CN112351576A - 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 - Google Patents
电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112351576A CN112351576A CN201911395607.3A CN201911395607A CN112351576A CN 112351576 A CN112351576 A CN 112351576A CN 201911395607 A CN201911395607 A CN 201911395607A CN 112351576 A CN112351576 A CN 112351576A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shielding layer
- layer
- shielding
- electromagnetic
- shielding film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 236
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005060 rubber Substances 0.000 claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 21
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract description 10
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 15
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 13
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910001289 Manganese-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical class C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000003562 lightweight material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
- H05K1/0218—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference by printed shielding conductors, ground planes or power plane
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
- B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
- B32B3/085—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts spaced apart pieces on the surface of a layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
- B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
- B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B33/00—Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/02—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by a sequence of laminating steps, e.g. by adding new layers at consecutive laminating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K9/00—Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
- H05K9/0073—Shielding materials
- H05K9/0081—Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/02—Synthetic macromolecular particles
- B32B2264/0207—Particles made of materials belonging to B32B25/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/02—Synthetic macromolecular particles
- B32B2264/0214—Particles made of materials belonging to B32B27/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/10—Inorganic particles
- B32B2264/105—Metal
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
- B32B2264/12—Mixture of at least two particles made of different materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/206—Insulating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/212—Electromagnetic interference shielding
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0707—Shielding
- H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本发明公开了一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法。其中,所述电磁屏蔽膜,包括屏蔽层和胶膜层;所述屏蔽层和所述胶膜层两者层叠设置,所述屏蔽层内设有电磁波吸收材料。本发明通过在所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层内设有电磁波吸收材料,这样,所述屏蔽层内的电磁波吸收材料可以对电磁波信号进行吸收,从而可以降低或者有效避免电磁波信号对线路板的高频传输的影响,使得所述电磁屏蔽膜应用在线路板中,能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。
Description
技术领域
本发明涉及屏蔽膜技术领域,特别是涉及一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法。
背景技术
随着电子工业的迅速发展,电子产品进一步向小型化,轻量化,组装高密度化发展,极大地推动挠性电路板的发展,从而实现元件装置和导线连接一体化。挠性电路板可广泛应用于手机、液晶显示、通信和航天等行业。
在国际市场的推动下,功能挠性电路板在挠性电路板市场中占主导地位,而评价功能挠性电路板性能的一项重要指标是电磁屏蔽((Electromagnetic InterferenceShielding,简称EMI Shielding)。随着手机等电子设备功能的整合,其内部组件急剧高频高速化。例如:手机功能除了原有的音频传播功能外,照相功能已成为必要功能,且WLAN(Wireless Local Area Networks,无线局域网)、GPS(Global Positioning System,全球定位系统)以及上网功能已普及,再加上未来的感测组件的整合,组件急剧高频高速化的趋势更加不可避免。在高频及高速化的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰、信号在传输中衰减以及插入损耗的问题逐渐严重。
目前,现有线路板常用的屏蔽膜包括屏蔽层和导电胶层,通过导电胶层将屏蔽层与线路板地层连接,进而将干扰电荷导入线路板地层,实现屏蔽。但是在高频传输时,导电胶层中的导电粒子会产生涡流损耗,进而导致线路板的插入损耗增大,影响信号传输完整性。
发明内容
本发明的目的是提供一种电磁屏蔽膜,其应用在线路板中,能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。
本发明实施例提供的所述电磁屏蔽膜,其包括屏蔽层和胶膜层;所述屏蔽层和所述胶膜层两者层叠设置,所述屏蔽层内设有电磁波吸收材料。
与现有技术相比,本发明实施例提供的所述电磁屏蔽膜,通过在所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层内设有电磁波吸收材料,这样,所述屏蔽层内的电磁波吸收材料可以对电磁波信号(包括线路板高频传输时产生的电磁波信号)进行吸收,从而可以降低或者有效避免电磁波信号对线路板的高频传输的影响,这样使得所述电磁屏蔽膜应用在线路板中,能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层上设有多个通孔,每一所述通孔贯穿所述屏蔽层的其中的两个相对的表面,且每一所述通孔内设有所述电磁波吸收材料。
作为上述方案的改进,所述两个相对的表面为所述屏蔽层的上表面和下表面。
作为上述方案的改进,所述通孔为圆孔、方孔、多边形孔或异形孔。
作为上述方案的改进,所述通孔均匀或不均匀分布于所述屏蔽层上。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层开设所述通孔后的质量为所述屏蔽层开设所述通孔前的质量的15-80%。
作为上述方案的改进,所述通孔的总开孔面积,占所述屏蔽层的任一所述表面的面积的25-65%。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层内设有腔体,所述腔体内设有所述电磁波吸收材料。
作为上述方案的改进,所述腔体的数量为多个,多个所述腔体均匀或不均匀分布于所述屏蔽层内。
作为上述方案的改进,所述电磁波吸收材料为颗粒状。
作为上述方案的改进,所述电磁波吸收材料具有导电性,所述电磁波吸收材料的导电性弱于所述屏蔽层的导电性。
作为上述方案的改进,所述电磁波吸收材料为导电金属、导电海绵体、导电塑料或导电橡胶。
作为上述方案的改进,所述电磁波吸收材料的导电性为所述屏蔽层的导电性的10%至50%。
作为上述方案的改进,所述屏蔽层的厚度为2-8微米。
作为上述方案的改进,所述的电磁屏蔽膜还包括绝缘层,所述绝缘层设于所述屏蔽层的远离所述胶膜层的一面上。
本发明的另一目的在于提供一种线路板,其包括线路板本体以及如上任一方案所述的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜设于所述线路板本体上,且所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层与所述线路板本体中的地层连接。
与现有技术相比,本发明实施例提供的所述线路板,通过应用上述的电磁屏蔽膜,从而能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。
本发明另一目的在于提供一种电磁屏蔽膜的制备方法,其适用于制备上述任一方案所述的电磁屏蔽膜,包括步骤:
制作形成屏蔽层;
在所述屏蔽层内设置电磁波吸收材料;
在所述屏蔽层的一面上形成胶膜层。
与现有技术相比,本发明实施例提供的所述电磁屏蔽膜制备方法,通过在所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层内设有电磁波吸收材料,这样,所述屏蔽层内的电磁波吸收材料可以对电磁波信号(包括线路板高频传输时产生的电磁波信号)进行吸收,从而可以降低或者有效避免电磁波信号对线路板的高频传输的影响,这样使得所述电磁屏蔽膜应用在线路板中,能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。
作为上述方案的改进,所述在所述屏蔽层内设置电磁波吸收材料,包括:
在屏蔽层上开设通孔;所述通孔贯穿所述屏蔽层的其中的两个相对的表面;
在所述通孔内设置电磁波吸收材料;
或,包括:
在屏蔽层内形成腔体,并在所述腔体内设置电磁波吸收材料。
作为上述方案的改进,所述在所述屏蔽层的一面上形成胶膜层,包括:
在离型膜上形成胶膜层,然后将所述胶膜层压合转移至所述屏蔽层的一面上;或,
直接在所述屏蔽层的一面上涂布胶膜,从而在所述屏蔽层的一面上形成所述胶膜层。
作为上述方案的改进,所述制作形成屏蔽层,包括:
在载体膜上形成保护膜层,在所述保护膜层上形成所述屏蔽层;所述屏蔽层的所述一面与所述保护膜层贴合;或,
在载体膜上形成可剥离层,在所述可剥离层的表面上形成所述屏蔽层,并在所述屏蔽层的所述一面形成保护膜层后,将所述载体膜层剥离。
附图说明
图1是本发明一实施例提供的一种电磁屏蔽膜的结构示意图;
图2是本发明一实施例提供的另一种电磁屏蔽膜的结构示意图;
图3是本发明一实施例提供的一种线路板的结构示意图;
图4是本发明一实施例提供的另一种线路板的结构示意图;
其中,1、绝缘层;2、屏蔽层;21、通孔;22、腔体;3、电磁波吸收材料;4、胶膜层;5、线路板本体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参见图1与图2,本发明实施例提供了一种电磁屏蔽膜,其包括屏蔽层2和胶膜层4;所述屏蔽层2和所述胶膜层4两者层叠设置,所述屏蔽层2内设有电磁波吸收材料3。
需要说明的是,当所述电磁屏蔽膜应用于线路板时,所述电磁屏蔽膜可以通过其胶膜层4与所述线路板相压合。当所述电磁屏蔽膜设于所述线路板上时,所述屏蔽层2会与所述线路板的地层相接触或连接,以将积聚在所述电磁屏蔽膜中的干扰电荷导出。此外,电磁波吸收材料3具有吸收电磁波的功能,其能够吸收投射到它表面的电磁波能量,并可以通过介质损耗等方式将电磁波转化为热能或其他形式的能量。
在本发明实施例中,通过在所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层2内设有电磁波吸收材料3,这样,所述屏蔽层2内的电磁波吸收材料3可以对电磁波信号(包括线路板高频传输时产生的电磁波信号)进行吸收,从而可以降低或者有效避免电磁波信号对线路板的高频传输的影响,这样使得所述电磁屏蔽膜应用在线路板中,能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。。
在本实施例中,示例性地,作为所述电磁波吸收材料3设置在所述屏蔽层2内的其中一种设置方式,参见图1,所述屏蔽层2上设有通孔21,所述通孔21贯穿所述屏蔽层2的其中的两个相对的表面,所述通孔21内设有所述电磁波吸收材料3。
在本实施例中,通过在所述屏蔽层2内开设通孔21并在里面设置(可以是填充的方式)电磁波吸收材料3,这样可以使得电磁波吸收材料3能够固定在所述屏蔽层2中,并且电磁波吸收材料3能够有效吸收到达所述屏蔽层2处的电磁波信号。
此外,现有技术的电磁屏蔽膜的厚度一般在7-8um的范围附近,由于具有一定厚度且透气性低,这样会造成电磁屏蔽膜与线路板之间比较容易出现鼓包等不能完全贴合的爆板现象(例如线路板在高温情况下),特别是线路板一般会开设有开窗,开窗的位置对应线路板的接地线路(也即是开窗是在线路板的表面的覆盖膜层上开设的开孔,该开孔会露出线路板的接地线路),那么电磁屏蔽膜设置在线路板上时,电磁屏蔽膜贴合在开窗的位置会更容易出现鼓包甚至是因鼓包而破裂的现象。而在本实施例中,由于在所述屏蔽层2内开孔,这样所述屏蔽层2会具有一定的透气性,从而使得所述电磁屏蔽膜会具有更好的透气性,使得设有电磁波吸收材料3的电磁屏蔽膜在有效吸收电磁波信号的同时,还能够避免出现电磁屏蔽膜鼓包甚至是破裂等现象。
示例性地,参见图1,所述通孔21贯穿所述屏蔽层2的两个相对的表面,为所述屏蔽层2的上表面和下表面。由于所述电磁屏蔽膜设置在所述线路板上时,所述屏蔽层2与所述胶膜层4依次从上到下排列在所述线路板的表面上,而通过在所述屏蔽层2上开设贯穿其上表面和下表面的通孔21,这样,所述屏蔽层2对于所述线路板而言,会具有更好的透气性,从而使得所述电磁屏蔽膜也具有更好的透气性,从而能够更有效地避免出现电磁屏蔽膜鼓包甚至是破裂等现象。
示例性地,所述通孔21为圆孔、方孔、多边形孔或异形孔等,在此不做具体限定。
示例性地,所述通孔21的数量为多个,多个所述通孔21均匀或不均匀分布于所述屏蔽层2上。
示例性地,所述通孔21的总开孔面积,占所述屏蔽层2的任一所述表面的面积的25-65%,这样能够使得所述屏蔽层2具有较好的透气性,并能够更好地吸收电磁波信号。此外,还可以使得屏蔽层2能够实现一定的电磁波屏蔽的功能。
示例性地,所述通孔21的开孔数量可以表示为:所述屏蔽层2开设所述通孔21后的质量为所述屏蔽层2开设所述通孔21前的质量的15-80%。这样能够使得所述屏蔽层2具有较好的透气性,并能够更好地吸收电磁波信号。此外,还可以使得屏蔽层2能够实现一定的电磁波屏蔽的功能。
示例性地,参见图1,所述电磁波吸收材料3为颗粒状,这样能够使得所述通孔21具有较好的透气性,同时还能够比较方便地填充到所述通孔21中,从而使得所述屏蔽层2具有一定的电磁波信号吸收的性能。
在上述实施例中,示例性地,作为所述电磁波吸收材料3设置在所述屏蔽层2内的另外一种设置方式,参见图2,所述屏蔽层2内设有腔体22,所述腔体22内设有所述电磁波吸收材料3。这样可以使得电磁波吸收材料3能够固定在所述屏蔽层2中,并且电磁波吸收材料3能够有效吸收到达所述屏蔽层2处的电磁波信号。
可以理解的是,所述腔体22可以是封闭式的,也可以是半开放式的(即腔体的腔口可以是通向所述屏蔽层的外面的)等,在此不做具体限定。当所述腔体22为封闭式时,所述电磁波吸收材料3可以较为稳固地固定于所述屏蔽层2内,不容易出现脱落。当所述腔体22为半开放式时,可以提高所述屏蔽层2的透气性。需要说明的是,不论所述腔体22是封闭式的还是半开放式的,都可以比完全不设有腔体22的屏蔽层2具有更好的透气性,从而能够有效避免出现电磁屏蔽膜鼓包甚至是破裂等现象。
示例性地,所述腔体22的数量可以为一个或多个。其中,当为多个腔体22时,多个所述腔体22均匀或不均匀分布于所述屏蔽层2内。
需要说明的是,所述电磁波吸收材料3设置于所述屏蔽层2内的方式还可以是其他方式,例如:是直接分散并混合在所述屏蔽层2中。
在上述实施例中,示例性地,所述电磁波吸收材料3为颗粒状,这样能够方便电磁波吸收材料3设置于所述屏蔽层2内。其中,颗粒状的所述电磁波吸收材料3可以为球状、团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等形状在此不做具体限定。当然,所述电磁波吸收材料3除了可以为颗粒状,还可以是层状、网状等(即屏蔽层2设有一层状的电磁波吸收材料3层、或者是一网状的电磁波吸收结构),在此不做具体限定。
在上述实施例中,可选地,所述电磁波吸收材料3具有导电性,所述电磁波吸收材料3的导电性弱于所述屏蔽层2的导电性。其中,通过在所述电磁屏蔽膜中设置具有导电性的电磁波吸收材料3,一方面所述电磁波吸收材料3具有吸收电磁波的功能,其能够吸收到达所述屏蔽层2的电磁波,以进一步确保线路板的正常工作;另一方面,所述电磁波吸收材料3还具有导电功能,其能够与所述屏蔽层2相配合,将干扰电荷迅速导出,因此使得所述电磁屏蔽膜具有良好的屏蔽效能。
在上述实施例中,示例性地,所述电磁波吸收材料3为导电金属、导电海绵体、导电塑料或导电橡胶等,在此不做具体限定。
在上述实施例中,所述电磁波吸收材料3还可以由粘结剂和吸波介质构成。其中,所述吸波介质由碳系吸波材料、铁系吸波材料、陶瓷系吸波材料和复合吸波材料中的任意一种构成。需要说明的是,所述碳系吸波材料包括但不限于石墨烯、石墨、炭黑、碳纤维和碳纳米管;所述铁系吸波材料包括但不限于铁氧体,磁性铁纳米材料、Fe基合金微粉和铁基非晶材料;所述陶瓷系吸波材料包括但不限于碳化硅;所述复合吸波材料包括但不限于还原氧化石墨烯/二氧化锡纳米复合吸波材料、锰锌铁氧体/聚吡咯复合材料、三维银-石墨烯杂化泡沫/环氧树脂复合材料、rG0/Fe304@Si02复合材料、软磁粉末加高分子塑胶共混组成的复合材料。此外,所述吸波介质还可以是导电聚合物、手性材料、等离子材料、多孔空心铁纳米球、自结皮聚氨酯轻量化材料、中空夹心微球金属硫化物等。
示例性地,所述电磁波吸收材料3的导电性为所述屏蔽层2的导电性的10%至50%。这样,能够在确保所述屏蔽层2具有较好的电磁波吸收性能的同时,还能够确保所述屏蔽层2具有较为优异的电磁屏蔽性能。
在上述实施例中,示例性地,所述屏蔽层2的厚度为2-8微米。即所述屏蔽层2的厚度可以较厚(现有的整个电磁屏蔽膜的厚度一般为7-8微米,而屏蔽层2的厚度一般比较薄),这样可以提高所述屏蔽层2的电磁屏蔽性能。需要说明的是,当所述屏蔽层2开设有通孔21或设有腔体22等而具有透气性时,所述屏蔽层2设置的较厚,不仅可以提高所述屏蔽层2的电磁屏蔽性能,同时也可以避免出现电磁屏蔽膜鼓包甚至是破裂等现象。此外,所述屏蔽层2设置的较厚,那么在所述屏蔽层2中可以设置的电磁波吸收材料3也可以更多,那么可以提高所述屏蔽层2的电磁波吸收性能。
其中,为了保证所述屏蔽层2具有良好的导电性,所述屏蔽层2包括金属屏蔽层2、碳纳米管屏蔽层2、铁氧体屏蔽层2和石墨烯屏蔽层2中的一种或多种。其中,所述金属屏蔽层2包括单金属屏蔽层2和/或合金屏蔽层2;所述单金属屏蔽层2由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成,所述合金屏蔽层2由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
此外,需要说明的是,本实施例附图的所述屏蔽层2可以为单层结构,也可以为多层结构。另外,根据实际生产和应用的需要,本实施例附图的所述屏蔽层2可设置为网格状、发泡状等。
在上述实施例中,进一步地,参见图1与图2,所述的电磁屏蔽膜还包括绝缘层1,所述绝缘层1设于所述屏蔽层2的远离所述胶膜层4的一面上。其中,通过设置所述绝缘层1,这样可以确保所述电磁屏蔽膜具有较好地与外界进行导电隔绝的性能。
此外,为了进一步提高所述电磁屏蔽膜的电磁波吸收性能,可以在所述绝缘层1中设置上述的电磁波吸收材料3。此外,为了提高所述电磁屏蔽膜的透气性,可以使得所述绝缘层1与所述胶膜层4也设置为具有一定的透气性,例如,在所述绝缘层1与所述胶膜层4中开孔或设置腔体22等。
在上述实施例中,示例性地,所述胶膜层4的其中一种结构,具体表现为:所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层。通过使所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层,使得所述胶膜层4具有黏合的作用,以使所述线路板和电磁屏蔽膜紧密黏合,同时所述胶膜层4还具有导电的功能,其能够将屏蔽层2中的干扰电子迅速导入所述线路板的地层中。其中,所述导电粒子可以为相互分离的导电粒子,也可以为团聚而成的大颗粒导电粒子;当所述导电粒子为相互分离的导电粒子时,可进一步提高电气接触的面积,提高电气接触的均匀度;而当所述导电粒子为团聚而成的大颗粒导电粒子,可增加刺穿强度。
在上述实施例中,示例性地,所述胶膜层4的另一种结构,具体表现为:所述胶膜层4包括不含导电粒子的黏着层。通过使所述胶膜4包括不含导电粒子的黏着层,使得所述胶膜层4具有黏合的作用,以使所述线路板和电磁屏蔽膜紧密黏合,同时由于所述胶膜层4包括不含导电粒子,因此降低使用过程中线路板的插入损耗,提高屏蔽效能的同时改善线路板的弯折性。可以理解的是,当所述胶膜层4不具有导电性能时,所述屏蔽层2与所述线路板地层的连接方式还可以为通过导线或者导体连接或者是其他连接方式,在此不做具体限定。
此外,本实施例中所述胶膜层44的厚度为1μm-80μm。所述胶膜层44所用材料选自以下几种:改性环氧树脂类、丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类。另外,需要说明的是,所述胶膜层44的外表面可以设置为平整表面,也可以是非平整表面,本实施例对此不作限制。
参见图3与图4,本发明另一实施例提供了一种线路板,其包括线路板本体5以及上述任一实施例所述的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜设于所述线路板本体5上,且所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层2与所述线路板本体5中的地层连接。其中,所述胶膜层4位于所述线路板本体5与所述屏蔽层2之间,更具体地,所述胶膜层4可以是贴合在所述线路板本体5的表面。
在本实施例中,所述线路板本体5的类型可以根据实际使用情况设置;优选地,本实施例中所述线路板本体5为挠性单面线路板、挠性双面线路板、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。
此外,在具体实施当中,当所述线路板应用于电子设备时,可以通过设置自由接地膜,使所述自由接地膜的一面与所述电子设备的外壳电连接,并使所述自由接地膜的另一面与所述电磁屏蔽膜电连接,从而将聚积于所述电磁屏蔽膜中的干扰电荷导出。
在本实施例中,通过在所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层2内设有电磁波吸收材料3,这样,所述屏蔽层2内的电磁波吸收材料3可以对电磁波信号(包括线路板高频传输时产生的电磁波信号)进行吸收,从而可以降低或者有效避免电磁波信号对线路板的高频传输的影响,这样使得所述电磁屏蔽膜应用在线路板中,能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。
本发明另一实施例提供了一种电磁屏蔽膜的制备方法,其适用于制备上述任一方案所述的电磁屏蔽膜,包括步骤:
S1、制作形成屏蔽层2;
S2、在所述屏蔽层2内设置电磁波吸收材料3;
S3、在所述屏蔽层2的一面上形成胶膜层4。
在本实施例中,通过在所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层2内设有电磁波吸收材料3,这样,所述屏蔽层2内的电磁波吸收材料3可以对电磁波信号(包括线路板高频传输时产生的电磁波信号)进行吸收,从而可以降低或者有效避免电磁波信号对线路板的高频传输的影响,这样使得所述电磁屏蔽膜应用在线路板中,能降低线路板的插入损耗,使线路板能够有效应用于超高频传输。
在本实施例中,作为一示例地,所述步骤S2,包括:
S20,在屏蔽层2上开设通孔21;所述通孔21贯穿所述屏蔽层2的其中的两个相对的表面;
S21,在所述通孔21内设置电磁波吸收材料3。
其中,在所述通孔21内设置电磁波吸收材料3的形式可以为:在所述通孔21内放置所述电磁波吸收材料3,然后封住所述通孔21的孔口。
在本实施例中,作为另一示例地,所述步骤S2包括:
S20’,在屏蔽层2内形成腔体22,并在所述腔体22内设置电磁波吸收材料3。
其中,所述腔体22在所述屏蔽层2内的形成方式可以为:在所述屏蔽层2上开设凹槽,然后在所述凹槽内放置电磁波吸收材料3,最后在屏蔽层2上再覆盖一层封闭层,以封闭住所述凹槽,以此作为最终的形成有腔体22的屏蔽层2。或者还可以为:直接在所述屏蔽层2上开设腔体22并在所述屏蔽层2上留有腔口,然后通过所述腔口向所述腔体22内放置电磁波吸收材料3,最后封住所述腔口。
需要说明的是,形成所述屏蔽层2可选为采用化学镀方式、PVD、CVD、蒸发镀、溅射镀、电镀或者其复合工艺进行。
在上述实施例中,示例性地,所述步骤S3,包括:
在离型膜上形成胶膜层4,然后将所述胶膜层4压合转移至所述屏蔽层2的一面上;或,
直接在所述屏蔽层2的一面上涂布胶膜,从而在所述屏蔽层2的一面上形成所述胶膜层4。
在上述实施例中,所述步骤S1,包括:
在载体膜上形成保护膜层,在所述保护膜层上形成所述屏蔽层2;所述屏蔽层2的所述一面与所述保护膜层贴合;或,
在载体膜上形成可剥离层,在所述可剥离层的表面上形成所述屏蔽层2,并在所述屏蔽层2的所述一面形成保护膜层后,将所述载体膜层剥离。
在本实施例中,通过以上方式来形成所述屏蔽层2,这样可以使得所述屏蔽层2的所述一面比较平整。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (18)
1.一种电磁屏蔽膜,其特征在于,包括屏蔽层和胶膜层;所述屏蔽层和所述胶膜层两者层叠设置,所述屏蔽层内设有电磁波吸收材料。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽层上设有多个通孔,每一所述通孔贯穿所述屏蔽层的两个相对的表面,且每一所述通孔内设有所述电磁波吸收材料。
3.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述两个相对的表面为所述屏蔽层的上表面和下表面。
4.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述通孔为圆孔、方孔、多边形孔或异形孔。
5.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,多个所述通孔均匀或不均匀分布于所述屏蔽层上。
6.如权利要求5所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽层开设所述通孔后的质量为所述屏蔽层开设所述通孔前的质量的15-80%。
7.如权利要求5所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述通孔的总开孔面积,占所述屏蔽层的任一所述表面的面积的25-65%。
8.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽层内设有腔体,所述腔体内设有所述电磁波吸收材料。
9.如权利要求8所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述腔体的数量为多个,多个所述腔体均匀或不均匀分布于所述屏蔽层内。
10.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁波吸收材料为颗粒状。
11.如权利要求1-10任一项所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁波吸收材料具有导电性,所述电磁波吸收材料的导电性弱于所述屏蔽层的导电性。
12.如权利要求11所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁波吸收材料为导电金属、导电海绵体、导电塑料或导电橡胶。
13.如权利要求11所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述电磁波吸收材料的导电性为所述屏蔽层的导电性的10%至50%。
14.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,所述屏蔽层的厚度为2-8微米。
15.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜,其特征在于,还包括绝缘层,所述绝缘层设于所述屏蔽层的远离所述胶膜层的一面上。
16.一种线路板,其特征在于,包括线路板本体以及如权利要求1-15任一项所述的电磁屏蔽膜,所述电磁屏蔽膜设于所述线路板本体上,且所述电磁屏蔽膜的所述屏蔽层与所述线路板本体中的地层连接。
17.一种电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,适用于制备权利要求1至15任一项所述的电磁屏蔽膜,包括步骤:
制作形成屏蔽层;
在所述屏蔽层内设置电磁波吸收材料;
在所述屏蔽层的一面上形成胶膜层。
18.如权利要求17所述的电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于,所述在所述屏蔽层内设置电磁波吸收材料,包括:
在屏蔽层上开设通孔;所述通孔贯穿所述屏蔽层的其中的两个相对的表面;
在所述通孔内设置电磁波吸收材料;
或,包括:
在屏蔽层内形成腔体,并在所述腔体内设置电磁波吸收材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911395607.3A CN112351576B (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201911395607.3A CN112351576B (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112351576A true CN112351576A (zh) | 2021-02-09 |
CN112351576B CN112351576B (zh) | 2023-07-21 |
Family
ID=74366942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201911395607.3A Active CN112351576B (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112351576B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108990403A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-11 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种电磁屏蔽结构 |
KR20190003899A (ko) * | 2017-06-30 | 2019-01-10 | (주)이녹스첨단소재 | 전자파 차폐 및 방열복합시트 및 이의 제조방법 |
CN211982439U (zh) * | 2019-12-30 | 2020-11-20 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜及线路板 |
-
2019
- 2019-12-30 CN CN201911395607.3A patent/CN112351576B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20190003899A (ko) * | 2017-06-30 | 2019-01-10 | (주)이녹스첨단소재 | 전자파 차폐 및 방열복합시트 및 이의 제조방법 |
CN108990403A (zh) * | 2018-08-13 | 2018-12-11 | 北京梦之墨科技有限公司 | 一种电磁屏蔽结构 |
CN211982439U (zh) * | 2019-12-30 | 2020-11-20 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜及线路板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112351576B (zh) | 2023-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10881039B1 (en) | Electromagnetic interference shielding film, circuit board, and preparation method for electromagnetic interference shielding film | |
CN207885101U (zh) | 一种电磁屏蔽膜 | |
CN211982439U (zh) | 电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN110799027A (zh) | 电磁波吸收复合板 | |
CN110769587A (zh) | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
CN211702875U (zh) | 一种电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN211982440U (zh) | 一种电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN212163811U (zh) | 电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN110691498A (zh) | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
CN112351574B (zh) | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
CN110769667B (zh) | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
CN208754630U (zh) | 电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN112351576A (zh) | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
CN203876309U (zh) | 一种吸波散热双功能复合装置 | |
CN203157257U (zh) | 具有电磁屏蔽效应的复合式铜箔基板 | |
CN110784987A (zh) | 自由接地膜、线路板及自由接地膜的制备方法 | |
CN110769666A (zh) | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
CN112351665A (zh) | 一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 | |
KR101765176B1 (ko) | 전기전도성 방수 테이프 | |
CN212013450U (zh) | 一种电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN208754634U (zh) | 电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN212013449U (zh) | 一种导电胶膜 | |
CN208754589U (zh) | 电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN211702874U (zh) | 一种电磁屏蔽膜及线路板 | |
CN208754591U (zh) | 电磁屏蔽膜及线路板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |