占聚合物的约5重量%-约30重量%。单独地,“B”是在一种或多种具有以下化学式的含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元:
其中R1是H或CH3。R2具有以下化学式:
其中R3是H、CH3或其混合物,并且R4是H或C1至C4烷基,或其混合物,并且n的值为5-100。“B”优选占聚合物的约55重量%-约95重量%,并且更优选占聚合物的约70重量%-约95重量%。最后,C是在一种或多种非离子单体聚合之后获得的重复单元,所述非离子单体选自由以下组成的组:甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯和丙烯酰胺。“C”优选占瓶刷聚合物的约0重量%-约25重量%。
除非另有指明,否则本文所陈述的所有百分比都是重量百分比(wt.%)。除非另外说明,否则温度以摄氏度(℃)为单位,并且“环境温度”意指在20℃至25℃之间。
“聚合物”通常是指通过使相同或不同类型的单体聚合而制备的聚合化合物或“树脂”。如本文所使用,通用术语“聚合物”包括由一种或多种类型的单体制成的聚合化合物。如本文所用,“共聚物”通常是指由两种或更多种不同类型的单体制备的聚合化合物。类似地,“三元共聚物”是由三种不同类型的单体制备的聚合化合物。
“水性系统”通常是指含有水的任何系统,包括但不限于二氧化硅盐水、冷却水、脱盐、过滤、反渗透、糖蒸发器、纸处理、开采回路、地热能系统、SAGD等。
术语“二氧化硅垢”通常是指含有二氧化硅的固体材料,其沉积并积聚在水处理设备(如RO膜、热交换器以及生产套管和管道)的内表面上。二氧化硅垢通常包括多种类型的二氧化硅垢,如胶体或无定形二氧化硅(SiO2)和硅酸盐(如硅酸镁)。积聚的二氧化硅垢可能是(且有时是)二氧化硅垢与硅酸盐类型的垢的组合,其中通常以一种或另一种类型的垢为主。胶体/无定形二氧化硅垢是下文中通常用来指主要为胶体/无定形类型的二氧化硅垢沉积物的术语。除二氧化硅类型以外,还可能存在其它类型的垢,如碳酸钙、硫酸钙、磷酸钙、膦酸钙、草酸钙、硫酸钡、冲积沉积物、金属氧化物和金属氢氧化物,这取决于存在于水性系统中的金属和其它离子的类型。
用于形成胶体/无定形二氧化硅垢的化学反应机制通常涉及硅酸的缩合聚合,所述反应机制是由氢氧根离子催化的。这一反应机制通常如下进行:
Si(OH)4+OH-→(OH)3SiO-+H2O (I)
Si(OH)3 -+Si(OH)4+OH-→(OH)3Si-O-Si(OH)3(二聚体)+OH- (II)
(OH)3Si-O-Si(OH)3(二聚体)→循环→胶体→无定形二氧化硅(垢) (III)
由于反应机制是由氢氧根离子催化的,因此在低pH下反应进行得缓慢,但在高于大约7的pH下反应显著增快。因此,特别关注在具有“中性”pH(如6.5至8.5之间)的水性系统中阻止二氧化硅垢形成。
本发明的方法适合于在温度为20℃至250℃、pH为6.0至10.0的水性系统中控制胶体/无定形二氧化硅垢的沉积。所述方法包含向水性系统中添加有效量的瓶刷聚合物,所述瓶刷聚合物包含在一种或多种阴离子单体聚合之后获得的重复单元、在一种或多种含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元和在一种或多种非离子单体聚合之后获得的重复单元。
瓶刷聚合物
瓶刷聚合物是包含两种或更多种聚合物的支链或接枝聚合物类型,其中聚合物侧链“刷毛”附接到线性聚合物“主链”,使得其外观类似于瓶刷。本发明所需的瓶刷聚合物具有以下化学式:
其中A是在一种或多种阴离子单体聚合之后获得的重复单元,B是在一种或多种含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元,且C是在一种或多种非离子单体聚合之后获得的重复单元。优选地,一种或多种阴离子单体占瓶刷聚合物的约5重量%-约45重量%,使得x=约5重量%-约45重量%。更优选地,一种或多种阴离子单体占瓶刷聚合物的约5重量%-约30重量%,使得x=约5重量%-约30重量%。优选地,含聚氧亚烷基的单体占瓶刷聚合物的约55重量%-约95重量%,使得y=约55重量%-约95重量%。更优选地,含聚氧亚烷基的单体占瓶刷聚合物的约70重量%-约95重量%,使得y=约70重量%-约95重量%。最后,一种或多种非离子单体优选占瓶刷聚合物的约0重量%-约25重量%,使得z=约0重量%-约25重量%。
优选地,本发明的瓶刷聚合物的数均分子量为约2000道尔顿至约60000道尔顿。
含聚氧亚烷基的单体
在适用于本发明的含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元具有以下化学式:
其中R1为H或CH3;
其中R2具有以下化学式:
其中R3为H、CH3或其混合物;
其中R4为H或C1至C4烷基,或其混合物;并且
其中n=5-100。
合适的含聚氧亚烷基的单体包括但不限于聚氧亚烷基丙烯酸酯和聚氧亚烷基甲基丙烯酸酯,如聚乙二醇甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯和聚乙二醇甲基醚丙烯酸酯。
阴离子单体
在水溶液中发现的典型阳离子(例如钙、镁、铁和铝)的存在下,阴离子单体充当分散剂。可用于合成本发明的瓶刷聚合物的优选的阴离子单体包括但不限于不饱和羧酸、不饱和磺酸、不饱和膦酸、不饱和磷酸盐和不饱和丙烯酸磷酸盐。优选的不饱和羧酸包括但不限于丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸和马来酸。优选的不饱和磺酸或盐包括但不限于2-丙烯酰胺基-2-甲基丙基磺酸(AMPS)、2-甲基丙烯酰胺基-2-甲基丙基磺酸、苯乙烯磺酸和乙烯基磺酸。优选的不饱和丙烯酸磷酸盐包括但不限于乙二醇甲基丙烯酸酯磷酸盐。
非离子单体
可用于合成本发明的瓶刷聚合物的优选非离子单体包括但不限于甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯和丙烯酰胺。优选的甲基丙烯酸酯包括但不限于甲基丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯和甲基丙烯酸羟乙酯。优选的丙烯酸酯包括丙烯酸乙酯、丙烯酸羟丙酯和丙烯酸溶纤剂。优选的丙烯酰胺包括(甲基)丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、N-异丙基丙烯酰胺、N-叔丁基丙烯酰胺、叔丁基丙烯酰胺、叔辛基丙烯酰胺和二甲基丙烯酰胺。
使用方法
“有效量”是抑制所处理的水性系统中胶体/无定形二氧化硅垢沉积所必需的瓶刷聚合物的量。“抑制”是指延迟胶体/无定形二氧化硅垢的沉积以延长设备的最大效率的时间。添加到水性系统中的瓶刷聚合物的有效量可以取决于水性系统的温度和pH以及水性系统中存在的二氧化硅、盐和多价金属离子的浓度而变化。在大多数应用中,瓶刷聚合物的有效量在大约0.5ppm至大约1000ppm范围内,且更优选在大约1ppm至100ppm范围内。由本发明的瓶刷聚合物处理的水性系统的二氧化硅含量通常大于30ppm、50ppm或甚至100ppm。
用于制备可用于控制沉积的本发明的方法的瓶刷聚合物的聚合方法不受特别限制,并且可以是普通技术人员现在或将来已知的任何方法,其包括但不限于乳液、溶液、加成和自由基聚合技术,包括美国专利第4,711,725号中公开的聚合方法,所述专利以全文引用的方式并入本文中。优选地,本发明的瓶刷聚合物通过水溶液自由基聚合而聚合。
本发明的用途、应用和益处将通过本发明例示性实施例的以下讨论和描述来阐明。
实例
以下实例说明了本文所公开和要求保护的本发明的各种非限制性实施例以及其某些属性。
实例1
聚合
将去离子水(271.5g)、焦亚硫酸钠(2g)和七水合硫酸铁(2.4mg)添加到装有搅拌器、热电偶、N2入口和回流冷凝器的2升4颈圆底玻璃反应器中。在氮气气氛和搅拌下将反应器的内含物加热到72℃。在120分钟内将焦亚硫酸钠溶液(10g溶解于15.6g去离子水中)、过硫酸钠溶液(2.6g溶解于33g去离子水)和含有去离子水(159.7g)、丙烯酸(66g)和2000分子量聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(264g)的单体混合物同时都添加到反应器中。单体进料完成之后,将第二批过硫酸钠溶液(0.61g于2.72g去离子水中)添加到反应器中,并将反应器在60℃下保持5分钟。将温度维持在60°℃的同时,将50%氢氧化钠溶液于水(29.8g)中缓慢添加到反应器中以部分中和聚合物。添加去离子水(82g),得到含35%固体的聚合物溶液。将聚合物溶液冷却到室温并且收集。
静态瓶测试
静态瓶测试用于评估各种聚合物抑制二氧化硅聚合的功效。使用HACH硅钼酸盐比色法追踪残留在溶液中的游离二氧化硅(反应性二氧化硅)。具有较好抑制胶体二氧化硅形成的功效的聚合物随时间推移在溶液中维持较高含量的游离二氧化硅。通过将硅酸钠盐溶解在去离子水中以产生初始二氧化硅浓度为400ppm的SiO2来制备过饱和二氧化硅溶液。
在第一组静态瓶测试中,将本发明的25ppm(作为活性成分)的抑制剂计量加入到过饱和二氧化硅溶液中,并将pH调节至7.5。然后将样品在20℃下不受干扰地静置21小时。21小时后,用浊度计分析二氧化硅溶液的浊度,以检查不溶性沉淀物是否存在。然后用0.45μm的过滤器过滤二氧化硅样品,并使用HACH比色法分析滤液。样品A-C是丙烯酸(AA)与数均分子量为2000的聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA-2000)的共聚物。样本A、B和C分别含有30、40和70重量%的MPEGMA-2000。样品D是MPEGMA-2000的均聚物。还评估了分子量分别为1450、3350和4600道尔顿的聚乙二醇(PEG)聚合物用于比较。
在测量了含有抑制剂的溶液和不具有抑制剂的溶液的最终可溶性二氧化硅浓度后,根据下式计算出阻垢百分比:
表1中总结了浊度和二氧化硅抑制测试的结果:
表1
样品C在溶液中维持较高含量的反应性二氧化硅,而不会形成其它有效的二氧化硅抑制聚合物中常见的不溶性沉淀物或絮凝物。相比之下,样品D和PEG聚合物展现出对胶体二氧化硅的抑制,但产生了大大增加二氧化硅盐水的浊度的不溶性絮凝物。
在第二组静态瓶测试中,除了以硅酸钠形式添加的400ppm SiO2以外,还添加了以二水合氯化钙形式添加的120ppm Ca2+和以六水合氯化镁形式添加的73ppm Mg2+,以评估硬度离子的效果。添加25ppm(作为活性成分)的抑制剂后,将盐水的pH调节至7.5。然后将样品在20℃下不受干扰地静置21小时。21小时后,用0.45μm过滤器过滤二氧化硅溶液,并使用HACH比色法分析滤液。样品E、F和G分别是丙烯酸与含有30、60和70重量%的MPEGMA-2000的MPEGMA-2000的共聚物。样品H是7重量%的AA、3重量%的2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸(AMPS)与90重量%的MPEGMA-2000的三元共聚物。结果在表2中示出:
表2
样品F-H在硬度离子(如Ca和Mg)的存在下显示出良好的二氧化硅抑制性能。
在第三组静态瓶测试中,评估了本发明的MPEGMA组分的分子量的效果。除了以硅酸钠形式添加的400ppm SiO2以外,还添加了以二水合氯化钙形式添加的120ppm Ca2+和以六水合氯化镁形式添加的73ppm Mg2+。添加25ppm(作为活性成分)的抑制剂后,将盐水的pH调节至7.5。然后将样品在20℃下不受干扰地静置21小时。21小时后,用0.45μm过滤器过滤二氧化硅溶液,并使用HACH比色法分析滤液。样品I是27重量%AA、13重量%AMPS与60重量%数均分子量为300的聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA-300)的三元共聚物。样品J是20重量%AA与80重量%MPEGMA-300的共聚物。样品K是40重量%AA与60重量%数均分子量为950的聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA-950)的共聚物。样品L是20重量%AA与80重量%MPEGMA-950的共聚物。样品M是40重量%AA与60重量%MPEGMA-2000的共聚物。样品N是14重量%AA、6重量%AMPS与80重量%MPEGMA-2000的三元共聚物。结果汇总在表3中。
表3
以上数据显示,对于在评估范围内含有较高分子量MPEGMA和较高重量百分比MPEGMA的聚合物,二氧化硅的抑制作用极佳。
反渗透平板测试
由于胶体二氧化硅是反渗透(RO)膜的最常见污垢中的一种,因此也用抑制剂进行了RO平板实验室测试。将20ppm(基于活性成分)的抑制剂添加到10L的含有以硅酸钠盐形式添加的400ppm SiO2的合成盐水中,并且将pH调节至7.5。然后将10L盐水通过Sterlitech平板RO装置再循环约48小时。分别使用刻度量筒和HACH硅钼酸盐比色法在整个48小时内定期测量进料罐溶液的渗透液流速和游离二氧化硅浓度。RO装置在室温下在25巴的压力下以5.48升/分钟的进料流速运行。所使用的膜是陶氏FILMTECTMBW-30膜,所述膜在之前先用水调理12小时。样品X是含有20重量%AA和80重量%数均分子量为300的聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA-300)的共聚物。比较实例A是用于二氧化硅垢的工业标准抑制剂。图1显示了RO平板测试的结果。图1显示了在与RO应用有关的条件下,与比较实例A相比,样品X通过防止二氧化硅沉淀出来而使得随时间推移更高量的二氧化硅保持分散在溶液中(图1中被圆圈圈住的区域)。
实例2
聚合
将丙二醇(354g)添加到装有搅拌器、热电偶、N2入口和回流冷凝器的3升4颈圆底玻璃反应器中。在氮气气氛下在搅拌下将反应器的内含物加热到92℃。将溶解在去离子水(10g)中的磷酸氢二钠(2.46g)溶液添加到反应器中,然后添加巯基乙醇(6.6g)。在240分钟内将含有Bisomer 550MW(470.3g)、甲基丙烯酸甲酯(138.7g)和甲基丙烯酸(45.5g)的单体混合物添加到反应器中。将溶解于丙二醇(90g)中的Trigonox 25C75(89.6)的引发剂进料与单体混合物同时开始添加到反应器中,并在250分钟内进料。在进料期间,反应器温度控制在91℃,同时继续搅拌。引发剂进料完成后,将批料保持在90℃下持续20分钟。将氢氧化铵溶液于水中(16.5g,30%)和去离子水(285g)的混合物添加到反应器中,以将pH升高至7.0。将Trigonox 25C75(52.8g)于去离子水(53g)中的溶液添加到反应器中。将焦亚硫酸钠(23.6g)于去离子水(70g)中的溶液添加到反应器中,并将批料保持在90℃持续45分钟。将最终稀释的去离子水(175g)添加到批料中,并且将批料冷却至室温并收集。
静态瓶测试
静态瓶测试用于评估聚合物抑制二氧化硅聚合的功效。使用HACH硅钼酸盐比色法追踪残留在溶液中的游离二氧化硅(反应性二氧化硅)。具有较好抑制胶体二氧化硅形成的功效的聚合物随时间推移在溶液中维持较高含量的游离二氧化硅。通过将硅酸钠盐溶解在去离子水中以产生初始二氧化硅浓度为400ppm的SiO2来制备过饱和二氧化硅溶液。
在第一组静态瓶测试中,将本发明的10ppm和25ppm(作为活性成分)的抑制剂计量加入到过饱和二氧化硅溶液中,并将pH调节至7.5。然后将样品在20℃下不受干扰地静置24小时。24小时后,用浊度计分析二氧化硅溶液的浊度,以检查不溶性沉淀物是否存在。然后用0.45μm的过滤器过滤二氧化硅样品,并使用HACH比色法分析滤液。样品1是7重量%甲基丙烯酸(AA)、21重量%甲基丙烯酸甲酯与72重量%数均分子量为550的聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA-550)的三元共聚物。样品2是数均分子量为300的聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA-300)的均聚物。
在测量了含有抑制剂的溶液和不具有抑制剂的溶液的最终可溶性二氧化硅浓度后,根据下式计算出阻垢百分比:
表4中总结了浊度和二氧化硅抑制测试的结果。
表4
样品1在溶液中维持较高含量的反应性二氧化硅,而不会形成不溶性沉淀物或絮凝物。相比之下,样品2展现出对胶体二氧化硅的抑制,但产生了大大增加二氧化硅盐水的浊度的不溶性絮凝物。
在第二组静态瓶测试中,除了以九水合硅酸钠形式添加的400ppm SiO2以外,还添加了以二水合氯化钙形式添加的100ppm Ca2+和以六水合氯化镁形式添加的40ppm Mg2+,以评估硬度离子的效果。加入10ppm和25ppm(作为活性成分)的抑制剂后,将盐水的pH调节至7.5。然后将样品在20℃下不受干扰地静置24小时。24小时后,用浊度计分析二氧化硅溶液的浊度,以检查不溶性沉淀物是否存在。然后用0.45μm的过滤器过滤二氧化硅样品,并使用HACH比色法分析滤液。样品3是7重量%甲基丙烯酸(AA)、21重量%的甲基丙烯酸甲酯与72重量%数均分子量为550道尔顿的聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯(MPEGMA-550)的三元共聚物。表5中总结了二氧化硅抑制测试的结果。
表5
以上数据表明,抑制剂(例如样品3)在溶液中维持较高含量的反应性二氧化硅。
尽管本发明已参考其如上文说明书和图式中所公开的优选实施例描述,但在不脱离本发明的情况下,有更多的本发明的实施例是可能的。因此,本发明的范围应仅由所附权利要求书来限制。
Claims (24)
1.一种抑制二氧化硅垢形成的方法,所述方法包含以下步骤:
用有效量的包含单体A、单体B和单体C的聚合物处理包含二氧化硅的水性系统,使得所述聚合物具有以下化学式:
其中x=约5重量%-约45重量%;
其中y=约55重量%-约95重量%;
其中z=约0重量%-约25重量%;
其中A是在一种或多种阴离子单体聚合之后获得的重复单元,所述阴离子单体选自由以下组成的组:羧酸、羧酸盐、磺酸、磺酸盐、丙烯酸磷酸盐和其混合物;
其中B是在一种或多种具有以下化学式的含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元:
其中R1为H或CH3;
其中R2具有以下化学式:
其中R3为H、CH3或其混合物;
其中R4为H或C1至C4烷基,或其混合物;
其中n=5-100;且
其中C是在一种或多种非离子单体聚合之后获得的重复单元,所述非离子单体选自由以下组成的组:甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯和丙烯酰胺。
2.根据权利要求1所述的方法,其中A选自由以下组成的组:丙烯酸、丙烯酸的盐、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸的盐、衣康酸、衣康酸的盐、马来酸、马来酸的盐、2-丙烯酰胺基-2-甲基丙基磺酸(AMPS)、AMPS的盐、2-甲基丙烯酰胺基-2-甲基丙基磺酸、2-甲基丙烯酰胺基-2-甲基丙基磺酸的盐、苯乙烯磺酸、苯乙烯磺酸的盐、乙烯基磺酸、乙烯基磺酸的盐、乙二醇甲基丙烯酸酯磷酸酯和其混合物。
3.根据权利要求1所述的方法,其中B选自由以下组成的组:聚氧亚烷基丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯和其混合物。
4.根据权利要求1所述的方法,其中B选自由以下组成的组:聚乙二醇甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯、聚乙二醇甲基醚丙烯酸酯和其混合物。
5.根据权利要求1所述的方法,其中C选自由以下组成的组:甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸羟乙酯丙烯酸羟丙酯和丙烯酸溶纤剂、(甲基)丙烯酰胺、N-甲基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、N-异丙基丙烯酰胺、N-叔丁基丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、叔丁基丙烯酰胺、叔辛基丙烯酰胺和二甲基丙烯酰胺。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述聚合物的数均分子量在约2000道尔顿至约60000道尔顿之间。
7.根据权利要求1所述的方法,其中A是丙烯酸;
其中B是聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯;
其中x=约20重量%;且
其中y=约80重量%。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯的数均分子量为约2000道尔顿。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述聚合物的所述有效量在约0.5ppm至约1000ppm之间。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述水性系统的pH为约6.0至约10.0。
11.根据权利要求10所述的方法,其中所述水性系统的温度在20℃至250℃之间。
12.根据权利要求1所述的方法,其中x=约5重量%-约30重量%;且
其中y=约70重量%-约95重量%。
13.根据权利要求1所述的方法,其中所述水性系统选自由以下组成的组:冷却水、脱盐、过滤、反渗透、糖蒸发器、纸处理、开采回路、地热能系统、SAGD系统和二氧化硅盐水。
14.根据权利要求1所述的方法,其中所述水性系统是所述二氧化硅盐水;且
其中所述瓶刷聚合物抑制胶体二氧化硅的形成而不形成不溶性沉淀物。
15.根据权利要求1所述的方法,其中n大于40且小于或等于100。
16.根据权利要求1所述的方法,其中n大于60且小于或等于100。
17.根据权利要求1所述的方法,其中n大于80且小于或等于100。
18.根据权利要求1所述的方法,其中A是甲基丙烯酸;
其中B是聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯;
其中C是甲基丙烯酸甲酯;
其中x为约7重量%;
其中y为约72重量%;且
其中z为约21重量%。
19.根据权利要求18所述的方法,其中所述聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯的数均分子量为约550道尔顿。
20.一种用于抑制二氧化硅垢形成的聚合物,所述聚合物包含单体A、单体B和单体C,使得所述聚合物具有以下化学式:
其中x=约5重量%-约45重量%;
其中y=约55重量%-约95重量%;
其中z=约0重量%-约25重量%;
其中A是在一种或多种阴离子单体聚合之后获得的重复单元,所述阴离子单体选自由以下组成的组:羧酸、羧酸盐、磺酸、磺酸盐、丙烯酸磷酸盐和其混合物;
其中B是在一种或多种具有以下化学式的含聚氧亚烷基的单体聚合之后获得的重复单元:
其中R1为H或CH3;
其中R2具有以下化学式:
其中R3为H、CH3或其混合物;
其中R4为H或C1至C4烷基,或其混合物;
其中n=5-100;且
其中C是在一种或多种非离子单体聚合之后获得的重复单元,所述非离子单体选自由以下组成的组:甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯和丙烯酰胺。
21.根据权利要求18所述的聚合物,其中A是丙烯酸;
其中B是聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯;
其中x=约20重量%;且
其中y=约80重量%。
22.根据权利要求21所述的聚合物,其中所述聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯的数均分子量为约2000道尔顿。
23.根据权利要求18所述的聚合物,其中A是甲基丙烯酸;
其中B是聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯;
其中C是甲基丙烯酸甲酯;
其中x为约7重量%;
其中y为约72重量%;且
其中z为约21重量%。
24.根据权利要求23所述的方法,其中所述聚乙二醇甲基醚甲基丙烯酸酯的数均分子量为约550道尔顿。
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