CN112323042B - 抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法，该抽气装置应用于半导体工艺设备，且包括用于对半导体工艺设备的工艺腔室进行抽气的分子泵，还包括分子泵保护装置，分子泵保护装置包括吹扫管路组件和加热组件，加热组件设置在分子泵的外周，用于对其进行加热，以使附着在分子泵的泵体内的颗粒气化；吹扫管路组件与分子泵连接，用于选择性地向泵体中通入第一流量范围或者第二流量范围的吹扫气体，其中，第一流量范围满足能够在分子泵工作的同时对泵体的内部进行吹扫；第二流量范围满足能够在加热组件加热时，对气化后的颗粒进行吹扫。应用本申请，可减少工艺中产生的颗粒并清除附着分子泵内的副产物及颗粒，提高分子泵的使用寿命。

Description

抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法。

背景技术

化学气相沉积(CVD)工艺是将多种工艺气体在一定温度、一定压力下通过化学反应的方式镀膜或者刻蚀的一种工艺方式。工艺过程中，多种气体反应会产生一些反应副产物，副产物会影响反应腔室内的颗粒数量和颗粒运动，甚至会导致颗粒污染晶片，从而对工艺结果有较大影响。现有技术中可采取两种措施来解决副产物存在的上述问题：(1)对排除副产物所用的管路进行加热，使副产物气化，然后通过抽气将副产物排出腔室；(2)工艺结束后增加吹扫工艺，通过气体将副产物带走。对于上述增加吹扫工艺的措施，在有些CVD工艺硬件配置中会使用分子泵，可用于腔室进行高真空本底抽真空和工艺完成后进行传片使用，可在干泵对腔室进行粗抽真空流程结束后，启用分子泵抽真空流程，以防止气体向传输平台倒灌，正常工艺结束后，在不影响工艺产能的前提下，增加分子泵后总的吹扫次数和时间都会比较少。

但是，采用现有的气路和吹扫工艺进行吹扫后，仍有微量的残留反应气体和副产物会经过分子泵，而分子泵的耐热温度有限，可能达不到副产物气化的温度，且分子泵仅能用于低真空环境(压力小于0.1Torr)，当有大量气体经过分子泵时，会使分子泵压力升高，进而导致因分子泵压力异常而停止运行甚至损坏等，因此在长时间工艺后，会在分子泵泵体内附着和沉积不少副产物，影响分子泵的抽真空能力，甚至出现损坏无法启动的情况。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法，可减少工艺中产生的颗粒附着在分子泵内，并清除附着在分子泵内的副产物以及颗粒，从而提高分子泵的使用寿命。

为实现本发明的目的，第一方面提供一种抽气装置，应用于半导体工艺设备，且包括用于对所述半导体工艺设备的工艺腔室进行抽气的分子泵，还包括分子泵保护装置，所述分子泵保护装置包括吹扫管路组件和加热组件，其中：

所述加热组件设置在所述分子泵的外周，用于对所述分子泵进行加热，以使附着在所述分子泵的泵体内的颗粒气化；

所述吹扫管路组件与所述分子泵连接，用于选择性地向所述泵体中通入第一流量范围的吹扫气体或者第二流量范围的所述吹扫气体，其中，所述第一流量范围满足能够在所述分子泵工作的同时对所述泵体的内部进行吹扫；所述第二流量范围满足能够在所述加热组件加热时，对气化后的所述颗粒进行吹扫。

可选地，所述吹扫管路组件包括第一管路和第二管路，以及分别设置在所述第一管路和第二管路上的第一通断阀和第二通断阀，其中，所述第一通断阀用于控制所述第一管路的通断，所述第二通断阀用于控制所述第二管路的通断。

可选地，在所述第一管路和所述第二管路上分别设置有第一流量调节阀和第二流量调节阀，所述第一流量调节阀用于调节所述第一管路内的气体流量，并控制所述第一管路内的气体流量达到所述第一流量范围；所述第二流量调节阀用于调节所述第二管路内的气体流量，并控制所述第二管路内的气体流量达到所述第二流量范围，其中，所述第一流量范围小于所述第二流量范围。

可选地，所述吹扫管路组件包括吹扫管路和设置在所述吹扫管路上的流量调节阀和通断阀，所述通断阀用于控制所述吹扫管路的通断，所述流量调节阀用于调节所述吹扫管路内的气体流量，以使所述吹扫管路选择性地向所述泵体中通入第一流量范围的所述吹扫气体或者第二流量范围的所述吹扫气体。

可选地，所述加热组件包括加热带，所述加热带缠绕在所述泵体上，并与所述泵体紧密贴合，以对所述泵体进行加热。

可选地，所述加热带包括热电偶和沿远离所述分子泵的方向依次设置的传热层、加热层及保温层，其中，所述传热层与所述泵体贴合，所述热电偶与所述加热层连接。

可选地，还包括控制器，所述控制器分别与所述吹扫管路组件和所述加热组件连接，用于控制所述加热组件对所述分子泵进行加热；以及控制所述吹扫管路组件对所述泵体的内部进行吹扫。

可选地，所述控制器在所述分子泵处于工作状态时，控制所述吹扫管路组件以所述第一流量范围对所述泵体的内部进行吹扫；

所述控制器在所述分子泵处于非工作状态时，控制所述吹扫管路组件以所述第二流量范围对所述泵体的内部进行吹扫，以及控制所述加热组件对所述分子泵进行加热，使附着在所述泵体内的颗粒气化，以将气化后的所述颗粒排出所述分子泵。

为实现本发明的目的，第二方面提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、第一抽气装置和第二抽气装置，所述第一抽气装置与所述工艺腔室连接，用于对所述工艺腔室进行抽气，所述第二抽气装置分别与所述工艺腔室和所述第一抽气装置连接，用于对所述工艺腔室和所述第一抽气装置进行抽气，所述第一抽气装置为第一方面所述的抽气装置。

为实现本发明的目的，第三方面提供一种抽气装置的控制方法，应用于第一方面所述的抽气装置，包括：

在所述分子泵处于工作状态时，采用所述吹扫管路组件以第一流量范围对对所述分子泵的泵体内部进行吹扫；

在所述分子泵处于非工作状态时，采用所述加热组件对所述分子泵进行加热，使附着在所述泵体内的颗粒气化，并采用所述吹扫管路组件以第二流量范围对对所述泵体的内部进行吹扫，以将气化后的所述颗粒排出所述分子泵，其中，所述第二吹扫管路的流量大于所述第一吹扫管路的流量。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的抽气装置、半导体工艺设备及抽气装置的控制方法，该抽气装置包括分子泵，还包括具有吹扫管路组件和加热组件的分子泵保护装置，其中，吹扫管路组件可以在分子泵处于工作状态时，通入较小的第一流量范围的吹扫气体，对分子泵的泵体内部进行吹扫，以至少将泵体内的部分颗粒排出泵体；而对于分子泵工作过程中不可避免地沉积在泵体内的颗粒，可以在分子泵处于非工作状态时，通过吹扫管路组件向泵体内通入较大的第二流量范围的吹扫气体，并采用加热组件对泵体进行加热，使附着在泵体内的颗粒气化，气化的颗粒可以在吹扫气体的作用下排出泵体，从而减少了工艺过程中产生的颗粒，保证工艺的稳定性和重复性，且可防止颗粒在分子泵泵体内积累，从而实现对分子泵的保护，提高了分子泵的使用寿命，减少因更换分子泵造成的安装、维护、调试和检漏等耽搁的时间，继而降低了生产成本。

附图说明

图1为本申请实施例提供的抽气装置及半导体工艺设备的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的加热带的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的一种对抽气装置的保护控制流程图。

具体实施方式

下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”和“该”也可包括复数形式。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。

下面结合附图以具体的实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。

请参阅图1，为本实施例提供的抽气装置，该抽气装置可应用于半导体工艺设备，包括用于对半导体工艺设备的工艺腔室1进行抽气的分子泵2，还包括分子泵保护装置，分子泵保护装置包括吹扫管路组件和加热组件5，其中：加热组件5设置在分子泵2的外周，用于对分子泵2进行加热，以使附着在分子泵2的泵体内的颗粒气化；吹扫管路组件与泵体连接，用于选择性地向泵体中通入第一流量范围的吹扫气体或者第二流量范围的吹扫气体，其中，第一流量范围的吹扫气体满足能够在分子泵2工作的同时对泵体的内部进行吹扫；第二流量范围的吹扫气体满足能够在加热组件5加热时，对气化后的颗粒进行吹扫。

可以理解的是，第一流量范围的取值小于第二流量范围的取值，以防较大的气体流量影响分子泵2的正常工作，具体第一流量范围可以为10sccm(standard-state cubiccentimeter per minute，标况毫升每分)及小于10sccm。第二流量范围可以为明显大于第一流量范围的取值，本实施例对第一流量范围和第二流量范围的具体取值不作具体限定，只要能实现吹扫泵体内颗粒的效果即可。加热组件5可以一直处于加热状态，但在分子泵2处于工作状态时的加热温度比较低，可以小于或等于60℃，以防影响分子泵2的工作状态，或烧坏分子泵2的工作器件；在分子泵2处于非工作状态时的加热温度比较高，可以大于或等于100℃，通常加热温度也不会太高，只要能将附着在泵体内的颗粒气化即可，以防将泵体内对热比较敏感的热敏材料烧坏等。其中，附着在泵体内的颗粒包括附着在泵体内壁上的颗粒，也包括附着在分子泵内部其他部件上的颗粒，本实施例对此不做具体限定。

本实施例提供的抽气装置，包括分子泵2，还包括具有吹扫管路组件和加热组件5的分子泵保护装置，其中，吹扫管路组件可以在分子泵2处于工作状态时，通入较小的第一流量范围的吹扫气体，对分子泵2的泵体内部进行吹扫，以至少将泵体内的部分颗粒排出泵体；而对于分子泵2工作过程中不可避免地沉积在泵体内的颗粒，可以在分子泵2处于非工作状态时，通过吹扫管路组件向泵体内通入较大的第二流量范围的吹扫气体，并采用加热组件5对泵体进行加热，使附着在泵体内的颗粒气化，气化的颗粒可以在吹扫气体的作用下排出泵体，从而减少了工艺过程中产生的颗粒，保证工艺的稳定性和重复性，且可防止颗粒在分子泵2泵体内积累，从而实现对分子泵2的保护，提高了分子泵2的使用寿命，减少因更换分子泵2造成的安装、维护、调试和检漏等耽搁的时间，继而降低了生产成本。

于本实施例一具体实施方式中，吹扫管路组件可以包括第一管路41和第二管路42，以及分别设置在第一管路41和第二管路42上的第一通断阀411和第二通断阀421，其中，第一通断阀411用于控制第一管路41的通断，第二通断阀421用于控制第二管路42的通断，可以设置第一管路41用于通入第一流量范围的吹扫气体，设置第二管路42用于通入第二流量范围的吹扫气体，如此，可便于对吹扫管路组件进行管理和流量调节。

其中，第一管路41上还可以设置第一流量调节阀，该第一流量调节阀可用于调节第一管路41内的气体流量，并能够控制第一管路41内的气体流量达到第一流量范围，优选地，第一流量调节阀可以为针阀，以使第一管路41向泵体内通入较小流量(如10sccm以下)的吹扫气体。第二管路42上还可以设置第二流量调节阀，该第二流量调节阀可用于调节第二管路42内的气体流量，并能够控制第二管路42内的气体流量达到第一流量范围。需要说明的是，设置调节阀仅是本实施例的一种较佳的实施方式，本实施例并不以此为限，例如，第一管路41和/或第二管路42上也可以不设置调节阀，可采用能够通过适当流量的通气管路，当通断阀开启后，第一管路41和/或第二管路42能够向泵体内通入第一流量范围和/或第二流量范围的吹扫气体即可。

于本实施例另一具体实施方式中，吹扫管路组件也可仅包括一套吹扫管路，以及设置在吹扫管路上的流量调节阀和通断阀，通断阀用于控制吹扫管路的通断，流量调节阀用于调节吹扫管路内的气体流量，以使吹扫管路选择性地向泵体中通入第一流量范围的吹扫气体或者第二流量范围的吹扫气体。还可以根据需要设置其它流量调节装置，如扩大气体流量的装置，以保证能够在分子泵2非工作状态通入较大流量的吹扫气体。

于本实施例另一具体实施方式中，加热组件5可以包括加热带，加热带可以缠绕在分子泵2的泵体外周，并与泵体紧密贴合，以对泵体进行加热。采用加热带的方式加热，可直接对泵体进行加热，可提高对泵体内附着的颗粒的传热效率，加速颗粒气化，从而提高加热效果，提升整体清洁速率。其中，加热带的尺寸可根据实际需要进行设计，加热带可以完全包覆泵体(可避开过孔等连接位置)，也可以部分包覆泵体，只要能对泵体起到加热作用即可。

优选地，加热带可包括热电偶54和沿远离分子泵2的方向依次设置的传热层52、加热层51及保温层53，其中传热层52可与泵体贴合，热电偶54可与加热层51连接。如此，热电偶54可对加热层51进行加热，并通过传热层52对泵体加热，从而使泵体及泵体内附着的颗粒具有较高的温度(如上述的大于或等于100℃)，继而使颗粒气化。

于本实施例另一具体实施方式中，该抽气装置还可以包括控制器，控制器可分别与吹扫管路组件和加热组件5连接，用于控制加热组件5对分子泵2进行加热，以及控制吹扫管路组件对泵体的内部进行吹扫，以提高该抽气装置的自动化水平，提高工艺效率，节省劳动力，降低人工成本。

进一步地，控制器可以在分子泵2处于工作状态时，控制吹扫管路组件的第一管路41以第一流量范围对泵体的内部进行吹扫；以及在分子泵2处于非工作状态时，控制吹扫管路组件的第二管路42以第二流量范围对泵体的内部进行吹扫，和控制加热组件5在分子泵2处于非工作状态时对分子泵2进行加热，使附着在泵体内的颗粒气化，以将气化后的颗粒排出分子泵2。从而通过控制器实现对分子泵2的自动化保护控制，无需进行拆卸清理等，便可及时将泵体内的颗粒排出，防止颗粒在泵体内沉积，甚至损坏分子泵2，继而提高了分子泵2的使用寿命。

基于上述抽气装置相同的构思，本实施例还提供一种抽气装置的控制方法，应用于上述任一实施方式的抽气装置，包括：

在分子泵2处于工作状态时，采用吹扫管路组件以第一流量范围对对分子泵2的泵体内部进行吹扫；

在分子泵2处于非工作状态时，采用加热组件5对分子泵2进行加热，使附着在泵体内的颗粒气化，并采用吹扫管路组件以第二流量范围对对泵体的内部进行吹扫，以将气化后的颗粒排出分子泵2，其中，第二吹扫管路的流量大于第一吹扫管路的流量。

应用本实施例提供的抽气装置的控制方法，在分子泵2处于工作状态时，通入较小的第一流量范围的吹扫气体，对分子泵2的泵体内部进行吹扫，可以至少将泵体内的部分颗粒排出泵体；而对于分子泵2工作过程中不可避免地沉积在泵体内的颗粒，可以在分子泵2处于非工作状态时，通过吹扫管路组件向泵体内通入较大的第二流量范围的吹扫气体，并采用加热组件5对泵体进行加热，使附着在泵体内的颗粒气化，气化的颗粒可以在吹扫气体的作用下排出泵体，从而减少了工艺过程中产生的颗粒，保证工艺的稳定性和重复性，且可防止颗粒在分子泵2泵体内积累，从而实现对分子泵2的保护，提高了分子泵2的使用寿命，减少因更换分子泵2造成的安装、维护、调试和检漏等耽搁的时间，继而降低了生产成本。

基于上述抽气装置相同的构思，本实施例还提供一种半导体工艺设备，该半导体工艺设备包括工艺腔室1、第一抽气装置3和第二抽气装置，第一抽气装置3与工艺腔室1连接，用于对工艺腔室1进行抽气，第二抽气装置分别与工艺腔室1和第一抽气装置3连接，用于对工艺腔室1和第一抽气装置3进行抽气，该第一抽气装置3可以为上述任一实施方式的抽气装置，即该第一抽气装置3包括上述的分子泵2及分子泵保护装置。

该半导体工艺设备还可以包括控制系统，该控制系统可控制第一抽气装置3对工艺腔室1进行抽气和控制分子泵保护装置对分子泵2进行吹扫保护，控制第二抽气装置对工艺腔室1和分子泵2进行抽气，以及控制工艺腔室1进行工艺步骤等，上述控制器可以属于或就是该控制系统。

本实施例提供的半导体工艺设备，包括上述抽气装置，可以实现上述抽气装置的有益效果，在此不再赘述。

在一典型实施例中，如图1所示(图中箭头所指为气体流动方向)，第一抽气装置3可以包括真空泵，真空泵通过真空管路31分别与工艺腔室1和分子泵2连接，且真空管路31上设有第三通断阀311和第四通断阀312，分别控制真空管路31与工艺腔室1之间和真空管路31与分子泵2之间的通断。第二抽气装置(即本申请提供的抽气装置)可以包括分子泵2和上述的分子泵保护装置，分子泵保护装置包括加热组件5和吹扫管路组件，吹扫管路组件包括第一管路41和第二管路42，以及分别设置在第一管路41和第二管路42上的第一通断阀411和第二通断阀421，以及设置在第一管路41上的针阀。分子泵2与工艺腔室1之间可设置第五通断阀，以控制分子泵2与工艺腔室1之间的通断。对抽气装置的保护控制过程可以如下：

如图3所示，在每次工艺腔室1执行完正常工艺后，可通过控制器(图中未示出)先打开第三通断阀311，使第一通断阀411、第二通断阀421、第四通断阀312及第五通断阀处于关闭状态，此时可通真空管路31连接到厂务真空泵，通过真空泵对工艺腔室1进行抽真空，当工艺腔室11的压力达到低真空时(如0.1Torr)，关闭第三通断阀311，然后先打开第四通断阀312，再打开第一通断阀411，最后打开第五通断阀，第二通断阀421关闭，此开关顺序可防止分子泵2内部憋气，导致分子泵2异常故障甚至停止运行等。其中，分子泵2处于运行状态时，控制第一管路41的针阀位置，使第一管路41的气体流量稳定在10sccm左右，然后采用第一管路41对分子泵2进行小流量吹扫，可控制加热带的加热温度为60度。

可通过控制器记录在该工艺腔室1进行工艺的晶片数量，当记录的晶片数量达到指定数量(如1000片)时，上述小流量吹扫工艺结束后(此时晶片已传出腔室)，关闭分子泵2、第一通断阀411、第五通断阀(该步骤是要进入高温，大量气体吹扫工艺，该工艺下为避免损坏分子泵2的工作零件，可使分子泵2处于关闭状态)，打开第四通断阀312，当分子泵2完全停止运转后，将加热带的温度升高至100度，然后打开阀第二通断阀421，对分子泵2进行大流量吹扫。

大流量吹扫大概3min后，可以关闭第二通断阀421，保持打开第四通断阀312，保持关闭第一通断阀411、第三通断阀311及第五通断阀，对分子泵2内部环境抽真空约1min，之后再打开第二通断阀421吹扫3min，如此循环20(可以是任意数值)次，最后先关闭第二通断阀421，再关闭第四通断阀312，加热带降温至60度，完成分子泵2大流量吹扫工艺。

分子泵2吹扫工艺结束后，可启动工艺腔室1的真空流程，即打开第三通断阀311，其他阀都处于关闭状态，工艺腔室1达到一定真空压力后，关闭第三通断阀311，打开第四通断阀312，此时启动分子泵2，再打开第五通断阀，完成工艺腔室1的真空启动。

本实施例提供的对抽气装置的保护控制方法，在分子泵2处于工作状态时，通入较小的第一流量范围的吹扫气体，对分子泵2的泵体内部进行吹扫，可以至少将泵体内的部分颗粒排出泵体；而对于分子泵2工作过程中不可避免地沉积在泵体内的颗粒，可以在分子泵2处于非工作状态时，通过吹扫管路组件向泵体内通入较大的第二流量范围的吹扫气体，并采用加热组件5对泵体进行加热，使附着在泵体内的颗粒气化，气化的颗粒可以在吹扫气体的作用下排出泵体，从而减少了工艺过程中产生的颗粒，保证工艺的稳定性和重复性，且可防止颗粒在分子泵2泵体内积累，从而实现对分子泵2的保护，提高了分子泵2的使用寿命，减少因更换分子泵2造成的安装、维护、调试和检漏等耽搁的时间，继而降低了生产成本。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本申请的原理而采用的示例性实施方式，然而本申请并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本申请的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本申请的保护范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种抽气装置，应用于半导体工艺设备，且包括用于对所述半导体工艺设备的工艺腔室进行抽气的分子泵，其特征在于，还包括分子泵保护装置，所述分子泵保护装置包括吹扫管路组件和加热组件，其中：

所述加热组件设置在所述分子泵的外周，用于对所述分子泵进行加热，以使附着在所述分子泵的泵体内的颗粒气化；

所述吹扫管路组件与所述分子泵连接，用于选择性地向所述泵体中通入第一流量范围的吹扫气体或者第二流量范围的所述吹扫气体，其中，所述第一流量范围满足能够在所述分子泵工作的同时对所述泵体的内部进行吹扫；所述第二流量范围满足能够在所述加热组件加热时，对气化后的所述颗粒进行吹扫；所述第一流量范围小于所述第二流量范围。

2.根据权利要求1所述的抽气装置，其特征在于，所述吹扫管路组件包括第一管路和第二管路，以及分别设置在所述第一管路和第二管路上的第一通断阀和第二通断阀，其中，所述第一通断阀用于控制所述第一管路的通断，所述第二通断阀用于控制所述第二管路的通断。

3.根据权利要求2所述的抽气装置，其特征在于，在所述第一管路和所述第二管路上分别设置有第一流量调节阀和第二流量调节阀，所述第一流量调节阀用于调节所述第一管路内的气体流量，并控制所述第一管路内的气体流量达到所述第一流量范围；所述第二流量调节阀用于调节所述第二管路内的气体流量，并控制所述第二管路内的气体流量达到所述第二流量范围。

4.根据权利要求1所述的抽气装置，其特征在于，所述吹扫管路组件包括吹扫管路和设置在所述吹扫管路上的流量调节阀和通断阀，所述通断阀用于控制所述吹扫管路的通断，所述流量调节阀用于调节所述吹扫管路内的气体流量，以使所述吹扫管路选择性地向所述泵体中通入第一流量范围的所述吹扫气体或者第二流量范围的所述吹扫气体。

5.根据权利要求1所述的抽气装置，其特征在于，所述加热组件包括加热带，所述加热带缠绕在所述泵体上，并与所述泵体紧密贴合，以对所述泵体进行加热。

6.根据权利要求5所述的抽气装置，其特征在于，所述加热带包括热电偶和沿远离所述分子泵的方向依次设置的传热层、加热层及保温层，其中，所述传热层与所述泵体贴合，所述热电偶与所述加热层连接。

7.根据权利要求1-6任一项所述的抽气装置，其特征在于，还包括控制器，所述控制器分别与所述吹扫管路组件和所述加热组件连接，用于控制所述加热组件对所述分子泵进行加热；以及控制所述吹扫管路组件对所述泵体的内部进行吹扫。

8.根据权利要求7所述的抽气装置，其特征在于，所述控制器在所述分子泵处于工作状态时，控制所述吹扫管路组件以所述第一流量范围对所述泵体的内部进行吹扫；

所述控制器在所述分子泵处于非工作状态时，控制所述吹扫管路组件以所述第二流量范围对所述泵体的内部进行吹扫，以及控制所述加热组件对所述分子泵进行加热，使附着在所述泵体内的颗粒气化，以将气化后的所述颗粒排出所述分子泵。

9.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、第一抽气装置和第二抽气装置，所述第一抽气装置与所述工艺腔室连接，用于对所述工艺腔室进行抽气，所述第二抽气装置分别与所述工艺腔室和所述第一抽气装置连接，用于对所述工艺腔室和所述第一抽气装置进行抽气，所述第一抽气装置为权利要求1-8任一项所述的抽气装置。

10.一种抽气装置的控制方法，其特征在于，应用于权利要求1-8任一项所述的抽气装置，包括：

在所述分子泵处于工作状态时，采用所述吹扫管路组件以第一流量范围对所述分子泵的泵体内部进行吹扫；

在所述分子泵处于非工作状态时，采用所述加热组件对所述分子泵进行加热，使附着在所述泵体内的颗粒气化，并采用所述吹扫管路组件以第二流量范围对所述泵体的内部进行吹扫，以将气化后的所述颗粒排出所述分子泵，其中，所述第一流量范围小于所述第二流量范围。

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