CN112230521A - 一种光刻设备的对准方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明一种光刻设备的对准方法及装置涉及半导体制造装备技术，主要解决现有方法中需要投影镜头校正色差的问题。一种光刻设备的对准方法步骤如下：令紫外光束由上至下依次穿过掩模板的对位孔、投影镜头和晶圆载台的校准孔；使校准孔与对位孔中心对正，计算曝光零位；移动晶圆载台并记录晶圆载台第一移动量，使得校准孔与旁轴CCD同轴对准后，通过晶圆载台第一移动量标定旁轴CCD与实际曝光区域的位置；移动晶圆载台并记录晶圆载台第二移动量，直至旁轴CCD能够识别晶圆上的标记，通过旁轴CCD与实际曝光区域的位置和晶圆载台第二移动量计算得到晶圆位于晶圆载台上的相对位置；根据相对位置，将晶圆上的曝光区域移动到曝光零位。

Description

一种光刻设备的对准方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体制造装备技术领域，特别是涉及一种光刻设备的对准方法及装置。
背景技术
现有的掩模板对位方法是将掩模板上的标靶图形，通过投影镜头成像到晶元上的对准刻线位置，CCD识别标靶图形与刻线的中心重合度，来识别确认掩模板的对位准确性。但是该方法存在如下问题：首先标靶图形一般使用可见光光束照明，这就要求投影镜头校正色差；因此对于光刻镜头而言，校正色差不仅极大地增加镜头设计、制造难度，成本也成倍增加，再者CCD采集图像时，做到0.1um要用很大倍率的镜头及很高像素的CCD，成本高，且很难再识别更高精度。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种光刻设备的对准方法及装置，能够解决现有的掩模板对位方法中需要投影镜头校正色差的问题。
为解决上述技术问题，本发明的采用的一个技术方案是：提供一种光刻设备的对准方法，步骤如下：
令紫外光束由上至下依次穿过掩模板的对位孔、投影镜头和晶圆载台的校准孔；
使校准孔与对位孔中心对正，计算光刻设备在晶圆载台上的实际曝光区域的位置，将所述位置记为曝光零位；
移动晶圆载台并记录晶圆载台第一移动量，使得校准孔与旁轴CCD同轴对准后，通过晶圆载台第一移动量标定旁轴CCD与实际曝光区域的位置；
移动晶圆载台并记录晶圆载台第二移动量，直至旁轴CCD能够识别晶圆上的标记，通过旁轴CCD与实际曝光区域的位置和晶圆载台第二移动量计算得到晶圆位于晶圆载台上的相对位置；
根据所述相对位置，将晶圆上的曝光区域移动到曝光零位。
其中，使校准孔与对位孔中心对正的方法为：
通过投影镜头将对位孔成像至晶圆载台；
调节晶圆载台的位置，改变对位孔的成像与校准孔的重叠区域，并检测通过所述重叠区域的紫外光束的光强；
当所述光强达到最大值时，则判断校准孔与对位孔中心对正。
其中，所述对位孔的数量为2个，所述校准孔的数量与对位孔的数量相等，且所述校准孔与所述对位孔的位置相对应；
所述校准孔的形状与所述对位孔的形状相同、且所述校准孔与对位孔的尺寸比等于投影镜头倍率。
其中，所述对位孔分为多组，每组对位孔数量为2个，组与组之间的对位孔的大小不同，所述校准孔的数量与对位孔的数量相等，且所述校准孔与所述对位孔的位置一一对应；
所述校准孔的形状与所述对位孔的形状相同、且所述校准孔与所述对位孔的尺寸比等于投影镜头倍率。
其中，检测通过所述重叠区域的紫外光束的光强达到最大值的步骤如下：
通过所述光电传感器检测所述重叠区域的紫外光束的光强：
将所述对位孔的成像与所述晶圆载台上的所述校准孔进行初步对准，检测所述重叠区域的紫外光束的光强，记为第一光强；
在水平方向和垂直方向上建立xyz轴坐标系；
沿x方向移动晶圆载台的位置，检测重叠区域的紫外光束的光强，记为第二光强；
对比所述第一光强与所述第二光强大小，如果所述第二光强大于所述第一光强，则继续沿同一方向移动，如果所述第二光强小于所述第一光强，则沿相反方向移动，直至第二光强达到最大值；
沿y方向移动所述晶圆载台的位置，检测所述重叠区域的紫外光束的光强，记为第三光强；
对比所述第三光强与所述第二光强大小，如果所述第三光强大于所述第二光强，则继续沿同一方向移动，如果所述第三光强小于所述第二光强，则沿相反方向移动，直至第三光强达到最大值；
沿z方向移动所述晶圆载台的位置，检测所述重叠区域的紫外光束的光强，记为第四光强；
对比所述第四光强与所述第三光强大小，如果所述第四光强大于所述第三光强，则继续沿同一方向移动，如果所述第四光强小于所述第三光强，则沿相反方向移动，直至第四光强达到最大值；
第四光强达到最大值即为通过所述重叠区域的紫外光束的光强达到最大值。
其中，紫外光束由位于掩模板上方的紫外光源发射，所述紫外光束为紫外脉冲光或紫外连续光。
为解决上述技术问题，本发明还采用的一个技术方案是：一种光刻设备的对准装置，包括紫外光源、掩模板、投影镜头、晶圆载台、光电传感器、旁轴CCD、位移调节装置和信号处理单元；
所述紫外光源、所述掩模板、所述投影镜头、所述晶圆载台和所述光电传感器由上至下依次设置，所述旁轴CCD位于所述晶圆载台上方；
所述紫外光源用于发射紫外光束；
所述掩模板上多组成对的对位孔；
所述投影镜头用于将所述对位孔的成像投影至所述晶圆载台；
所述晶圆载台上设有与所述对位孔数量相等且位置一一对应的所述校准孔，所述校准孔为通孔；
所述光电传感器用于检测穿过所述校准孔的紫外光束的光强，并发送光强信号；
所述旁轴CCD用于识别所述校准孔和晶圆上的标记；
所述位移调节装置用于调节并记录掩模台或/和晶圆载台在直角坐标空间上的位移；
所述信号处理单元用于接收光强信号，并对比光强。
其中，光电传感器为光电二级管。
为解决上述技术问题，本发明还采用的一个技术方案是：，包括，
一个或多个处理器；
存储器，用于存储一个或多个程序，使得一个或多个处理器实现权利要求1-5任一一项所述的掩模板的基准对位方法。
为解决上述技术问题，本发明还采用的一个技术方案是：所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-5任一一项所述的掩模板的基准对位方法。
以上方案中的一种光刻设备的对准方法，投影镜头无需增加同种对准功能设计，使用光刻边缘区域即可实现，直接使用紫外光对准晶元载台，镜头只需校正单色像差，对比现有需要校正色差的光刻系统，设计制造更容易，再通过旁轴CCD识别晶元载台与晶元的位置关系，从而实现掩模板与晶元的间接同轴对准，识别精度高。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一个简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的一种光刻设备的对准方法的流程图；
图2为本发明的一种光刻设备的对准方法S102的原理图；
图3为本发明的一种光刻设备的对准方法S103的原理图；
图4为本发明的一种光刻设备的对准方法S104的原理图；
图5为本发明的一种光刻设备的对准方法S105的原理图；
图6为本发明的一种光刻设备的对准方法的俯视平面原理图；
图7为本发明的一种光刻设备的对准方法的对位孔与校准孔中心对准的原理图；
图8为本发明的一种掩模板的基准对位装置的结构示意图；
图9为本发明的一种掩模板的基准对位装置的电气结构示意图。
具体实施方式
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请技术领域的技术人员通常理解的含义相同；本文中在申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请；本申请的说明书和权利要求书及上述附图说明中的术语“包括”和“具有”以及它们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。本申请的说明书和权利要求书或上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
下面结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。
请参阅图1～图7所示，图1为本发明的一种光刻设备的对准方法的流程图，图1为本发明的一种光刻设备的对准方法的流程图；图2为本发明的一种光刻设备的对准方法S102的原理图；图3为本发明的一种光刻设备的对准方法S103的原理图；图4为本发明的一种光刻设备的对准方法S104的原理图；图5为本发明的一种光刻设备的对准方法S105的原理图；图6为本发明的一种光刻设备的对准方法的俯视平面原理图；图7为本发明的一种光刻设备的对准方法的对位孔与校准孔中心对准的原理图；需注意的是，若有实质上相同的结果，本发明的方法并不以图1所示的流程顺序为限，该方法包括如下步骤：
本实施方式的一种光刻设备的对准方法，步骤如下：
S101：令紫外光束由上至下依次穿过掩模板102的对位孔103、投影镜头104和晶圆载台105的校准孔106；
S102：如图2所示，使校准孔106与对位孔103中心对正，计算光刻设备在晶圆载台105上的实际曝光区域的位置，将位置记为曝光零位；
S103：如图3所示，移动晶圆载台105并记录晶圆载台105第一移动量，使得校准孔106与旁轴CCD107同轴对准后，通过晶圆载台105第一移动量标定旁轴CCD107与实际曝光区域的位置；
S104：如图4所示，移动晶圆载台105并记录晶圆载台105第二移动量，直至旁轴CCD107能够识别晶圆108上的标记109，通过旁轴CCD107与实际曝光区域的位置和晶圆载台105第二移动量计算得到晶圆108位于晶圆载台105上的相对位置；
S105：如图5所示，根据相对位置，将晶圆108上的曝光区域移动到曝光零位。
其中，在制作掩模板102时，掩模板102的对位孔103与掩模板102曝光区的位置是固定的。因此，能够从对位孔103的位置得知掩模板102曝光区的位置，而在确定了校准孔106的位置即对位孔103与校准孔106中心对正之后，同时也就能够确定了晶圆载台105上的实际曝光区域(掩模板102曝光区通过投影镜头104投射到晶圆载台105上的成像位置)与校准孔106的位置关系，如图6所示，对位孔103、校准孔106，晶圆108的标记109，晶圆108的曝光区域之间的位置都可以看做以俯视视角观察的平面上的几何位置。
旁轴CCD107与实际曝光区域的位置关系，就是晶圆载台105从曝光零位到CCD下方的位移量，即晶圆载台105第一移动量。
而晶圆载台105第二移动量为晶圆载台105从旁轴CCD107识别校准孔106时移动到旁轴CCD107识别晶圆载台105上的标记109时的位移量。
光刻过程中，晶圆108的曝光区域与晶圆108的标记109的相对位置也是固定的，因此能够在旁轴CCD107与实际曝光区域的位置关系已经标定的情况下，再根据晶圆载台105第二移动量推断出晶圆108位于晶圆载台105上的相对位置，从而根据该相对位置，将晶圆108的曝光区域移动到实际曝光区域，即曝光零位。
首次安装掩模板102时，按S101～S105步进行晶元曝光。第二次开始，由于实际曝光区域与旁轴CCD107的位置已经标定，因此仅需重复第S104～S105步即可。
进一步地，使校准孔106与对位孔103中心对正的方法为：
通过投影镜头104将对位孔103成像至晶圆载台105；
调节晶圆载台105的位置，改变对位孔103的成像与校准孔106的重叠区域，并检测通过重叠区域的紫外光束的光强；
当光强达到最大值时，则判断校准孔106与对位孔103中心对正。
其中，如图7所示，具体原理是通过测量光能量大小，来调整确认掩模板102的初始位置。
在晶圆载台105上设置圆形的校准孔106(通孔)，与掩模板102上圆形对位孔103(通孔)对应。紫外光源101把掩模板102上的对位孔103照亮，成像到校准孔106上，对位孔103的像与校准孔106的重叠区域是透光区域，该透光区域大小与能量大小成正比，透光区域大小决定穿过透光区域的紫外光束光强大小。在对位孔103下方，设一光电传感器1010测量透过光功率大小，光电传感器1010将光信号转换成电信号，并反馈到控制系统，控制系统控制晶圆载台105或掩模台(掩模板102)移动，并通过分析光强能量变化情况，确认对位孔103和校准孔106相对位置关系，再继续移动调节掩模台或/和晶圆载台105，让对位孔103和校准孔106重合。利用这种方法来提高对位精度。
进一步地，对位孔103的数量为2个，校准孔106的数量与对位孔103的数量相等，且校准孔106与对位孔103的位置相对应；
校准孔106的形状与对位孔103的形状相同、且校准孔106与对位孔103的尺寸比等于投影镜头104倍率。
其中，在对位孔103的数量为2个时，才能够令掩模板102上的对位孔103与晶圆载台105上的校准孔106进行对准，同时，校准孔106的形状与对位孔103的形状相同以及校准孔106与对位孔103的尺寸比等于投影镜头104倍率，也是为了在另对位孔103的成像与校准孔106重叠时，两者能够达到完全重合的效果。
进一步地，对位孔103分为多组，每组对位孔103数量为2个，组与组之间的对位孔103的大小不同，校准孔106的数量与对位孔103的数量相等，且校准孔106与对位孔103的位置一一对应；
校准孔106的形状与对位孔103的形状相同、且校准孔106与对位孔103的尺寸比等于投影镜头104倍率。
其中，在前面进行对位孔103与校准孔106对准的前提下，为提高精度，一般校准孔106及对位孔103尺寸都很小，即可识别视场(感应范围)变小，如果初始位置偏差大，会找不到光源信号。为避免这种情况，可再增加至少一组大对位孔103，增大识别视场，先进行利用最大一组的大对位孔103对位，再用小对位孔103进行精度更高的对位，直至最小的对位孔103与校准孔106对准。
进一步地，检测通过重叠区域的紫外光束的光强达到最大值的步骤如下：
通过光电传感器检测重叠区域的紫外光束的光强：
将对位孔103的成像与晶圆载台105上的校准孔106进行初步对准，检测重叠区域的紫外光束的光强，记为第一光强；
在水平方向和垂直方向上建立xyz轴坐标系；
沿x方向移动晶圆载台105的位置，检测重叠区域的紫外光束的光强，记为第二光强；
对比第一光强与第二光强大小，如果第二光强大于第一光强，则继续沿同一方向移动，如果第二光强小于第一光强，则沿相反方向移动，直至第二光强达到最大值；
沿y方向移动晶圆载台105的位置，检测重叠区域的紫外光束的光强，记为第三光强；
对比第三光强与第二光强大小，如果第三光强大于第二光强，则继续沿同一方向移动，如果第三光强小于第二光强，则沿相反方向移动，直至第三光强达到最大值；
沿z方向移动晶圆载台105的位置，检测重叠区域的紫外光束的光强，记为第四光强；
对比第四光强与第三光强大小，如果第四光强大于第三光强，则继续沿同一方向移动，如果第四光强小于第三光强，则沿相反方向移动，直至第四光强达到最大值；
第四光强达到最大值即为通过重叠区域的紫外光束的光强达到最大值。
其中，XY向平移,Z向移动及旋转。也可将晶圆载台105107的调节维度分配到掩模台上。同时，校准孔106与对位孔103校准后，晶圆载台105的移动还包括上下移动。晶圆载台105可以上下移动，以适应不同厚度的晶元。晶圆载台105上下移动时，不会影响晶元的水平位置。
进一步地，紫外光束由位于掩模板上方的紫外光源101发射，所述紫外光束为紫外脉冲光或紫外连续光。
其中，现有技术中，由于光刻光谱是紫外光，所以投影镜头104使用的照明光一般为可见光红光照明，因此因此投影镜头104需校正色差，而本实施例中利用紫外光源101，镜头只需校正单色像差，对比校正色差的系统，设计制造更容易。
以上的一种光刻设备的对准方法，直接使用紫外光对准晶元载台，镜头只需校正单色像差，对比现有需要校正色差的光刻系统，设计制造更容易，再通过旁轴CCD107识别晶元载台与晶元的位置关系，从而实现掩模板102与晶元的间接同轴对准，识别精度高。光源与可以曝光光源同频，避免引入色差。如光源功率不稳定，可对光源做实时监测，修正传感器测量功率变化值。
请参阅图8～图9所示，图8为本发明的一种掩模板的基准对位装置的结构示意图；图9为本发明的一种掩模板的基准对位装置的电气结构示意图。
本实施方式的一种光刻设备的对准装置，包括紫外光源201、掩模板202、投影镜头203、晶圆载台204、光电传感器205、旁轴CCD206、位移调节装置207和信号处理单元208；
紫外光源201、掩模板202、投影镜头203、晶圆载台204和光电传感器205由上至下依次设置，旁轴CCD206位于晶圆载台204上方；
紫外光源201用于发射紫外光束；
掩模板202上多组成对的对位孔209；
投影镜头203用于将对位孔209的成像投影至晶圆载台204；
晶圆载台204上设有与对位孔209数量相等且位置一一对应的校准孔2010，校准孔2010为通孔；
光电传感器205用于检测穿过校准孔2010的紫外光束的光强，并发送光强信号；
旁轴CCD206用于识别校准孔2010和晶圆上的标记；
位移调节装置207用于调节并记录掩模台2011或/和晶圆载台204在直角坐标空间上的位移；
信号处理单元208用于接收光强信号，并对比光强。
其中，如图8、图9所示，在晶圆载台204上设置圆形(也可以是其他形状)的校准孔2010(通孔)，与掩模板202上圆形对位孔209(通孔)对应。紫外光源201把掩模板202上的对位孔209照亮，成像到校准孔2010上，对位孔209的像与校准孔2010的重叠区域是透光区域，该透光区域大小与能量大小成正比，透光区域大小决定通过的光强大小。在对位孔209下方，设一光电传感器205测量透过光功率大小，光电传感器205将光信号转换成电信号，并反馈到位移调节装置207和信号处理系统207，位移调节装置207控制平台移动，通过信号处理系统207分析能量变化情况，确认校准孔2010对位孔209位置关系，再移动掩模台和晶圆载台204，让两个圆孔重合。利用这种方法来提高对位精度。
进一步地，光电传感器205为光电二级管。
其中，探测后生成的电信号经光电二级管内的放大环节进行放大后，进入至信号处理系统207进行光强对比。
一种掩模板的基准对位设备，包括，
一个或多个处理器；
存储器，用于存储一个或多个程序，使得一个或多个处理器实现权利要求1-5任一一项的掩模板的基准对位方法。
一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-5任一一项的掩模板的基准对位方法。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例的方法。
显然，以上所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例，附图中给出了本申请的较佳实施例，但并不限制本申请的专利范围。本申请可以以许多不同的形式来实现，相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容的理解更加透彻全面。尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来而言，其依然可以对前述各具体实施方式所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等效替换。凡是利用本申请说明书及附图内容所做的等效结构，直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理在本申请专利保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光刻设备的对准方法，其特征在于，步骤如下：
令紫外光束由上至下依次穿过掩模板的对位孔、投影镜头和晶圆载台的校准孔；
使校准孔与对位孔中心对正，计算光刻设备在晶圆载台上的实际曝光区域的位置，将所述位置记为曝光零位；
移动晶圆载台并记录晶圆载台第一移动量，使得校准孔与旁轴CCD同轴对准后，通过晶圆载台第一移动量标定旁轴CCD与实际曝光区域的位置；
移动晶圆载台并记录晶圆载台第二移动量，直至旁轴CCD能够识别晶圆上的标记，通过旁轴CCD与实际曝光区域的位置和晶圆载台第二移动量计算得到晶圆位于晶圆载台上的相对位置；
根据所述相对位置，将晶圆上的曝光区域移动到曝光零位。
2.根据权利要求1所述的一种光刻设备的对准方法，其特征在于，使校准孔与对位孔中心对正的方法为：
通过投影镜头将对位孔成像至晶圆载台；
调节晶圆载台的位置，改变对位孔的成像与校准孔的重叠区域，并检测通过所述重叠区域的紫外光束的光强；
当所述光强达到最大值时，则判断校准孔与对位孔中心对正。
3.根据权利要求1或2所述的一种光刻设备的对准方法，其特征在于，所述对位孔的数量为2个，所述校准孔的数量与对位孔的数量相等，且所述校准孔与所述对位孔的位置相对应；
所述校准孔的形状与所述对位孔的形状相同、且所述校准孔与对位孔的尺寸比等于投影镜头倍率。
4.根据权利要求1或2所述的一种光刻设备的对准方法，其特征在于，
所述对位孔分为多组，每组对位孔数量为2个，组与组之间的对位孔的大小不同，所述校准孔的数量与对位孔的数量相等，且所述校准孔与所述对位孔的位置一一对应；
所述校准孔的形状与所述对位孔的形状相同、且所述校准孔与所述对位孔的尺寸比等于投影镜头倍率。
5.根据权利要求2所述的一种光刻设备的对准方法，其特征在于，检测通过所述重叠区域的紫外光束的光强达到最大值的步骤如下：
通过所述光电传感器检测所述重叠区域的紫外光束的光强：
将所述对位孔的成像与所述晶圆载台上的所述校准孔进行初步对准，检测所述重叠区域的紫外光束的光强，记为第一光强；
在水平方向和垂直方向上建立xyz轴坐标系；
沿x方向移动晶圆载台的位置，检测重叠区域的紫外光束的光强，记为第二光强；
对比所述第一光强与所述第二光强大小，如果所述第二光强大于所述第一光强，则继续沿同一方向移动，如果所述第二光强小于所述第一光强，则沿相反方向移动，直至第二光强达到最大值；
沿y方向移动所述晶圆载台的位置，检测所述重叠区域的紫外光束的光强，记为第三光强；
对比所述第三光强与所述第二光强大小，如果所述第三光强大于所述第二光强，则继续沿同一方向移动，如果所述第三光强小于所述第二光强，则沿相反方向移动，直至第三光强达到最大值；
沿z方向移动所述晶圆载台的位置，检测所述重叠区域的紫外光束的光强，记为第四光强；
对比所述第四光强与所述第三光强大小，如果所述第四光强大于所述第三光强，则继续沿同一方向移动，如果所述第四光强小于所述第三光强，则沿相反方向移动，直至第四光强达到最大值；
第四光强达到最大值即为通过所述重叠区域的紫外光束的光强达到最大值。
6.根据权利要求1或5所述的一种光刻设备的对准方法，其特征在于，紫外光束由位于掩模板上方的紫外光源发射，所述紫外光束为紫外脉冲光或紫外连续光。
7.一种光刻设备的对准装置，其特征在于，包括紫外光源、掩模板、投影镜头、晶圆载台、光电传感器、旁轴CCD、位移调节装置和信号处理单元；
所述紫外光源、所述掩模板、所述投影镜头、所述晶圆载台和所述光电传感器由上至下依次设置，所述旁轴CCD位于所述晶圆载台上方；
所述紫外光源用于发射紫外光束；
所述掩模板上多组成对的对位孔；
所述投影镜头用于将所述对位孔的成像投影至所述晶圆载台；
所述晶圆载台上设有与所述对位孔数量相等且位置一一对应的所述校准孔，所述校准孔为通孔；
所述光电传感器用于检测穿过所述校准孔的紫外光束的光强，并发送光强信号；
所述旁轴CCD用于识别所述校准孔和晶圆上的标记；
所述位移调节装置用于调节并记录掩模台或/和晶圆载台在直角坐标空间上的位移；
所述信号处理单元用于接收光强信号，并对比光强。
8.根据权利要求7所述的一种掩模板的基准对位装置，其特征在于，光电传感器为光电二级管。
9.一种掩模板的基准对位设备，其特征在于，包括，
一个或多个处理器；
存储器，用于存储一个或多个程序，使得一个或多个处理器实现权利要求1-6任一一项所述的掩模板的基准对位方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-6任一一项所述的掩模板的基准对位方法。
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