CN112331613B - 一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至tsv的方法 - Google Patents
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Abstract
一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法,本发明涉及一种基于超声‑压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法。本发明的目的是要解决现有TSV填充技术中的填充密度低以及不能填充高深宽比TSV的问题,本发明方法为:将带有TSV硅片固定在液态金属液面上方进行烘烤;然后下移至液态金属液中,超声变幅杆工具头同时下降并浸入金属液中,后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气,液态金属在气压及超声的复合作用下填充至TSV中。本发明可实现高深宽比TSV硅微孔的高质量快速填充,孔径范围80‑300μm,孔深范围200‑500μm,填充率大于99%。本发明应用于硅通孔填充领域。
Description
技术领域
本发明涉及一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法。
背景技术
近年来,传统二维芯片集成电路高密度和多功能等方面的提升已趋饱和,成本越来越高,于是更先进的3D(即三维)芯片集成技术便应运而生。3D集成电路将多个芯片在垂直方向上堆叠起来,并利用硅通孔(缩写TSV,全称Through-Silicon Via)实现不同层芯片间良好电学连接,无需键合引线,有效缩短互连线长度,减少信号传输延迟和损失,提高信号速度和宽带,降低功耗和封装体积,实现大幅优化集成电路的小型化、高密度与多功能。TSV技术是实现3D集成电路的最关键技术,而TSV技术的最大难点则是如何在TSV硅微孔内无缺陷地填充导电材料。
目前,工业生产中均采用电镀Cu工艺填充TSV,但费时很长,成本高,效率低,高深宽比电镀Cu微柱内易产生孔洞严重降低其电学性能和可靠性,尤其是无法填充不等孔径硅微孔TSV,以便大幅改善电信号传输性能与电损耗性能,因而亟需研发一种可实现高深宽比以及不等径TSV制备的高效率、低成本、高质量新型填充工艺。
为了克服电镀Cu填充TSV孔的不足,液态金属填充TSV法应运而生。液态金属填充TSV技术是近几年来新兴的先进技术,在外力作用下,将液态金属压入TSV孔的填充方式具有速度快、成本低、适用于各种长径比TSV孔、可一次填充不同孔径的优势,具有充填效率高,工艺简单等优点。迄今国内外均采用在重力场下,借助施加正压或负压实现液态金属填充TSV的硅微孔,但上述在重力场下的填充技术填充能力受限,均难以进一步提高所制备TSV的密度与深宽比。
发明内容
本发明的目的是要解决现有TSV填充技术中的填充密度低以及不能填充高深宽比TSV的问题,提供一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法。
本发明一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法,按以下步骤实现:
一、将带有TSV的硅片固定在密封室内样品夹具中,超声装置的钛工具头下端与带有TSV的硅片的距离为1-2cm;
二、在密封室的坩埚中放入金属,然后对密封室进行抽真空处理,利用钼加热带对坩埚进行加热,待金属熔化成液态金属后,将带有TSV的硅片下降到液态金属液面上方进行烘烤;
三、将烘烤结束的带有TSV的硅片下移至液态金属中,超声装置的钛工具头同时下降并浸入液态金属中,然后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气,液态金属在气压及超声的复合作用下填充至TSV中,填充过程完毕将带有TSV的硅片移出液态金属,待冷却后即完成;
其中密封室分为升降室和填充室,升降室位于填充室上方,并与填充室连通;升降室内竖直设置滚珠丝杠,滚珠丝杠上设有滑块,升降室内壁上沿竖直方向开设有导轨,滑块与导轨滑动连接;密封室内还设有超声装置,超声装置由超声波变幅杆和钛工具头组成,超声波变幅杆顶端与滑块固定连接,底端固定连接钛工具头;超声波变幅杆上固定设置样品固定杆,样品固定杆底端设有样品夹具;
金属加热装置固定在填充室底部,金属加热装置和超声装置为相对设置;金属加热装置由钼隔热屏、钼加热带和坩埚组成,钼加热带缠绕在坩埚外壁,钼隔热屏包覆钼加热带和坩埚;
填充室上还设有观察窗和照明灯。
本发明通过超声功率和附加压力的匹配,能有效提高填充效果和填充质量。此外借助超声的机械空化作用急剧增加液态金属在凝固过程中的晶粒形核率,从而大幅细化TSV硅微孔内液态金属凝固形成的金属微柱的晶粒尺寸,确保金属微柱具有优异的力学性能。
本发明有益效果:
一、本发明率先提出超声场辅助液态金属填充TSV技术。
二、本发明将超声场引入液态金属填充TSV成形过程中,大幅提高微尺度下液态金属的充型流动能力,确保全部圆满充填TSV硅微孔。
三、本发明利用超声的机械空化作用细化合金组织,大幅优化TSV填充金属微柱的显微组织与力学性能,
四、本发明可实现高深宽比TSV硅微孔的高质量快速填充,孔径范围80-300μm,孔深范围200-500μm,填充率大于99%。
五、本发明解决了TSV填充技术的关键瓶颈问题,实现高密度、高深宽比、不等径TSV技术,低成本、高效率、大批量、高质量制备3D集成电路。
附图说明
图1为80μm孔径TSV硅微孔转接板液态金属填充孔形貌俯视图;
图2为80μm孔径TSV硅微孔转接板中单一液态金属填充孔形貌图;
图3为150μm孔径TSV硅微孔转接板中液态金属填充孔形貌俯视图;
图4为150μm孔径TSV硅微孔转接板中单一液态金属填充孔形貌图;
图5为150μm孔径TSV转接板的X射线三维显微镜图像;
图6为150μm孔径TSV转接板的液态金属完整填充硅孔形貌侧面剖视图;
图7为本发明密封室的结构示意图。
具体实施方式
具体实施方式一:本实施方式一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法,按以下步骤实现:
一、将带有TSV的硅片15固定在密封室内样品夹具8中,超声装置的钛工具头6下端与带有TSV的硅片15的距离为1-2cm;
二、在密封室的坩埚11中放入金属,然后对密封室进行抽真空处理,利用钼加热带10对坩埚11进行加热,待金属熔化成液态金属12后,将带有TSV的硅片下降到液态金属12液面上方进行烘烤;
三、将烘烤结束的带有TSV的硅片15下移至液态金属12中,超声装置的钛工具头6同时下降并浸入液态金属12中,然后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气,液态金属12在气压及超声的复合作用下填充至TSV中,填充过程完毕将带有TSV的硅片15移出液态金属12,待冷却后即完成;
其中密封室分为升降室1和填充室2,升降室1位于填充室2上方,并与填充室2连通;升降室1内竖直设置滚珠丝杠3,滚珠丝杠3上设有滑块4,升降室1内壁上沿竖直方向开设有导轨,滑块4与导轨滑动连接;密封室内还设有超声装置,超声装置由超声波变幅杆5和钛工具头6组成,超声波变幅杆5顶端与滑块4固定连接,底端固定连接钛工具头6;超声波变幅杆5上固定设置样品固定杆7,样品固定杆7底端设有样品夹具8;
金属加热装置固定在填充室2底部,金属加热装置和超声装置为相对设置;金属加热装置由钼隔热屏9、钼加热带10和坩埚11组成,钼加热带10缠绕在坩埚11外壁,钼隔热屏9包覆钼加热带10和坩埚11;
填充室上还设有观察窗13和照明灯14。
本实施方式有益效果:
一、本实施方式率先提出超声场辅助液态金属填充TSV技术。
二、本实施方式将超声场引入液态金属填充TSV成形过程中,大幅提高微尺度下液态金属的充型流动能力,确保全部圆满充填TSV硅微孔。
三、本实施方式利用超声的机械空化作用细化合金组织,大幅优化TSV填充金属微柱的显微组织与力学性能,
四、本实施方式可实现高深宽比TSV硅微孔的高质量快速填充,孔径范围80-300μm,孔深范围200-500μm,填充率大于99%。
五、本实施方式解决了TSV填充技术的关键瓶颈问题,实现高密度、高深宽比、不等径TSV技术,低成本、高效率、大批量、高质量制备3D集成电路。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是:步骤一所述的带有TSV的硅片15微盲孔的孔径范围为80-300μm,孔深为200-500μm。其他与具体实施方式一相同。
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二不同的是:步骤一所述的带有TSV的硅片15与超声装置的钛工具头6下端的距离为1cm。其他与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是:步骤二所述金属为Pb90Sn10合金。其他与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是:步骤一所述真空度为小于5×10-3Pa。其他与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是:步骤二中当金属为Pb90Sn10合金时,加热至温度为360℃。其他与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是:步骤二中带有TSV的硅片15下降到液态金属12液面上方1-2cm进行烘烤。其他与具体实施方式一至六之一相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是:烘烤1-2min。其他与具体实施方式一至七之一相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是:步骤三中施加的超声频率为20KHz,超声功率为100-2000W。其他与具体实施方式一至八之一相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是:步骤三中施加的超声频率为20KHz,超声功率为1200W。步骤三中通入Ar气至密封室内气体压力为0.8atm。其他与具体实施方式一至九之一相同。
具体实施方式十一:本实施方式与具体实施方式一至十之一不同的是:步骤三中通入Ar气至密封室内气体压力为0.1-1atm。其他与具体实施方式一至十之一相同。
具体实施方式十二:本实施方式与具体实施方式一至十一之一不同的是:步骤三中通入Ar气至密封室内气体压力为0.8atm。其他与具体实施方式一至十一之一相同。
为验证本发明的有益效果进行了以下实验:
实施例1
一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法,按以下步骤实现:
一、将带有TSV硅片15固定在密封室内的样品夹具8中,带有TSV硅片15距离钛工具头6下端1cm;带有TSV硅片15的微盲孔的孔径为80μm,孔深为350μm。
二、在密封室的坩埚11中放入Pb90Sn10合金,然后对密封室进行抽真空处理,真空度为小于5×10-3Pa,利用钼加热带10对坩埚11进行加热,加热至360℃,待金属熔化成液态金属12后,通过升降导轨将带有TSV硅片15下降到液态金属12液面上方2cm处烘烤2min;
三、将烘烤结束的带有TSV的硅片15下移至液态金属12中,钛工具头6同时下降并浸入液态金属12中,然后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气,施加的超声频率为20KHz,超声功率为1200W液态金属在气压及超声的复合作用下填充至TSV中,待密封室内气压达到0.8atm,即填充完毕。
本实施例的密封室如图7所示,其中密封室分为升降室1和填充室2,升降室1位于填充室2上方,并与填充室2连通;升降室1内竖直设置滚珠丝杠3,滚珠丝杠3上设有滑块4,升降室1内壁上沿竖直方向开设有导轨,滑块4与导轨滑动连接;密封室内还设有超声装置,超声装置由超声波变幅杆5和钛工具头6组成,超声波变幅杆5顶端与滑块4固定连接,底端固定连接钛工具头6;超声波变幅杆5上固定设置样品固定杆7,样品固定杆7底端设有样品夹具8;
金属加热装置固定在填充室2底部,金属加热装置和超声装置为相对设置;金属加热装置由钼隔热屏9、钼加热带10和坩埚11组成,钼加热带10缠绕在坩埚11外壁,钼隔热屏9包覆钼加热带10和坩埚11;
填充室上还设有观察窗13和照明灯14。
本实施例将TSV硅片15固定在可升降的样品夹具8中,硅片15距离钛工具头6下端1-2cm。硅片15下方放置盛放液态金属12的坩埚11,密封室要求到达一定真空度,通过机械泵、600L/S分子泵降低密封室的真空度;然后开启加热电源,通过钼加热带10对坩埚11进行加热,直至坩埚11内金属锭温度升高,待其熔化为液态金属12;再通过电机16、滚珠丝杠3和导轨,带动TSV硅片15位置高度下降到液态金属12液面上方1-2cm处,烘烤TSV硅片151-2min;然后降低烘烤后硅片的高度,直至进入液态金属12中,同时钛工具头6随之浸入金属液中,开启超声发生装置,同时往真空室内通入一定量的Ar气,液态金属12在气压及超声钛工具头6产生的声波的复合作用下填充至TSV 15中,填充过程完毕后缓慢将硅片15位置高度升高,并移出液态金属12,TSV孔内液态金属完成凝固,待冷却后取出硅片。
本实施例步骤三超声时带有TSV的硅片15距离钛工具头6下端1cm,保证超声能有效地作用在硅孔内。
步骤二所述设定初始熔体温度为360℃,熔体温度过高引起表面张力下降,虽能减少填充阻力,却容易在填充时出现不可控制的液态金属流动现象;同时,考虑熔体填充温度的增加必然会增加冷却时体积收缩从而引起结构问题。因此,熔体温度不宜过高。
步骤三所述施加超声频率为20KHz,超声功率为1200W,通入Ar气的附加压力为0.8atm。通过超声功率和附加压力的匹配,能有效提高填充效果和填充质量。此外借助超声的机械空化作用急剧增加液态金属在凝固过程中的晶粒形核率,从而大幅细化TSV硅微孔内液态金属凝固形成的金属微柱的晶粒尺寸,确保金属微柱具有优异的力学性能。填充后的硅片如图1和图2所示,金属微柱填充圆满,填充率大于99%。
实施例2一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至TSV的方法,按以下步骤实现:
一、将带有TSV的硅片15固定在密封室内的样品夹具8中,带有TSV的硅片15距离钛工具头6下端1cm;带有TSV的硅片15微盲孔的孔径为150μm,孔深为500μm。
二、在密封室的坩埚中放入Pb90Sn10合金,然后对密封室进行抽真空处理,真空度为小于5×10-3Pa,利用钼加热带10对坩埚11进行加热,加热至360℃,待金属熔化成液态金属12后,通过升降导轨将带有TSV硅片15下降到液态金属12上方2cm处烘烤2min;
三、将烘烤结束带有TSV的硅片15下移至液态金属12中,钛工具头6同时下降并浸入液态金属12中,然后开启超声波发生装置并向密封室内通入Ar气,施加的超声频率为20KHz,超声功率为1200W,液态金属12在气压及超声的复合作用下填充至TSV中,待密封室内气压达到0.8atm,即填充完毕。
其中密封室分为升降室1和填充室2,升降室1位于填充室2上方,并与填充室2连通;升降室1内竖直设置滚珠丝杠3,滚珠丝杠3上设有滑块4,升降室1内壁上沿竖直方向开设有导轨,滑块4与导轨滑动连接;密封室内还设有超声装置,超声装置由超声波变幅杆5和钛工具头6组成,超声波变幅杆5顶端与滑块4固定连接,底端固定连接钛工具头6;超声波变幅杆5上固定设置样品固定杆7,样品固定杆7底端设有样品夹具8;
金属加热装置固定在填充室2底部,金属加热装置和超声装置为相对设置;金属加热装置由钼隔热屏9、钼加热带10和坩埚11组成,钼加热带10缠绕在坩埚11外壁,钼隔热屏9包覆钼加热带10和坩埚11;
填充室上还设有观察窗13和照明灯14。
本实施例将带有TSV硅片15固定在可升降的样品夹具8中,带有TSV硅片15距离钛工具头6下端1-2cm。硅片15下方放置盛放液态金属12的坩埚11,密封室要求到达一定真空度,通过机械泵、分子泵降低密封室的真空度;然后开启加热电源,通过钼加热带10对坩埚11进行加热,直至坩埚11内金属锭温度升高,待其熔化为液态金属12;再通过电机16、滚珠丝杠3和导轨,带动TSV硅片15位置高度下降到液态金属12液面上方1-2cm处,烘烤TSV硅片151-2min;然后降低烘烤后硅片的高度,直至进入液态金属12中,同时钛工具头6随之浸入金属液中,开启超声发生装置,同时往真空室内通入一定量的Ar气,液态金属12在气压及超声钛工具头6产生的声波的复合作用下填充至TSV15中,填充过程完毕后缓慢将硅片15位置高度升高,并移出液态金属12,TSV孔内液态金属完成凝固,待冷却后取出硅片。
本实施例步骤三超声时带有TSV的硅片15距离钛工具头6下端1cm,保证超声能有效地作用在硅孔内。
步骤二所述设定初始熔体温度为360℃,熔体温度过高引起表面张力下降,虽能减少填充阻力,却容易在填充时出现不可控制的液态金属流动现象;同时,考虑熔体填充温度的增加必然会增加冷却时体积收缩从而引起结构问题。因此,熔体温度不宜过高。
步骤三所述施加超声频率为20KHz,超声功率为1200W,通入Ar气的附加压力为0.8atm。通过超声功率和附加压力的匹配,能有效提高填充效果和填充质量。此外借助超声的机械空化作用急剧增加液态金属在凝固过程中的晶粒形核率,从而大幅细化TSV硅微孔内液态金属凝固形成的金属微柱的晶粒尺寸,确保金属微柱具有优异的力学性能。填充后的硅片填充后的硅片如图3、4、5、6所示,金属微柱填充圆满,填充率大于99%。
Claims (2)
1.一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至 TSV 的方法,其特征在于该方法按以下步骤实现:
一、将带有 TSV 的硅片(15)固定在密封室内的样品夹具(8)中,超声装置的钛工具头(6)下端与带有 TSV 的硅片(15)的距离为 1cm; 所述的带有 TSV 的硅片(15)微盲孔的孔径范围为 80-300μm, 孔深为 200-500μm;
二、在密封室的坩埚(11)中放入金属,然后对密封室进行抽真空处理,真空度为小于 5×10-3Pa,利用钼加热带(10)对坩埚(11)进行加热,加热至 360℃,待金属熔化成液态金属(12)后,将带有 TSV 的硅片下降到液态金属(12)液面上方 1-2cm进行烘烤1-2min;
三、将烘烤结束的带有 TSV 的硅片(15)下移至液态金属(12)中,超声装置的钛工具头(6)同时下降并浸入液态金属(12)中,然后开启超声波发生装置并向密封室内通入 Ar 气至密封室内气体压力为 0.8atm,液态金属(12)在气压及超声的复合作用下填充至 TSV中,填充过程完毕将带有 TSV 的硅片(15)移出液态金属(12),待冷却后即完成;
其中所述液态金属为Pb90Sn10合金;
其中密封室分为升降室(1)和填充室(2),升降室(1)位于填充室(2)上方,并与 填充室(2)连通;升降室(1)内竖直设置滚珠丝杠(3),滚珠丝杠(3)上设有滑块(4),升降室(1)内壁上沿竖直方向开设有导轨,滑块(4)与导轨滑动连接;密封室内还设有 超声装置,超声装置由超声波变幅杆(5)和钛工具头(6)组成,超声波变幅杆(5)顶端与滑块(4)固定连接,底端固定连接钛工具头(6);超声波变幅杆(5)上固定设置样品固定杆(7),样品固定杆(7)底端设有样品夹具(8);
金属加热装置固定在填充室(2)底部,金属加热装置和超声装置为相对设置;金属加热装置由钼隔热屏(9)、钼加热带(10)和坩埚(11)组成,钼加热带(10)缠绕在坩埚(11)外壁,钼隔热屏(9)包覆钼加热带(10)和坩埚(11);
填充室(2)上还设有观察窗(13)和照明灯(14)。
2.根据权利要求 1 所述的一种基于超声-压力复合工艺将液态金属快速填充至 TSV的方法,其特征在于步骤三中施加的超声频率为 20KHz,超声功率为 100-2000W。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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CN112331613B true CN112331613B (zh) | 2023-03-14 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112331613B (zh) |
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CN106298639A (zh) * | 2015-06-12 | 2017-01-04 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种微孔金属填充结构及填充方法 |
CN105609450A (zh) * | 2016-03-17 | 2016-05-25 | 大连理工大学 | 一种三维封装垂直通孔的填充方法及装置 |
CN106011962A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-10-12 | 中南大学 | 一种超声外场作用下的tsv电镀方法及系统 |
CN110791746A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-02-14 | 北京工业大学 | 一种液态合金快速填充垂直硅通孔的方法及装置 |
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CN112331613A (zh) | 2021-02-05 |
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