CN112352064A - 用于平板处理设备的温度控制基座 - Google Patents

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苏希尔·安瓦尔
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Abstract

本文所述的实施方式提供改善沉积膜层或蚀刻膜层的一致性的基板支撑组件。每个基板支撑组件包括单流向流体与双流向流体中的一者，通过基板支撑件的底板使多余的热量可被移除，和/或将将热量提供至基板支撑件以维持预定的支撑件温度。预定的支撑件温度是基于工艺参数而设置的温度，使得在处理期间，基板的均匀温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。

Description

用于平板处理设备的温度控制基座
技术领域
本公开内容的实施方式大致涉及处理腔室，例如为等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)腔室。更确切的说，本公开内容的实施方式是涉及用于处理腔室的基板支撑组件。
背景技术
化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)与等离子体增强化学气相沉积大体用于在基板上沉积薄膜，例如是用于平板显示器的透明基板。化学气相沉积与等离子体增强化学气相沉积一般是通过将前驱物气体或气体混和物导入含有基板的真空腔室中而完成。前驱物气体或气体混和物通常是往下导引，而通过位于腔室顶部附近的扩散器(diffuser)。扩散器摆设在基板上方，而基板则位于加热的基板支撑件上方一小段距离的位置，使得扩散器与前驱物气体或气体混和物可通过来自基板支撑件的辐射热而被加热。基板支撑件是被加热到一个预定的温度，用以将基板加热到所需的温度范围中。在等离子体增强化学气相沉积的期间，是通过从耦接至腔室的一个或多个射频源而施加射频功率到腔室中，以将腔室内的前驱物气体或气体混和物通电(例如，激发)形成等离子体。在一个处理温度的范围内，已激发的前驱物气体或气体混和物会进行反应而在基板的表面上形成材料膜层。基板位于加热的基板支撑件上，而反应期间所产生的挥发性副产物(by-products)则通过排气系统以从腔室中抽离。
由化学气相沉积与等离子体增强化学气相沉积处理进行处理的平板一般较为大型，通常都超过370毫米××470毫米。因此，特别是与200毫米与300毫米的半导体晶片处理所使用的基板支撑件相比，是运用内嵌电阻加热元件(resistive heating elements)的基板支撑件而将尺寸相对较大的基板加热至所需的温度范围中。然而，在处理期间由于等离子体的强度，电阻式加热的基板支撑件的温度会上升，且电阻式加热的基板支撑件的温度分布变得不均匀，导致基板的温度超出所需的温度范围外以及基板的不均匀温度分布。基板的温度超出所需的温度范围外以及基板的不均匀温度分布造成沉积的膜层具有不一致的厚度。
因此，具有将基板支撑组件进行改良的需求，以改善沉积膜层或待蚀刻膜层的一致性。
发明内容
在一个实施方式中，提出一种支撑组件。支撑组件包括底板、中间板与顶板。底板包括供应管道(supply channel)，具有配置与热交换器(heat exchanger)的流体供应导管(fluid supply conduit)可耦接的供应入口(supply inlet)；回流管道(returnchannel)，具有配置与热交换器的流体回流导管(fluid return conduit)可耦接的回流出口(return outlet)；流体耦接至供应管道的一对供应旁通管道(supply bypasschannel)；流体耦接至回流管道的一对回流旁通管道(return bypass channel)；多个卷绕导管(coiled conduits)；以及穿过底板设置的气体通道(gas passage)的第一部分。每个卷绕导管包括连接至供应旁通管道中的一者的卷绕管道入口，以及连接回流旁通管道中的一者的卷绕管道出口。中间板设置在底板与顶板之间。顶板包括可操作以支撑基板的表面；多个气体管道(gas channel)，每个气体管道具有暴露在表面上的销(pin)；以及喷射器歧管(ejector manifold)，耦接至每个气体管道以及耦接至穿过中间板设置的气体通道的第二部分，气体通道。
在另一个实施方式中，提出一种支撑组件。支撑组件包括底板，以及耦接至底板的顶板。顶板包括可操作以支撑基板的表面。底板包括供应管道，具有配置与热交换器的流体供应导管可耦接的供应入口；一对回流旁通管道，通过导管的导管出口而流体耦接至供应管道，其中导管具有耦接至供应管道的导管入口；以及耦接至回流旁通管道的一对回流管道。每个回流管道具有配置与热交换器的流体回流导管可耦接的回流出口。
在又一个实施方式中，提出一种腔室。此腔室包括扩散板(diffuser plate)，具有穿过其设置的多个气体通道；耦接至扩散板的射频功率源；以及相对于扩散板设置的支撑组件。支撑组件包括底板、中间板以及顶板。底板包括供应管道，具有配置与热交换器的流体供应导管可耦接的供应入口；回流管道，具有配置与热交换器的流体回流导管可耦接的回流出口；流体耦接至供应管道的一对供应旁通管道；流体耦接至回流管道的一对回流旁通管道；多个卷绕导管；以及穿过底板设置的气体通道的第一部分。每个卷绕导管包括连接至供应旁通管道中的一者的卷绕管道入口，以及连接至回流旁通管道中的一者的卷绕管道出口。中间板设置在底板与顶板之间。顶板包括可操作以支撑基板的表面；多个气体管道，每个气体管道具有暴露在表面上的销；以及喷射器歧管，耦接至每个气体管道以及耦接至穿过中间板设置的气体通道的第二部分，气体通道。
附图说明
为了可以理解本公开内容的上述特征的细节，通过参照一些绘示在附图内的实施方式，可得到本公开内容(简单总结于上)的更确切的描述。然而，应当注意的是这些附图仅绘示出例示性的实施方式，因此不应当被视为限制其范围，并容许其他等效的实施方式。
图1为一实施方式中等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统的一个实施方式的示意截面图。
图2A为一实施方式中基板支撑组件的顶部展开视图，以及图2B为基板支撑组件的底部展开视图。
图2C为一实施方式中基板支撑组件的负(negative)透视图。
图2D与图2E为一实施方式中基板支撑组件的负透视放大图。
图2F至图2H为一实施方式中基板支撑组件的示意截面图。
图3A为一实施方式中基板支撑组件的顶部展开视图。
图3B为一实施方式中基板支撑组件的温度控制系统的负透视图。
为了便于理解，在可能的情况下使用相同的附图标记来表示附图中共有的相同元件。可预期到的是，一个实施方式中的元件以及特征可以有益地结合至其他实施方式中，而无须进一步的叙述。
具体实施方式
本文中所述的实施方式提出可改善沉积膜层，或待蚀刻膜层的一致性的基板支撑组件。每个基板支撑组件包括单流向流体与双流向流体中的一者，流体通过基板支撑件的底板使多余的热量可被移除，和/或将热量提供至基板支撑件以维持预定的支撑件温度。预定的支撑件温度是基于工艺参数而设置的温度，使得在处理期间，基板的均匀温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。
图1为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)腔室100的一个实施方式的示意截面图，可购自位于圣克拉拉(加利福尼亚州)的应用材料公司。应当理解的是，以下所述的系统为例示性的腔室，也可使用或改良其他腔室，包括来自其他制造商的其他腔室以实现本公开内容的各方面。腔室100包括腔室本体102、基板支撑组件104、以及气体分布组件106。气体分布组件106是相对于基板支撑组件104设置，并在两者之间限定出处理空间108。
气体分布组件106是配置以将气体均匀地分配至腔室100中的处理空间108，以便于将膜层沉积在基板110上或从基板110将膜层进行蚀刻，而基板110是设置在基板支撑组件104的基板支撑件112上。气体分布组件106包括从背板103悬挂的扩散板105。多个气体通道(未绘示)穿过扩散板105而形成，使得预定的均匀气体分布可通过气体分布组件106而进入处理空间108中。背板103将扩散板105保持在与背板103的底表面115间隔开的关系中，而因此在两者之间限定出气室113。背板103包括耦接至歧管109的气体入口通道107，歧管109可耦接至一个或多个气体源111。气室113使得气体能流过气体入口通道107，以在扩散板105的宽度上进行均匀地分配，以致于具有均匀分布的气流可流过扩散板105的气体通道。
在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，热交换器117与扩散板105的流体管道(未绘示)流体连通。热交换器117通过流体出口导管119与流体入口导管123而与流体管道流体连通。流体出口导管119连接至扩散器流体管道的入口121，而流体入口导管123则连接至流体管道的出口125，使得多余的热量可被移除，和/或将热量提供至扩散板105以维持一个预定的扩散器温度。预定的扩散器温度可以基于工艺参数而设置。流体可包括将温度维持在约50摄氏度至约450摄氏度的材料。
气体分布组件106耦接至射频(RF)功率源127，而射频功率源127是用于产生处理基板110所用的等离子体。基板支撑组件104通常是接地的，使得射频功率从射频功率源127供应至气体分布组件106，以在扩散板105与基板支撑件112之间提供电容耦合。当射频功率被供应至扩散板105时，在扩散板105与基板支撑件112之间会产生电场，使得存在于基板支撑件112与扩散板105之间的处理空间108中的气体原子被电离而释放出电子。
基板支撑组件104至少部分地设置在腔室本体102内。在处理期间，基板支撑组件104支撑基板110。基板支撑组件104包括基板支撑件112。基板支撑件112可由铝(aluminum,Al)或是阳极氧化铝(anodized Al)所制成。基板支撑件112具有用于安装杆118的下表面114，以及用于支撑基板110的上表面116。杆118具有基板支撑组件104的导管所用的通道120。杆118将基板支撑组件104耦接至升举系统(未绘示)，可将基板支撑组件104在处理位置(如图所示)与传送位置之间进行移动，以利于基板从腔室本体102的狭缝阀(slitvalve)129传送进出腔室100。
基板支撑组件104包括温度控制系统142(如图2A至图3B中所示)。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，基板支撑组件104包括基板支撑组件104包括温度控制系统142与升举系统(liftoff system)144(如图2A至图2H中所示)。温度控制系统142包括耦接至热交换器124的至少一个流体管道(如图2A至图3B中所示)。热交换器124是通过连接到至少一个流体管道的入口(如图2A至图3B中所示)的流体供应导管126，以及通过连接到至少一个流体管道的出口(如图2A至图3B中所示)的流体回流导管128，而连接到此至少一个流体管道。热交换器124将流体循环通过基板支撑组件104，使得多余的热量可被移除，和/或将热量提供至基板支撑件112以维持预定的支撑件温度。预定的支撑件温度可基于工艺参数而设置，使得在处理期间基板110的均匀温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。流体可包括将温度维持在约50摄氏度至约450摄氏度的材料。
升举系统144包括耦接至歧管130的多个气体管道(如图2A至图2H中所示)。每个气体管道包括暴露至基板支撑件112的上表面116的销(如图2A至图2H中所示)。歧管130耦接至升举气体输送槽132。升举气体输送槽132能够将升举气体输送至歧管130，并通过气体通道140而进入多个气体管道中。升举系统144进一步包括连接至歧管130的真空泵134。真空泵134能够通过歧管130，以及与多个气体管道流体连通的气体通道140而产生吸力。流过多个销的升举气体使基板110能够推离基板支撑件112的上表面116。而通过多个销所产生的吸力使基板110能够固持在基板支撑件112的上表面116上。
控制器146耦接至腔室100并配置以在处理期间控制腔室100的各方面。控制器146可包括中央处理器(CPU)(未绘示)、存储器(未绘示)、支持电路(或输入输出单元I/O)(未绘示)。中央处理器可以是任何形式的计算机处理器中的一者，这些计算机处理器是用在工业装置(Industrial settings)中，以控制各种处理与硬件(例如，马达或其他硬件)以及监视处理(例如，流体与升举气体的流速)。存储器(未绘示)连接至中央处理器，并可以是一个或多个方便获取的存储器(readily available memory)，例如随机存取存储器(randomaccess memory,RAM)、只读存储器(read only memory,ROM)、软盘(floppy disk)、硬盘(hard disk)、或是任何其他形式的数字存储装置(本地或远程)。可将软件指令与数据编码并存入存储器中以指示中央处理器。支持电路也连接至中央处理器并以传统的方式用于支持处理器。支持电路可包括传统的高速缓存(cache)、电源、时钟电路(clock circuits)、输入/输出电路(input/output circuitry)、子系统(subsystem)、以及其类似物。控制器146可读的程序(或计算机指令)决定腔室100可执行的任务。程序可以是控制器146可读的软件，并可包括一些指令以监视与控制例如是预定的支撑件温度、基板110的固持、以及基板110的升举。
图2A为基板支撑组件104的顶部展开视图，而图2B为基板支撑组件的底部展开视图，基板支撑组件104包括温度控制系统142与升举系统144。图2C为基板支撑组件104的负透视图。图2D与图2E为基板支撑组件104的负透视放大图。图2F至图2H为基板支撑组件104的示意截面图。基板支撑组件104包括基板支撑件112。基板支撑组件104包括具有底板204、中间板206、顶板208以及杆118的基板支撑件112。顶板208包括上表面116，而底板204包括下表面114。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，中间板206至少是铸造(cast)、焊接(braze)、锻造(forge)、热等静压(hot iso-statically pressed)与烧结(sinter)至底板204的其中一者。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，顶板208至少是铸造、焊接、锻造、热等静压、与烧结至底板204的其中一者。底板204具有厚度201，中间板具有厚度203，而顶板208具有厚度205。
如图2A所示，在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，底板204的温度控制系统142具有设置在其中的流体管道210。流体管道210是彼此流体连通的多个卷绕导管212的单一管道。多个卷绕导管212中的每个都具有一个匝。热交换器124是通过连接至流体管道210的供应入口214的流体供应导管126，以及通过连接至流体管道210的回流出口216的流体回流导管128，而流体连通至流体管道210。在流体管道210的实施方式中，多个卷绕导管212的其中一个卷绕导管具有供应入口214以及回流出口216。热交换器124通过流体管道210将流体以单一流向进行循环，使多余的热量可被移除，和/或将热量提供至基板支撑件112以维持预定的支撑件温度。预定的温度可以是基于工艺参数而设置的温度，使得在处理期间基板均匀的温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，温度控制系统包括耦接至控制器146的多个热电偶(thermocouple)218，用以决定基板支撑件112的温度。耦接至热电偶218以及热交换器124的控制器146可操作以监视与控制进入流体管道210的流体循环以及流体温度。
底板204进一步包括气体通道140的第一部分，对准于位在中间板206的气体通道140的第二部分。中间板206将底板204与顶板208分离。升举系统144包括设置在顶板208中的多个气体管道220。多个气体管道220中的每个包括暴露至基板支撑件112的上表面116的销222。多个气体管道220中的每个流体耦接至喷射器歧管224，而喷射器歧管224与耦接至歧管130的气体通道140流体连通。歧管130耦接至升举气体输送槽132，升举气体输送槽132能够将升举气体输送至歧管130，通过气体通道140而进入喷射器歧管224，并通过多个气体管道220与暴露至基板支撑件112的上表面116的销222。真空泵134能够通过气体通道140至喷射器歧管224，并通过多个气体管道220与暴露在基板支撑件112的上表面116的销222而产生吸力。流过多个销222的升举气体使基板110能够推离基板支撑件112的上表面116。而通过多个销所产生的吸力使基板110能够固持在基板支撑件112的上表面116上。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，顶板208包括密封件229(例如，O型环)以维持腔室100的处理空间108内的压力。
在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中(如图2C至图2H所示)，底板204的温度控制系统142具有设置在其中的流体管道组件226。流体管道组件226包括具有供应入口214的供应管道228。供应管道228流体耦接至一对供应旁通管道230。流体管道组件226包括具有回流出口216的回流管道232。回流管道232流体耦接至一对回流旁通管道234。多个卷绕导管212中的每个卷绕导管具有连接至其中一个供应旁通管道230的卷绕管道入口236，以及连接至其中一个回流旁通管道234的卷绕管道出口238。热交换器124通过流体供应导管126至供应管道228再进入供应旁通管道230，通过多个卷绕导管212至回流旁通管道234再进入回流管道232，并通过流体回流导管128回到热交换器124而将流体进行循环。热交换器124通过流体管道组件226将流体以双向流向进行循环，使多余的热量可被移除，和/或将热量提供至基板支撑件112以维持预定的支撑件温度。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，温度控制系统142包括耦接至控制器146的多个热电偶218，用以决定基板支撑件112的温度。耦接至热电偶218以及热交换器124的控制器146，可操作以监视与控制进入流体管道组件226的流体循环以及流体温度。
图3A为包括温度控制系统142的基板支撑组件104的顶部展开视图。图3B为基板支撑组件104的温度控制系统142的负透视图。基板支撑组件104包括具有底板304、顶板308以及杆118的基板支撑件112。顶板308包括上表面116而底板304包括下表面114。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，顶板308至少是铸造、焊接、锻造、热等静压、与烧结至底板304的其中一者。底板304具有厚度301而顶板308则具有厚度305。
如图2A所示，在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，底板304的温度控制系统142具有设置在其中的流体管道210。流体管道210为彼此流体连通的多个卷绕导管212的单一管道。多个卷绕导管212中的每个具有一个匝。热交换器124是通过连接至流体管道210的供应入口214的流体供应导管126，以及通过连接至流体管道210的回流出口216的流体回流导管128，而与流体管道210流体连通。在流体管道210的实施方式中，多个卷绕导管212的其中一个卷绕导管具有供应入口214以及回流出口216。热交换器124通过流体管道210将流体以单一流向进行循环，使多余的热量可被移除和/或将热量提供至基板支撑件112以维持预定的支撑件温度。预定的温度可以是基于工艺参数而设置的温度，使得在处理过期间基板均匀的温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。
如图3A至图3B所示，在可与本文中其他实施方式结合的另一个实施方式中，底板304的温度控制系统142具有设置在其中的流体管道组件326。流体管道组件326包括具有供应入口214的供应管道328。供应管道328通过导管312的导管出口338而流体耦接至一对回流旁通管道334，导管312具有耦接至供应管道328的导管入口336。每个回流旁通管道334耦接至具有回流出口216的回流管道332。
热交换器124通过流体供应导管126至供应管道328，通过多个导管312至回流旁通管道334再进入回流管道332，并通过流体回流导管128回到热交换器124而将流体进行循环。热交换器124通过流体管道组件326将流体以双向流向进行循环，使多余的热量可被移除和/或将热量提供至基板支撑件112以维持预定的支撑件温度。在可与本文中其他实施方式结合的一个实施方式中，温度控制系统142包括耦接至控制器146的多个热电偶218，用以决定基板支撑件112的温度。耦接至热电偶218以及热交换器124的控制器146，可操作以监视与控制进入流体管道组件226的流体循环以及流体温度。
总结以上，本文描述可改善沉积膜层或待蚀刻膜层的一致性的基板支撑组件。每个基板支撑组件包括单流向流体与双流向流体的其中一者，通过基板支撑件的底板使多余的热量可被移除和/或将热量提供至基板支撑件以维持预定的支撑件温度。预定的支撑件温度可以是基于工艺参数而设置的温度，使得在处理期间基板均匀的温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。
虽然前述涉及本公开内容的示例，但在不背离本公开内容的基本范围下可设计本公开内容的其他与进一步的示例，而本公开内容的范围则由随附的权利要求书所决定。

Claims (15)

1.一种支撑组件，包括：
底板，所述底板包括：
供应管道，具有配置与热交换器的流体供应导管可耦接的供应入口；
回流管道，具有配置与所述热交换器的流体回流导管可耦接的回流出口；
一对供应旁通管道，流体耦接至所述供应管道；
一对回流旁通管道，流体耦接至所述回流管道；
多个卷绕导管，所述卷绕导管的每个包括：
卷绕管道入口，连接至所述供应旁通管道中的一者；和
卷绕管道出口，连接至所述回流旁通管道中的一者；和
气体通道的第一部分，穿过所述底板而设置；和
中间板，设置在所述底板与顶板之间，所述顶板包括：
表面，可操作以支撑基板；
多个气体管道，所述气体管道的每个具有暴露在所述表面上的销；和
喷射器歧管，耦接至所述气体管道的每个以及耦接至穿过所述中间板设置的所述气体通道的第二部分，所述气体通道。
2.根据权利要求1所述的组件，其中当所述热交换器与所述供应管道以及所述回流管道耦接时，所述热交换器可操作以从所述流体供应导管通过所述供应管道、所述供应旁通管道、所述多个卷绕导管、所述回流旁通管道、所述回流管道，并通过所述流体回流导管回到所述热交换器而将流体进行循环。
3.根据权利要求2所述的组件，其中耦接至所述热交换器的控制器可操作以控制所述流体的循环，而维持预定支撑件温度。
4.根据权利要求3所述的组件，其中设置在所述底板内的热电偶是耦接至所述控制器。
5.根据权利要求1所述的组件，其中所述中间板至少是铸造、焊接、锻造、热等静压、与烧结至所述底板的其中一者。
6.根据权利要求1所述的组件，其中所述顶板至少是铸造、焊接、锻造、热等静压、与烧结至所述中间板的其中一者。
7.根据权利要求1所述的组件，其中所述中间板将所述底板从所述顶板分离。
8.根据权利要求1所述的组件，其中所述气体通道是耦接至歧管，且其中：
升举气体输送槽，耦接至所述歧管，所述升举气体输送槽可操作以将升举气体输送通过所述气体通道、所述喷射器歧管、所述多个气体管道，以及所述销以将基板从所述顶板的所述表面推离；和
真空泵，耦接至所述歧管，所述真空泵可操作以通过所述气体通道、所述喷射器歧管、所述多个气体管道，以及所述销而产生吸力，以将基板固持在所述顶板的所述表面上。
9.根据权利要求1所述的组件，其中在处理腔室内，所述支撑组件可相对于设置在所述腔室内的扩散板而设置。
10.一种支撑组件，包括：
底板，所述底板包括：
供应管道，具有配置与热交换器的流体供应导管可耦接的供应入口；
一对回流旁通管道，通过导管的导管出口而流体耦接至所述供应管道，所述导管具有耦接至所述供应管道的导管入口；和
一对回流管道，耦接至所述回流旁通管道，其中所述回流管道的每个具有配置与所述热交换器的流体回流导管可耦接的回流出口；和
顶板，耦接至所述底板，所述顶板具有可操作以支撑基板的表面。
11.根据权利要求10所述的组件，其中当所述热交换器与所述供应管道以及所述回流管道耦接时，所述热交换器可操作以从所述流体供应导管通过所述供应管道、所述导管、所述回流旁通管道、所述回流管道，并通过所述热交换器回到所述流体回流导管而将流体进行循环。
12.根据权利要求11所述的组件，其中耦接至所述热交换器的控制器可操作以控制所述流体的循环，而维持预定支撑件温度。
13.根据权利要求12所述的组件，其中设置在所述底板内的热电偶是耦接至所述控制器。
14.根据权利要求10所述的组件，其中所述顶板至少是铸造、焊接、锻造、热等静压、与烧结至所述底板的其中一者。
15.一种腔室，包括：
扩散板，具有设置通过所述扩散板的多个气体通道；
射频(RF)功率源，耦接至所述扩散板；
支撑组件，设置相对于所述扩散板，所述支撑组件包括：
底板，所述底板包括：
供应管道，具有配置与热交换器的流体供应导管可耦接的供应入口；
回流管道，具有配置与所述热交换器的流体回流导管可耦接的回流出口；
一对供应旁通管道，流体耦接至所述供应管道；
一对回流旁通管道，流体耦接至所述回流管道；
多个卷绕导管，所述卷绕导管的每个包括：
卷绕管道入口，连接至所述供应旁通管道中的一者；
卷绕管道出口，连接至所述回流旁通管道中的一者；和
气体通道的第一部分，穿过所述底板而设置；和
中间板，设置在所述底板与顶板之间，所述顶板包括：
表面，可操作以支撑基板；
多个气体管道，所述气体管道的每个具有暴露在所述表面上的销；和
喷射器歧管，耦接至所述气体管道的每个以及耦接至穿过所述中间板设置的所述气体通道的第二部分，所述气体通道。
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