CN112366516A - 芯片腔体的加工方法以及半导体激光器 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种芯片腔体的加工方法，包括S1，先对芯片腔体进行烘烤；S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；S3，待清洗完成后，于出光腔面上镀高透膜，高透膜至少包括覆盖在出光腔面上的第一SiO保护层；S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；S5，待清洗完成后，于背光腔面上镀高反膜，高反膜至少包括覆盖在背光腔面上的第二SiO保护层。还提供一种半导体激光器，包括上述芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体。本发明采用SiO保护层提升产品腔面的致密性，降低膜层表面粗糙度，使膜系质量整体提升，降低电子束蒸发造成的柱状晶结构，减少水气及氧气渗透到半导体腔面的影响，提升高速芯片的寿命及可靠性。

Description

芯片腔体的加工方法以及半导体激光器
技术领域
本发明涉及通信芯片半导体技术领域，具体为一种芯片腔体的加工方法以及半导体激光器。
背景技术
为了提升高速率通信芯片的使用寿命，提升产品可靠性，需对芯片出光面和背光面的腔面膜层提出要求更高，针对高速率芯片发光有源区普遍采用InGaAlAs的含Al半导体材料，Al在大气中极易氧化，在腔面形成本征氧化物影响区域性折射率，当芯片发射或反射激光时氧化物缺陷容易聚热，端面膜层结构受到影响，内应力变大，膜层质量变差，从而使芯片腔面产生不可逆的损伤，影响激光芯片的寿命，芯片可靠性变差，损伤阈值降低；对于高速率激光芯片而言，高的损伤阈值尤为重要，它是评判高速率芯片产品质量的一个重要标志，损伤阈值高，芯片的性能可靠性稳定，耐冲击强，出光平稳，寿命长。
发明内容
本发明的目的在于提供一种芯片腔体的加工方法以及半导体激光器，通过在出光腔面和背光腔面上均镀SiO保护层，可以降低端面整体膜系表面粗糙度，提升膜系致密性，降低膜系柱状晶结构，从而达到保护激光半导体腔面的效果，防止有源区Al被氧化导致的芯片激光器可靠性差的问题。
为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：一种芯片腔体的加工方法，包括如下步骤：
S1，先对芯片腔体进行烘烤；
S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；
S3，待清洗完成后，于所述出光腔面上镀高透膜，所述高透膜至少包括覆盖在所述出光腔面上的第一SiO保护层；
S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；
S5，待清洗完成后，于所述背光腔面上镀高反膜，所述高反膜至少包括覆盖在所述背光腔面上的第二SiO保护层。
进一步，在所述S3步骤中，所述高透膜还包括依次镀在所述第一SiO保护层上的第一Al2O3保护层和TiO2保护层。
进一步，所述第一SiO保护层的厚度在40～100nm之间，所述第一Al2O3保护层的厚度在70～90nm之间，所述TiO2保护层的厚度在110～130nm之间。
进一步，在所述S3步骤中，所述高反膜还包括依次镀在所述第二SiO保护层上的第二Al2O3保护层、第一Si保护层、第三Al2O3保护层以及第二Si保护层。
进一步，所述第二SiO保护层的厚度在40～100nm之间，所述第二Al2O3保护层的厚度在140～160nm之间，所述第一Si保护层的厚度在70～90nm之间，所述第三Al2O3保护层的厚度在190～210nm之间，所述第二Si保护层的厚度在90～110nm之间。
进一步，在所述S3步骤和所述S5步骤中，所述第一SiO保护层和所述第二SiO保护层在632nm波段折射率均需在1.85～1.95之间。
进一步，在所述S1步骤中，将待端面镀膜的Wafer进行解条夹条，减少Bar条在空气中的暴露时间并快速进蒸发镀膜设备抽真空，腔体加热至200～230℃。
进一步，在所述S2步骤和所述S4步骤中，进行的两次离子清洗具体为：在真空度达到1.5～5.0×10-6Torr之间时，用等离子体处理出光腔面和背光腔面，其中Vecoo的Hall离子源通氩气，离子源阳极电压控制为80-150V，阳极电流控制为2～4A，处理时间为60～200s。
进一步，在所述S3步骤和所述S5步骤中，采用E-Beam蒸发镀膜，其中，离子源能量为100V/3A，离子源气体Ar气，SiO镀率3.5A/s，Al2O3和Si镀率3A/s。
本发明实施例提供另一种技术方案：一种半导体激光器，包括上述的芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、采用SiO打底保护层能提升产品腔面的致密性，降低膜层表面粗糙度的效果，使膜系质量整体提升，降低电子束蒸发造成的柱状晶结构，减少水气及氧气渗透到半导体腔面的影响，提升高速芯片的寿命及可靠性。
2、高致密性出光面和背光面膜系形貌，能有效提升产品的老化及抗静电ESD特性。
3、出光面高增透膜系能有效提升产品的使用环境，高低温光谱-40°～85°几乎不受影响，增加芯片的使用范围。
4、温度条件200-230℃，能有效提升膜层附着力，释放膜层内部应力，增加膜系的可靠性性，高折射率SiO保护层能够与半导体端面很好结合，同时SiO高Si低氧，降低氧原子在晶体中的流动性，减少Al和O的结合，另外在芯片半导体的角度上，半导体表面具有很强复合少数载流子的作用，界面态密度高，悬挂键多，半导体性能与表面复合速度及界面缺陷有较大关系，氧离子含量偏高会降低表面钝化效果，引入低能量离子清洗及高折射率SiO能极大优化芯片的可靠性。
5、低能量离子清洗不仅能达到清洗表面本征氧化物的效果，还能降低离子源灯丝及中心块对产品的污染，进一步减少半导体激光器的腔面缺陷，同时避免高速离子对产品表面的损伤。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体的示意图；
图2为具有SiO保护层的高温高湿实验比图；
图3为无SiO保护层的高温高湿实验比图；
图4为具有SiO保护层与无SiO保护层的SEM形貌实验图；
图5为具有SiO保护层与无SiO保护层的静电击伤ESD实验图；
附图标记中：1-芯片腔体；2-第一SiO保护层；3-第一Al2O3保护层；4-TiO2保护层；5-第二SiO保护层；6-第二Al2O3保护层；7-第一Si保护层；8-第三Al2O3保护层；9-第二Si保护层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，本发明实施例提供一种芯片腔体的加工方法，包括如下步骤：S1，先对芯片腔体1进行烘烤；S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体1的出光腔面进行第一次离子清洗；S3，待清洗完成后，于所述出光腔面上镀高透膜，所述高透膜至少包括覆盖在所述出光腔面上的第一SiO保护层2；S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；S5，待清洗完成后，于所述背光腔面上镀高反膜，所述高反膜至少包括覆盖在所述背光腔面上的第二SiO保护层5。优选的，所述高透膜还包括依次镀在所述第一SiO保护层2上的第一Al2O3保护层3和TiO2保护层4，其中，所述第一SiO保护层2的厚度在40～100nm之间，所述第一Al2O3保护层3的厚度在70～90nm之间，所述TiO2保护层4的厚度在110～130nm之间。优选的，所述高反膜还包括依次镀在所述第二SiO保护层5上的第二Al2O3保护层6、第一Si保护层7、第三Al2O3保护层8以及第二Si保护层9，其中，所述第二SiO保护层5的厚度在40～100nm之间，所述第二Al2O3保护层6的厚度在140～160nm之间，所述第一Si保护层7的厚度在70～90nm之间，所述第三Al2O3保护层8的厚度在190～210nm之间，所述第二Si保护层9的厚度在90～110nm之间。在本实施例中，在出光腔面镀的高透膜，是由第一SiO保护层2、第一Al2O3保护层3和TiO2保护层4组成，而在背光腔面镀的高反膜是由第二SiO保护层5、第二Al2O3保护层6、第一Si保护层7、第三Al2O3保护层8以及第二Si保护层9组成，在这两层膜中，均采用了SiO保护层(为了以示区分以便于描述，采用第一、第二等词汇来进行区分，它们没有其他的限定意义)，采用这种致密好、粗糙度地的氧化物保护层，可以降低膜层表面粗糙度的效果，使膜系质量整体提升，降低电子束蒸发造成的柱状晶结构，减少水气及氧气渗透到半导体腔面的影响，提升高速芯片的寿命及可靠性。优选的，在高透膜中，第一SiO保护层2的厚度为40nm，第一Al2O3保护层3的厚度为80nm，TiO2保护层4的厚度为120nm，可以达到最优的性能。而在高反膜中，第二SiO保护层5的厚度为40nm，第二Al2O3保护层6的厚度为150nm，第一Si保护层7的厚度为80nm，第三Al2O3保护层8的厚度为200nm，第二Si保护层9的厚度为100nm，可以达到最优的性能。
作为本发明实施例的优化方案，在所述S3步骤和所述S5步骤中，所述第一SiO保护层2和所述第二SiO保护层5在632nm波段折射率均需在1.85～1.95之间。
作为本发明实施例的优化方案，在所述S1步骤中，将待端面镀膜的Wafer进行解条夹条，减少Bar条在空气中的暴露时间并快速进蒸发镀膜设备抽真空，腔体加热至200～230℃。在本实施例中，产品进炉后，先抽蔗农空，在温度加热至200-230℃进行烘烤并保持工艺全称高温度200-230℃恒温，有效减少腔体内水汽，保证高真空环境，减少工艺杂质气体，提升产品表面活性，增加膜层附着力。
作为本发明实施例的优化方案，在所述S2步骤和所述S4步骤中，进行的两次离子清洗具体为：在真空度达到1.5～5.0×10-6Torr之间时，用等离子体处理出光腔面和背光腔面，其中Vecoo的Hall离子源通氩气，离子源阳极电压控制为80-150V，阳极电流控制为2～4A，处理时间为60～200s。在本实施例中，在进行两次离子清洗时，可以采用夹具来对芯片腔体1进行翻面，以便于出光腔面和背光腔面的清洗。
作为本发明实施例的优化方案，在所述S3步骤和所述S5步骤中，采用E-Beam蒸发镀膜，其中，离子源能量为100V/3A，离子源气体Ar气，SiO镀率3.5A/s，Al2O3和Si镀率3A/s。
以下为具体的实验实施例：
实施例一：
请参阅图2和图3，对实施的产品进行高温高湿性能测试，高温高湿条件为85℃高温，湿度85％RH，时间为24H。实验分为两组对比，分别对应图2和图3。
第一组实验为实验组，其条件是出光腔面和背光腔面均设有SiO保护层，其中出光腔面镀膜结构为SiO/Al2O3/TiO2，背光腔面镀膜结构为SiO/Al2O3/Si/Al2O3/Si，芯片随机挑选15pcs。第二组实验为对照组，其条件是无SiO保护层，其中出光腔面镀膜结构为Al2O3/TiO2，背光腔面镀膜结构为Al2O3/Si/Al2O3/Si，芯片随机挑选15pcs。测试方法，将两组实验的产品先进行非气密性保护，然后同时放在温湿度在如下条件进行对比。高温高湿实验主要对比前后产品阈值Ith的变化情况，最后由图2和图3可以看出，有SiO保护层的芯片在高温高湿实验前后Ith变化较小如图2，稳定性好，而正常对照组样品在实验前后表现出Ith波动较大，如图3，性能不稳定，芯片腔面水渍脏污明显，充分体现SiO保护层致密性好，柱状晶结构现象明显好转，能起到保护高速率腔面的效果，避免芯片在镀完膜以后出现大气与水汽的渗透，导致的腔面发生电化学反应或氧化造成的芯片性能失效。
实施例二：
请参阅图4，同样是分为两组，第一组为实验组，其条件是出光腔面和背光腔面均设有SiO保护层，其中出光腔面镀膜结构为SiO/Al2O3/TiO2，背光腔面镀膜结构为SiO/Al2O3/Si/Al2O3/Si，芯片随机挑选15pcs。第二组实验为对照组，其条件是无SiO保护层，其中出光腔面镀膜结构为Al2O3/TiO2，背光腔面镀膜结构为Al2O3/Si/Al2O3/Si，芯片随机挑选15pcs。在15pcs合格芯片中随机挑选芯片出光、性能、外观正常的产品各1pcs，对芯片出光腔面及背光腔面进行SEM形貌分析，SEM精度放大到50000倍，对比产品外观形貌，如图4所示。从外观形貌可以看出，有SiO保护的实验，出光面和背光面形貌明显优于正常对照组，膜层晶粒度较小，粗糙度低，表面平整，而正常对照组表面形貌粗糙，晶粒粗大，柱状晶结构明显，对于SiO保护层实验能有效保护腔面防止腔面出现氧化异常，导致产品性能的失效。
实施例三：
请参阅图5，同样是分为两组，第一组为实验组，其条件是出光腔面和背光腔面均设有SiO保护层，其中出光腔面镀膜结构为SiO/Al2O3/TiO2，背光腔面镀膜结构为SiO/Al2O3/Si/Al2O3/Si，芯片随机挑选20pcs。第二组实验为对照组，其条件是无SiO保护层，其中出光腔面镀膜结构为Al2O3/TiO2，背光腔面镀膜结构为Al2O3/Si/Al2O3/Si，芯片随机挑选20pcs。将两组芯片封装TO后进行老化48小时，老化条件为：温度100℃，电流100mA，时间48H。将老化后的产品释放相同电压，电压起始300V，以步进100V依次增长，模仿静电击伤，随着电压升高，产品开始失效，主要表现为Ith变化超过20％为失效，实验结果如图5所示，有SiO保护层的实验在900V均能保证无异常，1000V开始出现90％良率，后开始大批量失效，而正常对比实验组500V无法100％全部通过，表明SiO保护层实验能提升产品的抗静电效果。
本发明实施例提供一种半导体激光器，包括上述的芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体1。在本实施例中，将上述的芯片腔体1的加工方法加工得到的芯片腔体1用在现有的半导体激光器中，可以使本半导体激光器具备芯片腔体1的特性，这里就不再赘述。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (10)

1.一种芯片腔体的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1，先对芯片腔体进行烘烤；
S2，待烘烤完成后，再对芯片腔体的出光腔面进行第一次离子清洗；
S3，待清洗完成后，于所述出光腔面上镀高透膜，所述高透膜至少包括覆盖在所述出光腔面上的第一SiO保护层；
S4，待镀膜完成后，再对芯片腔面的背光腔面进行第二次离子清洗；
S5，待清洗完成后，于所述背光腔面上镀高反膜，所述高反膜至少包括覆盖在所述背光腔面上的第二SiO保护层。
2.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：在所述S3步骤中，所述高透膜还包括依次镀在所述第一SiO保护层上的第一Al2O3保护层和TiO2保护层。
3.如权利要求2所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：所述第一SiO保护层的厚度在40～100nm之间，所述第一Al2O3保护层的厚度在70～90nm之间，所述TiO2保护层的厚度在110～130nm之间。
4.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：在所述S3步骤中，所述高反膜还包括依次镀在所述第二SiO保护层上的第二Al2O3保护层、第一Si保护层、第三Al2O3保护层以及第二Si保护层。
5.如权利要求4所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：所述第二SiO保护层的厚度在40～100nm之间，所述第二Al2O3保护层的厚度在140～160nm之间，所述第一Si保护层的厚度在70～90nm之间，所述第三Al2O3保护层的厚度在190～210nm之间，所述第二Si保护层的厚度在90～110nm之间。
6.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：在所述S3步骤和所述S5步骤中，所述第一SiO保护层和所述第二SiO保护层在632nm波段折射率均需在1.85～1.95之间。
7.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：在所述S1步骤中，将待端面镀膜的Wafer进行解条夹条，减少Bar条在空气中的暴露时间并快速进蒸发镀膜设备抽真空，腔体加热至200～230℃。
8.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于，在所述S2步骤和所述S4步骤中，进行的两次离子清洗具体为：在真空度达到1.5～5.0×10-6Torr之间时，用等离子体处理出光腔面和背光腔面，其中Vecoo的Hall离子源通氩气，离子源阳极电压控制为80-150V，阳极电流控制为2～4A，处理时间为60～200s。
9.如权利要求1所述的芯片腔体的加工方法，其特征在于：在所述S3步骤和所述S5步骤中，采用E-Beam蒸发镀膜，其中，离子源能量为100V/3A，离子源气体Ar气，SiO镀率3.5A/s，Al2O3和Si镀率3A/s。
10.一种半导体激光器，其特征在于：包括如权利要求1-9任一所述的芯片腔体的加工方法制得的芯片腔体。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113422289A (zh) * 2021-05-21 2021-09-21 湖北光安伦芯片有限公司 通信激光器半导体芯片及其制作方法
CN113699488A (zh) * 2021-07-26 2021-11-26 湖北光安伦芯片有限公司 一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法
CN113981380A (zh) * 2021-08-24 2022-01-28 湖北光安伦芯片有限公司 一种激光器及其镀膜方法
CN114231896A (zh) * 2021-12-16 2022-03-25 武汉光安伦光电技术有限公司 半导体芯片腔面ZrAlO膜系加工的工艺方法
CN114231910A (zh) * 2021-12-20 2022-03-25 武汉光安伦光电技术有限公司 一种用于芯片腔面镀膜的方法及半导体激光器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349389A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置
CN1400698A (zh) * 2002-08-23 2003-03-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种用于半导体激光器腔面反射涂层的结构
CN1670254A (zh) * 2005-04-30 2005-09-21 北京工业大学 一种半导体激光器腔面钝化的方法
US20070177646A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser diode
CN101820134A (zh) * 2010-04-21 2010-09-01 中国科学院半导体研究所 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法
CN109066287A (zh) * 2018-09-26 2018-12-21 山西飞虹激光科技有限公司 半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000349389A (ja) * 1999-06-02 2000-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd 発光装置
CN1400698A (zh) * 2002-08-23 2003-03-05 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种用于半导体激光器腔面反射涂层的结构
CN1670254A (zh) * 2005-04-30 2005-09-21 北京工业大学 一种半导体激光器腔面钝化的方法
US20070177646A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser diode
CN101820134A (zh) * 2010-04-21 2010-09-01 中国科学院半导体研究所 一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法
CN109066287A (zh) * 2018-09-26 2018-12-21 山西飞虹激光科技有限公司 半导体激光器腔面的钝化方法及半导体激光器

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113422289A (zh) * 2021-05-21 2021-09-21 湖北光安伦芯片有限公司 通信激光器半导体芯片及其制作方法
CN113422289B (zh) * 2021-05-21 2022-07-08 湖北光安伦芯片有限公司 通信激光器半导体芯片及其制作方法
CN113699488A (zh) * 2021-07-26 2021-11-26 湖北光安伦芯片有限公司 一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法
CN113699488B (zh) * 2021-07-26 2023-07-14 湖北光安伦芯片有限公司 一种半导体激光器芯片腔面的镀膜方法
CN113981380A (zh) * 2021-08-24 2022-01-28 湖北光安伦芯片有限公司 一种激光器及其镀膜方法
CN113981380B (zh) * 2021-08-24 2023-12-05 湖北光安伦芯片有限公司 一种激光器及其镀膜方法
CN114231896A (zh) * 2021-12-16 2022-03-25 武汉光安伦光电技术有限公司 半导体芯片腔面ZrAlO膜系加工的工艺方法
CN114231896B (zh) * 2021-12-16 2024-02-20 武汉光安伦光电技术有限公司 半导体芯片腔面ZrAlO膜系加工的工艺方法
CN114231910A (zh) * 2021-12-20 2022-03-25 武汉光安伦光电技术有限公司 一种用于芯片腔面镀膜的方法及半导体激光器
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