CN112103367A - 一种半导体光电探测器及其制备方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 42
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 15
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 12
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 18
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 18
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 6
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- -1 i.e. Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
本发明提供垂直半导体光电探测器、平面半导体光电探测器及垂直、平面半导体光电探测器的制备方法，垂直半导体光电探测器包括衬底(11)、下电极(12)、功能层(13)及上电极(14)；下电极(12)与上电极(14)中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，功能层(13)在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极(12)与上电极(14)之间的导电通路；功能层(13)在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。本发明提供的方法能够有效改善传统光电探测器中小尺寸和高响应的权衡问题、在弱光探测方面具有明显优势，同时还可以抑制光电探测器阵列中的交叉串扰问题。
Description
技术领域
本发明涉及光电探测器技术领域，具体涉及一种半导体光电探测器及其制备方法。
背景技术
在紫外探测领域，目前实用性器件主要是硅基的光电倍增管和紫外光电管。然而，光电倍增管需要在高压下工作，具有较大的体积和质量。另外，硅基紫外光电管需要附加滤光片，增加了系统的复杂性。宽禁带半导体材料SiC、GaN、ZnO、Ga2O3等具有耐高低温极端环境、抗辐照、耐击穿、高热学及化学稳定性等本征优异性质。利用宽禁带半导体材料，可以在不使用滤光片的情况下，使器件工作在深紫外波段，有利于简化紫外探测系统结构，减轻重量和体积。但器件还存在操作电压大、响应度低、光电流小、响应速度慢、器件尺寸大等缺点。
光电探测器普遍存在小尺寸下难以实现高响应的特点，即小尺寸器件与高响应性能之间权衡(tradeoff)的问题。同其他波段光电探测器类似，深紫外光电探测器为了实现较大的光吸收和较高的光响应，传统思路为增大器件表面积。对于单器件探测场景，为了实现较高的探测响应，大的器件面积无可厚非。然而，对于光电探测器的阵列成像应用而言，较大的器件面积会导致最终的阵列尺寸较大、重量大、成像分辨率低、制造成本高等问题，不利于光电探测设备的小型化发展。尤其是对于空间探测而言，小尺寸、轻质量的探测器的发展至关重要。当缩小器件尺寸，减小器件的曝光面积，探测器将面临操作电压大、响应度低、响应电流小、光暗电流比小、信噪比小等系列问题，这极大地削弱了探测器的响应性能，特别是在弱光下的探测能力。此外，由于波长较短的深紫外光在传输的过程中会受到强烈的吸收和散射，光的强度随传播距离的增加而大幅度衰减，深紫外保密通信技术对探测器的弱光探测能力具有较高的要求。综上，深紫外光电探测器小尺寸与高响应之间的tradeoff问题严重限制了其小型化、高性能的发展趋势，特别是对弱光的探测能力及大规模阵列的集成能力。另外，深紫外光电探测器还存在阵列的串扰问题，光电探测器的阵列不可避免的存在交叉串扰(crosstalk或sneak path)问题，这会导致对探测目标的错误读取和成像。在成像技术应用中，光电探测器件对集成度和分辨率具有较高的要求，交叉阵列是光电探测器高密度的主要形式。同时，光电探测器还存在弱光探测性能差的问题。
深紫外(Deep Ultra-Violet，DUV)探测器是继红外探测和激光探测之后又一个民事和军事两用的探测技术。民用方面，深紫外探测器可应用于火灾检测、电晕监控、臭氧检测、石油工业、环境污染等领域；军用方面，深紫外探测器可应用于紫外天文学、机器视觉、导弹羽流探测、导弹制导、空间保密通信等领域。随着SiC、GaN和Ga2O3等宽禁带半导体材料的生长和晶圆加工技术的成熟，宽禁带半导体材料深紫外光电探测器的研究是当下的国际研究热点。但器件还存在操作电压大、响应度低、光电流小、响应速度慢、器件尺寸大等缺点。
阻变效应是指在外部偏压激励下器件电阻发生变化的现象。金属-氧化物-金属结构阻变器件内部在外电场作用下发生氧化还原反应，其阻变效应由氧化还原反应诱导的导电通路的形成与熔断所主导。根据导电细丝在去除外置偏压后的连通或熔断状态，阻变效应又分为非易失性阻变效应和易失性阻变效应。非易失性器件在移除外置偏压后，器件的低阻态会很好的保持；易失性器件在移除外置偏压后，器件的低阻态会自发回到高阻态。
其中，非易失阻变效应多用于阻变存储器的研究，而易失性阻变效应多用于抑制阵列串扰的选通管的研究，且通常表现出较小的操作电压(＜3V)、可控的开态电流及电流密度、较大的开关电流比(＞108)、较好可缩小性(nm级)和超快响应速度(ns级)。基于阻变效应的阻变器件和基于光电效应的光电探测器都是基于金属-氧化物-金属的结构。如图，同时具有相似的电流、电压、响应速度、尺寸等应用要求。阻变器件基于较小的器件面积和操作电压就能实现较大开态电流和整流比；而光电探测器为了实现较大的开态电流，通常需要较大的器件表面积和较大的操作电压。此外，由于光增益受限，光电探测器的光暗电流比通常远小于阻变器件的整流比。因此，与光电探测器相比，阻变器件在操作电压、开态电流及电流密度、开关电流比、整流特性、可缩小性及阵列集成、响应速度等方面具有明显优势。
发明内容
(一)要解决的技术问题
针对上述问题，本发明提供了一种半导体光电探测器及其制备方法，用于至少部分解决传统光电探测器响应性能差，特别是在弱光下的探测能力差、深紫外光电探测器阵列的串扰等技术问题。
(二)技术方案
本发明一方面提供了一种垂直半导体光电探测器，包括自下而上形成的衬底11、下电极12、功能层13及上电极14；下电极12与上电极14中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，功能层13在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极12与上电极14之间的导电通路；功能层13在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。
本发明另一方面提供了一种平面半导体光电探测器，包括衬底21、下电极22、功能层23及上电极24，功能层23设置于衬底上21，下电极22、上电极24设置于功能层23的两侧；下电极22与上电极24中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，功能层23在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极22与上电极24之间的导电通路；功能层23在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。
进一步地，半导体光电探测器功能层13、功能层23厚度为5～500nm，具有光电阈值转变特性。
进一步地，垂直半导体光电探测器上电极14厚度为5～100nm、材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；下电极12厚度为5～100nm、材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au。
进一步地，平面半导体光电探测器上电极24厚度为5～100nm、材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；下电极22厚度为5～100nm、材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au。
进一步地，半导体光电探测器上电极14、上电极24包括电极保护层，电极保护层厚度为5～100nm、材料为非活性金属材料，用于防止活性电极被氧化。
本发明还有一方面提供了一种半导体光电探测器的制备方法，包括：在衬底上沉积功能层、上电极和下电极，功能层材料为具有光电阈值转变特性的半导体氧化物，下电极与上电极中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，功能层在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极与上电极之间的导电通路；功能层在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压；活性电极和惰性电极设置于功能层的上、下两侧或左、右两侧。
进一步地，半导体光电探测器的制备方法，还包括：将功能层图形化；在活性电极上淀积电极保护层。
进一步地，半导体光电探测器的制备方法，功能层厚度为5～500nm，活性电极厚度为5～100nm，惰性电极厚度为5～100nm，电极保护层厚度为5～100nm。
进一步地，半导体光电探测器的制备方法，活性电极材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；惰性电极材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au。
(三)有益效果
本发明实施例提供的一种半导体光电探测器及其制备方法，通过使功能层发生阻变形成导电通路，并使功能层在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压，可在较小的曝光面积下实现较大光电流和光暗电流比，有效改善传统光电探测器中小尺寸和高响应的权衡问题；将阻变效应与光电效应相结合，光照控制着导弹细丝的连通与断裂，在弱光条件下，能基于阻变效应实现较大的开态电流和整流比，在弱光探测方面具有优势；采用活性金属作为阳极，阳离子基阻变器件工作在易失性模式下时具有高整流比，可以抑制光电探测器阵列中的交叉串扰问题。
附图说明
图1示意性示出了根据本发明实施例垂直半导体光电探测器的结构示意图；
图2示意性示出了根据本发明实施例半导体光电探测器的开/关工作状态及I-V特性图；
图3示意性示出了根据本发明实施例平面半导体光电探测器的结构示意图；
图4示意性示出了根据本发明实施例垂直半导体光电探测器制备方法的操作流程图；
图5示意性示出了根据本发明实施例平面半导体光电探测器制备方法的操作流程图；
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
本公开的第一实施例提供了一种垂直半导体光电探测器，请参见图1，包括自下而上形成的衬底11、下电极12、功能层13及上电极14；下电极12与上电极14中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，功能层13在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极12与上电极14之间的导电通路；功能层13在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。
这里的下电极12与上电极14材料可互换，只需保证一侧电极为活性电极，另一侧为惰性电极。阻变即电阻发生变化，是指在外部偏压激励下器件电阻发生变化的现象。金属-氧化物-金属结构阻变器件内部在外电场作用下发生氧化还原反应，其阻变效应由氧化还原反应诱导的导电通路的形成与熔断所主导。阈值电压是光电探测器在高电流与低电流之间刚好发生转变时所对应的电压值，当电压高于阈值电压VTH时，下电极12与上电极14之间发生氧化还原反应而形成导电细丝，实现较高的光电流；而在无光照条件下，电压低于阈值电压VTH，导电细丝由于易失性而断裂，器件恢复至较低的暗电流状态。
下面详细介绍光电效应探测器、易失性阻变效应器件和本发明的半导体光电探测器(双效应器件)的开/关ON/OFF工作状态及I-V特性比较，请参见图2。
图2中的(a)部分为光电效应器件的开/关工作状态及I-V特性比较，光电效应探测器的响应状态由光照条件控制，通过工作电压读取电流的大小实现对光照信息的获取；图2中的(b)部分为阻变效应器件的开/关工作状态及I-V特性比较，易失性阻变效应器件的开关状态由工作电压Vread控制，Vread小于阈值转变电压VTH，器件内部不形成导电细丝，器件电流极小，当Vread大于VTH则器件内部形成导电细丝并流通高开态电流；图2中的(c)部分为本发明的双效应器件的开/关工作状态及I-V特性比较，“阻变-光电”双效应光电探测器在光照情况下由于光电效应而电阻减小，导致阻变效应中阈值电压VTH减小，设置器件Vread处在两阈值之间假定光照前器件的正向转变电压为VTH1，光照后器件的正向转变电压变为VTH2，VTH2＜Vread＜VTH1，则光照控制着导电细丝的连通与断裂，根据器件电流变化实现对光的探测。
本发明半导体光电探测器中导电细丝的连通与熔断主导着器件在高电流与低电流之间的相互转变，因此开态电流依赖于导电细丝而非器件面积。在外部深紫外光刺激的情况下，即便器件具有较小的曝光面积，由于VTH减小，依然可以通过形成导电细丝试下较高的光电流；而在无光照条件下，导电细丝由于易失性而断裂，器件恢复至较低的暗电流状态。因此本设计的新型半导体光电探测器可在较小的曝光面积下实现较大光电流和光暗电流比，有效改善传统光电探测器中小尺寸和高响应的tradeoff问题。
本公开的第二实施例提供了一种平面半导体光电探测器，请参见图3，包括衬底21、下电极22、功能层23及上电极24，功能层23设置于衬底上21，下电极22、上电极24设置于功能层23的两侧；下电极22与上电极24中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，功能层23在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极22与上电极24之间的导电通路；功能层23在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。
与实施例一相同的是，这里的下电极22与上电极24材料可互换，只需保证一侧电极为活性电极，另一侧为惰性电极。本实施例中除了功能层23与下电极22、上电极24相对位置不同于实施例一以外，其他部分都与实施例一类似。本实施例中下电极22、上电极24设置于功能层23的左、右两侧，即为平面结构；而实施例一中下电极12、上电极14设置于功能层13的上、下两侧，即为垂直结构；平面结构的深紫外光电探测器具有较大的曝光面积和光吸收，垂直结构深紫外光电探测器虽然具有较小的曝光面积和光吸收，但却具有较短的传输距离和较高的器件集成度。在不同的应用场景下，垂直及平面结构的深紫外光电探测器具有各自的应用潜力。
在上述实施例的基础上，还包括：半导体光电探测器的功能层13、功能层23厚度为5～500nm，具有光电阈值转变特性，功能层13在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极12与上电极14之间的导电通路；功能层23在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极22与上电极24之间的导电通路；功能层13、功能层23在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。
这里功能层的厚度为5～500nm，功能层材料为具有光电阈值转变特性的氧化物材料，例如ZnO、Ga2O3等。下电极、功能层与上电极组成金属-氧化物-金属结构，下电极和上电极的组成为金属材料，功能层的组成为氧化物材料，基于阻变效应的阻变器件和基于光电效应的光电探测器都是基于金属-氧化物-金属的结构，同时他们还具有相似的电流、电压、响应速度、尺寸等应用要求。由此可见，该结构的半导体光电探测器将阻变效应与光电效应相结合，光照控制着导弹细丝的连通与断裂。在弱光条件下，能基于阻变效应实现较大的开态电流和整流比，在弱光探测方面具有明显优势。
在上述实施例的基础上，还包括：垂直半导体光电探测器上电极14厚度为5～100nm、材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；下电极12厚度为5～100nm、材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au；下电极12与上电极14中的一者为活性电极，另一者为惰性电极；功能层13在阈值电压下形成下电极12与上电极14之间的导电通路。
当然，这里并不限定于上电极14的材料为Ag、Cu、Ni、Al这四种，其他活泼金属材料及其合金也可使用到本发明的范围中；同样地，这里并不限定于下电极12材料为Pt、W、Ti、Ta、Au这五种，其他非活性金属也可使用到本发明的范围中。另外，上电极的厚度均为5～100nm，并且厚度越薄越好，以保证良好的透光性。这里采用活性金属作为阳极，阳离子基阻变器件工作在易失性模式下时具有高整流比，可以抑制光电探测器阵列中的交叉串扰问题。
在上述实施例的基础上，还包括：平面半导体光电探测器上电极24厚度为5～100nm、材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；下电极22厚度为5～100nm、材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au；下电极22与上电极24中的一者为活性电极，另一者为惰性电极；功能层23在阈值电压下形成下电极22与上电极24之间的导电通路。
与垂直半导体光电探测器中上电极14、下电极12类似地，上电极24材料为活泼金属材料及其合金、下电极22材料为非活性金属即可，并不限定于具体种类。上电极24为活泼电极，在电场作用下发生氧化还原反应，在功能层23中形成导电细丝通路。
在上述实施例的基础上，还包括：半导体光电探测器上电极14、上电极24包括电极保护层，电极保护层厚度为5～100nm、材料为非活性金属材料，用于防止活性电极被氧化。
保护层的厚度也是越薄越好，以保证良好的透光性，用于保护活性电极防止其与外界接触的部分被氧化。
本公开的第三实施例提供了一种半导体光电探测器的制备方法，包括：在衬底上沉积功能层、上电极和下电极，功能层材料为具有光电阈值转变特性的半导体氧化物，下电极与上电极中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，功能层在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成下电极与上电极之间的导电通路；功能层在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压；活性电极和惰性电极设置于功能层的上、下两侧或左、右两侧。
本实施例中的“阻变-光电”双效应光电探测器在光照情况下由于光电效应而电阻减小，导致阻变效应中阈值电压VTH减小，设置器件Vread处在两阈值之间假定光照前器件的正向转变电压为VTH1，光照后器件的正向转变电压变为VTH2，VTH2＜Vread＜VTH1，则光照控制着导电细丝的连通与断裂，根据器件电流变化实现对光的探测。本发明半导体光电探测器中导电细丝的连通与熔断主导着器件在高电流与低电流之间的相互转变，因此开态电流依赖于导电细丝而非器件面积。在外部深紫外光刺激的情况下，即便器件具有较小的曝光面积，由于VTH减小，依然可以通过形成导电细丝试下较高的光电流；而在无光照条件下，导电细丝由于易失性而断裂，器件恢复至较低的暗电流状态。因此本设计的新型半导体光电探测器可在较小的曝光面积下实现较大光电流和光暗电流比，有效改善传统光电探测器中小尺寸和高响应的tradeoff问题。
在上述实施例的基础上，还包括：将功能层图形化；在活性电极上淀积电极保护层。
保护层用于保护活性电极防止其与外界接触的部分被氧化。
在上述实施例的基础上，还包括：功能层厚度为5～500nm，活性电极厚度为5～100nm，惰性电极厚度为5～100nm，电极保护层厚度为5～100nm。
上电极和保护层的厚度均为5～100nm，且厚度越薄越好，以保证良好的透光性。
在上述实施例的基础上，还包括：活性电极材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；惰性电极材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au。
这里并不限定于活性电极的材料为Ag、Cu、Ni、Al这四种，其他活泼金属材料及其合金也可使用到本发明的范围中；同样地，这里并不限定于惰性电极材料为Pt、W、Ti、Ta、Au这五种，其他非活性金属也可使用到本发明的范围中。这里采用活性金属作为阳极，阳离子基阻变器件工作在易失性模式下时具有高整流比，可以抑制光电探测器阵列中的交叉串扰问题。
需要说明的是，当活性电极和惰性电极设置于功能层的上、下两侧，制备方法具体包括：S11，衬底上先沉积活性电极与惰性电极中的一者；S12，淀积功能层；S13，沉积活性电极与惰性电极中的另一者。
请参见图4，S11，在衬底上沉积下电极BE，下电极的厚度为5～100nm，下电极材料可以是Pt、W、Ti、Ta、Au等非活性金属。衬底包括但不限于硅片，蓝宝石等。S12，在下电极上淀积功能层FL，并图形化。功能层的厚度为5～500nm，功能层材料可以是Ga2O3等所有光电探测材料，具有光电特性阈值转变特性的材料均可应用。S13，在功能层上淀积上电极TE和电极保护层。上电极和保护层的厚度均为5～100nm，越薄越好，保证透光性。上电极为活性电极，材料可以是Ag、Cu、Ni、Al等活泼金属材料及其合金。保护层为非活性金属材料以防止活性电极被氧化。上下电极材料可互换，只需保证一侧电极为活性电极，另一侧为惰性电极。
还需要说明的是，当活性电极和惰性电极设置于功能层的左、右两侧，制备方法具体包括：S21，在衬底上先沉积功能层；S22，在功能层上左、右两侧中的一侧沉积活性电极与惰性电极中的一者；S23，在功能层上左、右两侧中的另一侧沉积活性电极与惰性电极中的另一者。
请参见图5，S21，在衬底上沉积功能层FL，功能层的厚度为5～500nm，功能层材料可以是Ga2O3等所有光电探测材料，具有光电特性阈值转变特性的材料均可应用，并图形化。衬底包括但不限于硅片，蓝宝石等。S22，在功能层上淀积下电极BE，下电极的厚度为5～100nm，下电极材料可以是Pt、W、Ti、Ta等非活性金属。S23，在功能层上淀积上电极TE和电极保护层。上电极和保护层的厚度均为5～100nm以下，越薄越好，保证透光性。上电极为活性电极，材料可以是Ag、Cu、Ni、Al等活泼金属材料及其合金。保护层为非活性金属材料以防止活性电极被氧化。上下电极材料可互换，只需保证一侧电极为活性电极，另一侧为惰性电极。
平面结构深紫外光电探测器具有较大的曝光面积和光吸收，垂直结构深紫外光电探测器虽然具有较小的曝光面积和光吸收，但却具有较短的传输距离和较高的器件集成度。在不同的应用场景下，垂直及平面结构的深紫外光电探测器具有各自的应用潜力。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种垂直半导体光电探测器，包括自下而上形成的衬底(11)、下电极(12)、功能层(13)及上电极(14)；
所述下电极(12)与上电极(14)中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，所述功能层(13)在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成所述下电极(12)与上电极(14)之间的导电通路；
所述功能层(13)在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。
2.一种平面半导体光电探测器，包括衬底(21)、下电极(22)、功能层(23)及上电极(24)，所述功能层(23)设置于衬底上(21)，所述下电极(22)、上电极(24)设置于所述功能层(23)的两侧；
所述下电极(22)与上电极(24)中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，所述功能层(23)在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成所述下电极(22)与上电极(24)之间的导电通路；
所述功能层(23)在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压。
3.根据权利要求1或2所述的半导体光电探测器，其特征在于，所述功能层(13)、功能层(23)厚度为5～500nm，具有光电阈值转变特性。
4.根据权利要求1述的垂直半导体光电探测器，其特征在于，所述上电极(14)厚度为5～100nm、材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；
所述下电极(12)厚度为5～100nm、材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au。
5.根据权利要求2述的平面半导体光电探测器，其特征在于，所述上电极(24)厚度为5～100nm、材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；
所述下电极(22)厚度为5～100nm、材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au。
6.根据权利要求1或2所述的半导体光电探测器，其特征在于，所述上电极(14)、上电极(24)包括电极保护层，所述电极保护层厚度为5～100nm、材料为非活性金属材料，用于防止活性电极被氧化。
7.一种半导体光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上沉积功能层、上电极和下电极，所述功能层材料为具有光电阈值转变特性的半导体氧化物，所述下电极与上电极中的一者为活性电极，另一者为惰性电极，所述功能层在电场下能发生阻变，并在阈值电压下形成所述下电极与上电极之间的导电通路；
所述功能层在光照下的阈值电压小于在非光照下的阈值电压；
所述活性电极和惰性电极设置于功能层的上、下两侧或左、右两侧。
8.根据权利要求7所述的半导体光电探测器的制备方法，其特征在于，还包括：
将所述功能层图形化；
在所述活性电极上淀积电极保护层。
9.根据权利要求8所述的半导体光电探测器的制备方法，其特征在于，所述功能层厚度为5～500nm，所述活性电极厚度为5～100nm，所述惰性电极厚度为5～100nm，所述电极保护层厚度为5～100nm。
10.根据权利要求9所述的半导体光电探测器的制备方法，其特征在于，所述活性电极材料为活泼金属材料及其合金，材料包括Ag、Cu、Ni、Al；
所述惰性电极材料为非活性金属，材料包括Pt、W、Ti、Ta、Au。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202011075162.3A CN112103367B (zh) | 2020-10-09 | 2020-10-09 | 一种半导体光电探测器及其制备方法 |
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|---|---|
| CN112103367A true CN112103367A (zh) | 2020-12-18 |
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Country Status (1)
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