CN112106168B - 带电粒子束装置及带电粒子束装置的检测器位置调整方法 - Google Patents

Abstract

本发明是一种具备减速光学系统的带电粒子束装置，通过抑制由物镜‑试样间的构造物引起的减速电场的变化和轴偏离，能够降低对照射系统、检测系统造成的不良影响。带电粒子束装置具有：电子源(2)；使来自电子源的探测电子束聚焦于试样(12)的物镜(4)；使探测电子束加速的加速电极(3)；设于加速电极内的第一检测器(6)；在与加速电极之间形成针对探测电子束的减速电场并且探测电子束在其开口通过的减速电极(5)；以及插入减速电极与试样之间的第二检测器(7)，第二检测器具有比减速电极的开口大的开口部(9)，并在开口部的周围设有敏感面(8)。

Description

带电粒子束装置及带电粒子束装置的检测器位置调整方法

技术领域

本发明涉及带电粒子束装置及带电粒子束装置的检测器位置调整方法。

背景技术

扫描电子显微镜(SEM：Scanning Electron Microscope)检测在将聚焦后的探测电子束照射到试样上并扫描后产生的信号电子，并与照射电子束的扫描信号同步地显示各照射位置的信号强度，从而得到试样表面的扫描区域的二维图像。

近年来，基于避免伴随SEM观察时的电子束照射引起的试样的带电、损伤以及得到极表面的试样信息的目的，照射能量约为1keV以下的低加速观察的重要度增加。但是，一般在低加速区域内，色差增大，难以得到高分辨率。为了降低该色差，已知有一种使探测电子束加速来使之高速地通过物镜并在即将到达试样前使之减速来照射的减速光学系统。

在减速光学系统中被称为提升法的方法中，沿SEM的物镜的内磁路的内壁设置施加正电压的筒状的电极，而且试样为接地电位。并且，在被称为减速法的方法中，SEM柱的物镜侧保持为接地电位，对试样施加负电压。其特征在于，在任一方法中，从物镜至电子源侧的探测电子束的通过区域的电势相比试样是高电位，利用由该电势差形成的使探测电子束朝向试样减速的电场作为透镜场。通过使由减速电场产生的静电透镜与由物镜磁场产生的磁透镜重叠，能够在低加速区域内减少像差，从而得到高分辨率。

另一方面，从试样产生的信号电子由试样-物镜间的电场加速、聚焦，并进入到SEM柱内部。因此，通过在柱内部配置检测器，能够实现效率良好的检测。尤其，常见在提升电极内部的高电位空间设置有检测器的构造。专利文献1中公开有以下结构：在具备这样的减速光学系统的SEM中，由配置在柱内的检测系统来检测信号电子。

另一方面，作为检测来自试样的反射电子(BSE：Back Scattered Electron)的方法，已知在SEM柱与试样之间配置检测器的方法。通过使检测面位于试样附近，能够取得较大的检测立体角，并且适于检测在试样中以低角度散射的BSE。由此，例如能够清晰地观察试样的通道衬度(channeling contrast)。专利文献2中公开有在柱与试样之间设有圆环状的BSE用检测器的结构，该结构能够选择地检测BSE的放射角度。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2015/016040号

专利文献2：日本特开平7-65775号公报

发明内容

发明所要解决的课题

在具备减速光学系统的SEM中，在SEM柱前端与试样之间形成的电场对于照射系统及检测系统而言起到重要的作用。另一方面，为了获取来自试样的信号，进行在SEM柱与试样之间配置具有检测面的结构物。在柱-试样间配置的结构物对柱与试样间的电场产生影响。其结果，探测电子束轨道及信号电子轨道发生变化，有导致照射系统、检测系统性能恶化的担忧。

例如，从物镜内的加速电极经由减速电极的开口向试样伸出的电场有时被物镜下的构造物屏蔽。在该情况下，由电场形成的静电透镜的主面位置远离试样，所以物镜整体的像差增大，引起分辨率降低。除此之外，向物镜内捕集信号电子的捕集效果衰减，从而在柱内检测器的检测效率降低。

并且，在物镜下的构造物相对于由加速电极和减速电极构成的电场的中心轴缺乏对称性的情况下，在试样附近产生非轴对称的电场。此时，因电场的偏转作用，引起探测电子束到达位置偏离、轴外像差的增大，从而分辨率、可用性变差。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题，采用技术方案所记载的结构。例如，作为一个实施方式的带电粒子束装置具有：电子源；物镜，其使来自电子源的探测电子束聚焦于试样；加速电极，其使探测电子束加速；第一检测器，其设于加速电极内；减速电极，其在与加速电极之间形成针对探测电子束的减速电场，并且探测电子束在其开口通过；以及第二检测器，其插入减速电极与试样之间，第二检测器具有比减速电极的开口大的开口部，并在开口部的周围设有敏感面。

发明的效果如下。

在具备减速光学系统的带电粒子束装置中，通过抑制由物镜-试样间的构造物引起的减速电场的变化和轴偏离，能够降低对照射系统、检测系统造成的不良影响。

通过本说明书的记载及附图，其它课题和新的特征会变得清楚。

附图说明

图1是示出实施例的带电粒子束装置的简要剖视图。

图2是示出具备减速光学系统的SEM中的试样附近的电位分布的图。

图3是示出配置有比较例的物镜下检测器的情况下的试样附近的电位分布的图。

图4是示出配置有实施例的物镜下检测器的情况下的试样附近的电位分布的图。

图5是示出配置有实施例的物镜下检测器的情况下的试样附近的电位分布的图。

图6是示出伴随物镜下检测器的位置偏离量引起的非轴对称像差的变化的图。

图7是示出实施例的带电粒子束装置的变形例的简要剖视图。

图8是示出实施例的带电粒子束装置的变形例的简要剖视图。

图9是示出实施例的带电粒子束装置的变形例的简要剖视图。

图10是示出实施例的带电粒子束装置的变形例的简要剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的实施例。需要说明的是，附图示出遵照本发明的原理的具体的实施例，但这些实施例是用于理解本发明，并不用于限定地解释本发明。此外，在用于说明实施例及变形例的所有附图中，具有同一功能的部件标注同一符号，并省略其重复的说明。

图1是示出本实施例的带电粒子束装置的简要剖视图。作为带电粒子束装置的例子，示出应用了提升法的SEM。SEM柱1包括：具备用于向试样12照射探测电子束的机构的电子源2；聚光透镜(未图示)、物镜4等电子透镜；用于使探测电子束在试样12上扫描的偏转器(未图示)；用于检测从试样12产生的信号电子的第一检测器6。物镜4例如使用线圈等来产生磁场，形成用于使探测电子束聚焦于试样12的磁透镜。此外，除上述部件之外，SEM柱1还可以包括其它构成要素(透镜、电极、检测器等)，并不限定于上述的结构。

另外，SEM具备试样室11。在试样室11设有搭载试样12的试样台13。试样台13具备用于使试样12倾斜及移动的机构，能够由该机构来决定试样12的观察区域。除此之外，SEM具备用于对试样室11及SEM柱1进行真空排气的真空排气设备(未图示)。

并且，SEM具备控制SEM整体的控制部15。控制部15控制SEM的各构成要素，并且执行各种信息处理。控制部15具备图像显示装置(未图示)，在图像显示装置显示根据从检测器得到的信息而生成的SEM图像。

控制部15例如可以使用通用的计算机来实现，也可以作为在计算机上执行的程序的功能来实现。计算机至少具备CPU(Central Processing Unit)等处理器、存储器等存储部、硬盘等存储装置。控制部15的处理也可以作为程序代码而储存在存储器中，通过由处理器执行各程序代码来实现。控制部15的一部分也可以由专用的电路基板等硬件构成。

SEM柱1的物镜4是相对于试样12而漏磁场较小的外透镜型。并且，SEM柱1具备提升单元作为减速光学系统。具体而言，在SEM柱1中，从电子源2起沿光轴设置筒状的加速电极3，对加速电极3施加来自提升电压源14的电压。提升电压源14由控制部15控制。除此之外，在物镜前端部设置减速电极5。因来自提提升电压源14的电压施加，加速电极3设定为比减速电极5高的高电位。由此，在加速电极3的试样侧端部与减速电极5之间形成针对探测电子束的减速电场，探测电子束在通过该电场时受到透镜作用而减速。试样12与加速电极3的电势差例如设定为约10kV，来自SEM柱1的漏电场越强，越能够在试样12的附近得到焦距短的静电透镜作用。由此，减少像差，分辨率的改善效果变大。

此外，在图1的例子中，减速电极5由磁性体构成，物镜磁路及减速电极5构成为作为一个磁路发挥功能。与此相对，也可以将减速电极5构成为与物镜4相独立的电极。

在减速光学系统中，从试样12放射出的信号电子由来自减速电极5的电场加速，并被捕集到SEM柱1内。该电场的捕集效果尤其对于能量低的信号电子而言更有效地起作用。进入到SEM柱1内的信号电子由在SEM柱内的加速电极3内部设置的第一检测器6检测。第一检测器6的敏感面相比试样12成为高电位，例如成为与加速电极3电位相同。在该情况下，信号电子与从试样12放射时相比被加速并到达第一检测器6的敏感面，从而能够提高第一检测器6的信号检测效率。例如，在敏感面由半导体元件构成的情况下，放大率与信号电子的能量成比例地增大，能够进行效率良好的检测。并且，在敏感面利用闪烁器之类的荧光体的情况下，发光量也与信号电子的能量成比例，从而通过提高信号电子能量，能够期待效率提高。

除此之外，在减速电极5与试样12之间具备第二检测器7。第二检测器7具有探测电子束通过的开口部9，并在其周围具有对来自试样的信号电子敏感的敏感面8。第二检测器7的敏感面8也可以利用半导体元件。并且，也可以是由对电子敏感的荧光体和检测发光的光检测器构成的构造。光检测也可以使用光电二极管、PMT(光电倍增管：PhotomultiplierTube)、SiPM(硅光电倍增管：Silicon Photomultiplier)等。再者，也可以具备将来自荧光体的发光引导至光检测器的导光体。

此处，第二检测器7呈开口部9的内径r比减速电极5的开口部的内径R大的形状。该减速电极5的开口内径R及第二检测器7的开口内径r对于形成于柱-试样间的电场有很大影响。

图2是示出具备减速光学系统的SEM中的试样附近的电位分布的示意图。主要由被施加有提升电压并处于高电位的加速电极3和处于接地电位的减速电极5形成的电场从减速电极5的开口部泄漏电场，漏电场扩散到试样12附近。现今，通过在这样的减速光学系统中设置物镜下检测器，来产生漏电场的屏蔽。使用图3来说明。

图3是示出将现有的物镜下检测器37配置于柱-试样间的情况下的试样附近的电位分布的示意图。在现有的物镜下检测器37中，为了能够较大地取得敏感面38，使用于探测电子束通过的开口部的内径较小。因此，如图3所示，由物镜下检测器37屏蔽电场。因此，与没有检测器37的情况(图2)相比，电位分布成为靠近电子源侧的分布。其结果，静电透镜的主面位置会远离试样12，静电透镜的像差增大。此时，决定屏蔽电场的程度的要素是配置于柱-试样间的构造物的开口部的内径成为最小的部分。成为最小内径的开口部以外的检测器的构造不会对电场的屏蔽程度产生影响。

与此相对，图4示出配置有本实施例的第二检测器7作为物镜下检测器时的试样附近的电位分布。第二检测器7的开口部的最小内径r为减速电极5的开口直径R以上。通过成为这样的结构，利用第二检测器7的电场的屏蔽效果较小，电位分布与没有第二检测器7的情况相同地具有直至试样附近的扩展。因此，能够将第二检测器7对照射系统产生的影响抑制在最小限度。

此外，虽然与开口直径相比依存性较小，但第二检测器7的开口部的厚度d也对电场有影响。因此，第二检测器7的开口直径r优选为减速电极5的开口直径R以上，除此之外，若将取得第二检测器7的最小内径的开口部的厚度设为d，则进一步优选为r≥R+d。

并且，电场变化所产生的影响不仅限于照射系统。在减速光学系统中，为了实现高效率的检测，经常设置柱内检测器(第一检测器6)。此时，在信号检测中，也受到由第二检测器7的开口内径的结构决定的柱-试样间电场的较大的影响。尤其，如图3所示，在漏出到试样附近的电场由物镜下检测器屏蔽的状况下，难以捕集从试样12产生的信号电子。由此，柱内检测器的检测产量显著减少。与此相对，在图4所示的构造中，朝向试样附近的电场未由物镜下检测器屏蔽。由此，能够接收到充足的信号电子捕集效果，柱内检测器能够发挥本来的检测性能。

另外，第二检测器7具备位置移动机构10。在图1所示的减速光学系统中，根据加速电极3、减速电极5、第二检测器7的开口部9的相对位置关系来决定柱-试样间的电场。在利用由加速电极3与减速电极5之间的电场产生的静电透镜作用的减速光学系统中，不仅轴附近电场，电场分布相对于轴的对称性也对照射系统、检测系统性能产生较大的影响。

图5是示出第二检测器7的开口的轴与光学系统的轴不一致的情况下的试样附近的电位分布的图。如图4所示，在即使比减速电极5的开口直径大地取得第二检测器7的最小开口直径而加速电极3、减速电极5、检测器开口部9的中心轴不一致的情况下，电场分布也成为非轴对称。在探测电子束向非轴对称的电场射入的情况下，发生因探测电子束的偏转而引起的照射位置变化或在透镜场的轴外通过而引起的轴外像差的增大等对照射系统性能产生不良影响。

为了消除该问题，需要以沿着由在柱-试样间未配置第二检测器7这样的构造物的状态下的加速电极3与减速电极5的位置、构造关系决定的电场分布的轴的方式调整第二检测器7的开口部9的轴的位置。由位置移动机构10能够将第二检测器7的位置调整到电场成为轴对称的位置，能够抑制由第二检测器配置引起的不良影响。

图6是示出在典型的柱结构中透镜下检测器的开口位置的偏离量与非轴对称像差的关系的计算值例子的图。图6的纵轴以物镜本来具有的像差量(轴上像差量+色差量)将透镜下检测器轴偏离的情况下的电场非轴对称性引起的像差量(彗形像差量)进行标准化地示出。从图6可知，检测器的轴偏离量越大，非轴对称像差越增大。并且，可知若存在0.1mm左右以上的轴偏离，则会产生本来的物镜性能以上的多余的像差。即，在该系统中，最终的位置调整优选能够以0.1mm左右的精度进行，并且优选为能够稳定地进行0.1mm以下的微动的位置移动机构。并且，在位置移动机构10具备能够退避的移动机构的情况下，位置移动的再现性也优选为0.1mm左右以下。在能够再现性良好地移动的情况下，能够减少下述的位置调整的次数，因而能够期待可用性的提高。

第二检测器7的位置调整优选一边目视观察图像一边进行。因此，位置移动机构10优选是能够在保持室内的真空的状态下从柱1、试样室11的外侧进行位置调整的机构。并且，位置移动机构10具备能够使第二检测器7退避到不会受到由减速电极5产生的电场的影响的位置的机构的话更好。这是为了能容易进行用于下述的检测器位置决定的位置调整。

说明本实施例中的第二检测器的位置调整顺序。

(1)首先，在未配置第二检测器7、或者第二检测器7退避到不会受到来自减速电极5的电场的影响的位置的状态下，利用探测电子束在试样12上扫描，检测信号电子来获取SEM图像(带电粒子束图像)。此时，优选试样12是容易进行图像位置的判别的构造物。例如，适用网格、纳米级等格子状的试样。并且，信号电子的检测使用如第一检测器6那样设置在柱内的检测器。也可以使用配置于试样室11的其它检测器。

(2)接下来，将第二检测器7向检测位置移动，并在大致调整到探测电子束通过第二检测器7的开口部9的位置的状态下，再次获取SEM图像。比较配置第二检测器7前的SEM图像与配置第二检测器7后的SEM图像，并由位置移动机构10调整第二检测器7的位置，以便消除试样12的位置偏离。

该位置调整优选在较低的加速电压下进行。这是因为，低加速电压的探测电子束受到减速电场的非对称性的影响时的偏转量较大。例如，优选在5kV以下的加速电压区域内进行调整。

另外，在调整顺序(2)中，具备用于使探测电子束的加速电压周期变动的电压源，从而能够对第二检测器7进行更详细的位置调整。具体而言，以在使加速电压周期变化时产生的图像移动变为最小的方式调整第二检测器7的位置，。由此，能够将第二检测器7的位置调整到使电场的非对称性引起的色差为最小的位置。

此时，周期变化的电压也可以不是探测电子束的加速电压，而是施加给加速电极3的电压。在该情况下，优选在第二检测器7的位置调整之前，首先以在未配置第二检测器7的状态下的加速电极3的电压的周期变动中没有图像移动的方式预先进行电子光学系统的调整。

说明了基于SEM图像的移动量来进行检测器的位置调整的方法，也可以根据由柱内的第一检测器6得到的SEM图像的亮度、浓淡等图像质量的比较来进行调整是否适当地完成的判别。从试样12产生的信号电子的轨道因柱-试样间的电场而变化。因此，若是无法调整到适当的位置且与未配置第二检测器7的情况相比电场分布产生了变化的状态，则到达第一检测器6的信号电子的量、放射角、能量产生变化。由此，图像质量出现变化。因此，基于第二检测器7的有无并由第一检测器6检测到的SEM图像的图像质量的比较，也能够以图像质量的差成为最小的方式调整第二检测器7的位置。在以下说明的变形例中也是相同的。

以上，以第二检测器7为电子束检测器的例子进行了说明，但由第二检测器7检测的信号种类也可以是在探测电子束与试样12的相互作用中产生的电子以外的信号。例如，在第二检测器7的敏感面8利用半导体的情况下，根据检测元件的制作条件，也能够检测由探测电子束与试样12的相互作用产生的特性X射线。该特性X射线反映了试样12的组成，能够进行组成分析。并且，例如在第二检测器7是利用光导、光纤之类的导光体来进行光检测的检测器的情况下，也能够检测在探测电子束与试样12的相互作用中产生的荧光。

接下来，作为实施例的第一变形例，说明具备使磁场积极地浸透到试样侧的物镜作为物镜4的结构。与外透镜型相比，半透镜(semi in lens)型的物镜的磁透镜的主面位置形成于离试样较近的位置。因此，在与提升单元组合的情况下，需要由减速电场产生的静电透镜主面也形成于离试样较近的位置。根据该要求，与外透镜型的情况相比，试样附近的电场处于更强的趋势。因此，物镜下检测器的影响更容易变得明显。图7示出使物镜为半浸没透镜型的物镜的变形例。在该例子中，减速电极5设为在物镜4的正下方具有使探测电子束透过的开口的圆盘状电极，取得第二检测器7的开口部9的直径比减速电极5的开口直径大。这样，即使在与半浸没透镜型物镜组合的情况下，通过使用位置移动机构10来适当地调整第二检测器7的位置，也能够抑制由第二检测器7的设置位置引起的减速电场的变化所产生的不良影响，从而使装置性能最大化。

并且，作为实施例的第二变形例，图8中示出具备对第二检测器7施加电压的电压源16的结构。认为通过由检测器电压源16对第二检测器7施加电压，能得到几个优点。例如，在使用半导体元件作为第二检测器7的敏感面的情况下，通过施加几～几十V左右的偏压，有时能够期待增益增加、寄生电容的减少等元件性能提高效果。或者，也可以考虑通过对第二检测器7施加预定的电压来将第二检测器7检测的信号电子的能量控制在预定的范围的情况。

根据这样的要求，在对第二检测器7施加电压的结构中，通过使第二检测器7的开口部9的内径取得为比减速电极5的开口直径大，并且由位置移动机构10进行第二检测器7的位置调整，能够抑制由第二检测器7的设置位置引起的减速电场的变化所产生的不良影响，从而使装置性能最大化。

位置调整能够与上述相同地进行，但调整顺序(2)也可以基于在使检测器电压源16施加的第二检测器电压变动时的图像移动或图像质量的变化来进行。具体而言，由位置移动机构10将第二检测器7的位置调整到在使第二检测器电压周期变化时的图像移动或图像质量的变化成为最小的位置。

并且，作为实施例的第三变形例，说明还具备减速单元的SEM的结构。在使用由SEM柱与试样之间的电位差产生的减速电场这一方面，在提升光学系统和减速光学系统中没有本质上的差异。在减速光学系统中，由于使试样的电位直接变化，所以成为试样附近的电场更强的状况。因此，在除了具有提升单元之外还具有减速单元的情况下，物镜下检测器的影响更容易变得明显。

图9是具备减速单元的变形例，具备用于对试样台13施加减速电压的减速电压源17。减速电压是与提升电压极性相反的电压。减速电压源17的控制由控制部15进行。通过取得第二检测器7的开口部9的内径比减速电极5的开口直径大，并且由位置移动机构10进行第二检测器7的位置调整，能够抑制由第二检测器7的设置位置引起的减速电场(减速电场由加速电极3、减速电极5、试样12决定)的变化所产生的不良影响，从而使装置性能最大化。

位置调整能够与上述相同地进行，但调整顺序(2)也可以基于在使减速电压源17对试样12施加的减速电压变动时的图像移动或图像质量的变化来进行。具体而言，由位置移动机构10将第二检测器7的位置调整到在使减速电压周期变化时的图像移动或图像质量的变化成为最小的位置。

图10是柱-试样间的第二检测器7由多个检测器构成的变形例。在具备多个检测器的情况下，各个检测器的最小开口直径比减速电极的直径大即可。

并且，各个检测器的开口无需为完全的孔形状。在该情况下，检测器的最小开口直径定义为探测电子束所通过的光轴与包含敏感面的构造体再次接近的距离。

再者，柱-试样间的多个检测器优选分别具备位置移动机构10，但所有的检测器并非需要能够独立地进行位置调整，只要几个检测器具备移动机构，就能够以成为最佳的电场的方式进行位置调整。多个检测器可以是分割一个检测器而成，也可以构成为独立的检测器。多个检测器可以用于检测同种类的信号，也可以检测不同种类的信号。而且，检测器的检测原理也可以分别不同。

本发明并不限定于上述的实施例，包含各种变形例。上述实施例是为了容易理解地说明本发明而详细地进行了说明，并不限定于必须具备所说明的所有结构。并且，也能够将某实施例的结构的一部分置换成其它实施例的结构。再者，也能够在某实施例的结构中追加其它实施例的结构。另外，也能够对各实施例的结构的一部分进行其它结构的追加、删除、置换。

并且，作为带电粒子束装置的例子，举出SEM进行了说明，但也能够应用于SEM以外的其它带电粒子束装置，并且也能够应用于组合有多个带电粒子束装置的复合带电粒子束装置。

符号的说明

1—SEM柱，2—电子源，3—加速电极，4—物镜，5—减速电极，6—第一检测器，7—第二检测器，8—敏感面，9—开口部，10—位置移动机构，11—试样室，12—试样，13—试样台，14—提升电压源，15—控制部，16—检测器电压源，17—减速电压源。

Claims (13)

1.一种带电粒子束装置，其特征在于，具有：

电子源；

物镜，其使来自上述电子源的探测电子束聚焦于试样；

加速电极，其使上述探测电子束加速；

第一检测器，其设于上述加速电极内；

减速电极，其在与上述加速电极之间形成针对上述探测电子束的减速电场，并且上述探测电子束在其开口通过；以及

第二检测器，其插入上述减速电极与上述试样之间，

上述第二检测器具有比上述减速电极的开口大的开口部，在上述开口部的周围设有敏感面，

上述第二检测器的最小内径是上述减速电极的开口直径与取得上述第二检测器的最小内径的上述开口部的厚度的和以上。

2.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，

具有使上述第二检测器移动的位置移动机构。

3.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，

具有对上述第二检测器施加电压的电压源。

4.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，

具有对上述试样施加与施加给上述加速电极的电压极性相反的电压的电压源。

5.根据权利要求1所述的带电粒子束装置，其特征在于，

上述第二检测器由多个检测器构成。

6.根据权利要求5所述的带电粒子束装置，其特征在于，

具有多个位置移动机构，

上述多个位置移动机构的各位置移动机构使构成上述第二检测器的上述多个检测器的任一个检测器的位置移动。

7.一种检测器位置调整方法，是带电粒子束装置的检测器位置调整方法，该带电粒子束装置具有减速光学系统和检测器，在上述减速光学系统中，使探测电子束聚焦于试样的磁透镜与使上述探测电子束减速的静电透镜重叠，上述检测器的位置由位置移动机构移动，上述检测器的最小内径比形成上述静电透镜的减速电极的开口直径大，

上述带电粒子束装置的检测器位置调整方法的特征在于，

在由上述位置移动机构使上述检测器从形成上述磁透镜的物镜下退避后的状态下，利用上述探测电子束对上述试样进行扫描来获取第一带电粒子束图像，

在由上述位置移动机构将上述检测器配置于上述物镜下的状态下，利用上述探测电子束对上述试样进行扫描来获取第二带电粒子束图像，

基于在上述第一带电粒子束图像与上述第二带电粒子束图像之间的上述试样的位置偏离或者图像质量的变化，由上述位置移动机构使上述检测器的位置移动。

8.根据权利要求7所述的检测器位置调整方法，其特征在于，

上述探测电子束是5kV以下的加速电压的探测电子束。

9.根据权利要求7所述的检测器位置调整方法，其特征在于，

根据由内置上述减速光学系统的柱内的检测器检测到的信号电子，来获取上述第一带电粒子束图像及上述第二带电粒子束图像。

10.根据权利要求7所述的检测器位置调整方法，其特征在于，

以在使上述探测电子束的加速电压周期性地变动时的图像的移动或图像质量的变化成为最小的方式由上述位置移动机构使上述检测器的位置移动。

11.根据权利要求7所述的检测器位置调整方法，其特征在于，

上述减速光学系统具有使上述探测电子束加速的加速电极，

以在使施加给上述加速电极的电压周期性地变动时的图像的移动或图像质量的变化成为最小的方式由上述位置移动机构使上述检测器的位置移动。

12.根据权利要求7所述的检测器位置调整方法，其特征在于，

具有对上述检测器施加电压的电压源，

以在使施加给上述检测器的电压周期性地变动时的图像的移动或图像质量的变化成为最小的方式由上述位置移动机构使上述检测器的位置移动。

13.根据权利要求7所述的检测器位置调整方法，其特征在于，

上述减速光学系统具有使上述探测电子束加速的加速电极，

具有对上述试样施加与施加给上述加速电极的电压极性相反的电压的电压源，

以在使施加给上述试样的电压周期性地变动时的图像的移动或图像质量的变化成为最小的方式由上述位置移动机构使上述检测器的位置移动。