CN112210374B - 一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池 - Google Patents

一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池 Download PDF

Info

Publication number
CN112210374B
CN112210374B CN202011108063.0A CN202011108063A CN112210374B CN 112210374 B CN112210374 B CN 112210374B CN 202011108063 A CN202011108063 A CN 202011108063A CN 112210374 B CN112210374 B CN 112210374B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sns
zns
perovskite
quantum dot
alloy quantum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011108063.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112210374A (zh
Inventor
毛艳丽
张振龙
马梦恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henan University
Original Assignee
Henan University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henan University filed Critical Henan University
Priority to CN202011108063.0A priority Critical patent/CN112210374B/zh
Publication of CN112210374A publication Critical patent/CN112210374A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112210374B publication Critical patent/CN112210374B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/661—Chalcogenides
    • C09K11/662—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的制备方法，其将CuCl、SnCl2和ZnCl2均匀分散于十二烷基硫醇和油胺的混合溶剂中，氮气氛围下，加热至160‑180℃，然后加入过量二硫化碳的二正丁胺溶液，反应2‑5min，冷却至60℃以下，离心即得。本发明将Cu2SnS3与ZnS结合形成(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点，并将其作为空穴传输层材料应用于钙钛矿太阳能电池，能显著提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性，极具推广应用价值。

Description

一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池
技术领域
本发明属于量子点制备技术领域，具体涉及一种铜锡硫与ZnS合金量子点（即Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点）、制备方法以及用其作为空穴传输材料制备得到的钙钛矿电池。
背景技术
近年来，有机-无机卤化钙钛矿太阳能电池由于其合适的带隙、较大的吸收系数、较长的载流子寿命和易于制备等特点，受到研究者的极大关注。在过去的十年中，钙钛矿电池的光电转换效率已从3.8%上升到25.2%，已经能够与商业化的硅基电池相媲美。然而，钙钛矿电池的制备成本和稳定性仍是制约其进一步发展和应用的瓶颈。作为钙钛矿电池的重要组成部分，空穴传输层在提高电池转换效率和稳定性方面起着重要的作用。目前高效的钙钛矿电池大部分采用有机空穴传输材料，如：Spiro-OMeTAD，PTAA等，这些有机空穴传输材料必须加入锂盐等添加剂以提高其导电性，但它会使钙钛矿分解，导致电池的稳定性变差。另外，有机材料的合成过程复杂，纯度要求高，价格昂贵，导致电池的成本较高。解决这个问题的一个途径就是采用无机空穴材料代替有机空穴材料，提高钙钛矿电池的稳定性，降低电池的成本。然而，目前这个技术难题仍没有被很好的解决。
发明内容
本发明目的在于克服现有技术缺陷，提供了一种铜锡硫与ZnS合金量子点（即Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点）的制备方法，将本方法制备所得的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点作为空穴传输材料应用于钙钛矿电池，获得了较高的光电转换效率，提高了电池的稳定性，降低了电池成本。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的制备方法，其将CuCl、SnCl2和ZnCl2均匀分散于十二烷基硫醇（DDT）和油胺（OAm）的混合溶剂中，氮气氛围下，加热至160-180℃，然后加入过量二硫化碳的二正丁胺溶液（CS2/二正丁胺混合溶液），反应2-5min，冷却至60℃以下，离心即得。
具体的，CuCl、SnCl2和ZnCl2的摩尔比优选为1-3：0.5-1.5：0.2-0.6。
进一步的，冷却至60℃以下获得(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点溶液，加入无水乙醇进行离心，沉淀加入甲苯进行分散获得分散溶液，向分散溶液中加入甲醇获得混合液，混合液再次离心得到纯净的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点。
本发明提供了采用上述制备方法制备得到的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点。
本发明还提供了一种利用上述(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点作为空穴传输材料制备得到的钙钛矿电池，该钙钛矿电池包括自下而上依次设置的ITO导电玻璃、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属电极层；
所述空穴传输层经下述步骤制备获得：将(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点分散在四氯乙烯中获得浓度160-220 mg/ml的分散液，将分散液旋涂在钙钛矿吸收层上，烘干，即得。
进一步的，ITO导电玻璃预先经下述清洗处理：将ITO导电玻璃依次放在丙酮、异丙醇和乙醇中，在超声清洗器中各清洗20分钟，氮气吹干，紫外灯照射15分钟。
具体的，电子传输层经下述步骤制备获得：将质量浓度3~8%的SnO2分散液滴在ITO导电玻璃上，以4000 转/分钟的转速旋涂，烘干（150℃加热板上加热30分钟），获得电子传输层。
具体的，钙钛矿吸收层采用两步法制备获得，具体如下：
1）将PbI2溶解在DMF（二甲基甲酰胺）和DMSO（二甲亚砜）的混合溶液中，配制成浓度为1.3M的PbI2溶液；将PbI2溶液滴在电子传输层上，以1500转/分钟的速度旋涂，烘干，获得PbI2薄膜；
2）将60mg碘甲脒（FAI）、6mg溴甲胺（MABr）和6mg氯甲胺（MACl）均匀溶解在1ml异丙醇中，然后滴在PbI2薄膜上，以1300转/分钟的速度旋涂，烘干，获得钙钛矿吸收层。
本发明中，首先制备了合金量子点(Cu2SnS3)1-x(ZnS)x，并将它们作为空穴传输材料制备钙钛矿电池，同时测试了电池的光电性能，优化了ZnS的加入量（x）。图6是电池转换效率（PCE）与加入的ZnS量（x）的变化关系图。从图6中可以看出：当x=0.3时，电池的转换效率最高，也就是说x=0.3是ZnS最优的加入量。作为空穴传输材料，(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3是最优的。
Cu2SnS3 量子点是一种p型半导体，具有合适的能带带隙、较高的空穴迁移率和较大的载流子浓度，因此它具有作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池的潜力。本发明中，将Cu2SnS3与ZnS结合形成合金量子点(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3，能显著提高钙钛矿太阳能电池的性能，稳定好且便宜。
和现有技术相比，本发明具有以下优点：
1）本发明首次制备获得了 (Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点并将其作为空穴传输层材料，应用于钙钛矿太阳能电池；
2）与Cu2SnS3量子点相比，本发明(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的应用显著提高了钙钛矿电池的光电转换效率和稳定性，极具推广应用价值。
附图说明
图1 是(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点的X射线衍射图（XRD）；
图2是Cu2SnS3量子点（A）和(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点（B）的透射电镜TEM图片；
图3是本发明钙钛矿太阳电池的结构示意图；
图4是基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点作为空穴传输材料制备所得最高效率钙钛矿电池的I-V曲线图；
图5是基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3 合金量子点和Cu2SnS3量子点作为空穴传输材料制备所得钙钛矿电池的稳定性测试图；
图6为钙钛矿太阳能电池的转换效率（PCE）与ZnS的加入量（x）的变化关系图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明的技术方案作进一步地详细介绍，但本发明的保护范围并不局限于此。
实施例1
一种(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的制备方法，具体包括以下步骤：
1）将CuCl (1 mmol)、SnCl2 (0.5 mmol)和ZnCl2 (0.214 mmol)放入一个25 mL的三颈烧瓶中。向烧瓶内添加1 mL的十二烷基硫醇（DDT）10 ml的油胺（OAm）；
2）排出烧瓶内的空气，充入氮气。在氮气氛围下，将溶液加热至170℃，将1 ml二硫化碳的二正丁胺溶液（将0.2 ml CS2溶解于1 ml二正丁胺中获得）注入到三颈烧瓶内，反应3分钟，冷却至60℃，获得(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点溶液；
3）采用30 ml无水乙醇对(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点溶液进行离心，然后在沉淀中加入2 ml的甲苯将其分散，再向分散的溶液里加入6 ml的甲醇得到混合溶液。将混合溶液再次离心，得到纯净的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点。
作为对比，本发明制备了Cu2SnS3量子点，除了步骤1）中加入的原料不含ZnCl2外，其它的制备过程与上述制备方法相同。
本发明对上述制备所得的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点进行了表征。
图1是(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点的XRD图。与文献相比较，图中的衍射峰表明制备的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3和Cu2SnS3属于闪锌矿型结构。与Cu2SnS3相比，(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3的衍射峰产生了一定的偏移，说明ZnS的加入改变了Cu2SnS3的特性。
图2是(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点的透射电镜（TEM）照片。图片显示，Cu2SnS3量子点的形状不规则，粒径尺寸分布在2-12 nm（见图2中A）。而(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点形状比较规则，粒径尺寸分布比较均匀，平均直径为5 nm（见图2中B）。
实施例2
一种以(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点为空穴传输材料制备的钙钛矿电池，该钙钛矿电池的结构如图3所示，主要包括自下而上依次设置的ITO导电玻璃、电子传输层、钙钛矿吸收层、空穴传输层和金属Au电极层。具体制备方法如下：
1）清洗ITO导电玻璃。将ITO导电玻璃依次放在丙酮、异丙醇和乙醇中，在超声清洗器中各清洗20分钟。用氮气吹干后，用紫外灯照射15分钟；
2）制备电子传输层。将质量浓度3~8%的SnO2分散液（将市售的15%二氧化锡水胶体分散液用去离子水稀释获得，购买自Alfa Aesar）滴在ITO导电玻璃上，以4000 转/分钟的转速旋涂 30s，然后烘干（150℃加热板上加热30分钟），获得电子传输层；
3）制备钙钛矿吸收层。采用两步法制备。首先，将PbI2溶解在DMF/DMSO混合溶液（DMF:DMSO=9.5:0.5，v/v）中，配制成浓度为1.3M的PbI2溶液。将PbI2溶液滴在电子传输层上，以1500转/分钟的速度旋涂 30s，烘干（在70℃加热板上加热1 min），获得PbI2薄膜。 将60mg碘甲脒（FAI）、6mg溴甲胺（MABr）和6mg氯甲胺（MACl）搅拌溶解在1ml异丙醇中，然后滴在PbI2薄膜上，以1300转/分钟的速度旋涂 30s，烘干（在150℃加热板上加热15 min），获得钙钛矿吸收层；
4）制备空穴传输层。将上述实施例1制备的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点均匀分散在四氯乙烯中，配制成浓度为190 mg/ml的分散液。将含(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3的分散液滴在钙钛矿吸收层上，以2000转/分钟的速度旋涂30s，烘干（在80℃加热板上加热5 min），获得空穴传输层；
5）制备金属电极。在空穴传输层的上表面真空蒸镀Au电极（厚度约为80 nm），即得。
作为用以对照的参比电池，本发明制备了以Cu2SnS3量子点为空穴传输材料制备的钙钛矿电池，其空穴传输层的制备参照上述步骤4），不同之处在于空穴传输材料为含Cu2SnS3的四氯乙烯分散液，其它步骤参照实施例2。
钙钛矿电池的光电性能测试：采用本领域常规太阳能电池测试系统测试电池的光电性能。
表1是基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点作为空穴传输材料制备所得钙钛矿电池的光伏特性参数（源于20个电池的平均值）。
表1基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3和Cu2SnS3所制备的钙钛矿电池的光伏特性参数
Figure DEST_PATH_IMAGE001
由表1可以看出：与以Cu2SnS3量子点作为空穴传输材料制备所得钙钛矿电池相比，基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的钙钛矿电池的短路电流 (Jsc)、开路电压 (Voc)，填充因子 (FF) 和光电转换效率 (PCE) 都得到了提高。基于Cu2SnS3量子点的钙钛矿电池的平均转换效率为15.61%，而基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的钙钛矿电池的转换效率提高到了16.57%。
图4是基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点作为空穴传输材料制备所得最高效率钙钛矿电池的I-V曲线图。图4的结果显示：基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3和Cu2SnS3的钙钛矿电池的最高转换效率分别为17.44%和16.40%。与基于Cu2SnS3的钙钛矿电池相比，本发明基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3的电池性能得到明显提高。
钙钛矿电池稳定性测试。图5是基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点和Cu2SnS3量子点作为空穴传输材料制备所得钙钛矿电池的稳定性测试结果。图5的结果显示：基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3的钙钛矿电池放置9天后，其光电转换效率仍为初始值的94%；而基于Cu2SnS3的钙钛矿电池放置9天后，其光电转换效率降仅为初始值的73%。说明本发明基于(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3的钙钛矿电池稳定性得到显著提高。
综上，本发明将Cu2SnS3与ZnS结合形成 (Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点，并将其作为空穴传输层材料应用于钙钛矿太阳能电池，能显著提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率和稳定性，极具推广应用价值。

Claims (3)

1.一种(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的制备方法，其特征在于，将CuCl、SnCl2和ZnCl2均匀分散于十二烷基硫醇和油胺的混合溶剂中，氮气氛围下，加热至160-180℃，然后加入过量二硫化碳的二正丁胺溶液，反应2-5min，冷却至60℃以下，离心即得。
2.如权利要求1所述(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的制备方法，其特征在于，CuCl、SnCl2和ZnCl2的摩尔比为1-3：0.5-1.5：0.2-0.6。
3.如权利要求1所述(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点的制备方法，其特征在于，冷却至60℃以下获得(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点溶液，加入无水乙醇进行离心，沉淀加入甲苯进行分散获得分散溶液，向分散溶液中加入甲醇获得混合液，混合液再次离心得到纯净的(Cu2SnS3)0.7(ZnS)0.3合金量子点。
CN202011108063.0A 2020-10-16 2020-10-16 一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池 Active CN112210374B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011108063.0A CN112210374B (zh) 2020-10-16 2020-10-16 一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011108063.0A CN112210374B (zh) 2020-10-16 2020-10-16 一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112210374A CN112210374A (zh) 2021-01-12
CN112210374B true CN112210374B (zh) 2021-04-20

Family

ID=74055462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011108063.0A Active CN112210374B (zh) 2020-10-16 2020-10-16 一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112210374B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2786239C1 (ru) * 2021-12-27 2022-12-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Способ гидрофилизации квантовых точек

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116568110B (zh) * 2023-05-10 2024-01-26 天津大学 一种空穴传输层材料、制备方法及其应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102906014A (zh) * 2010-05-21 2013-01-30 纳幕尔杜邦公司 非典型锌黄锡矿组合物
CN110335757A (zh) * 2019-04-22 2019-10-15 华南师范大学 一种铜锡硫Cu2SnS3/碳量子点复合材料及其制备方法和在超级电容器中的应用
CN110408391A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 中天科技光纤有限公司 量子点、量子点/uv胶溶液及量子点掺杂光纤的制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102906014A (zh) * 2010-05-21 2013-01-30 纳幕尔杜邦公司 非典型锌黄锡矿组合物
CN110408391A (zh) * 2018-04-27 2019-11-05 中天科技光纤有限公司 量子点、量子点/uv胶溶液及量子点掺杂光纤的制备方法
CN110335757A (zh) * 2019-04-22 2019-10-15 华南师范大学 一种铜锡硫Cu2SnS3/碳量子点复合材料及其制备方法和在超级电容器中的应用

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Alloyed (ZnS)(x)(Cu2SnS3)(1-x) and (CuInS2)(x)(Cu2SnS3)(1-x) nanocrystals with arbitrary composition and broad tunable band gaps;Liu, Qinghui; Zhao, Zechen; Lin, Yuhan; 等.;《CHEMICAL COMMUNICATIONS》;20101115;第47卷(第3期);964-966 *
An inorganic hole-transport material of CuInSe2 for stable and efficient perovskite solar cells;Yan Zhang等;《Organic Electronics》;20190122;第67卷;168-174 *
Cu2ZnSnS4 alloys synthesized from Cu2SnS3@ZnS nanoparticles via a facile hydrothermal approach;Li, Wen; Han, Xiuxun; Zhao, Yun; 等.;《MATERIALS LETTERS 》;20140615;第125卷;167-170 *
基于新型无机空穴材料（Cu2SnS3）x（ZnS）1-x的钙钛矿太阳电池研究;马梦恩，等;《第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》;20200528 *
马梦恩，等.基于新型无机空穴材料（Cu2SnS3）x（ZnS）1-x的钙钛矿太阳电池研究.《第七届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》.2020, *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2786239C1 (ru) * 2021-12-27 2022-12-19 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского" Способ гидрофилизации квантовых точек

Also Published As

Publication number Publication date
CN112210374A (zh) 2021-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Tai et al. Ultrathin Zn2SnO4 (ZTO) passivated ZnO nanocone arrays for efficient and stable perovskite solar cells
CN110311039B (zh) 一种Nb-二氧化锡纳米前驱体、利用其作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN110649160B (zh) 无机电荷传输层及其制备方法与钙钛矿太阳能电池应用
Guo et al. A strategy toward air-stable and high-performance ZnO-based perovskite solar cells fabricated under ambient conditions
CN111668377B (zh) 一种以Mo-二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113130762B (zh) 太阳能电池的吸光层材料、三元阳离子钙钛矿太阳能电池及其制备方法
US9634273B2 (en) Method for producing fully aqueous phase-synthesized nanocrystals/conducting polymer hybrid solar cell
Zheng et al. Mesostructured perovskite solar cells based on Zn2SnO4 Single Crystal Mesoporous Layer with efficiency of 18.32%
CN111525033B (zh) 一种反向介孔钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法
CN112210374B (zh) 一种铜锡硫与ZnS合金量子点及用其制备的钙钛矿电池
CN112186107A (zh) 一种空穴传输层的锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN115117247A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
Zhang et al. Short-chain ligands capped CuInSe2 quantum dots as hole transport material for inverted perovskite solar cells
CN109671848B (zh) CuPbSbS3新型薄膜太阳能电池及其制备方法
Ma et al. Ti doped Sb2S3 thin film for improved performance of inorganic-organic hybrid solar cells
CN107732014B (zh) 一种基于三元无机体型异质结薄膜的太阳电池及其制备方法
CN111710781B (zh) 一种钙钛矿光伏电池及其制备方法
CN111668378B (zh) 一种以v-二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN108922971A (zh) 一种快速提升基于有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池性能的工艺
CN101497784A (zh) MDMO-PPV包裹PbS量子点和纳米棒材料及电池的制备方法
CN110911509B (zh) 一种硫化铜量子点/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法
CN110311043B (zh) 一种Sb-二氧化锡纳米前驱体、利用其作为电子传输层制备钙钛矿太阳能电池的方法
CN110350053A (zh) CuO纳米颗粒修饰ZnO纳米线阵列的光电材料、制备及应用
CN113421969B (zh) 一种hf改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN113421970B (zh) 一种HCl改性二氧化锡作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant