CN112185941A - 半导体封装件、电机控制器及新能源汽车 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种半导体封装件、电机控制器以及新能源汽车。其中，该半导体封装件包括：基板，第一导电片，第二导电片及第三导电片；基板设置有第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层间隔设置，第一金属层和第二金属层呈绝缘设置，第一金属层上安装有第一芯片组，第二金属层上安装有第二芯片组；第一导电片与第一金属层电连接；第二导电片与第一芯片组背离第一金属层的表面连接，还与第二金属层连接；第三导电片与第二芯片组背离第二金属层的表面连接。本发明半导体封装件降低半导体封装件的尺寸，提高半导体封装件的功率密度。

Description

半导体封装件、电机控制器及新能源汽车
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体封装件、应用该半导体封装件的电机控制器及新能源汽车。
背景技术
通常具备半桥/全桥功能的半导体器件的封装，大多数采取绑定线或者金属带的连接工艺使得上桥臂和下桥臂实现电气连接，带来工艺流程的增加，增加了物料，带来了物料成本的增加；其次，物料在实现电气连接功能时，都需要从芯片引出后转接到基板上，增大了散热基板的尺寸，减小了芯片的散热面，上述问题造成了半导体封装件尺寸的增大，最终导致半导体封装件的功率密度降低。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种半导体封装件，旨在降低半导体封装件的尺寸，提高半导体封装件的功率密度。
为实现上述目的，本发明提出的半导体封装件包括：
基板，所述基板的一表面设置有第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层间隔设置，所述第一金属层上安装有第一芯片组，所述第二金属层上安装有第二芯片组；
第一导电片，所述第一导电片与所述第一金属层电连接，所述第一导电片用于输入和输出直流信号；
第二导电片，所述第二导电片与所述第一芯片组背离所述第一金属层的表面连接，还与所述第二金属层连接，所述第二导电片用于输出流经所述第一芯片组的交流信号、以及输入交流信号至第二金属层；及
第三导电片，所述第三导电片与所述第二芯片组背离所述第二金属层的表面连接，所述第三导电片用于输出流经所述第二芯片组的直流信号、或者输入直流信号至所述第二芯片组。
在本发明的一实施例中，所述第一金属层包括第一金属件和第二金属件，所述第一金属件与所述第二金属件呈夹角设置，所述第一金属件和所述第二金属件均与所述第二金属层间隔设置，并沿着所述第二金属层的相邻两侧边设置；
所述第一金属件上设置有所述第一芯片组，所述第二金属件与所述第一导电片连接。
在本发明的一实施例中，所述第一金属层还包括第三金属件，所述第三金属件与所述第一金属件连接，所述第三金属件与所述第二金属件间隔设置，所述第三金属件和所述第二金属件分别位于所述第二金属层的两侧；
所述半导体封装件包括两个所述第一导电片，其中一个所述第一导电片与所述第二金属件连接，另一个所述第一导电片与所述第三金属件连接。
在本发明的一实施例中，所述第二金属件远离所述第一金属件的一端向侧边延伸形成第一连接板，所述第一连接板与所述第一导电片连接；
且/或，所述第三金属件远离所述第一金属件的一端向侧边延伸形成第二连接板，所述第二连接板与另一所述第一导电片连接。
在本发明的一实施例中，所述基板上还设置有第一定位板，所述第一定位板与所述第一金属层相邻设置，所述第一定位板与所述第二导电片连接；
且/或，所述基板上还设置有第二定位板，所述第二定位板与所述第二金属层相邻设置，所述第二定位板与所述第三导电片连接。
在本发明的一实施例中，所述第二导电片对应所述第一芯片组和所述第二金属层均设置有第一凸部；
且/或，所述第三导电片对应所述第二芯片组设置有第二凸部。
在本发明的一实施例中，所述基板的另一表面还设置有第三金属层，所述第三金属层用于提高所述半导体封装件的整体强度。
在本发明的一实施例中，所述半导体封装件包括塑封层，所述塑封层与所述基板的一侧面连接，并覆盖所述第一金属层、所述第二金属层、所述第一导电片、所述第二导电片及所述第三导电片。
本发明还提出一种电机控制器，包括总控电路板和所述半导体封装件，所述总控电路板的直流母线正极与所述半导体封装件的第一导电片连接，所述总控电路板的直流母线负极与所述半导体封装件的第三导电片连接，所述总控电路板的交流母线输出极与第二导电片连接。
本发明还提出一种新能源汽车，包括所述的电机控制器。
本发明技术方案通过在基板上设置有间隔且绝缘设置的第一金属层和第二金属层，使得第一芯片组设于第一金属层上，第二芯片组设于第二金属层上；同时，将第一导电片与第一金属层连接，第二导电片连接于第一芯片组背向第一金属层的表面，第二导电片与第一芯片组和第二金属层电连接，第三导电片与第二芯片组背向第二金属层的表面连接，第三导电片与第二芯片组电连接。因此，可使第一芯片组的两个表面与第一金属层和第二导电片贴合，第二芯片组的两个表面与第二金属层和第三导电片贴合，使得第一芯片组和第二芯片组的两个表面均与金属材质贴合，提高第一芯片组和第二芯片组的散热；同时，避免采用绑定线或者金属带的连接工艺，有效节省了基板的空间，实现小型化半导体封装件的目的，提高基板上的功率密度。在半导体封装件应用于电动状态下，正极直流信号能够从第一导电片传递到第一金属层，再从第一金属层经由第一芯片组转换为交变信号后，从第二导电片输出；另一交变信号从第二导电片输入后，第二芯片组将交变信号转换为负极直流信号后，经由第二金属层传递至第三导电片，以实现负极直流信号的输出。在半导体封装件应用于发电状态下，交变信号从第二导电片输出传入，经由第一芯片组后转换为直流信号，再从第一导电片传出；另一直流信号可从第三导电片传入到第二芯片组，第二芯片组将直流信号转换为交变信号后从第二导电片传出。本发明半导体封装件降低半导体封装件的尺寸，提高半导体封装件的功率密度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明半导体封装件一实施例的结构示意图；
图2为图1中半导体封装件的侧视图；
图3为图1中半导体封装件另一可行方案的侧视图；
图4为本发明半导体封装件第二实施例的结构示意图；
图5为本发明半导体封装件第三实施例的结构示意图。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
1 基板 14 第二芯片组
11 第一金属层 15 第一定位板
111 第一金属件 16 第二定位板
112 第二金属件 17 第三金属层
114 第一连接板 2 第一导电片
113 第三金属件 3 第二导电片
115 第二连接板 31 第一凸部
12 第二金属层 4 第三导电片
13 第一芯片组 41 第二凸部
本发明的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义为，包括三个并列的方案，以“A和/或B为例”，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种半导体封装件。具体参考图1，为本发明半导体封装件一实施例的结构示意图；参考图2，为图1中半导体封装件的侧视图；参考图3，为图1中半导体封装件另一可行方案的侧视图；参考图4，为本发明半导体封装件第二实施例的结构示意图；参考图5，为本发明半导体封装件第三实施例的结构示意图。
在本发明实施例中，如图1所示，并结合图2、图3、图4及图5所示，该半导体封装件，包括：基板1、第一导电片2、第二导电片3及第三导电片4；基板1的一表面设置有第一金属层11和第二金属层12，第一金属层11和第二金属层12间隔设置，第一金属层11和第二金属层12之间具有一定的绝缘距离，第一金属层11上安装有第一芯片组13，第二金属层12上安装有第二芯片组14；第一导电片2与第一金属层11电连接，第一导电片2用于输入和输出直流信号；第二导电片3与第一芯片组13背离第一金属层11的表面连接，第二导电片3还与第二金属层12连接，第二导电片3用于输出流经第一芯片组13的交流信号、以及输入交流信号至第二金属层12；第三导电片4与第二芯片组14背离第二金属层12的表面连接，第三导电片4用于输出流经第二芯片组14的直流信号，或者输入直流信号至第二芯片组14。也就是说，在第一金属层11和第二金属层12间隔且绝缘设置的前提下，第一金属层11和第二金属层12的轮廓形状可依据特定的需求，调整为需要的形状，在此不限定第一金属层11和第二金属层12的轮廓形状。
在本实施例中，通过在基板1上设置有间隔且绝缘设置的第一金属层11和第二金属层12，使得第一芯片组13设于第一金属层11上，第二芯片组14设于第二金属层12上；同时，将第一导电片2与第一金属层11连接，第二导电片3连接于第一芯片组13背向第一金属层11的表面，第二导电片3与第一芯片组13和第二金属层12电连接，第三导电片4与第二芯片组14背向第二金属层12的表面连接，第三导电片4与第二芯片组14电连接。因此，可使第一芯片组13的两个表面与第一金属层11和第二导电片3贴合，第二芯片组14的两个表面与第二金属层12和第三导电片4贴合，使得第一芯片组13和第二芯片组14的两个表面均与金属材质贴合，提高第一芯片组13和第二芯片组14的散热；同时，避免采用绑定线或者金属带的连接工艺，有效节省了基板1的空间，实现小型化半导体封装件的目的，提高基板1上的功率密度。在半导体封装件应用于电动状态下，正极直流信号能够从第一导电片2传递到第一金属层11，再从第一金属层11经由第一芯片组13转换为交变信号后，从第二导电片3输出；另一交变信号从第二导电片3输入后，第二芯片组14将交变信号转换为负极直流信号后，经由第二金属层12传递至第三导电片4，以实现负极直流信号的输出。在半导体封装件应用于发电状态下，交变信号从第二导电片3输出传入，经由第一芯片组13后转换为直流信号，再从第一导电片2传出；另一直流信号可从第三导电片4传入到第二芯片组14，第二芯片组14将直流信号转换为交变信号后从第二导电片3传出。本发明半导体封装件降低半导体封装件的尺寸，提高半导体封装件的功率密度。
在本发明的一实施例中，结合图5所示，第一金属层11和第二金属层12的轮廓均可为矩形，第一金属层11和第二金属层12可并行设置。
在本发明的一实施例中，结合图1和图4所示，第一金属层11和第二金属层12二者之一的轮廓均可为矩形，第一金属层11和第二金属层12二者之另一的轮廓均可为框体或弯折的多段式形状。例如：第一金属层11的轮廓为全包边的框体，第二金属层12位于框体的中部；或者，第一金属层11的轮廓为边缘设置有开口的框体，第二金属层12位于框体的中部。
在本发明的一实施例中，结合图1、图4及图5所示，为了提高半导体封装件的结构合理化，定义基板1具有左右方向，基板1具有左端和右端；也就是说，第一导电片2与第一金属层11连接，第三导电片4与第二芯片组14连接，第二导电片3与第一芯片组13和第二金属层12连接后，第一导电片2和第三导电片4位于基板1的左端，第二导电片3位于基板1的右端。
可选地，第一导电片2与第一金属层11之间通过焊锡连接，也可采用激光焊接连接，或超声波焊接连接，或银烧结连接。
可选地，第三导电片4与第二芯片组14之间通过焊锡连接，也可采用激光焊接连接，或超声波焊接连接，或银烧结连接。
可选地，第二导电片3与第一芯片组13和第二金属层12之间均通过焊锡连接，也可采用激光焊接连接，或超声波焊接连接，或银烧结连接。
可选地，基板1为绝缘材质。例如：陶瓷材质。
可选地，在基板1上设置有第一金属层11和第二金属层12的工艺可以为：金属沉降、蚀刻、雕刻等工艺。
在本发明的一实施例中，可在基板1上覆盖有一整片的金属层，在通过蚀刻工艺蚀刻金属层，在基板1上形成有第一金属层11和第二金属层12，在将第一芯片组13和第二芯片组14对应焊接于第一金属层11和第二金属层12。
可选地，为了提高第一芯片组13和第二芯片组14的信号传递效率，第一金属层11和第二金属层12为铜材。
可选地，第一导电片2、第二导电片3及第三导电片4均为导电效果好的材质，例如：铜材质。
可选地，第一芯片组13包括多个芯片。
可选地，第二芯片组14包括多个芯片。
在本发明的一实施例中，结合图2和图3所示，在基板1背离第一金属层11和第二金属层12的表面设置有第三金属层17，第三金属层17可为整体覆盖基板1，以增强基板1的强度，提高半导体封装件的整体硬度，避免基板1、第一金属层11及第二金属层12折弯的事故发生，保证半导体封装件的电路正常运作。另一方面，通过在基板1上还设置有第三金属层17的结构，第三金属层17还可作为散热结构，增大基板1的散热效率。
可选地，可在第三金属层17和基板1之间填充有导热硅脂，以提高散热性能。
在本发明的一实施例中，结合图1所示，第一金属层11包括第一金属件111和第二金属件112，第一金属件111与第二金属件112呈夹角设置，第一金属件111和第二金属件112均与第二金属层12间隔设置，并沿着第二金属层12的相邻两侧边设置；第一金属件111上设置有第一芯片组13，第二金属件112与第一导电片2连接。其中，第一金属件111和第二金属件112均与第二金属层12之间绝缘设置。
在本实施例中，第一金属层11包括第一金属件111和与第一金属层11连接的第二金属件112，使得第一金属层11为一具有折角的金属层。定义基板1具有上下方向，上下方向与左右方向呈垂直设置，采用第一金属层11为具有折角的金属层，使得第一金属层11包括在上下方向的第一金属件111，以及第一金属层11包括在左右方向的第二金属件112，有效地提高第一金属层11的覆盖面积，提高第一金属层11与基板1之间的连接强度。另一方面，采用第一金属件111和第二金属件112沿着第二金属层12的相邻两侧边设置，第一导电片2可与第二金属件112连接，以根据实际情况调整第二导电片3的连接位置，提高半导体封装件的适应性。
可选地，在第一导电片2、第二导电片3及第三导电片4的制造中，可通过冲压工艺，在一块金属片上冲压形成第一导电片2、第二导电片3及第三导电片4；其中，由于需要采用第二导电片3和第三导电片4分别连接第一芯片组13和第二芯片组14，因此，相比较于现有的引线连接第一芯片组13和第二芯片组14的方案，第二导电片3和第三导电片4的面积较大，可提高金属片的使用效率，进而减少耗材。
可选地，结合图1所示，第二金属件112远离第一金属件111的一端向侧边延伸形成第一连接板114，第一连接板114与第一导电片2连接。
在本实施例中，在第二金属件112远离第一金属件111的一端向侧边延伸形成第一连接板114，以增大第二金属件112与第一导电片2之间的连接面积，提高第二金属件112与第一导电片2之间的连接稳定性。另一方面，第二金属件112和第一金属件111连接的结构，还增加了第一金属层11与基板1的接触面积，提高散热效率。
在本发明的一实施例中，结合图1所示，第一金属层11还包括第三金属件113，第三金属件113与第一金属件111连接，第三金属件113与第二金属件112间隔设置，第三金属件113和第二金属件112分别位于第二金属层12的两侧；半导体封装件包括两个第一导电片2，其中一个第一导电片2与第二金属件112连接，另一个第一导电片2与第三金属件113连接。其中，第一金属件111、第二金属件112及第三金属件113均与第二金属层12之间绝缘设置。
在本实施例中，采用第三金属件113和第二金属件112分别位于第二金属层12的两侧，第三金属件113和第二金属件112分别连接两个第一导电片2，以实现两个第一导电片2均可接入直流信号，提高信号输入的稳定性。另一方面，降低输入系统的杂散电感，提高第一芯片组的均流能力。
可选地，第三金属件113和第二金属件112可连接于第一金属件111同一侧边，第三金属件113可与第二金属件112相对设置，并位于第二金属层12的相对两侧。
可选地，第三金属件113和第二金属件112可连接于第一金属件111同背两侧边，第三金属件113的延长段与第二金属件112的延长段呈并行设置。
可选地，第三金属件113和第二金属件112可连接于第一金属件111同背两侧边，第三金属件113的延长段与第二金属件112的延长段呈重合设置。
在本发明的一实施例中，第三金属件113和第二金属件112分别位于第二金属层12的相背两侧，第三金属件113和第二金属件112与第二金属层12呈绝缘设置，结合图1所示，第三金属件113远离第一金属件111的一端向侧边延伸形成第二连接板115，第二连接板115与另一第一导电片2连接。
在本实施例中，在第三金属件113远离第一金属件111的一端向侧边延伸形成第二连接板115，以增大第三金属件113与第一导电片2之间的连接面积，提高第三金属件113与第一导电片2之间的连接稳定性。另一方面，第二金属件112和在第三金属件113与第一金属件111连接的结构，还增加了第一金属层11与基板1的接触面积，提高散热效率。
在本发明的一实施例中，结合图1所示，基板1上还设置有第一定位板15，第一定位板15与第一金属层11相邻设置，第一定位板15与第二导电片3连接；
在本实施例中，由于第二导电片3与第一芯片组13的连接之间为直接连接，当半导体封装件应用的产品被移动或碰撞时，第二导电片3部分受力，第二导电片3与第一芯片组13之间会产生振动，进而导致第二导电片3与第一芯片组13之间存在连接不稳定的情况，因此，在基板1上还设置有与第一金属层11相邻的第一定位板15，第二导电片3与第一定位板15连接，以实现第二导电片3与第一定位板15之间的定位，提高第二导电片3与第一芯片组13之间的连接稳定性。
可选地，第一定位板15为金属层，可与第二导电片3热传导，提高散热效率。
可选地，第一定位板15为金属材质，例如：铜材质。
可选地，第一定位板15与第二导电片3之间通过焊锡连接；或者，第一定位板15与第二导电片3之间也可采用激光焊接连接，或超声波焊接连接，或银烧结连接。
在本发明的一实施例中，结合图1所示，基板1上还设置有第二定位板16，第二定位板16与第二金属层12相邻设置，第二定位板16与第三导电片4连接。
在本实施例中，由于第三导电片4与第二芯片组14的连接之间为直接连接，当半导体封装件应用的产品被移动或碰撞时，第三导电片4与第二芯片组14之间会产生振动，进而导致第三导电片4与第二芯片组14之间存在连接不稳定的情况，因此，在基板1上还设置有与第二金属层12相邻的第二定位板16，第三导电片4与第二定位板16连接，以实现第三导电片4与第二定位板16之间的定位，提高第三导电片4与第二芯片组14之间的连接稳定性。
可选地，第二定位板16为金属层，可与第三导电片4热传导，提高散热效率。
可选地，第二定位板16为金属材质，例如：铜材质。
可选地，第二定位板16与第三导电片4之间通过焊锡连接。或者，第二定位板16与第三导电片4之间也可采用激光焊接连接，或超声波焊接连接，或银烧结连接。
在本发明的一实施例中，可在基板1上覆盖有金属层，通过蚀刻工艺，在基板1上形成有第一金属层11、第二金属层12、第一定位板15及第二定位板16。第一金属层11、第二金属层12、第一定位板15及第二定位板16之间相互间隔。
可选地，第一定位板15位于第一金属层11背离第二金属层12的一侧。
可选地，第二定位板16位于第二金属层12背离第一金属层11的一侧。
在本发明的一实施例中，结合图3所示，第二导电片3对应第一芯片组13和第二金属层12均设置有第一凸部31。另一方面，第二导电片3对应第一定位板15也设置有第一凸部31。
在本实施例中，在第二导电片3设置有第一凸部31的结构，可以减少基板1上对应第一芯片组13、第二金属层12及第一定位板15的垫料，降低制造半导体封装件的难度。
可选地，第二导电片3为金属冲压成型的钣金件；也就是说，第二导电片3上的部分区域折弯形成第一凸部31。采用部分折弯第二导电片3的结构，可也提高第二导电片3的左右方向和上下方向的抗压能力，提高第二导电片3与第一芯片组13的连接稳定性。
基于上述，当第二导电片3为一板体结构。此时，由于第一芯片具有一定厚度，导致第二导电片3与第二金属层12和第一定位板15具有一定的距离，可采用在第二导电片3与第二金属层12和第一定位板15之间填充有铜片或焊料的方式，实现连接。
在本发明的一实施例中，结合图3所示，第三导电片4对应第二芯片组14设置有第二凸部41。另一方面，第三导电片4对应第二定位板16也设置有第二凸部41。
在本实施例中，在第三导电片4设置有第二凸部41的结构，可以减少基板1上对应第二芯片组14和第二定位板16的垫料，降低制造半导体封装件的难度。
可选地，第三导电片4为金属冲压成型的钣金件；也就是说，第三导电片4上的部分区域折弯形成第二凸部41。采用部分折弯第三导电片4的结构，可也提高第三导电片4的左右方向和上下方向的抗压能力，提高第三导电片4与第二芯片组14的连接稳定性。
基于上述，当第三导电片4为一板体结构。此时，由于第二芯片具有一定厚度，导致第三导电片4与第二定位板16具有一定的距离，可采用在第三导电片4与第二定位板16之间填充有铜片或焊料的方式，实现连接。
在本发明的一实施例中，结合图2和图3所示，基板1的另一表面还设置有第三金属层17，避免基板1单面覆盖第一金属层11和第二金属层12导致基板1受力不均匀而损坏的情况，第三金属层17用于提高半导体封装件的整体强度。另一方面，通过在基板1上还设置有第三金属层17的结构，第三金属层17还可作为散热结构，增大基板1的散热效率。
在本发明的一实施例中，半导体封装件包括塑封层(图未示)，塑封层与基板1的一侧面连接，并覆盖第一金属层11、第二金属层12、第一导电片2、第二导电片3及第三导电片4。同时，塑封层还包覆第一定位板15和第二定位板16。其中，塑封层将第一金属层11、第二金属层12、第一导电片2、第二导电片3、第三导电片4、第一定位板15及第二定位板16一体封装，形成一个封装件，避免外部导电材质进入到基板1上，提高半导体封装件的整体稳定性。
可以理解地，第三金属层17为用于提高半导体封装件的散热效率，在塑封层包覆基板1时，不包覆第三金属层17，使得第三金属层17可外露，提高散热效果。
本发明还提出一种电机控制器，该电机控制器包括总控电路板和半导体封装件，该半导体封装件的具体结构参照上述实施例，由于本电机控制器采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的全部有益效果，在此不再一一赘述。其中，所述总控电路板的直流母线正极与所述半导体封装件的第一导电片2连接，所述总控电路板的直流母线负极与所述半导体封装件的第三导电片4连接，所述总控电路板的交流母线输出极与第二导电片3连接。
可以理解地，所述总控电路板上设置有微控制单元，微控制单元与导电体封装件的第一导电片2、第二导电片3及第三导电片4电连接，以实现信号转换。也就是说，根据微控制单元的控制，可使得电机控制器处于电动状态或发电状态。
在本实施例中，所述总控电路板的直流母线正极通过第一导电片2与第一金属层11连接。第一金属层11与第一芯片组13连接，第一芯片组13上表面的发射极E/源极S极与第二导电片3连接，第一芯片组13作为上桥开关管，第一金属层11形成上桥开关管的集电极C/漏极D的导电层。
在本实施例中，直流母线负极通过第三导电片4与第二芯片组14上表面的发射极E/源极S极连接，第二芯片组14下表面与第二金属层12连接，第二芯片组14作为下桥开关管，第二金属层12形成下桥开关管的集电极C/漏极D的导电层。
在本实施例中，所述总控电路板的交流母线输出极通过第二导电片3与第二芯片组14的正面的发射极E极/源极S连接，还与第二芯片组14下表面接触的第二金属层12连接。
本发明还提出一种新能源汽车，该新能源汽车包括电机控制器，该电机控制器的具体结构参照上述实施例，由于本新能源汽车采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的全部有益效果，在此不再一一赘述。
在本实施例中，该新能源汽车包括汽车本体和电机控制器，电机控制器设于汽车本体，并与汽车本体的各个元器件电连接，以获取汽车本体的运行状态。其中，各个元器件包括电机和电池。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的创造构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件包括：
基板，所述基板的一表面设置有第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层间隔设置，所述第一金属层和所述第二金属层呈绝缘设置，所述第一金属层上安装有第一芯片组，所述第二金属层上安装有第二芯片组；
第一导电片，所述第一导电片与所述第一金属层电连接，所述第一导电片用于输入和输出直流信号；
第二导电片，所述第二导电片与所述第一芯片组背离所述第一金属层的表面连接，还与所述第二金属层连接，所述第二导电片用于输出流经所述第一芯片组的交流信号、以及输入交流信号至第二金属层；及
第三导电片，所述第三导电片与所述第二芯片组背离所述第二金属层的表面连接，所述第三导电片用于输出流经所述第二芯片组的直流信号、或者输入直流信号至所述第二芯片组。
2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一金属层包括第一金属件和第二金属件，所述第一金属件与所述第二金属件呈夹角设置，所述第一金属件和所述第二金属件均与所述第二金属层间隔设置，并沿着所述第二金属层的相邻两侧边设置；
所述第一金属件上设置有所述第一芯片组，所述第二金属件与所述第一导电片连接。
3.如权利要求2所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一金属层还包括第三金属件，所述第三金属件与所述第一金属件连接，所述第三金属件与所述第二金属件间隔设置，所述第三金属件和所述第二金属件分别位于所述第二金属层的两侧；
所述半导体封装件包括两个所述第一导电片，其中一个所述第一导电片与所述第二金属件连接，另一个所述第一导电片与所述第三金属件连接。
4.如权利要求3所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二金属件远离所述第一金属件的一端向侧边延伸形成第一连接板，所述第一连接板与所述第一导电片连接；
且/或，所述第三金属件远离所述第一金属件的一端向侧边延伸形成第二连接板，所述第二连接板与另一所述第一导电片连接。
5.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述基板上还设置有第一定位板，所述第一定位板与所述第一金属层相邻设置，所述第一定位板与所述第二导电片连接；
且/或，所述基板上还设置有第二定位板，所述第二定位板与所述第二金属层相邻设置，所述第二定位板与所述第三导电片连接。
6.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二导电片对应所述第一芯片组和所述第二金属层均设置有第一凸部；
且/或，所述第三导电片对应所述第二芯片组设置有第二凸部。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的半导体封装件，其特征在于，所述基板的另一表面还设置有第三金属层，所述第三金属层用于提高所述半导体封装件的整体强度。
8.如权利要求1至6中任意一项所述的半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件包括塑封层，所述塑封层与所述基板的一侧表面连接，并覆盖所述第一金属层、所述第二金属层、所述第一导电片、所述第二导电片及所述第三导电片。
9.一种电机控制器，其特征在于，包括总控电路板和如权利要求1至8中任意一项所述的半导体封装件，所述总控电路板的直流母线正极与所述半导体封装件的第一导电片连接，所述总控电路板的直流母线负极与所述半导体封装件的第三导电片连接，所述总控电路板的交流母线输出极与第二导电片连接。
10.一种新能源汽车，其特征在于，包括如权利要求9所述的电机控制器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2023065602A1 (zh) * 2021-10-18 2023-04-27 苏州汇川联合动力系统有限公司 功率模块及电机控制器
WO2023202676A1 (zh) * 2022-04-21 2023-10-26 苏州汇川联合动力系统股份有限公司 功率模块和电机控制器

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