CN112098814B - 一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置，获得第一芯片预设测试温度；通过热敏电阻获得第一实时温度；获得第一温度差值；获得预定温度差值等级信息，获得第一温度差值等级；根据第一温度差值等级获得第一电流信息，通过温度控制器将第一电流信息提供至所述半导体制冷器；获得所述第一芯片的第二实时温度；将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。解决了现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及芯片测试温度控制领域，尤其涉及一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置。
背景技术
随着芯片的复杂度越来越高，芯片内部的模块越来越多，如何能准确地进行芯片测试对于成本、设计制造端、芯片性能的了解及改进都有着重大意义。
但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：
现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题。
发明内容
本申请实施例通过提供一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置，解决了现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。
鉴于上述问题，提出了本申请实施例提供一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置。
第一方面，本申请实施例提供了一种提高芯片测试温度控制精度的方法，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：获得第一芯片预设测试温度；通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
另一方面，本申请还提供了一种提高芯片测试温度控制精度的装置，所述装置包括：第一获得单元，所述第一获得单元用于获得第一芯片预设测试温度；第二获得单元，所述第二获得单元用于通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；第三获得单元，所述第三获得单元用于根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；第四获得单元，所述第四获得单元用于获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；第五获得单元，所述第五获得单元用于根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；第六获得单元，所述第六获得单元用于通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；第一输入单元，所述第一输入单元用于将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；第七获得单元，所述第七获得单元用于获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；第八获得单元，所述第八获得单元用于通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
第三方面，本发明提供了一种提高芯片测试温度控制精度的装置，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其中，所述处理器执行所述程序时实现第一方面所述方法的步骤。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
由于采用了根据第一芯片的预设测试温度及实时温度的第一温度差值，通过判断所述第一温度差值的温度差值等级获得第一电流信息，通过所述第一电流信息接入半导体制冷器去调整第一芯片测试温度，获得第二实时温度，将所述第二实时温度和预设测试温度输入第一训练模型的方式，基于训练模型不断自我修正调整的特性，达到获得第一芯片测试温度与预设测试温度差值满足第一标准的第二电流信息，通过所述第二电流信息调整芯片测试温度，进而对所述第一芯片的测试温度进行精确控制的技术效果。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
图1为本申请实施例一种提高芯片测试温度控制精度的方法的流程示意图；
图2为本申请实施例一种提高芯片测试温度控制精度的装置的结构示意图；
图3为本申请实施例示例性电子设备的结构示意图。
附图标记说明：第一获得单元11，第二获得单元12，第三获得单元13，第四获得单元14，第五获得单元15，第六获得单元16，第一输入单元17，第七获得单元18，第八获得单元19，总线300，接收器301，处理器302，发送器303，存储器304，总线接口306。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置，解决了现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。下面，将参考附图详细的描述根据本申请的示例实施例。显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是本申请的全部实施例，应理解，本申请不受这里描述的示例实施例的限制。
申请概述
随着芯片的复杂度越来越高，芯片内部的模块越来越多，如何能准确地进行芯片测试对于成本、设计制造端、芯片性能的了解及改进都有着重大意义，但现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题。
针对上述技术问题，本申请提供的技术方案总体思路如下：
本申请实施例提供了一种提高芯片测试温度控制精度的方法，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：获得第一芯片预设测试温度；通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
在介绍了本申请基本原理后，下面将结合说明书附图来具体介绍本申请的各种非限制性的实施方式。
实施例一
如图1所示，本申请实施例提供了一种提高芯片测试温度控制精度的方法，其中，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：
步骤S100：获得第一芯片预设测试温度；
步骤S200：通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；
具体而言，所述第一芯片为即将进行测试的芯片，所述预设温度为预先设定的测试芯片时所述芯片所处环境的温度，所述预设温度可以是环境整体的温度，也可以是芯片本身需达到的温度，所述温度有一预定标准波动值，即所述芯片温度或芯片的测试环境温度相对于预设测试温度差值符合第一标准，所述第一标准根据芯片测试要求设定，所述热敏电阻为反馈实时探测温度的元件，通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第一实时温度。
步骤S300：根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；
具体而言，根据所述第一实时温度和预设测试温度获得第一实时温度和预设测试温度的差值，通过初步判断所述差值，为后续进行第一次调整温度夯实了基础。
步骤S400：获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；
步骤S500：根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；
具体而言，所述预定温度差值等级为根据实时芯片温度和预设测试温度的差值进行分级设定的预定温度差值等级，不同的温度差值等级对应着相应的调整电流信息，根据预定温度差值等级信息获得第一温度差值的等级，通过所述第一温度差值的等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器，所述温度控制器为进行电流信息控制以调整芯片测试温度的温度控制模块，所述半导体制冷器为可通过调整通过电流的大小及方向进行吸热或放热的温度调控模块，通过将所述第一电流信息输入所述半导体制冷器，完成温度的初步调控。
步骤S600：通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；
具体而言，所述第二实时温度为经过半导体制冷器进行第一次温度调控后获得的第一芯片的第二实时温度；
步骤S700：将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
步骤S800：获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；
具体而言，所述第一训练模型为神经网络模型，所述神经网络模型即机器学习中的神经网络模型，神经网络(Neural Networks，NN)是由大量的、简单的处理单元（称为神经元）广泛地互相连接而形成的复杂神经网络系统，它反映了人脑功能的许多基本特征，是一个高度复杂的非线性动力学习系统。神经网络模型是以神经元的数学模型为基础来描述的。人工神经网络（Artificial Neural Networks），是对人类大脑系统的一阶特性的一种描述。简单地讲，它是一个数学模型。通过大量训练数据集的训练，将所述预设测试温度和第二实时温度输入神经网络模型，则输出满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息。
更进一步而言，所述训练的过程实质为监督学习的过程，每一组监督数据均包括预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息，将所述预设测试温度、第二实时温度输入到神经网络模型中，根据标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息，获得不同电流信息对所述芯片的测试度的调整情况。所述神经网络模型进行不断的自我修正、调整，直至获得的电流信息可以调整温度以满足预先设定的温度差的第一标准，则结束本组数据监督学习，进行下一组数据监督学习；当所述神经网络模型的输出信息达到收敛状态时，则监督学习过程结束。通过对所述神经网络模型的监督学习，进而使得所述神经网络模型针对不同预设测试温度、第二实时温度的判断更加准确，进而使得输出的用以调整芯片温度的电流信息更加合理，进而达到获得更加准确的芯片测试温度的技术效果。
步骤S900：通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
具体而言，根据所述温度控制器，将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器，通过所述半导体制冷器对所述芯片的测试温度进行第二次调整，达到提高芯片测试温度控制精度的技术效果。
进一步而言，所述通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器，本申请实施例步骤S900还包括：
步骤S910：判断所述预设测试温度是否满足第一预设温度阈值；
步骤S920：当所述预设测试温度满足第一预设温度阈值时，获得第一保护指令；
步骤S930：根据所述第一保护指令释放第一保护气流，根据所述第一保护气流保护所述第一芯片的测试环境。
具体而言，所述第一预设温度阈值为5℃，芯片载台温度在低于5℃的情况下，芯片载台会出现凝露；温度更低情况下会出现凝霜，这会严重破坏了芯片测试环境，因此，当所述预设测试温度低于5℃时，获得第一保护指令，根据所述第一保护指令，在芯片载台端面释放第一保护气流，所述保护气流气体是利用干燥空气作为保护气体，在芯片载物台端面进行两道气体保护，使得测芯片周围没有水蒸汽，从而克服了低温测试下的凝露问题。
进一步而言，所述根据所述第一保护指令释放第一保护气流，本申请实施例步骤S930还包括：
步骤S931：通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第四实时温度；
步骤S932：将所述第四实时温度输入第二训练模型，所述第二训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：第四实时温度和标识第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
步骤S933：获得所述第二训练模型的第二输出信息，所述第二输出信息包括满足所述第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准时的第三电流信息；
步骤S934：通过所述温度控制器将所述第三电流信息提供至所述半导体制冷器。
具体而言，当通过释放第一保护气流对所述第一芯片的测试环境进行保护后，所述第一芯片的测试温度会随着空气的加速流动产生波动，当所述保护气流的释放趋于稳定后，获得第一芯片的第四实时温度，将所述第四实时温度输入第二训练模型，所述第二训练模型同样为神经网络模型，将所述第四实时温度输入第二训练模型，所述训练模型不断地修正调整，获得经过调整后的芯片测试温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第三电流信息，将所述第三电流信息输入半导体制冷器，进行温度调控。通过对保护气流影响的芯片测试温度进行优化处理，获得第三电流信息，根据所述第三电流信息对芯片的测试温度进一步的调控，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。
进一步而言，本申请实施例还包括：
步骤S1010：获得第二预设温度阈值；
步骤S1020：判断所述预设测试温度是否超出第二预设温度阈值；
步骤S1030：当所述预设测试温度超出第二预设温度阈值时，获得第一预警指令；
步骤S1040：根据所述第一预警指令产生第一预警信息，根据所述第一预警信息对第一工作人员进行预警。
具体而言，所述第二预设温度阈值为超出所述半导体制冷器调控范围或调控不精确的温度阈值，当所预设测试温度超过所述第二预设温度阈值时，此时强行进行温度调控会导致调控的温度不准确甚至发生不可预知的其他风险，此时获得第一预警信息，根据所述第一预警信息对所述第一工作人员进行预警处理。
进一步而言，本申请实施例还包括：
步骤S1050：通过所述芯片测试系统获得所述第一芯片的基础信息；
步骤S1060：通过所述第一芯片的基础信息获得所述第一芯片的封装信息；
步骤S1070：根据所述第一芯片的封装信息获得第一修正参数；
步骤S1080：根据所述第一修正参数对所述第一训练模型进行修正处理；
步骤S1090：获得经过修正处理的所述第一训练模型的第三输出信息，所述第三输出信息包括修正后的第二电流信息，通过所述温度控制器将所述修正后的第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
具体而言，所述第一芯片的基础信息包含第一芯片的测试温度范围、相关温度下的预定性能、是否封装等信息，当所述第一芯片进行封装处理时，所述封装会影响所述半导体制冷器对于芯片的温度的调整，根据所述第一芯片的封装方式，产生第一修正参数，根据所述第一修正参数对所述第一训练模型进行修正处理，获得经过修正处理后的第一训练模型的第三输出信息，所述第三输出信息包括修正后的第二电流信息，将所述修正后的第二电流信息提供至所述半导体制冷器，进行温度调控。通过考量所述第一芯片的封装方式，根据不同的封装情况产生不同的修正参数对所述第一训练模型进行调整的方式，达到对所述第一芯片的测试温度精准控制的技术效果。
进一步而言，所述通过所述芯片测试系统获得所述第一芯片的基础信息，本申请实施例步骤S1050还包括：
步骤S1051：通过所述第一芯片的基础信息获得第一芯片的极限温度范围；
步骤S1052：判断所述预设测试温度是否在所述极限温度范围内；
步骤S1053：当所述预设测试温度不在所述极限温度范围内时，生成第一提醒信息；
步骤S1054：根据所述第一提醒信息对第一工作人员进行提醒。
具体而言，通过所述第一芯片的基础信息获得所述第一芯片的预定的极限温度范围，判断所述预设测试温度是否在极限温度范围内，当所述预设测试温度不在极限温度范围内时，此时的预设测试温度可能对所述芯片产生不可逆的损伤，此时获得第一提醒信息，所述提醒信息用于提醒所述第一工作人员所述预设测试温度不在所述芯片的极限温度范围内，确定是否继续按此预设温度进行测试。
进一步而言，将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型之前，本申请实施例步骤S700还包括：
步骤S710：获得第一训练数据、第二训练数据直至第N训练数据，其中，N为大于1的自然数，所述训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
步骤S720：根据所述第一训练数据生成第一标识码，所述第一标识码与所述第一训练数据一一对应；
步骤S730：根据第二训练数据和所述第一标识码生成第二标识码，以此类推，根据第N训练数据和第N-1标识码生成第N标识码，所述第N标识码与所述第N训练数据一一对应；
步骤S740：将所述训练数据及标识码分别复制保存在M台电子设备上，M为大于1的正整数。
具体而言，区块链技术也被称之为分布式账本技术，是一种由若干台计算设备共同参与“记账"，共同维护一份完整的分布式数据库的新兴技术。由于区块链技术具有去中心化、公开透明、每台计算设备可以参与数据库记录、并且各计算设备之间可以快速的进行数据同步的特性，使得区块链技术已在众多的领域中广泛的进行应用。根据所述第一训练数据生成第一标识码，所述第一标识码与第一训练数据一一对应；根据第二训练数据和第一标识码生成的第二标识码，第二训练数据与第二标识码一一对应；以此类推，根据第N训练数据和第N-1标识码生成第N标识码，其中，N为大于1的自然数。将所有训练数据和标识码分别复制保存在M台设备上，其中，所述第一训练数据和所述第一标识码作为第一存储单位保存在一台设备上，所述第二训练数据和所述第二标识码作为第二存储单位保存在一台设备上，所述第N训练数据和所述第N标识码作为第N存储单位保存在一台设备上，当需要调用所述训练数据时，每后一个节点接收前一节点存储的数据后，通过“共识机制”进行校验后保存，通过哈希函数对于每一存储单位进行串接，使得训练数据不易丢失和遭到破坏，通过区块链的逻辑对所述训练数据进行加密处理，保证了所述训练数据的安全性，并将其存储于多台设备上，所述存储于多台设备上的数据通过共识机制进行处理，当一台或多台设备被篡改时，只要存储正确数据的设备数量大于被篡改的设备数量，则获得的训练数据信息仍然是准确的，进一步的保证了训练数据的安全性，进而达到通过所述训练数据监督获得的第一训练模型的准确性，进而达到获得更加准确的第二电流信息，进而达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。
进一步而言，所述将所述训练数据及标识码分别复制保存在M台电子设备上，本申请实施例步骤S740还包括：
步骤S741：将所述第一训练数据和第一标识码作为第一存储单位；
步骤S742：获得所述第一存储单位的预定记录时间；
步骤S743：获得M台电子设备中运力最快的第一电子设备；
步骤S744：将所述第一存储单位的记录权发送给所述第一电子设备。
具体而言，将所述第一训练数据和所述第一标识码作为第一存储单位，将不能在预定时间内完成记录所述第一存储单位的设备排除，获得M台设备中记录第一存储单位运力最快的设备，将所述第一存储单位的记录权给所述设备。进一步而言，将所述第二训练数据和所述第二标识码作为第二存储单位，将所述第N训练数据和所述第N标识码作为第N存储单位，所述第二存储单位、第三存储单位直至第N存储单位均采用如第一存储单位的记录方法，进而保证了去中心化区块链系统的安全、有效和稳定运行，能够保证所述存储单位能够被快速准确的记录在设备中，进而保证了训练数据的安全性，进而达到保证所述第一训练模型的准确性，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。
综上所述，本申请实施例所提供的一种提高芯片测试温度控制精度的方法和装置具有如下技术效果：
1、由于采用了根据第一芯片的预设测试温度及实时温度的第一温度差值，通过判断所述第一温度差值的温度差值等级获得第一电流信息，通过所述第一电流信息接入半导体制冷器去调整第一芯片测试温度，获得第二实时温度，将所述第二实时温度和预设测试温度输入第一训练模型的方式，基于训练模型不断自我修正调整的特性，达到获得第一芯片测试温度与预设测试温度差值满足第一标准的第二电流信息，通过所述第二电流信息调整芯片测试温度，进而对所述第一芯片的测试温度进行精确控制的技术效果。
2、由于采用了对保护气流影响的芯片测试温度进行优化处理的方式，获得第三电流信息，根据所述第三电流信息对芯片的测试温度进一步的调控，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。
3、由于采用了考量所述第一芯片的封装方式，根据不同的封装情况产生不同的修正参数对所述第一训练模型进行调整的方式，达到对所述第一芯片的测试温度精准控制的技术效果。
实施例二
基于与前述实施例中一种提高芯片测试温度控制精度的方法同样发明构思，本发明还提供了一种提高芯片测试温度控制精度的装置，如图2所示，所述装置包括：
第一获得单元11，所述第一获得单元11用于获得第一芯片预设测试温度；
第二获得单元12，所述第二获得单元12用于通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；
第三获得单元13，所述第三获得单元13用于根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；
第四获得单元14，所述第四获得单元14用于获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；
第五获得单元15，所述第五获得单元15用于根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；
第六获得单元16，所述第六获得单元16用于通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；
第一输入单元17，所述第一输入单元17用于将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
第七获得单元18，所述第七获得单元18用于获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；
第八获得单元19，所述第八获得单元19用于通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
进一步的，所述装置还包括：
第一判断单元，所述第一判断单元用于判断所述预设测试温度是否满足第一预设温度阈值；
第九获得单元，所述第九获得单元用于当所述预设测试温度满足第一预设温度阈值时，获得第一保护指令；
第十获得单元，所述第十获得单元用于根据所述第一保护指令释放第一保护气流，根据所述第一保护气流保护所述第一芯片的测试环境。
进一步的，所述装置还包括：
第十一获得单元，所述第十一获得单元用于通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第四实时温度；
第二输入单元，所述第二输入单元用于将所述第四实时温度输入第二训练模型，所述第二训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：第四实时温度和标识第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
第十二获得单元，所述第十二获得单元用于获得所述第二训练模型的第二输出信息，所述第二输出信息包括满足所述第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准时的第三电流信息；
第十三获得单元，所述第十三获得单元用于通过所述温度控制器将所述第三电流信息提供至所述半导体制冷器。
进一步的，所述装置还包括：
第十四获得单元，所述第十四获得单元用于获得第二预设温度阈值；
第二判断单元，所述第二判断单元用于判断所述预设测试温度是否超出第二预设温度阈值；
第十五获得单元，所述第十五获得单元用于当所述预设测试温度超出第二预设温度阈值时，获得第一预警指令；
第一预警单元，所述第一预警单元用于根据所述第一预警指令产生第一预警信息，根据所述第一预警信息对第一工作人员进行预警。
进一步的，所述装置还包括：
第十六获得单元，所述第十六获得单元用于通过所述芯片测试系统获得所述第一芯片的基础信息；
第十七获得单元，所述第十七获得单元用于通过所述第一芯片的基础信息获得所述第一芯片的封装信息；
第十八获得单元，所述第十八获得单元用于根据所述第一芯片的封装信息获得第一修正参数；
第十九获得单元，所述第十九获得单元用于根据所述第一修正参数对所述第一训练模型进行修正处理；
第二十获得单元，所述第二十获得单元用于获得经过修正处理的所述第一训练模型的第三输出信息，所述第三输出信息包括修正后的第二电流信息，通过所述温度控制器将所述修正后的第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
进一步的，所述装置还包括：
第二十一获得单元，所述第二十一获得单元用于通过所述第一芯片的基础信息获得第一芯片的极限温度范围；
第三判断单元，所述第三判断单元用于判断所述预设测试温度是否在所述极限温度范围内；
第二十二获得单元，所述第二十二获得单元用于当所述预设测试温度不在所述极限温度范围内时，生成第一提醒信息；
第二十三获得单元，所述第二十三获得单元用于根据所述第一提醒信息对第一工作人员进行提醒。
进一步的，所述装置还包括：
第二十四获得单元，所述第二十四获得单元用于获得第一训练数据、第二训练数据直至第N训练数据，其中，N为大于1的自然数，所述训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
第二十五获得单元，所述第二十五获得单元用于根据所述第一训练数据生成第一标识码，所述第一标识码与所述第一训练数据一一对应；
第二十六获得单元，所述第二十六获得单元用于根据第二训练数据和所述第一标识码生成第二标识码，以此类推，根据第N训练数据和第N-1标识码生成第N标识码，所述第N标识码与所述第N训练数据一一对应；
第一保存单元，所述第一保存单元用于将所述训练数据及标识码分别复制保存在M台电子设备上，M为大于1的正整数。
前述图1实施例一中的一种提高芯片测试温度控制精度的方法的各种变化方式和具体实例同样适用于本实施例的一种提高芯片测试温度控制精度的装置，通过前述对一种提高芯片测试温度控制精度的方法的详细描述，本领域技术人员可以清楚的知道本实施例中一种提高芯片测试温度控制精度的装置的实施方法，所以为了说明书的简洁，在此不再详述。
示例性电子设备
下面参考图3来描述本申请实施例的电子设备。
图3图示了根据本申请实施例的电子设备的结构示意图。
基于与前述实施例中一种提高芯片测试温度控制精度的方法的发明构思，本发明还提供一种提高芯片测试温度控制精度的装置，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现前文所述一种提高芯片测试温度控制精度的方法的任一方法的步骤。
其中，在图3中，总线架构（用总线300来代表），总线300可以包括任意数量的互联的总线和桥，总线300将包括由处理器302代表的一个或多个处理器和存储器304代表的存储器的各种电路链接在一起。总线300还可以将诸如外围设备、稳压器和功率管理电路等之类的各种其他电路链接在一起，这些都是本领域所公知的，因此，本文不再对其进行进一步描述。总线接口306在总线300和接收器301和发送器303之间提供接口。接收器301和发送器303可以是同一个元件，即收发机，提供用于在传输介质上与各种其他系统通信的单元。
处理器302负责管理总线300和通常的处理，而存储器304可以被用于存储处理器302在执行操作时所使用的数据。
本发明实施例提供的一种提高芯片测试温度控制精度的方法，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：获得第一芯片预设测试温度；通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。解决了现有技术中存在对于芯片测试的温度控制不够准确的技术问题，达到更加准确的对芯片的测试温度进行准确控制的技术效果。
本领域内的技术人员应明白，本发明的实施例可提供为方法、系统、或计算机程序产品。因此，本发明可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质（包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等）上实施的计算机程序产品的形式。
本发明是参照根据本发明实施例的方法、设备（系统）、和计算机程序产品的流程图和／或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和／或方框图中的每一流程和／或方框、以及流程图和／或方框图中的流程和／或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的系统。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令系统的制造品，该指令系统实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理设备上，使得在计算机或其他可编程设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和／或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (9)
1.一种提高芯片测试温度控制精度的方法，其中，所述方法应用于芯片测试系统，所述芯片测试系统与温度控制器、半导体制冷器连接，其中，所述方法包括：
获得第一芯片预设测试温度；
通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；
根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；
获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；
根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过所述温度控制器将所述第一电流信息提供至所述半导体制冷器；
通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；
将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；
通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器，还包括：
判断所述预设测试温度是否满足第一预设温度阈值；
当所述预设测试温度满足第一预设温度阈值时，获得第一保护指令；
根据所述第一保护指令释放第一保护气流，根据所述第一保护气流保护所述第一芯片的测试环境。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述根据所述第一保护指令释放第一保护气流，还包括：
通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第四实时温度；
将所述第四实时温度输入第二训练模型，所述第二训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：第四实时温度和标识第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
获得所述第二训练模型的第二输出信息，所述第二输出信息包括满足所述第五实时温度受保护气流影响后与预设测试温度误差符合第一标准时的第三电流信息；
通过所述温度控制器将所述第三电流信息提供至所述半导体制冷器。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
获得第二预设温度阈值；
判断所述预设测试温度是否超出第二预设温度阈值；
当所述预设测试温度超出第二预设温度阈值时，获得第一预警指令；
根据所述第一预警指令产生第一预警信息，根据所述第一预警信息对第一工作人员进行预警。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
通过所述芯片测试系统获得所述第一芯片的基础信息；
通过所述第一芯片的基础信息获得所述第一芯片的封装信息；
根据所述第一芯片的封装信息获得第一修正参数；
根据所述第一修正参数对所述第一训练模型进行修正处理；
获得经过修正处理的所述第一训练模型的第三输出信息，所述第三输出信息包括修正后的第二电流信息，通过所述温度控制器将所述修正后的第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
6.如权利要求5所述的方法，其中，所述通过所述芯片测试系统获得所述第一芯片的基础信息，所述方法还包括：
通过所述第一芯片的基础信息获得第一芯片的极限温度范围；
判断所述预设测试温度是否在所述极限温度范围内；
当所述预设测试温度不在所述极限温度范围内时，生成第一提醒信息；
根据所述第一提醒信息对第一工作人员进行提醒。
7.如权利要求1所述的方法，其中，将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型之前，所述方法还包括：
获得第一训练数据、第二训练数据直至第N训练数据，其中，N为大于1的自然数，所述训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
根据所述第一训练数据生成第一标识码，所述第一标识码与所述第一训练数据一一对应；
根据第二训练数据和所述第一标识码生成第二标识码，以此类推，根据第N训练数据和第N-1标识码生成第N标识码，所述第N标识码与所述第N训练数据一一对应；
将所述训练数据及标识码分别复制保存在M台电子设备上，M为大于1的正整数。
8.一种提高芯片测试温度控制精度的装置，其中，所述装置包括：
第一获得单元，所述第一获得单元用于获得第一芯片预设测试温度；
第二获得单元，所述第二获得单元用于通过热敏电阻获得第一芯片的第一实时温度；
第三获得单元，所述第三获得单元用于根据所述预设测试温度及第一实时温度获得第一温度差值；
第四获得单元，所述第四获得单元用于获得预定温度差值等级信息，根据所述预定温度差值等级信息获得所述第一温度差值等级；
第五获得单元，所述第五获得单元用于根据所述第一温度差值等级获得第一电流信息，通过温度控制器将所述第一电流信息提供至半导体制冷器；
第六获得单元，所述第六获得单元用于通过所述热敏电阻获得所述第一芯片的第二实时温度；
第一输入单元，所述第一输入单元用于将所述预设测试温度和第二实时温度输入第一训练模型，所述第一训练模型通过多组训练数据训练获得，所述多组训练数据中的每组均包括：预设测试温度、第二实时温度和标识第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准的标识信息；
第七获得单元，所述第七获得单元用于获得所述第一训练模型的第一输出信息，所述第一输出信息包括满足所述第三实时温度与预设测试温度误差符合第一标准时的第二电流信息；
第八获得单元，所述第八获得单元用于通过所述温度控制器将所述第二电流信息提供至所述半导体制冷器。
9.一种提高芯片测试温度控制精度的装置，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其中，所述处理器执行所述程序时实现权利要求1-7任一项所述方法的步骤。
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