CN112185947A - 一种红外接收装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种红外接收装置及方法，其中一种红外接收装置，包括：信号放大解码芯片、环境光感应芯片、支架、封装层和至少一个红外接收芯片，所述红外接收芯片和所述环境光感应芯片均与所述信号放大解码芯片电连接，且均设于所述支架表面，所述信号放大解码芯片与所述支架电连接，所述封装层包覆于所述红外接收芯片、所述信号放大解码芯片、所述环境光感应芯片和所述支架外侧。采用一体封装方式将红外接收芯片和环境光感应芯片安装在支架相应位置处，结构简单，制造方便，缩短开发周期，增加了产品的可靠性。
Description
技术领域
本发明涉及电子元器件技术领域，特别是涉及一种红外接收装置及方法。
背景技术
在现实生活中红外遥控技术有着广泛的应用，从各种玩具到各种家用电器，再到多种工业生产、测试，都采用了红外遥控技术。由于电磁环境变得越来越复杂，在使用红外遥控技术时，对相关器件的抗干扰能力、电磁兼容能力、灵敏度、可靠性等特性提出了越来越高的要求。
红外接收装置是红外遥控系统中的关键元器件之一，其性能决定着红外遥控系统的性能。目前通过改善红外接收装置内部结构。将屏蔽盖中间开有窗口，窗口内有屏蔽网，屏蔽盖装配于底板上。该结构的不足在于，底板和屏蔽盖采用铆接的方式连接，加工和返修不方便且造成支架体积庞大；其前端有大部分区域未形成包封结构，漏光严重且对影响器件抗干扰性能有严重影响。
现有的红外线接收头和环境光传感器都是独立封装，使用时需要分开单独安装，摆放位置极难控制易相互干扰，增加产品设计开发难度，产品开发周期长。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种红外接收装置及方法。
为了解决上述问题，本发明公开了一种红外接收装置，包括：信号放大解码芯片、环境光感应芯片、支架、封装层和至少一个红外接收芯片，所述红外接收芯片和所述环境光感应芯片均与所述信号放大解码芯片电连接，且均设于所述支架表面，所述信号放大解码芯片与所述支架电连接，所述封装层包覆于所述红外接收芯片、所述信号放大解码芯片、所述环境光感应芯片和所述支架外侧。
进一步的，所述封装层为树脂层。
进一步的，所述红外接收芯片、所述信号放大解码芯片和所述环境光感应芯片交替设置于所述支架表面。
进一步的，还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩包覆于所述红外接收芯片外侧。
进一步的，还包括滤色片，所述滤色片设于所述环境光感应芯片表面。
进一步的，所述封装层为透明树脂层。
进一步的，所述封装层还包括茶色树脂层，所述透明树脂层包覆于所述环境光感应芯片表面，所述茶色树脂层包覆于所述红外接收芯片表面。
进一步的，所述信号放大解码芯片通过金属线电连接所述支架。
进一步的，所述红外接收芯片、所述信号放大解码芯片、所述环境光感应芯片、所述支架和所述封装层一体封装成型。
本发明公开了一种红外接收方法，包括上述的红外接收装置，包括步骤：
红外接收芯片采集红外光信号，并对所述红外光信号进行编码得到第一编码信号；
环境光感应芯片采集环境光信号，并对所述环境光信号进行编码得到第二编码信号；
信号放大解码芯片分别将所述第一编码信号和所述第二编码信号进行放大，得到第一放大信号和第二放大信号；
将所述第一放大信号和所述第二放大信号经同一数据总线输出。
本发明包括以下优点：采用一体封装方式将红外接收芯片和环境光感应芯片安装在支架相应位置处，结构简单，制造方便，缩短开发周期，增加了产品的可靠性。
附图说明
图1是本发明的一种红外接收装置的结构示意图。
1红外接收芯片、2信号放大解码芯片、3环境光感应芯片、4金属线、5屏蔽罩、6支架、7封装层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明的核心构思之一在于，提供了一种红外接收装置，包括：信号放大解码芯片2、环境光感应芯片3、支架6、封装层7和至少一个红外接收芯片1，所述红外接收芯片1和所述环境光感应芯片3均与所述信号放大解码芯片2电连接，且均设于所述支架6表面，所述封装层7包覆于所述红外接收芯片1、所述信号放大解码芯片2、所述环境光感应芯片3和所述支架6外侧。采用一体封装方式将红外接收芯片1和环境光感应芯片3安装在支架6相应位置处，结构简单，制造方便，缩短开发周期，增加了产品的可靠性。
参照图1，示出了本发明的一种红外接收装置的结构示意图，具体可以包括：信号放大解码芯片2、环境光感应芯片3、支架6、封装层7和至少一个红外接收芯片1，所述红外接收芯片1和所述环境光感应芯片3均与所述信号放大解码芯片2电连接，且均设于所述支架6表面，所述信号放大解码芯片2与所述支架6电连接，所述封装层7包覆于所述红外接收芯片1、所述信号放大解码芯片2、所述环境光感应芯片3和所述支架6外侧。在本实施例中的红外接收芯片1用于接收红外光信号并进行编码得到第一编码信号；环境光感应芯片3用于采集环境光信号并编码成第二编码信号，上述第一编码信号和第二编码信号为两种不同的编码方式编码出的信号，信号放大解码芯片2用于对上述第一编码信号和第二编码信号进行放大；本实施例中将上述红外接收芯片1、信号放大解码芯片2和环境光感应芯片3安装在支架6上，并将上述各个芯片与支架6电连接，上述支架6为导电支架6，在一具体实施例中的导电支架6设置为金属支架6，金属支架6的导电性能优良，且成本低；采用封装层7将红外接收芯片1、信号放大解码芯片2、环境光感应芯片3和支架6包覆一体，能够提高产品的可靠性，其封装结构简单，能够有效的缩短产品开发周期，降低生产成本。红外信号和环境光信号采用一颗芯片控制，两种信号采用一条总线输出，用不同的信号编码方式来区分是那种信号，最终由产品的信号处理模块来识别判断，减小传感器体积，增加产品可靠性。两种信号采用不同编码格式输出，避免相互干扰。
在本实施例中，所述封装层7为树脂层。采用树脂层作为封装层7能够提高封装的稳定性，保证封装产品的质量。
在本实施例中，红外接收芯片1设置为两个。在一具体实施例中，可以根据具体的产品性能需求，设置上述红外接收芯片1的数量，上述红外接收芯片1可以设置为单颗，也可设置为两颗，在其他实施例中还可以将上述红外接收芯片1设置为多颗。
在本实施例中，所述红外接收芯片1、所述信号放大解码芯片2和所述环境光感应芯片3交替设置于所述支架6表面。通过将所述红外接收芯片1、所述信号放大解码芯片2和所述环境光感应芯片3交替设置于所述支架6表面，能够提高红外接收装置的工作性能，保证产品的质量。
在本实施例中，还包括屏蔽罩5，所述屏蔽罩5包覆于所述红外接收芯片1外侧。屏蔽罩5用于减少电性号的干扰，保证产品工作的稳定性，具体地，可根据产品的性能需求决定是否在红外接收芯片1的外围增设屏蔽罩5。
在本实施例中，还包括滤色片，所述滤色片设于所述环境光感应芯片3表面。上述滤色片用于阻挡红外线，同时可以通过环境光。具体可以根据产品性能的要求在环境光感应芯片3上加设上述滤色片。
在本实施例中，所述封装层7为透明树脂层。上述透明树脂层能够透过环境光，增加环境光的散射性能。
在本实施例中，所述封装层7还包括茶色树脂层，所述透明树脂层包覆于所述环境光感应芯片3表面，所述茶色树脂层包覆于所述红外接收芯片1表面。上述茶色树脂层可以滤除部分环境光，通过将茶色树脂层封装在红外接收芯片1外侧，能够滤除部分环境光，降低环境光对红外接收芯片1的干扰，提高产品的稳定性。
在本实施例中，所述红外接收芯片1、所述信号放大解码芯片2和所述环境光感应芯片3通过金属线4电连接所述支架6。采用金属线4进行连接，能够提高产品的质量，保证产品连接的稳定性。
在本实施例中，所述红外接收芯片1、所述信号放大解码芯片2、所述环境光感应芯片3、所述支架6和所述封装层7一体封装成型。采用一体封装方式将红外接收芯片1和环境光感应芯片3安装在支架6相应位置处，结构简单，制造方便，缩短开发周期，增加了产品的可靠性。
本申请还提出了一种红外接收方法，包括如上述的红外接收装置，包括步骤：
红外接收芯片1采集红外光信号，并对所述红外光信号进行编码得到第一编码信号；
环境光感应芯片3采集环境光信号，并对所述环境光信号进行编码得到第二编码信号；
信号放大解码芯片2分别将所述第一编码信号和所述第二编码信号进行放大，得到第一放大信号和第二放大信号；
将所述第一放大信号和所述第二放大信号经同一数据总线输出。
参照上述步骤所述，红外光信号和环境光信号采用一颗芯片控制，两种信号采用一条总线输出，用不同的信号编码方式来区分是那种信号，最终由产品的信号处理模块来识别判断，减小传感器体积，增加产品可靠性。两种信号采用不同编码格式输出，避免相互干扰。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种红外接收装置及方法，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种红外接收装置，其特征在于，包括：信号放大解码芯片、环境光感应芯片、支架、封装层和至少一个红外接收芯片，所述红外接收芯片和所述环境光感应芯片均与所述信号放大解码芯片电连接，且均设于所述支架表面，所述信号放大解码芯片与所述支架电连接，所述封装层包覆于所述红外接收芯片、所述信号放大解码芯片、所述环境光感应芯片和所述支架外侧。
2.根据权利要求1所述的红外接收装置，其特征在于，所述封装层为树脂层。
3.根据权利要求1所述的红外接收装置，其特征在于，所述红外接收芯片、所述信号放大解码芯片和所述环境光感应芯片交替设置于所述支架表面。
4.根据权利要求1所述的红外接收装置，其特征在于，还包括屏蔽罩，所述屏蔽罩包覆于所述红外接收芯片外侧。
5.根据权利要求1所述的红外接收装置，其特征在于，还包括滤色片，所述滤色片设于所述环境光感应芯片表面。
6.根据权利要求1所述的红外接收装置，其特征在于，所述封装层为透明树脂层。
7.根据权利要求6所述的红外接收装置，其特征在于，所述封装层还包括茶色树脂层，所述透明树脂层包覆于所述环境光感应芯片表面，所述茶色树脂层包覆于所述红外接收芯片表面。
8.根据权利要求1所述的红外接收装置，其特征在于，所述信号放大解码芯片通过金属线电连接所述支架。
9.根据权利要求1所述的红外接收装置，其特征在于，所述红外接收芯片、所述信号放大解码芯片、所述环境光感应芯片、所述支架和所述封装层一体封装成型。
10.一种红外接收方法，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的红外接收装置，包括步骤：
红外接收芯片采集红外光信号，并对所述红外光信号进行编码得到第一编码信号；
环境光感应芯片采集环境光信号，并对所述环境光信号进行编码得到第二编码信号；
信号放大解码芯片分别将所述第一编码信号和所述第二编码信号进行放大，得到第一放大信号和第二放大信号；
将所述第一放大信号和所述第二放大信号经同一数据总线输出。
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| JP2012132835A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Sharp Corp | 受光装置および電子機器 |
| CN205092239U (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-16 | 深圳成光兴光电技术股份有限公司 | 一种红外线接收头封装结构 |
| CN206322145U (zh) * | 2016-12-15 | 2017-07-11 | 广州视源电子科技股份有限公司 | 适用于智能交互平板的多功能电路 |
| CN213093201U (zh) * | 2020-10-21 | 2021-04-30 | 深圳市德明新微电子有限公司 | 一种红外接收装置 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2006053483A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-26 | Yaohao Wang | An infrared receiver |
| JP2012132835A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Sharp Corp | 受光装置および電子機器 |
| CN205092239U (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-16 | 深圳成光兴光电技术股份有限公司 | 一种红外线接收头封装结构 |
| CN206322145U (zh) * | 2016-12-15 | 2017-07-11 | 广州视源电子科技股份有限公司 | 适用于智能交互平板的多功能电路 |
| CN213093201U (zh) * | 2020-10-21 | 2021-04-30 | 深圳市德明新微电子有限公司 | 一种红外接收装置 |
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