CN112134129A - 一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法 - Google Patents

一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112134129A
CN112134129A CN202011038506.3A CN202011038506A CN112134129A CN 112134129 A CN112134129 A CN 112134129A CN 202011038506 A CN202011038506 A CN 202011038506A CN 112134129 A CN112134129 A CN 112134129A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
medium
gain medium
refractive indexes
external medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011038506.3A
Other languages
English (en)
Inventor
郑天然
王方
胡东霞
李明中
刘红婕
孙喜博
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics
Original Assignee
Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics filed Critical Laser Fusion Research Center China Academy of Engineering Physics
Priority to CN202011038506.3A priority Critical patent/CN112134129A/zh
Publication of CN112134129A publication Critical patent/CN112134129A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0604Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0619Coatings, e.g. AR, HR, passivation layer
    • H01S3/0625Coatings on surfaces other than the end-faces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开了一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法,属于激光技术领域,包括增益介质和外部介质,其特征在于:所述增益介质和外部介质之间设置有至少三层具有不同折射率的光学薄膜,每层所述光学薄膜的折射率介于所述增益介质和外部介质之间,且所述光学薄膜的折射率沿所述增益介质到外部介质的方向依次降低;本发明既能满足主激光的正常传输和放大,又能够显著抑制自发辐射放大过程;本发明适用性广,可用于任何基于全内反射激光放大过程的激光器、激光放大器等的自发辐射放大过程的抑制;且结构简单,不会带来额外的设计和建造难度,成本低。

Description

一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及 方法
技术领域
本发明涉及激光技术领域,尤其涉及一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法。
背景技术
在激光放大过程中,光的受激辐射放大和自发辐射放大同时存在,两种过程都会消耗激光增益介质的反转粒子数(即增益介质内存储的能量),因此自发辐射放大的存在会导致激光输出能量的降低。为了提高激光对增益介质储能的提取效率,需要抑制自发辐射放大过程。
对于透射应用的激光增益介质,通常采用“包边玻璃+折射率匹配胶”的方法,抑制与激光传输方向垂直的横向自发辐射放大。
然而,对于板条激光器,其激光增益介质利用全内反射对激光进行传输和放大,在激光传输平面内,激光和自发辐射放大光都会经过增益介质与其外部介质的光学界面,“包边玻璃+折射率匹配胶”的方法无法对激光和自发辐射放大光进行区分,该方法难以实现在激光传输平面内的自发辐射放大过程的抑制。同时板条激光放大器中,激光传输角度是确定的,其他小于激光传输角度的自发辐射放大光虽然界面反射率降低,但在角度较小时,其增益长度远超过主激光的增益长度。
因此,板条激光器中自发辐射放大的抑制难题亟待解决。
发明内容
本发明的目的之一,就在于提供一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构,以解决上述问题。
为了实现上述目的,本发明采用的技术方案是这样的:一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构,包括增益介质和外部介质,所述增益介质和外部介质之间设置有具有至少三层不同折射率的光学薄膜,每层所述光学薄膜的折射率介于所述增益介质和外部介质之间,且所述光学薄膜的折射率沿所述增益介质到外部介质的方向依次降低。
上述的增益介质,也称为放大介质;上述的外部介质,可能是空气、真空、冷却液等等,即增益介质所处的外部环境中的介质(一般仍然处于激光器中);上述的光学薄膜,可以是采用单层薄膜组合而成,也可以是采用多层薄膜成品。
本发明根据激光器/激光放大器增益介质和外部介质的折射率,以及实际可制备的光学薄膜的折射率,选取一系列具有介于增益介质和外部介质之间的折射率的膜层,按照折射率从高到低在增益介质表面制备多层薄膜,各单层膜的厚度可根据需求进行设计。
作为优选的技术方案:所述光学薄膜的层数为四至八层。
本发明的光学薄膜的层数,至少为三层,从原理上讲,层数越多越好;
但层数过多会导致工艺难度的大幅提升,以及可能的性能变差,所以优选为四至八层。
本发明的目的之二,在于提供一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的方法,采用的技术方案为:采用至少三层具有不同折射率的光学薄膜将所述板条激光器/激光放大器的增益介质和外部介质分隔开。
作为优选的技术方案:所述光学薄膜采用下述至少一种制备方法:
利用不同的膜层材料制备具有不同折射率的单层薄膜;利用微纳结构制备具有不同折射率的单层薄膜;利用不同角度倾斜沉积镀膜制备具有不同折射率的单层薄膜;利用溶胶-凝胶法制备具有不同折射率的单层薄膜。
作为本发明的重要发明点,本发明中的单层光学薄膜,可以采用现有技术进行制备,包括但不限于:1.电子束沉积镀膜(介质膜的成熟制备方法);2.倾斜沉积镀膜(基于电子束沉积镀膜,使样品表面发现与膜层沉积方向呈一定角度)3.溶胶-凝胶法(化学膜的成熟制备方法)等;
常用的膜层材料包括但不限于:氧化钽、氧化钛、氧化铪、氧化硅等等,其体材料具有不同的折射率,光学薄膜也具有不同的折射率。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
1、本发明既能满足主激光的正常传输和放大,又能够显著抑制自发辐射放大过程,其原理为:主激光在介质内全内反射传输,而自发辐射光(以及自发辐射放大光)传输角度随机分布,在保证全内反射角的情况下,主激光正常传输和放大,降低小于全内反射角的光的反射率,自发辐射放大光会部分透射离开增益介质,进而抑制自发辐射放大过程;
2、本发明适用性广,可用于任何基于全内反射激光放大过程的激光器、激光放大器等的自发辐射放大过程的抑制;
3、本发明结构简单,对任何基于全内反射激光放大过程的激光器、激光放大器等均不会带来额外的设计和建造难度,成本低。
附图说明
图1为本发明实施例1的结构示意图;
图2为本发明实施例1的反射率曲线图;
图3为本发明对比例1的反射率曲线图。
图中:1、增益介质;2、光学薄膜;3、外部介质。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
实施例1:
参见图1,一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构,包括增益介质1和外部介质3,所述增益介质1和外部介质3之间设置有至少三层具有不同折射率的光学薄膜2,每层所述光学薄膜2的折射率介于所述增益介质1和外部介质3之间,且所述光学薄膜2的折射率沿所述增益介质1到外部介质3的方向依次降低;图1中,nin—增益介质的折射率;n1-nk—第1至第k层薄膜的折射率;nout—外部介质的折射率
本实施例中,增益介质的折射率nin=1.54,外部介质的折射率nout=1,光学薄膜2的层数为8层,各单层膜折射率依次为n1=1.47,n2=1.42,n3=1.37,n4=1.32,n5=1.27,n6=1.22,n7=1.17,n8=1.12,各单层膜光学厚度均为四分之一波长,其反射率曲线如图2所示,此时光束发生全反射的临界角为40.56°,角度超过临界角均会发生全内反射,在0°-40.56°范围内:自然光平均反射率为1.72%,相比下述的不设置光学薄膜的对比例1下降78%;S光平均反射率为2.16%,相比下述的不设置光学薄膜的对比例1下降81.7%;P光平均反射率为1.27%,相比下述的不设置光学薄膜的对比例1下降66.5%。
对比例1
本对比例与实施例1相比,不镀膜,亦即不在增益介质和外部介质之间设置光学薄膜,其余与实施例1相同,包括增益介质的折射率n in =1.54,外部介质的折射率n out =1,其反射率曲线如图3所示,此时光束发生全反射的临界角为40.56°,角度超过临界角均会发生全内反射,在0°~40.56°范围内:自然光平均反射率为7.81%,S光平均反射率为11.83%,P光平均反射率为3.79%。
实施例2:
本实施例中,增益介质的折射率nin=1.54,外部介质的折射率nout=1.3,光学薄膜2的层数为4层,各单层膜折射率依次为n1=1.47,n2=1.42,n3=1.37,n4=1.32,各单层膜光学厚度均为四分之一波长,此时光束发生全反射的临界角为57.6°,角度超过临界角均会发生全内反射,在0°-57.6°范围内:自然光平均反射率为0.67%,相比下述的不设置光学薄膜的对比例2下降79.5%;S光平均反射率为0.73%,相比下述的不设置光学薄膜的对比例2下降84%;P光平均反射率为0.61%,相比下述的不设置光学薄膜的对比例2下降69%。
对比例2:
本对比例与实施例2相比,不镀膜,亦即不在增益介质和外部介质之间设置光学薄膜,其余与实施例1相同,包括增益介质的折射率n in =1.54,外部介质的折射率n out =1,其反射率曲线如图3所示,此时光束发生全反射的临界角为57.6°,角度超过临界角均会发生全内反射,在0°-57.6°范围内:自然光平均反射率为3.26%,S光平均反射率为4.55%,P光平均反射率为1.97%。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构,包括增益介质和外部介质,其特征在于:所述增益介质和外部介质之间设置有至少三层具有不同折射率的光学薄膜,每层所述光学薄膜的折射率介于所述增益介质和外部介质之间,且所述光学薄膜的折射率沿所述增益介质到外部介质的方向依次降低。
2.根据权利要求1所述的抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构,其特征在于:所述光学薄膜的层数为四至八层。
3.一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的方法,其特征在于:采用至少三层具有不同折射率的光学薄膜将所述板条激光器/激光放大器的增益介质和外部介质分隔开。
4.根据权利要求3所述的抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的方法,其特征在于:所述光学薄膜采用下述至少一种制备方法:
利用不同的膜层材料制备具有不同折射率的单层薄膜;利用微纳结构制备具有不同折射率的单层薄膜;利用不同角度倾斜沉积镀膜制备具有不同折射率的单层薄膜;利用溶胶-凝胶法制备具有不同折射率的单层薄膜。
CN202011038506.3A 2020-09-28 2020-09-28 一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法 Pending CN112134129A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011038506.3A CN112134129A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011038506.3A CN112134129A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112134129A true CN112134129A (zh) 2020-12-25

Family

ID=73840420

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011038506.3A Pending CN112134129A (zh) 2020-09-28 2020-09-28 一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112134129A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5335237A (en) * 1992-10-29 1994-08-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Parasitic oscillation suppression in solid state lasers using absorbing thin films
US20020118718A1 (en) * 2000-12-29 2002-08-29 The Regents Of The University Of California Parasitic oscillation suppression in solid state lasers using optical coatings
JP2013038096A (ja) * 2011-08-03 2013-02-21 Mitsubishi Electric Corp 平面導波路型レーザ装置
CN105375326A (zh) * 2015-12-07 2016-03-02 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种抑制放大自发辐射的片状激光放大器
CN106340793A (zh) * 2016-11-25 2017-01-18 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种基于大面荧光吸收的板条放大自发辐射抑制金属化过渡层结构
CN107863675A (zh) * 2017-09-20 2018-03-30 同济大学 一种用于板条激光器谐振腔全反射面的薄膜结构

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5335237A (en) * 1992-10-29 1994-08-02 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Parasitic oscillation suppression in solid state lasers using absorbing thin films
US20020118718A1 (en) * 2000-12-29 2002-08-29 The Regents Of The University Of California Parasitic oscillation suppression in solid state lasers using optical coatings
JP2013038096A (ja) * 2011-08-03 2013-02-21 Mitsubishi Electric Corp 平面導波路型レーザ装置
CN105375326A (zh) * 2015-12-07 2016-03-02 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种抑制放大自发辐射的片状激光放大器
CN106340793A (zh) * 2016-11-25 2017-01-18 中国工程物理研究院应用电子学研究所 一种基于大面荧光吸收的板条放大自发辐射抑制金属化过渡层结构
CN107863675A (zh) * 2017-09-20 2018-03-30 同济大学 一种用于板条激光器谐振腔全反射面的薄膜结构

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6475755B2 (ja) レーザスラブ用の改善された反射/吸収コーティング
TWI231634B (en) Semiconductor laser device
JP2009086533A (ja) 赤外用多層膜、赤外反射防止膜及び赤外レーザ用反射ミラー
CN114185117B (zh) 一种多波段兼容隐身膜系结构及其制备方法
CN112342514A (zh) 一种半导体激光器腔面镀膜方法及半导体激光器
CN101424748A (zh) 可见区、1.06μm和8-12μm三波段高效减反射膜
CN112134129A (zh) 一种抑制板条激光器/激光放大器自发辐射放大的结构及方法
JP4171362B2 (ja) 反射防止膜付き透明基板
US20070230534A1 (en) Grating enhanced solid-state laser amplifiers
US9671534B2 (en) Optical reflective diffraction device having a high resistance to laser flux
US7616673B2 (en) Semiconductor laser device
JP4419958B2 (ja) 多層膜光学素子の製造方法
CN112134130B (zh) 一种基于双折射光学膜层抑制板条激光器中自发辐射放大的结构及方法
KR20140127034A (ko) 에지 에미팅 레이저 다이오드 및 그의 제조방법
EP4203205A1 (en) A laser amplification module for a solid-state laser system and a method for manufacturing thereof
EP0187400B1 (en) Multilayer optical component
JP2007163191A (ja) 多層膜反射鏡、多層膜反射鏡を備えた光学系
JP3538515B2 (ja) 半導体レーザ素子
US20180312426A1 (en) Optical component, preferably with improved degradation resistance, and method for producing same
CN112152055A (zh) 一种固体激光器
US7760432B2 (en) Photochromic resistant materials for optical devices in plasma environments
CN212515112U (zh) 一种用于高速传输的滤光片及光模块
JP4294699B2 (ja) 半導体レーザ装置
US6603212B2 (en) Laser diode using reflective layer including air layer and method for fabricating the same
US5701324A (en) Optical, opto-electronic or photonic component including at least one laterally confined optical cavity

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201225

RJ01 Rejection of invention patent application after publication