CN112151954A - 壳体组件、电子设备及壳体组件的介电常数调节方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例提供一种壳体组件、电子设备及壳体组件的介电常数调节方法。所述壳体组件包括：第一电极层，用于输入偏置电压的第一极；第二电极层，与所述第一电极层间隔层叠设置，以在所述第一电极层及所述第二电极层之间形成一容置空间，所述第二电极层用于输入所述偏置电压的第二极；压控材料层，设置于所述容置空间内，用于在所述偏置电压的作用下，调节所述壳体组件的介电常数。本申请实施例提供的壳体组件的介电常数可调，当壳体组件位于天线的辐射范围内时，可以对天线的频率进行调节。

Description

壳体组件、电子设备及壳体组件的介电常数调节方法

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种壳体组件、电子设备及壳体组件的介电常数调节方法。

背景技术

毫米波具有高载频、大带宽的特性，是实现第五代(5th-Generation，5G)移动通信超高数据传输速率的主要手段。采用同一个天线或天线阵，通过动态改变其物理结构或尺寸，使其具有多个天线的功能，这种天线称为可重构天线。如何对可重构天线的频率进行调节是当前面临的挑战。

发明内容

本申请实施例提供一种壳体组件，包括：

第一电极层，用于输入偏置电压的第一极；

第二电极层，与所述第一电极层间隔层叠设置，以在所述第一电极层及所述第二电极层之间形成一容置空间，所述第二电极层用于输入所述偏置电压的第二极；

压控材料层，设置于所述容置空间内，用于在所述偏置电压的作用下，调节所述壳体组件的介电常数。

本申请实施例提供的壳体组件包括第一电极层、第二电极层和压控材料层，第一电极层用于输入偏置电压的第一极；第二电极层与所述第一电极层间隔层叠设置，以在所述第一电极层及所述第二电极层之间形成一容置空间，所述第二电极层用于输入所述偏置电压的第二极；压控材料层设置于所述容置空间内，用于在所述偏置电压的作用下，调节所述壳体组件的介电常数。通过在压控材料层的两端设置第一电极层和第二电极层，且第一电极层具有第一极，第二电极层具有第二极，第一极和第二极之间形成偏置电压，调节压控材料层两端的偏置电压的大小以实现对壳体组件的介电常数的调节，扩大了壳体组件的应用场景。当壳体组件位于天线的辐射范围内时，通过调节壳体组件的介电常数可实现对天线辐射频率进行调节。

本申请实施例还提供一种电子设备，所述电子设备包括至少一个天线辐射体以及如上任意实施例提供的壳体组件，至少部分所述第一电极层、所述压控材料层、所述第二电极层位于所述天线辐射体收发射频信号的预设方向范围内，所述第一电极层、所述压控材料层和所述第二电极层相互配合以对所述天线辐射体收发射频信号的频率进行调节。

本申请实施例还提供一种电子设备的壳体组件的介电常数调节方法，所述电子设备包括如上任意实施例提供的壳体组件，所述方法包括：获取网络设备的发射频率；基于所述发射频率，将所述偏置电压调整为目标偏置电压；根据所述目标偏置电压，调节所述壳体组件的介电常数。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施方式的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种壳体组件的结构示意图。

图2是本申请实施例提供的另一种壳体组件的结构示意图。

图3是本申请实施例提供的又一种壳体组件的结构示意图。

图4是本申请实施例提供的又一种壳体组件的结构示意图。

图5是本申请实施例提供的一种第一谐振层的结构示意图。

图6是本申请实施例提供的一种第二谐振层的结构示意图。

图7是本申请实施例提供的壳体组件的S参数仿真图。

图8是本申请实施例提供的又一种壳体组件的结构示意图。

图9是本申请实施例提供的又一种壳体组件的结构示意图。

图10是本申请实施例提供的又一种壳体组件的结构示意图。

图11是本申请实施例提供的又一种壳体组件的结构示意图。

图12是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。

图13是本申请实施例提供的另一种电子设备的结构示意图。

图14是本申请实施例提供的又一种电子设备的结构示意图。

图15是本申请实施例提供的一种电子设备的壳体组件的介电常数调节方法的流程图。

图16是本申请实施例提供的一种电子设备的壳体组件的介电常数调节方法的局部流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1，本申请实施例提供的壳体组件10包括第一电极层110、第二电极层120和压控材料层200。第一电极层110用于输入偏置电压U的第一极a，第二电极层120与所述第一电极层110间隔层叠设置，以在所述第一电极层110及所述第二电极层120之间形成一容置空间A，所述第二电极层120用于输入所述偏置电压U的第二极b。压控材料层200设置于所述容置空间A内，用于在所述偏置电压U的作用下，调节所述壳体组件10的介电常数。

其中，所述第一电极层110和所述第二电极层120均为透明导电材料。所述第一电极层110具有第一极a，所述第二电极层120具有第二极b，所述第一极a和所述第二极b之间形成所述偏置电压U，也就是说，第一极a和第二极b之间形成电压差。第一电极层110和第二电极层120间隔设置，第一电极层110和第二电极层120之间形成容置空间A，所述压控材料层200位于所述容置空间A内，所述压控材料层200可以在偏置电压U的作用下，调节壳体组件10的介电常数。其中，压控材料层200即受到电压作用时，材料属性会产生变化。

在一实施方式中，所述壳体组件10的局部区域的介电常数可调节。即可以针对壳体组件10的局部区域进行介电常数的调节，此时，壳体组件10其他区域的介电常数并不会受到影响，从而对壳体组件10的不同区域进行区分式的调节，可以较为灵活的调节壳体组件10的介电常数，使得壳体组件10可以应用于复杂的应用场景。

在另一实施方式中，所述壳体组件10的全部区域的介电常数可调节。即可以针对整个壳体组件10的全部区域进行介电常数的调节，此时，可以降低对壳体组件10介电常数的调节难度，且由于壳体组件10的全部区域的介电常数均可调节，针对壳体组件10的不同区域的结构可以保持一致，降低了壳体组件10的加工难度。

请继续参阅图2，在一种实施方式中，所述第一电极层110的局部区域设置有第一谐振层130，所述第二电极层120的局部区域设置有第二谐振层140，所述压控材料层200位于所述第一谐振层130和所述第二谐振层140之间，所述第一谐振层130和所述第二谐振层140相互配合以调节所述壳体组件10对射频信号的透过率。所述第一谐振层130和所述第二谐振层140用于使得射频信号产生谐振，以提高射频信号的辐射增益。当射频信号经过第一谐振层130和第二谐振层140的谐振作用后，射频信号具有更强的穿透性，即射频信号的透过率更高。此时，第一电极层110的面积大于第一谐振层130的面积，第二电极层120的面积大于第二谐振层140的面积。第一谐振层130占用第一电极层110的局部区域，第二谐振层140占用第二电极层120的局部区域。

其中，所述第一谐振层130和所述第二谐振层140中的至少一个呈网格状。此时，射频信号在第一谐振层130和第二谐振层140上的震荡幅度减小，当入射波有较高的频率时，电子震荡逐渐幅度减小，感生电流增大，直至入射波频率升高到某一频段范围，电子震荡产生的感应电流充分在孔径两侧辐射能量，使得入射波的的透射率达到最大值，但如果入射波的频率进一步提高，电子震动幅度更小，感应产生的电流减小，辐射产生的透射场减弱，从而透射率下降。也就是说，当所述第一谐振层130和所述第二谐振层140中的至少一个呈网格状时，可以更加显著的对射频信号的透过率进行调节。

请继续参阅图3，在另一种实施方式中，所述第一电极层110构成第一谐振层130，所述第二电极层120构成第二谐振层140，所述第一谐振层130和所述第二谐振层140相互配合以提高所述壳体组件10对射频信号的穿透率。此时，第一电极层110本身充当第一谐振层130，第二电极层120本身充当第二谐振层140，即第一电极层110和第二电极层120之间形成偏置电压U，以调节壳体组件10的介电常数。此外，第一电极层110和第二电极层120还分别构成第一谐振层130和第二谐振层140，以对射频信号的透过率进行调节。

请继续参阅图4，在又一种实施方式中，所述壳体组件10还包括第一谐振层130和第二谐振层140，所述第一电极层110位于所述第一谐振层130的局部区域，所述第二电极层120位于所述第二谐振层140的局部区域。此时，第一电极层110的面积小于第一谐振层130的面积，第二电极层120的面积小于第二谐振层140的面积，第一电极层110可以为局部的电极，第二电极层120也可以为局部的电极。第一电极层110占用第一谐振层130的局域区域，第二电极层120占用第二谐振层140的局部区域。第一谐振层130可以为一整层的谐振结构，第二谐振层140也可以为一整层的谐振结构，有助于降低壳体组件10的制备工艺。

当所述偏置电压U作用于所述压控材料层200以使得所述壳体组件10的介电常数位于光波段时，可对所述壳体组件10的色彩进行调节。

其中，光波通常是指电磁波谱中的可见光。可见光通常是指频率范围在3.9×1014～7.5×1014Hz之间的电磁波，其真空中的波长约为400～760nm。光在真空中的传播速度为c＝3×108m/s，是自然界中物质运动的最快速度。光波是横波，其中电场强度E和磁感应强度B(或磁场强度H)彼此相互垂直，并且都与传播方向垂直。通过调节偏置电压U的大小，当壳体组件10的介电常数工作于光波段时，壳体组件10上会呈现出颜色变化，增加了壳体组件10的外观炫酷感。且通过壳体组件10的外观颜色变化，在一定程度上可以弥补壳体组件10材质上的不足。

本申请实施例提供的壳体组件10包括第一电极层110、第二电极层120和压控材料层200，第一电极层110用于输入偏置电压U的第一极a；第二电极层120与所述第一电极层110间隔层叠设置，以在所述第一电极层110及所述第二电极层120之间形成一容置空间A，所述第二电极层120用于输入所述偏置电压U的第二极b；压控材料层200设置于所述容置空间A内，用于在所述偏置电压U的作用下，调节所述壳体组件10的介电常数。通过在压控材料层200的两端设置第一电极层110和第二电极层120，且第一电极层110具有第一极a，第二电极层120具有第二极b，第一极a和第二极b之间形成偏置电压U，调节压控材料层200两端的偏置电压U的大小以实现对壳体组件10的介电常数的调节，扩大了壳体组件10的应用场景。当壳体组件10位于天线的辐射范围内时，通过调节壳体组件10的介电常数可实现对天线辐射频率进行调节。

请继续参阅图5和图6，在一种实施方式中，所述第一谐振层130包括多个呈阵列排布的第一谐振单元131，所述第二谐振层140包括多个呈阵列排布的第二谐振单元141，所述第一谐振单元131包括第一子谐振单元132和环绕所述第一子谐振单元132的第二子谐振单元133，所述第一子谐振单元132和所述第二子谐振单元133之间具有间隙，所述第二谐振单元141具有通孔141a，至少部分所述第一子谐振单元132在所述第二谐振单元141上的投影位于所述通孔141a内。

其中，第一子谐振单元132的轮廓尺寸为1.15mm×1.15mm，第一子谐振单元132的厚度为0.1mm。第二子谐振单元133的外部轮廓尺寸为2mm×2mm，第二子谐振单元133的内部轮廓尺寸为1.8mm×1.8mm，第二子谐振单元133的厚度为0.1mm。压控材料层200的厚度为0.1mm。第二谐振单元141的外部轮廓尺寸为2mm×2mm，第二谐振单元141的内部轮廓尺寸为1.8mm×1.8mm，第二谐振单元141的厚度为0.1mm。

所述第一谐振层130呈环形，包括第一谐振单元131以及环绕所述第一谐振单元131的第二谐振单元141，第一谐振单元131和第二谐振单元141间隔设置，第二谐振单元141具有通孔141a，至少部分所述第一子谐振单元132在所述第二谐振单元141上的投影位于所述通孔141a内。通过第一子谐振单元132谐振后的射频信号可穿过所述第二谐振单元141的通孔141a进行传输，有助于增强射频信号的透过率。

请继续参阅图7，图7是本申请实施例提供的壳体组件10的S参数仿真图。压控材料层200在加载不同偏置电压U下，具有第一状态和第二状态，在第一状态下介电常数Dk＝2.2，在第二状态下介电常数下Dk＝3.2。可以看到在第一状态下壳体组件10的谐振频点在28GHz，第二状态下壳体组件10的谐振频点切换到26GHz，可以实现n257频段到n258频段的切换。由于可知，通过调节壳体组件10的介电常数，可以实现对壳体组件10的谐振频点进行切换，扩大了壳体组件10的应用场景。

请继续参阅图8，所述壳体组件10还包括电池盖300，所述电池盖300位于所述第二电极层120背离所述压控材料层200的一侧。

其中，所述电池盖300的材质为塑料、玻璃、蓝宝石和陶瓷中的任意一种或者多种。

进一步的，所述压控材料层200为液晶层201，所述液晶层201位于所述第一电极层110和所述第二电极层120之间，所述电池盖300具有收容槽300a，所述第一电极层110、所述压控材料层200和所述第二电极层120位于所述收容槽300a内，所述壳体组件10还包括玻璃层400，所述玻璃层400盖合于所述电池盖300，以对所述第一电极层110、所述压控材料层200和所述第二电极层120形成保护。

其中，玻璃层400的材质可以与电池盖300的材质相同，玻璃层400的材质也可以与电池盖300的材质不同。所述玻璃层400可以为透明玻璃层400。玻璃层400的厚度与压控材料层200的厚度相同，均为0.1mm，可以使得玻璃层400和压控材料层200的厚度较为均匀，有助于增强壳体组件10的结构强度，同时便于对壳体组件10的介电常数进行调节。

具体的，在本实施方式中，所述电池盖300面对所述压控材料层200的一侧具有收容槽300a，所述第一电极层110、所述压控材料层200和第二电极层120收容于所述收容槽300a内，且所述收容槽300a的开口处于设置有玻璃层400，所述玻璃层400盖合于所述电池盖300，以对所述第一电极层110、所述压控材料层200和所述第二电极层120形成封装保护。

请继续参阅图9，所述压控材料层200为液晶层201，所述壳体组件10还包括连接层350和玻璃层400，所述连接层350用于将所述第二电极层120连接于所述电池盖300上，所述玻璃层400位于所述第一电极层110背离所述压控材料层200的一侧，以对所述第一电极层110、所述压控材料层200和所述第二电极层120形成保护。

具体的，在本实施方式中，所述壳体组件10包括依次层叠设置的玻璃层400、第一电极层110、压控材料层200、第二电极层120、连接层350和电池盖300。所述连接层350用于将所述第二电极层120固定于电池盖300上，所述连接层350可以为光学胶。所述玻璃层400用于对第一电极层110、压控材料层200和第二电极层120形成封装保护。

进一步的，玻璃层400的厚度与压控材料层200的厚度相同，均为0.1mm，可以使得玻璃层400和压控材料层200的厚度较为均匀，有助于增强壳体组件10的结构强度，同时便于对壳体组件10的介电常数进行调节。

请继续参阅图10，所述压控材料层200为液晶层201，所述壳体组件10还包括连接层350、第一玻璃层410和第二玻璃层420，所述连接层350相对于所述第二电极层120邻近所述电池盖300设置，所述第一玻璃层410位于所述连接层350和所述第二电极层120之间，所述连接层350用于将所述第一玻璃层410和所述第二电极层120连接，所述第二玻璃层420位于所述第一电极层110背离所述压控材料层200的一侧，所述第一玻璃层410和所述第二玻璃层420相互配合以对所述第一电极层110、所述压控材料层200和所述第二电极层120形成保护。

具体的，在本实施方式中，所述壳体组件10包括依次层叠设置的第二玻璃层420、第一电极层110、压控材料层200、第二电极层120、第一玻璃层410、连接层350和电池盖300。其中，第一玻璃层410、第二电极层120、压控材料层200、第一电极层110和第二玻璃层420可以独立成型后，再通过连接层350将第一玻璃层410固定于电池盖300上。第一玻璃层410和第二玻璃层420相互配合以对第二电极层120、压控材料层200和第一电极层110形成封装和保护。

在一种实施方式中，所述压控材料层200、所述第一玻璃层410和所述第二玻璃层420的厚度保持一致，且所述压控材料层200、所述第一玻璃层410和所述第二玻璃层420的厚度均为0.1mm，可以使得第一玻璃层410、第二玻璃层420和压控材料层200的厚度较为均匀，有助于增强壳体组件10的结构强度，且第一玻璃层410和第二玻璃层420可以同时制备，可以降低壳体组件10的制备工艺，同时便于对壳体组件10的介电常数进行调节。

请继续参阅图11，进一步的，在图10的基础上，所述第一电极层110的局部区域设置有第一谐振层130，所述第二电极层120的局部区域设置有第二谐振层140，所述压控材料层200位于所述第一谐振层130和所述第二谐振层140之间，所述第一谐振层130和所述第二谐振层140相互配合以调节所述壳体组件10对射频信号的透过率。所述第一谐振层130和所述第二谐振层140用于使得射频信号产生谐振，以提高射频信号的辐射增益。当射频信号经过第一谐振层130和第二谐振层140的谐振作用后，射频信号具有更强的穿透性，即射频信号的透过率更高。此时，第一电极层110的面积大于第一谐振层130的面积，第二电极层120的面积大于第二谐振层140的面积。第一谐振层130占用第一电极层110的局部区域，第二谐振层140占用第二电极层120的局部区域。

其中，所述第一谐振层130和所述第二谐振层140中的至少一个呈网格状。此时，射频信号在第一谐振层130和第二谐振层140上的震荡幅度减小，当入射波有较高的频率时，电子震荡逐渐幅度减小，感生电流增大，直至入射波频率升高到某一频段范围，电子震荡产生的感应电流充分在孔径两侧辐射能量，使得入射波的的透射率达到最大值，但如果入射波的频率进一步提高，电子震动幅度更小，感应产生的电流减小，辐射产生的透射场减弱，从而透射率下降。也就是说，当所述第一谐振层130和所述第二谐振层140中的至少一个呈网格状时，可以更加显著的对射频信号的透过率进行调节。

请继续参阅图12，本申请实施例还提供一种电子设备1，所述电子设备1包括至少一个天线辐射体20以及如上任意实施例提供的壳体组件10，至少部分所述第一电极层110、所述压控材料层200、所述第二电极层120位于所述天线辐射体20收发射频信号的预设方向范围内，所述第一电极层110、所述压控材料层200和所述第二电极层120相互配合以对所述天线辐射体20收发射频信号的频率进行调节。

其中，所述电子设备1可以是任何具备通信和存储功能的设备。例如：平板电脑、手机、电子阅读器、遥控器、个人计算机(Personal Computer，PC)、笔记本电脑、车载设备、网络电视、可穿戴设备等具有网络功能的智能设备。

其中，所述第一电极层110和所述第二电极层120均为透明导电材料。所述第一电极层110具有第一极a，所述第二电极层120具有第二极b，所述第一极a和所述第二极b之间形成所述偏置电压U，也就是说，第一极a和第二极b之间形成电压差。第一电极层110和第二电极层120间隔设置，第一电极层110和第二电极层120之间形成容置空间A，所述压控材料层200位于所述容置空间A内，所述压控材料层200可以在偏置电压U的作用下，调节壳体组件10的介电常数。其中，压控材料层200即受到电压作用时，材料属性会产生变化。

其中，所述天线辐射体20为毫米波天线，射频信号可以为毫米波信号。所述第一电极层110和所述第二电极层120之间形成偏置电压U，当所述偏置电压U作用于压控材料层200时，可以调节壳体组件10的介电常数。且由于至少部分所述第一电极层110、所述压控材料层200、所述第二电极层120位于所述天线辐射体20收发射频信号的预设方向范围内，因此，当壳体组件10的介电常数发生变化时，所述天线辐射体20收发射频信号的频率也会产生相应的变化，从而实现对天线辐射体20收发射频信号的频率进行调节，扩大了天线辐射体20的应用范围。

在一种实施方式中，所述压控材料层200的两端加载的偏置电压U为第一电压时，所述天线辐射体20用于收发第一频率的射频信号，所述压控材料层200的两端加载的偏置电压U为第二电压时，所述天线辐射体20用于收发第二频率的射频信号；当所述第一电压不等于所述第二电压时，所述第一频率不等于所述第二频率。

也就是说，不同的偏置电压U大小，对应不同的天线辐射体20收发射频信号的频率。通过对偏置电压U的大小进行调节，就可以实现对天线辐射体20收发射频信号的频率进行调节。当偏置电压U的大小为连续调节时，天线辐射体20收发射频信号的频率也为连续调节，此时，可以使得天线辐射体20收发射频信号的频率覆盖预设范围内的全部频段，使得天线辐射体20的功能更加完善。

请继续参阅图13，所述电子设备1还包括主板30，所述主板30上设置有偏置电路301及控制器302，所述偏置电路301用于输出偏置电压U，所述偏置电路301和所述压控材料层200之间通过设置于所述主板30上的信号线电连接，以将所述偏置电压U加载至所述压控材料层200，所述控制器302电连接所述偏置电路301，以对所述偏置电压U的大小进行调节。

其中，主板30可以为电子设备1的PCB板。所述控制器302可以为微处理器，所述控制器302电连接于所述偏置电路301，所述偏置电路301用于输出偏置电压U，偏置电路301和压控材料层200之间通过信号线电连接，以将偏置电压U加载于压控材料层200的两端，偏置电路301用于对偏置电压U的大小进行调节，进而改变压控材料层200的介电常数。

请继续参阅图14，所述电子设备1还包括电池盖300，所述主板30设置地极303，以抑制所述天线辐射体20发射的射频信号朝向所述主板30背离所述电池盖300的一侧辐射。

具体的，在主板30上设置地极303，以将天线辐射体20中的元器件进行接地，有助于消除静电的产生。且由于主板30的面积较大，可以抑制天线辐射体20发射的射频信号朝向所述主板30背离电池盖300的一侧辐射，而主板30背离电池盖300的一侧通常会设置显示屏，从而避免天线辐射体20发射的射频信号对显示屏的显示功能产生干扰。

请继续参阅图15，本申请实施例还提供一种电子设备1的壳体组件10的介电常数调节方法，所述电子设备1包括如上任意实施例提供的壳体组件10，所述方法包括但不限于S100、S200和S300，关于S100、S200和S300介绍如下。

S100：获取网络设备的发射频率。

其中，网络设备可以为基站，还可以为与其他的通信设备。

S200：基于所述发射频率，将所述偏置电压U调整为目标偏置电压U。

S300：根据所述目标偏置电压U，调节所述壳体组件10的介电常数。

具体的，以所述网络设备为基站为例进行说明，获取基站的发射频率，根据所述发射频率，将偏置电压U的大小调节为目标偏置电压U，然后根据目标偏置电压U的大小，调节壳体组件10的介电常数，以使得壳体组件10对所述发射频率具有较高的匹配度，从而提高发射频率的透过率。

请继续参阅图16，所述电子设备1包括天线辐射体20，所述方法还包括但不限于S400和S500，关于S400和S500介绍如下。

S400：间隔预设时长对所述天线辐射体20收发射频信号的频率进行检测。

S500：在检测到所述天线辐射体20收发射频信号的频率偏离预设值的情况下，控制所述偏置电压U调节所述壳体组件10的介电常数，以对所述天线辐射体20收发射频信号的频率进行校准。

具体的，在本实施方式中，周期性的检测天线辐射体20收发射频信号的频率，当检测到天线辐射体20收发射频信号的频率偏离预设值时，对所述偏置电压U的大小进行调节以调节壳体组件10的介电常数，进而对天线辐射体20收发射频信号的频率进行校准，使得天线辐射体20收发射频信号的频率恢复至理想值。

以上对本申请实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (20)

1.一种壳体组件，其特征在于，包括：

第一电极层，用于输入偏置电压的第一极；

第二电极层，与所述第一电极层间隔层叠设置，以在所述第一电极层及所述第二电极层之间形成一容置空间，所述第二电极层用于输入所述偏置电压的第二极；

压控材料层，设置于所述容置空间内，用于在所述偏置电压的作用下，调节所述壳体组件的介电常数。

2.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一电极层的局部区域设置有第一谐振层，所述第二电极层的局部区域设置有第二谐振层，所述压控材料层位于所述第一谐振层和所述第二谐振层之间，所述第一谐振层和所述第二谐振层相互配合以调节所述壳体组件对射频信号的透过率。

3.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一电极层构成第一谐振层，所述第二电极层构成第二谐振层，所述第一谐振层和所述第二谐振层相互配合以提高所述壳体组件对射频信号的穿透率。

4.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述壳体组件还包括第一谐振层和第二谐振层，所述第一电极层位于所述第一谐振层的局部区域，所述第二电极层位于所述第二谐振层的局部区域。

5.如权利要求2-4任一项所述的壳体组件，其特征在于，所述第一谐振层和所述第二谐振层中的至少一个呈网格状。

6.如权利要求5所述的壳体组件，其特征在于，所述第一谐振层包括多个呈阵列排布的第一谐振单元，所述第二谐振层包括多个呈阵列排布的第二谐振单元，所述第一谐振单元包括第一子谐振单元和环绕所述第一子谐振单元的第二子谐振单元，所述第一子谐振单元和所述第二子谐振单元之间具有间隙，所述第二谐振单元具有通孔，至少部分所述第一子谐振单元在所述第二谐振单元上的投影位于所述通孔内。

7.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述第一电极层和所述第二电极层均为透明导电材料。

8.如权利要求1-7任一项所述的壳体组件，其特征在于，所述壳体组件还包括电池盖，所述电池盖位于所述第二电极层背离所述压控材料层的一侧。

9.如权利要求8所述的壳体组件，其特征在于，所述压控材料层为液晶层，所述液晶层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述电池盖具有收容槽，所述第一电极层、所述压控材料层和所述第二电极层位于所述收容槽内，所述壳体组件还包括玻璃层，所述玻璃层盖合于所述电池盖，以对所述第一电极层、所述压控材料层和所述第二电极层形成保护。

10.如权利要求8所述的壳体组件，其特征在于，所述压控材料层为液晶层，所述壳体组件还包括连接层和玻璃层，所述连接层用于将所述第二电极层连接于所述电池盖上，所述玻璃层位于所述第一电极层背离所述压控材料层的一侧，以对所述第一电极层、所述压控材料层和所述第二电极层形成保护。

11.如权利要求8所述的壳体组件，其特征在于，所述压控材料层为液晶层，所述壳体组件还包括连接层、第一玻璃层和第二玻璃层，所述连接层相对于所述第二电极层邻近所述电池盖设置，所述第一玻璃层位于所述连接层和所述第二电极层之间，所述连接层用于将所述第一玻璃层和所述第二电极层连接，所述第二玻璃层位于所述第一电极层背离所述压控材料层的一侧，所述第一玻璃层和所述第二玻璃层相互配合以对所述第一电极层、所述压控材料层和所述第二电极层形成保护。

12.如权利要求11所述的壳体组件，其特征在于，所述压控材料层、所述第一玻璃层和所述第二玻璃层的厚度保持一致。

13.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，所述壳体组件的局部区域的介电常数可调节，或者，所述壳体组件的全部区域的介电常数可调节。

14.如权利要求1所述的壳体组件，其特征在于，当所述偏置电压作用于所述压控材料层以使得所述壳体组件的介电常数位于光波段时，可对所述壳体组件的色彩进行调节。

15.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括至少一个天线辐射体以及如权利要求1-14任一项所述的壳体组件，至少部分所述第一电极层、所述压控材料层、所述第二电极层位于所述天线辐射体收发射频信号的预设方向范围内，所述第一电极层、所述压控材料层和所述第二电极层相互配合以对所述天线辐射体收发射频信号的频率进行调节。

16.如权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述压控材料层的两端加载的偏置电压为第一电压时，所述天线辐射体用于收发第一频率的射频信号，所述压控材料层的两端加载的偏置电压为第二电压时，所述天线辐射体用于收发第二频率的射频信号；当所述第一电压不等于所述第二电压时，所述第一频率不等于所述第二频率。

17.如权利要求15所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括主板，所述主板上设置有偏置电路及控制器，所述偏置电路用于输出偏置电压，所述偏置电路和所述压控材料层之间通过设置于所述主板上的信号线电连接，以将所述偏置电压加载至所述压控材料层，所述控制器电连接所述偏置电路，以对所述偏置电压的大小进行调节。

18.如权利要求17所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括电池盖，所述主板设置地极，以抑制所述天线辐射体发射的射频信号朝向所述主板背离所述电池盖的一侧辐射。

19.一种电子设备的壳体组件的介电常数调节方法，其特征在于，所述电子设备包括如权利要求1-14任一项所述的壳体组件，所述方法包括：

获取网络设备的发射频率；

基于所述发射频率，将所述偏置电压调整为目标偏置电压；

根据所述目标偏置电压，调节所述壳体组件的介电常数。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述电子设备包括天线辐射体，所述方法还包括：

间隔预设时长对所述天线辐射体收发射频信号的频率进行检测；

在检测到所述天线辐射体收发射频信号的频率偏离预设值的情况下，控制所述偏置电压调节所述壳体组件的介电常数，以对所述天线辐射体收发射频信号的频率进行校准。

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