CN112105759A - 用于cvd腔室的气体箱 - Google Patents

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Abstract

本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于多个出口的一个出口处。多个出口中的每个出口与形成在环形气室中的多个入口端口中的一个或多个入口端口流体连通。多个入口端口中的每个入口端口围绕环形气室的中心轴等距隔开。

Description

用于CVD腔室的气体箱
背景技术
技术领域
本公开的实施例涉及一种用于制造基板的处理设备。更具体地，本公开涉及一种气流设备。
相关技术说明
通常通过一系列工艺操作来制造半导体基板，在所述工艺操作中，将层沉积在基板上，并且将所沉积的材料蚀刻成期望的图案。工艺操作通常包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强CVD(PECVD)和其他等离子体处理。工艺操作可涉及将工艺气体递送到工艺腔室并且利用动力喷头在工艺腔室中生成等离子体。
基板的处理中遇到的一个问题是与建立进入到工艺腔室中的均匀气流相关联的困难。不均匀气流导致工艺气体的混合不充分，从而导致基板的不均匀处理。不均匀气流和混合导致不均匀层被沉积在基板上。
因此，本领域中需要的是用于改善工艺腔室中的气流对称性和等离子体分配的设备。
发明内容
在一个实施例中，提供了一种设备，所述设备包括盖和腔室主体，在盖和腔室主体中限定工艺空间。盖具有穿过盖形成的端口。所述设备包括气体馈送管，气体馈送管包括第一端和第二端。在气体馈送管的第一端处的开口与端口流体连通。第一多个导管中的每个导管具有基本上相等的流导率并与气体馈送管流体连通。第一多个导管中的每个导管终止于第一多个出口中的一个出口处。第二多个导管的每个导管具有基本上相等的流导率并与第一多个出口中的一个出口流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于第二多个出口中的一个出口处。在气室主体中限定环形气室的气室主体具有在气室主体中形成的多个入口端口。第二多个出口中的每个出口与多个入口端口中的至少一个入口端口流体连通。多个入口端口围绕气室主体的中心轴等距隔开，并且气体馈送管具有与环形气室流体连通的至少一个孔。
在另一实施例中，提供了一种设备，所述设备包括盖和腔室主体，在盖和腔室主体中限定工艺空间。盖具有穿过盖形成的端口。所述设备包括气体馈送管，气体馈送管包括第一端和第二端。在气体馈送管的第一端处的开口与端口流体连通。第一气室具有与气体馈送管流体连通的第一入口。第一气室具有第一出口和第二出口。第一出口和第二出口具有基本上相等的流导率。第二气室具有第二入口和第三入口。第二入口和第三入口与第一出口和第二出口流体连通。第二气室具有穿过第二气室形成的第三出口、第四出口、第五出口和第六出口。第三出口、第四出口、第五出口和第六出口各自具有基本上相等的流导率。气室主体在气室主体中限定环形气室。气室主体具有在气室主体中形成的多个入口端口。多个入口端口的每个入口端口围绕气室主体的中心轴等距隔开并且与第三出口、第四出口、第五出口和第六出口中的至少一个出口流体连通。气体馈送管具有与环形气室流体连通的至少一个孔。
在另一实施例中，提供了一种设备，所述设备包括盖和腔室主体，在盖和腔室主体中限定工艺空间。盖具有穿过盖形成的端口。气体馈送管具有第一端和第二端。在气体馈送管的第一端处的开口与端口流体连通。气体馈送管包括穿过气体馈送管形成的多个入口端口。第一气室包括第一多个出口并且与气体馈送管流体连通。第二气室包括第一多个入口和第二多个出口。第三气室包括第二多个入口和第三多个出口。气室主体在气室主体中限定环形气室。气室主体包括在气室主体中形成的第三多个入口和第四多个出口。第一多个导管的每个导管被设置在第一多个出口中的一个出口与第一多个入口的一个入口之间或者在第一多个出口中的一个出口与所述第二多个入口中的一个入口之间。第二多个导管的每个导管被设置在第二多个出口中的一个出口与第三多个入口中的一个入口之间。第三多个导管的每个导管被设置在第三多个出口中的一个出口与第三多个入口中的一个入口之间。一个或多个通道被设置在第四多个出口与多个入口端口之间。
附图说明
为了以可以详细理解本公开的上述特征的方式，可通过参考实施例来对以上简要概况的本公开进行更具体地描述，这些实施例中的一些在附图中被示出。然而，应注意的是，附图仅示出本公开的典型实施例，并且因此不应视为对范围的限制，因为本公开可允许其他等效实施例。
图1示出了根据本公开的实施例的工艺腔室的示意图。
图2示出了根据本公开的实施例的气室主体的截面平面图。
图3示出了根据本公开的实施例的分支气体馈送组件的示意性横截面图。
图4示出了根据本公开的实施例的分支气体馈送组件的示意性横截面图。
图5示出了根据本公开的实施例的分支气体馈送组件的示意图。
图6示出了根据本公开的实施例的环形气室的平面图。
为了促进理解，在可能的情况下已使用相同附图标记来表示图中共有的相同元件。可预期的是，一个实施例的元件和特征可有益地并入其他实施例中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
本公开的实施例涉及用于通过CVD工艺来改善沉积在基板上的膜的质量的设备。更具体地，分支气体馈送组件均匀地分配进入环形气室的工艺气体。具有基本上相等的流导率的第一多个导管中的每个导管与具有基本上相等的流导率的第二多个导管中的一个或多个导管流体连通。第二多个导管中的每个导管终止于多个出口的一个出口处。多个出口中的每个出口与形成在环形气室中的多个入口端口中的一个或多个入口端口流体连通。多个入口端口中的每个入口端口围绕环形气室的中心轴等距隔开。
图1示出了根据一个实施例的工艺腔室100的示意性横截面图。工艺腔室100包括盖104和侧壁102，在盖104和侧壁102中限定工艺空间120。工艺腔室100由耐加工(processresistant)材料(诸如铝或不锈钢)制成。基板支撑件106设置在工艺空间120中。基板支撑件106在处理期间支撑基板130。在一个实施例中，基板支撑件106由陶瓷材料制成。在另一实施例中，基板支撑件106由涂覆有含硅材料(诸如碳化硅材料)的石墨材料制成。
盖104具有穿过盖104形成的端口108。端口108耦合到气体馈送管110的第一端132处的开口。气体馈送管110的第二端134连接到远程等离子体源112。喷头114经由一个或多个支座138耦合到盖104的面向基板支撑件106的表面136。多个通道140穿过喷头114形成。盖104和喷头114在盖104和喷头114之间限定气室116，所述气室116使得离开端口108的气体能够进入气室116。气体从气室116穿过喷头114中的通道140行进并且进入工艺空间120。射频(RF)功率源142耦合到喷头114。
一种或多种工艺气体从围绕气体馈送管110的气室主体118馈送到气体馈料管110中。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，净化气体从远程等离子体源112进入气体馈送管110。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，气室主体118是环形的。分支气体馈送组件122耦合到气室主体118。分支气体馈送组件122具有耦合到导管150的入口124，导管150在入口124与气体面板126之间延伸。分支气体馈送组件122的多个出口128耦合到气室主体118。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，气室主体118由耐加工材料(诸如铝或不锈钢)制成。
排气端口160穿过与盖104相对的工艺腔室100形成。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，排气端口160穿过与盖104相邻的侧壁102形成。排气端口160可耦合到真空泵(未示出)，以从工艺空间120排出气体。
在操作中，将基板130定位在工艺腔室100中在基板支撑件106上。净化气体从远程等离子体源112流入气体馈送管110。将工艺气体通过分支气体馈送组件122递送到工艺空间120。工艺气体流过导管150和分支气体馈送组件122到达气室主体118。在进入气室主体118时，工艺气体在气室主体118中对称分配。将工艺气体以径向对称分配从气室主体118径向向内递送到气体馈送管110。工艺气体的径向对称分配实现工艺气体和净化气体在气体馈送管110中的混合。
当气体(包括净化气体)在气体馈送管110中流向工艺空间120时，气体在气体馈送管110中持续混合，直到气体离开端口108并流入气室116。在气室116中发生气体的进一步混合。气体通过喷头114中的通道140行进并且行进进入工艺空间120。工艺空间120中的气体可用于在基板130上蚀刻或沉积材料。RF功率源142对喷头114供应RF能量，以在工艺空间120中生成和/或维持等离子体。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，加热基板支撑件106并且执行沉积处理，以在基板130上沉积材料。在处理基板130之后，工艺气体的流动终止于气体面板126处。
在从工艺腔室100移除基板130之后，将清洁剂从远程等离子体源112递送通过气体馈送管110并递送到工艺腔室100中，以清洁工艺腔室100和喷头114。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，清洁剂是在远程等离子体源112中形成的等离子体，远程等离子体源112将氟自由基递送到工艺空间120，以清洁工艺腔室100的内部。在此实施例中，净化气体从气体面板126流过分支气体馈送组件122并流入工艺空间120。
图2示出了根据一个实施例的气室主体118的截面平面图。气室主体118具有在气室主体118中形成的一个或多个入口端口202。入口端口202围绕气室主体118的中心轴204等距隔开。气体馈送管110穿过气室主体118且围绕中心轴204同心地设置。因此，气室主体118的中心轴204与气体馈送管110的中心轴同轴(即，气室主体118的中心轴204是气体馈送管110的中心轴)。
每个入口端口202对准并耦合到分支气体馈送组件122的出口(诸如参考图1描述的出口128)。入口端口202各自具有基本上相等的流导率。因此，流过每个入口端口202的气体流速基本上相等。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，入口端口202的形状和尺寸基本上相等，以在每个入口端口202之间实现基本上相等的流导率。在一个示例中，基本相等的流速是在+/-10％(诸如+/-8％，诸如+/-5％，诸如+/-3％，诸如+/-1％，诸如+/-0.5％)之内的体积流速。
图3示出了根据一个实施例的分支气体馈送组件122的示意性横截面图。分支气体馈送组件122包括限定第一气室302的第一气室主体301、限定第二气室306的第二气室主体305、限定第三气室308的第三气室主体307、以及气室主体118。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，第一气室302是围绕气体馈送管110的连续半环形气室。在另一实施例中，第一气室302是围绕气体馈送管110的连续环形气室(未示出)。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，第二气室306和第三气室308是各自围绕气体馈送管110的一部分的相对的半环形气室。在所述实施例中，第二气室主体305和第三气室主体307是不连续的，使得第二气室306和第三气室308不彼此流体连通。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的另一实施例中，第二气室306与第三气室308流体连通，以形成围绕气体馈送管110的连续环形气室(未示出)。
在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，第一气室主体301、第二气室主体305和第三气室主体307由相同的材料制成。例如，第一气室主体301、第二气室主体305和第三气室主体307可由耐加工材料(诸如铝或其合金)制成。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，第一气室主体301、第二气室主体305和第三气室主体307由涂覆有氧化铝(Al2O3)的金属材料制成。
第二气室306和第三气室308被设置在彼此基本上相同的水平面中。第二气室主体305和第三气室主体307被设置在第一气室主体301与盖104之间。第一气室302经由一个或多个导管304耦合到第二气室306和第三气室308，所述一个或多个导管304在穿过第一气室主体301形成的一个或多个出口344与穿过第二气室主体305形成的一个或多个入口346与穿过第三气室主体307形成的一个或多个入口348之间延伸。因此，一个或多个导管304在第二气室主体305和第三气室主体307中的每个气室主体与第一气室主体301之间延伸，以使得第一气室302能够与第二气室306和第三气室308两者都流体连通。因此，一个或多个出口344与穿过第二气室主体305形成的一个或多个入口346和穿过第三气室主体307形成的一个或多个入口348流体连通。
在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，第一气室302的内径330小于第二气室306的内径334和第三气室308的内径338。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的另一实施例中，第一气室302的内径330基本上等于第二气室306的内径334和第三气室308的内径338。类似地，在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，第一气室302的高度318小于第二气室306和第三气室308的高度336。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的另一实施例中，第一气室302的高度318基本上等于第二气室306和第三气室308的高度336。
在一个示例中，第二气室306的内径334和第三气室308的内径338基本上相等。类似地，第二气室306的容积和第三气室308的容积可基本上相等。一个或多个导管304的内径332小于第一气室302的内径330。一个或多个导管304的内径332也分别小于第二气室306和第三气室308的内径334、338。
气室主体118被设置在第二气室306和第三气室308中的每个气室与盖104之间的气体馈送管110上并与气体馈送管110耦合。气室主体118包括第一主体构件310、第二主体构件312和第三主体构件314。第一主体构件310从气体馈送管110横向延伸且径向向外延伸。第二主体构件312从气体馈送管110横向延伸且径向向外延伸，与第一主体构件310相对且平行。第三主体构件314在第一主体构件310与第二主体构件312之间延伸且垂直于第一主体构件310和第二主体构件312定向。在第一主体构件310、第二主体构件312和第三主体构件314中限定环形气室316。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，环形气室316的高度342大于第一气室302的高度318以及第二气室306和第三气室308的高度336。在另一实施例中，环形气室316的高度342小于第一气室302的高度318以及第二气室306和第三气室308的高度336。
环形气室316经由在气体馈送管110中形成的一个或多个孔324与气体馈送管110流体连通。一个或多个孔324中的每个孔具有基本上相等的流导率。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，一个或多个孔324是围绕气体馈送管110的中心轴204的单个连续的环形开口。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的另一实施例中，一个或多个孔324是围绕气体馈送管110的圆周设置的多个不连续的孔。在此实施例中，一个或多个孔324中的每个孔具有基本上相似的形状和尺寸，以实现穿过一个或多个孔324从环形气室316到气体馈送管110的气体的基本上相等的流导率。
一个或多个收缩构件320、322被设置在一个或多个孔324中。收缩构件320、322耦合到气体馈送管110，其中第一主体构件310和第二主体构件312分别耦合到气体馈送管110。收缩构件320、322平行于气体馈送管110且垂直于第一主体构件310和第二主体构件312设置。由于收缩构件320、322，一个或多个孔324的高度340小于环形气室316的高度342。一个或多个孔324的较小直径产生从环形气室316到气体馈送管110中的喷射气流。
在操作中，一种或多种工艺气体经由一个或多个入口(未示出)流入第一气室302。工艺气体填充第一气室302，并且通过一个或多个导管304传播到第二气室306和第三气室308中。工艺气体填充第二气室306和第三气室308，并且通过一个或多个导管(如图4所示)行进到环形气室316。
图4示出了根据一个实施例的分支气体馈送组件122的示意性横截面图。如图所示，第二气室306和第三气室308经由一个或多个导管402与环形气室316流体连通。一个或多个导管402与穿过第一主体构件310形成的一个或多个入口端口202对准。一个或多个导管402中的每个导管具有基本上相等的流导率。
在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，图2所示的一个或多个入口346、348分别穿过第二气室主体305和第三气室主体307形成在一个或多个入口端口202之间。即，设置在第一气室主体301与第二气室主体305与第三气室主体307之间的一个或多个导管304偏移离开设置在气室主体118与第二气室主体305与第三气室主体307之间的一个或多个导管402。
导管402的内径410小于环形气室316的内径420。气室主体118与盖104间隔开。例如，盖104和第二主体构件312之间的距离450在大约0.5英寸至大约3.5英寸之间，诸如大约1英寸至大约2英寸之间，例如大约1.5英寸。盖104与第二主体构件312之间的距离450使得工艺气体能够在离开端口108之前在气体馈送管110中混合。距离450还防止由于在处理期间由盖104吸收的热辐射而导致在环形气室316中的工艺气体的热激活。
在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，环形气室316的高度342小于导管402的内径410。在此实施例中，环形气室316的容积小于导管402的容积，以增加流过导管402到环形气室316的流体的速度。即，假设导管304(参考图3所描述)和导管402中的每个导管的流体压力近似且基本上恒定，则当与通过导管402的流体的流体流速相比时，较小的环形气室316的容积增加了流过环形气室316并流入气体馈送管110的流体的速度。
在经由一个或多个入口端口202离开一个或多个导管402时，工艺气体填充气室116并且通过孔324进入气体馈送管110。气体馈送管110中的净化气体从远程等离子体源(诸如图1所示的远程等离子体源112)朝向盖104中的端口108行进。在进入气体馈送管110时，工艺气体与净化气体在气体馈送管110的容积430中混合。气体(包括净化气体)离开端口108并且进入在盖104与喷头114之间的气室116，在气室116处，气体在通过多个通道140传播并且进入工艺空间(诸如图1所示的工艺空间120)之前继续混合。
图5示出了根据一个实施例的分支气体馈送组件122的示意图。如关于图1所讨论的，气体面板126经由导管150与第一气室302流体连通。第一气室302经由第一导管502与第二气室306流体连通。第一气室302还经由第二导管504与第三气室308流体连通。因为导管502、504具有基本上相似的形状(例如，圆柱形、矩形、球形等)和基本上相似的直径(例如，图3所示的一个或多个导管304的内径332)，所以第一导管502和第二导管504具有基本上相等的流导率。即，流过第一导管502的流体的速率基本上等于流过第二导管504的流体的速率(假设流体压力恒定)。
第二气室306经由第三导管506和第四导管508与分支气体馈送组件122的至少两个出口514流体连通。第三气室308经由第五导管510和第六导管512与分支气体馈送组件122的至少两个出口516流体连通。出口514和出口516对应于图1所示的分支气体馈送组件122的多个出口128。第三导管506、第四导管508、第五导管510和第六导管512中的每个导管具有基本上相等的流导率。例如，第三导管506、第四导管508、第五导管510和第六导管512中的每个导管具有基本上相似的形状和尺寸(例如，图4所示的一个或多个导管402的内径410)。因此，流过第三导管506、第四导管508、第五导管510和第六导管512中的每个导管的流体的速率基本上相等(假设流体压力恒定)。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，出口514和出口516中的每个出口具有基本上相等的流导率。
图6示出了根据一个实施例的环形气室316的平面图。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，环形气室316经由多个通道602与气体馈送管110流体连通。每个通道602与气体馈送管110中的孔324中的一个孔流体连通。
通道602和孔324围绕气体馈送管110的中心轴204径向等距分配。每个通道602具有基本上相等的流导率。在可与上文讨论的一个或多个实施例相结合的一个实施例中，信道602基本上垂直于气体馈送管110的中心轴204且平行于工艺腔室的盖104(图6未示出)设置。在另一实施例中，通道602从气室主体118朝向气体馈送管110的第二端134(图6未示出)倾斜。即，气体馈送管110中的孔324在分支气体馈送组件122的出口128上方。
总之，本公开的实施例提供了用于等离子体处理设备的改善气体递送、气体分配及气体混合。本文所述的分支气体馈送组件利用多个气室和导管，以基本上相等的流导率将工艺气体更均匀地分配到环形气室。递送到环形气室的工艺气体与流过气体馈送管的净化气体混合。在馈送管中的工艺气体和净化气体的混合增加混合物在经由喷头进入工艺空间之前的停留时间，这实现混合物的更完全混合和改善的分配。因为工艺气体和净化气体在进入工艺空间之前更彻底地混合，所以改善的混合实现在工艺空间中改善的基板的处理。改善的基板处理表现在呈现改善的均匀性的沉积或蚀刻工艺中。
尽管前述内容针对本公开的实施例，但是在不脱离本公开的基本范围的情况下，可设计本公开的其他和进一步的实施例，并且本公开的范围由所附权利要求来确定。

Claims (15)

1.一种设备，包括：
盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；
气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通；
第一多个导管，所述第一多个导管具有基本上相等的流导率，所述第一多个导管与所述气体馈送管流体连通，所述第一多个导管中的每个导管终止于第一多个出口中的一个出口处；
第二多个导管，所述第二多个导管具有基本上相等的流导率，所述第二多个导管中的每个导管与所述第一多个出口中的一个出口流体连通，所述第二多个导管中的每个导管终止于第二多个出口中的一个出口处；以及
气室主体，在所述气室主体中限定环形气室，所述气室主体具有在所述气室主体中形成的多个入口端口，所述第二多个出口中的每个出口与所述多个入口端口中的至少一个入口端口流体连通，所述多个入口端口围绕所述气室主体的中心轴等距隔开，所述气体馈送管具有与所述环形气室流体连通的至少一个孔。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个孔是连续的环形开口。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个孔包括围绕所述中心轴的多个径向分配的开口。
4.如权利要求1所述的设备，进一步包括：
喷头，所述喷头设置在所述工艺空间与在所述气体馈送管的所述第一端处的所述开口之间，所述喷头具有穿过所述喷头形成的多个通道，所述多个通道与所述气体馈送管和所述工艺空间流体连通。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述第二多个出口围绕所述气室主体的所述中心轴等距隔开。
6.一种设备，包括：
盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；
气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通；
第一气室主体，在所述第一气室主体中限定第一气室，所述第一气室主体具有与所述气体馈送管流体连通的第一入口，所述第一气室主体具有至少第一出口和第二出口，所述至少第一出口和第二出口各自具有基本上相等的流导率；
第二气室主体，在所述第二气室主体中限定第二气室，所述第二气室主体具有至少第二入口和第三入口，所述第二入口和所述第三入口与所述至少第一出口和第二出口流体连通，所述第二气室主体具有至少第三出口、第四出口、第五出口和第六出口，所述至少第三出口、第四出口、第五出口和第六出口各自具有基本上相等的流导率；以及
第三气室主体，在所述第三气室主体中限定环形气室，所述第三气室主体具有在所述第三气室主体中形成的多个入口端口，所述多个入口端口围绕所述第三气室主体的中心轴等距隔开并且与所述第三出口、所述第四出口、所述第五出口和所述第六出口中的至少一个出口流体连通，所述气体馈送管具有与所述环形气室流体连通的至少一个孔。
7.如权利要求6所述的设备，其中所述至少一个孔是连续的环形开口。
8.如权利要求6所述的设备，其中所述至少一个孔包括围绕所述中心轴的多个径向分配的开口。
9.如权利要求6所述的设备，进一步包括：
喷头，所述喷头设置在所述工艺空间与在所述气体馈送管的所述第一端处的所述开口之间，所述喷头具有穿过所述喷头形成的多个通道，所述多个通道与所述气体馈送管和所述工艺空间流体连通。
10.如权利要求6所述的设备，其中所述环形气室的容积小于所述第一气室和所述第二气室中的每个气室的容积。
11.一种设备，包括：
盖和腔室主体，在所述盖和所述腔室主体中限定工艺空间，所述盖具有穿过所述盖形成的端口；
气体馈送管，所述气体馈送管具有第一端和第二端，在所述第一端处的开口与所述端口流体连通，所述气体馈送管具有穿过所述气体馈送管形成的多个入口端口；
第一气室主体，在所述第一气室主体中限定第一气室，所述第一气室与所述气体馈送管流体连通，所述第一气室主体具有在所述第一气室主体中形成的第一多个出口；
第二气室主体，在所述第二气室主体中限定第二气室，所述第二气室主体具有第一多个入口和第二多个出口；
第三气室主体，在所述第三气室主体中限定第三气室，所述第三气室主体具有第二多个入口和第三多个出口；
第四气室主体，在所述第四气室主体中限定环形气室，所述第四气室主体具有在所述第四气室主体中形成的第三多个入口和第四多个出口；
第一多个导管，所述第一多个导管的每个导管设置在所述第一多个入口和所述第二多个入口中的一个入口与所述第一多个出口中的一个出口之间；
第二多个导管，所述第二多个导管的每个导管设置在所述第二多个出口中的一个出口与所述第三多个入口中的一个入口之间；
第三多个导管，所述第三多个导管的每个导管设置在所述第三多个出口中的一个出口与所述第三多个入口中的一个入口之间；以及
一个或多个通道，所述一个或多个通道设置在所述第四多个出口与所述多个入口端口之间。
12.如权利要求11所述的设备，其中所述第三多个入口的数目等于所述第二多个出口和所述第三多个出口的数目。
13.如权利要求11所述的设备，其中所述入口端口围绕所述气体馈送管的中心轴等距隔开，并且其中所述第四气室主体与所述盖间隔开。
14.如权利要求11所述的设备，其中所述环形气室的容积小于所述第一气室、所述第二气室和所述第三气室中的每个气室的容积。
15.如权利要求11所述的设备，其中所述第一多个出口、所述第二多个出口、所述第三多个出口和所述第四多个出口中的每个出口具有基本上相等的流导率。
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