CN112272865A - 具有温度不均匀性控制的热处理系统 - Google Patents

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Abstract

本公开提供了一种热处理系统。所述热处理系统可以包括处理室和设置在所述处理室之内的工件。所述热处理系统可以包括配置为向所述工件发射光的热源。所述热处理系统还可以包括设置在所述工件和所述热源之间的可调谐反射阵列。所述可调谐反射阵列可以包括多个像素。所述多个像素的每个像素可以包括可配置为半透明状态或不透明状态的电致变色材料。当像素的所述电致变色材料被配置为半透明状态时，光至少部分地通过所述像素。相反，当所述像素的所述电致变色材料被配置为所述不透明状态时，减少光通过所述像素的透射。

Description

具有温度不均匀性控制的热处理系统
优先权要求
本申请基于申请日为2019年3月14日、名称为“具有温度不均匀性控制的热处理系统”的美国临时申请第62/818,194号，并且要求该申请的优先权，该美国临时申请通过援引并入本文中。本申请还基于申请日为2019年5月1日、名称为“具有温度不均匀性控制的热处理系统”的美国临时申请第62/841,340号，并且要求该申请的优先权，该美国临时申请通过援引并入本文中。
技术领域
本公开总体涉及热处理系统。
背景技术
热处理系统可以限定处理室，该处理室配置为容纳工件，例如半导体晶片。热处理系统还可以包括配置为加热工件的热源(例如，加热灯)。然而，与工件相关的温度分布的不均匀性会随着热源加热工件而发展，从而导致工件异常。
发明内容
本公开的实施例的方面和优点将部分地在下面的描述中阐述，或者可以从描述中了解，或者可以通过实施例的实践来了解。
一方面，提供了一种热处理系统。所述热处理系统可以包括处理室和设置在所述处理室之内的工件。此外，所述热处理系统还可以包括配置为向所述工件发射光的热源。此外，所述热处理系统可以包括设置在所述工件和所述热源之间的可调谐反射阵列。所述可调谐反射阵列可以包括多个像素。所述多个像素的每个像素可以包括可配置为半透明状态或不透明状态的电致变色材料。当像素的所述电致变色材料被配置为半透明状态时，光至少部分地通过所述像素。相反，当所述像素的所述电致变色材料被配置为所述不透明状态时，减少光通过所述像素的透射。
另一方面，提供了一种用于控制热处理系统的操作的方法，所述热处理系统具有热源和位于所述热源与设置在所述热处理系统的处理室内的工件之间的可调谐反射阵列。所述方法包括通过所述热处理系统的控制器获得指示与所述工件相关的温度分布的数据。所述方法还包括通过所述控制器至少部分地基于指示所述温度分布的所述数据来控制所述反射阵列的操作，以减少温度分布上的不均匀性。
参考以下描述和所附权利要求，将更好地理解各实施例的这些和其他特征、方面和优点。并入且构成本说明书一部分的附图说明了本公开的实施例，并且与说明书一起用于解释相关原理。
附图说明
在参考附图的说明书中阐述了对于本领域普通技术人员的实施例的详细讨论，在附图中：
图1描绘了根据本公开的示例性实施例的热处理系统；
图2描绘了根据本公开的示例性实施例的热处理系统的可调谐反射阵列；
图3描绘了根据本公开的示例性实施例的配置为半透明状态的可调谐反射阵列的多个像素；
图4描绘了根据本公开的示例性实施例的配置为不透明状态的可调谐反射阵列的第一多个像素和配置为半透明状态的可调谐反射阵列的第二多个像素；
图5描绘了根据本公开的示例性实施例的热处理系统的可调谐反射阵列；
图6描绘了根据本公开的示例性实施例的闭环控制系统；
图7描绘了根据本公开的示例性实施例的用于控制热处理系统的操作的方法的流程图；以及
图8描绘了根据本公开的示例性实施例的控制器的部件的框图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，这些实施例的一个或多个示例在附图中示出。每个示例以解释实施例而非限制本公开的方式提供。事实上，对于本领域技术人员来说显而易见的是，在不脱离本公开的范围或精神的情况下可以对实施例进行各种修改和变更。例如，作为一个实施例的一部分示出或描述的特征可以与另一实施例一起使用以产生另外的实施例。因此，本公开的各方面旨在涵盖这些修改和变更。
本公开的示例性方面涉及热处理系统。根据本公开的热处理系统可以限定配置为容纳工件的处理室。在一些实施方式中，工件可以是半导体晶片。然而，应当理解，半导体晶片可以由任何适当类型的半导体材料形成。形成半导体晶片的半导体材料的示例可以包括但不限于硅、锗或III-V半导体。然而，在不偏离本公开的范围的情况下可以使用其他合适的工件。
热处理系统可以包括设置在处理室之外的热源(例如，热灯源)。热源可以配置为加热工件。更具体地说，热源可以配置为向工件发射光以提高工件的温度。如下面将更详细讨论的，热处理系统可以配置为以均匀方式加热工件，以减少或消除工件在以不均匀方式加热时出现的工件异常(例如翘曲)。
热处理系统可以包括被配置为获得指示与工件相关的温度分布的数据的一个或多个传感器。应该理解，温度分布可以指示整个工件上温度的空间分布。例如，温度分布可以指示工件上第一位置处的第一温度，并且还可以指示工件上与第一位置不同的第二位置处的第二温度。
在一些实施方式中，一个或多个传感器可以包括热成像摄像机，该热成像摄像机被配置为获得指示与工件相关的温度分布的热图像数据(例如，红外图像数据)。热图像数据可以指示与工件相关的温度分布的不均匀性。例如，热图像数据可以指示工件的一部分相对于工件的其余部分更热。可替代地，热图像数据可以指示工件的一部分相对于工件的其余部分更冷。
在一些实施方式中，一个或多个传感器可以包括高温计，该高温计被配置为获得指示与工件表面相关的温度分布的温度测量值。温度测量值可以指示与工件表面相关的温度分布的不均匀性。例如，温度测量值可以指示表面的一部分相对于表面的其余部分更热。可替代地，温度测量值可以指示工件的一部分相对于工件的其余部分更冷。
在一些实施方式中，热处理系统可以包括与一个或多个传感器(例如，摄像机、高温计)通信耦合的控制器。以这种方式，控制器可以配置为获得指示与工件相关的温度分布的数据。如下面将更详细讨论的，控制器可以配置为控制可调谐反射阵列(例如，可切换液晶镜、液晶阵列或其他合适的可调谐反射阵列)的操作，以至少部分地基于从一个或多个传感器获得的数据来减少或消除温度分布中的不均匀性。
可调谐反射阵列可以定位在热源和工件之间。此外，可调谐反射阵列可以包括多个像素。多个像素中的每一个可以包括电致变色材料。电致变色材料可以是可配置为不透明状态和半透明状态的。当电致变色材料被配置为不透明状态时，像素可以阻挡、吸收或反射从热源发射的光。相反，当电致变色材料被配置为半透明状态时，从热源发射的光可以至少部分地通过像素。以这种方式，控制器可以配置为调节可调谐反射阵列的一个或多个像素的电致变色材料的状态(例如，不透明状态、半透明状态)，以减少或消除与工件相关的温度分布的不均匀性。在一些实施例中，可调谐反射阵列可以是可切换液晶镜。
在一些实施方式中，控制器可以配置为在对工件执行热处理工艺时调节一个或多个像素的电致变色材料的状态。以这种方式，可以在原位、实时或接近实时地减少或消除与工件相关的温度分布的不均匀性。在可替代实施方式中，控制器可以配置为在对工件执行热处理工艺(例如，快速热退火)之后调节一个或多个像素的电致变色材料的状态，以改进下一工件或下一工件后面的工件的处理。
在一些实施例中，热源可以是线性灯阵列。可调谐反射阵列可以包括具有线性形状的多个像素，该像素的长尺寸是短尺寸的至少5倍。多个像素可以被布置为使得长尺寸大致垂直于与每个线性灯相关的长尺寸。如本文所用，术语“大致垂直”是指在垂直的15°内。以这种方式，可以在两个基本方向上控制工件的温度不均匀性：与线性灯的长尺寸相关的第一方向和与像素的长尺寸相关的第二方向。
根据本公开的示例性方面的热处理设备可以提供许多技术益处。例如，可调谐反射阵列的一个或多个像素的电致变色材料可以配置为不透明状态或半透明状态，以减少与工件相关的温度分布的不均匀性。以这种方式，可以减少由于温度分布的不均匀性而引起的工件异常(例如翘曲)，并且可以提高工艺均匀性。
如本文所用，与数值结合使用的术语“大约”旨在表示所述量的20％以内。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”可以互换使用，以将一个部件和另一个部件区分开，并且不旨在表示各独立组件的位置或重要性。
现在参考附图，图1描绘了根据本公开的示例性实施例的热处理系统100。如图所示，热处理系统100可以包括处理室105。在一些实施方式中，处理室105可以至少部分地由热处理系统100的石英窗107限定。在一些实施方式中，石英窗107可以掺杂氢氧化物OH。应当理解，限定处理室105的一个或多个表面可以由任何合适的材料形成。例如，在一些实施方式中，限定处理室105的一个或多个表面可以由石英形成。
如图所示，热处理系统100可以包括能够在打开位置(图1)和关闭位置(未示出)之间移动的门110，以允许选择性地进入处理室105。例如，门110可以移动到打开位置，以允许工件120定位在处理室105内。在一些实施方式中，工件120可以至少部分地由支撑销130、132支撑。以这种方式，与向石英窗107发射光相关的热可以传递到工件120。此外，一旦工件120布置在支撑销130、132上，则门110可以移动到关闭位置。在一些实施方式中，当门110处于关闭位置时，处理室105可以与外部环境密封。
在一些实施方式中，限定处理室105的一个或多个表面可以限定气体入口140。以这种方式，从气源提供的工艺气体可以经由气体入口140流入处理室105。在一些实施方式中，工艺气体可以包括不与工件120反应的惰性气体。可替代地，工艺气体可以包括与工件120反应以在工件120的表面上沉积材料层的反应气体。例如，在一些实施方式中，工艺气体可以包括氢气H2。然而，应当理解，工艺气体可以包括任何合适的反应性气体。例如，在可替代实施方式中，反应气体可以包括氧气O2或氨气NH3。可替代地，工艺气体可以包括一种或多种气体的混合物。例如，工艺气体可以包括氢气H2和氧气O2的混合物。
热处理系统100可以包括设置在处理室105之外的一个或多个热源150。一个或多个热源150可以配置为在热处理工艺(例如快速热处理)期间向工件120发射光。从一个或多个热源150发射的光可以使工件120的温度升高。在一些实施方式中，一个或多个热源150可以在预定的时间量(例如，秒)内将工件120的温度升高至超过约1000℃。
应当理解，一个或多个热源150可以包括配置为发射光的任何合适类型的热源。例如，在一些实施方式中，一个或多个热源150可以包括一个或多个加热灯(例如，线性灯)。在可替代实施方式中，一个或多个热源150可以包括一个或多个激光发射二极管(LED)或激光束来照亮工件120。
在一些实施方式中，热处理系统100可以包括反射器152，反射器152被定位为使得将从一个或多个热源150发射的光导向或朝向处理室105。更具体地说，反射器152可以将从一个或多个热源150发射的光导向或朝向石英窗107，使得光能够穿过石英窗107并且进入处理室105。应当理解，通过石英窗107进入处理室105的至少一部分光可以被发射到工件120上。以这种方式，如上所述，在诸如快速热处理(例如，快速热退火处理)的热处理工艺期间，从一个或多个热源150发射的光可以使工件120的温度升高。如下面将更详细讨论的，热处理系统100可以包括被配置为获得指示与工件120相关的温度分布的数据的一个或多个传感器。
在一些实施方式中，热处理系统100可以包括热成像摄像机170，热成像摄像机170被配置为获得指示与工件120相关的温度分布的热图像数据(例如，红外图像数据)。热图像数据可以指示温度分布的不均匀性。例如，热图像数据可以指示工件120的一部分相对于工件120的其余部分更热。可替代地，热图像数据可以指示工件120的一部分相对于工件120的其余部分更冷。
在一些实施方式中，热成像摄像机170可以包括互补金属氧化物半导体(CMOS)摄像机。然而，应当理解，摄像机可以包括任何合适类型的摄像机，该摄像机被配置为获得指示与工件120相关的温度分布的一种或多种不均匀性的热图像数据。在一些实施方式中，热成像摄像机170可以具有大约每秒一千帧的快门速度。在可替代实施方式中，热成像摄像机170可以具有大约每秒一万帧的快门速度。还应该理解，热成像摄像机170的透镜可以具有任何合适的焦距。例如，在一些实施方式中，透镜的焦距可以小于约30厘米。在可替代实施方式中，透镜的焦距可以小于约10厘米。
在一些实施方式中，热处理系统100可以包括高温计180，高温计180被配置为获得指示与工件120的表面相关的温度分布的数据。通过高温计获得的数据可以包括多个温度测量值。此外，多个温度测量值的每个温度测量值可以与沿着工件120的表面的不同位置相关。应当理解，与晶片旋转相结合，通过静止的高温计180获得的数据可以指示与工件120的表面相关的温度分布的不均匀性。例如，数据可以指示表面的一部分相对于表面的其余部分更热。可替代地，温度测量值可以指示工件的一部分相对于工件的其余部分更冷。
在一些实施方式中，热处理系统100可以包括配置为确定工件120的反射率的装置。如图所示，该装置可以包括发射器182和接收器184。发射器182可以配置为发射信号186，该信号从工件120反射回。反射信号188可以经由装置的接收器184来接收。应该理解，热处理系统100的控制器190可以配置成至少部分地基于信号186和反射信号188的一个或多个参数(例如，相位、振幅)之间的差来确定工件的反射率。
在一些实施方式中，热处理系统100可以包括控制器190。如下面将更详细讨论的，控制器190可以配置为控制热处理系统100的可调谐反射阵列200的操作，以减少或消除与工件120相关的温度分布的不均匀性。以这种方式，热处理系统100可以减少由于与工件120相关的温度分布不均匀性而引起的工件120的异常(例如翘曲)。
如图所示，可调谐反射阵列200可以设置在工件120和一个或多个热源150之间。更具体地说，可调谐反射阵列200可以设置在石英窗107和一个或多个热源150之间。以这种方式，可调谐反射阵列200可以定位在处理室105之外。可调谐反射阵列200可以包括多个像素。多个像素中的每个像素可以由电致变色材料形成。电致变色材料的示例可以包括金属氧化物，例如氧化钨WO3。然而，应当理解，每个像素可以由任何合适类型的电致变色材料形成。例如，在一些实施方式中，可调谐反射阵列200可以是液晶反射镜，其中液晶根据提供给可调谐反射阵列200的一部分(例如像素)的电信号而对齐以反射或透射。
在一些实施方式中，电致变色材料可以是可配置为不透明状态和半透明状态的。当像素的电致变色材料被配置为不透明状态时，该像素能够反射从热源发射的光。相反，当电致变色材料被配置为半透明状态时，从热源发射的光可以至少部分地通过像素。以这种方式，控制器190可以配置为调节可调谐反射阵列的一个或多个像素的电致变色材料的状态(例如，不透明状态、半透明状态)，以减少或消除与工件相关的温度分布的不均匀性。
在一些实施方式中，控制器190可以配置为在对工件120执行热处理工艺时，调节可调谐反射阵列200的一个或多个像素的电致变色材料的状态(例如，不透明状态、半透明状态)。以这种方式，可以实时或接近实时地减少或消除与工件120相关的温度分布的不均匀性。在可替代实施方式中，控制器190可以配置为在对工件120执行热处理工艺之后调节一个或多个像素的电致变色材料的状态。以这种方式，可以减少或消除与随后处理的工件有关的温度分布的不均匀性。
现在参考图2，根据本公开，提供了可调谐反射阵列200的示例性实施例。可调谐反射阵列200可以限定包括侧向L、横向T和垂直方向V的坐标系。如图所示，可调谐反射阵列200可以包括衬底210。在一些实施方式中，衬底210可以由玻璃形成。然而，应当理解，衬底210可以由任何合适的半透明材料形成。
在一些实施方式中，可调谐反射阵列200可以包括多个导电电极220。多个电极220中的每个电极可以电耦合到控制器190(图8)。以这种方式，控制器190可以控制施加到多个电极220中的每一个的电压。在一些实施方式中，施加到多个电极220中的一个或多个的电压可以影响包括在可调谐反射阵列200中的多个像素230中的一个或多个像素的电致变色材料的状态。例如，可以向多个电极220中的一个或多个施加电压，使得将多个像素230中的至少一个像素231的电致变色材料配置为不透明状态(例如，反射状态)。以这种方式，至少一个像素231可以反射从一个或多个热源150发射的光(图1)。在一些实施方式中，当不再向多个电极220中的一个或多个施加电压时，至少一个像素231的电致变色材料可以返回到半透明状态或透明状态。可替代地，控制器190可以配置为向多个电极220中的一个或多个施加不同的电压，使得将至少一个像素231的电致变色材料配置为半透明状态。应该理解，当至少一个像素231的电致变色材料被配置为半透明状态或透明状态时，从一个或多个热源150发射的光的至少一部分可以穿过所述至少一个像素231。
现在参考图3，可调谐反射阵列200可以包括第一像素232、第二像素234、第三像素236、第四像素238和第五像素240。然而，应当理解，可调谐反射阵列200可以包括更多个或更少个像素。在一些实施方式中，可以将第一像素232、第二像素234、第三像素236、第四像素238和第五像素240的电致变色材料配置为半透明状态。以这种方式，从一个或多个热源150发射的光(用箭头表示)可以至少部分地通过像素232、234、236、238、240并到达工件120上。
在一些实施方式中，与工件120相关的温度分布的不均匀性会随着一个或多个热源150加热工件120而发展。例如，一个或多个热源150可以加热工件120，使得与工件120的第一部分122相关的温度比与工件120的第二部分124相关的温度上升得更快。如下面将更详细讨论的，可以将第一像素232、第二像素234和第三像素236中的一个或多个的电致变色材料调节为不透明状态，以减少发射到工件120的第一部分122上的光量。
现在参考图4，可以将可调谐反射阵列200的第一像素232、第二像素234和第三像素236的电致变色材料配置为不透明状态。以这种方式，第一像素232、第二像素234和第三像素236可以反射从一个或多个热源150发射的光。相反，第四像素238和第五像素240的电致变色材料可以保持在半透明状态。以这种方式，从一个或多个热源150发射的光可以继续至少部分地通过第四像素238和第五像素240。如图所示，来自一个或多个热源150的光现在仅发射到工件120的第二部分124上。应当理解，第一像素232、第二像素234和第三像素236中的一个或多个的电致变色材料可以保持在不透明状态，直到与工件120的第一部分122相关的温度大约等于与工件120的第二部分124相关的温度为止。
图5描绘了相对于多个热源150(例如，线性灯)设置的示例性可调谐反射阵列200的平面图。多个热源150各具有长尺寸l。可调谐反射阵列200具有多个像素，例如像素230。每个像素(例如，像素230)具有大于短尺寸W的长尺寸L，例如是短尺寸W的大约5倍的长尺寸L。可调谐反射阵列200的像素可以被布置为使得长尺寸L大致垂直于每个热源150的长尺寸L。
现在参考图6，根据本公开的示例性实施例，提供了闭环控制系统400的框图。如图所示，控制器190可以配置为控制可调谐反射阵列200的操作，使得由热成像摄像机170测量的工件120的实际温度分布对应于工件120的期望温度分布。可替代地或者额外地，控制器190可以配置为控制可调谐反射阵列200的操作，使得由高温计180(图1)测量的工件表面的实际温度分布对应于所述表面的期望温度分布。在一些实施方式中，期望温度分布可以对应于在热处理工艺(这样的快速热处理)期间需要减少或消除工件120上的热应力所需的均匀温度分布。以这种方式，可以减少或消除由于热处理工艺期间工件120的温度分布不均匀性而引起的工件120的异常(例如翘曲)。
现在参考图7，根据本公开的示例性实施例，提供用于控制快速热处理系统的操作的方法500的流程图。应当理解，可以使用上面参照图1讨论的热处理系统100来实现方法500。图6描述了为了说明和讨论目的以特定顺序执行的步骤。本领域技术人员在利用本文提供的公开内容时会理解，在不偏离本公开的范围的情况下可以对方法500的各步骤进行调整、修改、重新排列、同时执行或以各种方式修改。
在(502)，方法500可以包括通过热处理系统的控制器获得指示与设置在热处理系统的处理室内的工件相关的温度分布的数据。在示例性实施例中，可以从配置为获得指示与工件相关的温度分布的热图像数据(例如，红外图像数据)的热成像摄像机获取数据。可替代地或额外地，可以从配置为获得指示与工件表面相关的温度分布的数据的高温计获得数据。
在(504)，方法500可以包括通过控制器至少部分地基于在(502)处获得的数据控制热处理系统的可调谐反射阵列的操作，以减少与工件相关的温度分布的不均匀性。
在一些实施方式中，在(502)处获得的数据可以指示工件的第一部分相对于工件的第二部分更热。在这样的实施方式中，在(504)处控制反射阵列的操作可以包括通过控制器将可调谐反射阵列的一个或多个像素的电致变色材料配置为不透明状态，使得一个或多个像素反射从一个或多个热源发射的光。以这种方式，可以减少发射到工件的第一部分的光量。
在一些实施方式中，在(502)处获得的数据可以指示工件的第一部分相对于工件的第二部分更冷。在这种实施方式中，在(504)处控制反射阵列的操作可以包括通过控制器将反射阵列的一个或多个像素配置为不透明状态，使得从热源发射的光不会发射到工件的第二部分。
现在参考图8，根据本公开的示例性实施例，提供了控制器190的部件的框图。如图所示，控制器190可以包括一个或多个处理器192，其被配置为执行计算机实现的各种功能(例如，执行本文公开的方法、步骤、计算等)。如本文所用，术语“处理器”不仅是指本领域中所述的被包括在计算机中的集成电路，而且还指控制器、微控制器、微型计算机、可编程逻辑控制器(PLC)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)，以及其他可编程电路。
在一些实施方式中，控制器190可以包括一个或多个存储装置194。存储装置194的示例可以包括计算机可读介质，包括但不限于非暂时性计算机可读介质，例如RAM、ROM、硬盘驱动器、闪存驱动器或其他合适的存储装置。一个或多个存储装置194可以存储能够被一个或多个处理器192访问的信息，包括可以由一个或多个处理器192执行的计算机可读指令。计算机可读指令可以是当由一个或多个处理器192执行时使一个或多个处理器192执行操作(例如，至少部分地基于指示与工件120(图1)相关的温度分布的数据来控制可调谐反射阵列200的操作)的任何指令集。计算机可读指令可以是用任何合适的编程语言编写的软件，也可以用硬件来实施。
在一些实施方式中，控制器190可以包括通信模块196，以促进控制器190与热处理系统100的不同组件之间的通信(图1)。例如，控制器190可以发送控制信号来控制可调谐反射阵列200的操作。可替代地或额外地，控制器190可以发送控制信号来控制用于确定工件120(图1)的反射率的装置的发射器182的操作。
此外，通信模块196可以包括传感器接口198，以允许将从热处理系统100的一个或多个传感器发送的信号转换为控制器190可以理解和处理的信号。例如，用于确定工件120(图1)的反射率的装置的热成像摄像机170、高温计180和接收器184可以经由有线或无线通信链路联接到传感器接口198。以这种方式，控制器190可以接收与一个或多个传感器相关的数据。
虽然已经详细描述了本主题的具体示例性实施例，但是应该理解，本领域技术人员在了解前述内容后能够容易地得到这些实施例的修改、变更和等同物。因此，本公开的范围是示例性而非限制性的，并且本公开不排除包括对本领域普通技术人员显而易见的对本主题的修改、变更和/或增加。

Claims (20)

1.一种热处理系统，包括：
处理室；
工件，设置在所述处理室内；
热源，配置为向所述工件发射光；以及
可调谐反射阵列，设置在所述工件和所述热源之间，所述可调谐反射阵列包括多个像素，所述多个像素中的每个像素包括能够配置为半透明状态或不透明状态的电致变色材料，
其中，在所述电致变色材料被配置为所述不透明状态时，所述像素减少光通过所述像素的透射，并且
其中，在所述电致变色材料被配置为所述半透明状态时，光至少部分地通过所述像素。
2.根据权利要求1所述的热处理系统，还包括：
一个或多个传感器，配置为获取指示与所述工件相关的温度分布的数据。
3.根据权利要求2所述的热处理系统，其中，所述温度分布指示整个所述工件上温度的空间分布。
4.根据权利要求2所述的热处理系统，其中，所述一个或多个传感器包括热成像摄像机，并且其中，所述数据包括热图像数据。
5.根据权利要求2所述的热处理系统，其中，所述一个或多个传感器包括高温计，所述高温计被配置为获得指示与所述工件相关的所述温度分布的数据。
6.根据权利要求5所述的热处理系统，其中，从所述高温计获得的数据包括多个温度测量值，每个温度测量值与所述工件的表面上的不同位置相关。
7.根据权利要求2所述的热处理系统，还包括：
控制器，被配置为：
获取指示与所述工件相关的所述温度分布的所述数据；以及
至少部分地基于所述数据来控制所述可调谐反射阵列的操作，以减少所述温度分布上的不均匀性。
8.根据权利要求7所述的热处理系统，其中，在所述数据指示所述工件的第一部分比所述工件的第二部分更热时，所述控制器被配置为控制所述可调谐反射阵列的操作，以将所述可调谐反射阵列的一个或多个像素的所述电致变色材料配置为所述不透明状态，使得减少经由所述热源发射到所述工件的所述第一部分上的光量。
9.根据权利要求7所述的热处理系统，其中，在所述数据指示所述工件的第一部分比所述工件的第二部分更冷时，所述控制器被配置为控制所述可调谐反射阵列的操作，以将所述可调谐反射阵列的一个或多个像素的所述电致变色材料配置为所述半透明状态，使得增加经由所述热源发射到所述工件的所述第一部分上的光量。
10.根据权利要求1所述的热处理系统，还包括：
石英窗，设置在所述可调谐反射阵列和所述工件之间。
11.根据权利要求10所述的热处理系统，其中，所述处理室至少部分地由所述石英窗限定。
12.根据权利要求1所述的热处理系统，其中，所述热源包括多个热灯。
13.根据权利要求1所述的热处理系统，其中，所述热源包括激光器。
14.根据权利要求1所述的热处理系统，还包括：
反射器，配置为将所述光朝向所述工件反射。
15.根据权利要求1所述的热处理系统，其中，所述工件包括半导体晶片。
16.一种用于控制热处理系统的操作的方法，所述热处理系统包括热源和位于所述热源与设置在所述热处理系统的处理室内的工件之间的可调谐反射阵列，所述方法包括：
通过所述热处理系统的控制器获得指示与所述工件相关的温度分布的数据；以及
通过所述控制器至少部分地基于指示所述温度分布的所述数据来控制所述反射阵列的操作，以减少所述温度分布上的不均匀性。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述不均匀性指示所述工件的第一部分比所述工件的第二部分更热时，控制所述反射阵列的操作包括：
通过所述控制器将与所述反射阵列的一个或多个像素的电致变色材料配置为不透明状态，使得从所述热源发射的光不被发射到所述工件的所述第一部分上。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，在所述不均匀性指示所述工件的第一部分比所述工件的第二部分更冷时，控制所述反射阵列的操作包括：
通过所述控制器将与所述反射阵列的一个或多个像素的电致变色材料配置为不透明状态，使得从所述热源发射的光不被发射到所述工件的所述第二部分上。
19.根据权利要求16所述的方法，其中，获得指示与所述工件相关的温度分布的数据包括通过所述控制器经由所述热处理系统的热成像摄像机获得所述数据，并且其中，所述数据包括热图像数据。
20.根据权利要求16所述的方法，其中，获得指示与所述工件相关的温度分布的数据包括通过所述控制器经由所述热处理系统的高温计获得所述数据。
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