CN112147373A - 透射电子显微镜样品及其制备方法 - Google Patents

透射电子显微镜样品及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112147373A
CN112147373A CN202011187704.6A CN202011187704A CN112147373A CN 112147373 A CN112147373 A CN 112147373A CN 202011187704 A CN202011187704 A CN 202011187704A CN 112147373 A CN112147373 A CN 112147373A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sample
width
carrier
initial
electron microscope
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011187704.6A
Other languages
English (en)
Inventor
宋箭叶
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN202011187704.6A priority Critical patent/CN112147373A/zh
Publication of CN112147373A publication Critical patent/CN112147373A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
    • G01Q30/00—Auxiliary means serving to assist or improve the scanning probe techniques or apparatus, e.g. display or data processing devices
    • G01Q30/20—Sample handling devices or methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)

Abstract

本发明提供一种透射电子显微镜样品及其制备方法，通过提取半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同；对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。由于形成的所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度，由此，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分具有支撑的作用，可以避免观测样品的形变，从而解决透射电子显微镜样品在形成过程中发生形变的问题。

Description

透射电子显微镜样品及其制备方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种透射电子显微镜样品及其制备方法。
背景技术
现今，在半导体器件形成以后，需要对半导体器件进行失效分析，通常情况下，需要通过透射电子显微镜((Transmission electron microscope，TEM)这个高分辨的工具来进行观测。特别像纳米级的产品，大部分失效的半导体器需要在透射电子显微镜下才能观测到待分析物，得出问题所在，进而帮助改良工艺。通常情况下，通过提取半导体器件的部分，形成电子透射显微镜样品，以通过电子透射显微镜样品对半导体器件进行失效分析，然而，现有的透射电子显微镜样品在其制造过程中会出现形变的问题，因此会对半导体器件的失效分析造成影响。
发明内容
本发明的目的在于提供一种透射电子显微镜样品及其制备方法，以解决透射电子显微镜样品在形成过程中发生形变的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种透射电子显微镜样品的制备方法，包括：
提供一待观测的半导体器件；
提取所述半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同，所述第一方向为样品载体的延伸方向；
对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品的制备方法中，所述观测样品包括堆叠的第一样品部和第二样品部，所述第一样品部较所述第一样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部在所述第一方向上的宽度大于所述第二样品部在所述第一方向上的宽度；其中，所述第一样品部和所述第二样品部在第二方向上的截面均呈矩形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品的制备方法中，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：
对所述初始样品进行第一减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度减小至第一宽度；以及，
对第一减薄处理后的所述初始样品进行第二减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度从所述第一宽度减小至第二宽度，以形成所述第一样品部和所述第二样品部，所述第二样品部暴露出所述第一样品部中靠近所述第二样品部的部分表面；其中，所述第一样品部在所述第一方向上的宽度为所述初始样品在所述第一方向上的宽度，所述第二样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品的制备方法中，所述初始样品在所述第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第二宽度为50nm～80nm。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品的制备方法中，所述观测样品包括依次堆叠的第一样品部、第二样品部和第三样品部，所述第一样品部较所述第二样品部和所述第三样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部、所述第二样品部和所述第三样品部在所述第一方向上的宽度依次减小；其中，所述第一样品部和所述第三样品部在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体的垂直方向。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品的制备方法中，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：
对所述初始样品进行第一减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度减小至第一宽度，以形成第一样品部和过渡部，所述过渡部暴露出所述第一样品部中靠近所述过渡部的部分表面；
对第一减薄处理后的所述初始样品进行第二减薄处理，使所述过渡部中远离所述第一样品部的部分在所述第一方向上的宽度减小至第二宽度，以形成所述第二样品部和所述第三样品部，所述第三样品部暴露出所述第二样品部中靠近所述第三样品部的部分表面；其中，所述第一样品部在第一方向上的宽度为所述初始样品在所述第一方向上的宽度，所述第二样品部在所述第一方向上的宽度为所述第一宽度，所述第三样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品的制备方法中，所述初始样品在所述第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第一宽度为100nm～150nm，所述第二宽度为50nm～80nm。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品的制备方法中，沿所述初始样品的一侧面或两侧面，通过第一聚焦离子束和/或第二聚焦离子束，对所述初始样品进行第一减薄处理；
和/或，沿所述初始样品的一侧面或两侧面，通过所述第二聚焦离子束，对所述初始样品进行第二减薄处理；其中，所述第一聚焦离子束的电流为100pA～300pA，所述第二聚焦离子束的电流为30pa～50pa。
基于同一发明构思，本发明还提供一种透射电子显微镜样品，包括：
观测样品，所述观测样品中靠近样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离样品载体的部分在所述第一方向上的宽度，所述第一方向为样品载体的延伸方向。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品中，所述观测样品包括堆叠的第一样品部和第二样品部，所述第一样品部较所述第一样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部在所述第一方向上的宽度大于所述第二样品部在所述第一方向上的宽度；其中，所述第一样品部和所述第二样品部在第二方向上的截面均呈矩形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
可选的，在所述的透射电子显微镜样品中，所述观测样品包括依次堆叠的第一样品部、第二样品部和第三样品部，所述第一样品部较所述第二样品部和所述第三样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部、所述第二样品部和所述第三样品部的在所述第一方向上的宽度依次减小；其中，所述第一样品部和所述第三样品部在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
在本发明提供的透射电子显微镜样品及其制备方法中，通过提取半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同；然后，对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。由于形成的所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度，由此，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分具有支撑的作用，在形成所述观测样品的过程中，可以避免观测样品的形变，从而解决透射电子显微镜样品在形成过程中发生形变的问题。
附图说明
图1是本发明实施例提供的透射电子显微镜样品的制备方法的流程示意图；
图2是本发明实施例提供的透射电子显微镜样品中的样品载体和观测样品的结构图；
图3～图11是本发明实施例提供的透射电子显微镜样品的制备方法中形成的结构剖面示意图；
其中，附图标记说明如下：
100-样品载体；110-初始样品；120-观测样品；121-第一样品部；1211-过渡部；122-第二样品部；123-第三样品部。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的透射电子显微镜样品及其制备方法作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
参考图1，其为本发明实施例提供的透射电子显微镜样品的制备方法的流程示意图。本发明提供一种透射电子显微镜样品的制备方法，如图1所示，所述透射电子显微镜样品的制备方法包括：
步骤S1：提供一待观测的半导体器件；
步骤S2：提取所述半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同，所述第一方向为样品载体的延伸方向；
步骤S3：对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。
接下去，将结合附图2～11对以上步骤进行更详细的说明；其中，图2是本发明实施例提供的透射电子显微镜样品中的样品载体和观测样品的结构图；图3～图11是本发明实施例提供的透射电子显微镜样品的制备方法中形成的结构剖面示意图。
首先，执行步骤S1，提供一待观测的半导体器件，所述半导体器件具体的包括：半导体衬底和位于所述半导体衬底上的工艺层，所述工艺层例如可以为多晶硅层、氮化硅层或者二氧化硅层等，不限于此，可以根据工艺需求在所述半导体衬底上形成所需的工艺层。
接着，执行步骤S2，参考图2和图3，提取所述半导体器件的部分至样品载体100上，以形成初始样品110，所述初始样品中靠近所述样品载体100的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体100的部分在第一方向上的宽度相同，此外，所述初始样品110在第二方向上的截面呈矩形,所述初始样品110在第一方向上的宽度a为200nm～300nm，所述第一方向为样品载体100的延伸方向X，所述第二方向为样品载体100的垂直方向Y，所述第二方向与所述第一方向垂直。
具体的，可以通过切割工艺提取所述半导体器件的部分以形成所述初始样品110，并将所述初始样品110置于所述样品载体100上。其中，所述初始样品110可以通过粘黏的方式与所述样品载体100接触，所述样品载体100为现有技术，在此不再赘述。
接着，执行步骤S3，参考图4，对所述初始样110进行减薄处理，以形成观测样品120，所述观测样品120中靠近所述样品载体100的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体100的部分在第一方向上的宽度。
继续参考图5，本实施例给出了第一种透射电子显微镜样品，所述第一种透射电子显微镜样品包括观测样品120，所述观测样品120包括堆叠的第一样品部121和第二样品部122，所述第一样品部121较所述第一样品部121靠近所述样品载体100，并且所述第一样品部121在第一方向上的宽度大于所述第二样品部122在第一方向上的宽度。
以及，本实施例给出了第一种对所述初始样品110进行减薄处理的方法，以形成第一种透射电子显微镜样品。具体的方法包括：如图4所示，对所述初始样品110进行第一减薄处理，使所述初始样品110中远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度减小至第一宽度b；以及，如图5所示，对第一减薄处理后的所述初始样品110进行第二减薄处理，使所述初始样品110中远离所述样品载体100的部分在第一方向上的宽度从所述第一宽度b减小至第二宽度c，以形成所述第一样品部121和第二样品部122，所述第二样品部暴露出所述第一样品部121中靠近所述第二样品部122的部分表面；其中，所述第一样品部在第一方向上的宽度为所述初始样品在第一方向上的宽度，所述第二样品部的宽度为所述第二宽度c，所述第二宽度c为50nm～80nm。
在对所述初始样品110进行减薄处理时，由于，所述第一样品部121在第一方向上的宽度大于第二样品部122在所述第一方向上的宽度，所述第一样品部121可以对所述第二样品部122起到支撑的作用，由此在形成所述观测样品120的过程中，可以避免所述观测样品120发生形变。
参考图6～图10所示，本实施例还给出了第二种透射电子显微镜样品，所述第二种透射电子显微镜样品包括观测样品120，所述观测样品120包括依次堆叠的第一样品部121、第二样品部122和第三样品部123，所述第一样品部121较所述第二样品部122和所述第三样品部123靠近所述样品载体100，并且所述第一样品部121、所述第二样品部122和所述第三样品部123在第一方向上的宽度依次减小。所述第一样品部121和所述第三样品部123在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体100的垂直方向Y，所述第二方向与所述第一方向垂直。
进一步的，本发明还给出第二种对所述初始样品110进行减薄处理的方法，以形成第二种透射电子显微镜样品，具体的方法包括：首先，参考图6～图8，对所述初始样110进行第一减薄处理，使所述初始样品110中远离所述样品载体100的部分在第一方向上的宽度减小至第一宽度b，以形成第一样品部121和过渡部1211，所述过渡部1211暴露出所述第一样品部121中靠近所述过渡部1211的部分表面。然后，参考图9～图11，对第一减薄处理后的所述初始样品110进行第二减薄处理，使所述过渡部1211中远离所述第一样品部121的部分在第一方向上的宽度减小至第二宽度c，以形成所述第二样品部122和所述第三样品部123，所述第三样品部123暴露出所述第二样品部123中靠近所述第三样品部122的部分表面。其中，所述第一样品部121在第一方向上的宽度为所述初始样品110在所述第一方向上的宽度，即所述第一样品部121在第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第二样品部122在所述第一方向上的宽度为所述第一宽度b，所述第一宽度b为100nm～150nm，所述第三样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度c，所述第二宽度c为50nm～80nm。
所述第一样品部121和所述第三样品部123在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部122在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形。本实施例中优选的采用梯形，以增加第二样品部122与所述第一样品部121的接触，从而增加所述第一样品部121对所述第二样品部122的支撑，进而避免形成的所述观测样品的形变。
进一步的，在第一种对所述初始样品110进行减薄处理的方法和第二种对所述初始样品110进行减薄处理的方法的中，通过第一聚焦离子束和/或第二聚焦离子束，对所述初始样品110进行第一减薄处理；和/或，通过所述第二聚焦离子束，对所述初始样品110进行第二减薄处理；所述第一聚焦离子束的电流为100pA～300pA，采用该电流，可以快速的将所述初始样品110减薄至所述第一宽度a；所述第二聚焦离子束的电流为30pA～50pA，采用该电流，可以避免电流过大对所述初始样品110的损伤，从而可以提高形成的观测样品的成功率。
此外，在对所述初始样品110进行第一减薄处理时，可以沿所述初始样品110的一侧面或两侧面进行所述第一减薄处理，采用该方法可以简化工艺。如图7所示，图7示出了在对所述初始样品110进行第一减薄处理时，沿所述初始样品110的一侧面进行减薄，所形成的剖面结构图。进一步的，沿所述初始样品110的一侧面进行所述第一减薄处理时，形成的过渡部1211的一侧面与所述第一样品部121的一侧面在第一方向上对齐,即过渡部1211的一侧暴露出所述第一样品部121的部分表面。如图8和图9所示，图8和图9示出了在对所述初始样品110进行第一减薄处理时，沿所述初始样品110的两侧面进行减薄处理，所形成的剖面结构图。进一步的，沿所述初始样品110的两侧面进行所述第一减薄处理时，形成的过渡部1211的两侧均暴露出所述第一样品部121的部分表面。
以及，在对所述初始样品110进行第二减薄处理时，可以沿所述初始样品110的一侧面或两侧面进行所述第二减薄处理，本实施例中，在对所述初始样品110进行第二减薄处理时，优选的采用沿所述初始样品110宽度方向上的两个侧面进行所述第二减薄处理。采用该方法，可以使得形成的第二样品部122位于第一样品部121上的中间位置，使得第二样品部122可以获得较好的支撑，以及可以节省工艺时间。
由于，所述第一样品部121在第一方向上的宽度大于所述第二样品部122在第一方向上的宽度，因此所述对第一样品部121对所述第二样品部122具有支撑的作用，由于，所述第二样品部122在第一方向上的宽度大于所述第三样品部123在第一方向上的宽度，因此，所述第二样品部122对所述第三样品部123具有支撑的作用，在形成所述观测样品的过程中，可以避免观测样品的形变，从而解决透射电子显微镜样品在形成过程中发生形变的问题。
继续参考图5～图11，基于同一发明构思，本发明还提供一种透射电子显微镜样品，所述透射电子显微镜样品包括：观测样品120，所述观测样品120中靠近样品载体100的部分在第一方向上的宽度大于远离样品载体100的部分在第一方向上的宽度，所述第一方向为样品载体100的延伸方向X。
具体的，继续参考图5，本发明的实施例中给出了第一种透射电子显微镜样品，所述第一种透射电子显微镜样品包括观测样品120，所述观测样品120包括堆叠的第一样品部121和第二样品部122，所述第一样品部121较所述第一样品部121靠近所述样品载体100，并且所述第一样品部121的在第一方向上的宽度大于所述第二样品部122在第一方向上的宽度；其中，所述第一样品部121和所述第二样品部122在第二方向上的截面均呈矩形，所述第二方向为样品载体100的垂直方向Y，所述第二方向与所述第一方向垂直。由于，所述第一样品部121在第一方向上的宽度大于所述第二样品部122在第一方向上的宽度，由此，所述第一样品部121对所述第二样品部122可以形成一定的支撑，从而可以避免观测样品的形变。
如图9～11所示，本实施例还给出了第二种透射电子显微镜样品，所述第二种透射电子显微镜样品包括观测样品120，所述观测样品120包括依次堆叠的第一样品部121、第二样品部122和第三样品部123，所述第一样品部121较所述第二样品部122和所述第三样品部123靠近所述样品载体100，并且所述第一样品部121、所述第二样品部122和所述第三样品部123在第一方向上的宽度依次减小。其中，所述第一样品部121和所述第三样品部123在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。所述第一样品部121对所述第二样品部122可以形成一定的支撑，所述第二样品部122对所述第三样品部123可以形成一定的支撑，从而可以避免观测样品的形变。
综上可见，在本发明提供的透射电子显微镜样品及其制备方法中，通过提取半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同；然后，对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。由于形成的所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度，由此，述观测样品中靠近所述样品载体的部分具有支撑的作用，在形成所述观测样品的过程中，可以避免观测样品的形变，从而解决透射电子显微镜样品在形成过程中发生形变的问题。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (11)

1.一种透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述透射电子显微镜样品的制备方法包括：
提供一待观测的半导体器件；
提取所述半导体器件的部分至样品载体上，以形成初始样品，所述初始样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度与远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度相同，所述第一方向为样品载体的延伸方向；
对所述初始样品进行减薄处理，以形成观测样品，所述观测样品中靠近所述样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离所述样品载体的部分在第一方向上的宽度。
2.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述观测样品包括堆叠的第一样品部和第二样品部，所述第一样品部较所述第一样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部在所述第一方向上的宽度大于所述第二样品部在所述第一方向上的宽度；其中，所述第一样品部和所述第二样品部在第二方向上的截面均呈矩形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
3.如权利要求2所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：
对所述初始样品进行第一减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度减小至第一宽度；以及，
对第一减薄处理后的所述初始样品进行第二减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度从所述第一宽度减小至第二宽度，以形成所述第一样品部和所述第二样品部，所述第二样品部暴露出所述第一样品部中靠近所述第二样品部的部分表面；其中，所述第一样品部在所述第一方向上的宽度为所述初始样品在所述第一方向上的宽度，所述第二样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度。
4.如权利要求3所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述初始样品在所述第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第二宽度为50nm～80nm。
5.如权利要求1所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述观测样品包括依次堆叠的第一样品部、第二样品部和第三样品部，所述第一样品部较所述第二样品部和所述第三样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部、所述第二样品部和所述第三样品部在所述第一方向上的宽度依次减小；其中，所述第一样品部和所述第三样品部在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
6.如权利要求5所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，对所述初始样品进行减薄处理的方法包括：
对所述初始样品进行第一减薄处理，使所述初始样品中远离所述样品载体的部分在所述第一方向上的宽度减小至第一宽度，以形成第一样品部和过渡部，所述过渡部暴露出所述第一样品部中靠近所述过渡部的部分表面；
对第一减薄处理后的所述初始样品进行第二减薄处理，使所述过渡部中远离所述第一样品部的部分在所述第一方向上的宽度减小至第二宽度，以形成所述第二样品部和所述第三样品部，所述第三样品部暴露出所述第二样品部中靠近所述第三样品部的部分表面；其中，所述第一样品部在第一方向上的宽度为所述初始样品在所述第一方向上的宽度，所述第二样品部在所述第一方向上的宽度为所述第一宽度，所述第三样品部在所述第一方向上的宽度为所述第二宽度。
7.如权利要求6所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，所述初始样品在所述第一方向上的宽度为200nm～300nm，所述第一宽度为100nm～150nm，所述第二宽度为50nm～80nm。
8.如权利要求3或6所述的透射电子显微镜样品的制备方法，其特征在于，沿所述初始样品的一侧面或两侧面，通过第一聚焦离子束和/或第二聚焦离子束，对所述初始样品进行第一减薄处理；
和/或，沿所述初始样品的一侧面或两侧面，通过所述第二聚焦离子束，对所述初始样品进行第二减薄处理；其中，所述第一聚焦离子束的电流为100pA～300pA，所述第二聚焦离子束的电流为30pa～50pa。
9.一种透射电子显微镜样品，其特征在于，包括：
观测样品，所述观测样品中靠近样品载体的部分在第一方向上的宽度大于远离样品载体的部分在所述第一方向上的宽度，所述第一方向为样品载体的延伸方向。
10.如权利要求9所述的透射电子显微镜样品，其特征在于，所述观测样品包括堆叠的第一样品部和第二样品部，所述第一样品部较所述第一样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部在所述第一方向上的宽度大于所述第二样品部在所述第一方向上的宽度；其中，所述第一样品部和所述第二样品部在第二方向上的截面均呈矩形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
11.如权利要求9所述的透射电子显微镜样品，其特征在于，所述观测样品包括依次堆叠的第一样品部、第二样品部和第三样品部，所述第一样品部较所述第二样品部和所述第三样品部靠近所述样品载体，并且所述第一样品部、所述第二样品部和所述第三样品部的在所述第一方向上的宽度依次减小；其中，所述第一样品部和所述第三样品部在第二方向上的截面均呈一矩形，所述第二样品部在第二方向上的截面呈一矩形或者一梯形，所述第二方向为样品载体的垂直方向，所述第二方向与所述第一方向垂直。
CN202011187704.6A 2020-10-30 2020-10-30 透射电子显微镜样品及其制备方法 Pending CN112147373A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011187704.6A CN112147373A (zh) 2020-10-30 2020-10-30 透射电子显微镜样品及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011187704.6A CN112147373A (zh) 2020-10-30 2020-10-30 透射电子显微镜样品及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112147373A true CN112147373A (zh) 2020-12-29

Family

ID=73953714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011187704.6A Pending CN112147373A (zh) 2020-10-30 2020-10-30 透射电子显微镜样品及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112147373A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114486422A (zh) * 2021-12-28 2022-05-13 长江存储科技有限责任公司 3d存储器件的测试样品制备方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004264145A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Toshiba Corp 透過型電子顕微鏡観察試料の作製方法
KR20050120024A (ko) * 2004-06-18 2005-12-22 전자부품연구원 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및그 제조방법
JP2007033186A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Aoi Electronics Co Ltd 微小試料台
JP2011043391A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Fujitsu Ltd 試料加工方法及び試料加工装置
CN102023108A (zh) * 2009-09-23 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 透射电子显微镜样品的制备方法
CN102788723A (zh) * 2011-05-20 2012-11-21 中国科学院微电子研究所 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法
CN103196718A (zh) * 2013-03-14 2013-07-10 上海华力微电子有限公司 Tem样品的制备方法
JP2013167505A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 薄膜試料の作製方法及び膜厚測定方法
CN104880340A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 透射电子显微镜样品的制备方法
CN106525532A (zh) * 2016-11-07 2017-03-22 上海达是能源技术有限公司 一种透射电镜样品的制备方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004264145A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Toshiba Corp 透過型電子顕微鏡観察試料の作製方法
KR20050120024A (ko) * 2004-06-18 2005-12-22 전자부품연구원 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및그 제조방법
JP2007033186A (ja) * 2005-07-26 2007-02-08 Aoi Electronics Co Ltd 微小試料台
JP2011043391A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Fujitsu Ltd 試料加工方法及び試料加工装置
CN102023108A (zh) * 2009-09-23 2011-04-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 透射电子显微镜样品的制备方法
CN102788723A (zh) * 2011-05-20 2012-11-21 中国科学院微电子研究所 一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法
JP2013167505A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 薄膜試料の作製方法及び膜厚測定方法
CN103196718A (zh) * 2013-03-14 2013-07-10 上海华力微电子有限公司 Tem样品的制备方法
CN104880340A (zh) * 2014-02-28 2015-09-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 透射电子显微镜样品的制备方法
CN106525532A (zh) * 2016-11-07 2017-03-22 上海达是能源技术有限公司 一种透射电镜样品的制备方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114486422A (zh) * 2021-12-28 2022-05-13 长江存储科技有限责任公司 3d存储器件的测试样品制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10014371B2 (en) Stressed nanowire stack for field effect transistor
US6991991B2 (en) Method for preventing to form a spacer undercut in SEG pre-clean process
US10020380B2 (en) Power device with high aspect ratio trench contacts and submicron pitches between trenches
JPH04123439A (ja) 半導体装置の製造方法
US10818556B2 (en) Method for forming a semiconductor structure
US20220115264A1 (en) Method for manufacturing semiconductor memory having reduced interference between bit lines and word lines
TWI320208B (en) Method for fabricating a semiconductor device having a bulb-shaped recess gate
US20090311846A1 (en) Method of forming shallow trench isolation regions in devices with nmos and pmos regions
CN112147373A (zh) 透射电子显微镜样品及其制备方法
US7772673B1 (en) Deep trench isolation and method for forming same
US6762066B2 (en) Method for fabricating a semiconductor structure using a protective layer, and semiconductor structure
US8268688B2 (en) Production of VDMOS-transistors having optimized gate contact
EP2372754A1 (en) Spacer formation in the fabrication of planar bipolar transistors
US20190355813A1 (en) Semiconductor device including device isolation layer
US8877595B2 (en) Transistor structure with silicided source and drain extensions and process for fabrication
CN109309090A (zh) 半导体元件及其制造方法
US6274512B1 (en) Method for manufacturing a semiconductor device
US9997396B2 (en) Deep trench isolation structure and method for improved product yield
US7863692B2 (en) Semiconductor device
US20110084332A1 (en) Trench termination structure
JP3719670B2 (ja) 絶縁膜の評価方法、その評価装置及びその評価装置の製造方法
CN109429157B (zh) 麦克风及其制造方法
US20240017986A1 (en) MEMS Device and Method for Manufacturing a MEMS Device
EP4297070A1 (en) Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device
US20230137811A1 (en) Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination