CN112259581B - 控制组件、显示屏以及控制装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供一种控制组件、显示屏以及控制装置。所述控制组件集成于显示屏中，包括衬底和并排设置于所述衬底上的光控结构和触控结构，所述光控结构包括信号输入线、信号输出线以及电连接于所述信号输入线和所述信号输出线之间的感光电路，所述触控结构包括多个接收电极和多个发射电极，所述接收电极复用为所述信号输出线。

Description

控制组件、显示屏以及控制装置
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种控制组件、显示屏以及控制装置。
背景技术
市面上的显示屏，尤其是中小尺寸的显示屏通常整合有触控功能。然而，整合有触控功能的显示屏只能实现短程控制，随着人机交互的发展，该种显示屏无法满足实际需求。
发明内容
有鉴于此，本申请目的在于提供一种整合有触控功能和光控功能的控制组件、显示屏以及控制装置。
本申请提供一种控制组件，所述控制组件集成于显示屏中，包括衬底和并排设置于所述衬底上的光控结构和触控结构，所述光控结构包括信号输入线、信号输出线以及电连接于所述信号输入线和所述信号输出线之间的感光电路，所述触控结构包括多个接收电极和多个发射电极，所述接收电极复用为所述信号输出线。
在一种实施方式中，所述感光电路包括一感光晶体管，所述光控结构包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及对应于所述第一栅极设置于所述第一源极和所述第一漏极之间的第一有源层，所述感光电路包括一第一扫描线，所述第一栅极连接于所述第一扫描线，所述第一源极连接于所述信号输入线。
在一种实施方式中，所述感光晶体管的第一漏极连接于所述信号输出线。
在一种实施方式中，所述感光电路还包括一开关晶体管，所述光控结果还包括第二扫描线，所述开关晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及对应于所述第二栅极设置于所述第二源极和所述第二漏极之间第二有源层，所述第二栅极连接于所述第二扫描线，所述第二源极连接于所述第一漏极，所述第二漏极连接于所述信号输出线。
在一种实施方式中，所述发射电极与所述第二栅极同层设置，所述接收电极与第二漏极同层设置。
在一种实施方式中，所述第一有源层与所述第二有源层同层设置且材料相同，所述第一有源层与所述第二有源层的材料包括光敏半导体，所述开关晶体管还包括一遮光层，所述遮光层设置于所述第二有源层远离所述衬底一侧，并对应所述第二有源层设置。
在一种实施方式中，所述光控结构包括设置于所述衬底上的所述第一电极层，设置于所述第一电极层上的半导体层，设置于所述半导体层上的第二电极层、以及设置于所述半导体层上的遮光层，所述发射电极与所述第一电极层、所述第二电极层和所述遮光层中的一个同层设置，所述接收电极与所述第一电极层、所述第二电极层和所述遮光层中的另一个同层设置。
在一种实施方式中，所述控制组件还包括一驱动结构，所述光控结构和所述触控结构电连接至所述驱动结构，所述用于驱动结构用于分时驱动所述光控结构和所述触控结构。
本申请提供一种显示屏，其包括显示面板以及贴合与所述显示面板的显示侧的控制组件，所述控制组件为如上所述的控制组件。
本申请还提供一种控制装置，其包括如上述的显示屏和一发光组件，所述发光组件用于发射光线至所述显示屏，所述显示屏的控制组件用于检测所述发光组件发出的光线射入至所述显示屏的位置。
本申请采用on-glass结构整合光控结构和触控结构，可将光控和触控功能同步集成在显示屏之中，以实现短程触控，远程光控的功能，弥补单一功能的触控或者光控的不足之处。特别有利于大尺寸显示屏同步实现光控和触控的功能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式提供的控制设备的示意图。
图2为本申请第一实施方式提供的显示屏的部分剖视图。
图3为本申请第一实施方式提供的显示屏的控制组件的俯视示意图。
图4为图2中的一个控制单元的俯视示意图。
图5为本申请另一实施方式提供的显示屏的部分剖视图。
图6为本申请又一实施方式提供的显示屏的部分剖视图。
图7为本申请再一实施方式提供的显示屏的部分剖视图。
图8为图2中的一个控制单元的等效电路图。
图9为本申请第一实施方式提供的显示屏的控制组件的模块示意图。
图10为本申请一实施方式提供的显示屏的控制组件的驱动波形图。
图11为本申请第二实施方式提供的控制设备中的一个控制单元的等效电路图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参考图1，本申请提供一种控制装置1，其包括显示屏100和发光组件200。发光组件200用于发射光线至显示屏100，显示屏100用于检测发光组件200发出的光线射入至显示屏100的位置。
根据本发明各种实施例的显示屏100可以例如包括智能手机(smartphone)、平板电脑(tablet personal computer)、移动电话(mobile phone)、视频电话机、电子书阅读器(e-book reader)、台式计算机(desktop PC)、手提电脑(laptop PC)、上网本(netbookcomputer)、工作站(workstation)、服务器或个人数字助理(personaldigitalassistant)等中的至少一个。
显示屏100可以为主动发光型显示屏，例如有机发光二极管(Organic light-emitting diode，OLED)显示屏，主动矩阵有机发光二极管(Active-matrix organiclight-emitting diode，AMOLED)显示屏，被动矩阵有机发光二极管(Passive matrixorganic light-emitting diode，PMOLED)显示屏、量子点有机发光二极管(Quantum dotlight-emitting diodes，QLED)显示屏、微发光二极管(Micro light-emitting diode，Micro-LED)显示屏以及次毫米发光二极管(Mini light-emitting diode，Mini-LED)显示屏等；也可以为被动发光型显示屏，例如液晶显示(Liquid crystal display，LCD)装置。
发光组件200可以是激光笔。发光组件200能够发出可见光及红外光。在一个实施方式中，其可以检测的波长范围为380～850nm。
请一并参考图2至图4，显示屏100包括显示面板10、贴合于显示面板10的显示侧的控制组件20以及覆盖于控制组件20远离显示面板10一侧的盖板玻璃30。其中，显示面板10与控制组件20之间，控制组件20与盖板玻璃30之间可以通过光学胶40贴合。由此，形成集成有显示和控制功能的显示屏。本申请的显示屏100可以是中小尺寸显示屏，也可以是大尺寸显示屏。
在本申请中，显示屏100为液晶显示屏。显示面板10为液晶显示面板。本申请不限定液晶显示面板10的类型，其可以为垂直电场型液晶显示面板，例如扭曲向列(Twistednematic，TN)型液晶显示面板，多畴垂直配向(Multi-domain vertical alignment，MVA)型液晶显示面板，也可以是水平电场型液晶显示面板，例如边缘场开关(Fringe fieldswitching，FFS)型液晶显示面板或者面内转换(In-plane switching，IPS)型液晶显示面板。
液晶显示面板10包括相对设置的阵列基板11和对向基板12以及设置于阵列基板11和对向基板12之间的液晶层13。在本实施方式中，阵列基板11为阵列基板，对向基板12为彩膜基板。本申请也不限定阵列基板11和对向基板12的类型。在本申请其他实施方式中，阵列基板11和对向基板12可以为COA(color filter on array)型的阵列基板和对向基板。盖板玻璃30可以是例如透明玻璃或者透明塑料。
控制组件20设置于显示面板10与盖板30之间。控制模组20包括衬底50和设置在衬底50上的光控结构20a和触控结构20b。发光组件200发出的光被照射至显示屏100，被光控结构20a检测到从而确定光线的位置。在一个实施方式中，光控结构20a用于检测可见光及红外光，其可以检测的波长范围为380～850nm。光控结构20a可以配合发光组件200一起使用。触控结构20b是用于检测用户触摸动作的模块。在本申请中，触控结构20b为电容式触控结构。在一个实施方式中，显示屏100包括显示区和非显示区。光控结构20a和触控结构20b遍布整个显示区设置。
如图3所示，控制组件20包括多个控制单元210。图中仅示出三行三列共计9个控制单元210，但本申请的控制单元210的个数不限于9个。每一控制单元210集成有光控结构20a的一个最小单元和触控结构20b的一个最小单元。
如图4所示，光控结构20a包括多个感光电路210a。每一控制单元210中包含有一感光电路210a。在本实施方式中，感光电路210a为2T1C电路。即由两个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)，一个感光晶体管T1，一个开关晶体管T2和一个存储电容C构成的电路。
另外，本申请不限定感光电路210a的具体电路结构，只要能完成感光检测即可。例如，感光传感器的电路结构也可以为3T1C，4T1C或者5T1C。
感光晶体管T1包括第一栅极G1、第一源极S1、第一漏极D1以及对应于第一栅极G1设置于第一源极S1和第一漏极D1之间的第一有源层CL1。开关晶体管T2包括第二栅极G2、第二源极S2、第二漏极D2以及对应于第二栅极G2设置于第二源极S2和第二漏极D2之间的第二有源层CL2。需要注意的是，图1的部分剖视图仅示出感光晶体管T1和开关晶体管T2的结构，没有绘出存储电容C。
感光晶体管T1的第一有源层CL1，或者说光敏半导体的材料可以包括非晶硅、聚(3-己基噻吩)(P3HT)等。P3HT是一种兼具感光性能和半导体性能的有机材料。开关晶体管T2的第二有源层CL2有源层的材料可以包括非晶硅(a-Si：H)、多晶硅(低温多晶硅与高温多晶硅)、氧化物半导体(例如IGZO)等。也就是说，其材料可以包括光敏半导体材料也可以包括非光敏半导体材料。
在本实施方式中，第一有源层CL1和第二有源层CL2均为非晶硅。并且，第一有源层CL1和第二有源层CL2同层设置。第一有源层CL1和第二有源层CL2可以在同一个步骤中以相同材料制造，以减少制造工序。当第二有源层CL2的材料包括光敏半导体材料时，控制组件20还包括一遮光层25。遮光层25设置于所述第二有源层CL2远离衬底50的一侧。遮光层25对应开关晶体管T2的第二沟道层CL2设置以防止光线对开关晶体管T2造成影响。遮光层25的材料可以为金属或者黑色油墨。
触控结构20b为互容式触控结构20b。触控结构20b包括多个接收电极Rx和多个发射电极Tx。多个发射电极Tx沿第一方向D1延伸，且在第二方向D2上间隔设置。多个接收电极Rx沿第二方向D2延伸，且在第一方向D1上间隔设置。每一接收电极Rx电连接于感光电路210a的信号输出端，即触控结构20b的接收电极Rx复用为光控结构20a的信号输出线OL。通过该复用，能够简化控制组件20的结构。
另一方面，光控结构20a可以分为设置于衬底50上的第一电极层21，设置于第一电极层21上的半导体层22，设置于半导体层22上的第二电极层23、以及设置于半导体层22上的第三电极层24和遮光层25。遮光层25对应开关晶体管T2的第二沟道层CL2设置。第三电极层24和遮光层25可以同层设置，也可以不同层设置。第一电极层21和第二电极层23之间通过绝缘层隔开。半导体层22、第二电极层23与第三电极层24之间通过绝缘层隔开。发射电极Tx可以与第一电极层21、第二电极层23和遮光层25中的一个同层设置。接收电极Rx可以与第一电极层21、第二电极层23和遮光层25中的另一个同层设置。
在本实施方式中，发射电极Tx与第一电极层21同层设置。接收电极Rx与第二电极层23同层设置。其中，第一电极层21和第二电极层23的材料可以为金属。第三电极层的材料可以为氧化铟锡。接收电极Rx和发射电极Tx的材料可以是金属材料，例如为金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)等金属以或以上金属组合而成的合金材料；也可以是透明导电材料，例如为透明导电金属氧化物，如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。
在一个具体的实施方式中，第一电极层21包括第一栅极G1、第二栅极G2。半导体层22包括第一有源层CL1和第二有源层CL2。第二电极层23包括第一源极S1、第一漏极D1、第二源极S2以及二漏极D2。第三电极层24包括接收电极Rx的外围走线。接收电极Rx的外围走线的通过开设于绝缘层中的通孔与接收电极Rx电连接。发射电极Tx可以与第二栅极G2、第二漏极D2和遮光层25中的一个同层设置。接收电极Rx与第二栅极G2、第二漏极D2和遮光层25中的另一个同层设置。需要注意的是，发射电极Tx与接收电极Rx不同层设置。
在一个具体的实施方式中，多个接收电极Rx与开关晶体管T2的第二漏极D2电连接并同层设置。多个发射电极Tx与开关晶体管的第二栅极G2相互绝缘并同层设置。
本实施方式中，示出了开关晶体管为底栅型晶体管的例子，在本申请其他实施方式中，开关晶体管也可以是其他类型的晶体管，例如顶栅型晶体管，双栅型晶体管等。当开关晶体管为底栅型晶体管时，遮光层25可以设置于衬底50与第一电极层21之间。
在本申请其他实施方式中，请参考图5，发射电极Tx与遮光层25同层设置，接收电极Rx与第二电极层23同层设置并电连接。请参考图6，发射电极Tx与第一电极层21同层设置，接收电极Rx与遮光层25同层设置，并通过开设与绝缘层中的过孔与第二漏极D2电连接。请参考图7，发射电极Tx与遮光层25同层设置，接收电极Rx与第一电极层21同层设置并通过开设与绝缘层中的过孔与第二漏极D2电连接。此外，关于其他的实施方式，在此不一一列举。
请一并参考图4和图8，光控结构20a包括第一扫描线GL1、第二扫描线GL2、信号输入线IL和信号输出线(Readout)OL和连接于信号输入线IL与信号输出线(Readout)OL之间的感光电路210a。感光电路210a的信号输入端连接于信号输入线IL，信号输出端连接于信号输出线OL。其中，第一扫描线GL1与第二扫描线GL2沿第一方向D1延伸，在第二方向D2上间隔设置。信号输入线IL和信号输出线OL沿第二方向D2延伸，在第一方向D1上间隔设置。第一方向D1与第二方向D2可以相互垂直。第一扫描线GL1、第二扫描线GL2、信号输入线IL和信号输出线OL相交形成一矩形。除图中的矩形之外，第一扫描线GL1、第二扫描线GL2、信号输入线IL和信号输出线OL围成的形状也可以为三角形、菱形、六边形、八边形中的一种或多种，从而形成网格状结构。第一扫描线GL1、第二扫描线GL2之间的间隔范围可以为0.1mm～4mm之间。信号输入线IL和信号输出线OL之间的间隔范围也可以为0.1mm～4mm之间。
第一栅极G1连接于第一扫描线GL1。第一源极S1连接于信号输入线IL。第二栅极G2连接于第二扫描线GL2。第二源极S2连接于感光晶体管T1的第一漏极D1。第二漏极D2连接于信号输出线OL。存储电容C的第一极板C1连接于感光晶体管T1的输出端与开关晶体管T2的输入端，即第一漏极D1与第二源极S2之间。第二极板C2连接于第一扫描线GL1。信号输出线OL连接至一积分放大器IA。具体地，连接至一积分放大器IA的负极，积分放大器IA的正极被提供一个参考电压Vref。
请参考图9，控制组件20还包括一驱动结构20c。光控结构20a和触控结构20b电连接至驱动结构20c，驱动结构20c用于分时驱动光控结构20a和触控结构20b。驱动结构20c可以包括一驱动芯片(Integrated Circuit,IC)。由此，光控结构20a和触控结构20b可以共用该驱动芯片。发射电极Tx以及光控结构20a的信号输入线IL电连接至驱动结构20c。
请参考图10，驱动结构20c以以下方式驱动显示屏100的控制组件20。
图10从上到下分别为：单独对发射电极Tx进行驱动的驱动波形图；单独对感光晶体管T1进行驱动的驱动波形图；以及对发射电极Tx和感光晶体管T1进行分时驱动的驱动波形图。
单独对发射电极Tx进行驱动时，在一个驱动周期中，在第一时间段t1内，对发射电极Tx提供一个触控驱动信号Vt，在第二时间段t2内，提供一个第一低电平Vl1。单独对感光晶体管T1进行驱动时，在一个驱动周期中，在第三时间段t3内，对感光晶体管T1的第一栅极G1提供一个扫描驱动信号Vs，在第四时间段t4内，提供一个第二低电平Vl2。
对发射电极Tx和感光晶体管T1进行分时驱动时，一个驱动周期T依次包括第一时间段t1、第二时间段t2’、第三时间段t3和第四时间段t4’。在第一时间段t1内，对发射电极Tx提供一个触控驱动信号Vt。在第二时间段t2’内，对发射电极Tx提供一个第一低电平Vl1。该第一低电平可以是0V。在第三时间段t3内，对感光晶体管T1的第一栅极G1提供一个扫描驱动信号Vs，在第四时间段t4’内，对感光晶体管T1的第一栅极G1提供一个第二低电平Vl2。该第二低电平Vl2可以是0V。该驱动方法能够用于本申请的控制组件中，不限于感光电路210a的结构，例如1T，1T1C，2T1C电路等。
在本申请中，光控结构20a的工作原理为：当由用户操作外部发光元件对显示屏100进行控制时，外部发光元件射出的光线照射至光控结构20a使感光晶体管T1中的非晶硅产生载流子，而通过储存电容C收集，然后通过开关晶体管T2进行控制，经积分放大器IA处理被驱动结构20c的驱动IC检测到，从而确定光线照射位置。触控结构20b的工作原理为：当用户触碰显示屏10时，发射电极Tx与接收电极Rx之间的投射电容会发生改变，经积分放大器IA处理被驱动芯片检测到，根据检测到的电信号可以确定用户触碰的位置。光控结构20a中的信号输出线OL与触控结构20b中的接收电极Rx分时复用，当传感器接收到触控信号或者感光信号时，其产生的电荷变化皆可以通过信号输出线OL传输，通过积分放大器IA处理，从而可以准确的定位出触控的坐标位置或者感光的坐标位置。
在一种实施方式中，光控结构20a和触控结构20b的分辨率相同，也就是说，光控结构20a的最小单元和触控结构20b的最小单元一一对应。在另一种实施方式中，光控结构20a和触控结构20b的分辨率不相同，也就是说，光控结构20a和触控结构20b的最小单元并非一一对应。例如，光控结构20a的最小单元的数量大于触控结构20b的最小单元的数量，则仅一部分的感光电路210a的信号输出线OL复用为接收电极Rx，一部分的信号输出线OL不连接至触控结构20b。或者光控结构20a的最小单元的数量小于触控结构20b的最小单元的数量，则仅部分的接收电极Rx复用为感光电路210a的信号输出线OL，另一部分的接收电极Rx不连接至光控结构20a。
请参考图11，本实施方式的控制装置1与第一实施方式的控制装置1大致相同，不同点在于光控结构的感光电路210a的结构。本实施方式的感光电路210a仅包括一感光晶体管T1和一存储电容C。该感光晶体管T1同时作为开关晶体管使用。具体地，光控结构20a包括信号输入线IL和第一扫描线GL1，感光晶体管T1的第一栅极G1连接于第一扫描线GL1，感光晶体管T1的第一源极S1连接于信号输入线IL，感光晶体管T1的第一漏极D1连接于接收电极Rx。存储电容C的第一极板C1连接于感光晶体管T1的输出端，即第一漏极D1，第二极板C2连接于第一扫描线GL1。
此外，在本申请的另一实施方式中，还可以省略该存储电容C，感光电路210a仅由一个感光晶体管T1构成。
本申请采用on-glass结构，整合光控结构和触控结构，可将光控和触控功能同步集成在显示屏之中，以实现短程触控，远程光控的功能，弥补单一功能的触控或者光控的不足之处。特别有利于大尺寸显示屏同步实现光控和触控的功能。并且将光控传感器和触控传感器中的信号输出线和接收电极进行合并，分时复用，能够简化结构显示屏结构，降低成本。
此外，光控结构和触控结构采用同一个驱动结构进行驱动，有利于光控和触控的芯片集成，更便于将集成的控制组件和显示面板绑定一起，能够简化结构，节约制程。
以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (7)

1.一种控制组件，其特征在于，所述控制组件集成于显示屏中，包括衬底和并排设置于所述衬底上的光控结构和触控结构，所述光控结构包括信号输入线、信号输出线以及电连接于所述信号输入线和所述信号输出线之间的感光电路，
所述感光电路包括感光晶体管、开关晶体管、第一扫描线以及第二扫描线，所述感光晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及对应于所述第一栅极设置的第一有源层，所述开关晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极以及对应于所述第二栅极设置的第二有源层，所述第一栅极连接于所述第一扫描线，所述第一源极连接于所述信号输入线，所述第二栅极连接于所述第二扫描线，所述第二源极连接于所述第一漏极，所述第二漏极连接于所述信号输出线，
所述触控结构为互容式触控结构，所述互容式触控结构包括多个接收电极和多个发射电极，所述发射电极与所述第二栅极同层且间隔设置，所述接收电极复用为所述信号输出线并与所述第二漏极形成为一体。
2.如权利要求1所述的控制组件，其特征在于，所述多个发射电极沿第一方向延伸，且在与所述第一方向相交的第二方向上间隔设置，所述多个接收电极沿第二方向延伸，且在第一方向上间隔设置。
3.如权利要求1所述的控制组件，其特征在于，所述第一有源层与所述第二有源层同层设置且材料相同，所述第一有源层与所述第二有源层的材料包括光敏半导体，所述开关晶体管还包括一遮光层，所述遮光层设置于所述第二有源层远离所述衬底一侧，并对应所述第二有源层设置。
4.如权利要求3所述的控制组件，其特征在于，所述光控结构包括设置于所述衬底上的第一电极层，设置于所述第一电极层上的半导体层，设置于所述半导体层上的第二电极层、以及设置于所述半导体层上的遮光层，所述发射电极与所述第一电极层、所述第二电极层和所述遮光层中的一个同层设置，所述接收电极与所述第一电极层、所述第二电极层和所述遮光层中的另一个同层设置。
5.如权利要求1所述的控制组件，其特征在于，所述控制组件还包括一驱动结构，所述光控结构和所述触控结构电连接至所述驱动结构，所述驱动结构用于分时驱动所述光控结构和所述触控结构。
6.一种显示屏，其特征在于，包括显示面板以及贴合与所述显示面板的显示侧的控制组件，所述控制组件为如权利要求1至5任一项所述的控制组件。
7.一种控制装置，其特征在于，包括如权利要求6所述的显示屏和发光组件，所述发光组件用于发射光线至所述显示屏，所述显示屏的控制组件用于检测所述发光组件发出的光线射入至所述显示屏的位置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112799542B (zh) * 2021-03-02 2024-03-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的驱动电路及显示面板
CN112905051B (zh) * 2021-03-02 2023-09-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN112799541B (zh) * 2021-03-02 2023-09-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的驱动电路及驱动方法
CN114171542B (zh) * 2021-12-06 2023-08-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN114187836B (zh) * 2021-12-12 2023-06-02 武汉华星光电技术有限公司 显示面板

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107480639A (zh) * 2017-08-16 2017-12-15 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板和显示装置
CN111381409A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 乐金显示有限公司 驱动电路、显示面板和显示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7940238B2 (en) * 2006-07-28 2011-05-10 Hannstar Display Corporation Liquid crystal display
US20200103995A1 (en) * 2012-11-27 2020-04-02 Guardian Glass, LLC Transparent conductive coating for capacitive touch panel
KR102037455B1 (ko) * 2013-01-31 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 일체형 유기전계 발광 표시장치
CN103176676B (zh) * 2013-02-28 2015-10-14 合肥京东方光电科技有限公司 一种触摸屏触摸点定位检测电路、触摸屏及显示装置
CN104679355B (zh) * 2015-03-19 2017-10-10 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种光学触摸屏及显示装置
CN104699344B (zh) * 2015-03-30 2017-11-28 京东方科技集团股份有限公司 触控面板及其制造方法、触控显示装置
US20190346944A1 (en) * 2018-05-10 2019-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Integrated active matrix touch panel with amplification
KR102512914B1 (ko) * 2018-12-28 2023-03-22 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 패널, 디스플레이 장치 및 구동회로
CN110286796B (zh) * 2019-06-27 2023-10-27 京东方科技集团股份有限公司 电子基板及其制作方法、显示面板
CN111524917B (zh) * 2020-04-29 2021-10-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置
CN111696494A (zh) * 2020-07-02 2020-09-22 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107480639A (zh) * 2017-08-16 2017-12-15 上海天马微电子有限公司 一种触控显示面板和显示装置
CN111381409A (zh) * 2018-12-28 2020-07-07 乐金显示有限公司 驱动电路、显示面板和显示装置

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