CN112216717A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112216717A CN112216717A CN202010577636.8A CN202010577636A CN112216717A CN 112216717 A CN112216717 A CN 112216717A CN 202010577636 A CN202010577636 A CN 202010577636A CN 112216717 A CN112216717 A CN 112216717A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- pixel
- sub
- electrode
- display area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 120
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 22
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 20
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 16
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 9
- 101150049521 NDA1 gene Proteins 0.000 description 8
- 101150104968 NDA2 gene Proteins 0.000 description 8
- 101100290413 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mcm2 gene Proteins 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 8
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 8
- 101001046870 Homo sapiens Hypoxia-inducible factor 1-alpha Proteins 0.000 description 7
- 102100022875 Hypoxia-inducible factor 1-alpha Human genes 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 102100036448 Endothelial PAS domain-containing protein 1 Human genes 0.000 description 5
- 101000851937 Homo sapiens Endothelial PAS domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- 101100334009 Caenorhabditis elegans rib-2 gene Proteins 0.000 description 4
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 4
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- 101150098638 RNASE1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100030351 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) dis2 gene Proteins 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(IV) oxide Inorganic materials O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002772 conduction electron Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请涉及显示装置,其包括:衬底,所述衬底包括显示区域和非显示区域;以及多个子像素,所述多个子像素布置在所述显示区域中并且包括遍及所述显示区域设置的电极的部分。所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素以发射相同颜色的光,所述第一子像素的所述电极的第一部分具有与所述第二子像素的所述电极的第二部分的厚度不同的厚度,并且所述第一子像素具有与所述第二子像素的尺寸不同的尺寸。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年7月10日提交的第10-2019-0083434号韩国专利申请的优先权和权益,所述专利申请出于所有目的通过援引并入,如同在本文中完整阐述一样。
技术领域
本发明的示例性实施方式一般地涉及显示装置,并且更具体地,涉及包括多个子像素的显示装置。
背景技术
近来,显示装置的使用已经多样化。此外,随着显示装置已经变得更薄和更轻质,它们的使用范围已经逐渐扩大。
当显示装置以各种方式使用时,可以以各种方式设计显示装置的形状。此外,可以与显示装置结合或相关的功能正在不断增加。例如,显示装置通常包括容纳照相机、红外传感器等的夹孔(pinch holes)。
在此背景技术部分中公开的以上信息仅是为了理解本发明构思的背景,并且,因此,其可以含有不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人发现,具有子像素的显示装置可以由于各种原因(例如夹孔的并入)而具有不同尺寸的子像素,并且子像素尺寸的变化可能导致所述子像素之间的亮度的偏差和不均匀性。
根据本发明的原理和示例性实施方式构造的显示装置能够最小化或至少减小像素之间的亮度偏差。例如,根据本发明的原理和示例性实施方式构造的显示装置包括根据其导电层(例如相对电极)的厚度具有不同尺寸的子像素,以最小化或至少减小所述亮度偏差。根据本发明的原理的子像素的尺寸调整(sizing)还可以减少发光元件(例如有机发光二极管)的劣化,并且改善它们的使用寿命。
根据本发明的原理和示例性实施方式构造的显示装置可以包括这样的区域,在所述区域中,照相机、传感器或类似组件可以布置在显示区域内以增加可以与显示装置结合或相关的功能。
本发明构思的其它特征将在随后的描述中阐述,并且部分地将从所述描述变得显而易见,或者可以通过本发明构思的实践而获悉。
根据本发明的一个方面,显示装置包括:衬底,所述衬底包括显示区域和非显示区域;以及多个子像素,所述多个子像素布置在所述显示区域中并且包括遍及所述显示区域设置的电极的部分,其中所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素以发射相同颜色的光,所述第一子像素的所述电极的第一部分具有与所述第二子像素的所述电极的第二部分的厚度不同的厚度,以及所述第一子像素具有与所述第二子像素的尺寸不同的尺寸。
所述显示装置可以进一步包括像素限定层,其中所述电极包括相对电极,所述第一子像素和所述第二子像素进一步包括设置在所述相对电极下方的像素电极,所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘并且限定暴露所述像素电极的部分的开口,并且所述第一子像素和所述第二子像素的所述尺寸由所述开口限定。
所述显示区域可以包括在第一方向上延伸的第一区域,所述第一子像素设置在所述第一区域中。
所述显示区域可以进一步包括第二区域,所述第二子像素设置在所述第二区域中,并且所述第一区域可以布置成跨过所述第二区域。
所述显示区域可以进一步包括第二区域,所述第二子像素设置在所述第二区域中,并且所述电极在所述第一区域中的厚度可以大于在所述第二区域中的厚度。
所述第一区域可以进一步在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,所述显示区域可以进一步包括第二区域,所述第二子像素设置在所述第二区域中,并且所述电极在所述第一区域中的厚度可以小于在所述第二区域中的厚度。
所述非显示区域可以包括第一非显示区域和第二非显示区域,所述显示区域可以围绕所述第一非显示区域,所述第二非显示区域可以围绕所述显示区域,所述显示区域可以包括在第一方向上延伸的第一区域,所述第一子像素设置在所述第一区域中,并且所述第一区域可以布置在所述第一非显示区域与所述第二非显示区域之间。
所述第一非显示区域可以包括第一区和第二区,并且所述第一区域可以进一步布置在所述第一区与所述第二区之间。
所述多个子像素可以包括至少一个红色子像素、至少一个绿色子像素和至少一个蓝色子像素。
所述多个子像素可以构成虚拟四边形,并且所述至少一个红色子像素、所述至少一个绿色子像素和所述至少一个蓝色子像素可以布置在所述虚拟四边形中的一个虚拟四边形的顶点处。
所述多个子像素可以构成虚拟四边形,所述至少一个红色子像素和所述至少一个蓝色子像素可以布置在所述虚拟四边形中的一个虚拟四边形的顶点处,以面对所述虚拟四边形中的所述一个虚拟四边形的中心点,并且所述至少一个绿色子像素可以布置在所述虚拟四边形中的所述一个虚拟四边形的所述中心点处。
所述多个子像素可以进一步包括白色子像素,所述多个子像素可以构成虚拟四边形,并且所述至少一个红色子像素、所述至少一个绿色子像素、所述至少一个蓝色子像素和所述白色子像素可以布置在所述虚拟四边形中的一个虚拟四边形的顶点处。
所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素可以大体上彼此平行地布置。
根据本发明的另一个方面,显示装置包括:衬底,所述衬底包括显示区域和非显示区域;以及多个有机发光二极管,所述多个有机发光二极管布置在所述显示区域中并且包括遍及所述显示区域设置的电极的部分,其中所述多个有机发光二极管包括第一有机发光二极管和第二有机发光二极管以发射相同颜色的光,所述第一有机发光二极管的所述电极的第一部分具有与所述第二有机发光二极管的所述电极的第二部分的厚度不同的厚度,并且所述第一有机发光二极管的发光区域具有与所述第二有机发光二极管的发光区域的尺寸不同的尺寸。
所述显示装置可以进一步包括像素限定层,并且其中所述电极包括相对电极,所述多个有机发光二极管各自进一步包括像素电极和发光层,所述像素限定层覆盖所述多个有机发光二极管的所述像素电极的边缘,以限定暴露所述像素电极的部分的开口,并且所述多个有机发光二极管的发光区域由所述开口限定。
所述显示区域可以包括第一区域和第二区域,所述第一有机发光二极管可以设置在所述第一区域中,所述第二有机发光二极管可以设置在所述第二区域中,并且所述第一区域可以在第一方向上延伸以布置成跨过所述第二区域。
所述第一区域的所述电极的第一部分可以具有比所述第二区域的所述电极的第二部分的厚度更大的厚度。
所述第一区域可以进一步在与延伸跨过所述第二区域的所述第一方向相交的第二方向上延伸,并且所述第一区域的所述电极的第一部分可以具有比所述第二区域的所述电极的第二部分的厚度更小的厚度。
所述非显示区域可以包括第一非显示区域和第二非显示区域,所述显示区域可以围绕所述第一非显示区域,所述第二非显示区域可以围绕所述显示区域,并且所述第一区域可以设置在所述第一非显示区域与所述第二非显示区域之间。
所述多个有机发光二极管各自可以配置成发射具有红颜色、绿颜色和蓝颜色中的一种的光,并且布置成pentile矩阵。
应理解,前述的一般描述和以下的详细描述两者均是示例性和解释性的,并且旨在提供对要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解,并且所述附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分,所述附图例示本发明的示例性实施方案,并且连同描述一起用于解释本发明构思。
图1是根据本发明的原理构造的显示装置的示例性实施方案的透视图。
图2A是根据示例性实施方案沿图1的线II-II’截取的横截面视图。
图2B是根据另一个示例性实施方案的沿图1的线II-II’截取的横截面视图。
图3是根据本发明的原理构造的显示面板的示例性实施方案的平面视图。
图4是图3的代表性子像素的示例性实施方案的等效电路图。
图5是根据本发明的原理构造的显示面板的多个子像素的布置的示例性实施方案的平面视图。
图6是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的示例性实施方案的平面视图。
图7是沿图6的线A-A’、线B-B’和线C-C’截取的横截面视图。
图8A和图8B是在根据本发明的原理的一些示例性制造方法中用于形成显示区域中的相对电极的掩模的示例性实施方案的平面视图。
图9是根据另一个示例性实施方案的沿图6的线A-A’、B-B’和C-C’截取的横截面视图。
图10是在根据本发明的原理的制造方法中用于形成显示区域中的相对电极的掩模的示例性实施方案的平面视图。
图11是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的另一个示例性实施方案的平面视图。
图12是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的还另一个示例性实施方案的平面视图。
图13是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的又一个示例性实施方案的平面视图。
具体实施方式
在以下描述中,出于解释的目的,阐述了多个具体细节,以提供对本发明的各种示例性实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用,“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语,其是采用一个或多于一个的本文公开的发明构思的装置或方法的非限制性实例。然而,显而易见的是,可以在没有这些具体细节的情况下或者用一个或多于一个的等同布置来实践各种示例性实施方案。在其它情况中,以框图的形式显示众所周知的结构和装置,以避免不必要地混淆各种示例性实施方案。此外,各种示例性实施方案可以是不同的,但不必是排他性的。例如,示例性实施方案的具体形状、配置和特性可以在不背离本发明构思的情况下用于或实施于另一个示例性实施方案中。
除非另外规定,例示的示例性实施方案被理解为提供一些方式的各种细节的示例性特征,以所述方式,本发明构思可以在实践中实施。因此,除非另外规定,各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文,单独或共同地被称为“元件”)可以在不背离本发明构思的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
一般地提供在附图中使用交叉影线和/或阴影,以阐明相邻元件之间的界线。如此,交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、例示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何倾向或要求,除非指明。此外,在附图中,可以放大元件的尺寸和相对尺寸以用于清楚和/或描述性目的。当可以不同地实施示例性实施方案时,具体的过程顺序可以不同于所述顺序来进行。例如,两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与所述顺序相反的顺序进行。此外,相同的参考数字表示相同的元件。
当诸如层的元件被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”另一个元件或层或者“联接至”另一个元件或层时,其可以直接在另一个元件或层上、直接连接至另一个元件或层或者直接联接至另一个元件或层,或者可以存在介于中间的元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接至”另一个元件或层或者“直接联接至”另一个元件或层时,不存在介于中间的元件或层。为此,术语“连接”可以是指在有或没有介于中间的元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外,D1-轴、D2-轴和D3-轴不限于直角坐标系的三个轴,例如x轴、y轴和z轴,并且可以以较宽的意义解释。例如,D1-轴、D2-轴和D3-轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开内容的目的,“X、Y和Z中的至少一个”以及“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以解释为仅有X、仅有Y、仅有Z,或者X、Y和Z中的两个或多于两个的任何组合,例如,XYZ、XYY、YZ以及ZZ。如本文使用,术语“和/或”包括相关的列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件,但是这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一元件。因此,在不背离本公开内容的教导的情况下,以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。
空间相对术语,例如“下方”、“之下”、“下”、“较低”、“之上”、“上”、“上方”、“较高”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等,可以在本文中用于描述目的,并且由此用于描述一个元件与另一个元件的关系,如附图中示出的。除了附图中描述的方向之外,空间相对术语旨在还包括在使用、操作和/或制造中的设备的不同方向。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述成在其它元件或特征“之下”或“下方”的元件会被定位在所述其它元件或特征“之上”。因此,示例性术语“之下”可以包括上和下的方向两者。此外,可以将设备以其它方式定向(例如,旋转90度或在其它方向上),并且如此,本文使用的空间相对描述符号被相应地解释。
本文使用的术语用于描述特定实施方案的目的,而不旨在进行限制。如本文使用,单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式,除非上下文另外明确说明。此外,术语“包含(comprise)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”当用于本说明书中时,指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在,但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。还注意到,如本文使用,术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语并且不用作程度的术语,并且如此,用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量、计算和/或提供的值中的固有偏差。
参考截面图和/或剖视图在本文中描述各种示例性实施方案,所述截面图和/或剖视图是理想化的示例性实施方案和/或中间结构的示意图。如此,将预期到由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,本文公开的示例性实施方案不应必须解释为局限于特定例示的区的形状,而应包括由例如制造产生的形状的偏差。在这种方式中,附图中例示的区可以在本质上是示意性的,并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状,并且如此,不必旨在限制。
除非另外定义,本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)均具有如本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语,例如在常用词典中定义的那些术语,应解释为具有与其在相关技术的语境中的含义相符的含义,并且不应以理想化或过于正式的含义来解释,除非本文明确如此定义。
图1是根据本发明的原理构造的显示装置的示例性实施方案的透视图。
参考图1,显示装置1包括通过其发射光的显示区域DA和通过其不发射光的非显示区域NDA。
显示装置1可以通过显示区域DA显示图像。显示装置1可以是液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、量子点发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器、阴极射线显示器和本领域已知的其它类型的显示器中的一种。
虽然为了方便起见,显示装置1被描述为有机发光显示装置作为实例,但示例性实施方案不限于此,并且可以是各种类型的显示装置。
非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2,第一非显示区域NDA1包括第一区R1和第二区R2,并且第二非显示区域NDA2至少部分地围绕显示区域DA。在示例性实施方案中,显示区域DA可以完全地围绕第一非显示区域NDA1,并且第二非显示区域NDA2可以完全地围绕显示区域DA。
显示装置1包括第一区R1和第二区R2。第一区R1和第二区R2可以是其中布置电子元件的位置,如以下参考图2A描述的。第一区R1和第二区R2可以是开口区域和/或透射区域,从电子元件输出至外部或者从外部向电子元件行进的光和/或声音可以穿过所述开口区域和/或透射区域。虽然在图1中示出了开口区域或透射区域包括两个区(R1和R2),但示例性实施方案不限于此,并且可以提供一个透射区域,或者可以提供三个或多于三个的透射区域。
在示例性实施方案中,在其中光穿过第一区R1和第二区R2的情况下,光透射率可以是50%或大于50%、更优选70%或大于70%、75%或大于75%、80%或大于80%、或者85%或大于85%。
虽然图1示出第一区R1和第二区R2布置在显示区域DA的右上侧,但示例性实施方案不限于此。在另一个示例性实施方案中,可以不同地改变第一区R1和第二区R2的位置。
图2A是根据示例性实施方案的沿图1的线II-II’截取的横截面视图。
参考图2A,显示装置1可以包括显示面板10以及第一电子元件20和第二电子元件30,显示面板10包括显示元件,并且第一电子元件20和第二电子元件30分别与显示面板10的第一区R1和第二区R2对应(即,重叠)。显示装置1可以进一步包括各种元件,例如布置在显示面板10上的输入感测构件、防反射构件和透明窗,输入感测构件感测触摸输入,并且防反射构件包括偏振器和延迟器、或者滤色器和黑矩阵。
显示面板10可以包括衬底100、作为封装构件的封装衬底400A和设置在其间的密封构件450,封装衬底400A面向衬底100。
衬底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的至少一种。包含聚合物树脂的衬底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。衬底100可以具有多层结构,其包括包含聚合物树脂的层和无机层。封装衬底400A可以包含玻璃或聚合物树脂。
薄膜晶体管TFT、作为显示元件的有机发光二极管OLED和信号线SGL布置在衬底100的显示区域DA中,有机发光二极管OLED连接至薄膜晶体管TFT。
信号线SGL可以向在除了第一区R1和第二区R2之外的显示区域DA中的y方向上彼此隔开的显示元件提供信号(例如,数据信号和扫描信号)。
显示面板10可以包括分别与第一区R1和第二区R2对应(即,重叠)的通孔。例如,衬底100和封装衬底400A可以分别包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔100H和通孔400AH,以及可以去除设置在衬底100与封装衬底400A之间的绝缘层IL或元件的与第一区R1和第二区R2重叠的所有部分。
虽然图2A示出密封构件450布置在第一区R1和第二区R2中的每一个的两个相对侧上,但可以理解,当在垂直于衬底100的主表面的方向上观察时,第一区R1和第二区R2各自被密封构件450完全包围。
第一电子元件20和第二电子元件30可以分别定位于第一区R1和第二区R2中。第一电子元件20和第二电子元件30可以是使用光或声音的电子元件。例如,电子元件可以是传感器,例如发射和/或接收光的红外传感器、接收光并且捕获图像的照相机、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯、或输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用各种波长带中的光,例如可见光、红外光和紫外光。
如图2A中示出,在其中显示面板10包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔的情况下,可以更有效地利用从第一电子元件20和第二电子元件30输出或由第一电子元件20和第二电子元件30接收的光或声音。
虽然图2A示出显示面板10包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔,但示例性实施方案不限于此。例如,显示面板10的封装衬底400A可以包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔400AH,而衬底100可以不包括通孔。在另一个实例中,显示面板10的衬底100和封装衬底400A两者可以不包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔。即使衬底100和封装衬底400A不包括通孔,也可以通过去除设置在衬底100与封装衬底400A之间的绝缘层IL或元件的与第一区R1和第二区R2对应的部分来促进第一电子元件20和第二电子元件30的光透射率。
图2B是根据另一个示例性实施方案的沿图1的线II-II’截取的横截面视图。
参考图2B,如同参考图2A描述的显示装置1,显示装置1可以包括显示面板10’以及第一电子元件20和第二电子元件30,显示面板10’包括显示元件,并且第一电子元件20和第二电子元件30分别与显示面板10’的第一区R1和第二区R2对应(即,重叠)。显示装置1可以进一步包括各自布置在显示面板10’上的输入感测构件、防反射构件和窗,输入感测构件感测触摸输入。
与参考图2A描述的包括封装衬底400A(其为封装构件)和密封构件450的显示面板10不同,图2B的显示面板10’可以包括薄膜封装层400B。在这种情况下,可以进一步改善显示面板10’的柔性。在下文,为了便于描述,主要描述了封装结构之间的差异。
薄膜封装层400B可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。关于这一点,图2B示出第一无机封装层410和第二无机封装层430以及其间的有机封装层420。
第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包含选自由氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅组成的组中的无机绝缘材料。有机封装层420可以包含基于聚合物的材料。基于聚合物的材料可以包括基于丙烯酸的树脂、基于环氧的树脂、聚酰亚胺和聚乙烯中的至少一种。
显示面板10’可以包括与第一区R1和第二区R2对应(即,重叠)的通孔。例如,衬底100和薄膜封装层400B可以分别包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔100H和通孔400BH。使用光或声音的第一电子元件20和第二电子元件30可以布置在第一区R1和第二区R2中。
与包括对应于第一区R1和第二区R2的通孔的显示面板10’不同,图2B的显示面板10’可以不包括通孔。例如,薄膜封装层400B包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔400BH,而衬底100可以不包括通孔。对于另一个实例,衬底100和薄膜封装层400B两者可以不包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔。以这种方式,可以通过去除设置在衬底100与薄膜封装层400B之间的绝缘层IL或元件的与第一区R1和第二区R2对应的部分来促进第一电子元件20和第二电子元件30的光透射率。
图3是根据本发明的原理构造的显示面板的示例性实施方案的平面视图。
参考图3,显示面板10包括布置在显示区域DA中的多个子像素P。子像素P可以连接至在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)上延伸的扫描线SLa和扫描线SLb以及在与第一方向相交的第二方向(例如,y方向或(-)y方向)上延伸的数据线DL和驱动电压线PL。
子像素P各自可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。子像素P可以通过有机发光二极管OLED发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。在例示的实施方案中,可以理解,子像素P是发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的像素单元。显示区域DA可以被参考图2A和图2B描述的封装构件覆盖,并且因此免受外部空气或湿气的影响。
第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以布置在第二非显示区域NDA2中,第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200向子像素P提供扫描信号。第一扫描驱动器1100可以布置在显示区域DA的左侧上,并且第二扫描驱动器1200可以布置在显示区域DA的右侧上。
由第一扫描驱动器1100产生的扫描信号可以被提供至一些子像素P,并且由第二扫描驱动器1200产生的扫描信号可以被提供至其余的子像素P。
第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以布置在显示区域DA的两个相对侧上,并且可以进行双重扫描。例如,第一扫描驱动器1100可以产生扫描信号并且将扫描信号传输至显示区域DA中的一些子像素P,并且第二扫描驱动器1200可以产生扫描信号并且将扫描信号传输至显示区域DA中的其余的子像素P。第一扫描驱动器1100和第二扫描驱动器1200可以通过同步的时钟信号来同步。
在示例性实施方案中,布置在第一非显示区域NDA1的左侧上的子像素P可以接收由第一扫描驱动器1100产生的扫描信号,并且布置在第一非显示区域NDA1的右侧上的子像素P可以接收由第二扫描驱动器1200产生的扫描信号。
数据驱动器2000、主电源线等可以布置在第二非显示区域NDA2中,数据驱动器2000向子像素P提供数据信号,并且主电源线提供驱动电压和/或公共电压。
在其中多个子像素P发射光的情况下,甚至当施加恒定的驱动电压或驱动电流时,由于以下描述的相对电极的厚度差,可能出现亮度差。具体地,显示区域DA包括至少一个第一区域A1和第二区域A2,并且第一区域A1是包括相对电极的区域,所述相对电极具有与第二区域A2中的相对电极的厚度不同的厚度。当施加恒定的驱动电压或电流时,在第一区域A1与第二区域A2之间可能出现亮度差。
第一区域A1可以布置在显示区域DA内部,并且可以在第一方向上延伸。多个第一区域A1可以在显示区域DA内彼此隔开。然而,示例性实施方案不限于此,并且第一区域A1可以在第二方向上延伸。在下文,为了便于描述,主要描述了其中第一区域A1在第一方向上延伸的情况。
在示例性实施方案中,第一区域A1可以在x方向上从与第一扫描驱动器1100相邻的第二非显示区域NDA2延伸至第一非显示区域NDA1。此外,第一区域A1可以在(-)x方向上从与第二扫描驱动器1200相邻的第二非显示区域NDA2延伸至第一非显示区域NDA1。
在示例性实施方案中,第一区域A1可以布置在第一区R1与第二区R2之间。第一区域A1可以在第一区R1与第二区R2之间在第一方向上延伸。在另一个示例性实施方案中,第一区域A1可以不布置在第一区R1与第二区R2之间。
第二区域A2可以表示显示区域DA的不包括第一区域A1的部分。第二区域A2可以邻近第一非显示区域NDA1、第二非显示区域NDA2和第一区域A1。特别地,第一区域A1可以在第一方向上布置成跨过第二区域A2。因此,第二区域A2可以被第一区域A1分成第(2-1)区域Aa2和第(2-2)区域Ab2。
图4是图3的代表性子像素的示例性实施方案的等效电路图。
参考图4,每个子像素P包括像素电路PC和有机发光二极管OLED,像素电路PC连接至扫描线SL和数据线DL,并且有机发光二极管OLED连接至像素电路PC。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接至扫描线SL和数据线DL,并且响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn,将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输至驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接至开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL,并且存储与通过开关薄膜晶体管T2传输的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值,控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以通过使用驱动电流发射具有亮度的光。
虽然图4示出像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但示例性实施方案不限于此。像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。可以进行各种修改。
图5是根据本发明的原理构造的显示面板的多个子像素的布置的示例性实施方案的平面视图。在图5中,红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb分别表示发射红色光、绿色光和蓝色光的子像素。可以通过像素限定层的开口限定子像素的尺寸,这将在以下描述。
多个子像素(例如红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb)可以表示多个有机发光二极管OLED的发光区域。多个有机发光二极管OLED的发光区域类似于与多个有机发光二极管OLED重叠的像素限定层的开口或者与所述开口基本上相同。
参考图5,红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)上交替地布置在第一行1N上,并且绿色子像素Pg可以在第一方向上以预定的间隔彼此间隔开地布置在邻近第一行1N的第二行2N上。同样,红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以交替地布置在第三行3N上,并且绿色子像素Pg可以以预定的间隔彼此间隔开地布置在邻近第三行3N的第四行4N上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定行。
布置在第二行2N上的绿色子像素Pg可以与第一行1N上的红色子像素Pr和蓝色子像素Pb交替地布置。因此,红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以在第二方向(例如,y方向或(-)y方向)上交替地布置在第一列1M上,并且绿色子像素Pg可以在第二方向上以预定的间隔彼此间隔开地布置在第二列2M上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定列。在这种情况下,蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可以大于绿色子像素Pg。替代地,蓝色子像素Pb可以大于红色子像素Pr和绿色子像素Pg。
此类子像素布置可以以其它言语表示,其中:绿色子像素Pg居于虚拟四边形VS的中心,红色子像素Pr布置在虚拟四边形VS的彼此面对的第一顶点和第三顶点处,并且蓝色子像素Pb布置在为虚拟四边形VS的剩余顶点的第二顶点和第四顶点处。特别地,红色子像素Pr和蓝色子像素Pb各自围绕虚拟四边形VS的中心点相对地布置。在这种情况下,虚拟四边形VS可以是矩形、菱形、正方形等。可以进行各种修改。
子像素布置不限于此。例如,在图5中,替代绿色子像素Pg,蓝色子像素Pb可以居于虚拟四边形VS的中心,红色子像素Pr可以布置于在虚拟四边形VS的顶点中彼此面对的第一顶点和第三顶点处,并且绿色子像素Pg可以布置在为虚拟四边形VS的其余顶点的第二顶点和第四顶点处。
此类子像素布置结构被称为pentile矩阵结构,其可以通过应用渲染驱动用少量子像素实施高分辨率,所述渲染驱动通过共享彼此相邻的子像素来表达颜色。
图6是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的示例性实施方案的平面视图。图7是沿图6的线A-A’、B-B’和C-C’截取的横截面视图。
参考图6,红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以在显示区域DA中交替地布置在第一方向(例如,x方向)上,并且绿色子像素Pg可以以预定的间隔彼此间隔开地布置在第一方向上。即,多个子像素P可以以pentile矩阵结构布置。
第一区域A1可以在第一方向(例如,x方向)上布置成跨过第二区域A2。特别地,第一区域A1可以将第二区域A2分成第(2-1)区域Aa2和第(2-2)区域Ab2。
多个子像素P可以布置在第一区域A1和第二区域A2中。具体地,第一区域A1可以包括第一子像素。第二区域A2中包括的第(2-1)区域Aa2和第(2-2)区域Ab2可以包括第二子像素。特别地,布置在第一区域A1中的第一子像素的尺寸可以与布置在第二区域A2中的第二子像素的尺寸不同,并且产生与第一子像素产生的光的颜色基本上相同的颜色的光。在此,子像素的尺寸可以意指通过显示元件实现的发光区域的平面面积。例如,子像素的尺寸可以意指由以下描述的像素限定层限定的开口的平面面积。在下文,为了容易理解平面面积,在附图中表示子像素的长度。
例如,布置在第一区域A1中的第一红色子像素Pr1的尺寸Wr1可以大于布置在第二区域A2中的第二红色子像素Pr2的尺寸Wr2。再举一例,布置在第一区域A1中的第一绿色子像素Pg1的尺寸Wg1可以大于布置在第二区域A2中的第二绿色子像素Pg2的尺寸Wg2。再举一例,布置在第一区域A1中的第一蓝色子像素Pb1的尺寸Wb1可以大于布置在第二区域A2中的第二蓝色子像素Pb2的尺寸Wb2。
第一区域A1中彼此相邻的第一子像素与第二子像素之间的最短距离可以与第二区域A2中彼此相邻的第三子像素与第四子像素之间的最短距离不同,其中第三子像素和第四子像素分别产生与第一子像素和第二子像素基本上相同的颜色。在此,最短距离可以意指像素限定层的开口之间的平面距离。例如,第一区域A1中的第一红色子像素Pr1与第一绿色子像素Pg1之间的第一最短距离dis1可以与第二区域A2中的第二红色子像素Pr2与第二绿色子像素Pg2之间的第二最短距离dis2不同。特别地,第一最短距离dis1可以小于第二最短距离dis2。
在下文,参考图7描述了显示装置1的堆叠结构。在图7中,由于与图6中的参考数字相同的参考数字表示相同的元件,因此省略其重复描述以避免冗余。
参考图6和图7,衬底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳基化物、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)。包含聚合物树脂的衬底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。衬底100可以具有多层结构,其包括包含聚合物树脂的层和无机层。
缓冲层111可以设置在衬底100上,可以减少或防止外来物质、湿气或外部空气从衬底100下方渗透,并且可以在衬底100上提供平坦表面。缓冲层111可以包含无机材料(例如氧化物或氮化物)、有机材料或有机/无机复合材料,并且包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。可以在衬底100与缓冲层111之间进一步提供阻挡层,所述阻挡层阻挡外部空气的渗透。在示例性实施方案中,缓冲层111可以包含SiO2或SiNx(0.5≤x≤1.5)。缓冲层111可以包括堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
薄膜晶体管TFT可以布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT包括半导体层Act1、栅极电极G1、源极电极S1和漏极电极D1。薄膜晶体管TFT可以连接至显示区域DA中的有机发光二极管OLED以驱动有机发光二极管OLED。
半导体层Act1可以布置在缓冲层111上并且可以包含多晶硅。在另一个示例性实施方案中,半导体层Act1可以包含无定形硅。在另一个示例性实施方案中,半导体层Act1可以包含In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn中的至少一种的氧化物。半导体层Act1可以包括沟道区、源区和漏区,源区和漏区掺杂有杂质。
第一栅极绝缘层112可以覆盖半导体层Act1。第一栅极绝缘层112可以包含无机绝缘材料,所述无机绝缘材料包括SiO2、SiNx(0.5≤x≤1.5)、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2。第一栅极绝缘层112可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层。
栅极电极G1布置在第一栅极绝缘层112上,以便与半导体层Act1重叠。栅极电极G1可以包括单层或多层,所述单层或多层包含Mo、Al、Cu和Ti中的至少一种。例如,栅极电极G1可以是单个Mo层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖栅极电极G1。第二栅极绝缘层113可以包含SiO2、SiNx(0.5≤x≤1.5)、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2中的至少一种无机绝缘材料。第二栅极绝缘层113可以包括包含以上无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst的顶部电极C2可以布置在第二栅极绝缘层113上。
顶部电极C2可以与其下的栅极电极G1重叠。栅极电极G1和顶部电极C2可以构成存储电容器Cst,栅极电极G1和顶部电极C2彼此重叠且第二栅极绝缘层113位于它们之间。即,栅极电极G1可以用作存储电容器Cst的底部电极C1。
顶部电极C2可以包括单层或多层,所述单层或多层包含Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种。
层间绝缘层115可以覆盖顶部电极C2。层间绝缘层115可以包含SiO2、SiNx(0.5≤x≤1.5)、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2和ZnO2中的至少一种。
源极电极S1和漏极电极D1可以布置在层间绝缘层115上。源极电极S1和漏极电极D1可以包含含有Mo、Al、Cu和Ti的导电材料,并且包括包含以上材料的单层或多层。例如,源极电极S1和漏极电极D1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以覆盖源极电极S1和漏极电极D1。平坦化层117可以具有平坦的顶表面,使得平坦地形成布置在其上的第一像素电极221a和第二像素电极221b。
平坦化层117可以包括包含有机材料或无机材料的单层或多层。平坦化层117可以包含通用聚合物,例如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有基于酚的基团的聚合物衍生物、基于丙烯酰基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物,基于乙烯醇的聚合物及其共混物。平坦化层117可以包含SiO2、SiNx(0.5≤x≤1.5)、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。在形成平坦化层117之后,可以进行化学机械抛光以便提供平坦的顶表面。
平坦化层117包括暴露薄膜晶体管TFT的源极电极S1和漏极电极D1中的一个的开口。第一像素电极221a或第二像素电极221b可以通过开口接触源极电极S1或漏极电极D1而电连接至薄膜晶体管TFT。特别地,第一像素电极221a可以布置在第一区域A1中,并且第二像素电极221b可以布置在第二区域A2中。
第一像素电极221a和第二像素电极221b可以包含导电氧化物,所述导电氧化物包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)。在另一个示例性实施方案中,第一像素电极221a和第二像素电极221b可以包括反射层,所述反射层包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物。在另一个示例性实施方案中,第一像素电极221a和第二像素电极221b可以进一步包括在反射层上/下的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。在示例性实施方案中,第一像素电极221a和第二像素电极221b可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以设置在平坦化层117上并且覆盖第一像素电极221a和第二像素电极221b中的每一个的边缘。像素限定层119包括分别与第一像素电极221a和第二像素电极221b重叠的开口,以限定相应子像素的尺寸。像素限定层119可以通过增加第一像素电极221a和第二像素电极221b的边缘与第一像素电极221a和第二像素电极221b上方的相对电极之间的距离来防止在像素电极(例如,第一像素电极221a和第二像素电极221b)的边缘处出现电弧等。像素限定层119可以包含有机绝缘材料,例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂。可以通过诸如旋涂的方法形成像素限定层119。
像素限定层119的开口可以包括与发射红色光的有机发光二极管OLED重叠的红色子像素开口,与发射绿色光的有机发光二极管OLED重叠的绿色子像素开口,以及与发射蓝色光的有机发光二极管OLED重叠的蓝色子像素开口。参考图7,像素限定层119可以包括布置在第一像素电极221a上的第一红色子像素开口OPr1和第一绿色子像素开口OPg1。此外,像素限定层119可以包括布置在第二像素电极221b上的第二红色子像素开口OPr2和第二绿色子像素开口OPg2。
第一区域A1内的红色子像素开口的尺寸可以大于第二区域A2内的红色子像素开口的尺寸。例如,第一红色子像素开口OPr1的尺寸可以大于第二红色子像素开口OPr2的尺寸。此外,第一区域A1内的绿色子像素开口的尺寸可以大于第二区域A2内的绿色子像素开口的尺寸。例如,第一绿色子像素开口OPg1的尺寸可以大于第二绿色子像素开口OPg2的尺寸。
红色子像素开口的尺寸可以大于相同区域中的绿色子像素开口的尺寸。例如,第一红色子像素开口OPr1的尺寸可以大于第一绿色子像素开口OPg1的尺寸。再举一例,第二红色子像素开口OPr2的尺寸可以大于第二绿色子像素开口OPg2的尺寸。
第一功能层222a可以布置在由像素限定层119的开口暴露的第一像素电极221a和第二像素电极221b上。第一功能层222a可以延伸至像素限定层119的顶表面。第一功能层222a可以包括单层或多层。第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。替代地,第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层222a可以提供为一体,以便与显示区域DA中的子像素P对应。
发光层222b布置在第一功能层222a上,以便与第一像素电极221a和第二像素电极221b中的每一个对应。发光层222b可以包含聚合物材料或低分子量材料,并且发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
第二功能层222c可以设置在发光层222b上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以提供为一体,以便与显示区域DA中的子像素P对应。可以省略第一功能层222a和/或第二功能层222c。
相对电极223设置在第二功能层222c上方。相对电极223可以包含具有低功函数的导电材料。例如,相对电极223可以包括(半)透明层,所述(半)透明层包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其合金。替代地,相对电极223可以进一步包括在包含以上材料的(半)透明层上/下的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
第一像素电极221a和第二像素电极221b中的一个、发光层222b以及相对电极223的与发光层222b重叠的部分可以形成有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED可以进一步包括第一功能层222a的与发光层222b重叠的部分和第二功能层222c的与发光层222b重叠的部分。有机发光二极管OLED可以通过发光区域发射光,所述发光区域是发光层222b的由像素限定层119的开口暴露的部分。发光区域可以确定相应子像素的尺寸。
相对电极223在第一区域A1和第二区域A2中可以具有不同的厚度。相对电极223可以包括第一相对电极223a和第二相对电极223b。第一相对电极223a可以与设置在第一区域A1中的第一子像素对应(即,重叠),并且第二相对电极223b可以与设置在第二区域A2中的第二子像素对应(即,重叠),并且产生与第一子像素产生的光的颜色基本上相同的颜色的光。例如,第一相对电极223a可以与第一红色子像素Pr1对应,并且第二相对电极223b可以与第二红色子像素Pr2对应。再举一例,第一相对电极223a可以与第一绿色子像素Pg1对应,并且第二相对电极223b可以与第二绿色子像素Pg2对应。
由于第一区域A1包括第一红色子像素Pr1和第一绿色子像素Pg1(参见图6),因此第一相对电极223a可以与第一区域A1对应(即,重叠)。由于第二区域A2包括第二红色子像素Pr2和第二绿色子像素Pg2,因此第二相对电极223b可以与第二区域A2对应(即,重叠)。因此,第一相对电极223a可以沿第一区域A1在第一方向上延伸。由于第一区域A1可以在第一方向上布置成跨过第二区域A2,因此第一相对电极223a可以布置成跨过第二相对电极223b。
第一相对电极223a可以电连接至第二相对电极223b。在示例性实施方案中,第一相对电极223a和第二相对电极223b可以提供为一体。
第一相对电极223a的厚度可以与第二相对电极223b的厚度不同。特别地,第一相对电极223a的厚度可以大于第二相对电极223b的厚度。
可以在相对电极223上提供覆盖层,覆盖层保护相对电极223并且改善光提取效率。覆盖层可以包含LiF。替代地,覆盖层可以包含无机绝缘材料(例如氮化硅)和/或包含有机绝缘材料。在示例性实施方案中,可以省略覆盖层。
由于第一相对电极223a的厚度与第二相对电极223b的厚度不同,因此从第一区域A1中的第一子像素发射的光的亮度可以与从第二区域A2中的第二子像素发射的光的亮度不同。例如,由于图3的包括第一区R1和第二区R2的显示面板10的一些制造方法,相对电极223在第一区域A1和第二区域A2中可以具有不同的厚度。以这种方式,可以通过使第一子像素大于第二子像素来减小光的亮度差。因此,减小了全部光的亮度偏差,并且可以改善光学补偿过程。
在另一个示例性实施方案中,通过与第二区域A2相比增加施加于第一区域A1的驱动电压或电流,可以减小第一区域A1与第二区域A2之间的亮度差。当驱动电压或电流增加时,有机发光二极管OLED内的包含有机材料的层可能劣化,并且因此有机发光二极管OLED的使用寿命可能降低。通过增加其中驱动电压或电流增加的第一区域A1内的子像素的尺寸,可以减少有机发光二极管OLED的这种劣化并且可以改善寿命。
在下文,详细地描述了其中第一相对电极223a的厚度可以与第二相对电极223b的厚度不同的制造方法。
图8A和图8B是在根据本发明的原理的一些示例性制造方法中用于在显示区域中形成相对电极的掩模的示例性实施方案的平面视图。
参考图8A,第一掩模M1可以包括第一开口MOP1。第一开口MOP1可以形成为与图3的第(2-1)区域Aa2的形状对应。参考图8B,第二掩模M2可以包括第二开口MOP2。第二开口MOP2可以形成为与图3的第(2-2)区域Ab2的形状对应。
第一掩模M1和第二掩模M2是用于形成图7的相对电极223的掩模,并且可以是精细金属掩模(FMM)。可以通过在金属板中形成孔并且然后施加张力来制造FMM。
第一开口MOP1和第二开口MOP2可以用于形成相对电极223。
在示例性实施方案中,可以通过使用第一掩模M1和第二掩模M2来沉积用于相对电极223的电极材料。图8A的第一掩模M1可以用于将电极材料沉积在图3的第一区域A1和第(2-1)区域Aa2中。图8B的第二掩模M2可以用于将电极材料沉积在图3的第一区域A1和第(2-2)区域Ab2中。
参考图8A,在衬底100上方形成第二功能层222c(参见图7)之后,第一开口MOP1布置成与第(2-1)区域Aa2对应。
接下来,使用沉积源,将电极材料通过第一开口MOP1沉积在第二功能层222c上以形成为相对电极223的部分。
相对电极223的部分可以还形成在第一掩模M1的第一开口MOP1的外部。这种现象被称为阴影现象。例如,相对电极223的部分可以形成在第一开口MOP1外部的第一阴影区域Sd1中。第一阴影区域Sd1的第一阴影部分Sd1-1可以设置在第一区域A1中。
接下来,如图8B中所示,第二掩模M2布置成使得第二开口MOP2可以与第(2-2)区域Ab2对应,并且然后第二次沉积电极材料。在这种情况下,可以根据第二掩模M2的第二开口MOP2形成相对电极223的部分。由于阴影现象,相对电极223的部分可以还形成在第二开口MOP2外部的第二阴影区域Sd2中。例如,第二阴影区域Sd2的第二阴影部分Sd2-1可以设置在第一区域A1中。
当其中电极材料通过第一开口MOP1沉积的区域与其中电极材料通过第二开口MOP2沉积的区域不同时,通过第一开口MOP1沉积的电极材料可以与通过第二开口MOP2沉积的电极材料重叠。特别地,在第一阴影部分Sd1-1和第二阴影部分Sd2-1中形成的相对电极223的部分可以构成图7的第一相对电极223a。
电极材料初次沉积在不与第一阴影部分Sd1-1重叠的第(2-1)区域Aa2中,并且电极材料第二次沉积在不与第二阴影部分Sd2-1重叠的第(2-2)区域Ab2中,以形成图7的第二相对电极223b。因此,第一相对电极223a的厚度可以与第二相对电极223b的厚度不同。特别地,第一相对电极223a的厚度可以大于第二相对电极223b的厚度。然而,制造显示装置的方法不限于以上描述的制造方法,并且可以通过各种方法制造显示装置。
图9是根据另一个示例性实施方案的沿图6的线A-A’、B-B’和C-C’截取的横截面视图。图10是在根据本发明的原理的制造方法中用于形成显示区域中的相对电极的掩模的示例性实施方案的平面视图。
在图9中,由于与图7的参考数字相同的参考数字表示相同的元件,因此省略其重复描述以避免冗余。
图9的第一相对电极223a’和第二相对电极223b’类似于图7的第一相对电极223a和第二相对电极223b,但第一相对电极223a’的厚度可以小于第二相对电极223b’的厚度。
参考图10,显示区域DA可以包括第一区域A1’和第二区域A2’。第一区域A1’可以在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)和与第一方向相交的第二方向(例如,y方向或(-)y方向)上延伸。第一区域A1’可以包括在第一方向上延伸的至少一个第(1-1)区域Aa1和在第二方向上延伸的至少一个第(1-2)区域Ab1。特别地,第一方向可以垂直于第二方向。第二区域A2’可以是显示区域DA的剩余区域。例如,第二区域A2’可以包括被第一区域A1’的第(1-1)区域Aa1分开的第(2-1)区域Aa2’和第(2-2)区域Ab2’。因此,第一区域A1’可以在第一方向和第二方向上布置成跨过显示区域DA中的第二区域A2’。例如,第一区域A1’可以在x方向和y方向上延伸。
在下文,描述了其中第一相对电极223a’的厚度小于第二相对电极223b’的厚度的制造方法。
图10的掩模M’可以用于形成在显示区域DA中的相对电极。
掩模M’包括开口MOP’。掩模M’包括各自具有圆形形状的第一屏蔽部分SH1’和第二屏蔽部分SH2’。屏蔽部分的数量不限于两个,并且可以提供一个屏蔽部分或者三个或多于三个的屏蔽部分。然而,为了便于描述,主要描述了其中提供第一屏蔽部分SH1’和第二屏蔽部分SH2’的情况。
第一屏蔽部分SH1’或第二屏蔽部分SH2’可以具有圆形形状。然而,第一屏蔽部分SH1’和第二屏蔽部分SH2’不限于此,并且可以具有包括三角形形状和四边形形状的多边形形状。
第一屏蔽部分SH1’和第二屏蔽部分SH2’可以旨在用于防止电极材料沉积在图3的第一区R1和第二区R2中。因此,第一屏蔽部分SH1’和第二屏蔽部分SH2’的形状可以类似于第一区R1和第二区R2的形状。
第一屏蔽部分SH1’或第二屏蔽部分SH2’可以具有至少一个肋状物以便被开口MOP’中的掩模M’支撑。例如,第一屏蔽部分SH1’或第二屏蔽部分SH2’可以包括在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)上的第一肋状物Rib1’,以便被掩模M’支撑。作为另一个实例,第一屏蔽部分SH1’或第二屏蔽部分SH2’可以包括在第二方向(例如,y方向或(-)y方向)上的第二肋状物Rib2’,以便被掩模M’支撑。此外,第一屏蔽部分SH1’和第二屏蔽部分SH2’可以包括第三肋状物Rib3’以彼此支撑。
第一肋状物Rib1’、第二肋状物Rib2’和第三肋状物Rib3’可以布置成跨过开口MOP’。因此,第一肋状物Rib1’、第二肋状物Rib2’和第三肋状物Rib3’可以使开口MOP’分隔开。
掩模M’可以是用于沉积电极材料的掩模并且可以是精细金属掩模(FMM)。可以通过在金属板中形成孔并且然后施加张力来制造FMM。
开口MOP’可以旨在用于形成相对电极。参考图10,在衬底100上方形成第二功能层222c(参见图9)之后,可以将开口MOP’布置成与第二区域A2’对应。
接下来,使用沉积源,将电极材料通过开口MOP’沉积在第二功能层222c上以形成为相对电极。在这种情况下,在与掩模M’的开口MOP’重叠的区域中形成相对电极的部分。
相对电极可以还形成在与开口MOP’相邻的阴影区域Sd’中。例如,相对电极可以形成在掩模M’的开口MOP’的外部,以及在与第一肋状物Rib1’、第二肋状物Rib2’、第三肋状物Rib3’、第一屏蔽部分SH1’和第二屏蔽部分SH2’重叠的区域中。阴影区域Sd’的部分可以被包括在第一区域A1’中。
由于相对电极的位于阴影区域Sd’中的部分由阴影现象形成,因此沉积在阴影区域Sd’中的电极材料的量可以小于沉积在第二区域A2’中的电极材料的量。因此,第一区域A1’中形成的第一相对电极223a’的厚度可以小于第二区域A2’中形成的第二相对电极223b’的厚度。然而,制造显示装置的方法不限于以上描述的制造方法,并且可以通过使用各种方法制造显示装置。
在其中第一相对电极223a’的厚度小于第二相对电极223b’的厚度的情况下,由于相对电极的金属的电阻,从第一区域A1’中的第一子像素发射的光的亮度可以小于从第二区域A2’中的第二子像素发射的光的亮度。以这种方式,可以通过使第一子像素的尺寸大于第二子像素的尺寸来增加第一子像素产生的光的亮度。因此,减小了全部光的亮度偏差,并且可以改善光学补偿过程。
在另一个示例性实施方案中,通过与第二区域A2’相比增加施加于第一区域A1’的驱动电压或电流,可以减小第一区域A1’与第二区域A2’之间的光的亮度差。当驱动电压或电流增加时,有机发光二极管OLED内的包含有机材料的层可能劣化,并且因此有机发光二极管OLED的寿命可能降低。通过增加其中增加驱动电压或电流的第一区域A1’内的子像素的尺寸,可以减少有机发光二极管OLED的这种劣化并且可以改善寿命。
图11是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的另一个示例性实施方案的平面视图。
参考图11,红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)上交替地布置在第一行1N上。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb还可以在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)上交替地布置在第二行2N上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定行。
红色子像素Pr可以在第二方向(y方向或(-)y方向)上连续地布置在第一列1M上,绿色子像素Pg可以在第二方向(y方向或(-)y方向)上连续地布置在与第一列1M相邻的第二列2M上,并且蓝色子像素Pb可以在第二方向上连续地布置在与第二列2M相邻的第三列3M上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定列。
在这种情况下,红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb的尺寸可以基本上相同。此类子像素布置被称为RGB垂直条纹结构。
由于图11的第一区域A1-1、第(2-1)区域Aa2-1、第(2-2)区域Ab2-1、第一红色子像素Pr1-1、第一绿色子像素Pg1-1、第一蓝色子像素Pb1-1、第二红色子像素Pr2-1、第二绿色子像素Pg2-1、第二蓝色子像素Pb2-1、第一红色子像素Pr1-1的尺寸Wr1-1、第二红色子像素Pr2-1的尺寸Wr2-1、第一绿色子像素Pg1-1的尺寸Wg1-1、第二绿色子像素Pg2-1的尺寸Wg2-1、第一蓝色子像素Pb1-1的尺寸Wb1-1、第二蓝色子像素Pb2-1的尺寸Wb2-1、第一最短距离dis1-1和第二最短距离dis2-1被描述为类似于图6的第一区域A1、第(2-1)区域Aa2、第(2-2)区域Ab2、第一红色子像素Pr1、第一绿色子像素Pg1、第一蓝色子像素Pb1、第二红色子像素Pr2、第二绿色子像素Pg2、第二蓝色子像素Pb2、第一红色子像素Pr1的尺寸Wr1、第二红色子像素Pr2的尺寸Wr2、第一绿色子像素Pg1的尺寸Wg1、第二绿色子像素Pg2的尺寸Wg2、第一蓝色子像素Pb1的尺寸Wb1、第二蓝色子像素Pb2的尺寸Wb2、第一最短距离dis1和第二最短距离dis2,因此省略其详细描述以避免冗余。
图12是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的还另一个示例性实施方案的平面视图。
参考图12,红色子像素Pr、绿色子像素Pg、蓝色子像素Pb和绿色子像素Pg可以在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)上交替地布置在第一行1N上。蓝色子像素Pb、绿色子像素Pg、红色子像素Pr和绿色子像素Pg可以交替地布置在与第一行1N相邻的第二行2N上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定行。
红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以在第二方向(例如,y方向或(-)y方向)上交替地布置在第一列1M上,并且绿色子像素Pg可以在第二方向上以预定的间隔彼此间隔开地布置在与第一列1M相邻的第二列2M上。蓝色子像素Pb和红色子像素Pr可以在第二方向上交替地布置在与第二列2M相邻的第三列3M上。绿色子像素Pg可以在第二方向上以预定的间隔彼此间隔开地布置在与第三列3M相邻的第四列4M上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定列。在这种情况下,蓝色子像素Pb和红色子像素Pr大于绿色子像素Pg。替代地,蓝色子像素Pb可以大于红色子像素Pr和绿色子像素Pg。此类子像素布置被称为RGBG结构。
由于图12的第一区域A1-2、第(2-1)区域Aa2-2、第(2-2)区域Ab2-2、第一红色子像素Pr1-2、第一绿色子像素Pg1-2、第一蓝色子像素Pb1-2、第二红色子像素Pr2-2、第二绿色子像素Pg2-2、第二蓝色子像素Pb2-2、第一红色子像素Pr1-2的尺寸Wr1-2、第二红色子像素Pr2-2的尺寸Wr2-2、第一绿色子像素Pg1-2的尺寸Wg1-2、第二绿色子像素Pg2-2的尺寸Wg2-2、第一蓝色子像素Pb1-2的尺寸Wb1-2、第二蓝色子像素Pb2-2的尺寸Wb2-2、第一最短距离dis1-2和第二最短距离dis2-2被描述为类似于图6的第一区域A1、第(2-1)区域Aa2、第(2-2)区域Ab2、第一红色子像素Pr1、第一绿色子像素Pg1、第一蓝色子像素Pb1、第二红色子像素Pr2、第二绿色子像素Pg2、第二蓝色子像素Pb2、第一红色子像素Pr1的尺寸Wr1、第二红色子像素Pr2的尺寸Wr2、第一绿色子像素Pg1的尺寸Wg1、第二绿色子像素Pg2的尺寸Wg2、第一蓝色子像素Pb1的尺寸Wb1、第二蓝色子像素Pb2的尺寸Wb2、第一最短距离dis1和第二最短距离dis2,因此省略其详细描述以避免冗余。
图13是图3的第一区域和第二区域中的多个子像素的布置的又一个示例性实施方案的平面视图。
参考图13,红色子像素Pr、绿色子像素Pg、蓝色子像素Pb和白色子像素Pw可以在第一方向(例如,x方向或(-)x方向)上交替地布置在第一行1N上。蓝色子像素Pb、白色子像素Pw、红色子像素Pr和绿色子像素Pg可以交替地布置在与第一行1N相邻的第二行2N上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定行。
红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以在第二方向(例如,y方向或(-)y方向)上交替地布置在第一列1M上,并且绿色子像素Pg和白色子像素Pw可以在第二方向上交替地布置在与第一列1M相邻的第二列2M上。此类子像素布置可以重复直到预先设定的预定列。在这种情况下,可以以基本上恒定的尺寸形成多个子像素。此类子像素布置被称为RGBW结构。
由于图13的第一区域A1-3、第(2-1)区域Aa2-3、第(2-2)区域Ab2-3、第一红色子像素Pr1-3、第一绿色子像素Pg1-3、第一蓝色子像素Pb1-3、第二红色子像素Pr2-3、第二绿色子像素Pg2-3、第二蓝色子像素Pb2-3、第一红色子像素Pr1-3的尺寸Wr1-3、第二红色子像素Pr2-3的尺寸Wr2-3、第一绿色子像素Pg1-3的尺寸Wg1-3、第二绿色子像素Pg2-3的尺寸Wg2-3、第一蓝色子像素Pb1-3的尺寸Wb1-3、第二蓝色子像素Pb2-3的尺寸Wb2-3、第一最短距离dis1-3和第二最短距离dis2-3被描述为类似于图6的第一区域A1、第(2-1)区域Aa2、第(2-2)区域Ab2、第一红色子像素Pr1、第一绿色子像素Pg1、第一蓝色子像素Pb1、第二红色子像素Pr2、第二绿色子像素Pg2、第二蓝色子像素Pb2、第一红色子像素Pr1的尺寸Wr1、第二红色子像素Pr2的尺寸Wr2、第一绿色子像素Pg1的尺寸Wg1、第二绿色子像素Pg2的尺寸Wg2、第一蓝色子像素Pb1的尺寸Wb1、第二蓝色子像素Pb2的尺寸Wb2、第一最短距离dis1和第二最短距离dis2,因此省略其详细描述以避免冗余。
第一白色子像素Pw1-3的尺寸Ww1-3可以大于第二白色子像素Pw2-3的尺寸Ww2-3。由于这类似于其中第一红色子像素Pr1-3的尺寸Wr1-3大于第二红色子像素Pr2-3的尺寸Wr2-3的情况,因此省略其详细描述以避免冗余。
到目前为止,虽然已经通过使用第一子像素的尺寸和第二子像素的尺寸的术语描述了先前提及的显示装置,但示例性实施方案不限于此。例如,可以理解,第一子像素的尺寸是第一有机发光二极管的发光区域的尺寸,并且第二子像素的尺寸是第二有机发光二极管的发光区域的尺寸。
尽管本文已经描述了某些示例性实施方案和实施方式,但其它实施方案和修改根据本说明书将是显而易见的。因此,本发明构思不局限于此类实施方案,而是所附权利要求以及对于本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等价布置的更宽泛的范围。
Claims (20)
1.显示装置,包括:
衬底,所述衬底包括显示区域和非显示区域;以及
多个子像素,所述多个子像素布置在所述显示区域中并且包括遍及所述显示区域设置的电极的部分,
其中所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素以发射相同颜色的光,
所述第一子像素的所述电极的第一部分具有与所述第二子像素的所述电极的第二部分的厚度不同的厚度,以及
所述第一子像素具有与所述第二子像素的尺寸不同的尺寸。
2.如权利要求1所述的显示装置,进一步包括像素限定层,
其中所述电极包括相对电极,
所述第一子像素和所述第二子像素进一步包括设置在所述相对电极下方的像素电极,
所述像素限定层覆盖所述像素电极的边缘并且限定暴露所述像素电极的部分的开口,以及
所述第一子像素的所述尺寸和所述第二子像素的所述尺寸由所述开口限定。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中所述显示区域包括在第一方向上延伸的第一区域,所述第一子像素设置在所述第一区域中。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中所述显示区域进一步包括第二区域,所述第二子像素设置在所述第二区域中,以及
所述第一区域布置成跨过所述第二区域。
5.如权利要求3所述的显示装置,其中所述显示区域进一步包括第二区域,所述第二子像素设置在所述第二区域中,以及
所述电极在所述第一区域中的厚度大于在所述第二区域中的厚度。
6.如权利要求3所述的显示装置,其中所述第一区域进一步在与所述第一方向相交的第二方向上延伸,
所述显示区域进一步包括第二区域,所述第二子像素设置在所述第二区域中,以及
所述电极在所述第一区域中的厚度小于在所述第二区域中的厚度。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中所述非显示区域包括第一非显示区域和第二非显示区域,
所述显示区域围绕所述第一非显示区域,
所述第二非显示区域围绕所述显示区域,
所述显示区域包括在第一方向上延伸的第一区域,所述第一子像素设置在所述第一区域中,以及
所述第一区域布置在所述第一非显示区域与所述第二非显示区域之间。
8.如权利要求7所述的显示装置,其中所述第一非显示区域包括第一区和第二区,以及
所述第一区域进一步布置在所述第一区与所述第二区之间。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中所述多个子像素包括至少一个红色子像素、至少一个绿色子像素和至少一个蓝色子像素。
10.如权利要求9所述的显示装置,其中所述多个子像素构成虚拟四边形,以及
所述至少一个红色子像素、所述至少一个绿色子像素和所述至少一个蓝色子像素布置在所述虚拟四边形中的一个虚拟四边形的顶点处。
11.如权利要求9所述的显示装置,其中所述多个子像素构成虚拟四边形,
所述至少一个红色子像素和所述至少一个蓝色子像素布置在所述虚拟四边形中的一个虚拟四边形的顶点处,以面对所述虚拟四边形中的所述一个虚拟四边形的中心点,以及
所述至少一个绿色子像素布置在所述虚拟四边形中的所述一个虚拟四边形的所述中心点处。
12.如权利要求9所述的显示装置,其中所述多个子像素进一步包括白色子像素,
所述多个子像素构成虚拟四边形,以及
所述至少一个红色子像素、所述至少一个绿色子像素、所述至少一个蓝色子像素和所述白色子像素布置在所述虚拟四边形中的一个虚拟四边形的顶点处。
13.如权利要求9所述的显示装置,其中所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素彼此平行地布置。
14.显示装置,包括:
衬底,所述衬底包括显示区域和非显示区域;以及
多个有机发光二极管,所述多个有机发光二极管布置在所述显示区域中并且包括遍及所述显示区域设置的电极的部分,
其中所述多个有机发光二极管包括第一有机发光二极管和第二有机发光二极管以发射相同颜色的光,
所述第一有机发光二极管的所述电极的第一部分具有与所述第二有机发光二极管的所述电极的第二部分的厚度不同的厚度,以及
所述第一有机发光二极管的发光区域具有与所述第二有机发光二极管的发光区域的尺寸不同的尺寸。
15.如权利要求14所述的显示装置,进一步包括像素限定层,以及
其中所述电极包括相对电极,
所述多个有机发光二极管各自进一步包括像素电极和发光层,
所述像素限定层覆盖所述多个有机发光二极管的所述像素电极的边缘以限定暴露所述像素电极的部分的开口,以及
所述多个有机发光二极管的发光区域由所述开口限定。
16.如权利要求14所述的显示装置,其中所述显示区域包括第一区域和第二区域,
所述第一有机发光二极管设置在所述第一区域中,
所述第二有机发光二极管设置在所述第二区域中,以及
所述第一区域在第一方向上延伸以布置成跨过所述第二区域。
17.如权利要求16所述的显示装置,其中所述第一区域的所述电极的第一部分具有比所述第二区域的所述电极的第二部分的厚度更大的厚度。
18.如权利要求16所述的显示装置,其中所述第一区域进一步在与延伸跨过所述第二区域的所述第一方向相交的第二方向上延伸,以及
所述第一区域的所述电极的第一部分具有比所述第二区域的所述电极的第二部分的厚度更小的厚度。
19.如权利要求16所述的显示装置,其中所述非显示区域包括第一非显示区域和第二非显示区域,
所述显示区域围绕所述第一非显示区域,
所述第二非显示区域围绕所述显示区域,以及
所述第一区域设置在所述第一非显示区域与所述第二非显示区域之间。
20.如权利要求14所述的显示装置,其中所述多个有机发光二极管各自配置成发射具有红颜色、绿颜色和蓝颜色中的一种的光,并且布置成pentile矩阵。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190083434A KR102663897B1 (ko) | 2019-07-10 | 2019-07-10 | 표시 장치 |
KR10-2019-0083434 | 2019-07-10 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112216717A true CN112216717A (zh) | 2021-01-12 |
Family
ID=74058815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010577636.8A Pending CN112216717A (zh) | 2019-07-10 | 2020-06-23 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11800770B2 (zh) |
KR (1) | KR102663897B1 (zh) |
CN (1) | CN112216717A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115715128A (zh) * | 2022-11-09 | 2023-02-24 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI798845B (zh) * | 2021-09-28 | 2023-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光面板 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101958434B1 (ko) | 2011-09-05 | 2019-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102063973B1 (ko) * | 2012-09-12 | 2020-01-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
DE102014103675B4 (de) * | 2014-03-18 | 2023-10-26 | Pictiva Displays International Limited | Organisches lichtemittierendes Bauelement |
KR101919554B1 (ko) | 2016-04-28 | 2018-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20180115387A (ko) | 2017-04-12 | 2018-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN107236927B (zh) | 2017-06-16 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板模组、有机电致发光显示面板及其制作方法 |
KR102429944B1 (ko) * | 2017-09-27 | 2022-08-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광장치 |
US11066742B2 (en) * | 2017-09-28 | 2021-07-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Vapor deposition mask |
KR102037727B1 (ko) | 2018-11-12 | 2019-10-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110034241B (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法、电子设备 |
-
2019
- 2019-07-10 KR KR1020190083434A patent/KR102663897B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-03-12 US US16/816,257 patent/US11800770B2/en active Active
- 2020-06-23 CN CN202010577636.8A patent/CN112216717A/zh active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115715128A (zh) * | 2022-11-09 | 2023-02-24 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN115715128B (zh) * | 2022-11-09 | 2024-04-12 | 惠科股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102663897B1 (ko) | 2024-05-08 |
KR20210008203A (ko) | 2021-01-21 |
US11800770B2 (en) | 2023-10-24 |
US20210013275A1 (en) | 2021-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11469276B2 (en) | OLED display apparatus including first and second pluralities of opposite electrodes having different shapes corresponding to a display area and sensor area | |
US11877494B2 (en) | Display apparatus having a number of the plurality of grooves overlapping a light emitting region | |
US12016230B2 (en) | Display apparatus | |
US20200411605A1 (en) | Display device and method of manufacturing display device | |
US11871601B2 (en) | Display apparatus | |
US11678535B2 (en) | Display panel having a plurality of connection lines in third area being electrically connected to plurality of pixels of first area | |
US20210183983A1 (en) | Display device | |
CN111952336A (zh) | 有机发光显示设备 | |
US11690247B2 (en) | Display panel and display apparatus including compensation layer | |
US20210265396A1 (en) | Mask assembly, and apparatus and method of manufacturing display apparatus | |
CN113066823A (zh) | 显示装置 | |
CN114078926A (zh) | 显示面板及包括其的显示设备 | |
US11871608B2 (en) | Display device | |
CN112216717A (zh) | 显示装置 | |
US20220069045A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
US20230165050A1 (en) | Display device | |
US11930658B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
US20230225154A1 (en) | Display apparatus | |
CN218004860U (zh) | 显示面板 | |
US20240147816A1 (en) | Display device and method of manufacturing same | |
US20240237462A1 (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |