CN112234115B - 一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于太阳电池领域，用于可加强P型硅对长波的反射效果，提高太阳电池的短路电流密度，具体涉及一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法，包括P型硅，P型硅的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层、TiOx减反钝化层、AlOx：H钝化层、SixNy：H减反钝化层、SiOx减反钝化层；解决了现有PERC太阳电池硅片上的氧化铝钝化层对太阳能光长波反射效果一般，既不利于电池对太阳能光长波的利用，也不利于提高太阳电池的短路电流密度的问题。

Description

一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明属于太阳电池领域，用于可加强P型硅对太阳能光长波的反射效果，提高太阳电池的短路电流密度，具体涉及一种具有减反功能的高效背钝化层的晶硅太阳能电池及其制备方法。
背景技术
太阳电池为光伏电池，是一种可以直接利用太阳光进行发电的半导体器件，因为其绿色环保、且属于可再生能源，因此受到广泛关注。作为清洁高效的能源技术，光伏发电近年来在中国能源结构中的战略地位逐渐提升。太阳电池是一种极具前景的能源提供方式，晶硅太阳电池是目前市场占有率最高的太阳电池。
PERC技术即被钝化发射极背面接触，通过太阳电池被表面钝化技术，降低背表面复合速率，提高太阳电池的短路电流密度和开路电压，从而提升电池的转换效率。该技术已经获得业界的广泛关注，成为高效晶硅太阳电池的主流技术之一。
PERC太阳电池的核心技术是在硅片的背光面制备一钝化层氧化铝薄膜，对硅进行钝化，其主要是场效应钝化和化学钝化控制。其中化学钝化主要是因为不同条件下制备的氧化铝具有不同的氢含量，氢和硅片内部缺陷及晶界处的悬挂键结合，从而减少复合中心，但是氧化铝钝化层制备通常速率很慢，增加成本，同时其对长波反射效果一般，不利于电池对长波的利用，不利于提高太阳电池的短路电流密度。
发明内容
本发明的目的在于，加强P型硅对太阳能光长波的反射效果，并有利于电池对太阳能光长波的利用，提高太阳电池的短路电流密度。
本发明的目的是通过以下技术措施来达到的：
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅，P型硅的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层、AlOx：H钝化层、SixNy：H减反钝化层、SiOx减反钝化层。
SiOx钝化层与AlOx：H钝化层之间设有TiOx减反钝化层。
TiOx减反钝化层中的x值从为1或2，折射率为1.8～2.5。
SiOx钝化层中的x值从为1或2，折射率为1.4～1.7。
AlOx：H钝化层的厚度为2～50nm。
SixNy：H减反钝化层的厚度为20～150nm。
SiOx减反钝化层的厚度为5～200nm。
SiOx减反钝化层中的x值从为1或2，折射率为1.4～1.7。
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiOx钝化层；
2)然后使用溶胶凝胶法或者PECVD在具有SiOx钝化层的晶硅太阳能电池上制备TiOx减反钝化层，得到复合减反钝化层样品；
3)将制备好的复合减反钝化层样品进行退火处理，温度200℃～500℃，保温时间20min～60min：
4)将P型硅放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx：H钝化层；
5)将P型硅放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，10～15分钟；
6)将P型硅放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy：H减反钝化层；
7)使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiOx减反钝化层。
由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本发明的优点是：
1、本发明中，SiOx钝化层、AlOx：H钝化层可降低P型硅背光面的复合速率，提高太阳电池的短路电流密度和开路电压，从而提升电池的转换效率，而SiOx钝化层、TiOx减反钝化层、SixNy：H减反钝化层、SiOx减反钝化层可加强P型硅对太阳能光长波的反射效果，充分利用太阳能光长波段能量有效激发电子空穴对，在背场势垒作用下提高其电子定向传输能力，实现其电流密度提高1％～2％，从而提高电池的光电转换能力。
2、本发明中，因SiOx钝化层缺陷态密度相对于AlOx：H钝化层的缺陷态密度低数十倍：P型硅缺陷态密度相对于AlOx：H钝化层的缺陷态密度低上百倍；正是因为这样，在P型硅与AlOx：H钝化层中间添加一层SiOx钝化层起到缓冲保护作用，且由于具有不同的氧含量，其氧和P型硅内部缺陷及晶界处的悬挂键结合，可以有效减少复合中心，起到钝化作用，从而有效降低P型硅背光面的界面缺陷复合速率，提高太阳电池的短路电流密度和开路电压，从而提升电池的转换效率。
3、本发明中，因SiOx钝化层缺陷态密度相对于AlOx：H钝化层的缺陷态密度低数十倍，TiOx减反钝化层缺陷态密度与AlOx：H钝化层的缺陷态密度低数倍，所以在SiOx钝化层与AlOx：H钝化层中间添加一层TiOx减反钝化层起到缓冲作用，有效降低P型硅背光面的界面缺陷复合速率，提高太阳电池的短路电流密度和开路电压，从而提升电池的转换效率。
4、本发明中，因SiOx钝化层与TiOx减反钝化层的折射率分别为1.4～1.7、1.8～2.5，且利用光的薄膜干涉原理，使其厚度达到入射光四分之一波长整数倍，所以SiOx钝化层与TiOx减反钝化层反射的光程差就等于半个波长奇数倍，因而相互抵消，光的长波反射损失大为减少，光吸收强度有效增加，提高了光量转换效率。
5、本发明中，SiOx减反钝化层在P型硅与金属电极层之间起到缓冲钝化保护作用，其膜层折射率较SixNy：H减反钝化层膜层更低，通过与SixNy：H减反钝化层膜层构建减反射膜层体系，实现减反功能。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图2是去掉TiOx减反钝化层的结构示意图；
其中，1P型硅，2SiOx钝化层，3TiOx减反钝化层，4AlOx：H钝化层，5SixNy：H减反钝化层，6SiOx减反钝化层。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1：
参见图2，一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅1，P型硅1的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层2、AlOx：H钝化层4、SixNy：H减反钝化层5、SiOx减反钝化层6。
SiOx钝化层2中的x值从为1，折射率为1.6。
AlOx：H钝化层4的厚度为10nm。
SixNy：H减反钝化层5的厚度为40nm。
SiOx减反钝化层6的厚度为55nm。
SiOx减反钝化层6中的x值从为1，折射率为1.4。
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiO1钝化层；
2)将P型硅1放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx：H钝化层4；
3)将P型硅1放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，13分钟；
4)将P型硅1放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy：H减反钝化层5；
5)使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiO1减反钝化层。
具体的，溶胶凝胶法为采用正硅酸乙酯为原料，无水乙醇作为溶剂，利用溶胶凝胶法在P型硅1表面制备SiO1钝化层或SiO1减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和笑气为反应气体制备SiO1钝化层或SiO1减反钝化层。
实施例2：
参见图2，一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅1，P型硅1的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层2、AlOx：H钝化层4、SixNy：H减反钝化层5、SiOx减反钝化层6。
SiOx钝化层2中的x值从为2，折射率为1.7。
AlOx：H钝化层4的厚度为32nm。
SixNy：H减反钝化层5的厚度为123nm。
SiOx减反钝化层6的厚度为82nm。
SiOx减反钝化层6中的x值从为2，折射率为1.6。
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiO2钝化层；
2)将P型硅1放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx：H钝化层4；
3)将P型硅1放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，12分钟；
4)将P型硅1放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy：H减反钝化层5；
5)使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiO2减反钝化层。
具体的，溶胶凝胶法为采用正硅酸乙酯为原料，无水乙醇作为溶剂，利用溶胶凝胶法在P型硅1表面制备SiO2钝化层或SiO2减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和笑气为反应气体制备SiO2钝化层或SiO2减反钝化层。
实施例3：
参见图2，一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅1，P型硅1的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层2、AlOx：H钝化层4、SixNy：H减反钝化层5、SiOx减反钝化层6。
SiOx钝化层2中的x值从为1，折射率为1.7。
AlOx：H钝化层4的厚度为48nm。
SixNy：H减反钝化层5的厚度为62nm。
SiOx减反钝化层6的厚度为133nm。
SiOx减反钝化层6中的x值从为2，折射率为1.4。
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiO1钝化层；
2)将P型硅1放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx：H钝化层4；
3)将P型硅1放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，15分钟；
4)将P型硅1放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy：H减反钝化层5；
5)使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiO2减反钝化层。
具体的，溶胶凝胶法为采用正硅酸乙酯为原料，无水乙醇作为溶剂，利用溶胶凝胶法在P型硅1表面制备SiO1钝化层或SiO2减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和笑气为反应气体制备SiO1钝化层或SiO2减反钝化层。
实施例4：
参见图1，一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅1，P型硅1的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层2、AlOx：H钝化层4、SixNy：H减反钝化层5、SiOx减反钝化层6。
SiOx钝化层2与AlOx：H钝化层4之间设有TiOx减反钝化层3。
TiOx减反钝化层3中的x值从为1，折射率为2。
SiOx钝化层2中的x值从为1，折射率为1.6。
AlOx：H钝化层4的厚度为46nm。
SixNy：H减反钝化层5的厚度为72nm。
SiOx减反钝化层6的厚度为90nm。
SiOx减反钝化层6中的x值从为2，折射率为1.4。
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiO1钝化层；
2)然后使用溶胶凝胶法或者PECVD在具有SiO1钝化层2的晶硅太阳能电池上制备TiO1减反钝化层，得到复合减反钝化层样品；
3)将制备好的复合减反钝化层样品进行退火处理，温度300℃，保温时间40min；
4)将P型硅1放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx：H钝化层4；
5)将P型硅1放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，14分钟；
6)将P型硅1放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy：H减反钝化层5；
7)使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiO2减反钝化层。
具体的，步骤1)与步骤7)中溶胶凝胶法为采用正硅酸乙酯为原料，无水乙醇作为溶剂，利用溶胶凝胶法在P型硅1表面制备SiO1钝化层或SiO2减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和笑气为反应气体制备SiO1钝化层或SiO2减反钝化层。
具体的，步骤2)中的溶胶凝胶法为采用钛酸丁酯为钛源，硝酸作为催化剂，无水乙醇为溶剂，利用溶胶-凝胶浸渍提拉法在P型硅1表面制备TiO1减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和氧气为反应气体制备TiO1减反钝化层。
具体的，步骤4)中先通过氮气携带三甲基铝和氧气在背表面预沉积非晶态SiOx界面保护层，然后再通过氮气携带三甲基铝和水蒸气再沉积5～50层富氢的AlOx：H钝化层4，其中，氢含量按照背光面从上到下逐步增加，以形成致密且能有效与悬挂键结合起钝化保护作用的膜层结构。
具体的，步骤6)中的折射率梯度变化是按照P型硅1背光面从上到下逐步减少非晶态SixNy：H减反钝化层5的折射率，从而提高长波的反射效果。
具体的，步骤7)中的折射率梯度变化是按照P型硅1背光面从上到下逐步减少非晶态SiO2减反钝化层的折射率，从而提高长波的反射效果。
实施例5：
参见图1，一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅1，P型硅1的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层2、AlOx：H钝化层4、SixNy：H减反钝化层5、SiOx减反钝化层6。
SiOx钝化层2与AlOx：H钝化层4之间设有TiOx减反钝化层3。
TiOx减反钝化层3中的x值从为2，折射率为2.3。
SiOx钝化层2中的x值从为1，折射率为1.7。
AlOx：H钝化层4的厚度为20nm。
SixNy：H减反钝化层5的厚度为123nm。
SiOx减反钝化层6的厚度为160nm。
SiOx减反钝化层6中的x值从为1，折射率为1.5。
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiO1钝化层；
2)然后使用溶胶凝胶法或者PECVD在具有SiO1钝化层2的晶硅太阳能电池上制备TiO2减反钝化层，得到复合减反钝化层样品；
3)将制备好的复合减反钝化层样品进行退火处理，温度350℃，保温时间50min；
4)将P型硅1放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx：H钝化层4；
5)将P型硅1放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，10分钟；
6)将P型硅1放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy：H减反钝化层5；
7)使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiO1减反钝化层。
具体的，步骤1)与步骤7)中溶胶凝胶法为采用正硅酸乙酯为原料，无水乙醇作为溶剂，利用溶胶凝胶法在P型硅1表面制备SiO1钝化层或SiO1减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和笑气为反应气体制备SiO1钝化层或SiO1减反钝化层。
具体的，步骤2)中的溶胶凝胶法为采用钛酸丁酯为钛源，硝酸作为催化剂，无水乙醇为溶剂，利用溶胶-凝胶浸渍提拉法在P型硅1表面制备TiO2减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和氧气为反应气体制备TiO2减反钝化层。
具体的，步骤4)中先通过氮气携带三甲基铝和氧气在背表面预沉积非晶态Siox界面保护层，然后再通过氮气携带三甲基铝和水蒸气再沉积5～50层富氢的AlOx：H钝化层4，其中，氢含量按照背光面从上到下逐步增加，以形成致密且能有效与悬挂键结合起钝化保护作用的膜层结构。
具体的，步骤6)中的折射率梯度变化是按照P型硅1背光面从上到下逐步减少非晶态SixNy：H减反钝化层5的折射率，从而提高长波的反射效果。
具体的，步骤7)中的折射率梯度变化是按照P型硅1背光面从上到下逐步减少非晶态SiO1减反钝化层的折射率，从而提高长波的反射效果。
实施例6：
参见图1，一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅1，P型硅1的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层2、AlOx：H钝化层4、SixNy：H减反钝化层5、SiOx减反钝化层6。
SiOx钝化层2与AlOx：H钝化层4之间设有TiOx减反钝化层3。
TiOx减反钝化层3中的x值从为1，折射率为2.5。
SiOx钝化层2中的x值从为2，折射率为1.7。
AlOx：H钝化层4的厚度为8nm。
SixNy：H减反钝化层5的厚度为30nm。
SiOx减反钝化层6的厚度为52nm。
SiOx减反钝化层6中的x值从2，折射率为1.4。
一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiO2钝化层；
2)然后使用溶胶凝胶法或者PECVD在具有SiO2钝化层2的晶硅太阳能电池上制备TiO1减反钝化层，得到复合减反钝化层样品；
3)将制备好的复合减反钝化层样品进行退火处理，温度230℃，保温时间20min；
4)将P型硅1放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx：H钝化层4；
5)将P型硅1放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，13分钟；
6)将P型硅1放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy：H减反钝化层5；
7)使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiO2减反钝化层。
具体的，步骤1)与步骤7)中溶胶凝胶法为采用正硅酸乙酯为原料，无水乙醇作为溶剂，利用溶胶凝胶法在P型硅1表面制备SiO2钝化层或SiO2减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和笑气为反应气体制备SiO2钝化层或SiO2减反钝化层。
具体的，步骤2)中的溶胶凝胶法为采用钛酸丁酯为钛源，硝酸作为催化剂，无水乙醇为溶剂，利用溶胶-凝胶浸渍提拉法在P型硅1表面制备TiO1减反钝化层，而PECVD法为将P型硅1置于PECVD的腔体，稳定腔体温度在500℃±50℃，采用等离子增强型化学气相沉积技术，以硅烷和氧气为反应气体制备TiO1减反钝化层。
具体的，步骤4)中先通过氮气携带三甲基铝和氧气在背表面预沉积非晶态SiOx界面保护层，然后再通过氮气携带三甲基铝和水蒸气再沉积5～50层富氢的AlOx：H钝化层4，其中，氢含量按照背光面从上到下逐步增加，以形成致密且能有效与悬挂键结合起钝化保护作用的膜层结构。
具体的，步骤6)中的折射率梯度变化是按照P型硅1背光面从上到下逐步减少非晶态SixNy：H减反钝化层5的折射率，从而提高长波的反射效果。
具体的，步骤7)中的折射率梯度变化是按照P型硅1背光面从上到下逐步减少非晶态SiO2减反钝化层的折射率，从而提高长波的反射效果。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，包括P型硅（1），其特征在于:所述P型硅（1）的背光面由上至下依次设有SiOx钝化层（2）、AIOx:H钝化层（4）、SixNy:H减反钝化层（5）、SiOx减反钝化层（6），所述SiOx钝化层（2）与AIOx:H钝化层（4）之间设有TiOx减反钝化层（3）。
2.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述TiOx减反钝化层（3）中的x值为1或2，折射率为1.8~2.5。
3.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述SiOx钝化层（2）中的x值为1或2，折射率为1.4~1.7。
4.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述AIOx:H钝化层（4）的厚度为2~50nm。
5.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，SixNy:H减反钝化层（5）的厚度为20~150nm。
6.根据权利要求1所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，SiOx减反钝化层（6）的厚度为5~200nm。
7.根据权利要求6所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池，其特征在于，所述SiOx减反钝化层（6）中的x值为1或2，折射率为1.4~1.7。
8.根据权利要求1~7任意一项所述的一种高效背钝化层的晶硅太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)首先使用溶胶凝胶法或者PECVD在晶硅太阳能电池上制备SiOx钝化层（2）；
2)然后使用溶胶凝胶法或者PECVD在具有SiOx钝化层（2）的晶硅太阳能电池上制备TiOx减反钝化层（3），得到复合减反钝化层样品；
3)将制备好的复合减反钝化层样品进行退火处理，温度200℃~500℃，保温时间20min~60min；
4)将P型硅（1）放置在原子沉积腔内，然后通入氮气、氧气、水蒸气和三甲基铝，制备氧含量和氢含量梯度变化为从上到下逐步增加的AlOx:H钝化层（4）；
5)将P型硅（1）放置于退火炉中，在600℃条件下进行热处理，10~15分钟；
6)将P型硅（1）放置于PECVD的腔体，通入硅烷和氨气，打开射频电源，制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SixNy:H减反钝化层（5）；
使用溶胶凝胶法或PECVD的方法制备折射率梯度变化为从上到下逐步减少的SiOx减反钝化层（6）。
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