CN112138873B - 选择性抑制剂edtmps在菱镁矿浮选脱硅中的应用 - Google Patents

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Abstract

一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，属于菱镁矿选矿提纯工艺技术领域。该选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用具体是在采用十二胺(DDA)作为捕收剂的菱镁矿浮选脱硅工艺中，加入选择性抑制剂EDTMPS。按质量比，十二胺(DDA)：选择性抑制剂EDTMPS＝(8～12)：(3～5)。通过在不同选择性抑制剂EDTMPS(乙二胺四亚甲基叉膦酸钠)的用量下，菱镁矿及菱镁矿中含硅脉石矿物——石英存在的可浮性差异，将菱镁矿中的含硅脉石矿物脱除，提高菱镁矿品质，为高硅低品位菱镁矿选矿脱硅提供新的药剂。

Description

选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用
技术领域
本发明涉及菱镁矿选矿提纯工艺技术领域，具体涉及一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用。
背景技术
菱镁矿是建筑材料，化工，轻工业和金属镁提取的重要原料。然而，在过去的几十年中，随着菱镁矿资源的广泛开发和不合理利用，富含硅，铁和硅杂质的低品位菱镁矿占据了菱镁矿的大多数。因此，降低杂质含量(例如SiO2)以改善菱镁矿矿石粉的质量变得至关重要。石英(SiO2)，是菱镁矿的主要含硅脉石矿物，主要通过反浮选的方式来实现菱镁矿与含硅脉石矿物的分离。目前，菱镁矿和石英分离的大量研究集中在新型阳离子捕收剂的开发上，例如叔胺，酰胺，酯胺，多胺等。这些捕收剂中，十二胺(DDA)仍然是菱镁矿浮选脱硅中使用最广泛的捕收剂。但研究发现，DDA的捕收机理为在矿物表面发生静电吸引和氢键吸附，并且，DDA具有强的电负性和较弱的位阻缺陷。因此，在DDA作为捕收剂时，从石英中反浮选分离菱镁矿会导致大量菱镁矿与含硅石矿物一起漂浮，从而导致精矿中菱镁矿的回收率降低。因此，研究一种Mg离子选择性抑制剂用于抑制菱镁矿上浮，提高DDA对菱镁矿和石英的选择性是至关重要的。
发明内容
本发明的目的是提供一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，根据在不同选择性抑制剂EDTMPS(乙二胺四亚甲基叉膦酸钠)的用量下，菱镁矿及菱镁矿中含硅脉石矿物——石英存在的可浮性差异，将菱镁矿中的含硅脉石矿物脱除，提高菱镁矿品质，为高硅低品位菱镁矿选矿脱硅提供新的药剂。
本发明的一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，为在采用十二胺(DDA)作为捕收剂的菱镁矿浮选脱硅工艺中，加入选择性抑制剂EDTMPS。
作为优选，按质量比，十二胺(DDA)：选择性抑制剂EDTMPS＝(8～12)：(3～5)。
进一步的，所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，是将选择性抑制剂EDTMPS用于菱镁矿浮选脱硅工艺中的调浆过程，加入选择性抑制剂EDTMPS制备菱镁矿矿浆。
进一步的，所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，为将选择性抑制剂EDTMPS溶于蒸馏水中，配制成质量浓度为0.95～1.05g/L的选择性抑制剂EDTMPS水溶液使用。
本发明的一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，具体包括以下步骤：
步骤1：磨矿
将高硅低品位菱镁矿破碎，球磨，得到菱镁矿粉；其中，菱镁矿粉中，粒级<74μm的菱镁矿粉的质量占总菱镁矿粉质量的70～90％；
步骤2：调浆
将菱镁矿粉置于浮选设备中，加入去离子水和选择性抑制剂EDTMPS水溶液，并混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中，菱镁矿粉的质量浓度为20～40％；选择性抑制剂EDTMPS水溶液的质量浓度为0.95～1.05g/L；按固液比，选择性抑制剂EDTMPS：菱镁矿矿浆＝(80～120)mg：1L；
步骤3：反浮选脱硅
室温下，向菱镁矿矿浆中加入HCl水溶液或NaOH水溶液，调节pH值至6～8后，搅拌均匀，得到pH值为6～8的菱镁矿矿浆；
向pH值为6～8的菱镁矿矿浆中，加入捕收剂DDA，搅拌均匀，然后进行反浮选粗选，得到低硅菱镁矿精矿；其中，按固液比，捕收剂DDA水溶液中捕收剂DDA：菱镁矿矿浆＝(30～50)mg：1L。
所述的步骤1中，所述的高硅低品位菱镁矿其主要成分及各个成分按质量百分比为MgO为25～35.5％，CaO为0～0.8％，SiO2为10～25％。
所述的步骤2中，所述的浮选设备优选为挂槽式浮选机，转速为1600～1900rpm。
所述的步骤2中，所述的选择性抑制剂EDTMPS的用量占菱镁矿矿浆量优选为100mg/L。
所述的步骤3中，所述的HCl水溶液优选为质量分数为1～3％的HCl水溶液，NaOH水溶液优选为质量分数为1～5％的NaOH水溶液。
所述的步骤3中，所述的搅拌均匀，搅拌速率为1600～1900rpm，搅拌时间为2～5min。
所述的步骤3中，所述的pH值优选为7。
所述的步骤3中，所述的反浮选粗选，反浮选设备的转速为1600～1900rpm，优选为1800rpm，反浮选时间优选为3～5min。
所述的步骤3中，所述的捕收剂DDA优选为质量浓度为0.95～1.05g/L的DDA水溶液。
所述的步骤3中，所述的捕收剂DDA用量占菱镁矿矿浆量优选为40mg/L。
所述的步骤3中，所述的低硅菱镁矿精矿主要成分及各个成分按质量百分比为MgO为47.5～48.7％，SiO2≤0.3％，CaO≤0.8％。
本发明的将选择性抑制剂EDTMPS用于菱镁矿浮选脱硅工艺中，低硅菱镁矿精矿的回收率按质量百分比为80～90％，低硅菱镁矿精矿中的MgO回收率按质量百分比为38～43％。
本发明的一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，相比于现有技术，其有益效果在于：
1、本发明开发了新的选择性抑制剂EDTMPS的使用，其通过在十二胺进行浮选脱硅的过程中，加入Mg离子选择性抑制剂选EDTMPS，通过选择性抑制剂EDTMPS和十二胺的配合，并且由于新的选择性抑制剂EDTMPS的对含镁矿物的选择抑制性强，使浮选过程运行更加平稳，操作更加简便，并且新型选择性抑制剂EDTMPS相对于其他化学选择性抑制剂更具有环保性。最终可获得MgO品位大于47.5％，回收率80～90％的菱镁矿精矿。
2、本发明的方法与现有技术相比，能够处理的品位的的菱镁矿矿石，即使原矿中CaO的含量高；获得的菱镁矿精矿也可达到冶金工业特级标准(YB321～81)，即MgO>47.00％、SiO2≤0.30％、CaO≤0.8％。
3、本发明的选择性抑制剂EDTMPS(乙二胺四亚甲基叉膦酸钠)一种镁选择性极强的螯合剂，能与水混溶，无毒无污染，化学稳定性及耐温性好，在200℃下仍有良好的阻垢效果。在水溶液中能离解成8个正负离子，因而可以多个金属离子螯合，形成多个单体结构大分子网状络合物，松散地分散于水中，且不与Si反应。因此，将其作为菱镁矿反浮选脱硅过程中菱镁矿的选择性抑制剂，为低品位菱镁矿选矿脱硅提供了一种新的抑制药剂。
附图说明
图1为本发明实施例1的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用中，其工艺流程示意图。
图2为本发明的选择性抑制剂EDTMPS对菱镁矿的表面动电位影响图。
图3为本发明的选择性抑制剂EDTMPS对石英的表面动电位影响图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。
以下实施例中，所用的高硅低品位菱镁矿为辽宁宽甸水洞沟菱镁矿，采用化学多元素分析仪器对高硅低品位菱镁矿的元素成分进行分析，其主要成分按质量百分比为：MgO为33.58％，SiO2为20.27％，CaO为0.17％，余量为烧蚀量和不可避免的杂质。所用选择性抑制剂EDTMPS为试剂纯(98％)，捕收剂DDA为化学纯，pH值调整剂盐酸和氢氧化钠为分析纯。试验中所用试剂均用去离子水配制成相应浓度的水溶液备用。
实施例1
一种选择性选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其工艺流程示意图见图1，包括以下步骤：
步骤1：磨矿
将高硅低品位菱镁矿原矿进行破碎，球磨，得到菱镁矿粉；其中，菱镁矿粉中，粒级为小于74μm的菱镁矿粉的质量占总菱镁矿粉质量的70％；
步骤2：调浆
将粒级为小于74μm且占总菱镁矿粉质量的70％的菱镁矿粉置于挂槽式浮选机中，加入去离子水和选择性抑制剂EDTTMPS溶液，其中，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝80mg：1L，调整挂槽式浮选机，转速为1800rpm搅拌2min，使物料混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中菱镁矿的质量浓度为20％；选择性抑制剂EDTTMPS溶液的质量浓度为0.95g/L；
步骤3：反浮选脱硅
室温下，首先向菱镁矿矿浆加入质量分数为1％的HCl水溶液，调节pH值至6后，搅拌2min，至矿浆均匀，得到pH值为6的菱镁矿矿浆；
向pH值为6的菱镁矿矿浆中，先加入质量浓度为0.95g/L的捕收剂DDA水溶液，其中，DDA加入量占菱镁矿矿浆量为30mg/L，最后进行3min反浮选粗选，得到低硅菱镁矿精矿，和浮选后的剩余尾矿。在此过程中，设定挂槽式浮选机转速1800r/min。
本实施例中，低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为48.03％，SiO2为0.15％，CaO为0.09％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为80.25％。
实施例2
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，包括以下步骤：
步骤1：磨矿
将高硅低品位菱镁矿原矿进行破碎，球磨，得到菱镁矿粉；其中，菱镁矿粉中，粒级为小于74μm的菱镁矿粉的质量占总菱镁矿粉质量的80％；
步骤2：调浆
将粒级为小于74μm且占总菱镁矿粉质量的80％的菱镁矿粉置于挂槽式浮选机中，加入去离子水和选择性抑制剂EDTTMPS溶液，其中，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝90mg：1L，并混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中菱镁矿的质量浓度为25％；选择性抑制剂EDTTMPS溶液的质量浓度为0.95g/L；
步骤3：反浮选脱硅
室温下，首先向菱镁矿矿浆加入质量分数为1.5％的HCL水溶液，调节pH值至6.5后，搅拌2min，至矿浆均匀，得到pH值为6.5的菱镁矿矿浆；
向pH值为6.5的菱镁矿矿浆中，先加入质量浓度为1.00g/L的捕收剂DDA水溶液，其中，DDA加入量占菱镁矿矿浆量为40mg/L，搅拌2min，最后进行3min反浮选粗选，得到低硅菱镁矿精矿。试验过程中，设定浮选机转速1700r/min。
本实施例中，低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为48.31％，SiO2为0.14％，CaO为0.11％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为84.25％。
实施例3
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，包括以下步骤：
步骤1：磨矿
将高硅低品位菱镁矿原料进行破碎，球磨，得到菱镁矿粉；其中，菱镁矿粉中，粒级为小于74μm的菱镁矿粉的质量占总菱镁矿粉质量的80％；
步骤2：调浆
将粒级为小于74μm且占总菱镁矿粉质量的80％的菱镁矿粉置于挂槽式浮选机中，加入去离子水和选择性抑制剂EDTTMPS溶液，其中，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝100mg：1L，并混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中菱镁矿的质量浓度为30％；选择性抑制剂EDTTMPS溶液的质量浓度为1.05g/L；
步骤3：反浮选脱硅
室温下，首先向菱镁矿矿浆加入质量分数为2％的HCL水溶液，调节pH值至7后，搅拌2min，至矿浆均匀，得到pH值为7的菱镁矿矿浆；
向pH值为7的菱镁矿矿浆中，先加入质量浓度为1.02g/L的捕收剂DDA水溶液，其中，DDA加入量占菱镁矿矿浆量为50mg/L，搅拌2min，最后进行3min反浮选粗选，得到低硅菱镁矿精矿。试验过程中，设定浮选机转速1700r/min。
本实施例中，低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为47.73％，SiO2为0.22％，CaO为0.09％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为81.25％。
实施例4
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，包括以下步骤：
步骤1：磨矿
将高硅低品位菱镁矿原料进行破碎，球磨，得到菱镁矿粉；其中，菱镁矿粉中，粒级为小于74μm的菱镁矿粉的质量占总菱镁矿粉质量的90％；
步骤2：调浆
将粒级为小于74μm且占总菱镁矿粉质量的90％的菱镁矿粉置于挂槽式浮选机中，加入去离子水和选择性抑制剂EDTTMPS溶液，其中，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝110mg：1L，并混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中菱镁矿的质量浓度为35％；选择性抑制剂EDTTMPS溶液的质量浓度为0.98g/L；
步骤3：反浮选脱硅
室温下，首先向菱镁矿矿浆加入质量分数为1％的NaOH水溶液，调节pH值至7.5后，搅拌2min，至矿浆均匀，得到pH值为7.5的菱镁矿矿浆；
向pH值为7.5的菱镁矿矿浆中，先加入质量浓度为0.99g/L的捕收剂DDA水溶液，其中，DDA加入量占菱镁矿矿浆量为45mg/L，搅拌2min，最后进行3min反浮选粗选，得到低硅菱镁矿精矿。试验过程中，设定浮选机转速1900r/min。
本实施例中，低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为48.05％，SiO2为0.05％，CaO为0.03％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为87.69％。
实施例5
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，包括以下步骤：
步骤1：磨矿
将高硅低品位菱镁矿原料进行破碎，球磨，得到菱镁矿粉；其中，菱镁矿粉中，粒级为小于74μm的菱镁矿粉的质量占总菱镁矿粉质量的85％；
步骤2：调浆
将粒级为小于74μm且占总菱镁矿粉质量的85％的菱镁矿粉置于挂槽式浮选机中，加入去离子水和选择性抑制剂EDTTMPS溶液，其中，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝120mg：1L，并混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中菱镁矿的质量浓度为40％；选择性抑制剂EDTTMPS溶液的质量浓度为1.01g/L；
步骤3：反浮选脱硅
室温下，首先向菱镁矿矿浆加入质量分数为3％的NaOH水溶液，调节pH值至8后，搅拌2min，至矿浆均匀，得到pH值为8的菱镁矿矿浆；
向pH值为8的菱镁矿矿浆中，先加入质量浓度为1.02g/L的捕收剂DDA水溶液，其中，DDA加入量占菱镁矿矿浆量为50mg/L，搅拌2min，最后进行3min反浮选粗选，得到低硅菱镁矿精矿。试验过程中，设定浮选机转速1700r/min。
本实施例中，低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为48.25％，SiO2为0.03％，CaO为0.07％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为89.76％。
实施例6
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，同实施例1，不同之处在于，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝90mg：1L，得到的低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为47.93％，SiO2为0.13％，CaO为0.39％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为81.15％。
实施例7
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，同实施例1，不同之处在于，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝95mg：1L，得到的低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为48.23％，SiO2为0.11％，CaO为0.47％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为89.25％。
实施例8
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，同实施例1，不同之处在于，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝100mg：1L，得到的低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为48.61％，SiO2为0.21％，CaO为0.27％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为86.26％。
实施例9
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，同实施例2，不同之处在于，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝105mg：1L，得到的低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为48.61％，SiO2为0.12％，CaO为0.23％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为88.26％。
实施例10
一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，同实施例2，不同之处在于，按固液比，选择性抑制剂EDTTMPS：菱镁矿矿浆＝115mg：1L，得到的低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为47.91％，SiO2为0.23％，CaO为0.17％；低硅菱镁矿精矿中菱镁矿的回收率为85.14％。
对比例1
一种菱镁矿浮选脱硅的方法，同实施例1，不同之处在于：
步骤2中，将粒级为小于74μm且占总菱镁矿粉质量的70％的菱镁矿粉置于挂槽式浮选机中，加入去离子水，并搅拌2min，使其混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中菱镁矿的质量浓度为20％；
在本对比例中，得到的低硅菱镁矿精矿的主要成分按质量百分比为MgO为44.38％，SiO2为2.90％，CaO为0.75％；低硅菱镁矿精矿中的MgO占原料中MgO总质量的50.77％。
说明本发明在菱镁矿浮选脱硅的方法中，加入选择性抑制剂EDTMPS能够提高精矿中菱镁矿的回收率，并且根据选择性抑制剂EDTMPS对菱镁矿的表面动电位影响图图2和选择性抑制剂EDTMPS对石英的表面动电位影响图图3可以看出，EDTMPS可以通过干扰DDA与菱镁矿之间的相互作用来减弱DDA对菱镁矿表面等电点的影响。但是，EDTMPS对石英表面没有这种作用。

Claims (10)

1.一种选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，在采用十二胺作为捕收剂的菱镁矿浮选脱硅工艺中，加入选择性抑制剂EDTMPS。
2.根据权利要求1所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，按质量比，十二胺：选择性抑制剂EDTMPS＝(8～12)：(3～5)。
3.根据权利要求1所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，是将选择性抑制剂EDTMPS用于菱镁矿浮选脱硅工艺中的调浆过程，加入选择性抑制剂EDTMPS制备菱镁矿矿浆。
4.根据权利要求1所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，为将选择性抑制剂EDTMPS溶于蒸馏水中，配制成质量浓度为0.95～1.05g/L的选择性抑制剂EDTMPS水溶液使用。
5.根据权利要求1所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，该选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，具体包括以下步骤：
步骤1：磨矿
将高硅低品位菱镁矿破碎，球磨，得到菱镁矿粉；其中，菱镁矿粉中，粒级<74μm的菱镁矿粉的质量占总菱镁矿粉质量的70～90％；
步骤2：调浆
将菱镁矿粉置于浮选设备中，加入去离子水和选择性抑制剂EDTMPS水溶液，并混合均匀，进行调浆，得到菱镁矿矿浆；其中，菱镁矿矿浆中，菱镁矿粉的质量浓度为20～40％；选择性抑制剂EDTMPS水溶液的质量浓度为0.95～1.05g/L；按固液比，选择性抑制剂EDTMPS：菱镁矿矿浆＝(80～120)mg：1L；
步骤3：反浮选脱硅
室温下，向菱镁矿矿浆中加入HCl水溶液或NaOH水溶液，调节pH值至6～8后，搅拌均匀，得到pH值为6～8的菱镁矿矿浆；
向pH值为6～8的菱镁矿矿浆中，加入捕收剂DDA，搅拌均匀，然后进行反浮选粗选，得到低硅菱镁矿精矿；其中，按固液比，捕收剂DDA水溶液中捕收剂DDA：菱镁矿矿浆＝(30～50)mg：1L。
6.根据权利要求5所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，所述的步骤1中，高硅低品位菱镁矿其主要成分及各个成分按质量百分比为MgO为25～35.5％，CaO为0～0.8％，SiO2为10～25％。
7.根据权利要求5所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用中，调浆和反浮选脱硅过程的搅拌转速为1600～1900rpm。
8.根据权利要求5所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，所述的步骤3中，捕收剂DDA为质量浓度为0.95～1.05g/L的DDA水溶液；捕收剂DDA用量占菱镁矿矿浆量为40mg/L。
9.根据权利要求5所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，所述的步骤3中，低硅菱镁矿精矿主要成分及各个成分按质量百分比为MgO为47.5～48.7％，SiO2≤0.3％，CaO≤0.8％。
10.根据权利要求5所述的选择性抑制剂EDTMPS在菱镁矿浮选脱硅中的应用，其特征在于，将选择性抑制剂EDTMPS用于菱镁矿浮选脱硅工艺中，低硅菱镁矿精矿的回收率按质量百分比为80～90％，低硅菱镁矿精矿中的MgO回收率按质量百分比为38～43％。
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