CN112144033A - 基座组件及半导体加工设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开一种基座组件及半导体加工设备，所公开的基座组件用于在半导体加工设备中承载并加热待加工工件(100)，该基座组件包括承载部(300)和冷却模组，其中：承载部(300)的第一面承载待加工工件(100)，冷却模组包括第一冷却机构(400)和第二冷却机构(500)，第一冷却机构(400)和第二冷却机构(500)均与承载部(300)背离第一面的第二面导热相连；其中，第一冷却机构(400)的冷却能力和第二冷却机构(500)的冷却能力均可调。上述方案能够解决加热盘的外缘区域比中部区域温度高的问题。

Description

基座组件及半导体加工设备

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种基座组件及半导体加工设备。

背景技术

在PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)工艺时，晶圆10通常放置在如图1所示的加热器20上，加热器20设有加热盘21和基部22，加热盘21的外缘区域与基部22相连，且加热盘21与基部22之间具有空气，加热盘21内设有加热管24，基部22内设有冷却水道25，加热盘21外缘区域的热量可以通过基部22被冷却水道25带走，此导热路径较长，导致冷却水道25对加热盘21外缘区域的冷却效果比中部区域差。

与此同时，压环23用于固定晶圆10。工艺过程中的等离子体不断轰击压环23，使得等离子体将自身热量传递给压环23，压环23上的热量不能及时散走，此时压环23上的热量会通过晶圆10传递给加热盘21，导致加热盘21的外缘区域比中部区域温度高。

发明内容

本申请公开一种基座组件及半导体加工设备，能够解决加热盘的外缘区域比中部区域温度高的问题。

为解决上述技术问题，本申请是这样实现的：

第一方面，本申请实施例公开一种基座组件，用于在半导体加工设备中承载并加热待加工工件，所述基座组件包括承载部和冷却模组，其中：

所述承载部的第一面承载所述待加工工件，所述冷却模组包括第一冷却机构和第二冷却机构，所述第一冷却机构和所述第二冷却机构均与所述承载部背离所述第一面的第二面导热相连；

其中，所述第一冷却机构的冷却能力和所述第二冷却机构的冷却能力均可调。

第二方面，本申请实施例公开一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室中设置有上述的基座组件。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：

本申请公开的基座组件和半导体加工设备中，第一冷却机构和第二冷却机构均与承载部的第二面导热相连，第一冷却机构的冷却能力和第二冷却机构的冷却能力均可调。此种情况下，通过调节第一冷却机构与第二冷却机构的冷却能力，实现对承载部不同区域的不同冷却效果，以使承载部不同区域的温度能够相同，从而使得待加工工件不同区域的温度尽可能地相同，即使得待加工工件的温度分布较为均匀，避免同一待加工工件不同区域的成膜厚度不一，进而使得待加工工件的成膜均匀性较好。

附图说明

图1为现有技术中一种典型的加热器的结构示意图；

图2为本申请实施例公开的基座组件的示意图；

图3为本申请另一实施例公开的基座组件的示意图；

图4为本申请实施例公开的承载部的示意图。

附图标记说明：

10-晶圆、20-加热器、21-加热盘、22-基部、23-压环、24-加热管、25-冷却水道；

100-待加工工件；

200-基部；

300-承载部、310-中部区域、320-外缘区域；

400-第一冷却机构、410-第一主体部、420-第一水道、430-第一加热装置、440-第一温度检测单元；

500-第二冷却机构、510-第二主体部、520-第二水道、530-第二加热装置、540-第二温度检测单元；

610-第一冷却翅片、620-第二冷却翅片；

700-螺纹连接件；

810-第三温度检测单元、820-第四温度检测单元。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

下面结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请各个实施例公开的技术方案进行详细地说明。

请参考图2至图4，本申请实施例公开一种基座组件，所公开的基座组件用于在半导体加工设备中以承载并加热待加工工件100，待加工工件100通常可以为晶圆。具体地，半导体加工设备通常包括反应腔室，该基座组件位于反应腔室中，在晶圆加工过程中，晶圆放置在该基座组件上，通过该基座组件加热晶圆，待晶圆的温度达到工艺温度时，进行晶圆的镀膜工艺，实现晶圆的加工。所公开的基座组件包括承载部300和冷却模组。

其中，承载部300中可以设置有加热管，该加热管能够产生热量并加热该承载部300，以使承载部300能够加热待加工工件100。冷却模组包括第一冷却机构400和第二冷却机构500，第一冷却机构400和第二冷却机构500在运行时均能够吸收热量，起到冷却承载部300的作用，第一冷却机构400和第二冷却机构500的结构可以相同，也可以不同，本申请实施例中对此不做限制。

具体地，承载部300的第一面承载并加热待加工工件100，且承载部300具有与第一面相背设置的第二面，第一冷却机构400和第二冷却机构500均与承载部300的第二面导热相连，以将承载部300上的热量传递至第一冷却机构400和第二冷却机构500，从而使得第一冷却机构400和第二冷却机构500将热量带走，起到分区域冷却承载部300的作用。

在本申请实施例中，第一冷却机构400的冷却能力和第二冷却机构500的冷却能力均可调，也就是说，可以通过调节第一冷却机构400和第二冷却机构500，能够分别对承载部300起到不同的冷却效果，例如，第一冷却机构400的冷却温度可以调节为5℃、10℃和15℃等，第二冷却机构500的冷却温度也可以调节为5℃、10℃和15℃等。具体地，在第一冷却机构400和第二冷却机构500为风扇的情况下，可以通过调节风扇的转速，以调节风量，从而实现调节第一冷却机构400的冷却能力和第二冷却机构500的冷却能力的目的；在第一冷却机构400和第二冷却机构500通过冷却流体的方式实现冷却的情况下，可以通过调节冷却流体的温度、流量或流速，以调节第一冷却机构400的冷却能力和第二冷却机构500的冷却能力；当然，第一冷却机构400和第二冷却机构500还可以为其他冷却方式的机构，本申请实施例中对此不做限制。

本申请公开的基座组件和半导体加工设备中，第一冷却机构400和第二冷却机构500均与承载部300的第二面导热相连，第一冷却机构400的冷却能力和第二冷却机构500的冷却能力均可调。此种情况下，通过调节第一冷却机构400与第二冷却机构500的冷却能力，实现对承载部300不同区域的不同冷却效果，以使承载部300不同区域的温度能够相同，且由于第一冷却机构400和第二冷却机构500均与承载部300导热相连，导热路径较短，且导热系数相较空气较大，从而使得承载部300上的热量能够较快且较多地传递至第一冷却机构400和第二冷却机构500，进而使得第一冷却机构400和第二冷却机构500对承载部300的冷却效果较好，使得在待加工工件100加热过程中，承载部300能够均匀加热待加工工件100，且能够及时有效地散走等离子体所传递至基座组件上的热量，以使待加工工件100不同区域的温度尽可能地相同，从而使得待加工工件100的温度分布较为均匀，避免同一待加工工件100不同区域的成膜厚度不一，进而使得待加工工件100的成膜均匀性较好。

具体地，承载部300可以具有中部区域310和环绕中部区域310分布的外缘区域320，第一冷却机构400可以与外缘区域320导热相连，以使第一冷却机构400吸收外缘区域320的热量，从而使得第一冷却机构400能够冷却外缘区域320，防止外缘区域320温升严重，进而能够更好地控制外缘区域320的温度，以使外缘区域320的温度较好地满足工艺需求。第二冷却机构500可以与中部区域310导热相连，以使第二冷却机构500吸收中部区域310的热量，从而使得第二冷却机构500能够冷却中部区域310，防止中部区域310温升严重，进而能够更好地控制中部区域310的温度，以使中部区域310的温度较好地满足工艺需求。

在第一冷却机构400与承载部300的外缘区域320导热相连，第二冷却机构500与承载部300的中部区域310导热相连的情况下，第一冷却机构400能够冷却外缘区域320，第二冷却机构500能够冷却中部区域310，从而能够防止中部区域310和外缘区域320温升不一致，同时，可以通过第一冷却机构400和第二冷却机构500更好地控制承载部300的外缘区域320和中部区域310的温度，进而能够解决承载部300的外缘区域320比中部区域310温度高的问题，且在待加工工件100加热过程中，承载部300能够均匀加热待加工工件100，以使待加工工件100的边缘温度与中部区域温度尽可能地相同，从而使得待加工工件100的温度分布较为均匀，进而使得待加工工件100的成膜均匀性较好。

可选地，基座组件还可以包括与承载部300相连的基部200，基部200与承载部300可以围合形成安装空间，冷却模组可以设置于安装空间内。基部200为基座组件的基础构件，基部200设置于承载部300的第二面，例如，基部200可以焊接于承载部300的第二面，当然，也可以通过螺栓连接于承载部300的第二面。基部200与承载部300能够形成安装空间，第一冷却机构400和第二冷却机构500均设置于安装空间内。

如上文所述，第一冷却机构400和第二冷却机构500均与承载部300的第二面导热相连，具体地，第一冷却机构400和第二冷却机构500均可以与第二面相接触，以使第一冷却机构400与第二面直接相连，可选地，第一冷却机构400与第二面之间可以设置有第一导热部，以使第一冷却机构400通过第一导热部与第二面相连，第一导热部能够将承载部300上的热量较快地传递至第一冷却机构400，从而使得第一冷却机构400将承载部300上的热量带走，起到冷却承载部300的作用。

具体地，第一导热部可以包括多个第一冷却翅片610，以使第一冷却机构400可以通过多个第一冷却翅片610与第二面相连，多个第一冷却翅片610无疑能够进一步提高导热速度，以使第一冷却机构400更快地带走承载部300上的热量，进一步提高待加工工件100的温度分布均匀性，同时，第一冷却翅片610的结构简单，方便设置，且导热效率较高，导热速度较快。

相似地，第二冷却机构500可以与第二面相接触，以使第二冷却机构500与第二面直接相连，可选地，第二冷却机构500与第二面之间可以设置有第二导热部，以使第二冷却机构500通过第二导热部与第二面相连，第二导热部能够将承载部300上的热量较快地传递至第二冷却机构500，从而使得第二冷却机构500将承载部300上的热量带走，起到冷却承载部300的作用。

具体地，第二冷却机构500可以包括多个第二冷却翅片620，第二冷却机构500可以通过多个第二冷却翅片620与第二面相连，多个第二冷却翅片620无疑能够进一步提高导热速度，以使第二冷却机构500更快地带走承载部300上的热量，进一步提高待加工工件100的温度分布均匀性，同时，第二冷却翅片620的结构简单，方便设置，且导热效率较高，导热速度较快。

承载部300在加热待加工工件100的过程中，通常会出现待加工工件100的部分区域温升较快，部分区域温升较慢，为了使待加工工件100不同区域的温升尽可能地相同，就需要待加工工件100温升较快的区域散热速度快于温升较慢的区域，可选地，多个第一冷却翅片610可以等间隔排布，且任意相邻的两个第一冷却翅片610之间的距离可以为第一距离；多个第二冷却翅片620可以等间隔排布，且任意相邻的两个第二冷却翅片620之间的距离可以为第二距离，第一距离小于第二距离，也就是说，第一冷却翅片设置较密，第二冷却翅片设置较稀，此时，与第一冷却翅片610相对应的区域散热速度较快，与第二冷却翅片620相对应的区域散热速度较快，可以将温升较快的区域与第一冷却翅片610相对应设置，温升较慢的区域与第二冷却翅片620相对应设置，以使承载部300不同区域的温度相同，从而使得承载部300的温度较为均匀地分布，以使待加工工件100不同区域的温升相同，进而使得待加工工件100的温度分布较为均匀。

如上文所述，第一冷却机构400的结构可以有多种，例如，第一冷却机构400可以为风扇，可选地，第一冷却机构400可以包括第一主体部410和开设在第一主体部410中的第一水道420，第一水道420用于通入冷却流体。在具体的冷却过程中，第一水道420中的冷却流体能够带走从承载部300传递至第一冷却机构400上的热量，从而使得第一冷却机构400能够带走承载部300中的热量。此种设置方式简单可靠，方便设计人员设计第一冷却机构400，降低第一冷却机构400的设计难度。

相似地，第二冷却机构500可以包括第二主体部510和开设在第二主体部510中的第二水道520，第二水道520用于通入冷却流体，在具体的冷却过程中，第二水道520中的冷却流体能够带走从承载部300传递至第二冷却机构500上的热量，从而使得第二冷却机构500能够带走承载部300中的热量。此种设置方式简单可靠，方便设计人员设计第二冷却机构500，降低第二冷却机构500的设计难度。

具体地，冷却流体可以为冷却液(例如冷却水)，也可以为冷却气体。水冷相较于气冷的方式，水冷的方式冷却效果较好，从而能够使得第一冷却机构400更好地冷却承载部300，或者，能够使得第二冷却机构500更好地冷却承载部300，进而能够使得待加工工件100的温度分布更为均匀，以使待加工工件100的成膜均匀性更好。

在第一冷却机构400冷却承载部300的过程中，可能由于冷却流体的温度过低，导致第一冷却机构400对承载部300过度冷却，从而导致待加工工件100对应区域处的温度较低，致使待加工工件100的温度分布不均匀，进而导致同一待加工工件100不同区域的成膜厚度不一。基于此，在一种可选的实施例中，第一冷却机构400还可以包括设置于第一主体部410中的第一加热装置430，第一加热装置430可以用于加热第一水道420中的冷却流体，防止因冷却流体的温度过低而导致第一冷却机构400对承载部300过度冷却，从而能够使得待加工工件100的温度分布较为均匀，避免待加工工件100对应区域处的温度较低，进而使得同一待加工工件100不同区域的成膜厚度能够尽可能地相同。

在第二冷却机构500冷却承载部300的过程中，可能由于冷却流体的温度过低，导致第二冷却机构500对承载部300过度冷却，从而导致待加工工件100对应区域处的温度较低，致使待加工工件100的温度分布不均匀，进而导致同一待加工工件100不同区域的成膜厚度不一。基于此，在一种可选的实施例中，第二冷却机构500还可以包括设置于第二主体部510中的第二加热装置530，第二加热装置530可以用于加热第二水道520中的冷却流体，防止因冷却流体的温度过低而导致第二加热装置530对承载部300过度冷却，从而能够使得待加工工件100的温度分布较为均匀，避免待加工工件100对应区域处的温度较低，进而使得同一待加工工件100不同区域的成膜厚度能够尽可能地相同。

为了使得第一加热装置430较好地加热第一水道420中的冷却流体，可选地，第一加热装置430可以位于第一水道420内，以使第一加热装置430能够直接加热第一水道420中的冷却流体，避免第一加热装置430通过其他部件加热第一水道420中的冷却流体，从而能够较为精准地控制冷却流体的温度，且响应速度较快，进而能够实时控制冷却流体的温度，提高冷却流体的温度可控性。

当然，第二加热装置530也可以位于第二水道520内，以使第二加热装置530能够直接加热第二水道520中的冷却流体，避免第二加热装置530通过其他部件加热第二水道520中的冷却流体，从而能够较为精准地控制冷却流体的温度，且响应速度较快，进而能够实时控制冷却流体的温度，提高冷却流体的温度可控性。

为了方便控制第一冷却机构400的温度，以能够便捷地得到第一冷却机构400的温度，在一种可选的实施例中，第一冷却机构400还可以包括设置于第一主体部410中的第一温度检测单元440，第一温度检测单元440用于检测第一冷却机构400的温度，以能够通过第一温度检测单元440直观地了解第一冷却机构400的温度，从而能够便捷地得到第一冷却机构400的温度，从而可以通过第一温度检测单元440反馈的温度信息实施调节第一冷却机构400的温度，方便控制第一冷却机构400的温度，进而提高第一冷却机构400的使用便捷性。

具体地，第一温度检测单元440可以为热电偶，因为热电偶方便设置于第一冷却机构400中，且热电偶的测量可靠性较高，同时，热电偶的成本较低。

当然，第二冷却机构500还可以包括设置于第二主体部510中的第二温度检测单元540，第二温度检测单元540可以用于检测第二冷却机构500的温度，以能够通过第二温度检测单元540直观地了解第二冷却机构500的温度，能够便捷地得到第二冷却机构500的温度，从而可以通过第二温度检测单元540反馈的温度信息实施调节第二冷却机构500的温度，能够方便控制第二冷却机构500的温度，进而提高第二冷却机构500的使用便捷性。

具体地，第二温度检测单元540也可以为热电偶，因为热电偶方便设置于第二冷却机构500中，且热电偶的测量可靠性较高，同时，热电偶的成本较低。

为了使第一温度检测单元440较好地测量第一冷却机构400的温度，可选地，第一温度检测单元440可以位于第一水道420内，第一温度检测单元440能够直接检测第一水道420内冷却流体的温度，以可以通过控制冷却流体的温度控制第一冷却机构400的温度，从而使得第一温度检测单元440能够较好地测量第一冷却机构400的温度。

为了使第二温度检测单元540较好地测量第二冷却机构500的温度，可选地，第二温度检测单元540可以位于第二水道520内，第二温度检测单元540能够直接检测第二水道520内冷却流体的温度，以可以通过控制冷却流体的温度控制第二冷却机构500的温度，从而使得第二温度检测单元540能够较好地测量第二冷却机构500的温度。

如上文所述，第一冷却机构400设置于承载部300，具体地，第一冷却机构400可以通过螺纹连接件700设置于承载部300，通过螺纹连接件700设置的方式简单可靠，且方便维护及更换第一冷却机构400。当然，第二冷却机构500也可以通过螺纹连接件700设置于承载部300，通过螺纹连接件700设置的方式简单可靠，且方便维护及更换第二冷却机构500。具体地，螺纹连接件700可以为螺栓、螺钉、螺柱等。

为了方便控制承载部300不同区域的温度，可选地，基座组件还可以包括第三温度检测单元810和第四温度检测单元820，第三温度检测单元810可以位于与第一冷却机构400对应的区域，且第三温度检测单元810检测该区域的温度；第四温度检测单元820可以位于与第二冷却机构500对应的区域，第四温度检测单元820检测该区域的温度，以能够通过第三温度检测单元810和第四温度检测单元820直观地了解承载部300不同区域的温度，从而能够便捷地得到承载部300不同区域的温度，进而方便控制承载部300不同区域的温度。

具体地，第三温度检测单元810和第四温度检测单元820均可以为热电偶，因为热电偶方便设置于承载部300中，且热电偶的测量可靠性较高，同时，热电偶的成本较低。

基于本申请实施例所公开的基座组件，本申请实施例还公开一种半导体加工设备，所公开的半导体加工设备包括反应腔室，反应腔室中设置有如上文任意实施例所述的基座组件。

基于本申请实施例所公开的基座组件，本申请实施例还公开一种基座组件的控制方法，所公开的控制方法包括：

步骤101、检测第一冷却机构400的第一温度以及检测第二冷却机构500的第二温度。

具体地，可以通过第一温度传感器检测第一冷却机构400的第一温度，通过第二温度传感器检测检测第二冷却机构500的第二温度，第一温度传感器和第二温度传感器的检测原理与方式均为已知技术，为了文本简洁，在此不再赘述。

步骤102、在第一温度大于第一预设值时，增大第一冷却机构400的冷却能力。

此方案中，第一冷却机构400的冷却能力较大，能够较快地冷却承载部300，以降低第一温度，从而使得第一温度维持在第一预设值。

步骤103、在第一温度小于第一预设值时，减小第一冷却机构400的冷却能力。

此方案中，第一冷却机构400的冷却能力较小，以使第一冷却机构400对承载部300的冷却速度较慢，从而能够提高第一温度，进而使得第一温度维持在第一预设值。

步骤104、在第二温度大于第二预设值时，增大第二冷却机构500的冷却能力。

此方案中，第二冷却机构500的冷却能力较大，能够较快地冷却承载部300，以降低第二温度，从而使得第二温度维持在第二预设值。

步骤105、在第二温度小于第二预设值时，减小第二冷却机构500的冷却能力。

此方案中，第二冷却机构500的冷却能力较小，以使第二冷却机构500对承载部300的冷却速度较慢，从而能够提高第二温度，进而使得第二温度维持在第二预设值。

具体地，第一预设值和第二预设值为待加工工件100的工艺温度，通常情况下，第一预设值与第二预设值可以相同，以使待加工工件100的温度分布较为均匀，进而使得同一待加工工件100不同区域的成膜厚度能够尽可能地相同。

在具体的工艺过程中，该控制方法能够根据承载部300的实际温度控制第一冷却机构400冷却承载部300，根据承载部300的实际温度控制第二冷却机构500冷却承载部300，从而能够防止承载部300不同区域的温升不一致，或者，防止承载部300的不同区域被过度冷却，在待加工工件100加热过程中，承载部300能够均匀加热待加工工件100，以使待加工工件100不同区域温度尽可能地相同，从而使得待加工工件100的温度分布较为均匀，避免同一待加工工件100不同区域的成膜厚度不一，进而使得待加工工件100的成膜均匀性较好。

在一种可选的实施例中，第一冷却机构400可以包括第一主体部410和开设在第一主体部410中的第一水道420，第一水道420用于通入冷却流体，步骤102可以包括：

步骤201、增大第一水道420中冷却流体的流量。

此方案中，第一水道420中冷却流体的流量较大，以使较多的冷却流体带走从承载部300传递至第一冷却机构400上的较多热量，从而增大第一冷却机构400的冷却能力，进而使得第一冷却机构400能够较快地冷却承载部300，以降低第一温度。

步骤103可以包括：

步骤202、减小第一水道420中冷却流体的流量。

此方案中，第一水道420中冷却流体的流量较小，以使较少冷却流体带走从承载部300传递至第一冷却机构400上的较小热量，从而使得第一冷却机构400的冷却能力较小，进而使得第一冷却机构400对承载部300的冷却速度较慢，以提高第一温度。

进一步地，第一冷却机构400还可以包括设置于第一主体部410的第一加热装置430，第一加热装置430用于加热第一水道420中的冷却流体，步骤102可以包括：

步骤301、增大第一水道420中冷却流体的流量，和/或，减小第一加热装置430的加热能力。

此方案中，第一水道420中冷却流体的流量较大，以使较多的冷却流体带走从承载部300传递至第一冷却机构400上的较多热量，从而增大第一冷却机构400的冷却能力，当然，第一加热装置430的加热能力较小，能够使得第一水道420中冷却流体的温度较低，从而增大第一冷却机构400的冷却能力，进而使得第一冷却机构400能够较快地冷却承载部300，以降低第一温度。

步骤103可以包括：

步骤302、减小第一水道420中冷却流体的流量，和/或，增大第一加热装置430的加热能力。

此方案中，第一水道420中冷却流体的流量较小，以使较少冷却流体带走从承载部300传递至第一冷却机构400上的较小热量，从而使得第一冷却机构400的冷却能力较小，当然，第一加热装置430的加热能力较大，能够使得第一水道420中冷却流体的温度较高，从而使得第一冷却机构400的冷却能力较小，进而使得第一冷却机构400对承载部300的冷却速度较慢，以提高第一温度。

相似地，第二冷却机构500可以包括第二主体部510和开设在第二主体部510中的第二水道520，第二水道520用于通入冷却流体，步骤104可以包括：

步骤401、增大第二水道520中冷却流体的流量。

此方案中，第二水道520中冷却流体的流量较大，以使较多的冷却流体带走从承载部300传递至第二冷却机构500上的较多热量，从而增大第二冷却机构500的冷却能力，进而使得第二冷却机构500能够较快地冷却承载部300，以降低第二温度。

步骤105可以包括：

步骤402、减小第二水道520中冷却流体的流量。

此方案中，第二水道520中冷却流体的流量较小，以使较少冷却流体带走从承载部300传递至第二冷却机构500上的较小热量，从而使得第二冷却机构500的冷却能力较小，进而使得第二冷却机构500对承载部300的冷却速度较慢，以提高第二温度。

进一步地，第二冷却机构500还可以包括设置于第二主体部510的第二加热装置530，第二加热装置530用于加热第二水道520中的冷却流体，步骤104可以包括：

步骤501、增大第二水道520中冷却流体的流量，和/或，减小第二加热装置530的加热能力。

此方案中，第二水道520中冷却流体的流量较大，以使较多的冷却流体带走从承载部300传递至第二冷却机构500上的较多热量，从而增大第二冷却机构500的冷却能力，当然，第二加热装置530的加热能力较小，能够使得第二水道520中冷却流体的温度较低，从而增大第二冷却机构500的冷却能力，进而使得第二冷却机构500能够较快地冷却承载部300，以降低第二温度。

步骤105可以包括：

步骤502、减小第二水道520中冷却流体的流量，和/或，增大第二加热装置530的加热能力。

此方案中，第二水道520中冷却流体的流量较小，以使较少冷却流体带走从承载部300传递至第二冷却机构500上的较小热量，从而使得第二冷却机构500的冷却能力较小，当然，第二加热装置530的加热能力较大，能够使得第二水道520中冷却流体的温度较高，从而使得第二冷却机构500的冷却能力较小，进而使得第二冷却机构500对承载部300的冷却速度较慢，以提高第二温度。

本申请实施例公开的基座组件能够实现上述方法实施例中基座组件实现的各个过程，为避免重复，这里不再赘述。

本申请上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种基座组件，用于在半导体加工设备中承载并加热待加工工件(100)，其特征在于，所述基座组件包括承载部(300)和冷却模组，其中：

所述承载部(300)的第一面承载所述待加工工件(100)，所述冷却模组包括第一冷却机构(400)和第二冷却机构(500)，所述第一冷却机构(400)和所述第二冷却机构(500)均与所述承载部(300)背离所述第一面的第二面导热相连；

其中，所述第一冷却机构(400)的冷却能力和所述第二冷却机构(500)的冷却能力均可调。

2.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述基座组件还包括与所述承载部(300)相连的基部(200)，所述基部(200)与所述承载部(300)围合形成安装空间，所述冷却模组设置于所述安装空间内。

3.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述第一冷却机构(400)通过第一导热部与所述第二面相连；

所述第二冷却机构(500)通过第二导热部与所述第二面相连。

4.根据权利要求3所述的基座组件，其特征在于，所述第一导热部包括多个第一冷却翅片(610)，所述第二导热部包括多个第二冷却翅片(620)，多个所述第一冷却翅片(610)等间隔排布，且任意相邻的两个所述第一冷却翅片(610)之间的距离为第一距离；多个所述第二冷却翅片(620)等间隔排布，且任意相邻的两个所述第二冷却翅片(620)之间的距离为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。

5.根据权利要求1所述的基座组件，其特征在于，所述第一冷却机构(400)包括第一主体部(410)和开设在所述第一主体部(410)中的第一水道(420)；

所述第二冷却机构(500)包括第二主体部(510)和开设在所述第二主体部(510)中的第二水道(520)；

其中，所述第一水道(420)和所述第二水道(520)用于通入冷却流体。

6.根据权利要求5所述的基座组件，其特征在于，所述第一冷却机构(400)还包括设置于所述第一主体部(410)中的第一加热装置(430)，用于加热所述第一水道(420)中的所述冷却流体；

所述第二冷却机构(500)还包括设置于所述第二主体部(510)中的第二加热装置(530)，用于加热所述第二水道(520)中的所述冷却流体。

7.根据权利要求6所述的基座组件，其特征在于，所述第一加热装置(430)位于所述第一水道(420)内，所述第二加热装置(530)位于所述第二水道(520)内。

8.根据权利要求5所述的基座组件，其特征在于，所述第一冷却机构(400)还包括设置于所述第一主体部(410)中的第一温度检测单元(440)，用于检测所述第一冷却机构(400)的温度；

所述第二冷却机构(500)还包括设置于所述第二主体部(510)中的第二温度检测单元(540)，用于检测所述第二冷却机构(500)的温度。

9.根据权利要求8所述的基座组件，其特征在于，所述第一温度检测单元(440)位于所述第一水道(420)内，所述第二温度检测单元(540)位于所述第二水道(520)内。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室中设置有如权利要求1至9中任一项所述的基座组件。

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