CN112185994A - 一种显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板。所述显示面板包括：阵列基板；设于所述阵列基板上的像素定义层；设于所述阵列基板远离所述像素定义层一侧的发光区；其中，所述像素定义层中设有与所述发光区位置相对应的第一孔，且所述像素定义层靠近所述第一孔的边缘处设有至少一个凸透镜结构，从而在缩小第一孔的孔径的同时，提高显示面板的光透过率，提高屏占比。

Description

一种显示面板
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
目前O-cut屏手机中的摄像头设置在显示屏底部，因此需要在显示屏中留出光线路径，使自然光透过显示屏到达底部摄像头的感光器，实现画面拍摄。但为了增大到达摄像头感光器的光线量，提高摄像头的拍摄效果，现有技术中O-cut区的孔径设置较大，导致显示区的面积缩小，降低屏占比。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板，以解决现有显示面板的屏占比低的问题。
本发明实施例提供了一种显示面板，包括：
阵列基板；
设于所述阵列基板上的像素定义层；
设于所述阵列基板远离所述像素定义层一侧的发光区；
其中，所述像素定义层中设有与所述发光区位置相对应的第一孔，且所述像素定义层靠近所述第一孔的边缘处设有至少一个凸透镜结构。
进一步地，所述像素定义层靠近所述第一孔的边缘处设有至少一个第一凹槽，且每一第一凹槽处填充有透明材料，以构成所述凸透镜结构。
进一步地，每一凸透镜结构的最大高度大于其对应的第一凹槽的最大深度。
进一步地，所述第一孔为所述像素定义层中的像素开口。
进一步地，所述阵列基板设有与所述发光区位置相对应的第二孔，且所述第二孔与所述第一孔相连通。
进一步地，所述阵列基板包括衬底基板以及设于所述阵列基板上的薄膜晶体管层，所述像素定义层设于所述薄膜晶体管层上；
所述第二孔设于所述薄膜晶体管层中，所述发光区为设于所述衬底基板远离所述薄膜晶体管层一侧的第二凹槽。
进一步地，所述显示面板还包括多个间隔设置在所述薄膜晶体管层上的阳极；
所述像素定义层设置在多个阳极以及所述多个阳极之间的薄膜晶体管层上，所述第一孔设于相邻两个阳极之间的像素定义层中，所述第二孔设于所述相邻两个阳极之间的薄膜晶体管层中。
进一步地，所述薄膜晶体管层包括依次设置在所述衬底基板上的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和平坦化层；
所述第二孔贯穿所述平坦化层。
进一步地，所述显示面板还包括发光层和阴极；
所述发光层设于所述像素定义层、所述阳极、所述凸透镜结构和所述第二孔底部的层间绝缘层上，所述阴极设于所述发光层上。
进一步地，所述显示面板还包括透明层；
所述透明层设于所述阴极上并填充所述第一孔和所述第二孔。
进一步地，所述显示面板还包括设于像素定义层远离所述阵列基板一侧的黑矩阵；
所述黑矩阵中设有与所述第一孔位置相对应的第三孔，且所述第三孔中填充有透明材料。
本发明的有益效果为：在阵列基板远离像素定义层的一侧设置发光区，在像素定义层中设置与发光区位置相对应的第一孔，并在像素定义层靠近第一孔的边缘处设置至少一个凸透镜结构，使更多光通过凸透镜结构聚集在第一孔中，以在缩小第一孔的孔径的同时，提高显示面板的光透过率，提高发光区的感光效率，从而提高显示面板的屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板的另一结构示意图。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
本发明说明书中使用的术语仅用来描述特定实施方式，而并不意图显示本发明的概念。除非上下文中有明确不同的意义，否则，以单数形式使用的表达涵盖复数形式的表达。在本发明说明书中，应理解，诸如“包括”、“具有”以及“含有”等术语意图说明存在本发明说明书中揭示的特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性，而并不意图排除可存在或可添加一个或多个其他特征、数字、步骤、动作或其组合的可能性。附图中的相同参考标号指代相同部分。
参见图1，是本发明实施例提供的显示面板的结构示意图。
如图1所示，本实施例提供的显示面板包括阵列基板1，设于所述阵列基板1上的像素定义层2，以及设于所述阵列基板1远离所述像素定义层2一侧的发光区3。其中，发光区3用于放置电子元件(例如摄像头)的感光器，设于阵列基板1的底部，即显示面板的底部。
所述像素定义层2中设有与所述发光区3位置相对应的第一孔4，且所述像素定义层2靠近所述第一孔4的边缘处设有至少一个凸透镜结构5。其中，第一孔4可以为像素定义层2的像素开口，如图1所示，第一孔4也可以单独设置在像素定义层2中并贯穿像素定义层2，如图2所示，且第一孔4与感官区3的位置相对应，使外部光通过第一孔4照射到发光区3。像素定义层2远离阵列基板1一侧设有至少一个凸透镜结构5，至少一个凸透镜结构5围绕第一孔4设置，且位于像素定义层2靠近第一孔4的边缘处。凸透镜结构5靠近像素定义层2一侧的表面朝靠近像素定义层2的方向弯曲，凸透镜结构5远离像素定义层2一侧的表面朝远离像素定义层2的方向弯曲，从而使未直射到第一孔4的光通过凸透镜结构5聚集在第一孔4中，提高显示面板的光透过率，提高发光区的感光效率，进而设置小孔径的第一孔4即可达到高光透率效果，提高显示面板的屏占比，同时在电子元件为摄像头时，提高拍摄效果。
在一个实施方式中，至少一个凸透镜结构5设置在像素定义层2远离阵列基板1一侧的表面，且每一凸透镜结构5的顶面高度均大于像素定义层2的顶面高度。在另一个实施方式中，像素定义层2远离阵列基板1的一侧设有至少一个第一凹槽6，且至少一个第一凹槽6设置在像素定义层2靠近第一孔4的边缘处。其中，每一第一凹槽6通过镭射切割制得，且每一第一凹槽6在垂直于阵列基板1方向上的截面呈倒梯形。每一第一凹槽6中填充有透明材料，使每一第一凹槽6中填充的透明材料构成一个凸透镜结构5。其中，透明材料包括PI(polyimide，聚酰亚胺)或CPI(colorless polyimide，透明聚酰亚胺)等。每一凸透镜结构5的最大高度大于其对应的第一凹槽6的最大深度，即每一凸透镜结构5的顶面高度均大于像素定义层2的顶面高度，使凸透镜结构5不仅起到支撑作用，还具有聚光的作用。
进一步地，如图1所示，所述阵列基板1设有与所述发光区3位置相对应的第二孔7，且所述第二孔7与所述第一孔4相连通。其中，第二孔7与第一孔4的位置相对应，进一步提高显示面板的光透过率，提高发光区的感光效率。
具体地，如图2所示，所述阵列基板1包括衬底基板11以及设于所述阵列基板上的薄膜晶体管层12，所述像素定义层2设于所述薄膜晶体管层12上；所述第二孔7设于所述薄膜晶体管层12中。其中，衬底基板11的材料为PI。
在一个实施方式中，所述发光区3设于衬底基板11远离薄膜晶体管层12一侧的表面，即电子元件的感光器设于衬底基板11远离薄膜晶体管层12一侧的表面。在另一个实施方式中，所述发光区3为设于所述衬底基板11远离所述薄膜晶体管层12一侧的第二凹槽，即电子元件的感光器设于衬底基板11远离薄膜晶体管层12一侧的第二凹槽中。其中，第二凹槽通过镭射切割制得，且第二凹槽的宽度与第一孔4和第二孔7的直径相匹配。通过设置第二凹槽，使得发光区3处的衬底基板11减薄，进一步提高发光区3的透光率。
具体地，所述薄膜晶体管层12包括依次设置在所述衬底基板11上的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和平坦化层。其中，栅极绝缘层和栅极的个数可根据实际需求调整。
在一个具体的实施方式中，如图2所示，薄膜晶体管层12包括依次设置在所述衬底基板11上的缓冲层13、有源层14、第一栅极绝缘层15、第一栅极16、第二栅极绝缘层17、第二栅极18、层间绝缘19、源漏极20和平坦化层21。具体地，缓冲层13位于衬底基板11上，有源层14位于缓冲层13上，第一栅极绝缘层15位于有源层14和缓冲层13上，第一栅极16位于第一栅极绝缘层15上，第二栅极绝缘层17位于第一栅极绝缘层15和第一栅极16上，第二栅极18位于第二栅极绝缘层17上，层间绝缘层19位于第二栅极绝缘层17和第二栅极18上，源漏极20位于层间绝缘层19上，平坦化层21位于层间绝缘层19和源漏极20上。
其中，第二孔7贯穿平坦化层21，第二孔7根据实际需求还可贯穿层间绝缘层19、第二栅极绝缘层18、第一栅极绝缘层15、缓冲层13等，以进一步提高发光区3的透光率。
进一步地，如图1所示，所述显示面板还包括多个阳极8，且多个阳极8间隔设置在薄膜晶体管层12上，像素定义层2部分设置在多个阳极8上，部分设置在多个阳极8之间的薄膜晶体管层12上。第一孔4设置在相邻两个阳极8之间的像素定义层2中，第二孔7设于所述相邻两个阳极8之间的薄膜晶体管层12中。
具体地，如图2所示，多个阳极8间隔设置在薄膜晶体管层12的平坦化层21上，且薄膜晶体管层包括多个间隔设置的薄膜晶体管，多个阳极8与多个薄膜晶体管一一对应的设置，每一阳极8与其对应的薄膜晶体管的漏极电性连接。像素定义层2设置在多个阳极8以及多个阳极8之间的平坦化层21上，第一孔4设于相邻两个阳极之间的像素定义层2中，第二孔7设于所述相邻两个阳极对应的两个薄膜晶体管之间的平坦化层21中。
进一步地，如图2所示，所述显示面板还包括发光层22和阴极23。像素定义层2中设有多个像素开口，且多个像素开口与多个阳极8一一对应。发光层22设置在像素定义层2、像素开口底部的阳极8、凸透镜结构5和第二孔7底部的层间绝缘层19的表面，阴极23设置在发光层22的表面。
进一步地，如图2所示，所述显示面板还包括透明层24。透明层24设置在阴极23的表面并填充第一孔4和第二孔7。本实施例在第一孔4和第二孔7中填充透明材料提高发光区3的感光效果。
进一步地，如图2所示，所述显示面板还包括设于像素定义层2远离所述阵列基板1一侧的黑矩阵25；所述黑矩阵25中设有与所述第一孔4位置相对应的第三孔9，且所述第三孔9中填充有透明材料。本实施例在与第一孔4位置相对应的第三孔9中填充透明材料，进一步提高显示面板的光透过率，提高发光区3的感光效率。
进一步地，如图2所示，所述显示面板还包括保护层26、多个滤光片27和盖板28。所述保护层26位于透明层24上，所述黑矩阵25位于保护层26上，且黑矩阵25中设有与多个像素开口一一对应的镂空区，所述多个滤光片27一一对应地设于多个镂空区中，所述盖板28位于所述黑矩阵25上。
由上述可知，本实施例提供的显示面板，能够在阵列基板远离像素定义层的一侧设置发光区，在像素定义层中设置与发光区位置相对应的第一孔，并在像素定义层靠近第一孔的边缘处设置至少一个凸透镜结构，使更多光通过凸透镜结构聚集在第一孔中，以在缩小第一孔的孔径的同时，提高显示面板的光透过率，提高发光区的感光效率，从而提高显示面板的屏占比。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
设于所述阵列基板上的像素定义层；
设于所述阵列基板远离所述像素定义层一侧的发光区；
其中，所述像素定义层中设有与所述发光区位置相对应的第一孔，且所述像素定义层靠近所述第一孔的边缘处设有至少一个凸透镜结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义层靠近所述第一孔的边缘处设有至少一个第一凹槽，且每一第一凹槽处填充有透明材料，以构成所述凸透镜结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，每一凸透镜结构的最大高度大于其对应的第一凹槽的最大深度。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一孔为所述像素定义层中的像素开口。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板中设有与所述发光区位置相对应的第二孔，且所述第二孔与所述第一孔相连通。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及设于所述阵列基板上的薄膜晶体管层，所述像素定义层设于所述薄膜晶体管层上；
所述第二孔设于所述薄膜晶体管层中，所述发光区为设于所述衬底基板远离所述薄膜晶体管层一侧的第二凹槽。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括多个间隔设置在所述薄膜晶体管层上的阳极；
所述像素定义层设置在多个阳极以及所述多个阳极之间的薄膜晶体管层上，所述第一孔设于相邻两个阳极之间的像素定义层中，所述第二孔设于所述相邻两个阳极之间的薄膜晶体管层中。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括依次设置在所述衬底基板上的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层、源漏极和平坦化层；
所述第二孔贯穿所述平坦化层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括发光层、阴极和透明层；
所述发光层设于所述像素定义层、所述阳极、所述凸透镜结构和所述第二孔底部的层间绝缘层上，所述阴极设于所述发光层上；所述透明层设于所述阴极上并填充所述第一孔和所述第二孔。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设于像素定义层远离所述阵列基板一侧的黑矩阵；
所述黑矩阵中设有与所述第一孔位置相对应的第三孔，且所述第三孔中填充有透明材料。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115020618A (zh) * 2022-06-23 2022-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种透明显示面板

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110603204A (zh) 2017-05-08 2019-12-20 生物医学再生Gf有限责任公司 用于保护内部容器的装置
KR20210034876A (ko) * 2019-09-23 2021-03-31 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시장치
KR20220008990A (ko) * 2020-07-14 2022-01-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112820767A (zh) * 2021-02-22 2021-05-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置和电子设备
CN113178463B (zh) * 2021-04-07 2022-10-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100045575A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Kim Eun-Ah Organic light emitting diode display
CN104078489A (zh) * 2014-06-11 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板和显示装置
CN107579095A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN109216423A (zh) * 2018-09-12 2019-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109920822A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102260991B1 (ko) * 2014-02-14 2021-06-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN106847872B (zh) * 2017-03-24 2020-03-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
KR20200136549A (ko) * 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200137079A (ko) * 2019-05-28 2020-12-09 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100045575A1 (en) * 2008-08-19 2010-02-25 Kim Eun-Ah Organic light emitting diode display
CN104078489A (zh) * 2014-06-11 2014-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示面板和显示装置
CN107579095A (zh) * 2016-07-05 2018-01-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN109216423A (zh) * 2018-09-12 2019-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN109920822A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115020618A (zh) * 2022-06-23 2022-09-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种透明显示面板
CN115020618B (zh) * 2022-06-23 2024-03-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种透明显示面板

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