CN112186046A - 一种太阳能电池及制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种太阳能电池及制备方法，涉及太阳能光伏技术领域。所述太阳能电池包括：晶体硅基底；发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；本申请使得太阳能电池的成本降低，提升了钝化效果，减少了载流子符合，提升了光电转换效率，且利于电流的汇集。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能光伏技术领域，特别是涉及一种太阳能电池及制备方法。
背景技术
太阳能电池能够减少对环境的影响，因此应用前景广泛。目前，太阳能电池中各条副栅线均采用能够穿透正面减反层的银浆，穿透正面减反层制成，以收集电流。
然而由于穿透正面减反层的银浆成本高，而且采用穿透正面减反层的银浆制作副栅线工艺复杂，使得穿透正面减反层的银浆耗用量大，导致太阳能电池的成本居高不下，同时，上述穿透正面减反层的银浆通常会腐蚀正面减反层，与晶体硅基底形成欧姆接触，不仅降低了正面减反层的钝化效果，且会导致载流子复合，导致电池的光电转换效率降低。
发明内容
本发明提供一种太阳能电池及制备方法、一种太阳能电池及制备方法生产方法、一种太阳能电池及制备方法生产设备、一种计算机可读存储介质，旨在解决太阳能电池成本高且光电转换效率低的问题。
根据本发明的第一方面，提供了一种太阳能电池，包括：晶体硅基底；
发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；
正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；
背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。
可选的，与所述栅线点接触的主栅线为的实心主栅线，与所述栅线点未接触的主栅线为间断镂空的主栅线。
可选的，所述导通栅线包括：第一导通栅线和第二导通栅线；所述第一导通栅线设置于所述栅线点的表面；所述第二导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；
远离所述正面减反层的一侧，所述第一导通栅线和所述第二导通栅线的表面平齐。
可选的，所述导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；
远离所述正面减反层的一侧，所述栅线点和所述导通栅线的表面平齐。
可选的，所述栅线点的宽度大于等于20微米小于等于25微米。
根据本发明的第二方面，提供了一种太阳能电池制备方法，所述方法包括：
在晶体硅基底的正面形成发射极；
在所述发射极的正面，沉积形成正面减反层；
在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极；所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；
在所述晶体硅基底的背面沉积形成背面钝化层；
在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个开膜区域，露出所述晶体硅基底；
在露出的所述晶体硅基底上，形成背面金属电极。
可选的，所述在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极，包括：
在所述正面减反层的正面，采用穿透所述正面减反射层的银浆，形成若干个栅线点；
在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，得到细栅线；所述导通栅线未穿透所述正面减反层；
在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极。
可选的，所述在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极，包括：
在所述正面减反层的正面且与所述栅线点接触的区域形成实心主栅线；
在所述正面减反层的正面且与所述栅线点未接触的区域形成间断镂空的主栅线。
可选的，所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：
在所述栅线点的表面形成第一导通栅线；
在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间形成第二导通栅线。
可选的，所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：
在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线。
根据本发明的第三方面，还提供一种太阳能电池及制备生产设备，所述太阳能电池生产设备包括：接口，总线，存储器与处理器，所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接，所述存储器用于存储可执行程序，所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如前所述的任一项所述的太阳能电池制备方法的步骤。
根据本发明的第四方面，还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储可执行程序，所述可执行程序被处理器运行实现如前所述的任一项所述的太阳能电池制备方法的步骤。
在本发明实施例中，太阳能电池包括：晶体硅基底；发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。相对于现有技术中，太阳能电池中各条副栅线均采用能够穿透正面减反层的银浆，穿透正面减反层制成而言，本申请中，只是采用能够穿透正面减反层的银浆形成栅线点，导通各个栅线点之间的导通栅线采用非穿透性银浆，导通栅线并没有采用穿透正面减反层的银浆，使得穿透正面减反层的银浆的用量大幅减少，而非穿透性银浆的成本低，使得太阳能电池的成本大幅度降低；同时只有栅线点穿透正面减反层，各个栅线点之间的导通栅线设置于正面减反层的表面并没有穿透正面减反层，也就是说只有栅线点会对正面减反层进行腐蚀，而导通栅线会对正面减反层的腐蚀较小，大幅度减弱了对正面减反层的破坏，提升了钝化效果，且减少了载流子符合，提升了太阳能电池的光电转换效率；而且采用非穿透性银浆制作导通栅线，由于非穿透性银浆粘性较大，使得形成的导通栅线塌陷程度减小，高宽比增大，能够降低细栅线的电阻，有利于电流的汇集。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本发明实施例中的第一种太阳能电池的结构示意图；
图2示出了本发明实施例中的一种细栅线的结构示意图；
图3示出了本发明实施例中的一种主栅线的结构示意图；
图4示出了本发明实施例中的又一种细栅线的结构示意图；
图5示出了本发明实施例中的一种太阳能电池制备方法的步骤流程图；
图6示出了本发明实施例中的一种印刷形成正面金属电极的步骤流程图；
图7示出了本发明实施例中的一种形成导通栅线的步骤流程图；
图8示出了本发明实施例中的一种形成主栅线的步骤流程图；
图9示出了本发明实施例中的一种太阳能电池生产设备的结构示意图。
附图编号说明：
1-晶体硅基底，2-发射极，3-正面减反层，4-正面金属电极，5-背面钝化层，6-背面金属电极，411-栅线点，412-导通栅线，421-实心主栅线，422-间隔镂空的主栅线，4121-第一导通栅线，4122-第二导通栅线，71-接口，72-处理器，73-存储器，74-总线。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参照图1，图1示出了本发明实施例中的第一种太阳能电池的结构示意图。
在本发明实施例中，晶体硅基底1主要可以用于吸收光子，产生光生载流子。可选的，晶体硅基底1可以包括：单晶硅基底或多晶硅基底。具体的，晶体硅基底1可以为单晶硅基底，或，晶体硅基底1可以为多晶硅基底等。晶体硅基底1的厚度可以为50～300μm。该厚度的晶体硅基底1，能够吸收更多的光子，产生更多的光生载流子。例如，晶体硅基底1的厚度可以为180μm。
参照图1所示，该太阳能电池可以包括：晶体硅基底1，发射极2、正面减反层3、正面金属电极4、背面钝化层5、背面钝化层6和背面金属电极7。
在本发明实施例中，晶体硅基底1的正面，设置有上述发射极2。正面减反射层3沉积于上述发射极2的正面。若晶体硅基底1为掺杂有Ⅲ族元素的P型硅基底，则，发射极2可以掺杂有Ⅴ族元素。
在本发明实施例中，上述正面减反层3能够从很大程度上减少正面入射光在晶体硅基底等表面的反射，同时，能够对发射极2等形成良好的表面钝化。正面减反层3的材质，可以包括：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、碳化硅、碳氧化硅、非晶硅中的至少一种。
在本发明实施例中，正面金属电极4通常用来收集光生载流子中的空穴。正面金属电极3可以包括若干主栅线和若干副栅线。参照图2所示，图2示出了本发明实施例中的一种细栅线的结构示意图。细栅线可以包括若干个栅线点411和若干用于导通各个栅线点411的导通栅线412。
上述栅线点411的材质为穿透正面减反层的银浆，参照图2，栅线点411穿透正面减反层3并与发射极2接触。导通栅线412设置于正面减反层3的正面，且未穿透正面减反层3；导通栅线412的材质为非穿透性银浆。只是采用能够穿透正面减反层3的银浆形成栅线点，导通各个栅线点411之间的导通栅线412采用非穿透性银浆，导通栅线412并没有采用穿透正面减反层的银浆，使得穿透正面减反层的银浆的用量大幅减少，而非穿透性银浆的成本低，使得太阳能电池的成本大幅度降低；同时只有栅线点411穿透正面减反层3，各个栅线点411之间的导通栅线412设置于正面减反层3的表面并没有穿透正面减反层3，也就是说只有栅线点411会对正面减反层3进行腐蚀，而导通栅线412对正面减反层3的腐蚀较小，大幅度减弱了对正面减反层3的破坏，提升了钝化效果，且减少了载流子符合，提升了太阳能电池的光电转换效率；而且采用非穿透性银浆制作导通栅线412，由于非穿透性银浆粘性较大，使得形成的导通栅线412的高宽比较大，能够降低细栅线的电阻，有利于电流的汇集。
在本发明实施例中，栅线点的形状可以为任意形状。如，栅线点的形状可以为正方体、长方体等等中心对称图形，或者其它形状等。在本发明实施例中，对此不作具体限定。在本发明实施例中，背面钝化层5沉积于晶体硅的背面，上述背面钝化层5能够从很大程度上减少背面入射光在晶体硅基底等表面的反射，同时，能够对背面发射极等形成良好的表面钝化。背面钝化层5的材质，可以包括：氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氧化铝、氮氧化铝、碳化硅、非晶硅中的至少一种。
在本发明实施例中，背面金属电极6通常用来收集光生载流子中的电子。背面金属电极6，穿透背面钝化层5与晶体硅基体1接触。
在本发明实施例中，可选的，参照图3所示，图3示出了本发明实施例中的一种主栅线的结构示意图。图3中的上图为太阳能电池正面的俯视图，图3中的下图为上图中椭圆形虚线框标注区域的截面图。图3中，与栅线点411接触的主栅线为实心主栅线421，与栅线点411未接触的主栅线为间隔镂空的主栅线422。间隔镂空的主栅线422能够减少主栅线中银浆的用量，能够降低太阳能电池的成本。
在本发明实施例中，可选的，参照图4所示，图4示出了本发明实施例中的又一种细栅线的结构示意图。导通栅线412包括：第一导通栅线4121和第二导通栅线4122；第一导通栅线4121设置于栅线点411的表面；第二导通栅线4122设置于正面减反层3的表面且各个栅线点411之间。也就是说，第二导通栅线4122设置在两个栅线点411之间，同时，第二导通栅线4122设置在正面减反层3的表面。
在本发明实施例中，远离正面减反层3的一侧，第一导通栅线4121和第二导通栅线4122的表面平齐，参照图4所示，远离正面减反层3的一侧即为m所指示的一侧，第一导通栅线4121和第二导通栅线4122的表面平齐，也就是说，栅线点411位于正面减反层3之上的栅线点411的高度h，加上第一导通栅线4121的高度s，等于第二导通栅线4122的高度a，即，h+s＝a，进而细栅线的表面较为平整，细栅线的表面各点受力更为均匀，避免了由于细栅线表面不平整导致的高度较高的细栅线的表面受力集中，造成的隐裂问题。
在本发明实施例中，可选的，参照图2所示，导通栅线412设置于正面减反层3的表面且各个栅线点411之间。也就是说，导通栅线412设置在两个栅线点411之间，同时，导通栅线412设置在正面减反层3的表面。在本发明实施例中，远离正面减反层3的一侧，栅线点411和导通栅线412的表面平齐。参照图2所示，远离正面减反层3的一侧，即为n所指示的一侧，也就是说，栅线点411位于正面减反层3之上的栅线点411的高度d，与导通栅线412的高度b相等，进而细栅线的表面较为平整，细栅线的表面各点受力更为均匀，避免了由于细栅线表面不平整导致的高度较高的细栅线的表面受力集中，造成的隐裂问题。
在本发明实施例中，可选的，栅线点411的宽度大于等于20微米小于等于25微米，进而栅线点411的电阻较小，有利于电流收集。
在本发明实施例中，只有栅线点411穿透正面减反层3与发射极2接触，则，电流都需要通过栅线点411进行收集，相对于现有技术中，整条副栅线均可以收集电流而言，距离栅线点411较远的区域，电流传输路径变长，电阻变大。而，随着导通栅线412的高宽比的增大，电阻会减小，采用非穿透性银浆制作导通栅线，由于非穿透性银浆粘性较大，使得形成的导通栅线412塌陷程度减小，高宽比增大，降低了细栅线的电阻，弥补了只由栅线点收集电流导致的电阻增大的问题，有利于电流的汇集。
例如，采用非穿透性银浆制作导通栅线，由于非穿透性银浆粘性较大，使得形成的导通栅线412塌陷程度减小，高宽比可以达到1.114，相比与现有的细栅线的高宽比0.775而言，本申请形成的导通栅线的高宽比大幅度提升，有利于电流的汇集。
在本发明实施例中，太阳能电池包括：晶体硅基底；发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。相对于现有技术中，太阳能电池中各条副栅线均采用能够穿透正面减反层的银浆，穿透正面减反层制成而言，本申请中，只是采用能够穿透正面减反层的银浆形成栅线点，导通各个栅线点之间的导通栅线采用非穿透性银浆，导通栅线并没有采用穿透正面减反层的银浆，使得穿透正面减反层的银浆的用量大幅减少，而非穿透性银浆的成本低，使得太阳能电池的成本大幅度降低；同时只有栅线点穿透正面减反层，各个栅线点之间的导通栅线设置于正面减反层的表面并没有穿透正面减反层，也就是说只有栅线点会对正面减反层进行腐蚀，而导通栅线会对正面减反层的腐蚀较小，大幅度减弱了对正面减反层的破坏，提升了钝化效果，且减少了载流子符合，提升了太阳能电池的光电转换效率；而且采用非穿透性银浆制作导通栅线，由于非穿透性银浆粘性较大，使得形成的导通栅线塌陷程度减小，高宽比增大，能够降低细栅线的电阻，有利于电流的汇集。
参照图5，图5示出了本发明实施例中的一种太阳能电池制备方法的步骤流程图。该方法可以用于制备如图1至4中的太阳能电池或其组件。在本发明实施例中，对此不作具体限定。该方法具体可以包括如下步骤：
步骤101，在晶体硅基底的正面形成发射极。
在本发明实施例中，参照图1所示，在晶体硅基底1的正面形成发射极，如，可以在晶体硅基底1的正面扩散形成发射极2。在本发明实施例中，对此不作具体限定。
在本发明实施例中，在上述步骤101之前，还可以包括：在晶体硅基底1的表面制绒，形成绒面。则，上述步骤101可以为在正绒面形成发射极2。
步骤102，在所述发射极的正面，沉积形成正面减反层。
在本发明实施例中，可以在发射极2的正面，沉积形成正面减反层3。该正面减反层可以包括氧化铝膜和氮化硅膜。氧化铝膜更靠近发射极2。
在本发明实施例中，在上述步骤102之前以及步骤101之后还可以对步骤101中扩散过程所形成的磷硅玻璃和边缘PN结等进行去除。
步骤103，在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极；所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆。
在本发明实施例中，该正面金属电极的结构可以参照图2至图4，以及对应的记载，为了避免重复，此处不再赘述。
在本发明实施例中，参照图1，在上述正面减反层3的正面印刷形成正面金属电极5，如，可以通过丝网印刷等的方式，在上述正面减反层3的正面形成正面金属电极5。
在本发明实施例中，参照图6，图6示出了本发明实施例中的一种印刷形成正面金属电极的步骤流程图。所述在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极，可以包括：步骤1031，在所述正面减反层的正面，采用穿透所述正面减反射层的银浆，形成若干个栅线点；步骤1032，在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，得到细栅线；所述导通栅线未穿透所述正面减反层；步骤1033，在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极。
具体的，参照图2所示，在正面减反层3的正面，采用穿透正面减反射层3的银浆，通过丝网印刷等的方式，形成若干个栅线点411。采用非穿透性银浆，可以通过丝网印刷等的方式，形成若干个导通各个栅线点411的导通栅线412，进而得到细栅线。导通栅线411未穿透正面减反层3。关于该细栅线可以参照上述图2以及相应记载，为了避免重复，此处不再赘述。
在正面减反层3的正面，通过丝网印刷等的方式，形成主栅线，形成主栅线和形成导通栅线可以同时进行，在本发明实施例中，对此不作具体限定。
在本发明实施例中，参照图7，图7示出了本发明实施例中的一种形成导通栅线的步骤流程图。所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：步骤10321，在所述栅线点的表面形成第一导通栅线；步骤10322，在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间形成第二导通栅线。
具体的，参照图4所示，可以在栅线点411的表面丝网印刷等，形成第一导通栅线4121，该第一导通栅线4121对应的丝网版膜的厚度可以比第二导通栅线4122对应丝网版膜的厚度小。在正面减反层3的表面且各个栅线点411之间形成第二导通栅线4122。上述第一导通栅线4121、第二导通栅线4122可以参照图4以及图4的相关描述，为了避免重复，此处不再赘述。
在本发明实施例中，所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线。
具体的，可以参照图2所示，在正面减反层3的表面且各个栅线点411之间，采用非穿透性银浆，通过丝网印刷等，形成若干个导通各个栅线点411的导通栅线412。上述形成导通栅线412可以参照图2以及图2的相关描述，为了避免重复，此处不再赘述。
在本发明实施例中，可选的，图8示出了本发明实施例中的一种形成主栅线的步骤流程图。所述在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极，可以包括：步骤10331，在所述正面减反层的正面且与所述栅线点接触的区域形成实心主栅线；步骤10332，在所述正面减反层的正面且与所述栅线点未接触的区域形成间断镂空的主栅线。
具体的，参照图3所示，可以在正面减反层3的正面且与栅线点411接触的区域形成实心主栅线421，在正面减反层3的正面且与栅线点411未接触的区域形成间断镂空的主栅线422。具体可以通过沉积等方式形成主栅线。上述形成主栅线可以参照图3以及图3的相关描述，为了避免重复，此处不再赘述。
步骤104，在所述晶体硅基底的背面沉积形成背面钝化层。
在本发明实施例中，可以在晶体硅基底1的背面沉积形成背面钝化层5。在本发明实施例中，对此不作具体限定。
在本发明实施例中，可选的，在上述步骤104之前，还可以对上述半成品进行热氧化，在本发明实施例中，对此不作具体限定。
步骤105，在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个开膜区域，露出所述晶体硅基底。
在本发明实施例中，可以在背面钝化层7的预设区域照射激光，形成至少一个开膜区域，露出背面钝化层5。上述预设区域可以为背面钝化层7上需要设置背面金属电极7的相应区域。在本发明实施例中，对此不作具体限定。
步骤106，在露出的所述晶体硅基底上，形成背面金属电极。
在本发明实施例中，可以在露出的所述晶体硅基底1上，形成背面金属电极7。
具体的，可以通过低温沉积金属电极到开膜区域形成连接背面金属电极7。或者，通过低温沉积和高温沉积结合的方式，在上述开膜区域形成背面金属电极7。因为低温沉积和高温沉积不用银，且电阻率较低，则，形成的太阳能电池及制备方法成本低且导电效果好。在本发明实施例中，对此不作具体限定。
在本发明实施例中，在晶体硅基底的正面形成发射极；在所述发射极的正面，沉积形成正面减反层；在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极；所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；在所述晶体硅基底的背面沉积形成背面钝化层；在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个开膜区域，露出所述晶体硅基底；在露出的所述晶体硅基底上，形成背面金属电极。本申请中，只是采用能够穿透正面减反层的银浆形成栅线点，导通各个栅线点之间的导通栅线采用非穿透性银浆，导通栅线并没有采用穿透正面减反层的银浆，使得穿透正面减反层的银浆的用量大幅减少，而非穿透性银浆的成本低，使得太阳能电池的成本大幅度降低；同时只有栅线点穿透正面减反层，各个栅线点之间的导通栅线设置于正面减反层的表面并没有穿透正面减反层，也就是说只有栅线点会对正面减反层进行腐蚀，而导通栅线会对正面减反层的腐蚀较小，大幅度减弱了对正面减反层的破坏，提升了钝化效果，且减少了载流子符合，提升了太阳能电池的光电转换效率；而且采用非穿透性银浆制作导通栅线，由于非穿透性银浆粘性较大，使得形成的导通栅线塌陷程度减小，高宽比增大，能够降低细栅线的电阻，有利于电流的汇集。
需要说明的是，针对上述方法实施例而言，太阳能电池及制备方法的各层或各区域相关部分，可以参照前述太阳能电池及制备方法实施例中的相关部分，为了避免重复，此处不再赘述。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定都是本申请实施例所必须的。
图9示出了本发明实施例的一种太阳能电池生产设备的结构示意图。
如图9所示，本发明实施例提供的一种太阳能电池生产设备可以包括：接口71、处理器72、存储器73及总线74；其中，所述总线74，用于实现所述接口71、所述处理器72和所述存储器73之间的连接通信；所述存储器73存储有可执行程序，所述处理器72，用于执行所述存储器73中存储的可执行程序，以实现如图5至8，或太阳能电池及制备方法的步骤，或太阳电池各个组件的制备方法的步骤，并能达到相同或相似的效果，为了避免重复，此处不再赘述。
本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有一个或者多个可执行程序，所述一个或者多个可执行程序可被一个或者多个处理器执行，以实现如图5至8，或太阳能电池及制备方法的步骤，或太阳电池各个组件的制备方法的步骤，并能达到相同或相似的效果，为了避免重复，此处不再赘述。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。
Claims (10)
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：晶体硅基底；
发射极，沉积于所述晶体硅基底的正面；
正面减反射层，沉积于所述发射极的正面；
正面金属电极，所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；
背面钝化层，沉积于所述晶体硅基底的背面；
以及背面金属电极，所述背面金属电极穿透所述背面钝化层并与所述晶体硅基底接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，与所述栅线点接触的主栅线为的实心主栅线，与所述栅线点未接触的主栅线为间断镂空的主栅线。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导通栅线包括：第一导通栅线和第二导通栅线；所述第一导通栅线设置于所述栅线点的表面；所述第二导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；
远离所述正面减反层的一侧，所述第一导通栅线和所述第二导通栅线的表面平齐。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导通栅线设置于所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间；
远离所述正面减反层的一侧，所述栅线点和所述导通栅线的表面平齐。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述栅线点的宽度大于等于20微米小于等于25微米。
6.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在晶体硅基底的正面形成发射极；
在所述发射极的正面，沉积形成正面减反层；
在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极；所述正面金属电极包括：若干主栅线、若干细栅线；所述细栅线包括：若干栅线点和若干用于导通各个所述栅线点的导通栅线，所述栅线点的材质为穿透所述正面减反射层的银浆；所述栅线点穿透所述正面减反层并与所述发射极接触；所述导通栅线设置于所述正面减反层的正面，且未穿透所述正面减反层；所述导通栅线的材质为非穿透性银浆；
在所述晶体硅基底的背面沉积形成背面钝化层；
在所述背面钝化层的预设区域照射激光，形成至少一个开膜区域，露出所述晶体硅基底；
在露出的所述晶体硅基底上，形成背面金属电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述正面减反层的正面，印刷形成正面金属电极，包括：
在所述正面减反层的正面，采用穿透所述正面减反射层的银浆，形成若干个栅线点；
在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，得到细栅线；所述导通栅线未穿透所述正面减反层；
在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述正面减反层的正面形成主栅线，得到正面金属电极，包括：
在所述正面减反层的正面且与所述栅线点接触的区域形成实心主栅线；
在所述正面减反层的正面且与所述栅线点未接触的区域形成间断镂空的主栅线。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：
在所述栅线点的表面形成第一导通栅线；
在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间形成第二导通栅线。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述正面减反层的正面，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线，包括：
在所述正面减反层的表面且各个所述栅线点之间，采用非穿透性银浆，形成若干个导通各个所述栅线点的导通栅线。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345969A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-09-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 钝化接触结构及其制备方法和应用 |
| CN113644145A (zh) * | 2021-10-18 | 2021-11-12 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101976711A (zh) * | 2010-10-27 | 2011-02-16 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种采用离子注入法制作太阳电池的方法 |
| US20110068367A1 (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-24 | Sierra Solar Power, Inc. | Double-sided heterojunction solar cell based on thin epitaxial silicon |
| CN102496658A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-06-13 | 天威新能源控股有限公司 | 一种太阳能电池减反射膜的制备方法 |
| CN103746012A (zh) * | 2014-01-02 | 2014-04-23 | 杭州塞利仕科技有限公司 | 一种太阳能电池正面电极的制作工艺 |
| CN204303822U (zh) * | 2014-04-28 | 2015-04-29 | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片 |
| CN108155249A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-12 | 南京日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt太阳能电池正面电极及其制备方法 |
| CN108155250A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-12 | 南京日托光伏科技股份有限公司 | 一种低成本mwt硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN109768123A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种焊接方法 |
| CN109841693A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-04 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触结构及太阳能电池 |
-
2019
- 2019-07-01 CN CN201910586460.XA patent/CN112186046B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110068367A1 (en) * | 2009-09-23 | 2011-03-24 | Sierra Solar Power, Inc. | Double-sided heterojunction solar cell based on thin epitaxial silicon |
| CN101976711A (zh) * | 2010-10-27 | 2011-02-16 | 晶澳太阳能有限公司 | 一种采用离子注入法制作太阳电池的方法 |
| CN102496658A (zh) * | 2011-12-27 | 2012-06-13 | 天威新能源控股有限公司 | 一种太阳能电池减反射膜的制备方法 |
| CN103746012A (zh) * | 2014-01-02 | 2014-04-23 | 杭州塞利仕科技有限公司 | 一种太阳能电池正面电极的制作工艺 |
| CN204303822U (zh) * | 2014-04-28 | 2015-04-29 | 中节能太阳能科技（镇江）有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池片 |
| CN108155249A (zh) * | 2017-12-15 | 2018-06-12 | 南京日托光伏科技股份有限公司 | 一种mwt太阳能电池正面电极及其制备方法 |
| CN108155250A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-06-12 | 南京日托光伏科技股份有限公司 | 一种低成本mwt硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN109768123A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-17 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种焊接方法 |
| CN109841693A (zh) * | 2019-02-25 | 2019-06-04 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种钝化接触结构及太阳能电池 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113345969A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-09-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 钝化接触结构及其制备方法和应用 |
| CN113345969B (zh) * | 2021-04-28 | 2024-05-14 | 中科研和(宁波)科技有限公司 | 钝化接触结构及其制备方法和应用 |
| CN113644145A (zh) * | 2021-10-18 | 2021-11-12 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及光伏组件 |
| US11848392B2 (en) | 2021-10-18 | 2023-12-19 | Zhejiang Jinko Solar Co., Ltd. | Solar cell and photovoltaic module |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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