CN112187179B - 一种宽频率范围的单子带压控振荡器 - Google Patents

一种宽频率范围的单子带压控振荡器 Download PDF

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    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
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Abstract

本发明公开了一种宽频率范围的单子带压控振荡器，包括5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO、4GHz定频压控振荡器VCO、混频器Mixer和输出缓冲器Buffer；所述5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的差分输出端与所述混频器Mixer的一对差分输入端相连接，所述4GHz定频压控振荡器VCO的差分输出端与所述混频器Mixer的另一对差分输入端相连接，所述混频器Mixer的差分输出端与所述输出缓冲器Buffer的差分输入端相连接，输出信号最终从输出缓冲器Buffer的差分输出端输出。该发明的技术效果为可实现几MHz～2GHz的连续宽带信号。

Description

一种宽频率范围的单子带压控振荡器
技术领域
本发明涉及射频集成电路领域，特别涉及一种宽频率范围的单子带压控振荡器。
背景技术
锁相环频率综合器为无线通信系统提供载波信号，是无线通信系统的重要组成部分之一。而压控振荡器(VCO)作为锁相环型频率综合器中的最核心模块，其频率范围直接决定了锁相环频率综合器的频率带宽。
常见的宽频率范围的VCO多采用SiGe、GaAs、GaN、CMOS等工艺进行设计，相对于前三者，硅基CMOS工艺具有集成度高、面积小、价格低廉、功耗小等优点，使得基于CMOS工艺的VCO在电子通讯的众多领域得到了广泛应用。由于CMOS工艺的变容二极管有限的电容电压变化范围，使得传统CMOS工艺的VCO通常采用多个频率子带的方式来实现更宽的频率范围，但此方式往往需要数字频率校准技术来配合选择所需要的VCO子带，从而极大地增加了整个锁相环的锁定时间。在有些系统应用中对跳频切换时间有着严格的要求，这将导致多个频率子带的VCO很难得到应用。相对于多个频率子带的VCO，单子带VCO将不存在数字频率校准技术所花费的时间，极大地减小了整个锁相环的锁定时间，但相应地频率范围也极大地减小。
随着跳频通信以及其他各种无线通信协议的出现，系统对于跳频切换时间、频率范围的要求越来越严格。因此，通过单子带VCO减小整个锁相环锁定时间同时，实现更宽的频率范围成为急需解决的技术难题。
发明内容
本发明提供一种宽频率范围的单子带压控振荡器，可以解决上述背景技术中提出的问题。
本发明提供了一种宽频率范围的单子带压控振荡器，包括5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO、4GHz定频压控振荡器VCO、混频器Mixer和输出缓冲器Buffer；
所述5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的差分输出端与所述混频器Mixer的一对差分输入端相连接，所述4GHz定频压控振荡器VCO的差分输出端与所述混频器Mixer的另一对差分输入端相连接，所述混频器Mixer的差分输出端与所述输出缓冲器Buffer的差分输入端相连接，输出信号最终从输出缓冲器Buffer的差分输出端输出。
较佳地，所述5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO采用互补型交叉耦合结构，包括9个晶体管、1个电感、6个电阻、6个电容和4个变容二极管；其中的9个晶体管分别为第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8和第九晶体管M9；其中的1个电感为第一电感L1；其中的6个电阻分别为第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6；其中的6个电容分别为第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6；其中的4个变容二极管分别为第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4。
较佳地，所述第一电感L1、第七电容C7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的谐振网络；所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4采用并联结构；所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4作为负阻，补偿谐振网络的阻抗损耗；所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4作为偏置电阻；所述第五晶体管M5作为尾电流管，所述第五电容C5、第五电阻R5、第六晶体管M6、第七晶体管M7共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的差分第一路缓冲电路，所述第六电容C6、第六电阻R6、第八晶体管M8、第九晶体管M9共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的差分第二路缓冲电路。
较佳地，所述4GHz定频压控振荡器VCO采用互补型交叉耦合结构，包括5个晶体管、1个电感和1个电容；其中的5个晶体管分别为第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13和第十四晶体管M14；其中的1个电感为第二电感L2；其中的1个电容为第八电容C8。
较佳地，所述第二电感L2、第八电容C8共同构成4GHz定频压控振荡器VCO的谐振网络；所述第二电感L2的一端作为4GHz定频压控振荡器VCO的射频输出端口RF_OP，所述第二电感L2的另一端作为4GHz定频压控振荡器VCO的射频输出端口RF_ON；所述第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13作为负阻，所述第十四晶体管M14作为尾电流管。
较佳地，所述混频器Mixer采用吉尔伯特双平衡混频器结构，包括7个晶体管，4个电阻，2个电容，1个电感；其中的7个晶体管分别为第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18、第十九晶体管M19、第二十晶体管M20和第二十一晶体管M21；其中的4个电阻分别为第七电阻R7、第八电阻R8第九电阻R9和第十电阻R10；其中的2个电容分别为第九电容C9和第十电容C10；其中的1个电感为第三电感L3。
较佳地，所述第十九晶体管M19和第三电感L3共同构成跨导级放大电路；所述第三电感L3作为源级负反馈电感，所述第二十晶体管M20和第三电感L3共同构成跨导级放大电路；所述第九电阻R9和第九电容C9构成射频输入信号RF_OP的偏置电路，所述第十电阻R10和第十电容C10构成射频输入信号RF_ON的偏置电路，所述第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18作为混频器Mixer的开关级电路，所述第七电阻R7和第八电阻R8作为混频器Mixer的负载电路，所述第二十一晶体管M21作为尾电流管，所述第九电容C9的一端作为射频输入端口与4GHz定频压控振荡器VCO的输出端口RF_OP相连；所述第十电容C10的一端作为射频输入另一端口与4GHz定频压控振荡器VCO的输出端口RF_ON相连；所述第十五晶体管M15的栅端与第十八晶体管M18的栅端，共同作为本振输入端口与5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的输出端口LO_OP相连，所述第十六晶体管M16的栅端与第十七晶体管M17的栅端，共同作为本振输入另一端口与5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的输出端口LO_ON相连，所述第十五晶体管M15的漏端作为中频输出端口IF_OP，所述第十八晶体管M18的漏端作为中频输出另一端口IF_ON。
较佳地，所述输出缓冲器Buffer包括3个晶体管，2个电阻，其中的3个晶体管分别为第二十二晶体管M22、第二十三晶体管M23和第二十四晶体管M24，其中的2个电阻分别为第十一电阻R11和第十二电阻R12。
较佳地，所述第二十二晶体管M22和第二十三晶体管M23作为放大管，所述第十一电阻R11和第十二电阻R12作为负载电阻，所述第十一电阻R11的一端作为输出缓冲器Buffer的输出端口OUTN，所述第十二电阻R12的一端作为输出缓冲器Buffer的输出端口OUTP；所述第二十四晶体管M24作为尾电流管。
较佳地，所述输出缓冲器Buffer采用差分共源级放大电路。
本发明的有益效果为：通过将5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的5GHz～6GHz相对窄带信号和4GHz定频压控振荡器VCO的定频4GHz输出信号相互混频，从而输出差频相对宽带信号1GHz～2GHz，其差频宽带信号最终通过输出缓冲器Buffer输出。可以看出压控振荡器的输入信号和输出信号的相对带宽从5GHz～6GHz的18.2％变化到1GHz～2GHz的66.7％，得到了极大地提升。此外，输出最低频率和最高频率为2倍频关系，因此可以通过2分频器向下连续分频，最终可实现几MHz～2GHz的连续宽带信号。
附图说明
图1为本发明所述的宽频率范围的单子带压控振荡器整体结构框图；
图2为本发明的5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO的电路的结构示意图；
图3为本发明的4GHz定频压控振荡器VCO的电路的结构示意图；
图4为本发明的混频器Mixer的电路的结构示意图；
图5为本发明的输出缓冲器Buffer的电路的结构示意图。
附图标记说明：1-5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO；2-4GHz定频压控振荡器VCO；3-混频器Mixer；4-输出缓冲器Buffer。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的一个具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
本发明实施例提供的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，包括5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1、4GHz定频压控振荡器VCO2、混频器Mixer3和输出缓冲器Buffer4；
所述5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1的差分输出端与所述混频器Mixer3的一对差分输入端相连接，所述4GHz定频压控振荡器VCO2的差分输出端与所述混频器Mixer3的另一对差分输入端相连接，所述混频器Mixer3的差分输出端与所述输出缓冲器Buffer4的差分输入端相连接，输出信号最终从输出缓冲器Buffer4的差分输出端输出。图1中，通过将压控振荡器VCO1的5GHz～6GHz相对窄带信号和压控振荡器VCO2的定频4GHz输出信号相互混频，从而输出差频相对宽带信号1GHz～2GHz，其差频宽带信号最终通过输出缓冲器Buffer4输出。可以看出压控振荡器的输入信号和输出信号的相对带宽从5GHz～6GHz的18.2％变化到1GHz～2GHz的66.7％，得到了极大地提升。
本实施例中，所述5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1采用互补型交叉耦合结构，能够实现波形上升和下降时间的对称性，有效降低相位噪声。其中包括9个晶体管、1个电感、6个电阻、6个电容和4个变容二极管；其中的9个晶体管分别为第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8和第九晶体管M9；其中的1个电感为第一电感L1；其中的6个电阻分别为第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6；其中的6个电容分别为第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6；其中的4个变容二极管分别为第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4。
本实施例中，所述第一电感L1、第七电容C7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1的谐振网络；决定着VCO1的频率调谐范围。所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4采用并联结构；目的在于拓宽VCO1的频率调谐范围。所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4作为负阻，补偿谐振网络的阻抗损耗；以满足VCO1的起振条件。所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4作为偏置电阻；所述第五晶体管M5作为尾电流管，提供核心电路的偏置电流。所述第五电容C5、第五电阻R5、第六晶体管M6、第七晶体管M7共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1的差分第一路缓冲电路，驱动输出信号作为下一级混频器电路的理想开关。同样地，所述第六电容C6、第六电阻R6、第八晶体管M8、第九晶体管M9共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1的差分第二路缓冲电路，驱动输出信号作为下一级混频器电路的理想开关。
本实施例中，所述4GHz定频压控振荡器VCO2采用互补型交叉耦合结构，能够有效降低相位噪声。其中包括5个晶体管、1个电感和1个电容；其中的5个晶体管分别为第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13和第十四晶体管M14；其中的1个电感为第二电感L2；其中的1个电容为第八电容C8。
本实施例中，所述第二电感L2、第八电容C8共同构成4GHz定频压控振荡器VCO2的谐振网络；决定着VCO2的振荡频率。所述第二电感L2的一端作为4GHz定频压控振荡器VCO2的射频输出端口RF_OP，所述第二电感L2的另一端作为4GHz定频压控振荡器VCO2的射频输出端口RF_ON；所述第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13作为负阻，补偿谐振网络的阻抗损耗，以满足VCO2的起振条件。所述第十四晶体管M14作为尾电流管，提供核心电路的偏置电流。
本实施例中，所述混频器Mixer3采用吉尔伯特双平衡混频器结构，有利于抑制本振信号到中频输出端口的泄露。其中包括7个晶体管，4个电阻，2个电容，1个电感；其中的7个晶体管分别为第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18、第十九晶体管M19、第二十晶体管M20和第二十一晶体管M21；其中的4个电阻分别为第七电阻R7、第八电阻R8第九电阻R9和第十电阻R10；其中的2个电容分别为第九电容C9和第十电容C10；其中的1个电感为第三电感L3。
本实施例中，所述第十九晶体管M19和第三电感L3共同构成跨导级放大电路；对输入射频信号RF_OP进行放大，同时把射频电压信号转换为射频电流信号，其中所述第三电感L3作为源级负反馈电感，提高跨导级的线性度。同样地，所述第二十晶体管M20和第三电感L3共同构成跨导级放大电路；对输入射频信号RF_ON进行放大。所述第九电阻R9和第九电容C9构成射频输入信号RF_OP的偏置电路，同时对4GHz定频压控振荡器VCO2的输出信号RF_OP进行衰减，满足混频器Mixer3的输入三阶互调截点IIP3，抑制三阶互调信号的干扰。同样地，所述第十电阻R10和第十电容C10构成射频输入信号RF_ON的偏置电路，同时对4GHz定频压控振荡器VCO2的输出信号RF_ON进行衰减。所述第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18作为混频器Mixer3的开关级电路，对来自跨导级电路的射频电流信号进行开关调制，实现混频的功能。所述第七电阻R7和第八电阻R8作为混频器Mixer3的负载电路，实现把开关级传递的中频电流信号转换为中频电压信号。所述第二十一晶体管M21作为尾电流管，提供核心电路的偏置电流。图4中，所述第九电容C9的一端作为射频输入端口与4GHz定频压控振荡器VCO2的输出端口RF_OP相连；所述第十电容C10的一端作为射频输入另一端口与4GHz定频压控振荡器VCO2的输出端口RF_ON相连；所述第十五晶体管M15的栅端与第十八晶体管M18的栅端，共同作为本振输入端口与5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1的输出端口LO_OP相连，所述第十六晶体管M16的栅端与第十七晶体管M17的栅端，共同作为本振输入另一端口与5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1的输出端口LO_ON相连，所述第十五晶体管M15的漏端作为中频输出端口IF_OP，所述第十八晶体管M18的漏端作为中频输出另一端口IF_ON。
本实施例中，所述输出缓冲器Buffer4包括3个晶体管，2个电阻。
本实施例中，所述第二十二晶体管M22和第二十三晶体管M23作为放大管，对输入中频信号IF_OP和IF_ON进行驱动放大。所述第十一电阻R11和第十二电阻R12作为负载电阻，所述第十一电阻R11的一端作为输出缓冲器Buffer4的输出端口OUTN，所述第十二电阻R12的一端作为输出缓冲器Buffer4的输出端口OUTP；所述第二十四晶体管M24作为尾电流管，提供核心电路的偏置电流。
本实施例中，所述输出缓冲器Buffer4采用差分共源级放大电路，驱动下一级电路以及实现隔离作用。此外，通过合理的带宽设计，有利于抑制带外的谐波成分。
技术效果：通过将5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO1的5GHz～6GHz相对窄带信号和4GHz定频压控振荡器VCO2的定频4GHz输出信号相互混频，从而输出差频相对宽带信号1GHz～2GHz，其差频宽带信号最终通过输出缓冲器Buffer4输出。可以看出压控振荡器的输入信号和输出信号的相对带宽从5GHz～6GHz的18.2％变化到1GHz～2GHz的66.7％，得到了极大地提升。此外，输出最低频率和最高频率为2倍频关系，因此可以通过2分频器向下连续分频，最终可实现几MHz～2GHz的连续宽带信号。
以上公开的仅为本发明的具体实施例，但是，本发明实施例并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于：包括5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)、4GHz定频压控振荡器VCO(2)、混频器Mixer(3)和输出缓冲器Buffer(4)；
所述5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的差分输出端与所述混频器Mixer(3)的一对差分输入端相连接，所述4GHz定频压控振荡器VCO(2)的差分输出端与所述混频器Mixer(3)的另一对差分输入端相连接，所述混频器Mixer(3)的差分输出端与所述输出缓冲器Buffer(4)的差分输入端相连接，输出信号最终从输出缓冲器Buffer(4)的差分输出端输出；
其中，所述5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)采用互补型交叉耦合结构，包括9个晶体管、1个电感、6个电阻、6个电容和4个变容二极管；其中的9个晶体管分别为第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8和第九晶体管M9；其中的1个电感为第一电感L1；其中的6个电阻分别为第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6；其中的6个电容分别为第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6；其中的4个变容二极管分别为第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4；
所述第一电感L1、第七电容C7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的谐振网络；所述第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一变容二极管Cv1、第二变容二极管Cv2、第三变容二极管Cv3、第四变容二极管Cv4采用并联结构；所述第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4作为负阻，补偿谐振网络的阻抗损耗；所述第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4作为偏置电阻；所述第五晶体管M5作为尾电流管，所述第五电容C5、第五电阻R5、第六晶体管M6、第七晶体管M7共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的差分第一路缓冲电路，所述第六电容C6、第六电阻R6、第八晶体管M8、第九晶体管M9共同构成5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的差分第二路缓冲电路。
2.如权利要求1所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于，所述4GHz定频压控振荡器VCO(2)采用互补型交叉耦合结构，包括5个晶体管、1个电感和1个电容；其中的5个晶体管分别为第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13和第十四晶体管M14；其中的1个电感为第二电感L2；其中的1个电容为第八电容C8。
3.如权利要求2所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于，所述第二电感L2、第八电容C8共同构成4GHz定频压控振荡器VCO(2)的谐振网络；所述第二电感L2的一端作为4GHz定频压控振荡器VCO(2)的射频输出端口RF_OP，所述第二电感L2的另一端作为4GHz定频压控振荡器VCO(2)的射频输出端口RF_ON；所述第十晶体管M10、第十一晶体管M11、第十二晶体管M12、第十三晶体管M13作为负阻，所述第十四晶体管M14作为尾电流管。
4.如权利要求1所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于，所述混频器Mixer(3)采用吉尔伯特双平衡混频器结构，包括7个晶体管，4个电阻，2个电容，1个电感；其中的7个晶体管分别为第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18、第十九晶体管M19、第二十晶体管M20和第二十一晶体管M21；其中的4个电阻分别为第七电阻R7、第八电阻R8第九电阻R9和第十电阻R10；其中的2个电容分别为第九电容C9和第十电容C10；其中的1个电感为第三电感L3。
5.如权利要求4所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于，所述第十九晶体管M19和第三电感L3共同构成跨导级放大电路；所述第三电感L3作为源级负反馈电感，所述第二十晶体管M20和第三电感L3共同构成跨导级放大电路；所述第九电阻R9和第九电容C9构成射频输入信号RF_OP的偏置电路，所述第十电阻R10和第十电容C10构成射频输入信号RF_ON的偏置电路，所述第十五晶体管M15、第十六晶体管M16、第十七晶体管M17、第十八晶体管M18作为混频器Mixer(3)的开关级电路，所述第七电阻R7和第八电阻R8作为混频器Mixer(3)的负载电路，所述第二十一晶体管M21作为尾电流管，所述第九电容C9的一端作为射频输入端口与4GHz定频压控振荡器VCO(2)的输出端口RF_OP相连；所述第十电容C10的一端作为射频输入另一端口与4GHz定频压控振荡器VCO(2)的输出端口RF_ON相连；所述第十五晶体管M15的栅端与第十八晶体管M18的栅端，共同作为本振输入端口与5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的输出端口LO_OP相连，所述第十六晶体管M16的栅端与第十七晶体管M17的栅端，共同作为本振输入另一端口与5GHz～6GHz单子带压控振荡器VCO(1)的输出端口LO_ON相连，所述第十五晶体管M15的漏端作为中频输出端口IF_OP，所述第十八晶体管M18的漏端作为中频输出另一端口IF_ON。
6.如权利要求1所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于，所述输出缓冲器Buffer(4)包括3个晶体管，2个电阻，其中的3个晶体管分别为第二十二晶体管M22、第二十三晶体管M23和第二十四晶体管M24，其中的2个电阻分别为第十一电阻R11和第十二电阻R12。
7.如权利要求6所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于，所述第二十二晶体管M22和第二十三晶体管M23作为放大管，所述第十一电阻R11和第十二电阻R12作为负载电阻，所述第十一电阻R11的一端作为输出缓冲器Buffer(4)的输出端口OUTN，所述第十二电阻R12的一端作为输出缓冲器Buffer(4)的输出端口OUTP；所述第二十四晶体管M24作为尾电流管。
8.如权利要求1所述的一种宽频率范围的单子带压控振荡器，其特征在于，所述输出缓冲器Buffer(4)采用差分共源级放大电路。
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