CN112242418A - 发光显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了发光显示装置。根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置包括:衬底;在衬底上的多个发光元件;在多个发光元件上的封装部;在封装部上并且由无机材料形成的多个光收集图案;以及在封装部和多个光收集图案上并且由具有低于多个光收集图案的折射率的折射率的材料形成的有机层。
Description
对相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月19日提交的韩国专利申请第10-2019-0087428号的优先权权益,其全部内容通过引用并入本申请。
技术领域
本公开内容涉及发光显示装置,更具体地,涉及能够改进从发光元件发射的光的正面光收集效率并且同时能够改进颜色视角的发光显示装置。
背景技术
近来,随着我们的社会向信息社会的发展,用于可视地表达电信息信号的显示装置的领域已迅速发展。相应地开发了在薄、轻和低功耗方面具有优异的性能的各种显示装置。
在各种显示装置中,发光显示装置是其中与液晶显示装置不同的不需要单独的光源的自发光显示装置。因此,可以将发光显示装置制造为具有轻薄性。另外,发光显示装置由于低电压驱动而在功耗方面具有优势,并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此,期望发光显示装置可用于各种领域。
发明内容
从发光显示装置的发光层发射的光可以通过发光显示装置的各种部件从发光显示装置出来。然而,从发光层发射的一些光可能在发光显示装置的横向方向上被提取,这可能导致正面亮度的限制。
例如,当从发光元件发射的光行进到设置在发光元件上方的高折射层与低折射层之间的界面时,它可以以小于临界角的入射角行进。在此情况下,从发光元件发射的光被折射以具有大于入射角的折射角,并且可以向外发射。此时,向外发射的光可以在发光显示装置的横向方向上行进。因此,从发光元件发射的光可以在由具有不同折射率的层形成的界面处折射以具有大于初始入射角的折射角,并因此可以以各种角度分散。这是降低发光显示装置的光提取效率的因素,并且可能出现正面亮度降低的缺陷。
因此,本公开内容的发明人已发明了具有新结构的、能够改进正面光提取效率的新颖的且改进的发光显示装置。
本公开内容的一方面在于提供一种能够改进从发光元件发射的光的光提取效率的发光显示装置。
本公开内容的另一方面在于提供一种能够具有改进的正面亮度的发光显示装置。
本公开内容的另一方面在于提供一种能够同时改进正面亮度和颜色视角的发光显示装置。
本公开内容的另一方面在于提供一种发光显示装置,其能够通过调节从发光元件发射的光的发光角度来使在发光显示装置的横向方向上行进的光最小化。
附加特征和方面将在随后的描述中阐述,并且部分特征将从描述中变得明显,或者可以通过实践本文提供的发明构思来获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的或从其衍生的结构,其权利要求书以及附图来实现和获得。
根据本公开内容的一方面,一种发光显示装置可以包括:衬底;在衬底上的多个发光元件;在多个发光元件上的封装部;在封装部上并且由无机材料形成的多个光收集图案;在封装部和多个光收集图案上并且由折射率比多个光收集图案的折射率低的材料形成的有机层。因此,多个光收集图案可以减小在发光显示装置的横向方向上引导的光的至少一部分的入射角,从而使光在衬底的正面方向上折射或使全反射光最小化。
根据本公开内容的另一方面,一种发光显示装置可以包括:包括发光区域和非发光区域的衬底;在发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;在发光元件上的封装部;以及与封装部的上表面相接触的光收集部,光收集部被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件发射的光,其中,光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖多个光收集图案的有机层,有机层具有比多个光收集图案的折射率低的折射率,从而可以改进发光显示装置的视角特性和亮度。
根据本公开内容的另一方面,一种发光显示装置可以包括:包括发光区域和非发光区域的衬底;在发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;在发光元件上的封装部;与封装部的上表面相接触的光收集部,光收集部被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件发射的光,其中,光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖多个光收集图案的有机层,并且有机层具有低于多个光收集图案的折射率的折射率;以及在封装部上的触摸部,其中,触摸部包括:在封装部上的第一无机绝缘层;在第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层;以及在第一无机绝缘层或第二无机绝缘层上的触摸线,并且其中,多个光收集图案被配置成包括:与第一无机绝缘层设置在同一层中的第一层;以及在第一层上并且与第二无机绝缘层设置在同一层中的第二层。
通过查看以下附图和详细描述,其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是或将变得明显。旨在将所有这样的附加系统、方法、特征和优点包括在本说明书内,包括在本公开内容的范围内,并由所附权利要求书保护。本节中的任何内容均不应视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开内容的实施方式讨论其他方面和优点。应当理解,本公开内容的前面的一般描述和以下的详细描述都是示例和说明,并且旨在提供对所要求保护的本公开内容的进一步解释。
根据本公开内容的实施方式,可以增加从发光元件发射的光的利用率,从而可以改进发光显示装置的效率和功耗。
根据本公开内容的实施方式,从发光元件发射的光可以在正面方向上被尽可能多地提取。
根据本公开内容的实施方式,通过使用光收集部,可以增加正面亮度并且同时还可以改进颜色视角。
应当理解,前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
附图可以被包括以提供对本公开内容的进一步理解,并且附图被并入且构成本说明书的一部分,附图示出了本公开内容的实施方式,并且与说明书一起用于解释本公开内容的各种原理。
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的示意性平面图。
图2是沿着图1的线II-II'截取的示意性截面图。
图3A和图3B是本公开内容的比较例和示例性实施方式的示意性截面图。
图4A至图4D是根据本公开内容的比较例和示例性实施方式的光分布模拟结果。
图5是本公开内容的示例性实施方式的示意性截面图。
图6A至图6C是在示例性实施方式中根据空穴传输层的厚度的变化的光功率相对于发光角度的模拟曲线图。
图7是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的示意性截面图。
图8是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的示意性截面图。
图9是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
通过参考以下详细描述的示例性实施方式以及附图,本公开内容的优点和特征以及实现该优点和特征的方法将变得清楚。然而,本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式,而是将以各种形式实现。仅通过示例的方式提供示例性实施方式,使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此,本公开内容仅由所附权利要求的范围来限定。
在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例,并且本公开内容不限于此。在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开内容的以下描述中,可以省略对已知相关技术的详细说明,以避免不必要地使本公开内容的主题不清楚。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”之类的术语通常旨在允许添加其他部件,除非该术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明,否则对单数的任何提及均可以包括复数。
即使没有明确说明,部件也会被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“在......上”、“在......上方”、“在......下面”和“旁边”之类的术语描述两个部件之间的位置关系时,除非术语与术语“紧接”或“直接”一起使用,否则一个或更多个部件可以位于这两个部件之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件,但是这些部件不受这些术语的限制并且不限定任何顺序。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此,在本公开内容的技术构思中,下面要提到的第一部件可以是第二部件。
在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。
为了便于描述,示出了在附图中示出的每个部件的尺寸和厚度,并且本公开内容不限于所示出的部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或完全地彼此粘附或彼此结合,并且可以以技术上各种方式互锁和操作,并且这些实施方式可以独立地或彼此关联地实施。
在下文中,将参照附图详细描述本公开内容的示例性实施方式。
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置的平面图。根据本公开内容的所有实施方式的发光显示装置的所有部件被可操作地耦接和配置。为了便于描述,图1仅示出了发光显示装置100的各种部件中的衬底110和多个子像素SP。
参照图1,衬底110是用于支承发光显示装置100的其他部件的支承构件,并且可以由绝缘材料形成。例如,衬底110可以由玻璃、树脂等形成。另外,衬底110可以由诸如聚酰亚胺(PI)等的聚合物或塑料形成,或者可以由具有挠性的材料形成。
衬底110包括显示区域A/A和非显示区域N/A。
显示区域A/A是用于显示图像的区域。在显示区域A/A中,可以设置用于显示图像的多个子像素SP和用于驱动多个子像素SP的电路部。电路部可以包括各种薄膜晶体管、电容器和用于驱动子像素SP的布线。例如,电路部可以包括各种部件,例如驱动薄膜晶体管、开关薄膜晶体管、存储电容器、栅极布线和数据布线,但不限于此。
非显示区域N/A是不显示图像的区域。在非显示区域N/A中,设置有用于驱动设置在显示区域A/A中的子像素SP的各种布线、驱动IC等。例如,可以在非显示区域N/A中设置诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动IC。
图1示出了非显示区域N/A围绕显示区域A/A。然而,非显示区域N/A可以是从显示区域A/A的一侧延伸的区域,但是不限于此。
多个子像素SP设置在衬底110的显示区域A/A中。多个子像素SP中的每一个是单独的发光部,并且在多个子像素SP的每一个中形成有发光元件和驱动电路。例如,多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,但是本公开内容不限于此,并且多个子像素SP还可以包括白色子像素。
在下文中,参照图2提供对多个子像素SP的更详细描述。
图2是沿着图1的线II-II'截取的截面图。
参照图2,根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100包括衬底110、薄膜晶体管120、发光元件130、封装部150和光收集部170。
参照图2,缓冲层111设置在衬底110上。缓冲层111可以改进形成在缓冲层111上的层与衬底110之间的粘附力,并且可以阻挡碱成分等流出衬底110。缓冲层111可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层,但是不限于此。基于衬底110的类型和材料以及薄膜晶体管120的结构和类型,可以省略缓冲层111。
薄膜晶体管120设置在衬底110上。薄膜晶体管120可以用作发光显示装置100的驱动元件。薄膜晶体管120包括栅电极121、有源层122、源电极123和漏电极124。在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,薄膜晶体管120具有其中有源层122设置在栅电极121上、且源电极123和漏电极124设置在有源层122上的结构。因此,薄膜晶体管120具有其中栅电极121设置在最下部的底部栅极结构,但是不限于此。
薄膜晶体管120的栅电极121设置在衬底110上。栅电极121可以是各种金属材料中的任何一种,例如,钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种,或其两种或更多种的合金,或其多层。然而,栅电极121不限于此。
栅极绝缘层112设置在栅电极121上。栅极绝缘层112是用于使栅电极121与有源层122电绝缘的层,并且可以由绝缘材料形成。例如,栅极绝缘层112可以形成为作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层,但是不限于此。
有源层122设置在栅极绝缘层112上。有源层122设置成与栅电极121交叠。例如,有源层122可以由氧化物半导体或非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。
蚀刻停止层115设置在有源层122上。当通过蚀刻方法对源电极123和漏电极124进行图案化时,蚀刻停止层115防止由于等离子体对有源层122的表面造成损害。蚀刻停止层115的一部分与源电极123交叠,并且蚀刻停止层115的另一部分与漏电极124交叠。然而,可以省略蚀刻停止层115。
源电极123和漏电极124设置在有源层122和蚀刻停止层115上。源电极123和漏电极124设置在同一层中并且彼此间隔开。源电极123和漏电极124可以电连接至有源层122以与有源层122相接触。源电极123和漏电极124可以由各种金属材料中的任何一种例如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其两种或更多种的合金或其多层形成。然而,源电极123和漏电极124不限于此。
平坦化层113设置在薄膜晶体管120上。平坦化层113可以使衬底110的一些区域的上部平坦化。例如,平坦化层113可以设置在显示区域A/A中,并且平坦化层113可以不整体或部分地设置在非显示区域N/A中。
平坦化层113可以被配置成具有单个层或多个层,并且可以由有机材料形成。例如,平坦化层113可以由丙烯酸有机材料形成,但是不限于此。平坦化层113包括用于将薄膜晶体管120和发光元件130彼此电连接的接触孔。
发光元件130设置在平坦化层113上。作为自发光元件的发光元件130可以通过从薄膜晶体管120等接收电压来驱动。发光元件130包括第一电极131、发光层132和第二电极133。
在平坦化层113上为子像素SP中的每一个分别设置第一电极131。第一电极131可以通过形成在平坦化层113中的接触孔电连接至薄膜晶体管120。第一电极131可以由能够向发光层132提供空穴的导电材料形成。例如,第一电极131可以由诸如锡氧化物(TO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等的透明导电层以及由具有优异反射率的材料例如银(Ag)或银合金(Ag合金)形成的反射层形成,但不限于此。
堤部114设置在第一电极131和平坦化层113上。堤部114是用于区分彼此相邻的子像素SP的绝缘层。堤部114可以被设置成使得第一电极131的一部分开放,并且可以是被设置成覆盖第一电极131的边缘或外围的有机绝缘材料。
发光层132设置在第一电极131上。发光层132可以对于每个子像素SP具有单独的结构。例如,子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,并且在子像素SP的每一个中,分别设置有用于发射红光的红色发光层、用于发射绿光的绿色发光层和用于发射蓝光的蓝色发光层。可以使用为每个子像素SP开放的掩模(例如,精细金属掩模(FMM))将每个发光层132图案沉积在每个发光区域EA中。发光层132可以是由有机材料形成的有机发光层,但不限于此。例如,发光层132可以是量子点发光层或微型LED。另外,发光层132还可以包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和电子阻挡层。空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层可以是空穴传送层。电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层可以是电子传送层。空穴传输层可以是空穴传送层,并且电子传输层可以是电子传送层。
设置在多个子像素SP的每一个中的发光层132可以具有能够实现微腔以增加发光显示装置100的亮度的厚度。例如,发光层132可以分开地设置在多个子像素SP中的每一个中,并且每个子像素SP上的发光层132可以设置成具有能够在第一电极131与第二电极133之间具有微腔结构的厚度。
例如,可以调节发光元件130的发光层132的厚度,从而调节设置在多个子像素SP中的每一个中的发光元件130的发光角度。稍后将描述发光元件130的发光角度和与其对应的发光层132的厚度。
第二电极133设置在发光层132上。第二电极133由能够向发光层132提供电子的导电材料形成。例如,第二电极133可以由透明导电氧化物例如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)或镱(Yb)的合金形成,但不限于此。参照图2,设置在子像素SP的每一个中的第二电极133被示出为彼此连接。然而,例如,类似于第一电极131,第二电极133可以针对每个子像素SP单独地设置,但是不限于此。
显示区域A/A可以是在多个发光区域EA之间的非发光区域NEA。
在多个发光区域EA中,分别设置有多个发光元件130。多个发光区域EA可以各自独立地发射一种颜色的光,可以对应于多个子像素SP,并且可以是未设置有堤部114的区域。例如,多个发光区域EA可以包括红色发光区域、绿色发光区域和蓝色发光区域,但是不限于此。多个发光区域EA可以被设置成彼此间隔开,例如可以设置成其中它们以列和行设置的栅格形状,但是它们不限于此。
多个发光元件130未设置在非发光区域NEA中。非发光区域NEA设置在多个发光区域EA之间,并且可以是设置有堤部114的区域。由于非发光区域NEA被设置成围绕多个发光区域EA,所以它可以形成为网格形状。
封装部150设置在发光元件130上。封装部150是保护发光元件130免受外部水分、氧气和冲击的密封构件。封装部150可以被设置成覆盖其中设置有发光元件130的整个显示区域A/A,并且还可以被设置成覆盖从显示区域A/A延伸的非显示区域N/A的一部分。封装部150可以包括:第一无机封装层151,其由无机材料形成;有机封装层152,其设置在第一无机封装层151上并且由有机材料形成;以及第二无机封装层153,其设置在有机封装层152上。
第一无机封装层151密封显示区域A/A,以保护发光元件130免受渗透到显示区域A/A中的氧气和水分的影响。第一无机封装层151不仅可以设置在显示区域A/A中,而且可以设置在从显示区域A/A延伸的非显示区域N/A中。第一无机封装层151由诸如硅氮化物SiNx或硅氮氧化物SiON等的无机材料形成,但是不限于此。
有机封装层152设置在第一无机封装层151上。有机封装层152使第一无机封装层151的上部平坦化并且填充可能在第一无机封装层151中发生的裂缝。当在第一无机封装层151上设置异物时,有机封装层152可以使异物的上部平坦化。有机封装层152可以设置在显示区域A/A以及从显示区域A/A延伸的非显示区域N/A的一部分中。有机封装层152可以由基于环氧的或基于丙烯酸的聚合物形成,但是不限于此。
第二无机封装层153设置在有机封装层152上。第二无机封装层153可以通过在发光显示装置100的外部与第一无机封装层151相接触而将有机封装层152与第一无机封装层151一起密封。第二无机封装层153可以设置在显示区域A/A和从显示区域A/A延伸的非显示区域N/A的一部分中。第二无机封装层153可以被设置成与设置在非显示区域N/A中的第一无机封装层151相接触。第二无机封装层153由诸如硅氮化物SiNx或硅氮氧化物SiON的无机材料形成,但是不限于此。
第一无机封装层151和第二无机封装层153的折射率可以大于有机封装层152的折射率。例如,当基于丙烯酸的聚合物用于有机封装层152时,有机封装层152的折射率可以为约1.5至1.6,并且可以用于有机封装层152的其他材料也可以具有相似或相同的折射率。此外,当硅氮化物SiNx用于第一无机封装层151和第二无机封装层153时,第一无机封装层151和第二无机封装层153的折射率可以为约1.8,并且可以用于第一无机封装层151和第二无机封装层153的其他材料也可以具有相似或相同的折射率。因此,从发光元件130发射的光可以从第一无机封装层151和有机封装层152的界面以及有机封装层152和第二无机封装层153的界面折射或全反射。
尽管图2示出了封装部150包括第一无机封装层151、有机封装层152和第二无机封装层153,但是包括在封装部150中的无机封装层的数量和有机封装层152的数量不限于此。
从发光显示装置的发光层发射的光穿过发光显示装置的各种部件,以释放到发光显示装置的外部。然而,在从发光层发射的光中,存在在除了正面方向例如在发光显示装置的屏幕的垂直方向之外的横向方向上提取的光。因此,发光显示装置的正面亮度可能受到限制。本公开内容的发明人已经认识到其中发光显示装置的封装部150没有在发光显示装置的正面方向上发射光的缺陷。例如,当从发光元件发射的光行进到设置在发光元件上方的高折射层与低折射层之间的界面时,它可以以小于临界角的入射角行进。在此情况下,从发光元件发射的光可以被折射成具有大于入射角的折射角并且向外发射。向外发射的光可以在发光显示装置的横向方向上行进。因此,从发光元件发射的光可以在由具有不同折射率的层形成的界面处被折射成具有大于初始入射角的折射角,并且因此可以以各种角度分散。这是降低发光显示装置的光提取效率的因素,并且可能出现正面亮度降低的缺陷。
因此,本说明书的发明人进行了各种实验以减少封装部150不发光的缺陷,并改进发光显示装置的正面亮度。下面将对此进行描述。
参照图2,光收集部170被设置在封装部150上。光收集部170被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件130发射的光。光收集部170包括多个光收集图案171和有机层172。
多个光收集图案171设置在封装部150上。例如,多个光收集图案171可以设置在第二无机封装层153上以与其相接触。另外,多个光收集图案171可以如图2所示设置在发光区域EA中。例如,多个光收集图案171可以设置成与多个发光元件130交叠。由于多个光收集图案171与多个发光元件130交叠,因此从发光元件130发射的光可以由多个光收集图案171有效地收集。
多个光收集图案171是由无机材料形成的无机图案。多个光收集图案171可以由无机绝缘材料形成。例如,多个光收集图案171可以由具有与封装部150的第二无机封装层153相同的折射率的材料例如具有约1.8的折射率的材料形成。因此,由于多个光收集图案171由具有与第二无机封装层153相同的折射率的材料形成,所以从发光元件130发射的光可以穿过第二无机封装层153与多个光收集图案171之间的界面,不被折射。多个光收集图案171可以由硅氮化物(SiNx)形成,但是不限于此。另外,只要多个光收集图案171的折射率与第二无机封装层153的折射率相同,构成多个光收集图案171的材料就不必限于无机材料。另外,尽管图2将光收集图案171示出为具有单个层,但是本公开内容的实施方式不限于此,且光收集图案171可以具有多个层堆叠的形式。
光收集图案171可以具有突出的形状。多个光收集图案171可以包括相对于每个光收集图案171的中心倾斜的表面。例如,光收集图案171可以具有金字塔形透镜、半球形透镜、锥形透镜、双凸透镜、棱镜透镜和凹透镜中的任何一种的形状。当光收集图案171具有金字塔形透镜的形状时,光收集图案171的截面可以具有三角形形状。例如,根据取决于发光元件130的发光角度以及光收集图案171与有机层172之间的折射率差的光分布,可以调节光收集图案171的倾斜角或顶角。当光收集图案171的倾斜角度大于60度时,其具有过陡的倾斜形状,从而导致可靠性降低。例如,光收集图案171的顶角或光收集图案171的倾斜角可以为60度或更小。
有机层172设置在多个光收集图案171上。有机层172可以设置为使多个光收集图案171平坦化,并且可以作为平坦化层。有机层172不仅可以设置在发光区域EA中,而且可以设置在非发光区域NEA中,并且可以设置在整个显示区域A/A中。
有机层172可以由具有比多个光收集图案171的折射率低的折射率的材料形成。例如,丙烯酸聚合物可以用于有机层172,并且可以具有大约1.5至1.6的折射率。然而,只要有机层172的折射率低于多个光收集图案171的折射率,用于构成有机层172的材料就不限于此。另外,有机层172可以由可以使多个光收集图案171的上部平坦化的材料形成。
偏光板182设置在有机层172上。偏光板182抑制外部光的反射。例如,当在外部使用发光显示装置100时,外部光可以被用作发光元件130的电极的金属或设置在发光元件130下方的金属电极引入和反射。在此情况下,反射光可以降低发光显示装置100的可视度。因此,偏光板182使从外部引入的光在特定方向上偏光,并且可以防止由发光显示装置100内部的金属反射的光发射回发光显示装置100的外部。
在偏光板182的下方设置有将光收集部170和偏光板182接合或附接的粘合层181。被设置成与有机层172的上表面相接触的粘合层181可以由具有与有机层172相同的折射率的材料形成,但不限于此。
因此,在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,可以通过将光收集部170设置在封装部150的上部上来改进发光显示装置100的光提取效率。例如,在封装部150上设置折射率较高的多个光收集图案171,并且在多个光收集图案171上设置折射率较低的有机层172。因此,从发光元件130发射的光在正面方向上集中在多个光收集图案171与有机层172之间的界面处,从而可以改进发光显示装置100的正面光提取效率。例如,如图2所示,当发射相对于衬底100的法线方向具有第一发光角度θ1的第一光L1时,第一光L1可以在多个光收集图案171与有机层172之间的界面处,在正面方向上例如在法线方向上被收集,而不是以第一发光角度θ1被收集。因此,在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,可以通过设置光收集部170来改进发光显示装置100的正面光提取效率。
本公开内容的发明人已发现,光分布根据发光元件130的发光角度而变化,因此,存在允许使用光收集部170的最佳发光角度。因此,参照图3A至图4C提供根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中的发光元件130的发光角度的更详细描述。
图3A和图3B是本公开内容的比较例和示例性实施方式的示意性截面图。图4A至图4D是根据本公开内容的比较例和示例性实施方式的光分布模拟结果。
首先,图3B示意性地示出了根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100。为了进行模拟,假设在由玻璃形成的衬底110上设置有银-钯-铜合金(APC)作为第一电极131;在第一电极131上设置有折射率为1.8的层,该层与发光层132、第二电极133和封装部150对应;在封装部150上设置有折射率为1.8并且被配置成与多个光收集图案171对应的金字塔形图案,每个金字塔形图案的截面为等边三角形;以及在多个光收集图案171上设置有折射率为1.5并且被配置成对应于有机层172的层。另外,图3A所示的比较例是省略了根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100的多个光收集图案171的发光显示装置。以及,在比较例中,假设在由玻璃形成的衬底10上设置有银-钯-铜合金(APC)作为第一电极31;在第一电极31上设置有折射率为1.8的层,该层与发光层32、第二电极33和封装部50对应;以及在封装部50上设置有折射率为1.5并且被配置成对应于有机层72的层。
接下来,在图4A至图4D中,对上述比较例和示例性实施方式的结构进行了射线光学模拟,并且当从发光层32和132发射光时在无限远视场中测量光分布模拟结果。在图4A至图4D中,光分布模拟图像和曲线图指示了每个水平(H)角度和每个垂直(V)角度的辐射强度(W/sr)。
图4A是在图3A所示的比较例的发光显示装置中,当发光元件30具有0度至10度的发光角度时的光分布模拟结果。图4B是在图3B所示的根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,当发光元件130具有0度至10度的发光角度时的示例性实施方式1的光分布模拟结果。图4C是在图3B所示的根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,当发光元件130具有11度至20度的发光角度时的示例性实施方式2的光分布模拟结果。图4D是在图3B所示的根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,当发光元件130具有21度至30度的发光角度时的示例性实施方式3的光分布模拟结果。另外,在示例性实施方式4的发光显示装置100的情况下,图3B所示的根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100的发光元件130具有31度到40度的发光角度。
表1示出了根据光分布模拟结果的比较例和示例性实施方式1至示例性实施方式4的正面亮度和总发光通量值。
表1
首先,在总发光通量中,可以确认示例性实施方式1具有与比较例1相同的发光通量值,但是在示例性实施方式2至4中,总发光通量根据发光角度的增加而增大,从而与比较例相比发光量增加。
接下来,参照图4C,在示例性实施方式2中,可以确认,当发光角度为11度至20度时,总发光通量增加,并且同时,正面亮度为比较例的正面亮度的两倍或更多。
在示例性实施方式3和4中,可以确认,与示例性实施方式2相比,总发光通量增加,但是正面亮度降低。
因此,在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,发光元件130被配置成使得从发光元件130发射的光的发光角度为11度至20度,并且光收集部170被设置在封装部150上,从而可以同时增加总发光通量和正面亮度。将参照图5至图6C提供发光元件130的配置的更详细描述。
图5是本公开内容的示例性实施方式的示意性截面图。图6A至图6C是在示例性实施方式中根据空穴传输层的厚度的变化的光功率相对于发光角度的模拟曲线图。
首先,图5中示出的实施方式示意性地示出了根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100。为了模拟,在发光显示装置100中,假设在由玻璃形成的衬底110上设置有银-钯-铜合金(APC)作为第一电极131;在第一电极131上依次设置有发光层132的空穴传输层132A、有机发光层132B和电子传输层132C;在发光层132上设置有镁-银合金(Mg:Ag)作为第二电极133;以及在第二电极133上设置有折射率为1.8的层作为封装部150。由于入射在光收集部170上的光的光分布很重要,因此在模拟结构中不包括在封装部150上的光收集部170,并且对封装部150内的光分布进行模拟。
接下来,图6A至图6C是根据对于多个子像素SP中的蓝色子像素、绿色子像素和红色子像素中的每一个的空穴传输层132A的厚度的变化的光功率相对于发光角度的模拟图。图6A至图6C所示的空穴传输层132A的厚度以nm(纳米)为单位。作为模拟,进行了薄膜光学模拟并进行了封装部150内的光分布模拟。对于蓝色子像素,测量在462nm的中心波长处的光分布,并假定蓝色子像素的有机发光层132B和电子传输层132C的厚度为100nm。对于绿色子像素,测量在528nm的中心波长处的光分布,并假定绿色子像素的有机发光层132B和电子传输层132C的厚度为140nm。对于红色子像素,测量在628nm的中心波长处的光分布,并假定蓝色子像素的有机发光层132B和电子传输层132C的厚度为210nm。
首先,参照图6A,确认在蓝色子像素的情况下,当空穴传输层132A具有90nm至110nm的厚度时,在11度到20度的发光角度处呈现出最大光功率。因此,在根据本公开内容的示例性实施方式的设置在发光显示装置100的蓝色子像素中的发光元件130中,空穴传输层132A具有90nm至110nm的厚度,并且作为空穴传输层132A、蓝色发光层和电子传输层132C的厚度之和的发光层132的厚度可以为190nm至210nm。因此,空穴传输层132A的厚度可以是空穴传输层132A、蓝色发光层和电子传输层132C的厚度之和的约47.4%至52.4%。
接下来,参照图6B,确认在绿色子像素中,当空穴传输层132A具有130nm至150nm的厚度时,在11度至20度的发光角度处呈现出最大光功率。因此,在根据本公开内容的示例性实施方式的设置在发光显示装置100的绿色子像素中的发光元件130中,空穴传输层132A具有130nm至150nm的厚度,并且作为空穴传输层132A、绿色发光层和电子传输层132C的厚度之和的发光层132的厚度可以为270nm至290nm。因此,空穴传输层132A的厚度可以是空穴传输层132A、绿色发光层和电子传输层132C的厚度之和的约48.1%至51.7%。
接下来,参照图6C,确认在红色子像素中,当空穴传输层132A具有190nm的厚度时,在11度至20度的发光角度处呈现出最大光功率。因此,在根据本公开内容的示例性实施方式的设置在发光显示装置100的红色子像素中的发光元件130中,空穴传输层132A具有190nm的厚度,并且作为空穴传输层132A、红色发光层和电子传输层132C的厚度之和的发光层132的厚度可以是400nm。因此,空穴传输层132A的厚度可以是空穴传输层132A、红色发光层和电子传输层132C的厚度之和的约47.5%。
在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,可以通过在封装部150上设置光收集部170同时调节发光元件130的发光角度来改进发光显示装置100的光提取效率。如上所述,在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,空穴传输层132A的厚度可以针对子像素SP中的每一个而不同地形成,并且整个发光层132的厚度可以不同地配置。因此,发光元件130可以被配置成在11度到20度的发光角度下具有最大光功率。另外,以上述发光角度发射的光可以在光收集部170的多个光收集图案171与有机层172之间的界面上在正面方向上聚集。因此,在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100中,可以改进光提取效率,特别是正面光提取效率。
从根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100的发光元件130发射的一些光可以在多个光收集图案171与有机层172之间的界面处被全反射并且可以向发光显示装置100内行进。此外,从发光显示装置100中的由金属材料形成的部件反射的光可以行进回到多个光收集图案171与有机层172之间的界面。因此,在发光显示装置100中,从发光元件130发射的光从多个光收集图案171与有机层172之间的界面以及由金属材料形成的部件反射的过程中,各种波长的光可以混合。因此,理论上各种波长的混合光被捕获在发光显示装置100中,但是实际上,光的行进路径由于光入射的表面的表面粗糙度而稍微改变,并且全反射条件破坏,从而可以向发光显示装置100的外部发射光。因此,根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示装置100可以允许改进颜色视角。
图7是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的示意性截面图。
图7的发光显示装置700在光收集部770方面与图1和图2的发光显示装置100不同,但是它的其他配置与图1和图2的发光显示装置100的配置基本相同。因此,将简要地提供或省略多余的描述。
参照图7,光收集部770被设置在封装部150上。光收集部770被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件130发射的光。光收集部770包括多个光收集图案171和有机层772。多个光收集图案171可以与参照图1和图2描述的多个光收集图案171相同。
有机层772设置在多个光收集图案171上。有机层772可以设置成使多个光收集图案171平坦化,并且可以作为平坦化层。有机层772不仅可以设置在发光区域EA中,而且可以设置在非发光区域NEA中,并且可以设置在整个显示区域A/A中。
有机层772可以由具有低于多个光收集图案171的折射率的折射率的材料形成。此外,有机层772可以由能够使多个光收集图案171的上部平坦化并且能够将设置在其上的偏光板182接合的材料形成。因此,有机层772可以由粘合层形成。例如,基于丙烯酸的聚合物可以用作有机层772,并且可以具有约1.5至1.6的折射率。只要有机层772的折射率低于多个光收集图案171的折射率并且有机层772具有粘合性,则构成有机层772的材料不限于此。
在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置700中,可以通过在封装部150上设置光收集部770,同时调节发光元件130的发光角度来改进发光显示装置700的光提取效率。例如,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置700中,发光元件130被配置成在11度到20度的发光角度下具有最大光功率,并且从发光元件130发射的光可以在多个光收集图案171与有机层772之间的界面处在正面方向上被收集。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置700中,可以改进光提取效率,特别是正面光提取效率。
另外,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置700中,设置在多个光收集图案171上以平坦化多个光收集图案171的上部的有机层772可以用作粘合层。因此,有机层772可以执行粘合层的功能以及平坦化层的功能。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置700中,有机层772用作平坦化层和粘合层,从而可以实现允许厚度减小,同时改进正面光提取效率,并且允许减少制造时间的发光显示装置700。
图8是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的示意性截面图。除了光收集部870不同并且还包括触摸部860之外,图8的发光显示装置800的其他配置与图1和图2的发光显示装置100的基本相同。因此,将简要地提供或省略多余的描述。
参照图8,触摸部860设置在封装部150上。触摸部860可以直接设置在封装部150上例如第二无机封装层153的上表面上以感测触摸输入。触摸部860包括第一无机绝缘层861、第二无机绝缘层862以及在第一无机绝缘层861或第二无机绝缘层862上的触摸线864。
第一无机绝缘层861设置在封装部150上。第一无机绝缘层861与封装部150的第二无机封装层153相接触。第一无机绝缘层861可以由无机材料形成。例如,其可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)等的无机材料形成,但是不限于此。
触摸线864设置在第一无机绝缘层861上。触摸线864设置在第一无机绝缘层861上的非发光区域NEA中。触摸线864可以在行方向上或在列方向上设置。触摸线864提供用于驱动触摸部860的触摸驱动信号。此外,触摸线864可以将由触摸部860感测到的触摸信息发送到驱动IC。
第二无机绝缘层862设置在触摸线864和第一无机绝缘层861上。第二无机绝缘层862可以防止被设置成与其相邻的触摸线864的短路。第二无机绝缘层862可以由具有与第一无机绝缘层861相同的折射率的无机材料形成。例如,第二无机绝缘层862可以由诸如硅氮化物SiNx、硅氮氧化物SiON的无机材料形成,但不限于此。
触摸电极设置在第一无机绝缘层861和第二无机绝缘层862上。触摸电极可以在列和行方向上设置。例如,可以将在行方向或列方向中的任一个上设置的触摸电极布置在第一无机绝缘层861的上部上。在行方向或列方向中的另一个上设置的触摸电极可以设置在第二无机绝缘层862上,但不限于此。沿列方向设置的触摸电极和沿行方向设置的触摸电极可以通过桥接电极彼此连接并且具有网状结构。
参照图8,光收集部870设置在封装部150上。光收集部870被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件130发射的光。光收集部870包括多个光收集图案871和有机层872。
多个光收集图案871可以由与触摸部860的第一无机绝缘层861和第二无机绝缘层862相同的材料形成并且设置在同一层中。例如,多个光收集图案871可以被配置成包括:由与第一无机绝缘层861相同的材料形成并且与第一无机绝缘层861设置在同一层中的第一层;以及由与第二无机绝缘层862相同的材料形成并且与第二无机绝缘层862设置在同一层中的第二层,第二层设置在第一层上。然而,本公开内容的实施方式不限于此,并且多个光收集图案871可以由与第一无机绝缘层861和第二无机绝缘层862中的任何一个相同的材料形成并且与第一无机绝缘层861和第二无机绝缘层861中的任何一个设置在同一层中。
有机层872被设置在多个光收集图案871和触摸部860上。有机层872可以被设置成使多个光收集图案871和触摸部860平坦化,并且可以作为平坦化层。有机层872不仅可以设置在发光区域EA中,而且可以设置在非发光区域NEA中,并且可以设置在整个显示区域A/A中。
有机层872可以由具有比多个光收集图案871的折射率低的折射率的材料形成。此外,有机层872可以由可以使多个光收集图案871和触摸部860的上部平坦化的材料形成。例如,丙烯酸聚合物可以用于有机层872,并且可以具有约1.5至1.6的折射率。只要有机层872的折射率低于多个光收集图案871的折射率,用于构成有机层872的材料就不限于此。
在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置800中,可以通过在封装部150上设置光收集部870,同时调节发光元件130的发光角度来改进发光显示装置800的光提取效率。例如,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置800中,发光元件130被设计为在11度至20度的发光角度下具有最大光功率,并且从发光元件130发射的光可以在光收集部870的多个光收集图案871与有机层872之间的界面处在正面方向上被收集。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置800中,可以改进光提取效率,特别是正面光提取效率。
另外,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置800中,可以同时形成光收集部870和触摸部860。例如,在触摸部860的制造过程中,光收集部870的多个光收集图案871可以与触摸部860的第一无机绝缘层861和第二无机绝缘层862同时形成。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置800中,由于在触摸部860的制造过程中光收集部870的多个光收集图案871与触摸部860同时形成,因此可以形成多个光收集图案871而无需额外的制造工艺。因此,可以在不引起额外的制造成本或制造时间的情况下改进发光显示装置800的正面光提取效率。
图9是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示装置的示意性截面图。图9的发光显示装置900与图8的发光显示装置800的不同之处仅在于触摸部960和光收集部970,但是它的其他配置与图8的发光显示装置800的配置基本相同。因此,将简要地提供或省略多余的描述。
参照图9,触摸部960设置在封装部150上。触摸部960设置在包括发光元件130的显示区域A/A中以感测触摸输入。触摸部960包括第一无机绝缘层861、第二无机绝缘层862、第三无机绝缘层963以及在第一无机绝缘层861或第二无机绝缘层862上的触摸线864。
第三无机绝缘层963设置在第二无机绝缘层862上。第三无机绝缘层963被设置成覆盖第二无机绝缘层862和触摸线864以保护第三无机绝缘层963下方的部件。
第三无机绝缘层963可以由具有与第一无机绝缘层861和第二无机绝缘层862相同的折射率的材料形成。例如,其可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiON)等的无机材料形成,但不限于此。
参照图9,光收集部970被设置在封装部150上。光收集部970被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件130发射的光。光收集部970包括多个光收集图案971和有机层972。
多个光收集图案971可以由与触摸部960的第一无机绝缘层861、第二无机绝缘层862和第三无机绝缘层963相同的材料形成并且与触摸部960的第一无机绝缘层861、第二无机绝缘层862和第三无机绝缘层963设置在同一层中。例如,多个光收集图案971可以被配置成包括:第一层,第一层由与第一无机绝缘层861相同的材料形成并且与第一无机绝缘层861设置在同一层中;第二层,第二层由与第二无机绝缘层862相同的材料形成并与第二无机绝缘层862设置在同一层中,第二层设置在第一层上;以及第三层,第三层由与第三无机绝缘层963相同的材料形成并且与第三无机绝缘层963设置在同一层中,第三层设置在第二层上。然而,本公开内容的实施方式不限于此,并且多个光收集图案971可以由与第一无机绝缘层861、第二无机绝缘层862和第三无机绝缘层963中的至少一个相同的材料形成并且与第一无机绝缘层861、第二无机绝缘层862和第三无机绝缘层963中的至少一个设置在同一层中。
有机层972设置在多个光收集图案971和触摸部960上。有机层972可以设置成使多个光收集图案971和触摸部960平坦化,并且可以作为平坦化层。有机层972不仅可以设置在发光区域EA中,而且可以设置在非发光区域NEA中,并且可以设置在整个显示区域A/A中。
有机层972可以由具有低于多个光收集图案971的折射率的折射率的材料形成。此外,有机层972可以由能够使多个光收集图案971的上部平坦化并且能够将设置在其上的偏光板182接合或附接的材料形成。因此,有机层972可以由粘合层形成。例如,基于丙烯酸的聚合物可以用作有机层972,并且可以具有约1.5至1.6的折射率。只要有机层972的折射率低于多个光收集图案971的折射率并且有机层972具有粘合性,则用于构成有机层972的材料不限于此。
在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置900中,可以通过在封装部150上设置光收集部970,同时调节发光元件130的发光角度来改进发光显示装置900的光提取效率。例如,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置900中,发光元件130被设计为在11度到20度的发光角度下具有最大光功率,并且从发光元件130发射的光可以在多个光收集图案971与有机层972之间的界面上在正面方向上被收集。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置900中,可以改进光提取效率,特别是正面光提取效率。
另外,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置900中,可以同时形成光收集部970和触摸部960。例如,在触摸部960的制造过程中,光收集部970的多个光收集图案971可以与触摸部960的第一无机绝缘层861、第二无机绝缘层862和第三无机绝缘层963同时形成。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置900中,由于在触摸部960的制造过程中,光收集部970的多个光收集图案971与触摸部960中的触摸部960同时形成,因此可以形成多个光收集图案971而无需额外的制造过程。因此,可以在不导致额外的制造成本或制造时间的情况下改进发光显示装置900的正面光提取效率。
另外,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置900中,设置在多个光收集图案971上以使多个光收集图案971的上部平坦化的有机层972可以用作粘合层。因此,有机层972可以执行粘合层的功能以及平坦化层的功能。因此,在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示装置900中,有机层972可以用作平坦化层和粘合层,从而可以实现允许减小厚度、同时改进正面光提取效率、并且允许减少制造时间的发光显示装置900。
以下将描述根据本公开内容的一个或更多个实施方式的发光显示装置。
根据本公开内容的实施方式的发光显示装置包括:衬底;在衬底上的多个发光元件;在多个发光元件上的封装部;在封装部上并且由无机材料形成的多个光收集图案;以及在封装部和多个光收集图案上并且由折射率比多个光收集图案的折射率低的材料形成的有机层。
根据本公开内容的一些实施方式,可以将多个光收集图案设置成与多个发光元件交叠。
根据本公开内容的一些实施方式,多个光收集图案可以由堆叠的由无机材料形成的多个无机图案构成。
根据本公开内容的一些实施方式,发光显示装置还可以包括在有机层上的偏光板,其中有机层可以是设置在偏光板的下表面上的粘合层。
根据本公开内容的一些实施方式,发光显示装置还可以包括在有机层上的偏光板,以及在偏光板的下表面上的粘合层,有机层的上表面可以与粘合层相接触。
根据本公开内容的一些实施方式,发光显示装置还可以包括在封装部上的触摸部,其中,触摸部可以包括:在封装部上的第一无机绝缘层;在第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层;以及在第一无机绝缘层或第二无机绝缘层上的触摸线,并且多个光收集图案可以被配置成包括:与第一无机绝缘层设置在同一层中的第一层;以及在第一层上并且与第二无机绝缘层设置在同一层中的第二层。
根据本公开内容的一些实施方式,有机层可以使第二无机绝缘层和触摸线平坦化。
根据本公开内容的一些实施方式,触摸部还可以包括覆盖第二无机绝缘层和触摸线的第三无机绝缘层,并且光收集图案可以包括在第二层上并且与第三无机绝缘层设置在同一层中的第三层。
根据本公开内容的一些实施方式,第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和第三无机绝缘层可以由具有相同折射率的材料构成。
根据本公开内容的一些实施方式,多个发光元件的发光角度可以是11度至20度。
根据本公开内容的一些实施方式,多个光收集图案和有机层可以使从多个发光元件发射的光在正面方向上折射。
根据本公开内容的一些实施方式,多个发光元件可以包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件,并且多个发光元件中的每一个可以包括第一电极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极。
根据本公开内容的一些实施方式,红色发光元件的空穴传输层的厚度可以是190nm。
根据本公开内容的一些实施方式,绿色发光元件的空穴传输层的厚度可以是130nm至150nm。
根据本公开内容的一些实施方式,蓝色发光元件的空穴传输层的厚度可以是90nm至110nm。
根据本公开内容的实施方式的发光显示装置包括:包括发光区域和非发光区域的衬底;在发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;在发光元件上的封装部;与封装部的上表面相接触的光收集部,光收集部被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件发射的光,其中,光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖多个光收集图案的有机层,有机层具有比多个光收集图案的折射率低的折射率。
根据本公开内容的一些实施方式,多个光收集图案可以具有金字塔形透镜、半球形透镜、圆锥形透镜、双凸透镜、棱镜透镜和凹透镜中的任何一种的形状。
根据本公开内容的一些实施方式,光收集部可以包括相对于光收集部的中心倾斜的表面,并且光收集部的顶角可以是60度。
根据本公开内容的一些实施方式,发光显示装置还可以包括在有机层上的偏光板,其中有机层可以是将多个光收集图案和偏光板附接的粘合层。
根据本公开内容的一些实施方式,发光显示装置还可以包括与有机层的上表面相接触的粘合层;以及与粘合层的上表面相接触的偏光板。
根据本公开内容的一些实施方式,发光显示装置还可以包括触摸部,该触摸部设置在封装部上并且与光收集部一起实现。
根据本公开内容的一些实施方式,发光角度可以是11度至20度。
根据本公开内容的一些实施方式,发光元件可以包括第一电极、空穴传输层、红色发光层、电子传输层和第二电极,并且空穴传输层的厚度可以为空穴传输层、红色发光层和电子传输层的厚度之和的47.5%。
根据本公开内容的一些实施方式,发光元件可以包括第一电极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层和第二电极,空穴传输层的厚度可以为空穴传输层、绿色发光层和电子传输层的厚度之和的48%至51.7%。
根据本公开内容的一些实施方式,发光元件可以包括第一电极、空穴传输层、蓝色发光层、电子传输层和第二电极,并且空穴传输层的厚度可以为空穴传输层、蓝色发光层和电子传输层的厚度之和的47.4%至52.4%。
根据本公开内容的一个实施方式的发光显示装置包括:包括发光区域和非发光区域的衬底;在发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;在发光元件上的封装部;与封装部的上表面相接触的光收集部,光收集部被配置成在正面方向上而不是以发光角度收集从发光元件发射的光,其中,光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖多个光收集图案的有机层,并且有机层具有低于多个光收集图案的折射率的折射率;以及在封装部上的触摸部,其中,触摸部包括:在封装部上的第一无机绝缘层;在第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层;以及在第一无机绝缘层或第二无机绝缘层上的触摸线,并且其中,多个光收集图案被配置成包括:与第一无机绝缘层设置在同一层中的第一层;以及在第一层上并且与第二无机绝缘层设置在同一层中的第二层。
根据本公开内容的一些实施方式,有机层可以被配置成使第二无机绝缘层和触摸线平坦化。
根据本公开内容的一些实施方式,触摸部还可以包括覆盖第二无机绝缘层和触摸线的第三无机绝缘层,并且其中,多个光收集图案可以包括在第二层上并且与第三无机绝缘层设置在同一层中的第三层。
根据本公开内容的一些实施方式,第一无机绝缘层、第二无机绝缘层和第三无机绝缘层可以由具有相同折射率的材料构成。
对于本领域技术人员将明显的是,在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下,可以对本公开内容进行各种修改和变型。因此,旨在本公开内容的实施方式覆盖了本公开内容的修改和变型,只要它们落在所附权利要求及其等同物的范围内。
发明构思
本发明提供了以下发明构思:
1.一种发光显示装置,包括:
衬底;
在所述衬底上的多个发光元件;
在所述多个发光元件上的封装部;
在所述封装部上并且由无机材料形成的多个光收集图案;以及
在所述封装部和所述多个光收集图案上并且由具有低于所述多个光收集图案的折射率的折射率的材料形成的有机层。
2.根据发明构思1所述的发光显示装置,其中,所述多个光收集图案被设置成与所述多个发光元件交叠。
3.根据发明构思1所述的发光显示装置,其中,所述多个光收集图案由堆叠的由无机材料形成的多个无机图案构成。
4.根据发明构思1所述的发光显示装置,还包括:
在所述有机层上的偏光板,
其中,所述有机层是在所述偏光板的下表面上的粘合层。
5.根据发明构思1所述的发光显示装置,还包括:
在所述有机层上的偏光板;以及
在所述偏光板的下表面上的粘合层,
其中,所述有机层的上表面与所述粘合层相接触。
6.根据发明构思1所述的发光显示装置,还包括:
在所述封装部上的触摸部,
其中,所述触摸部包括:在所述封装部上的第一无机绝缘层;在所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层;以及在所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层上的触摸线,并且
其中,所述多个光收集图案被配置成包括:与所述第一无机绝缘层设置在同一层中的第一层;以及在所述第一层上并且与所述第二无机绝缘层设置在同一层中的第二层。
7.根据发明构思6所述的发光显示装置,其中,所述有机层被配置成使所述第二无机绝缘层和所述触摸线平坦化。
8.根据发明构思6所述的发光显示装置,其中,所述触摸部还包括覆盖所述第二无机绝缘层和所述触摸线的第三无机绝缘层,并且
其中,所述光收集图案包括在所述第二层上并且与所述第三无机绝缘层设置在同一层中的第三层。
9.根据发明构思8所述的发光显示装置,其中,所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层由具有相同折射率的材料构成。
10.根据发明构思1所述的发光显示装置,其中,所述多个发光元件的发光角度为11度至20度。
11.根据发明构思10所述的发光显示装置,其中,所述多个光收集图案和所述有机层使从所述多个发光元件发射的光在正面方向上折射。
12.根据发明构思10所述的发光显示装置,其中,所述多个发光元件包括红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件,并且
所述多个发光元件中的每一个包括第一电极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和第二电极。
13.根据发明构思12所述的发光显示装置,其中,所述红色发光元件的所述空穴传输层的厚度为190nm。
14.根据发明构思12所述的发光显示装置,其中,所述绿色发光元件的所述空穴传输层的厚度为130nm至150nm。
15.根据发明构思12所述的发光显示装置,其中,所述蓝色发光元件的所述空穴传输层的厚度为90nm至110nm。
16.一种发光显示装置,包括:
包括发光区域和非发光区域的衬底;
在所述发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;
在所述发光元件上的封装部;以及
与所述封装部的上表面相接触的光收集部,所述光收集部被配置成在正面方向上而不是以所述发光角度收集从所述发光元件发射的光,
其中,所述光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖所述多个光收集图案的有机层,所述有机层具有低于所述多个光收集图案的折射率的折射率。
17.根据发明构思16所述的发光显示装置,其中,所述多个光收集图案具有金字塔形透镜、半球形透镜、圆锥形透镜、双凸透镜、棱镜透镜和凹透镜中的任何一种的形状。
18.根据发明构思17所述的发光显示装置,其中,所述光收集部包括相对于所述光收集部的中心倾斜的表面,并且所述光收集部的顶角为60度。
19.根据发明构思16所述的发光显示装置,还包括:
在所述有机层上的偏光板,
其中,所述有机层是将所述多个光收集图案和所述偏光板附接的粘合层。
20.根据发明构思16所述的发光显示装置,还包括:
与所述有机层的上表面相接触的粘合层;以及
与所述粘合层的上表面相接触的偏光板。
21.根据发明构思16所述的发光显示装置,还包括:
在所述封装部上并且与所述光收集部一起实现的触摸部。
22.根据发明构思16所述的发光显示装置,其中,所述发光角度为11度至20度。
23.根据发明构思16所述的发光显示装置,其中,所述发光元件包括第一电极、空穴传输层、红色发光层、电子传输层和第二电极,并且
其中,所述空穴传输层的厚度为所述空穴传输层、所述红色发光层和所述电子传输层的厚度之和的47.5%。
24.根据发明构思16所述的发光显示装置,其中,所述发光元件包括第一电极、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层和第二电极,并且
其中,所述空穴传输层的厚度为所述空穴传输层、所述绿色发光层和所述电子传输层的厚度之和的48%至51.7%。
25.根据发明构思16所述的发光显示装置,其中,所述发光元件包括第一电极、空穴传输层、蓝色发光层、电子传输层和第二电极,并且
其中,所述空穴传输层的厚度为所述空穴传输层、所述蓝色发光层和所述电子传输层的厚度之和的47.4%至52.4%。
26.一种发光显示装置,包括:
包括发光区域和非发光区域的衬底;
在所述发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;
在所述发光元件上的封装部;
与所述封装部的上表面相接触的光收集部,所述光收集部被配置成在正面方向上而不是以所述发光角度收集从所述发光元件发射的光,其中,所述光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖所述多个光收集图案的有机层,并且所述有机层具有低于所述多个光收集图案的折射率的折射率;以及
在所述封装部上的触摸部,其中,所述触摸部包括:在所述封装部上的第一无机绝缘层;在所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层;以及在所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层上的触摸线,并且其中,所述多个光收集图案被配置成包括:与所述第一无机绝缘层设置在同一层中的第一层;以及在所述第一层上并且与所述第二无机绝缘层设置在同一层中的第二层。
27.根据发明构思26所述的发光显示装置,其中,所述有机层被配置成使所述第二无机绝缘层和所述触摸线平坦化。
28.根据发明构思26所述的发光显示装置,其中,所述触摸部还包括覆盖所述第二无机绝缘层和所述触摸线的第三无机绝缘层,并且
其中,所述多个光收集图案包括在所述第二层上并且与所述第三无机绝缘层设置在同一层中的第三层。
29.根据发明构思28所述的发光显示装置,其中,所述第一无机绝缘层、所述第二无机绝缘层和所述第三无机绝缘层由具有相同折射率的材料构成。
Claims (10)
1.一种发光显示装置,包括:
衬底;
在所述衬底上的多个发光元件;
在所述多个发光元件上的封装部;
在所述封装部上并且由无机材料形成的多个光收集图案;以及
在所述封装部和所述多个光收集图案上并且由具有低于所述多个光收集图案的折射率的折射率的材料形成的有机层。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括:
在所述有机层上的偏光板,
其中,所述有机层是在所述偏光板的下表面上的粘合层。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括:
在所述有机层上的偏光板;以及
在所述偏光板的下表面上的粘合层,
其中,所述有机层的上表面与所述粘合层相接触。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置,还包括:
在所述封装部上的触摸部,
其中,所述触摸部包括:在所述封装部上的第一无机绝缘层;在所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层;以及在所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层上的触摸线,并且
其中,所述多个光收集图案被配置成包括:与所述第一无机绝缘层设置在同一层中的第一层;以及在所述第一层上并且与所述第二无机绝缘层设置在同一层中的第二层。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置,其中,所述触摸部还包括覆盖所述第二无机绝缘层和所述触摸线的第三无机绝缘层,并且
其中,所述光收集图案包括在所述第二层上并且与所述第三无机绝缘层设置在同一层中的第三层。
6.一种发光显示装置,包括:
包括发光区域和非发光区域的衬底;
在所述发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;
在所述发光元件上的封装部;以及
与所述封装部的上表面相接触的光收集部,所述光收集部被配置成在正面方向上而不是以所述发光角度收集从所述发光元件发射的光,
其中,所述光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖所述多个光收集图案的有机层,所述有机层具有低于所述多个光收集图案的折射率的折射率。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置,还包括:
在所述有机层上的偏光板,
其中,所述有机层是将所述多个光收集图案和所述偏光板附接的粘合层。
8.根据权利要求6所述的发光显示装置,还包括:
与所述有机层的上表面相接触的粘合层;以及
与所述粘合层的上表面相接触的偏光板。
9.根据权利要求6所述的发光显示装置,还包括:
在所述封装部上并且与所述光收集部一起实现的触摸部。
10.一种发光显示装置,包括:
包括发光区域和非发光区域的衬底;
在所述发光区域处并且被配置成以发光角度发光的发光元件;
在所述发光元件上的封装部;
与所述封装部的上表面相接触的光收集部,所述光收集部被配置成在正面方向上而不是以所述发光角度收集从所述发光元件发射的光,其中,所述光收集部包括多个光收集图案以及被设置成覆盖所述多个光收集图案的有机层,并且所述有机层具有低于所述多个光收集图案的折射率的折射率;以及
在所述封装部上的触摸部,其中,所述触摸部包括:在所述封装部上的第一无机绝缘层;在所述第一无机绝缘层上的第二无机绝缘层;以及在所述第一无机绝缘层或所述第二无机绝缘层上的触摸线,并且其中,所述多个光收集图案被配置成包括:与所述第一无机绝缘层设置在同一层中的第一层;以及在所述第一层上并且与所述第二无机绝缘层设置在同一层中的第二层。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115440913A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200138528A (ko) * | 2019-05-30 | 2020-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210069768A (ko) * | 2019-12-03 | 2021-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101197390A (zh) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示设备 |
CN102326447A (zh) * | 2009-02-24 | 2012-01-18 | 住友化学株式会社 | 基板和有机el发光装置 |
US20130063022A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Hye-Jung Park | Organic Light Emitting Diode Display |
US20140312339A1 (en) * | 2011-11-18 | 2014-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device, electronic apparatus including the same, and method for producing organic electroluminescent display device |
US20150008403A1 (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | Sony Corporation | Light emitting apparatus |
CN106992199A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-07-28 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及包括该显示装置的头戴式显示器 |
US20170294493A1 (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display Device and Method of Manufacturing the Same |
CN107275370A (zh) * | 2016-04-07 | 2017-10-20 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管和发光二极管显示器 |
US20180095582A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device |
CN109285861A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 天马日本株式会社 | Oled显示装置及其制造方法、和oled显示装置中的电路 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101255626B1 (ko) | 2009-11-20 | 2013-04-16 | 주식회사 엘지화학 | 광추출 및 빔-정형을 위한 유기발광표시장치용 광학 시트 |
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KR20210070461A (ko) * | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
-
2019
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-
2020
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101197390A (zh) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 三星Sdi株式会社 | 有机发光显示设备 |
CN102326447A (zh) * | 2009-02-24 | 2012-01-18 | 住友化学株式会社 | 基板和有机el发光装置 |
US20130063022A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | Hye-Jung Park | Organic Light Emitting Diode Display |
US20140312339A1 (en) * | 2011-11-18 | 2014-10-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device, electronic apparatus including the same, and method for producing organic electroluminescent display device |
US20150008403A1 (en) * | 2013-07-05 | 2015-01-08 | Sony Corporation | Light emitting apparatus |
CN106992199A (zh) * | 2015-11-30 | 2017-07-28 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及包括该显示装置的头戴式显示器 |
CN107275370A (zh) * | 2016-04-07 | 2017-10-20 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管和发光二极管显示器 |
US20170294493A1 (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display Device and Method of Manufacturing the Same |
US20180095582A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic Light Emitting Display Device |
CN109285861A (zh) * | 2017-07-21 | 2019-01-29 | 天马日本株式会社 | Oled显示装置及其制造方法、和oled显示装置中的电路 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115440913A (zh) * | 2022-08-24 | 2022-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN115440913B (zh) * | 2022-08-24 | 2023-09-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11276838B2 (en) | 2022-03-15 |
KR20210010053A (ko) | 2021-01-27 |
US20210020865A1 (en) | 2021-01-21 |
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