CN112351599B

CN112351599B - 通孔填充方法、装置、设备及计算机可读存储介质

Info

Publication number: CN112351599B
Application number: CN202011200450.7A
Authority: CN
Inventors: 任万东; 于上家
Original assignee: Qingdao Goertek Microelectronic Research Institute Co ltd
Current assignee: Qingdao Goertek Microelectronic Research Institute Co ltd
Priority date: 2020-10-30
Filing date: 2020-10-30
Publication date: 2022-03-25
Anticipated expiration: 2040-10-30
Also published as: CN112351599A

Abstract

本发明公开了一种通孔填充方法，包括：确定通孔的填充体积，并基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数；基于所述个数，向所述通孔抛入所述锡球，并通过回流焊技术，对所述锡球进行处理；若接收到处理完成指令，则确定所述通孔是否被充分填充。本发明还提供了一种通孔填充方法、装置、设备及计算机可读存储介质。本发明根据通孔的填充体积决定抛入通孔的锡球个数，使得锡球经过回流焊处理之后充分填充通孔，能够有效避免填充物质溢出通孔的情况，减少对天线信号的干扰。

Description

通孔填充方法、装置、设备及计算机可读存储介质

技术领域

本发明涉及天线工艺技术领域，尤其涉及一种通孔填充方法、装置、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

随着现代无线通信技术的高速发展，高性能、大容量的无线通信技术已成为业内研究的热点，而天线是无线通信中不可或缺的组成部分。在设计天线时，需确保天线基板的通孔、塑封体(TMV)孔、底层基板表面的铜垫(Cu pad)在一条直线上，并且要让天线基板通孔孔壁的铜箔与底层基板表面的铜垫通过塑封体连接并导电，才能传输天线信号。为了让天线基板和底层基板连接导电，需要往通孔中填充导电物质，以充分填充通孔。

而现如今是通过往通孔灌银浆的方式，使天线基板通孔的铜箔与底层基板上的铜垫连接导电，但天线的通孔小而深，而且往通孔灌入的银浆量难以控制，很容易造成银浆溢出，而银浆溢出会导致天线基板通孔表面的银浆与相邻铜线之间的距离较近，容易干扰天线信号的传输。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种通孔填充方法、装置、设备及计算机可读存储介质，旨在有效避免填充物质溢出通孔的情况，减少对天线信号的干扰。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种通孔填充方法，所述通孔填充方法包括如下步骤：

确定通孔的填充体积，并基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数；

基于所述个数，向所述通孔抛入所述锡球，并通过回流焊技术，对所述锡球进行处理；

若接收到处理完成指令，则确定所述通孔是否被充分填充。

可选地，所述基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数的步骤包括：

获取抛入所述通孔的锡球对应的单球体积，并基于所述单球体积和预设熔化系数，确定单个锡球对应的熔化体积；

计算所述填充体积与所述熔化体积的比值，并提取所述比值的整数部分；

确定所述整数部分对应的整数为所述锡球的个数。

可选地所述通过回流焊技术，对所述锡球进行处理的步骤包括：

将所述通孔放置于回流焊炉中，并设置所述锡球在所述回流焊炉中的温度变化曲线；

基于所述温度变化曲线，控制所述通孔依次进入所述回流焊炉的多个温区，并在各所述温区中，对所述锡球进行处理。

可选地，所述在各所述温区中，对所述锡球进行处理的步骤包括：

当所述通孔进入所述温区的预热区时，基于所述温度变化曲线，对所述锡球进行预热处理；

当所述通孔进入所述温区的保温区时，基于所述温度变化曲线，对所述锡球进行保温处理；

当所述通孔进入所述温区的回流区时，基于所述温度变化曲线，使所述锡球完全熔化，得到对应的液体锡；

当所述通孔进入所述温区的冷却区时，使所述液体锡冷却凝固，得到对应的第一固体锡。

可选地，所述确定所述通孔是否被充分填充的步骤包括：

通过预设激光技术，得到所述通孔的透视图，并基于所述透视图，确定所述通孔与所述第一固体锡的连接情况；

基于所述连接情况，确定所述通孔是否被充分填充。

可选地，所述确定所述通孔是否被充分填充的步骤之后，所述通孔填充方法还包括：

若确定所述通孔未被充分填充，则向所述通孔再抛入一个填充锡球，并通过所述回流焊技术，对所述填充锡球进行处理，得到对应的第二固体锡；

通过预设激光技术，得到所述通孔的透视图，并基于所述透视图，确定所述通孔是否与所述第二固体锡充分连接；

若是，则确定所述通孔被充分填充。

可选地，所述确定通孔的填充体积的步骤包括：

获取所述通孔的底部半径和需要填充的深度，并基于所述底部半径，计算所述通孔底部的填充面积；

基于所述深度和所述填充面积，确定所述通孔的填充体积。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种通孔填充装置，所述通孔填充装置包括：

第一确定模块，用于确定通孔的填充体积，并基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数；

回流处理模块，用于基于所述个数，向所述通孔抛入所述锡球，并通过回流焊技术，对所述锡球进行处理；

第二确定模块，用于若接收到处理完成指令，则确定所述通孔是否被充分填充。

可选地，所述第一确定模块还用于：

确定所述整数部分对应的整数为所述锡球的个数。

可选地，所述回流处理模块还用于：

可选地，所述第二确定模块还用于：

基于所述连接情况，确定所述通孔是否被充分填充。

可选地，所述通孔填充装置还包括再次确定模块，所述再次确定模块用于：

若是，则确定所述通孔被充分填充。

可选地，所述第一确定模块还用于：

基于所述深度和所述填充面积，确定所述通孔的填充体积。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种通孔填充系统，所述通孔填充系统包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的通孔填充程序，所述通孔填充程序被所述处理器执行时实现如上所述的通孔填充方法的步骤。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有通孔填充程序，所述通孔填充程序被处理器执行时实现如上所述的通孔填充方法的步骤。

本发明提出的通孔填充方法，通过确定通孔的填充体积，并基于填充体积，确定抛入通孔的锡球对应的个数；根据确定的个数，向通孔抛入锡球，并通过回流焊技术，对锡球进行处理；若接收到处理完成指令，则确定通孔是否被充分填充。本发明根据通孔的填充体积决定抛入通孔的锡球个数，使得锡球经过回流焊处理之后充分填充通孔，能够有效避免填充物质溢出通孔的情况，减少对天线信号的干扰。

附图说明

图1为本发明通孔填充方法实施例方案涉及的硬件运行环境的结构示意图；

图2为本发明通孔填充方法第一实施例的流程示意图；

图3为本发明通孔填充装置较佳实施例的功能模块示意图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

如图1所示，图1是本发明实施例方案涉及的硬件运行环境的系统结构示意图。

本发明实施例系统包括服务器，其中，服务器可为移动终端，或是特定的管理服务器等。

如图1所示，该系统可以包括：处理器1001，例如CPU，网络接口1004，用户接口1003，存储器1005，通信总线1002。其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。用户接口1003可以包括显示屏(Display)、输入单元比如键盘(Keyboard)，可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。存储器1005可以是高速RAM存储器，也可以是稳定的存储器(non-volatile memory)，例如磁盘存储器。存储器1005可选的还可以是独立于前述处理器1001的存储装置。

本领域技术人员可以理解，图1中示出的系统结构并不构成对系统的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

如图1所示，作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及通孔填充程序。

其中，操作系统是管理和控制通孔填充系统与软件资源的程序，支持网络通信模块、用户接口模块、通孔填充程序以及其他程序或软件的运行；网络通信模块用于管理和控制网络接口1002；用户接口模块用于管理和控制用户接口1003。

在图1所示的通孔填充系统中，所述通孔填充系统通过处理器1001调用存储器1005中存储的通孔填充程序，并执行下述通孔填充方法各个实施例中的操作。

基于上述硬件结构，提出本发明通孔填充方法实施例。

参照图2，本发明第一实施例提供一种通孔填充方法的流程示意图。该实施例中，所述通孔填充方法包括以下步骤：

步骤S10，确定通孔的填充体积，并基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数；

步骤S20，基于所述个数，向所述通孔抛入所述锡球，并通过回流焊技术，对所述锡球进行处理；

步骤S30，若接收到处理完成指令，则确定所述通孔是否被充分填充。

本实施例的通孔填充方法运用于各大天线贴装工厂的通孔填充系统中。在本实施例实施之前，通过预设穿孔技术，如激光蚀刻技术，对塑封体进行穿孔，得到塑封体通孔。在天线基板贴装后，天线基板的通孔、塑封体通孔和底层基板表面的铜垫在同一直线上，其中，本实施例的通孔包括天线基板通孔和塑封体通孔，并且塑封体通孔底部与底层基板的铜垫充分接触。本实施例要求通过往通孔抛入锡球，并通过回流焊技术对锡球进行处理之后，使得天线基板通孔孔壁上的铜箔与底层基板上的铜垫能够连接导电，而且，要求天线基板通孔表面，以及塑封体通孔底部与底层基板的接触面，不能有扩散出来的导电物质干扰天线信号，也即，抛入导电物质时，要确保导电物质不会溢出通孔。

本实施例的通孔填充系统，根据通孔的填充体积，确定抛入的锡球个数，并通过回流焊技术对锡球进行处理之后，确定通孔是否被充分填充。

以下对各个步骤进行详细说明：

在本实施例中，通孔包括天线基板通孔和塑封体通孔，通过向通孔抛入大小、形状等完全一致的锡球来填充通孔。为了使得抛入的锡球能够充分填充通孔，并确保天线基板和底层基板能够连接导电，在填充通孔时，需要先确定通孔的填充体积和抛入通孔的单个锡球体积。可以理解的，填充通孔指的是对通孔的空心部分进行填充，其中，通孔的空心部分是一个圆柱体，也即，填充的通孔部分也是一个圆柱体。为了确保在填充通孔时不会有过多的锡溢出通孔，需要根据通孔的填充体积，确定抛入锡球的个数。

需要说明的是，通孔的填充体积小于通孔的总体积，可事先通过大量的实验数据确定最小的填充体积，因此，根据通孔的填充体积，确定抛入锡球的个数，可确保锡球在后续的处理过程中不会溢出通孔。

具体的，所述确定通孔的填充体积的步骤包括：

步骤a1，获取所述通孔的底部半径和需要填充的深度，并基于所述底部半径，计算所述通孔底部的填充面积；

在本实施例中，通过预设穿孔技术给塑封体穿孔时，可设置塑封体通孔的深度和底部半径，而天线基板通孔的深度也是预先确定的。由于通孔包括天线基板通孔和塑封体通孔，因此，通孔的总深度包括天线基板通孔的深度和塑封体通孔的深度，而在具体实施时，只需要将塑封体通孔充分填充，并填充部分天线基板通孔，不需要完全填充天线基板通孔，就可确保天线基板通过塑封体通孔能与底层基板连接导电，也即，通孔需要填充的深度小于通孔的总深度。可以理解的，在通孔填充过程中，天线基板通孔孔壁上的铜箔、塑封体通孔中的锡和底层基板的铜垫连接在同一直线上，因此，填充体积只要包括天线基板通孔的部分体积，也即，经过回流焊技术处理之后，塑封体通孔中的锡只要能与天线基板的铜箔充分连接，就能确保天线基板和底层基板能够连接导电。同时，在误差允许的范围内，塑封体通孔的底部半径就是通孔的底部半径，由于通孔底部是个圆，因此，计算通孔底部的填充面积，即根据底部半径计算对应的圆面积。

具体的，计算通孔底部的填充面积的公式如下：

S_底＝πR²

其中,S_底：通孔底部的填充面积；

R:通孔的底部半径。

需要说明的是，通孔的大小可根据实际生产需求确定，而且抛入通孔的锡球大小也可以通过大量的实验数据来确定，如在实验中抛入不同半径的锡球，对通孔进行填充，并通过确定锡球熔化后是否会溢出通孔来决定适用的锡球半径，最后根据用料最少最方便原则，确定锡球对应的半径，由于要将锡球抛入通孔，所以要求锡球半径小于通孔的底部半径；而通孔需要填充的深度是在确定抛入的锡球半径之后，通过大量的实验数据确定的最小填充深度。

步骤a2，基于所述深度和所述填充面积，确定所述通孔的填充体积。

在本实施例中，深度包括塑封体通孔的深度和天线基板通孔的部分深度，由于通孔的填充部分是个圆柱体，因此通孔的填充体积可由通孔底部的填充面积和深度确定。

具体的，计算通孔的填充体积的公式如下：

V＝S_底*h

其中，V：通孔的填充体积；

h：通孔需要填充的深度。

进一步地，所述基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数的步骤包括：

步骤b1，获取抛入所述通孔的锡球对应的单球体积，并基于所述单球体积和预设熔化系数，确定单个锡球对应的熔化体积；

在本实施例中，事先根据锡球半径和球体计算公式，计算每个锡球的单球体积，预设熔化系数指的是锡球由固体变成液体过程中的体积变化系数。由于锡球在熔化过程中，体积增大，说明锡球完全熔化时，在通孔中的体积最大，因此，根据一个锡球的熔化体积和通孔的填充体积，确定抛入通孔的锡球个数，可确保在锡球完全熔化之后，也不会溢出通孔。

具体的，锡球的单球体积计算公式如下：

V_球＝4/3πr³

单个锡球的熔化体积计算公式如下：

V_熔化＝V_球*(1+β)

其中，V_球：锡球的单球体积；

r：锡球半径；

V_熔化：单个锡球完全熔化之后的熔化体积；

β：预设熔化系数。

步骤b2，计算所述填充体积与所述熔化体积的比值，并提取所述比值的整数部分；

在本实施例中，通孔的填充体积和单个锡球的熔化体积之间的比值，即为理论上可抛入通孔的锡球个数，但锡球个数是一个整数，而比值可以是整数，也可以是小数，因此，确定抛入锡球的个数，需要提取比值的整数部分。

步骤b3，确定所述整数部分对应的整数为所述锡球的个数。

在本实施例中，为了确保在回流焊技术处理过程中不会有锡溢出通孔，可确定该比值整数部分对应的整数为抛入的锡球个数。在具体实施时，若计算出通孔的填充体积和单个锡球的熔化体积的比值为7.1，可确定抛入通孔的锡球个数为7；若计算出通孔的填充体积和单个锡球的熔化体积的比值为7.8，可确定抛入通孔的锡球个数为7。

在本实施例中，为了使抛入的锡球能够充分填充通孔，在锡球抛入完毕之后，需要通过回流焊技术，对所述锡球进行处理。

具体的，所述通过回流焊技术，对所述锡球进行处理的步骤包括：

步骤c1，将所述通孔放置于回流焊炉中，并设置所述锡球在所述回流焊炉中的温度变化曲线；

在本实施例中，由于携带通孔的天线组件都是耐高温的，天线组件包括本实施例的通孔，因此，将通孔放置于回流焊炉中，也即，将天线组件放置于回流焊炉中。通过设置锡球在回流焊炉中的温度变化曲线，可使通孔中的锡球先熔化，而不会损坏其他元件，其中，温度变化曲线是锡球在回流焊炉中随着时间变化的一个温度指标。

步骤c2，基于所述温度变化曲线，控制所述通孔依次进入所述回流焊炉的多个温区，并在各所述温区中，对所述锡球进行处理。

在本实施例中，由回流焊导轨运输链条带动天线组件，使得通孔依次经过回流焊的预热区、保温区、回流区、冷却区，对锡球进行处理。在经过回流焊这四个温区的温度变化后，使锡球完成了由固态变成液态，再由液态变成固态的变化过程。

具体的，所述在各所述温区中，对所述锡球进行处理的步骤包括：

步骤d1，当所述通孔进入所述温区的预热区时，基于所述温度变化曲线，对所述锡球进行预热处理；

在本实施例中，根据温度变化曲线，对锡球进行预热处理，主要是在回流温度下，通过不断升温，对整个天线组件进行预热，但升温速率要控制在适当范围以内。

步骤d2，当所述通孔进入所述温区的保温区时，基于所述温度变化曲线，对所述锡球进行保温处理；

在本实施例中，保温区的作用是使整个天线组件都能达到均匀的温度，减少进入回流区的热应力冲击，根据温度变化曲线设置的温度和时间，对锡球进行保温处理，使锡球进一步熔化。

步骤d3，当所述通孔进入所述温区的回流区时，基于所述温度变化曲线，使所述锡球完全熔化，得到对应的液体锡；

在本实施例中，回流区中的温度可达到温度变化曲线中的峰值温度，而曲线的峰值温度通常是由锡球的熔点温度、天线基板、底层基板等天线组件的耐热温度决定的，而回流时间不能过长。在回流区中的锡球可完全熔化，变成液体锡。

步骤d4，当所述通孔进入所述温区的冷却区时，使所述液体锡冷却凝固，得到对应的第一固体锡。

在本实施例中，冷却区是为了给天线组件进行适当的冷却，是液体锡冷却凝固，得到锡球由固态变成液态，再由液态变成固态的第一固体锡。

在本实施例中，若接收到处理完成指令，则说明锡球已完成固态到液态，再由液态到固态的处理过程，最后在通孔中的锡是以固体的形式存在的，也即，第一固体锡。但要确定通孔的天线基板和底层基板是否能充分连接，还需确定通孔是否被充分填充，也即，确定天线基板的铜箔、塑封体中的第一固体锡和底层基板的铜垫是否充分连接。

具体的，所述确定所述通孔是否被充分填充的步骤包括：

步骤e1，通过预设激光技术，得到所述通孔的透视图，并基于所述透视图，确定所述通孔与所述第一固体锡的连接情况；

在本实施例中，预设激光技术包括X射线透视技术，通过预设激光技术，可在对应的采集设备，如X光机，得到通孔的透视图，根据透视图可清楚知道通孔与第一固体锡之间的连接情况，在具体实施时，可通过透视图中通孔与第一固体锡是否存在缝隙，第一固体锡是否与天线基板的铜箔充分接触等方面，来确定通孔与第一固体锡之间是否充分连接。

需要说明的是，确定通孔是否被充分填充，也可以通过物理切割技术对通孔进行切割，根据切割面的平整度、光滑度等来确定。

步骤e2，基于所述连接情况，确定所述通孔是否被充分填充。

在本实施例中，若透视图中通孔与第一固体锡之间没有缝隙，且第一固体锡与天线基板的铜箔充分接触，也即，通孔与第一固体锡之间充分连接，可确定通孔被充分填充；若透视图中通孔与第一固体锡之间有缝隙，或者第一固体锡与天线基板的铜箔未充分接触，也即，通孔与第一固体锡之间未充分连接，可确定通孔未被充分填充。

本实施例的通孔填充方法，通过确定通孔的填充体积，并基于填充体积，确定抛入通孔的锡球对应的个数；根据确定的个数，向通孔抛入锡球，并通过回流焊技术，对锡球进行处理；若接收到处理完成指令，则确定通孔是否被充分填充。本发明根据通孔的填充体积决定抛入通孔的锡球个数，使得锡球经过回流焊处理之后充分填充通孔，能够有效避免填充物质溢出通孔的情况，减少对天线信号的干扰。

进一步地，基于本发明通孔填充方法的第一实施例，提出本发明通孔填充方法的第二实施例。

通孔填充方法的第二实施例与通孔填充方法的第一实施例的区别在于，所述确定所述通孔是否被充分填充的步骤之后，所述通孔填充方法还包括：

步骤f，若确定所述通孔未被充分填充，则向所述通孔再抛入一个填充锡球，并通过所述回流焊技术，对所述填充锡球进行处理，得到对应的第二固体锡；

步骤g，通过预设激光技术，得到所述通孔的透视图，并基于所述透视图，确定所述通孔是否与所述第二固体锡充分连接；

步骤h，若是，则确定所述通孔被充分填充。

本实施例的通孔填充方法，若确定通孔未被充分填充，则再向通孔抛入锡球，并通过预设激光技术，确定通孔被充分填充。

以下对各个步骤进行详细说明:

在本实施例中，通孔未被充分填充，也即，则说明抛入的锡球个数偏少，可以理解的，由于第一实施例确定抛入的锡球个数小于或等于理论上求得的锡球个数，因此，会存在通孔未被充分填充的情况。但只要再向通孔抛入一个填充锡球，就能确保通孔能够被充分填充，因为，此时抛入通孔的锡球实际个数是大于理论上求得的锡球个数，也即，大于填充体积与单个锡球的熔化体积对应的比值，而且是大于该比值的最小整数。本发明在确定天线基板通孔需要填充的深度时，也考虑到需要再添加一个锡球进行填充的情况，因此，再向通孔抛入一个锡球进行填充，通过回流焊技术对填充锡球进行处理过程中，也能确保通孔中的锡不会溢出通孔，对锡球处理完成之后，通孔中的填充锡球也经过了由固态到液态，再由液态到固态的变化过程，最后得到第二固体锡。

需要说明的是，本实施例的填充锡球与第一实施例的锡球是完全一致的。

在本实施例中，通过预设激光技术确定通孔是否与第二固体锡充分连接的方法与第一实施例中确定通孔是否与第一固体锡充分连接的方法类似，此处不再赘述。

步骤h，若是，则确定所述通孔被充分填充。

在本实施例中，若通孔与第二固体锡充分连接，也即，天线基板的铜箔、第二固体锡、低层基板的铜垫能够连接导电，即可确定通孔被充分填充。

需要说明的是，由于本实施例锡球抛入的实际个数是大于理论值的最小整数，因此，可确定锡球通过回流焊技术处理之后，能与天线基板的铜箔充分接触，只需检测第二固体锡与通孔之间是否存在缝隙，即可确定通孔是否被充分填充。

本实施例的通孔填充方法，若确定通孔未被充分填充，则再向通孔抛入一个填充锡球，再次通过回流焊技术和预设激光技术，进一步确定通孔被充分填充，在有效避免填充物质溢出通孔的同时，进一步确保了天线基板的铜箔能与底层基板的铜垫充分连接。

本发明还提供一种通孔填充装置。参照图3，本发明通孔填充装置包括：

第一确定模块10，用于确定通孔的填充体积，并基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数；

回流处理模块20，用于基于所述个数，向所述通孔抛入所述锡球，并通过回流焊技术，对所述锡球进行处理；

第二确定模块30，用于若接收到处理完成指令，则确定所述通孔是否被充分填充。

可选地，所述第一确定模块还用于：

确定所述整数部分对应的整数为所述锡球的个数。

可选地，所述回流处理模块还用于：

可选地，所述第二确定模块还用于：

基于所述连接情况，确定所述通孔是否被充分填充。

若是，则确定所述通孔被充分填充。

可选地，所述第一确定模块还用于：

基于所述深度和所述填充面积，确定所述通孔的填充体积。

此外，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有通孔填充程序，所述通孔填充程序被处理器执行时实现上述通孔填充方法各实施例的步骤。

在本发明通孔填充装置和计算机可读介质的实施例中，包含了上述通孔填充方法各实施例的全部技术特征，说明和解释内容与上述通孔填充方法各实施例基本相同，在此不做赘述。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个计算机可读存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是固定终端，如物联网智能设备，包括智能空调、智能电灯、智能电源、智能路由器等智能家居；也可以是移动终端，包括智能手机、可穿戴的联网AR/VR装置、智能音箱、自动驾驶汽车等诸多联网设备)执行本发明各个实施例所述的方法。

以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims

1.一种通孔填充方法，其特征在于，所述通孔填充方法包括如下步骤：

若接收到处理完成指令，则确定所述通孔是否被充分填充；

其中，所述基于所述填充体积，确定抛入所述通孔的锡球对应的个数的步骤包括：

确定所述整数部分对应的整数为所述锡球的个数。

2.如权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述通过回流焊技术，对所述锡球进行处理的步骤包括：

3.如权利要求2所述的通孔填充方法，其特征在于，所述在各所述温区中，对所述锡球进行处理的步骤包括：

4.如权利要求3所述的通孔填充方法，其特征在于，所述确定所述通孔是否被充分填充的步骤包括：

基于所述连接情况，确定所述通孔是否被充分填充。

5.如权利要求1所述的通孔填充方法，其特征在于，所述确定所述通孔是否被充分填充的步骤之后，所述通孔填充方法还包括：

若是，则确定所述通孔被充分填充。

6.如权利要求1-5任一项所述的通孔填充方法，其特征在于，所述确定通孔的填充体积的步骤包括：

基于所述深度和所述填充面积，确定所述通孔的填充体积。

7.一种通孔填充装置，其特征在于，所述通孔填充装置包括：

第二确定模块，用于若接收到处理完成指令，则确定所述通孔是否被充分填充；

其中，所述第一确定模块还用于：

确定所述整数部分对应的整数为所述锡球的个数。

8.一种通孔填充设备，其特征在于，所述通孔填充设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的通孔填充程序，所述通孔填充程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的通孔填充方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有通孔填充程序，所述通孔填充程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的通孔填充方法的步骤。