CN112309989A - 基板的制作方法、基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种基板的制作方法、基板和显示装置，该制作方法包括：提供衬底，衬底具有用于安装预设器件预设安装区域；在衬底上设置第一柔性基底层，并使第一柔性基底层的剥离层与预设安装区相对设置；在第一柔性基底层的剥离层上形成第一缓冲层，并在第一柔性基底层除剥离层外的区域上设置第二缓冲层；在第一缓冲层和第二缓冲层上设置第二柔性基底层，其中第二缓冲层与第二柔性基底层的粘接强度大于第一缓冲层与第二柔性基底层的粘接强度；将第一缓冲层和剥离层从第二柔性基底层上移除。该方案设置了具有较小粘接强度的第一缓冲层，在安装预设器件之前，将第一缓冲层和剥离层一起从第二柔性基底层上移除，提高了基板的透光率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种基板的制作方法、基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，具有高屏占比的显示装置越来越受人们的欢迎。
现有显示装置为了提高屏占比，将一部分功能器件放置在基板下方。其中，该部分功能器件中有些需要感知光线进行检测，即对显示装置的透光率要求较高。然而，现有的显示装置中基板的透光率较低，不能满足该部分功能器件对透光率的需求。
故，有必要提供一种可以提高基板透光率的显示装置。
发明内容
本发明的目的在于提供一种基板的制作方法、基板和显示装置，可以提高基板的透光率。
本发明实施例提供了一种基板的制作方法，其包括：
提供衬底，所述衬底具有预设安装区域，所述预设安装区域用于安装预设器件；
在所述衬底上设置第一柔性基底层，并使所述第一柔性基底层的剥离层与所述预设安装区相对设置；
在所述第一柔性基底层的所述剥离层上形成第一缓冲层，并在所述第一柔性基底层除所述剥离层外的区域上设置第二缓冲层；
在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第二柔性基底层，其中所述第二缓冲层与所述第二柔性基底层的粘接强度大于所述第一缓冲层与所述第二柔性基底层的粘接强度；
将所述第一缓冲层和所述剥离层从所述第二柔性基底层上移除。
在一实施例中，所述第一缓冲层的组成材料包括有机物。
在一实施例中，所述有机物包括非晶硅。
在一实施例中，所述第一缓冲层的耐热的温度范围在0到475摄氏度之间。
在一实施例中，所述第一缓冲层的厚度范围为40至60埃米之间。
在一实施例中，所述第二缓冲层的组成材料包括无机物。
在一实施例中，所述无机物包括一氧化硅SiO。
在一实施例中，在所述第一柔性基底层的所述剥离层上形成第一缓冲层，并在所述第一柔性基底层除所述剥离层外的区域上设置第二缓冲层步骤还包括：
在所述第一缓冲层上形成所述第二缓冲层；
所述在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第二柔性基底层步骤包括：
在所述第二缓冲层上设置所述第二柔性基底层。
本发明实施例还提供了一种基板，其中，所述基板采用如上所述的制作方法制备。
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括显示面板和如上所述的基板，其中所述显示面板设置在所述第二柔性基底层上。
本发明实施例的基板的制作方法、基板和显示装置中，设置了具有较小粘接强度的第一缓冲层，可以在安装预设器件之前，将第一缓冲层和剥离层一起从第二柔性基底层上移除，提高了基板的透光率。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的移除前的显示装置的结构示意图。
图2为本发明实施例提供的移除后的显示装置的结构示意图。
图3为本发明实施例提供的基板的制作方法的流程示意图。
图4为本发明实施例提供的基板的制作方法的场景示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“厚度”、“上”、“下”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
本发明实施例提供了一种显示装置。请参照图1和图2，图1为本发明实施例提供的移除前的显示装置的结构示意图，图2为本发明实施例提供的移除后的显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置1包括基板11和显示面板12。其中，基板11包括衬底111、第一柔性基底层112和第二缓冲层114。接下来，对基板11中的部件进行详细介绍。
衬底111可以采用耐高温的材料制备，比如玻璃。衬底111具有预设安装区域1111和围绕预设安装区域1111设置的周围区域1112。该预设安装区域1111用于安装预设器件。如图1所示，预设安装区域1111为设置在衬底111上的通孔。其中，预设器件可以为摄像头、光线传感器等需要收集较多光线进行检测的器件。
第一柔性基底层112设置在衬底111上。第一柔性基底层112的组成材料包括PI(Polyimide，聚酰亚胺)。当预设安装区域1111未安装预设器件时，第一柔性基底层112包括剥离层1121和固定层1122，固定层1122与衬底111的周围区域1112相对设置。剥离层1121与预设安装区域1111相对设置。需要说明的是，固定层1122为第一柔性基底层112除剥离层1121外的区域。
第二缓冲层114设置在第一柔性基底层112上，并与固定层1122相对设置。第二缓冲层114的组成材料包括无机物。其中，无机物包括一氧化硅SiO。
基板11还包括第一缓冲层113和第二柔性基底层115。第一缓冲层113设置在第一柔性基底层112的剥离层1121上。第一缓冲层113的组成材料包括有机物。其中，有机物包括非晶硅。第一缓冲层113的厚度范围为40至60埃米之间，优选的，第一缓冲层113的厚度为50纳米。
在一实施例中，第二柔性基底层115设置在第一缓冲层113和第二缓冲层114上。在一实施例中，第二缓冲层114还可以设置在第一缓冲层113上，第二柔性基底层115设置在第二缓冲层114上。第二柔性基底层115的组成材料包括PI(Polyimide，聚酰亚胺)。
在预设安装区域1111安装预设器件之前，将第一缓冲层113和剥离层1121从第二柔性基底层115上移除。具体的，先采用激光对第一缓冲层113和剥离层1121进行环切，再将第一缓冲层113和剥离层1121移除，比如从第一缓冲层113的边缘进行剥离，或者直接将第一缓冲层113整层分离。需要说明的是，在上述移除过程中，由于第一缓冲层113具有一定的粘接性能，因此不论移除应力作用在第一缓冲层上还是作用在剥离层1121上，都可以将第一缓冲层113和剥离层1121从第二柔性基底层115上移除。最终得到如图2所示的基板11，该基板11的透光率在27％至35％之间。
需要说明的是，在上述激光环切的过程中会产生较大的激光光能，第一缓冲层113可以将光能转化成热能，又采用有机物制备的第一缓冲层113其耐热的温度范围在0到475摄氏度之间，因此第一缓冲层113的设置可以避免激光光能对第二柔性基底层115等部件的伤害。
其中，第二缓冲层114与第二柔性基底层115的粘接强度大于第一缓冲层113与第二柔性基底层115的粘接强度。即第一缓冲层113与第二柔性基底层115具有较小的粘接强度，在移除第一缓冲层113时可以避免对第二柔性基底层115造成损害。
在一实施例中，当第二缓冲层114设置在第一缓冲层113上，第二柔性基底层115设置在第二缓冲层114上时，在预设安装区域1111安装预设器件之前，同理的，还可以将第一缓冲层113和剥离层1121从第二缓冲层114上移除。具体的，先采用激光对第一缓冲层113和剥离层1121进行环切，再将第一缓冲层113和剥离层1121移除，比如从第一缓冲层113的边缘进行剥离，或者直接将第一缓冲层113整层分离。
需要说明的是，上述移除第一缓冲层113和剥离层1121的过程中，由于第一缓冲层113和第二柔性基底层115之间存在第二缓冲层114，因此在移除的过程中不会对第二柔性基底层115造成直接拉扯，也可以减少对第二柔性基底层115的伤害。
显示面板12设置在第二柔性基底层115上。其中，显示面板12可以为液晶显示面板，也可以为发光二极管显示面板。在一实施例中，显示面板12包括从下至上依次层叠设置的第一偏光片、薄膜晶体管层、支撑柱、黑色矩阵、彩膜基板和第二偏光片等部件。
本发明实施例的基板和显示装置，设置了与第二柔性基底层115之间具有较小粘接强度的第一缓冲层，可以在安装预设器件之前，将第一缓冲层和剥离层一起从第二柔性基底层上移除，提高了基板的透光率。
进一步的，本发明实施例还提供了一种基板的制作方法，请参照图3，该制作方法包括：
S101，提供衬底，衬底具有预设安装区域，预设安装区域用于安装预设器件。
衬底111可以采用耐高温的材料制备，比如括玻璃。衬底111具有预设安装区域1111和围绕预设安装区域1111设置的周围区域1112。该预设安装区域1111用于安装预设器件。如图4所示，预设安装区域1111为设置在衬底111上的通孔。其中，预设器件可以为摄像头、光线传感器等对光线强度要求较高的器件。
S102，在衬底上设置第一柔性基底层，并使第一柔性基底层的剥离层，与预设安装区相对设置。
如图4所示，第一柔性基底层112设置在衬底111上。第一柔性基底层112的组成材料包括PI。
第一柔性基底层112包括剥离层1121和固定层1122。其中，固定层1122为第一柔性基底层112除剥离层1121外的区域。剥离层1121与预设安装区域1111相对设置。固定层1122与周围区域1112相对设置。
S103，在第一柔性基底层的剥离层上设置第一缓冲层，并在第一柔性基底层除剥离层外的区域上设置第二缓冲层。
在本发明实施例中，在第一柔性基底层112上新增了第一缓冲层113。具体的，第一缓冲层113设置在第一柔性基底层112的剥离层1121上。第一缓冲层113的组成材料包括有机物。其中，有机物包括非晶硅。第一缓冲层113的厚度范围为40至60埃米之间，优选的，第一缓冲层113的厚度为50纳米。第一缓冲层113其耐热的温度范围在0到475摄氏度之间。其中，第一缓冲层113在安装预设器件之前移除。
第二缓冲层114设置在第一柔性基底层112上，并与固定层1122相对设置。第二缓冲层114的组成材料包括无机物。其中，无机物包括SiO。在一实施例中，第二缓冲层114还可以设置在第一缓冲层113上。
S104，在第一缓冲层和第二缓冲层上设置第二柔性基底层，其中第二缓冲层与第二柔性基底层115的粘接强度大于第一缓冲层与第二柔性基底层115的粘接强度。
第二柔性基底层115设置在第一缓冲层113和第二缓冲层114上。在一实施例中，当第二缓冲层114设置在第一缓冲层113上时，第二柔性基底层115设置在第二缓冲层114上。第二柔性基底层115的组成材料包括PI。
其中，第二缓冲层114与第二柔性基底层115的粘接强度大于第一缓冲层113与第二柔性基底层115的粘接强度。
S105，将第一缓冲层和剥离层从所第二柔性基底层上移除。
在预设安装区域1111安装预设器件之前，将第一缓冲层113和剥离层1121一起从第二柔性基底层115上移除。具体的，采用激光对第一缓冲层113和剥离层1121进行环切，再将第一缓冲层113和剥离层1121移除，比如从第一缓冲层113的边缘进行剥离，或者直接将第一缓冲层113整层分离。需要说明的是，在上述移除过程中，由于第一缓冲层113具有一定的粘接性能，因此不论移除应力作用在第一缓冲层上还是作用在剥离层1121上，都可以将第一缓冲层113和剥离层1121从第二柔性基底层115上移除。最终，得到如图2所示的基板11，该基板11的透光率在27％至35％之间。
需要说明的是，由于第二缓冲层114与第二柔性基底层115的粘接强度大于新增的第一缓冲层113与第二柔性基底层115的粘接强度。即第一缓冲层113与第二柔性基底层115之间具有较小的粘接强度，因此在移除第一缓冲层113时可以避免对第二柔性基底层115造成损害。
进一步的，在上述激光环切的过程中会产生较大的激光光能，第一缓冲层113可以将光能转化成热能，又采用有机物制备的第一缓冲层113其耐热的温度范围在0到475摄氏度之间，因此第一缓冲层113的设置可以避免激光光能对第二柔性基底层115等部件的伤害。
在一实施例中，当第二缓冲层114设置在第一缓冲层113上，第二柔性基底层115设置在第二缓冲层114上时，在预设安装区域1111安装预设器件之前，同理的，还可以将第一缓冲层113和剥离层1121从第二缓冲层114上移除。具体的，先采用激光对第一缓冲层113和剥离层1121进行环切，再将第一缓冲层113和剥离层1121移除，比如从第一缓冲层113的边缘进行剥离，或者直接将第一缓冲层113整层分离。
需要说明的是，上述移除第一缓冲层113和剥离层1121的过程中，由于第一缓冲层113和第二柔性基底层115之间存在第二缓冲层114，因此在移除的过程中不会对第二柔性基底层115造成直接拉扯，也可以减少对第二柔性基底层115的伤害。
本发明实施例的基板制作方法，设置了具有较小粘接强度的第一缓冲层，可以在安装预设器件之前，将第一缓冲层和剥离层一起从第二柔性基底层上移除，提高了基板的透光率。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种基板的制作方法、基板和显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底具有预设安装区域，所述预设安装区域用于安装预设器件；
在所述衬底上设置第一柔性基底层，并使所述第一柔性基底层的剥离层与所述预设安装区相对设置；
在所述第一柔性基底层的所述剥离层上形成第一缓冲层，并在所述第一柔性基底层除所述剥离层外的区域上设置第二缓冲层；
在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第二柔性基底层，其中所述第二缓冲层与所述第二柔性基底层的粘接强度大于所述第一缓冲层与所述第二柔性基底层的粘接强度；
将所述第一缓冲层和所述剥离层从所述第二柔性基底层上移除。
2.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的组成材料包括有机物。
3.根据权利要求2所述的基板的制作方法，其特征在于，所述有机物包括非晶硅。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的耐热的温度范围在0到475摄氏度之间。
5.根据权利要求1-3任意一项所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第一缓冲层的厚度范围为40至60埃米之间。
6.根据权利要求1所述的基板的制作方法，其特征在于，所述第二缓冲层的组成材料包括无机物。
7.根据权利要求6所述的基板的制作方法，其特征在于，所述无机物包括一氧化硅SiO。
8.根据权利要求1-3任意一项所述的基板的制作方法，其特征在于，在所述第一柔性基底层的所述剥离层上形成第一缓冲层，并在所述第一柔性基底层除所述剥离层外的区域上设置第二缓冲层步骤还包括：
在所述第一缓冲层上形成所述第二缓冲层；
所述在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层上设置第二柔性基底层步骤包括：
在所述第二缓冲层上设置所述第二柔性基底层。
9.一种基板，其特征在于，所述基板采用如权利要求1-8任意一项所述的制作方法制备。
10.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板和如权利要求9所述的基板，其中所述显示面板设置在所述第二柔性基底层上。
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