CN112134474A - 半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例涉及一种半导体装置，该半导体装置包括：对AC输入电压进行整流的整流器电路、检测AC输入电压过零的过零检测电路、在通过过零检测电路所检测到的过零以及预定相位角所确定的定时导通整流器电路的控制电路，并且该相位角被设置为使得整流器电路的输出电压逐渐增加。

Description

半导体装置
相关申请的交叉引用
于2019年6月24日提交的日本专利申请号2019-116803的公开，包括说明书、附图和摘要，其内容通过整体引用并入本文。
技术领域
本发明涉及执行功率转换的半导体装置的涌流防止技术。
背景技术
作为用于将AC功率转换为DC功率的电源装置，已知开关电源装置，通过控制开关元件的接通和关断来将AC输入电压转换为DC输出电压。
此外，在开关电源装置中，通常使用PFC(功率因数校正)电路以便抑制由于输入电压与输入电流之间的相位差而导致的功率因数的劣化和谐波的产生。
要求开关电源装置高度可靠，这是因为所产生的功率与其所供电的电路的操作质量直接相关。已知涌流对策是用于提高可靠性的方法。非专利文献1描述了一种通过将电阻器和PTC(正温度系数)与线路串联连接来限制涌流的电路(图4)。当不需要电阻器和PTC时，它们可以通过开关和继电器而被短路。同样在图5中，描述了利用电阻器(Rinrush)用于限制涌流的电路。Rinrush通常被晶闸管(SCR)短路。图6示出了一种电路，通过增加电容Cr来限制涌流。
[现有技术文件]
[非专利文件]
[非专利文献1]Muntasir Alam,et al.,“An Inrush Limited,Surge TolerantHybrid Resonant Bridgeless PWM AC-DC PFC Converter”,2014IEEE EnergyConversion Congress and Exposition(ECCE)，p.5647-5651。
发明内容
然而，添加开关、继电器、晶闸管和电容器以防止功率转换器装置中的涌流，这会导致高成本。特别地，对于开关和继电器，存在如下缺点：由于开关和继电器在其整个寿命期间的断开和闭合数目非常小，因此功率转换器装置被劣化。
根据说明书和附图的描述，其他目的和新颖特征将变得明显。
根据一个实施例的半导体装置包括：整流器电路，对AC输入电压进行整流；过零检测电路，检测AC输入电压的过零；控制电路，在通过过零检测电路所检测到的过零以及预定相位角所确定的定时导通整流器电路，并且该相位角被设置为使得整流器电路的输出电压逐渐增加。
根据一个实施例的半导体装置允许利用涌流对策进行功率转换。
附图说明
图1是根据一个实施例的半导体装置的框图。
图2是根据实施例的控制电路的框图。
图3是示出控制电路的操作的时序图。
图4是示出半导体装置的操作的流程图。
图5是示出半导体装置的操作的时序图。
图6是第一修改示例的框图。
图7是示出根据第一修改示例的半导体装置的操作的时序图。
图8是根据第二修改示例的半导体装置的框图。
图9是根据第三修改示例的半导体装置的框图。
图10是根据第四修改示例的半导体装置的框图。
具体实施方式
在下文中，将通过参考附图详细描述根据实施例的半导体装置。在说明书和附图中，相同或对应形式的元件由相同的附图标记表示，并且省略对其重复的描述。在附图中，为了便于描述，可以省略或简化配置。而且，实施例中的至少一些实施例可以彼此任意地组合。
实施例
图1是示出了根据第一实施例的半导体装置10的配置的框图。
如图1所示，半导体装置10包括以下各项：作为第一开关元件的开关元件S1、作为第二开关元件的开关元件S2、作为第一晶闸管的晶闸管SCR1、作为第二晶闸管的晶闸管SCR2、电容器C1，线圈L1、控制电路11、开关元件驱动电路12、晶闸管驱动电路13、以及过零检测电路14。该配置类似于无桥图腾柱(bridgeless totem pole)型功率因数校正电路，但是与常规的无桥图腾柱型功率因数校正电路不同之处在于：半导体装置10包括晶闸管SCR1、SCR2、晶闸管驱动电路13。进一步地，控制电路11和开关元件驱动电路12的操作也不同于通常的无桥图腾柱型功率因数校正电路。稍后将描述该细节。半导体装置10是作为功率转换装置的电源装置，该电源装置将供应到第一输入端子41和第二输入端子42的AC输入电压(AC IN)转换为直流电压(VOUT)，并输出至第一输出端子51和第二输出端子52。
开关元件S1设置在第一输出端子51与节点N2之间，节点N2经由线圈L1和滤波器耦合至第一输入端子41。开关元件S2设置在节点N2与第二输出端子52之间。开关元件S1、S2是功率晶体管，例如IGBT(绝缘栅双极晶体管)和功率MOS。晶闸管SCR1设置在第一输出端子51与节点N1之间，节点N1经由滤波器耦合至第二输入端子42。晶闸管SCR2设置在节点N1与第二输出端子52之间。
开关元件驱动电路12基于控制电路11的指令来接通或关断开关元件S1、S2。类似地，晶闸管驱动电路13基于控制电路11的指令来导通或关断晶闸管SCR1、SCR2。
过零检测电路14监视AC输入电压并检测振幅过零的定时。将检测结果通知给控制电路11。
控制电路11具有两个功能。第一功能是正常操作期间的功能，并且是与常规的无桥图腾柱型功率因数校正电路等效的控制功能。然而，由于常规的无桥图腾柱型功率因数校正电路不具有晶闸管SCR1、SCR2，所以晶闸管SCR1、SCR2的控制与常规的不同。更特别地，基于预定的控制方法，控制电路11通过控制开关元件S1、S2，使用线圈L1执行功率因数校正。此时，基于过零检测电路14所检测到的AC输入电压过零定时，晶闸管SCR1、SCR2被交替地导通。具体地，当开关元件S1和S2的连接点(以下称为节点N2)的电压从正电压变为负电压，并且晶闸管SCR1和SCR2的连接点(以下称为节点N1)的电压从负电压变为正电压时，晶闸管SCR1被导通，晶闸管SCR2被关断。当节点N2处的电压从负电压变为正电压，并且节点N1处的电压从正电压变为负电压时，晶闸管SCR1被关断且晶闸管SCR2被导通。因此，半导体装置10等效于常规的无桥图腾柱型功率因数校正电路。
控制电路11的第二功能是在AC输入电压被接通之后的控制功能。在第二功能中，开关元件S1、S2总是关断的。进一步地，基于过零检测电路14所检测到的过零定时，晶闸管SCR1、SCR2在预定的定时(相位角)处交替地被导通。控制电路11执行第二功能，直到上述正常操作被执行为止。
图2是控制电路11的框图。过零检测结果15存储关于过零检测电路14所检测到的AC输入电压的过零定时的信息。根据过零检测结果15中所存储的信息，过零预测电路16预测AC输入电压的下一个过零定时。相位角计算电路17根据AC输入电压的下一个过零定时计算具有预定相位角的定时。在上述第一功能操作期间，晶闸管控制电路19将控制信号输出到晶闸管驱动电路13，以使得晶闸管SCR1、SCR2基于过零预测电路16所预测到的过零定时交替地被导通。进一步地，在上述第二功能操作期间，晶闸管控制电路19将控制信号输出到晶闸管驱动电路13，以使得晶闸管SCR1、SCR2在相位角计算电路17所计算出的定时被导通。常规地，开关元件控制电路18在上述第一功能操作期间，将用于控制开关元件S1、S2的控制信号输出到开关元件驱动电路12，以便执行功率因数校正。进一步地，在上述第二功能操作期间，开关元件控制电路18将控制信号输出到开关元件驱动电路12，以使开关元件S1、S2总是关断的。在此，控制电路11可以是专用电路，也可以由CPU控制。
将参考图3更详细地描述过零检测电路14、过零预测电路16和相位角计算电路17的操作。
图3示出了AC输入电压的波形。过零检测电路14在AC输入电压被接通之后测量AC输入电压的某些过零定时。在图3中，测量作为过零定时的三个点Zn-3、Zn-2、Zn-1。测量的结果被发送到控制电路11。测量点不限于三个。
过零预测电路16根据测量点Zn-3、Zn-2、Zn-1，预测AC输入电压的下一个过零定时。例如，由于可以根据Zn-3和Zn-2的间隔来测量AC输入电压的半周期，因此可以根据Zn-1来预测下一个过零定时Zn。备选地，可以通过采取Zn-3与Zn-2之间的间隔和Zn-2与Zn-1之间的间隔的平均值，来确定AC输入电压的半周期。也以相同方式来获得过零定时的预测点Zn+1。
接下来，将描述相位角计算电路17的操作。相位角计算电路17基于过零预测电路16所预测的预测点来确定导通晶闸管SCR1和SCR2的定时。具体地，如图3所示，在从Zn提前A0的定时t0确定相位角。注意，相位角(也称为相位)是相对于AC输入电压的半周期(180度)的偏差。类似地，对于Zn+1，在从Zn+1提前A1的定时t1确定相位角。此处，A0＜A1。即，相位角计算电路17确定定时，以使得相位角相对于多个预测点逐渐增加。
接下来，将描述半导体装置10的操作。图4是示出了半导体装置10的操作的流程图。进一步地，图5是示出了半导体装置10的操作的时序图。
首先，在AC输入电压被输入之前的初始状态中，元件(开关元件S1、S2、晶闸管SCR1、SCR2)中的每个元件处于关断状态。控制电路11通过控制开关元件驱动电路12和晶闸管驱动电路13，输出栅极信号和控制信号以关断每个元件(步骤S0)。在本实施例中，当栅极信号和控制信号为地电压(0V)时，每个元件都关断，并且当栅极信号和控制信号为正的高电压时，每个元件都导通，但不限于此。
当供应AC输入电压时(步骤S10)，过零检测电路14检测AC输入电压的过零定时，并将检测结果通知给控制电路11(步骤S11)。
如图3中所描述的，过零预测电路16根据过零检测电路14所检测到的过零定时，预测下一个过零定时(步骤S12)。在图5中，Z0至Z5是被预测到的定时。在图5中，过零检测电路14所检测到的过零定时被省略。
相位角计算电路17计算相对于被预测到的过零定时Z0至Z5的相位角A0至A5(步骤S13)。如图3中所说明的，相位角(A0至A5)逐渐增加。例如，当初始值为15度并且增加量为15度时，A0＝15度、A1＝30度、A2＝45度、A3＝60度、A4＝75度、并且A5＝90度。相位角计算方法不限于此。例如，增加量可以不是恒定的，或者A0＝A1，A2＝A3并且A4＝A5。
晶闸管控制电路19使用过零预测电路16所预测的Z0至Z5和相位角计算电路17所计算出的A0至A5，来生成用于导通晶闸管SCR1和SCR2的控制信号(步骤S14)。在Z0的情况下，生成用于在从Z0提前A0(15度)的定时t0导通晶闸管SCR1的控制信号。对于Z1，生成用于在从Z1提前A1(30度)的定时t1导通晶闸管SCR2的控制信号。类似地，生成用于在t2，t4导通晶闸管SCR1的控制信号，并且生成用于在t3，t5导通晶闸管SCR2的控制信号。
晶闸管驱动电路13基于晶闸管控制电路19所产生的控制信号来导通晶闸管SCR1、SCR2。如图5所示，在定时t0，AC输入电压为负电压。即，将正电压施加到节点N1。当晶闸管SCR1在定时t0被导通时，电流流经节点N1、晶闸管SCR1、电容器C1、开关元件S2的回流二极管、节点N2和线圈L1。在定时t1，AC输入电压为正电压。即，将正电压施加到节点N2。当晶闸管SCR2在定时t1被导通时，电流流经节点N2、开关元件S1的回流二极管、电容器C1、晶闸管SCR2、节点N1。同样的情况适用于定时t2至t5。即，此时，开关元件S1、S2、晶闸管SCR1、SCR2将充当整流电路。
现在我们关注节点N1处的电压。此时t0处的电压为V0且t2处的电压为V2时，V2＞V0。这是因为，如上所述，由于相位角逐渐增加，所以t2是比t1更远离过零定时的定时。在AC输入电压的0到90度范围中，电压随着它远离过零而变高。同样的情况适用于节点N2处的电压。因此，从t0到t5，被施加到电容器C1的电压逐渐增加(图5(E))。
在定时t5(相位角90度)(步骤S15)，控制电路11结束对AC输入电压的导通的控制(第二功能)，进入正常控制(第一功能)(步骤S16)。在正常控制中，控制电路11在AC输入电压的过零定时进行控制，以使得晶闸管SCR1、SCR2被交替地导通(图5中的t6、t7)。进一步地，控制电路11通过控制开关元件S1、S2来执行功率因数校正。因为用于功率因数校正的开关元件S1、S2的控制方法与常规的控制方法相同，所以被省略。
如上所述，在本实施例中，可以利用针对涌流的措施，在没有任何附加的开关元件、继电器、电容器等的情况下来执行功率转换。
第一修改示例。
图6是示出根据第一修改示例的半导体装置20的配置的框图。
在实施例中，电路基于无桥图腾柱型功率因数校正电路，而第一修改示例将整流器电路(二极管桥)与升压型PFC电路进行组合，且特别地基于单型电路。如图6所示，半导体装置20包括以下各项：作为第一二极管的整流二极管D1、作为第二二极管的整流二极管D2、作为第三晶闸管的晶闸管SCR 3、作为第四晶闸管的晶闸管SCR4、开关元件S3、作为第二线圈的线圈L2、作为第三二极管的升压二极管D3、电容器C1、控制电路21、晶闸管驱动电路22、开关元件驱动电路23、以及过零检测电路24。常规的整流器电路使用整流器二极管而不是晶闸管SCR3、SCR4。在此修改示例中，通过在AC输入电压被接通时控制晶闸管SCR3、SCR4，使涌流得以抑制。整流二极管D1设置在经由滤波器耦合至第一输入端子41的节点N4、与经由串联连接的线圈L2和升压二极管D3连接的第一输出端子51之间。整流二极管D2设置在经由滤波器耦合至第二输入端子42的节点N3与经由串联连接的线圈L2和升压二极管D3连接的第一输出端子51之间。晶闸管SCR3设置在节点N4与第二输出端子52之间。晶闸管SCR4设置在节点N3与第二输出端子52之间。开关元件S3设置在线圈L2与升压二极管D3之间的连接点(节点N5)和第二输出端子52之间。
晶闸管驱动电路22和开关元件驱动电路23基于控制电路21的指令执行晶闸管SCR3、SCR4、以及作为第三开关元件的开关元件S3的导通/关断。
过零检测电路24检测AC输入电压变为过零的定时，并将检测结果通知给控制电路21。过零检测电路24等效于实施例的过零检测电路14。
与实施例的控制电路11的方式相同，控制电路21具有第一功能和第二功能。在第一功能(正常操作)中，类似于常规的升压型PFC，半导体装置20的功率因数校正通过控制开关元件S3来执行。然而，由于常规的整流器电路(二极管桥)不具有晶闸管SCR 3、SCR 4，因此晶闸管SCR 3、SCR 4的控制不同于常规控制。具体地，当节点N3的电压从负电压变为正电压，并且节点N4的电压从正电压变为负电压时，晶闸管SCR3被导通，晶闸管SCR4被关断。此外，当节点N3的电压从正电压变为负电压，并且节点N4的电压从负电压变为正电压时，晶闸管SCR3被关断，晶闸管SCR4被导通。因此，半导体装置20具有与常规的整流器电路和升压型PFC相同的功能。
控制电路21的第二功能是在AC输入电压被接通之后的控制功能。在该功能中，开关元件S3总是关断的。晶闸管SCR3、SCR4基于过零检测电路24所检测到的过零定时在预定的定时(相位角)交替地被导通。控制电路21执行第二功能，直到转变为正常操作为止。与实施例的控制电路11相似，控制电路21具有过零预测电路、相位角计算电路、开关元件控制电路、晶闸管控制电路。
接下来，将描述根据第一修改示例的半导体装置20的操作。图7是示出半导体装置20的操作的时序图。
半导体装置20的操作类似于实施例的操作。图1的晶闸管SCR1对应于图6的晶闸管SCR3，图1的晶闸管SCR2对应于图6的晶闸管SCR 4。此外，图5(B)中的晶闸管SCR1的栅极信号的时序图对应于图6中的SCR 3的栅极信号的时序图，图5(C)中的SCR2的栅极信号的时序图对应于图6中的SCR 4的栅极信号的时序图。
如在图2至图5的描述中，控制电路21在定时t0至定时t5导通晶闸管SCR 3、SCR 4，在定时t0至定时t5，相位角相对于Z0至Z5偏移了A0至A5，Z0至Z5是过零检测电路所检测到的AC输入电压的过零定时。
在t5定时(相位角为90度)，控制电路21结束对AC输入电压的控制(第二功能)，并进入正常控制(第一功能)。在正常控制中，控制电路21进行控制，以使得晶闸管SCR 3、SCR4在AC输入电压的过零定时被交替地导通。此外，控制电路21通过控制开关元件S3来执行功率因数校正。因为用于功率因数校正的开关元件S3的控制方法与常规的控制方法相同，所以将被省略。
如上所述，本第一修改示例的整流器电路和升压型PFC电路可以获得与实施例相同的效果。
第二修改示例
图8是示出根据第二修改示例的半导体装置30的配置的框图。
该第二修改示例与第一修改示例的不同之处在于整流器二极管D1、D2与晶闸管SCR3、SCR4所耦合的点。即，晶闸管SCR3设置在经由滤波器耦合至第一输入端子41的节点N4、与经由串联连接的线圈L2和升压二极管D3连接的第一输出端子51之间。晶闸管SCR4设置在经由滤波器耦合至第二输入端子42的节点N3、与经由串联连接的线圈L2和升压二极管D3连接的第一输出端子51之间。整流二极管D1设置在节点N4与第二输出端子52之间。整流二极管D2设置在节点N3与第二输出端子52之间。由于半导体装置30的操作与半导体装置20的操作相同，因此省略该细节。
本第二修改示例可以获得与第一修改示例相同的效果。
第三修改示例
图9是示出根据第三修改示例的半导体装置40的配置的框图。
该第三修改示例基于整流器电路和升压型交错的PFC电路。在交错的PFC电路中，将作为第三线圈的线圈L3、作为第四二极管的升压二极管D4以及作为第四开关元件的开关元件S4添加到单型PFC电路(第一修改示例)。线圈L3和升压二极管D4串联布置在整流二极管D1、D2与第一输出端子51之间，开关元件S4布置在线圈L3与升压二极管D4之间的连接点(节点N6)和第二输出端子52之间。类似于第一修改示例，由整流器二极管D1、D2以及晶闸管SCR3、SCR4而构成的整流器电路与常规的整流器电路不同。
除了交错操作之外，半导体装置40的操作与第一修改示例的操作相同。类似于实施例和第一修改示例，控制电路31具有第一功能和第二功能。在第一功能(正常操作)中，类似于常规的交错的PFC电路，半导体装置40的功率因数通过控制开关元件S3、S4得以改进。然而，由于常规的整流器电路不具有晶闸管SCR 3、SCR 4，因此晶闸管SCR 3、SCR 4的控制不同于常规控制。晶闸管SCR 3、SCR 4的控制类似于第一修改示例。因此，半导体装置40等效于常规的整流器电路和升压型交错的PFC电路。
控制电路31的第二功能是在AC输入电压被接通之后的控制功能。该功能的操作与第一修改示例的操作相同，并且因此省略对其的详细描述。
在根据本第三修改示例的半导体装置40中，在整流器电路和升压型交错的PFC电路中，可以获得与实施例相同的效果。
第四修改示例图。
图10是示出根据第四修改示例的半导体装置50的配置的框图。
该第四修改示例与第三修改示例的不同之处在于整流器二极管D1、D2、以及晶闸管SCR3、SCR4以类似于第二修改示例的形式耦合。由于半导体装置50的操作与半导体装置40的操作相同，因此省略该细节。
本第四修改示例可以获得与第三修改示例相同的效果。
应当注意，本发明不限于上述实施例，并且可以在不脱离其主旨的情况下进行各种修改。

Claims (16)

1.一种半导体装置，包括：
整流器电路，对AC输入电压进行整流；
过零检测电路，检测所述AC输入电压的过零；以及
控制电路，在通过所述过零检测电路所检测到的所述过零、以及预定相位角所确定的定时导通所述整流器电路，
其中，所述预定相位角被设置为使得所述整流器电路的输出电压逐渐增加。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述控制电路包括过零预测电路，所述过零预测电路根据所述过零检测电路所检测到的所述过零来预测下一个过零定时，并且导通所述整流器电路的所述定时由预测到的所述下一个过零定时和所述预定相位角确定。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述相位角被设置为逐渐增加。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：
第一输入端子和第二输入端子，用于输入所述AC输入电压；以及
第一输出端子和第二输出端子，
其中，所述整流器电路包括第一开关元件和第二开关元件、以及第一晶闸管和第二晶闸管，
其中，所述第一开关元件设置在所述第一输入端子与所述第一输出端子之间，
其中，所述第二开关元件设置在所述第一输入端子与所述第二输出端子之间，
其中，所述第一晶闸管设置在所述第二输入端子与所述第一输出端子之间，
其中，所述第二晶闸管设置在所述第二输入端子与所述第二输出端子之间，并且
其中，所述控制电路控制所述第一晶闸管和所述第二晶闸管的导通。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，
其中，线圈设置在所述第一输入端子与所述第一开关元件和所述第二开关元件之间，并且
其中，电容器设置在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，当所述相位角达到预定值时，所述控制电路通过控制所述第一开关元件和所述第二开关元件来执行功率因数校正。
7.根据权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：
第一输入端子和第二输入端子，用于输入所述AC输入电压；以及
第一输出端子和第二输出端子，
其中，所述整流器电路包括第一二极管和第二二极管、以及第三晶闸管和第四晶闸管，
其中，所述第一二极管设置在所述第一输入端子与所述第一输出端子之间，
其中，所述第二二极管设置在所述第二输入端子与所述第一输出端子之间，
其中，所述第三晶闸管设置在所述第一输入端子与所述第二输出端子之间，
其中，所述第四晶闸管设置在所述第二输入端子与所述第二输出端子之间，
其中，所述控制电路控制所述第三晶闸管和所述第四晶闸管的导通。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
其中，第二线圈和第三二极管串联布置在所述第一二极管和所述第二二极管与所述第一输出端子之间，
其中，第三开关元件设置在所述第二线圈和所述第三二极管的连接点与所述第二输出端子之间，并且
其中，所述电容器设置在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，当所述相位角达到预定值时，所述控制电路通过控制所述第三晶闸管和所述第四晶闸管、以及所述第三开关元件来执行功率因数校正。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，
其中，第三线圈和第四二极管进一步串联布置在所述第一二极管和所述第二二极管与所述第一输出端子之间，并且
其中，第四开关元件设置在所述第三线圈和所述第四二极管的连接点与所述第二输出端子之间。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，当所述相位角达到预定值时，所述控制电路通过控制所述第三晶闸管和所述第四晶闸管以及所述第三开关元件和所述第四开关元件来执行功率因数校正。
12.根据权利要求3所述的半导体装置，进一步包括：
第一输入端子和第二输入端子，用于输入所述AC输入电压；以及
第一输出端子和第二输出端子，
其中，所述整流器电路包括第一二极管和第二二极管、以及第三晶闸管和第四晶闸管，
其中，所述第三晶闸管设置在所述第一输入端子与所述第一输出端子之间，
其中，所述第四晶闸管设置在所述第二输入端子与所述第一输出端子之间，
其中，所述第一二极管设置在所述第一输入端子与所述第二输出端子之间，
其中，所述第二二极管设置在所述第二输入端子与所述第二输出端子之间，并且
其中，所述控制电路控制所述第三晶闸管和所述第四晶闸管的导通。
13.根据权利要求12所述的半导体装置，
其中，第二线圈和第三二极管串联布置在所述第三晶闸管和所述第四晶闸管与所述第一输出端子之间，
其中，第三开关元件设置在所述第二线圈和所述第三二极管的连接点与第二输出端子之间，并且
其中，电容器设置在所述第一输出端子与所述第二输出端子之间。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其中，当所述相位角达到预定值时，所述控制电路通过控制所述第三晶闸管和所述第四晶闸管以及所述第三开关元件来执行功率因数校正。
15.根据权利要求14所述的半导体装置，
其中，第三线圈和第四二极管进一步串联布置在所述第三晶闸管和所述第四晶闸管与所述第一输出端子之间，
其中，第四开关元件设置在所述第三线圈和所述第四二极管的连接点与所述第二输出端子之间。
16.根据权利要求15所述的半导体装置，其中，当所述相位角达到预定值时，所述控制电路通过控制所述第三晶闸管和所述第四晶闸管、以及所述第三开关元件和所述第四开关元件来执行功率因数校正。
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